JPH1093139A - 半導体発光素子およびその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子およびその製造方法Info
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- JPH1093139A JPH1093139A JP23879596A JP23879596A JPH1093139A JP H1093139 A JPH1093139 A JP H1093139A JP 23879596 A JP23879596 A JP 23879596A JP 23879596 A JP23879596 A JP 23879596A JP H1093139 A JPH1093139 A JP H1093139A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電流狭窄を施してしきい値電流が従来より低
い、Ｎを含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物より構成される半
導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板の、幅１０
μｍのストライプ状の領域以外の部分にあらかじめアン
ドープＳｉＣ電流狭窄層１０２を１０００Å積層する。
その上にＮを含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物より構成され
るむダブルヘテロ構造を作製する。そうすることによ
り、電流狭窄が実現してしきい値電流が低下する。
い、Ｎを含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物より構成される半
導体発光素子を提供する。 【解決手段】 ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板の、幅１０
μｍのストライプ状の領域以外の部分にあらかじめアン
ドープＳｉＣ電流狭窄層１０２を１０００Å積層する。
その上にＮを含有するＩＩＩ−Ｖ族化合物より構成され
るむダブルヘテロ構造を作製する。そうすることによ
り、電流狭窄が実現してしきい値電流が低下する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、表示素子やフルカ
ラーディスプレイ、そして光ディスクの光源に用いる窒
化物を用いた発光素子に関するものである。
ラーディスプレイ、そして光ディスクの光源に用いる窒
化物を用いた発光素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】次世代高密度情報処理技術のキーデバイ
スとして、レーザの短波長化が可能な、Ｎを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体は注目を浴びている。
スとして、レーザの短波長化が可能な、Ｎを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体は注目を浴びている。
【０００３】従来よりＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導
体より構成されるレーザ構造として、図１７に示されて
いる構造が知られている。この構造のキャビティ長は１
ｍｍ、ストライプ幅２０μｍで、活性層がＭＱＷ構造で
あるダブルヘテロ構造を有することを特徴としている。
この構造により発振波長４１０ｎｍ、しきい値電圧１７
〜４０Ｖ、しきい値電流０．２〜２Ａ、しきい値電流密
度４〜１０ｋＡ／ｃｍ 2、デューティ０．１％の室温パ
ルス発振が実現している(Shuji Nakamura et al.;Japan
ese Journal of Applied Physics Vol.35(1996)pp.L74ー
L76.、ibid.;Japanese Journal of Applied Physics Vo
l.35(1996)pp.L217ーL220.、ibid.;AppliedPhysics Lette
rs Vol.68(1996)pp.2105ー2107.、特開平７−１６２０３
８号公報)。
体より構成されるレーザ構造として、図１７に示されて
いる構造が知られている。この構造のキャビティ長は１
ｍｍ、ストライプ幅２０μｍで、活性層がＭＱＷ構造で
あるダブルヘテロ構造を有することを特徴としている。
この構造により発振波長４１０ｎｍ、しきい値電圧１７
〜４０Ｖ、しきい値電流０．２〜２Ａ、しきい値電流密
度４〜１０ｋＡ／ｃｍ 2、デューティ０．１％の室温パ
ルス発振が実現している(Shuji Nakamura et al.;Japan
ese Journal of Applied Physics Vol.35(1996)pp.L74ー
L76.、ibid.;Japanese Journal of Applied Physics Vo
l.35(1996)pp.L217ーL220.、ibid.;AppliedPhysics Lette
rs Vol.68(1996)pp.2105ー2107.、特開平７−１６２０３
８号公報)。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来のＮを含むＩＩＩ
−Ｖ族化合物半導体より構成されるレーザ構造に関する
技術には、次にあげる２つの問題があった。
−Ｖ族化合物半導体より構成されるレーザ構造に関する
技術には、次にあげる２つの問題があった。
【０００５】１つ目は、上記図１７に示すようなレーザ
構造は、ストライプ幅が２０μｍと広く、電流狭窄が困
難であり、そのためにしきい値電流が０．２〜２Ａと非
常に大きくなり、レーザの室温連続発振は困難であっ
た。
構造は、ストライプ幅が２０μｍと広く、電流狭窄が困
難であり、そのためにしきい値電流が０．２〜２Ａと非
常に大きくなり、レーザの室温連続発振は困難であっ
た。
【０００６】２つ目は、上記図１７に示すようなレーザ
構造は、ストライプ幅が２０μｍと広く、横方向の屈折
率差がつかず、横モード制御ができない。そのため、光
情報記録・再生用のレーザとしての単一横モード発振を
実現することはできなかった。
構造は、ストライプ幅が２０μｍと広く、横方向の屈折
率差がつかず、横モード制御ができない。そのため、光
情報記録・再生用のレーザとしての単一横モード発振を
実現することはできなかった。
【０００７】そこで本発明では、電流狭窄を施してしき
い値電流が従来より低い、Ｎを含有するＩＩＩ−Ｖ族化
合物より構成される半導体発光素子を提供することを目
的とする。
い値電流が従来より低い、Ｎを含有するＩＩＩ−Ｖ族化
合物より構成される半導体発光素子を提供することを目
的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】発明者らは、上記問題点
を解決する、Ｎを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるレー
ザ構造及びそれを製造する技術として、以下（１）〜
（４）に示す技術を考案した。
を解決する、Ｎを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるレー
ザ構造及びそれを製造する技術として、以下（１）〜
（４）に示す技術を考案した。
【０００９】（１）ＳｉＣ基板のような、導電性の基板
に対してあらかじめＺｎＯ等の、基板に対して格子定数
が近い絶縁物結晶を、幅５〜１０μｍ程度の電流注入領
域以外の部分に積層し、その上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物からなるダブルヘテロ構造を製造する。そうすれ
ば、幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分には
電流が流れず、電流狭窄が実現し、レーザのしきい値電
流が低下する。
に対してあらかじめＺｎＯ等の、基板に対して格子定数
が近い絶縁物結晶を、幅５〜１０μｍ程度の電流注入領
域以外の部分に積層し、その上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物からなるダブルヘテロ構造を製造する。そうすれ
ば、幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分には
電流が流れず、電流狭窄が実現し、レーザのしきい値電
流が低下する。
【００１０】（２）ＳｉＣ基板のような、導電性の基板
に対してあらかじめ幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域
以外の部分に水素イオン等を打ち込んで高抵抗化し、そ
の上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるダブルヘテ
ロ構造を製造する。そうすれば、幅５〜１０μｍ程度の
電流注入領域以外の部分には電流が流れず、電流狭窄が
実現し、レーザのしきい値電流が低下する。
に対してあらかじめ幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域
以外の部分に水素イオン等を打ち込んで高抵抗化し、そ
の上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるダブルヘテ
ロ構造を製造する。そうすれば、幅５〜１０μｍ程度の
電流注入領域以外の部分には電流が流れず、電流狭窄が
実現し、レーザのしきい値電流が低下する。
【００１１】（３）ＳｉＣ基板のような、導電性の基板
に対してあらかじめ逆の導電性を持った、Ｎを含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物を幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以
外の部分に積層し、その上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合
物からなるダブルヘテロ構造を製造する。そうすれば、
幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分には電流
が流れず、電流狭窄が実現し、レーザのしきい値電流が
低下する。
に対してあらかじめ逆の導電性を持った、Ｎを含むＩＩ
Ｉ−Ｖ族化合物を幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以
外の部分に積層し、その上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合
物からなるダブルヘテロ構造を製造する。そうすれば、
幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分には電流
が流れず、電流狭窄が実現し、レーザのしきい値電流が
低下する。
【００１２】（４）ＳｉＣ基板のような、導電性の基板
に対してあらかじめＺｎＯ等の、Ｎを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物または基板に対して格子定数が近い絶縁物結晶
を、幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分に積
層し、その上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるダ
ブルヘテロ構造を製造する。さらにドライエッチングに
より幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分を絶
縁物結晶まで取り除き、その上に前記ダブルヘテロ構造
とは逆の導電性プロファイルを持ち、かつダブルヘテロ
構造の実効屈折率よりも小さい屈折率を持ったＮを含む
ＩＩＩ−Ｖ族化合物を積層する。そうすれば、幅５〜１
０μｍ程度の電流注入領域以外の部分には電流が流れ
ず、電流狭窄が実現し、レーザのしきい値電流が低下す
る。また、屈折率導波型レーザなので安定な単一横モー
ド発振レーザが実現する。
に対してあらかじめＺｎＯ等の、Ｎを含むＩＩＩ−Ｖ族
化合物または基板に対して格子定数が近い絶縁物結晶
を、幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分に積
層し、その上にＮを含むＩＩＩ−Ｖ族化合物からなるダ
ブルヘテロ構造を製造する。さらにドライエッチングに
より幅５〜１０μｍ程度の電流注入領域以外の部分を絶
縁物結晶まで取り除き、その上に前記ダブルヘテロ構造
とは逆の導電性プロファイルを持ち、かつダブルヘテロ
構造の実効屈折率よりも小さい屈折率を持ったＮを含む
ＩＩＩ−Ｖ族化合物を積層する。そうすれば、幅５〜１
０μｍ程度の電流注入領域以外の部分には電流が流れ
ず、電流狭窄が実現し、レーザのしきい値電流が低下す
る。また、屈折率導波型レーザなので安定な単一横モー
ド発振レーザが実現する。
【００１３】本発明のレーザ構造の作製は、図５に示さ
れている有機金属気相エピタキシャル装置を用い、有機
金属気相エピタキシャル成長法により行われるものであ
る。
れている有機金属気相エピタキシャル装置を用い、有機
金属気相エピタキシャル成長法により行われるものであ
る。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の、半導体発光素子、その
製造方法及び素子の特性について、図面を参照しながら
説明する。
製造方法及び素子の特性について、図面を参照しながら
説明する。
【００１５】（実施の形態１）実施の形態１を、図１、
図５、図６を用いて説明する。まず最初にアンドープＳ
ｉＣ電流狭窄層１０２をｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１
０１上に積層する方法を説明する。
図５、図６を用いて説明する。まず最初にアンドープＳ
ｉＣ電流狭窄層１０２をｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１
０１上に積層する方法を説明する。
【００１６】ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１をＣＶ
Ｄ装置内に投入し、層厚１０００ÅのＳｉＯ2６０１を
ＣＶＤ法によりｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１上全
面にわたって積層する。ＣＶＤ装置としては、光ＣＶＤ
装置を用いてもよく、またプラズマＣＶＤ装置を用いて
もよい。
Ｄ装置内に投入し、層厚１０００ÅのＳｉＯ2６０１を
ＣＶＤ法によりｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１上全
面にわたって積層する。ＣＶＤ装置としては、光ＣＶＤ
装置を用いてもよく、またプラズマＣＶＤ装置を用いて
もよい。
【００１７】次にＳｉＯ2６０１を全面に積層されたｎ
型ＳｉＣ（０００１）基板１０１に対してＳｉＯ2６０
１上全面にレジスト６０２を塗布する。
型ＳｉＣ（０００１）基板１０１に対してＳｉＯ2６０
１上全面にレジスト６０２を塗布する。
【００１８】レジスト６０２を塗布されたｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板１０１に対して幅１０μｍのマスク６
０３をかぶせ、光を照射してマスク６０３に覆われてい
ない部分のレジストを化学変化させて取り除く。その
後、マスクを取り外しＨＦ：ＮＨ 4Ｆ＝１：１０の水溶
液を用い、レジストが取り除かれた部分のＳｉＯ２６０
１を取り除く。その後アセトンおよびＯ2プラズマによ
りレジスト６０２を取り除く。このようにして幅１０μ
ｍのストライプ状のＳｉＯ2６０１がｎ型ＳｉＣ（００
０１）基板１０１上に積層される。
（０００１）基板１０１に対して幅１０μｍのマスク６
０３をかぶせ、光を照射してマスク６０３に覆われてい
ない部分のレジストを化学変化させて取り除く。その
後、マスクを取り外しＨＦ：ＮＨ 4Ｆ＝１：１０の水溶
液を用い、レジストが取り除かれた部分のＳｉＯ２６０
１を取り除く。その後アセトンおよびＯ2プラズマによ
りレジスト６０２を取り除く。このようにして幅１０μ
ｍのストライプ状のＳｉＯ2６０１がｎ型ＳｉＣ（００
０１）基板１０１上に積層される。
【００１９】次に有機溶媒による洗浄及び前処理を施さ
れ、幅１０μｍのストライプ状のＳｉＯ2６０１が積層
されたｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１をスパッタ装
置内に投入し、基板温度を３００℃とし、ＳｉＣに電子
線を照射してＳｉＣの分子線強度が１０-7Ｔｏｒｒにな
るようする。その後、ＳｉＣのビームを基板に照射し、
アンドープＳｉＣ電流狭窄層１０２を１０００Å積層す
る。その後、基板１０１を室温に戻し、ＳｉＣ層１０２
が積層された基板１０１をスパッタ装置の外へ取り出
す。ＳｉＯ2とＳｉＣは格子定数の違いが大きいのでＳ
ｉＯ2の上にＳｉＣはほとんど積層されない。このＳｉ
Ｃ層を積層する方法は、従来より知られた方法である。
れ、幅１０μｍのストライプ状のＳｉＯ2６０１が積層
されたｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１をスパッタ装
置内に投入し、基板温度を３００℃とし、ＳｉＣに電子
線を照射してＳｉＣの分子線強度が１０-7Ｔｏｒｒにな
るようする。その後、ＳｉＣのビームを基板に照射し、
アンドープＳｉＣ電流狭窄層１０２を１０００Å積層す
る。その後、基板１０１を室温に戻し、ＳｉＣ層１０２
が積層された基板１０１をスパッタ装置の外へ取り出
す。ＳｉＯ2とＳｉＣは格子定数の違いが大きいのでＳ
ｉＯ2の上にＳｉＣはほとんど積層されない。このＳｉ
Ｃ層を積層する方法は、従来より知られた方法である。
【００２０】ＳｉＣ層１０２が積層された基板１０１に
対して、フッ酸によってＳｉＯ2層６０１を取り除く。
対して、フッ酸によってＳｉＯ2層６０１を取り除く。
【００２１】ＳｉＣ層１０２が積層された基板１０１を
有機溶媒による洗浄及び前処理を施し、今度は基板１０
１を炭素製の基板ホルダ５０１上に置き、有機金属気相
エピタキシャル成長装置の成長室５０９内に投入する。
ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１に対して有機溶媒に
よる洗浄及び前処理を行う。
有機溶媒による洗浄及び前処理を施し、今度は基板１０
１を炭素製の基板ホルダ５０１上に置き、有機金属気相
エピタキシャル成長装置の成長室５０９内に投入する。
ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１に対して有機溶媒に
よる洗浄及び前処理を行う。
【００２２】次に成長室５０９内を圧力７０Ｔｏｒｒの
水素で満たし、水素雰囲気中でｎ型ＳｉＣ（０００１）
基板１０１を炭素製の基板ホルダ５０１ごとヒータ５０
８で１０９０℃まで加熱し、表面に付着している吸着ガ
スや酸化物、水分子等を取り除く。その後ｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板１０１の温度を１０００℃まで下げ、
トリメチルアルミニウム、アンモニア、シランのガス供
給ラインのバルブ５０３、５０５、５０７を開け、トリ
メチルアルミニウム５．５ｓｃｃｍ、アンモニア２．５
ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．５ｓｃｃｍを流し、ｎ型Ａｌ
Ｎバッファ層１０３を３００Å積層する。
水素で満たし、水素雰囲気中でｎ型ＳｉＣ（０００１）
基板１０１を炭素製の基板ホルダ５０１ごとヒータ５０
８で１０９０℃まで加熱し、表面に付着している吸着ガ
スや酸化物、水分子等を取り除く。その後ｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板１０１の温度を１０００℃まで下げ、
トリメチルアルミニウム、アンモニア、シランのガス供
給ラインのバルブ５０３、５０５、５０７を開け、トリ
メチルアルミニウム５．５ｓｃｃｍ、アンモニア２．５
ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．５ｓｃｃｍを流し、ｎ型Ａｌ
Ｎバッファ層１０３を３００Å積層する。
【００２３】ｎ型ＡｌＮバッファ層１０３を積層した
後、ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１の温度を１０３
０℃まで上げ、トリメチルガリウム、トリメチルアルミ
ニウム、アンモニア、シランのガス供給ラインのバルブ
５０２、５０３、５０５、５０７を開け、トリメチルガ
リウム２．７ｓｃｃｍ、トリメチルアルミニウム８．７
ｓｃｃｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．
５ｓｃｃｍを流し、層厚１．５μｍのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎ１０４を積層する。
後、ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１の温度を１０３
０℃まで上げ、トリメチルガリウム、トリメチルアルミ
ニウム、アンモニア、シランのガス供給ラインのバルブ
５０２、５０３、５０５、５０７を開け、トリメチルガ
リウム２．７ｓｃｃｍ、トリメチルアルミニウム８．７
ｓｃｃｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．
５ｓｃｃｍを流し、層厚１．５μｍのｎ型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎ１０４を積層する。
【００２４】ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ１０４を積層した
後、トリメチルアルミニウム及びシランのガス供給ライ
ン５０３、５０７を閉じ、トリメチルガリウム、アンモ
ニアのガス供給ラインのバルブ５０２、５０５を開け、
トリメチルガリウム２．７ｓｃｃｍ、アンモニア２．５
ｌ／ｍｉｎを流し、アンドープＧａＮ光ガイド層１０５
を１０００Å積層する。
後、トリメチルアルミニウム及びシランのガス供給ライ
ン５０３、５０７を閉じ、トリメチルガリウム、アンモ
ニアのガス供給ラインのバルブ５０２、５０５を開け、
トリメチルガリウム２．７ｓｃｃｍ、アンモニア２．５
ｌ／ｍｉｎを流し、アンドープＧａＮ光ガイド層１０５
を１０００Å積層する。
【００２５】アンドープＧａＮ光ガイド層１０５を積層
した後、ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１の温度を６
８０℃まで下げ、トリメチルガリウム、トリメチルイン
ジウム、アンモニアのガス供給ラインのバルブ５０２、
５０４、５０５を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃ
ｃｍ、トリメチルインジウム２７ｓｃｃｍ、アンモニア
１０ｌ／ｍｉｎを流し、アンドープＧａ0.9Ｉｎ0.1Ｎ活
性層１０６を１００Å積層する。
した後、ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１の温度を６
８０℃まで下げ、トリメチルガリウム、トリメチルイン
ジウム、アンモニアのガス供給ラインのバルブ５０２、
５０４、５０５を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃ
ｃｍ、トリメチルインジウム２７ｓｃｃｍ、アンモニア
１０ｌ／ｍｉｎを流し、アンドープＧａ0.9Ｉｎ0.1Ｎ活
性層１０６を１００Å積層する。
【００２６】アンドープＧａ0.9Ｉｎ0.1Ｎ活性層１０６
を１００Å積層した後、トリメチルインジウムのガス供
給ラインのバルブ５０４を閉じ、ｎ型ＳｉＣ（０００
１）基板１０１の温度を１０３０℃まで上げ、トリメチ
ルガリウム、アンモニアのガス供給ラインのバルブ５０
２、５０５を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃｃ
ｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎを流し、アンドープＧ
ａＮ光ガイド層１０７を１０００Å積層する。
を１００Å積層した後、トリメチルインジウムのガス供
給ラインのバルブ５０４を閉じ、ｎ型ＳｉＣ（０００
１）基板１０１の温度を１０３０℃まで上げ、トリメチ
ルガリウム、アンモニアのガス供給ラインのバルブ５０
２、５０５を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃｃ
ｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎを流し、アンドープＧ
ａＮ光ガイド層１０７を１０００Å積層する。
【００２７】アンドープＧａＮ光ガイド層１０７を１０
００Å積層した後、トリメチルガリウム、トリメチルア
ルミニウム、アンモニア、シクロペンタジエニルマグネ
シウムのガス供給ラインのバルブ５０２、５０３、５０
５、５０６を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃｃ
ｍ、トリメチルアルミニウム８．７ｓｃｃｍ、アンモニ
ア２．５ｌ／ｍｉｎ、シクロペンタジエニルマグネシウ
ム５．０ｓｃｃｍを流し、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッ
ド層１０８を１．０μｍ積層する。
００Å積層した後、トリメチルガリウム、トリメチルア
ルミニウム、アンモニア、シクロペンタジエニルマグネ
シウムのガス供給ラインのバルブ５０２、５０３、５０
５、５０６を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃｃ
ｍ、トリメチルアルミニウム８．７ｓｃｃｍ、アンモニ
ア２．５ｌ／ｍｉｎ、シクロペンタジエニルマグネシウ
ム５．０ｓｃｃｍを流し、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッ
ド層１０８を１．０μｍ積層する。
【００２８】ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層１０８を
積層した後、トリメチルアルミニウムのガス供給ライン
のバルブ５０３を閉じ、トリメチルガリウム、シクロペ
ンタジエニルマグネシウムのガス供給ラインのバルブ５
０２、５０６を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃｃ
ｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シクロペンタジエニ
ルマグネシウム５．０ｓｃｃｍを流し、ｐ型ＧａＮコン
タクト層１０９を１０００Å積層する。
積層した後、トリメチルアルミニウムのガス供給ライン
のバルブ５０３を閉じ、トリメチルガリウム、シクロペ
ンタジエニルマグネシウムのガス供給ラインのバルブ５
０２、５０６を開け、トリメチルガリウム２．７ｓｃｃ
ｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シクロペンタジエニ
ルマグネシウム５．０ｓｃｃｍを流し、ｐ型ＧａＮコン
タクト層１０９を１０００Å積層する。
【００２９】その後、水素のガス供給ラインのバルブの
みを開け、圧力７０Ｔｏｒｒの水素雰囲気中でＳｉＣ
（０００１）基板１０１の温度を７００℃に設定し、１
時間アニールを行い、ｐ型のドーパントであるマグネシ
ウムを活性化する。アニール終了後、ＳｉＣ（０００
１）基板１０１の温度を室温まで戻し、レーザ構造が積
層されたＳｉＣ（０００１）基板１０１を有機金属気相
エピタキシャル成長装置の外へ取り出す。
みを開け、圧力７０Ｔｏｒｒの水素雰囲気中でＳｉＣ
（０００１）基板１０１の温度を７００℃に設定し、１
時間アニールを行い、ｐ型のドーパントであるマグネシ
ウムを活性化する。アニール終了後、ＳｉＣ（０００
１）基板１０１の温度を室温まで戻し、レーザ構造が積
層されたＳｉＣ（０００１）基板１０１を有機金属気相
エピタキシャル成長装置の外へ取り出す。
【００３０】次にｐ型ＧａＮコンタクト層が積層された
基板１０１に幅１０μｍの領域を残して厚さ１０００Å
のＳｉＯ2絶縁層１１０を、ｐ型ＧａＮコンタクト層１
０９の上に積層する方法を、図７を用いて説明する。
基板１０１に幅１０μｍの領域を残して厚さ１０００Å
のＳｉＯ2絶縁層１１０を、ｐ型ＧａＮコンタクト層１
０９の上に積層する方法を、図７を用いて説明する。
【００３１】ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板１０１をＣＶ
Ｄ装置内に投入し、層厚１０００ÅのＳｉＯ2１１０を
ＣＶＤ法によりｐ型ＧａＮコンタクト層１０９上全面に
わたって積層する。ＣＶＤ装置としては、光ＣＶＤ装置
を用いてもよく、またプラズマＣＶＤ装置を用いてもよ
い。
Ｄ装置内に投入し、層厚１０００ÅのＳｉＯ2１１０を
ＣＶＤ法によりｐ型ＧａＮコンタクト層１０９上全面に
わたって積層する。ＣＶＤ装置としては、光ＣＶＤ装置
を用いてもよく、またプラズマＣＶＤ装置を用いてもよ
い。
【００３２】次にＳｉＯ2１１０を全面に積層されたｎ
型ＳｉＣ（０００１）基板１０１に対してＳｉＯ2１１
０上全面にレジスト７０１を塗布する。
型ＳｉＣ（０００１）基板１０１に対してＳｉＯ2１１
０上全面にレジスト７０１を塗布する。
【００３３】レジスト７０１を塗布されたｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板１０１に対して幅１０μｍのすきまが
開いているマスク７０２をかぶせ、光を照射してマスク
７０２に覆われていない部分のレジストを化学変化させ
て取り除く。その後、マスクを取り外しＨＦ：ＮＨ4Ｆ
＝１：１０の水溶液を用い、レジストが取り除かれた部
分のＳｉＯ２１１０を取り除く。その後アセトンおよび
Ｏ2プラズマによりレジスト７０１を取り除く。このよ
うにしてｐ型ＧａＮコンタクト層１０９上に幅１０μｍ
の領域を残して厚さ１０００ÅのＳｉＯ2１１０が積層
される。
（０００１）基板１０１に対して幅１０μｍのすきまが
開いているマスク７０２をかぶせ、光を照射してマスク
７０２に覆われていない部分のレジストを化学変化させ
て取り除く。その後、マスクを取り外しＨＦ：ＮＨ4Ｆ
＝１：１０の水溶液を用い、レジストが取り除かれた部
分のＳｉＯ２１１０を取り除く。その後アセトンおよび
Ｏ2プラズマによりレジスト７０１を取り除く。このよ
うにしてｐ型ＧａＮコンタクト層１０９上に幅１０μｍ
の領域を残して厚さ１０００ÅのＳｉＯ2１１０が積層
される。
【００３４】最後にレーザ構造が積層されたＳｉＣ基板
１０１に対して、基板１０１裏面にチタン１１１、金１
１２を、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０９の表面に厚さ１
０００Åのニッケル１１３及び金１１４を蒸着させ、基
板１０１をキャビティ長１ｍｍにへき開してレーザを完
成させる。
１０１に対して、基板１０１裏面にチタン１１１、金１
１２を、ｐ型ＧａＮコンタクト層１０９の表面に厚さ１
０００Åのニッケル１１３及び金１１４を蒸着させ、基
板１０１をキャビティ長１ｍｍにへき開してレーザを完
成させる。
【００３５】本発明の、上記レーザの特性を以下に述べ
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は１５ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は１５ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
【００３６】次に電気的特性について述べる。ｐ型及び
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層１０４、１０８のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層１０４、１０８それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層１０４、１
０８が製造されている。また、ｐ型ＧａＮコンタクト層
１０９とニッケル１１３の間でのオーム性接触が実現
し、さらに裏面のｎ型ＳｉＣ基板１０１とチタン１１１
との間にもオーム性接触が実現している。レーザの電流
−電圧−光出力特性は図１２の太線のようになり、細線
に示す従来のものより特性が良い。しきい値電流は９５
ｍＡと、従来のレーザ構造よりも小さくなっている。こ
れはＳｉＣ基板側をＳｉＣ層１０２で電流狭窄をおこな
ったためである。
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層１０４、１０８のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層１０４、１０８それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層１０４、１
０８が製造されている。また、ｐ型ＧａＮコンタクト層
１０９とニッケル１１３の間でのオーム性接触が実現
し、さらに裏面のｎ型ＳｉＣ基板１０１とチタン１１１
との間にもオーム性接触が実現している。レーザの電流
−電圧−光出力特性は図１２の太線のようになり、細線
に示す従来のものより特性が良い。しきい値電流は９５
ｍＡと、従来のレーザ構造よりも小さくなっている。こ
れはＳｉＣ基板側をＳｉＣ層１０２で電流狭窄をおこな
ったためである。
【００３７】なお、ＳｉＣ層１０２の代わりにＺｎＯ層
を用い、分子線エピタキシャル成長法によってＧａＮ系
レーザ構造を作製しても同様な効果が得られる。さらに
図１１に示すようにＺｎＯ層はＧａＮ系に格子整合する
のでＳｉＣ層１０２を使うよりも欠陥密度が減少し、Ｇ
ａＮ系レーザ内部損失が１０ｃｍ-1とＳｉＣ層１０２の
場合に比べて小さくなり、しきい値電流が８５ｍＡとＳ
ｉＣ層１０２の場合に比べてさらに小さくなる。さらに
ＺｎＯ層に対しては王水を用いたウェットエッチングが
容易にできるので、エッチングによるダメージがＳｉＣ
層１０２の場合に比べてさらに小さくなる。
を用い、分子線エピタキシャル成長法によってＧａＮ系
レーザ構造を作製しても同様な効果が得られる。さらに
図１１に示すようにＺｎＯ層はＧａＮ系に格子整合する
のでＳｉＣ層１０２を使うよりも欠陥密度が減少し、Ｇ
ａＮ系レーザ内部損失が１０ｃｍ-1とＳｉＣ層１０２の
場合に比べて小さくなり、しきい値電流が８５ｍＡとＳ
ｉＣ層１０２の場合に比べてさらに小さくなる。さらに
ＺｎＯ層に対しては王水を用いたウェットエッチングが
容易にできるので、エッチングによるダメージがＳｉＣ
層１０２の場合に比べてさらに小さくなる。
【００３８】なお、ＳｉＣ基板１０１の代わりに他の導
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ２絶縁層１１０
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ２絶縁層１１０
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。
【００３９】（実施の形態２）実施の形態２を、図２、
図５、図８を用いて説明する。まず最初にスパッタ装置
内において層厚１μｍのＺｎＯ層８０１をｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板２０１に積層し、その後スパッタ装置
より取り出した基板２０１のＺｎＯ層８０１の上に幅１
０μｍの領域にレジスト８０２を塗布し、レジストでお
おわれていないＺｎＯ層８０１をＨＣｌ：ＨＮＯ3＝
３：１の水溶液によって取り除き、その後レジストを除
去する。その後５００ｅＶに加速された水素イオンを基
板２０１に打ち込み、領域２０２を作製する。
図５、図８を用いて説明する。まず最初にスパッタ装置
内において層厚１μｍのＺｎＯ層８０１をｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板２０１に積層し、その後スパッタ装置
より取り出した基板２０１のＺｎＯ層８０１の上に幅１
０μｍの領域にレジスト８０２を塗布し、レジストでお
おわれていないＺｎＯ層８０１をＨＣｌ：ＨＮＯ3＝
３：１の水溶液によって取り除き、その後レジストを除
去する。その後５００ｅＶに加速された水素イオンを基
板２０１に打ち込み、領域２０２を作製する。
【００４０】そしてＨＣｌ：ＨＮＯ3＝３：１の水溶液
によってＺｎＯ層８０１を取り除く。ＺｎＯ層をマスク
に用いるのは、ＺｎＯがＳｉＣ（０００１）基板２０１
に格子定数が近く、良質で、かつイオン打ち込みに耐え
るような厚いマスクが得られるからである。
によってＺｎＯ層８０１を取り除く。ＺｎＯ層をマスク
に用いるのは、ＺｎＯがＳｉＣ（０００１）基板２０１
に格子定数が近く、良質で、かつイオン打ち込みに耐え
るような厚いマスクが得られるからである。
【００４１】次に基板２０１を炭素製の基板ホルダ５０
１上に置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の成
長室５０９内に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板
２０１に対して有機溶媒による洗浄及び前処理を行う。
１上に置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の成
長室５０９内に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板
２０１に対して有機溶媒による洗浄及び前処理を行う。
【００４２】次にダブルヘテロ構造２０３〜２０９およ
びＳｉＯ2層２１０、電極２１１〜２１４を作製する。
ダブルヘテロ構造２０３〜２０９を作製する方法は、実
施の形態１に同じである。
びＳｉＯ2層２１０、電極２１１〜２１４を作製する。
ダブルヘテロ構造２０３〜２０９を作製する方法は、実
施の形態１に同じである。
【００４３】本発明の、上記レーザの特性を以下に述べ
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は１５ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は１５ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
【００４４】次に電気的特性について述べる。ｐ型及び
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層２０４、２０８のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層２０４、２０８それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層２０４、２
０８が製造されている。
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層２０４、２０８のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層２０４、２０８それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層２０４、２
０８が製造されている。
【００４５】また、ｐ型ＧａＮコンタクト層２０９とニ
ッケル２１３の間でのオーム性接触が実現し、さらに裏
面のｎ型ＳｉＣ基板２０１とチタン２１１との間にもオ
ーム性接触が実現している。レーザの電流−電圧−光出
力特性は図１３の太線のようになり、細線に示す従来の
ものより特性が良い。しきい値電流は９５ｍＡと、従来
のレーザ構造よりも小さくなっている。これはＳｉＣ基
板２０１の、幅１０μｍの電流を注入する以外の部分２
０２が水素イオン打ち込みによって高抵抗化され、電流
狭窄が実現しているためである。
ッケル２１３の間でのオーム性接触が実現し、さらに裏
面のｎ型ＳｉＣ基板２０１とチタン２１１との間にもオ
ーム性接触が実現している。レーザの電流−電圧−光出
力特性は図１３の太線のようになり、細線に示す従来の
ものより特性が良い。しきい値電流は９５ｍＡと、従来
のレーザ構造よりも小さくなっている。これはＳｉＣ基
板２０１の、幅１０μｍの電流を注入する以外の部分２
０２が水素イオン打ち込みによって高抵抗化され、電流
狭窄が実現しているためである。
【００４６】なお、ＳｉＣ基板２０１の代わりに他の導
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ2絶縁層２１０
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ2絶縁層２１０
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。
【００４７】（実施の形態３）実施の形態３を、図３、
図５を用いて説明する。まず最初にｎ型ＳｉＣ（０００
１）基板３０１に対して、有機溶媒による洗浄及び前処
理を施し、基板３０１を炭素製の基板ホルダ５０１上に
置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の成長室５
０９内に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板３０１
に対して有機溶媒による洗浄及び前処理を行う。
図５を用いて説明する。まず最初にｎ型ＳｉＣ（０００
１）基板３０１に対して、有機溶媒による洗浄及び前処
理を施し、基板３０１を炭素製の基板ホルダ５０１上に
置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の成長室５
０９内に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板３０１
に対して有機溶媒による洗浄及び前処理を行う。
【００４８】次に成長室５０９内を圧力７０Ｔｏｒｒの
水素で満たし、水素雰囲気中でｎ型ＳｉＣ（０００１）
基板３０１を炭素製の基板ホルダ５０１ごとヒータ５０
８で１０９０℃まで加熱し、表面に付着している吸着ガ
スや酸化物、水分子等を取り除く。その後ｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板３０１をの温度を１０００℃まで下
げ、トリメチルアルミニウム、アンモニア、シクロペン
タジエニルマグネシウムのガス供給ラインのバルブ５０
３、５０５、５０６を開け、トリメチルアルミニウム
５．５ｓｃｃｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シクロ
ペンタジエニルマグネシウム１２．５ｓｃｃｍを流し、
ｐ型ＡｌＮバッファ層３０２を３００Å積層する。その
後基板３０１を室温まで冷却し、有機金属気相エピタキ
シャル成長装置の外に取り出す。
水素で満たし、水素雰囲気中でｎ型ＳｉＣ（０００１）
基板３０１を炭素製の基板ホルダ５０１ごとヒータ５０
８で１０９０℃まで加熱し、表面に付着している吸着ガ
スや酸化物、水分子等を取り除く。その後ｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板３０１をの温度を１０００℃まで下
げ、トリメチルアルミニウム、アンモニア、シクロペン
タジエニルマグネシウムのガス供給ラインのバルブ５０
３、５０５、５０６を開け、トリメチルアルミニウム
５．５ｓｃｃｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シクロ
ペンタジエニルマグネシウム１２．５ｓｃｃｍを流し、
ｐ型ＡｌＮバッファ層３０２を３００Å積層する。その
後基板３０１を室温まで冷却し、有機金属気相エピタキ
シャル成長装置の外に取り出す。
【００４９】次にｐ型ＡｌＮバッファ層３０２を幅１０
μｍにわたってドライエッチングする方法を、図９を用
いて説明する。ｐ型ＡｌＮバッファ層３０２が積層され
たｎ型ＳｉＣ（０００１）基板３０１に対して、スパッ
タにより幅１０μｍのストライプ状にＺｎＯ層９０１を
積層し、今度はドライエッチング装置内にてＺｎＯ層９
０１が積層されていない部分のｐ型ＡｌＮをＨＣｌガス
を用いてエッチングを施して取り除く。その後基板３０
１をドライエッチング装置の外に取り出し、ＺｎＯ層９
０１をＨＣｌ：ＨＮＯ3＝３：１の水溶液によって取り
除く。幅１０μｍのストライプ状にＺｎＯを積層する方
法は、実施の形態１と同様な方法である。
μｍにわたってドライエッチングする方法を、図９を用
いて説明する。ｐ型ＡｌＮバッファ層３０２が積層され
たｎ型ＳｉＣ（０００１）基板３０１に対して、スパッ
タにより幅１０μｍのストライプ状にＺｎＯ層９０１を
積層し、今度はドライエッチング装置内にてＺｎＯ層９
０１が積層されていない部分のｐ型ＡｌＮをＨＣｌガス
を用いてエッチングを施して取り除く。その後基板３０
１をドライエッチング装置の外に取り出し、ＺｎＯ層９
０１をＨＣｌ：ＨＮＯ3＝３：１の水溶液によって取り
除く。幅１０μｍのストライプ状にＺｎＯを積層する方
法は、実施の形態１と同様な方法である。
【００５０】ＺｎＯ層９０１が取り除かれた基板３０１
に対して再び有機溶媒による洗浄及び前処理を施し、今
度は基板３０１を炭素製の基板ホルダ５０１上に置き、
有機金属気相エピタキシャル成長装置の成長室５０９内
に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板３０１に対し
て有機溶媒による洗浄及び前処理を行う。
に対して再び有機溶媒による洗浄及び前処理を施し、今
度は基板３０１を炭素製の基板ホルダ５０１上に置き、
有機金属気相エピタキシャル成長装置の成長室５０９内
に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基板３０１に対し
て有機溶媒による洗浄及び前処理を行う。
【００５１】次にダブルヘテロ構造３０３〜３０９およ
びＳｉＯ2層３１０、電極３１１〜３１４を作製する。
ダブルヘテロ構造３０３〜３０９を作製する方法は、実
施の形態１に同じである。
びＳｉＯ2層３１０、電極３１１〜３１４を作製する。
ダブルヘテロ構造３０３〜３０９を作製する方法は、実
施の形態１に同じである。
【００５２】本発明の、上記レーザの特性を以下に述べ
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は１５ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は１５ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
【００５３】次に電気的特性について述べる。ｐ型及び
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層３０４、３０８のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層３０４、３０８それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層３０４、３
０８が製造されている。
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層３０４、３０８のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層３０４、３０８それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層３０４、３
０８が製造されている。
【００５４】また、ｐ型ＧａＮコンタクト層３０９とニ
ッケル３１３の間でのオーム性接触が実現し、さらに裏
面のｎ型ＳｉＣ基板３０１とチタン３１１との間にもオ
ーム性接触が実現している。レーザの電流−電圧−光出
力特性は図１４の太線のようになり、細線に示す従来の
ものより特性が良い。しきい値電流は９５ｍＡと、従来
のレーザ構造よりも小さくなっている。これはｎ型Ｓｉ
Ｃ基板側をｐ型ＡｌＮで電流狭窄をおこなったためであ
る。
ッケル３１３の間でのオーム性接触が実現し、さらに裏
面のｎ型ＳｉＣ基板３０１とチタン３１１との間にもオ
ーム性接触が実現している。レーザの電流−電圧−光出
力特性は図１４の太線のようになり、細線に示す従来の
ものより特性が良い。しきい値電流は９５ｍＡと、従来
のレーザ構造よりも小さくなっている。これはｎ型Ｓｉ
Ｃ基板側をｐ型ＡｌＮで電流狭窄をおこなったためであ
る。
【００５５】なお、ＳｉＣ基板３０１の代わりに他の導
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ2絶縁層３１０
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ2絶縁層３１０
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。
【００５６】（実施の形態４）実施の形態１を、図４、
図５、図１０を用いて説明する。まず最初にｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板４０１に対して、有機溶媒による洗浄
及び前処理を施し、基板４０１を炭素製の基板ホルダ５
０１上に置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の
成長室５０９内に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基
板４０１に対して有機溶媒による洗浄及び前処理を行
う。
図５、図１０を用いて説明する。まず最初にｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板４０１に対して、有機溶媒による洗浄
及び前処理を施し、基板４０１を炭素製の基板ホルダ５
０１上に置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の
成長室５０９内に投入する。ｎ型ＳｉＣ（０００１）基
板４０１に対して有機溶媒による洗浄及び前処理を行
う。
【００５７】次に成長室５０９内を圧力７０Ｔｏｒｒの
水素で満たし、水素雰囲気中でｎ型ＳｉＣ（０００１）
基板４０１を炭素製の基板ホルダ５０１ごとヒータ５０
８で１０９０℃まで加熱し、表面に付着している吸着ガ
スや酸化物、水分子等を取り除く。その後ｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板４０１の温度を１０００℃まで下げ、
トリメチルアルミニウム、アンモニア、シランのガス供
給ラインのバルブ５０３、５０５、５０７を開け、トリ
メチルアルミニウム５．５ｓｃｃｍ、アンモニア２．５
ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．５ｓｃｃｍを流し、ｎ型Ａｌ
Ｎバッファ層４０２を３００Å積層する。その後基板４
０１を室温まで冷却し、有機金属気相エピタキシャル成
長装置の外に取り出す。
水素で満たし、水素雰囲気中でｎ型ＳｉＣ（０００１）
基板４０１を炭素製の基板ホルダ５０１ごとヒータ５０
８で１０９０℃まで加熱し、表面に付着している吸着ガ
スや酸化物、水分子等を取り除く。その後ｎ型ＳｉＣ
（０００１）基板４０１の温度を１０００℃まで下げ、
トリメチルアルミニウム、アンモニア、シランのガス供
給ラインのバルブ５０３、５０５、５０７を開け、トリ
メチルアルミニウム５．５ｓｃｃｍ、アンモニア２．５
ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．５ｓｃｃｍを流し、ｎ型Ａｌ
Ｎバッファ層４０２を３００Å積層する。その後基板４
０１を室温まで冷却し、有機金属気相エピタキシャル成
長装置の外に取り出す。
【００５８】次にダブルヘテロ構造４０３〜４０８を作
製する。ダブルヘテロ構造４０３〜４０８を作製する方
法は、実施の形態１に同じである。
製する。ダブルヘテロ構造４０３〜４０８を作製する方
法は、実施の形態１に同じである。
【００５９】ダブルヘテロ構造４０３〜４０８が積層さ
れたｎ型ＳｉＣ（０００１）基板４０１に対して、スパ
ッタにより幅１０μｍのストライプ状の部分にＺｎＯか
らなるマスクを積層し、今度はドライエッチング装置内
にてＺｎＯが積層されていない部分のダブルヘテロ構造
４０３〜４０８を、ＨＣｌガスを用いてｎ型ＧａＮ層の
途中、残し厚み１．０μｍになるまでエッチングを施し
て取り除く。その後基板４０１をドライエッチング装置
の外に取り出し、ＺｎＯマスクをＨＣｌ：ＨＮＯ3＝
３：１の水溶液によって取り除く。ＺｎＯマスクを用い
てドライエッチングを行う方法は、実施の形態３に同じ
である。
れたｎ型ＳｉＣ（０００１）基板４０１に対して、スパ
ッタにより幅１０μｍのストライプ状の部分にＺｎＯか
らなるマスクを積層し、今度はドライエッチング装置内
にてＺｎＯが積層されていない部分のダブルヘテロ構造
４０３〜４０８を、ＨＣｌガスを用いてｎ型ＧａＮ層の
途中、残し厚み１．０μｍになるまでエッチングを施し
て取り除く。その後基板４０１をドライエッチング装置
の外に取り出し、ＺｎＯマスクをＨＣｌ：ＨＮＯ3＝
３：１の水溶液によって取り除く。ＺｎＯマスクを用い
てドライエッチングを行う方法は、実施の形態３に同じ
である。
【００６０】次に埋め込み再成長に関する手順を、図１
０を用いて説明する。ＺｎＯマスクが取り除かれた基板
４０１に対して再び有機溶媒による洗浄及び前処理を施
し、今度は基板４０１を炭素製の基板ホルダ５０１上に
置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の成長室５
０９内に投入する。
０を用いて説明する。ＺｎＯマスクが取り除かれた基板
４０１に対して再び有機溶媒による洗浄及び前処理を施
し、今度は基板４０１を炭素製の基板ホルダ５０１上に
置き、有機金属気相エピタキシャル成長装置の成長室５
０９内に投入する。
【００６１】その後基板温度を１０３０℃に設定し、ト
リメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニ
ア、シクロペンタジエニルマグネシウムのガス供給ライ
ンのバルブ５０２、５０３、５０５、５０６を開け、ト
リメチルガリウム３．７ｓｃｃｍ、トリメチルアルミニ
ウム８．７ｓｃｃｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シ
クロペンタジエニルマグネシウム５．０ｓｃｃｍを流
し、層厚０．６μｍのｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ４０９を、
ダブルヘテロ構造４０３〜４０８の、活性層４０５の途
中あたりまで積層する。
リメチルガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニ
ア、シクロペンタジエニルマグネシウムのガス供給ライ
ンのバルブ５０２、５０３、５０５、５０６を開け、ト
リメチルガリウム３．７ｓｃｃｍ、トリメチルアルミニ
ウム８．７ｓｃｃｍ、アンモニア２．５ｌ／ｍｉｎ、シ
クロペンタジエニルマグネシウム５．０ｓｃｃｍを流
し、層厚０．６μｍのｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ４０９を、
ダブルヘテロ構造４０３〜４０８の、活性層４０５の途
中あたりまで積層する。
【００６２】その後、シクロペンタジエニルマグネシウ
ムのガス供給ラインのバルブ５０６を閉じ、トリメチル
ガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニア、シラ
ンのガス供給ラインのバルブ５０２、５０３、５０５、
５０７を開け、トリメチルガリウム３．７ｓｃｃｍ、ト
リメチルアルミニウム８．７ｓｃｃｍ、アンモニア２．
５ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．５ｓｃｃｍを流し、層厚
１．１μｍのｎ型Ａｌ0. 3Ｇａ07Ｎ４１０を積層する。
ムのガス供給ラインのバルブ５０６を閉じ、トリメチル
ガリウム、トリメチルアルミニウム、アンモニア、シラ
ンのガス供給ラインのバルブ５０２、５０３、５０５、
５０７を開け、トリメチルガリウム３．７ｓｃｃｍ、ト
リメチルアルミニウム８．７ｓｃｃｍ、アンモニア２．
５ｌ／ｍｉｎ、シラン１２．５ｓｃｃｍを流し、層厚
１．１μｍのｎ型Ａｌ0. 3Ｇａ07Ｎ４１０を積層する。
【００６３】その後、水素のガス供給ラインのバルブの
みを開け、圧力７０Ｔｏｒｒの水素雰囲気中でＳｉＣ
（０００１）基板４０１の温度を７００℃に設定し、１
時間アニールを行い、ｐ型のドーパントであるマグネシ
ウムを活性化する。アニール終了後、ＳｉＣ（０００
１）基板４０１の温度を室温まで戻し、レーザ構造が積
層されたＳｉＣ（０００１）基板４０１を有機金属気相
エピタキシャル成長装置の外へ取り出す。
みを開け、圧力７０Ｔｏｒｒの水素雰囲気中でＳｉＣ
（０００１）基板４０１の温度を７００℃に設定し、１
時間アニールを行い、ｐ型のドーパントであるマグネシ
ウムを活性化する。アニール終了後、ＳｉＣ（０００
１）基板４０１の温度を室温まで戻し、レーザ構造が積
層されたＳｉＣ（０００１）基板４０１を有機金属気相
エピタキシャル成長装置の外へ取り出す。
【００６４】次にレーザ構造が積層された基板４０１
に、実施の形態１と同様に幅５μｍの領域を残して厚さ
１０００ÅのＳｉＯ2絶縁層４１１を積層する。
に、実施の形態１と同様に幅５μｍの領域を残して厚さ
１０００ÅのＳｉＯ2絶縁層４１１を積層する。
【００６５】最後にレーザ構造が積層されたＳｉＣ基板
４０１に対して、基板４０１裏面にチタン４１２および
金４１３、ｐ型ＧａＮコンタクト層４０８の表面に厚さ
１０００Åのニッケル４１４及び金４１５を蒸着させ、
基板４０１をキャビティ長１ｍｍにへき開してレーザを
完成させる。
４０１に対して、基板４０１裏面にチタン４１２および
金４１３、ｐ型ＧａＮコンタクト層４０８の表面に厚さ
１０００Åのニッケル４１４及び金４１５を蒸着させ、
基板４０１をキャビティ長１ｍｍにへき開してレーザを
完成させる。
【００６６】本発明の、上記レーザの特性を以下に述べ
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は２０ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
る。まず光学的特性について述べる。レーザの発振波長
は４００ｎｍである。端面の反射率はフロント、リアと
も２２％である。またレーザの内部損失は２０ｃｍ -1、
共振器における損失は２０ｃｍ-1である。
【００６７】次に電気的特性について述べる。ｐ型及び
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層４０３、４０７のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層４０３、４０７それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層４０３、４
０７が製造されている。
ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層４０３、４０７のキャ
リア密度は１×１０18／ｃｍ3である。移動度はｐ型及
びｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎクラッド層４０３、４０７それ
ぞれ１０ｃｍ2／Ｖ・ｓ、２５０ｃｍ2／Ｖ・ｓであり、
十分抵抗率の小さいｐ型及びｎ型クラッド層４０３、４
０７が製造されている。
【００６８】また、ｐ型ＧａＮコンタクト層４０８とニ
ッケル４１４の間でのオーム性接触が実現し、さらに裏
面のｎ型ＳｉＣ基板４０１とチタン４１２との間にもオ
ーム性接触が実現している。レーザの電流−電圧−光出
力特性は図１５の太線のようになり、細線に示す従来の
ものより特性が良い。しきい値電流は１０５ｍＡと、従
来のレーザ構造よりも小さくなっている。これはｎ型Ｓ
ｉＣ基板側をｐ型ＡｌＮで電流狭窄をおこなったためで
ある。また、レーザ発振の、水平横モードのファーフィ
ールドパターンは図１６のようになり、単一横モード閉
じ込めレーザが実現していることがわかるが、これはｐ
型およびｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層４０９、４１０による
埋め込みの効果である。
ッケル４１４の間でのオーム性接触が実現し、さらに裏
面のｎ型ＳｉＣ基板４０１とチタン４１２との間にもオ
ーム性接触が実現している。レーザの電流−電圧−光出
力特性は図１５の太線のようになり、細線に示す従来の
ものより特性が良い。しきい値電流は１０５ｍＡと、従
来のレーザ構造よりも小さくなっている。これはｎ型Ｓ
ｉＣ基板側をｐ型ＡｌＮで電流狭窄をおこなったためで
ある。また、レーザ発振の、水平横モードのファーフィ
ールドパターンは図１６のようになり、単一横モード閉
じ込めレーザが実現していることがわかるが、これはｐ
型およびｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層４０９、４１０による
埋め込みの効果である。
【００６９】なお、ＳｉＣ基板４０１の代わりに他の導
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ2絶縁層４１１
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。また、
ｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層４１０の代わりにアンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層を用いた場合、アンドープＡｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ｎが高抵抗またはｎ型の導電性を示すので、上記
と同様な効果が得られる。
電性基板、例えばＳｉ基板またはＧａＡｓ基板を用いて
も同様な効果が得られる。また、ＳｉＯ2絶縁層４１１
の代わりに他の酸化物、例えばＡｌ2Ｏ3、ＺｎＯまたは
ＭｇＡｌ2Ｏ4を用いても同様な効果が得られる。また、
ｎ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層４１０の代わりにアンドープＡ
ｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層を用いた場合、アンドープＡｌ0.3Ｇ
ａ0.7Ｎが高抵抗またはｎ型の導電性を示すので、上記
と同様な効果が得られる。
【００７０】また、上記ＺｎＯが積層されていない部分
のダブルヘテロ構造４０３〜４０８を残し厚み１．０μ
ｍになるまでエッチングを施して取り除く代わりに、Ｚ
ｎＯが積層されていない部分のダブルヘテロ構造４０３
〜４０８をすべて取り除き、その取り除いた部分にアン
ドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層を積層しても同様な効果が得
られる。
のダブルヘテロ構造４０３〜４０８を残し厚み１．０μ
ｍになるまでエッチングを施して取り除く代わりに、Ｚ
ｎＯが積層されていない部分のダブルヘテロ構造４０３
〜４０８をすべて取り除き、その取り除いた部分にアン
ドープＡｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層を積層しても同様な効果が得
られる。
【００７１】以上説明した実施形態１〜４の発光素子
は、紫〜青色の発光を示すことから、ディスプレイ等の
表示装置や、短波長の光源が必要とされる光ディスク装
置の光源に用いることができるものである。
は、紫〜青色の発光を示すことから、ディスプレイ等の
表示装置や、短波長の光源が必要とされる光ディスク装
置の光源に用いることができるものである。
【００７２】
【発明の効果】本発明の、レーザ構造及びその製造方法
により、従来のレーザ構造よりもしきい値電流が低下
し、単一横モード閉じ込めが実現し、素子としての信頼
性の高い、歩留まり率の良いものが得られる。
により、従来のレーザ構造よりもしきい値電流が低下
し、単一横モード閉じ込めが実現し、素子としての信頼
性の高い、歩留まり率の良いものが得られる。
【図１】本発明の、第１の実施の形態の発光素子に関す
る構造断面図
る構造断面図
【図２】本発明の、第２の実施の形態の発光素子に関す
る構造断面図
る構造断面図
【図３】本発明の、第３の実施の形態の発光素子に関す
る構造断面図
る構造断面図
【図４】本発明の、第４の実施の形態の発光素子に関す
る構造断面図
る構造断面図
【図５】本発明の半導体発光素子を作製する、有機金属
気相エピタキシャル装置の構造断面図
気相エピタキシャル装置の構造断面図
【図６】本発明の、第１の実施の形態における発光素子
のプロセスに関する図
のプロセスに関する図
【図７】本発明の、第１の実施の形態における発光素子
に関する、ＳｉＯ2絶縁層形成の手順に関する図
に関する、ＳｉＯ2絶縁層形成の手順に関する図
【図８】本発明の、第２の実施の形態における発光素子
のプロセスに関する図
のプロセスに関する図
【図９】本発明の、第３の実施の形態における発光素子
に関する、ドライエッチングに関する図
に関する、ドライエッチングに関する図
【図１０】本発明の、第４の実施の形態における発光素
子の埋め込み再成長に関する図
子の埋め込み再成長に関する図
【図１１】ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のバンドギャップ
と格子定数との関係、およびよく用いられる基板の格子
定数を表す図
と格子定数との関係、およびよく用いられる基板の格子
定数を表す図
【図１２】本発明の、第１の実施の形態の発光素子に関
する電流−電圧−光出力特性を表す図
する電流−電圧−光出力特性を表す図
【図１３】本発明の、第２の実施の形態の発光素子に関
する電流−電圧−光出力特性を表す図
する電流−電圧−光出力特性を表す図
【図１４】本発明の、第３の実施の形態の発光素子に関
する電流−電圧−光出力特性を表す図
する電流−電圧−光出力特性を表す図
【図１５】本発明の、第４の実施の形態の発光素子に関
する電流−電圧−光出力特性を表す図
する電流−電圧−光出力特性を表す図
【図１６】本発明の、第４の実施例の発光素子に関す
る、レーザ発振時のファーフィールドパターンを表す図
る、レーザ発振時のファーフィールドパターンを表す図
【図１７】従来の半導体発光素子に関する構造断面図
１０１ ｎ型ＳｉＣ基板 １０２ アンドープＳｉＣ電流狭窄層 ２０１ ｎ型ＳｉＣ基板 ２０２ ｎ型ＳｉＣ基板の水素打ち込み領域 ３０１ ｎ型ＳｉＣ基板 ３０２ ｐ型ＡｌＮバッファ層 ４０１ ｎ型ＳｉＣ基板 ４０９ ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層 ４１０ ｐ型Ａｌ0.3Ｇａ0.7Ｎ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原 義博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 粂 雅博 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 伴 雄三郎 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内
Claims (17)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に１０００Å以下の層
厚に積層された絶縁層と、前記絶縁層を１０μｍ以下の
幅で除去した領域と、前記絶縁層を除去した領域の上
に、Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物より成るダブルヘテロ
構造を有することを特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項２】前記基板として、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板ま
たはＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする請求項１記
載の半導体発光素子。 - 【請求項３】前記絶縁層としてＺｎＯ、Ａｌ2Ｏ3等の酸
化物を用いることを特徴とする請求項１記載の半導体発
光素子。 - 【請求項４】基板と、前記基板上に１０００Å以下の層
厚に積層された、基板とは逆の導電性を有する、Ｎを含
むＩＩＩーＶ族化合物より成る層と、前記絶縁層を１０
μｍ以下の幅で除去した領域と、前記絶縁層を除去した
領域の上に、Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物より成るダブ
ルヘテロ構造を有することを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項５】前記基板として、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板ま
たはＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする請求項４記
載の半導体発光素子。 - 【請求項６】基板上に積層されたＺｎＯ層を１０μｍ以
下の幅で除去した領域を製造するのに、前記ＺｎＯ層の
上に１０μｍ以下の幅を残してレジストを塗布し、ＨＣ
ｌとＨＮＯ3とを混合した溶液を用いてＺｎＯ層を除去
すことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項７】前記基板として、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板ま
たはＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする請求項６記
載の半導体発光素子の製造方法。 - 【請求項８】基板と、前記基板上に積層された、不純物
を添加していないＮを含むＩＩＩーＶ族化合物より成る
層と、前記Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物より成る層を１
０μｍ以下の幅で除去した領域と、前記Ｎを含むＩＩＩ
ーＶ族化合物より成る層を除去した領域の上に、Ｎを含
むＩＩＩーＶ族化合物より成る、実効屈折率が前記不純
物を添加していないＮを含むＩＩＩーＶ族化合物より大
きいダブルヘテロ構造を有することを特徴とする半導体
発光素子。 - 【請求項９】前記基板として、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板ま
たはＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする請求項８記
載の半導体発光素子。 - 【請求項１０】基板と、前記基板上に積層されたＮを含
むＩＩＩーＶ族化合物より成るダブルヘテロ構造と、前
記Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物より成るダブルヘテロ構
造を１０μｍ以下の幅を残し、かつ適当な層厚を残して
除去した領域と、前記Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物より
成るダブルヘテロ構造を除去した領域の上に、逆の導電
性を有する、Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物を含むダブル
ヘテロ構造より実効屈折率が小さい、Ｎを含むＩＩＩー
Ｖ族化合物より成る単層または多層構造を有することを
特徴とする半導体発光素子。 - 【請求項１１】前記基板として、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板
またはＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする請求項１
０記載の半導体発光素子。 - 【請求項１２】前記ダブルヘテロ構造より実効屈折率が
小さい、Ｎを含むＩＩＩーＶ族化合物より成る単層また
は多層構造のうち少なくとも１層を、不純物が添加され
ていないＮを含むＩＩＩーＶ族化合物で置き換えること
を特徴とする請求項１０記載の半導体発光素子。 - 【請求項１３】１０μｍ以下の幅を残して水素イオン等
の打ち込みによって高抵抗化した領域を有する基板と、
前記基板上にＮを含むＩＩＩーＶ族化合物より成るダブ
ルヘテロ構造を有することを特徴とする半導体発光素
子。 - 【請求項１４】前記基板として、ＳｉＣ基板、Ｓｉ基板
またはＧａＡｓ基板を用いることを特徴とする請求項１
３記載の半導体発光素子。 - 【請求項１５】基板表面に電流を通さない層を設けるこ
とにより電流狭窄を行うことを特徴とする請求項１３記
載の半導体発光素子。 - 【請求項１６】請求項１〜１５のいずれかに記載の半導
体発光素子を用いた表示装置。 - 【請求項１７】請求項１〜１５のいずれかに記載の半導
体発光素子を用いた光ディスク装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23879596A JP3767031B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23879596A JP3767031B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1093139A true JPH1093139A (ja) | 1998-04-10 |
| JP3767031B2 JP3767031B2 (ja) | 2006-04-19 |
Family
ID=17035404
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23879596A Expired - Fee Related JP3767031B2 (ja) | 1996-09-10 | 1996-09-10 | 半導体発光素子およびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3767031B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002261387A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2003524901A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁線を放出するための半導体構造素子およびその製造方法 |
| JP2008004970A (ja) * | 1998-09-16 | 2008-01-10 | Cree Inc | 縦型窒化インジウムガリウムｌｅｄ |
| JP2009503843A (ja) * | 2005-07-31 | 2009-01-29 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 基板分解防止膜を利用した窒化物系発光素子及びその製造方法 |
-
1996
- 1996-09-10 JP JP23879596A patent/JP3767031B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008004970A (ja) * | 1998-09-16 | 2008-01-10 | Cree Inc | 縦型窒化インジウムガリウムｌｅｄ |
| JP4625979B2 (ja) * | 1998-09-16 | 2011-02-02 | クリー インコーポレイテッド | 縦型窒化インジウムガリウムｌｅｄ |
| JP2003524901A (ja) * | 2000-02-24 | 2003-08-19 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 電磁線を放出するための半導体構造素子およびその製造方法 |
| JP2002261387A (ja) * | 2001-02-28 | 2002-09-13 | Sharp Corp | 半導体レーザ素子及びその製造方法 |
| JP2009503843A (ja) * | 2005-07-31 | 2009-01-29 | サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド | 基板分解防止膜を利用した窒化物系発光素子及びその製造方法 |
| US8404505B2 (en) | 2005-07-31 | 2013-03-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Nitride light emitting device of using substrate decomposition prevention layer and manufacturing method of the same |
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