JPH1079112A - 磁気記録ヘッド・サスペンション・アセンブリ及びその製造方法並びに磁気記憶システム - Google Patents
磁気記録ヘッド・サスペンション・アセンブリ及びその製造方法並びに磁気記憶システムInfo
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- JPH1079112A JPH1079112A JP9162288A JP16228897A JPH1079112A JP H1079112 A JPH1079112 A JP H1079112A JP 9162288 A JP9162288 A JP 9162288A JP 16228897 A JP16228897 A JP 16228897A JP H1079112 A JPH1079112 A JP H1079112A
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- Adjustment Of The Magnetic Head Position Track Following On Tapes (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造プロセスを用いて単一構造として
製造した低ノイズ、低質量の磁気記録ヘッド・サスペン
ション（１９）を提供すること。 【解決手段】 半導体製造プロセスを使用してシリコン
・ウェーハ（Ｓｉ）上に完全に、磁気記録ヘッドと共
に、あるいは磁気記録ヘッド無しで製造した低ノイズ磁
気ヘッド・サスペンションを設けることにより上記問題
を解決する。本発明によれば、サスペンションは半導体
製造プロセスを用いて単一構造としてシリコン・ウェー
ハから分離させ、そのヘッド・サスペンションの寸法を
出すのに研磨や切削は使用しない。ヘッド（３３）とサ
スペンション（３１）が単一構造として製造されるの
で、ヘッドをサスペンションに取り付けるプロセスは不
要である。サスペンションは、ノイズの低減のために導
電性トレース（２１０，２１２，２１４，２１６）の複
数の交差部分（２０６等）を有する集積導電回路を有す
る。サスペンションはシリコン（Ｓｉ）あるいはＡｌ2
Ｏ3のような低質量材料から作ることができる。
製造した低ノイズ、低質量の磁気記録ヘッド・サスペン
ション（１９）を提供すること。 【解決手段】 半導体製造プロセスを使用してシリコン
・ウェーハ（Ｓｉ）上に完全に、磁気記録ヘッドと共
に、あるいは磁気記録ヘッド無しで製造した低ノイズ磁
気ヘッド・サスペンションを設けることにより上記問題
を解決する。本発明によれば、サスペンションは半導体
製造プロセスを用いて単一構造としてシリコン・ウェー
ハから分離させ、そのヘッド・サスペンションの寸法を
出すのに研磨や切削は使用しない。ヘッド（３３）とサ
スペンション（３１）が単一構造として製造されるの
で、ヘッドをサスペンションに取り付けるプロセスは不
要である。サスペンションは、ノイズの低減のために導
電性トレース（２１０，２１２，２１４，２１６）の複
数の交差部分（２０６等）を有する集積導電回路を有す
る。サスペンションはシリコン（Ｓｉ）あるいはＡｌ2
Ｏ3のような低質量材料から作ることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は一体型記録ヘッド・
サスペンションに関し、特に、半導体製造プロセスを使
用して単一構造に製造した低ノイズ集積導体磁気記録サ
スペンションおよび、その製造方法に関する。
サスペンションに関し、特に、半導体製造プロセスを使
用して単一構造に製造した低ノイズ集積導体磁気記録サ
スペンションおよび、その製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】可動式の磁気記憶装置、特に磁気ディス
ク・ドライブは秀逸なメモリ装置である。つまり、これ
ら磁気ディスク・ドライブは比較的低価格の機能拡張非
揮発性メモリ記憶機構ということによる。これらの装置
からの実際の記憶情報の検索は、磁気トランスデューサ
をできる限り記憶媒体に近づけた位置にする必要があ
り、非常に微妙である。最適には、トランスデューサは
実際に媒体と接触することも考えられる。
ク・ドライブは秀逸なメモリ装置である。つまり、これ
ら磁気ディスク・ドライブは比較的低価格の機能拡張非
揮発性メモリ記憶機構ということによる。これらの装置
からの実際の記憶情報の検索は、磁気トランスデューサ
をできる限り記憶媒体に近づけた位置にする必要があ
り、非常に微妙である。最適には、トランスデューサは
実際に媒体と接触することも考えられる。
【０００３】磁気ディスク・ドライブは情報記憶装置で
あり、データを記憶するように設けられた同心状のデー
タ・トラックを有する少なくとも１個の回転磁気媒体デ
ィスクと、種々のデータ・トラックにデータを書込み、
あるいはデータ・トラックから読取るための読み／書き
トランスデューサと、通常は記憶媒体上を飛行モードで
データ・トラックに隣接するトランスデューサを支持す
るスライダと、データ・トラック上でスライダとトラン
スデューサを弾力的に支持するサスペンション・アセン
ブリと、読み／書き操作の際に所望のデータ・トラック
までトランスデューサを記憶媒体上を移動させ、かつト
ランスデューサをデータ・トラックの中心線上に維持す
るため、トランスデューサ／スライダ／サスペンション
の組合せに接続した位置決めアクチュエータとを使用し
ている。トランスデューサはスライダに取り付けられる
か、一体に形成され、そのスライダはトランスデューサ
をディスクの回転により発生した空気のクッション（以
後、エアー・ベアリングと称する）により記憶ディスク
のデータ表面上に保持する。
あり、データを記憶するように設けられた同心状のデー
タ・トラックを有する少なくとも１個の回転磁気媒体デ
ィスクと、種々のデータ・トラックにデータを書込み、
あるいはデータ・トラックから読取るための読み／書き
トランスデューサと、通常は記憶媒体上を飛行モードで
データ・トラックに隣接するトランスデューサを支持す
るスライダと、データ・トラック上でスライダとトラン
スデューサを弾力的に支持するサスペンション・アセン
ブリと、読み／書き操作の際に所望のデータ・トラック
までトランスデューサを記憶媒体上を移動させ、かつト
ランスデューサをデータ・トラックの中心線上に維持す
るため、トランスデューサ／スライダ／サスペンション
の組合せに接続した位置決めアクチュエータとを使用し
ている。トランスデューサはスライダに取り付けられる
か、一体に形成され、そのスライダはトランスデューサ
をディスクの回転により発生した空気のクッション（以
後、エアー・ベアリングと称する）により記憶ディスク
のデータ表面上に保持する。
【０００４】あるいは、トランスデューサはディスクの
表面に接触して操作することも可能である。トランスデ
ューサ／スライダ／サスペンション・アセンブリにアク
チュエータを接続するアクチュエータ・アームとスライ
ダの間の所望スライダ負荷と寸法的な安定をスライダが
提供する。このサスペンションは、トランスデューサと
スライダをできる限り低い負荷力でディスクのデータ表
面に隣接するように維持することが求められる。アクチ
ュエータは、読取り操作の際に所望のデータに応じて正
確なトラック上に、あるいは書込み操作の際にデータ位
置の正確なトラック上にトランスデューサを位置決めす
る。トランスデューサ／スライダ／サスペンション・ア
センブリをディスクの表面上でデータ・トラックを横切
る方向に移動することにより、トランスデューサを所望
のデータ・トラックに位置決めするようにアクチュエー
タが制御される。
表面に接触して操作することも可能である。トランスデ
ューサ／スライダ／サスペンション・アセンブリにアク
チュエータを接続するアクチュエータ・アームとスライ
ダの間の所望スライダ負荷と寸法的な安定をスライダが
提供する。このサスペンションは、トランスデューサと
スライダをできる限り低い負荷力でディスクのデータ表
面に隣接するように維持することが求められる。アクチ
ュエータは、読取り操作の際に所望のデータに応じて正
確なトラック上に、あるいは書込み操作の際にデータ位
置の正確なトラック上にトランスデューサを位置決めす
る。トランスデューサ／スライダ／サスペンション・ア
センブリをディスクの表面上でデータ・トラックを横切
る方向に移動することにより、トランスデューサを所望
のデータ・トラックに位置決めするようにアクチュエー
タが制御される。
【０００５】薄膜磁気記録ヘッドやサスペンションの開
発が、特に磁気媒体のディジタル・コンピュータ情報の
高速、高密度記録や検索の分野において多大な関心のあ
る事柄となってきている。
発が、特に磁気媒体のディジタル・コンピュータ情報の
高速、高密度記録や検索の分野において多大な関心のあ
る事柄となってきている。
【０００６】従来の薄膜磁気記録ヘッドは、例えば、ア
ルミナ・チタン・カーバイド（ＡｌＴｉＣ）あるいはシ
リコンのような公知の適切な物質を使用して製造され、
物理的および機械的方法を用いてステンレス・スチール
製の撓み部材に支持させる。銅製の複線よりコード、あ
るいは並行線、単層の集積回路（銅トレースと称され
る）等が磁気記録ヘッドを記録チャンネルに電気的に接
続するため使用される。
ルミナ・チタン・カーバイド（ＡｌＴｉＣ）あるいはシ
リコンのような公知の適切な物質を使用して製造され、
物理的および機械的方法を用いてステンレス・スチール
製の撓み部材に支持させる。銅製の複線よりコード、あ
るいは並行線、単層の集積回路（銅トレースと称され
る）等が磁気記録ヘッドを記録チャンネルに電気的に接
続するため使用される。
【０００７】サスペンション上に単層の集積回路を設け
る公知の方法は、固い基板上に導体の薄膜層を設け、続
いて絶縁物質を設けることが一般的である。導電薄膜層
はヘッドと、ドライブを活動させるために使用する電力
供給源とネットワークへのアドレス間の電気的な接続を
提供する。絶縁薄膜層（ポリイミド、ＳｉＯ2）が種々
の薄膜導電層を電気的に絶縁するため使用される。種々
の薄膜層は通常、真空被覆（スパッタリング、蒸着）、
電気メッキ、スピン・コーティング（例えば、絶縁材料
のスピン・オン）などの種々の技術により設けられる。
る公知の方法は、固い基板上に導体の薄膜層を設け、続
いて絶縁物質を設けることが一般的である。導電薄膜層
はヘッドと、ドライブを活動させるために使用する電力
供給源とネットワークへのアドレス間の電気的な接続を
提供する。絶縁薄膜層（ポリイミド、ＳｉＯ2）が種々
の薄膜導電層を電気的に絶縁するため使用される。種々
の薄膜層は通常、真空被覆（スパッタリング、蒸着）、
電気メッキ、スピン・コーティング（例えば、絶縁材料
のスピン・オン）などの種々の技術により設けられる。
【０００８】銅線のよりコードは通常モードのノイズ、
静電気および電磁気ノイズを約３０乃至４０ｄｂ押さえ
ることが知られているが、現在使用されている集積回路
サスペンションの設計では、ノイズを減少させるために
集積した銅回路や銅トレースの交差を認めていない。こ
うして得られた一体型ヘッド／サスペンション・アセン
ブリは、望ましくない通常モードのノイズを受けてしま
う。
静電気および電磁気ノイズを約３０乃至４０ｄｂ押さえ
ることが知られているが、現在使用されている集積回路
サスペンションの設計では、ノイズを減少させるために
集積した銅回路や銅トレースの交差を認めていない。こ
うして得られた一体型ヘッド／サスペンション・アセン
ブリは、望ましくない通常モードのノイズを受けてしま
う。
【０００９】更に、従来のヘッドはサスペンションへの
装着も必要とし、電気接点への配線はヘッド・アセンブ
リへ接合させねばならない。これらのプロセスはヘッド
／サスペンション・アセンブリのサイズを増大させる
他、コストもかなり上昇させる。
装着も必要とし、電気接点への配線はヘッド・アセンブ
リへ接合させねばならない。これらのプロセスはヘッド
／サスペンション・アセンブリのサイズを増大させる
他、コストもかなり上昇させる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】半導体製造プロセスを
用いて単一構造として製造した低ノイズ磁気記録ヘッド
・サスペンションを提供する必要がある。
用いて単一構造として製造した低ノイズ磁気記録ヘッド
・サスペンションを提供する必要がある。
【００１１】また、半導体製造プロセスを用いて単一構
造として製造した低ノイズ、低質量の記録ヘッド・サス
ペンションを提供する必要がある
造として製造した低ノイズ、低質量の記録ヘッド・サス
ペンションを提供する必要がある
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記従来技術の限界およ
び他の限界を克服するため、本発明は低ノイズ、低質量
磁気記録ヘッド・サスペンションおよびその製造方法を
提供する。
び他の限界を克服するため、本発明は低ノイズ、低質量
磁気記録ヘッド・サスペンションおよびその製造方法を
提供する。
【００１３】本発明は、半導体製造プロセスを使用して
シリコン・ウェーハ（Ｓｉ）上に完全に、磁気記録ヘッ
ドと共に、あるいは磁気記録ヘッド無しで製造した低ノ
イズ磁気ヘッド・サスペンションを設けることにより上
記問題を解決する。本発明によれば、サスペンションは
半導体製造プロセスを用いて単一構造としてシリコン・
ウェーハから分離させ、そのヘッド・サスペンションの
寸法を出すのに研磨や切削は使用しない。ヘッドとサス
ペンションが単一構造として製造されるので、ヘッドを
サスペンションに取り付けるプロセスは不要である。サ
スペンションは、ノイズの低減のために導電性トレース
の複数の交差部分を有する集積導電回路を有する。サス
ペンションはシリコン（Ｓｉ）あるいはＡｌ2Ｏ3のよう
な低質量材料から作ることができる。
シリコン・ウェーハ（Ｓｉ）上に完全に、磁気記録ヘッ
ドと共に、あるいは磁気記録ヘッド無しで製造した低ノ
イズ磁気ヘッド・サスペンションを設けることにより上
記問題を解決する。本発明によれば、サスペンションは
半導体製造プロセスを用いて単一構造としてシリコン・
ウェーハから分離させ、そのヘッド・サスペンションの
寸法を出すのに研磨や切削は使用しない。ヘッドとサス
ペンションが単一構造として製造されるので、ヘッドを
サスペンションに取り付けるプロセスは不要である。サ
スペンションは、ノイズの低減のために導電性トレース
の複数の交差部分を有する集積導電回路を有する。サス
ペンションはシリコン（Ｓｉ）あるいはＡｌ2Ｏ3のよう
な低質量材料から作ることができる。
【００１４】本発明の原理によるシステムは、Ｎ+シリ
コン層を上に設けたＰ-シリコン・ウェーハを有する。
Ｎ+シリコン層とＰ-シリコン・ウェーハは加熱酸化させ
て、そのウェーハのＮ+層側と反対側のシリコン第一層
およびウェーハのＮ+層側の酸化珪素第二層を生成し、
かつＮ+シリコンをＰ-シリコン・ウェーハ内に入れる。
ポリシリコンの層は、例えば珪化物のような高い導電性
媒体を使用してＮ+シリコン層の上面の酸化珪素層上に
設けることができる。そして、サスペンション構造を形
成するためにポリシリコンでパターンを描く。オプショ
ンとして、サスペンションが磁気ヘッドを有する一体構
造として作るのなら、磁気記録ヘッドがポリシリコン上
に設けられるようにポリシリコンでパターンを描く。次
に、そのポリシリコン上に初めにシード層を設けること
により複数の交差を有する集積導電回路構造を製造す
る。そして、そのシード層上にフォトレジストを設け
る。フォトレジストを露光、現像をして導電トレースの
幾何学的配列を形成する。この幾何学的配列を設けた導
電トレースに、銅や金のような導電材料で所望の厚さの
電気メッキを行う。あるいは、持ち上げてトレースをス
パッタリングで設けることもできる。そしてシード層は
除去する。トレースが交差する位置で第一導電トレース
上に絶縁層を設け、このプロセスを繰り返す。第一導電
トレースを有するポリシリコン上にシード層を設ける。
次に、そのシード層上にフォトレジストを設ける。フォ
トレジストを露光、現像をして第一導電トレースと交差
する第二導電トレースの幾何学的配列を形成する。この
第二導電トレースの幾何学的配列に、銅あるいは金のよ
うな導電材料で所望の厚さの電気メッキをする。そし
て、シード層は除去する。保護膜が必要なら、次にＳｉ
Ｏ2を交差しているトレース上に設ける。最後に、集積
したトレースを有するサスペンションを、エッチング腐
食液により酸化珪素第一層および選択的エッチングによ
りＰ-シリコンを除去して、ウェーハから分離する。
コン層を上に設けたＰ-シリコン・ウェーハを有する。
Ｎ+シリコン層とＰ-シリコン・ウェーハは加熱酸化させ
て、そのウェーハのＮ+層側と反対側のシリコン第一層
およびウェーハのＮ+層側の酸化珪素第二層を生成し、
かつＮ+シリコンをＰ-シリコン・ウェーハ内に入れる。
ポリシリコンの層は、例えば珪化物のような高い導電性
媒体を使用してＮ+シリコン層の上面の酸化珪素層上に
設けることができる。そして、サスペンション構造を形
成するためにポリシリコンでパターンを描く。オプショ
ンとして、サスペンションが磁気ヘッドを有する一体構
造として作るのなら、磁気記録ヘッドがポリシリコン上
に設けられるようにポリシリコンでパターンを描く。次
に、そのポリシリコン上に初めにシード層を設けること
により複数の交差を有する集積導電回路構造を製造す
る。そして、そのシード層上にフォトレジストを設け
る。フォトレジストを露光、現像をして導電トレースの
幾何学的配列を形成する。この幾何学的配列を設けた導
電トレースに、銅や金のような導電材料で所望の厚さの
電気メッキを行う。あるいは、持ち上げてトレースをス
パッタリングで設けることもできる。そしてシード層は
除去する。トレースが交差する位置で第一導電トレース
上に絶縁層を設け、このプロセスを繰り返す。第一導電
トレースを有するポリシリコン上にシード層を設ける。
次に、そのシード層上にフォトレジストを設ける。フォ
トレジストを露光、現像をして第一導電トレースと交差
する第二導電トレースの幾何学的配列を形成する。この
第二導電トレースの幾何学的配列に、銅あるいは金のよ
うな導電材料で所望の厚さの電気メッキをする。そし
て、シード層は除去する。保護膜が必要なら、次にＳｉ
Ｏ2を交差しているトレース上に設ける。最後に、集積
したトレースを有するサスペンションを、エッチング腐
食液により酸化珪素第一層および選択的エッチングによ
りＰ-シリコンを除去して、ウェーハから分離する。
【００１５】本発明による別の実施例では、低ノイズ磁
気ヘッド・サスペンションは磁気ヘッドと一体に製造す
る。この実施例では、磁気ヘッドは半導体製造技術を用
いてポリシリコン上に磁気ヘッドを形成する。コイルを
磁気ヘッドに形成すると同時に、複数の交差を有する導
電トレースをサスペンション上に形成する。初めのコイ
ル形成時、第一導電トレースのパターンをサスペンショ
ンのポリシリコン層に形成する。導電トレースはジグザ
グにサスペンションの長さに渡り伸展する。導電トレー
スの一端は磁気ヘッドとの接続用に、他端はアームの電
子端子パッドへの接続用にするのが望ましい。次に、第
二コイルを磁気ヘッドに形成する際に、第二導電トレー
スをサスペンションの長さに沿って形成する。第一導電
トレース同様のこの第二導電トレースは、第一導電トレ
ースと第二導電トレースがサスペンションの長さに沿っ
た数カ所で交差するように、第一導電トレースのパター
ンと反対にジグザグに形成する。この第二の実施例によ
れば、磁気記録ヘッドとアームの電子部品を接続する導
電リード線を形成する新たな工程は不要である。また、
サスペンションの表面に導電トレースを形成する別なプ
ロセスも不要である。
気ヘッド・サスペンションは磁気ヘッドと一体に製造す
る。この実施例では、磁気ヘッドは半導体製造技術を用
いてポリシリコン上に磁気ヘッドを形成する。コイルを
磁気ヘッドに形成すると同時に、複数の交差を有する導
電トレースをサスペンション上に形成する。初めのコイ
ル形成時、第一導電トレースのパターンをサスペンショ
ンのポリシリコン層に形成する。導電トレースはジグザ
グにサスペンションの長さに渡り伸展する。導電トレー
スの一端は磁気ヘッドとの接続用に、他端はアームの電
子端子パッドへの接続用にするのが望ましい。次に、第
二コイルを磁気ヘッドに形成する際に、第二導電トレー
スをサスペンションの長さに沿って形成する。第一導電
トレース同様のこの第二導電トレースは、第一導電トレ
ースと第二導電トレースがサスペンションの長さに沿っ
た数カ所で交差するように、第一導電トレースのパター
ンと反対にジグザグに形成する。この第二の実施例によ
れば、磁気記録ヘッドとアームの電子部品を接続する導
電リード線を形成する新たな工程は不要である。また、
サスペンションの表面に導電トレースを形成する別なプ
ロセスも不要である。
【００１６】本発明の交差導電トレースはシリコン・ウ
ェーハ上に完全に製造すると説明したが、トレースは有
機分離層を利用する米国特許第5,408,373号（発明者Baj
orek他）にて示されたようにヘッド・サスペンション・
アセンブリ上に形成することも可能である。本発明によ
る導電トレースは、また、ヘッドとサスペンションの傾
斜を形成する銅分離層と複数の銅壁を利用するHamilton
等の米国特許第5,483,025号に説明されているようにサ
スペンション上にも形成できる。
ェーハ上に完全に製造すると説明したが、トレースは有
機分離層を利用する米国特許第5,408,373号（発明者Baj
orek他）にて示されたようにヘッド・サスペンション・
アセンブリ上に形成することも可能である。本発明によ
る導電トレースは、また、ヘッドとサスペンションの傾
斜を形成する銅分離層と複数の銅壁を利用するHamilton
等の米国特許第5,483,025号に説明されているようにサ
スペンション上にも形成できる。
【００１７】本発明の特徴の一つは、低ノイズ磁気ヘッ
ド・サスペンションが半導体製造プロセスを用いて製造
され、従来技術の集積回路サスペンションの並列するト
レース間に発生した望ましくないクロストークを減少す
ることである。
ド・サスペンションが半導体製造プロセスを用いて製造
され、従来技術の集積回路サスペンションの並列するト
レース間に発生した望ましくないクロストークを減少す
ることである。
【００１８】本発明の別の特徴は、半導体製造プロセス
を用いて低ノイズの磁気ヘッドとサスペンションを単一
構造として製造でき、よってヘッドの取り付けプロセス
を省くことである。
を用いて低ノイズの磁気ヘッドとサスペンションを単一
構造として製造でき、よってヘッドの取り付けプロセス
を省くことである。
【００１９】本発明の別の特徴は、磁気リード内に電気
コイルを形成すると同時にサスペンション上に導電トレ
ースを形成することができ、導電リード線を取り付ける
ための別のプロセスを省くことである。
コイルを形成すると同時にサスペンション上に導電トレ
ースを形成することができ、導電リード線を取り付ける
ための別のプロセスを省くことである。
【００２０】本発明の別の特徴は、低ノイズの一体型磁
気ヘッド・サスペンションを寸法および質量を減少させ
て製造することである。
気ヘッド・サスペンションを寸法および質量を減少させ
て製造することである。
【００２１】さらに、本発明の別の特徴は、機械的プロ
セスを省き、マイクロ・リソグラフ技術により形成され
るトレースがサイズを減少させ、最適な機能を得、複数
のトレースを可能とするので、ヘッドとサスペンション
のサイズを縮小できることである。
セスを省き、マイクロ・リソグラフ技術により形成され
るトレースがサイズを減少させ、最適な機能を得、複数
のトレースを可能とするので、ヘッドとサスペンション
のサイズを縮小できることである。
【００２２】さらに、本発明の別の特徴は、切断プロセ
スから削ったり、砕いたりする作業がなくなるので、一
体型ヘッド・サスペンションは信頼性を増大することで
ある。
スから削ったり、砕いたりする作業がなくなるので、一
体型ヘッド・サスペンションは信頼性を増大することで
ある。
【００２３】
【発明の実施の形態】本発明は、半導体製造プロセスを
使用してシリコン（Ｓｉ）ウェーハ上に完全に形成した
低ノイズ、低質量の磁気ヘッド・サスペンションを提供
するものである。このサスペンションは半導体製造プロ
セスを用いて単一の構造としてシリコン・ウェーハから
分離させられる。オプションとして、一体型磁気ヘッド
を有したサスペンションは半導体製造プロセスを用いて
シリコン・ウェーハから単一構造として分離させる。こ
のサスペンションの寸法を決めるために研磨や切削は使
用しない。このヘッドをサスペンションに取り付けるた
めのプロセスは不要である。サスペンションはシリコン
（Ｓｉ）やＡｌ2Ｏ3のような低質量材料から作られる。
使用してシリコン（Ｓｉ）ウェーハ上に完全に形成した
低ノイズ、低質量の磁気ヘッド・サスペンションを提供
するものである。このサスペンションは半導体製造プロ
セスを用いて単一の構造としてシリコン・ウェーハから
分離させられる。オプションとして、一体型磁気ヘッド
を有したサスペンションは半導体製造プロセスを用いて
シリコン・ウェーハから単一構造として分離させる。こ
のサスペンションの寸法を決めるために研磨や切削は使
用しない。このヘッドをサスペンションに取り付けるた
めのプロセスは不要である。サスペンションはシリコン
（Ｓｉ）やＡｌ2Ｏ3のような低質量材料から作られる。
【００２４】図１は磁気記憶システム１０を示してお
り、そのハウジング１１内には回転アクチュエータ１
３、スピンドル１７に取り付けた磁気記憶ディスク１
５、およびディスク１５を回転するためスピンドル１７
に接続した駆動手段（図示せず）を設けてある。回転ア
クチュエータ１３は、本発明によるトランスデューサ／
サスペンション集積アセンブリ１９を記憶ディスク１５
の表面を横切る弧状の経路を移動させる。回転アクチュ
エータ１３は、固定永久磁石アセンブリ２３の磁界内を
移動可能なコイル２１から構成するボイス・コイル・モ
ータを有する。一端に可動コイル２１を形成したアクチ
ュエータ・アーム２５は軸２７に回転可能に設けられて
いる。アクチュエータ・アーム２５の他端にサポート・
アーム２９が取り付けられ、サポート・アーム２９はデ
ィスク１５の表面を横切るように突き出している。この
サポート・アーム２９は後述の方法で製造されるトラン
スデューサ／サスペンション集積アセンブリ１９を、デ
ィスク１５の表面上に片持ちばりのように支持する。
り、そのハウジング１１内には回転アクチュエータ１
３、スピンドル１７に取り付けた磁気記憶ディスク１
５、およびディスク１５を回転するためスピンドル１７
に接続した駆動手段（図示せず）を設けてある。回転ア
クチュエータ１３は、本発明によるトランスデューサ／
サスペンション集積アセンブリ１９を記憶ディスク１５
の表面を横切る弧状の経路を移動させる。回転アクチュ
エータ１３は、固定永久磁石アセンブリ２３の磁界内を
移動可能なコイル２１から構成するボイス・コイル・モ
ータを有する。一端に可動コイル２１を形成したアクチ
ュエータ・アーム２５は軸２７に回転可能に設けられて
いる。アクチュエータ・アーム２５の他端にサポート・
アーム２９が取り付けられ、サポート・アーム２９はデ
ィスク１５の表面を横切るように突き出している。この
サポート・アーム２９は後述の方法で製造されるトラン
スデューサ／サスペンション集積アセンブリ１９を、デ
ィスク１５の表面上に片持ちばりのように支持する。
【００２５】図２はサスペンション部分３１と、そのサ
スペンション部分３１の一端に一体的に形成したトラン
スデューサ／スライダ３３とを有する集積アセンブリ１
９を示す。このサスペンション部分３１は、ディスク１
５の回転により発生するエアー・ベアリングあるいはエ
アー・クッションでディスク１５の表面上にトランスデ
ューサ／スライダ３３を支持する。
スペンション部分３１の一端に一体的に形成したトラン
スデューサ／スライダ３３とを有する集積アセンブリ１
９を示す。このサスペンション部分３１は、ディスク１
５の回転により発生するエアー・ベアリングあるいはエ
アー・クッションでディスク１５の表面上にトランスデ
ューサ／スライダ３３を支持する。
【００２６】図には２組の導電トレース対２１０、２１
２と２１４、２１６を有するトランスデューサのリード
が示されている。導電端あるいは端子２０２、２０４、
２１８、２２０はディスク・ドライブ制御電子部品に接
続するためのポートを構成し、導電端あるいは端子２２
２、２２４、２２６、２２８は磁気ヘッド３３に接続す
るためのポートを構成している。便宜上、１対の導電ト
レースについて説明すると、第一導電トレース２１０と
第二導電トレース２１２から構成した導電トレース対
は、よりの無い(un-twisted)部分２３０と、よりの有る
(twisted)部分２０６に分けることができる。導電トレ
ース２１０、２１２は、よりの無い部分２３０の長さで
はほぼ並列である。そして、導電トレース２１０、２１
２はＸ形状の交差部分２０６を形成するように互いに重
なり交差している。交差部分２０６が生じる長さは、並
列部分２３０の長さに比べて短いことが望ましい。
２と２１４、２１６を有するトランスデューサのリード
が示されている。導電端あるいは端子２０２、２０４、
２１８、２２０はディスク・ドライブ制御電子部品に接
続するためのポートを構成し、導電端あるいは端子２２
２、２２４、２２６、２２８は磁気ヘッド３３に接続す
るためのポートを構成している。便宜上、１対の導電ト
レースについて説明すると、第一導電トレース２１０と
第二導電トレース２１２から構成した導電トレース対
は、よりの無い(un-twisted)部分２３０と、よりの有る
(twisted)部分２０６に分けることができる。導電トレ
ース２１０、２１２は、よりの無い部分２３０の長さで
はほぼ並列である。そして、導電トレース２１０、２１
２はＸ形状の交差部分２０６を形成するように互いに重
なり交差している。交差部分２０６が生じる長さは、並
列部分２３０の長さに比べて短いことが望ましい。
【００２７】図３乃至図６には、本発明による一体型ヘ
ッド・サスペンションを製造するプロセスを示してあ
る。図３はＰ-シリコン・ウェーハ６０を示している。
このＰ-シリコン・ウェーハ６０は図４に示すようにイ
オン注入あるいはドープ処理したガラスの外部拡散によ
りＮ+６２をドープし、ドープ処理シリコン・ウェーハ
とした。そして、このドープ処理シリコン・ウェーハ６
４を熱酸化させて、ウェーハ６４の両側に酸化珪素層６
６を生成し、かつＮ+ドーパント６２をこのウェーハ内
に入れるようにしてサスペンションの所望厚さとする。
あるいは、ウェーハ６４は酸化の後にアニールしてもよ
い。こうして得られた酸化構造６６は図５に示されてい
る。
ッド・サスペンションを製造するプロセスを示してあ
る。図３はＰ-シリコン・ウェーハ６０を示している。
このＰ-シリコン・ウェーハ６０は図４に示すようにイ
オン注入あるいはドープ処理したガラスの外部拡散によ
りＮ+６２をドープし、ドープ処理シリコン・ウェーハ
とした。そして、このドープ処理シリコン・ウェーハ６
４を熱酸化させて、ウェーハ６４の両側に酸化珪素層６
６を生成し、かつＮ+ドーパント６２をこのウェーハ内
に入れるようにしてサスペンションの所望厚さとする。
あるいは、ウェーハ６４は酸化の後にアニールしてもよ
い。こうして得られた酸化構造６６は図５に示されてい
る。
【００２８】ポリシリコン、あるいはドープ処理ポリシ
リコン、あるいは珪化物の層６８、約１μｍ厚を低圧化
学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）、
あるいは他の同様な半導体形成プロセスを使用して酸化
珪素層６６上に設ける。分かり易くするため、ここでは
ポリシリコンのみ使用する。しかし、当業者はポリシリ
コンという用語を使用している部分には、ドープ処理ポ
リシリコンあるいは珪化物を置き換えられることが理解
できよう。ポリシリコン６８はフォトレジストや化学エ
ッチング剤、あるいは反応性イオン・エッチングを使用
してパターンを描き、ヘッド構造やサスペンション構造
を一体として、あるいは分離して形成し、また、ホール
やリードへの接点も設ける。図６はこの完成したウェー
ハ７０とその構成する層の断面図を示す。
リコン、あるいは珪化物の層６８、約１μｍ厚を低圧化
学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）、
あるいは他の同様な半導体形成プロセスを使用して酸化
珪素層６６上に設ける。分かり易くするため、ここでは
ポリシリコンのみ使用する。しかし、当業者はポリシリ
コンという用語を使用している部分には、ドープ処理ポ
リシリコンあるいは珪化物を置き換えられることが理解
できよう。ポリシリコン６８はフォトレジストや化学エ
ッチング剤、あるいは反応性イオン・エッチングを使用
してパターンを描き、ヘッド構造やサスペンション構造
を一体として、あるいは分離して形成し、また、ホール
やリードへの接点も設ける。図６はこの完成したウェー
ハ７０とその構成する層の断面図を示す。
【００２９】オプションとして、記録ヘッドを有する単
一構造のサスペンションを製造するなら、その磁気ヘッ
ドは公知の半導体製造技術を用いてポリシリコン層上に
形成させる。磁気ヘッドを製造するプロセスの一例は米
国特許第4,837,924号、PROCESS FOR THE PRODUCTION OF
PLANAR STRUCTURE THIN FILM MAGNETIC HEADS（平板構
造の薄膜磁気ヘッドの製造用プロセス）、および米国特
許第4,949,207号、PLANAR STRUCTURE THIN FILM MAGNET
IC HEAD（平板構造の薄膜磁気ヘッド）に記載があり、
両方ともに発明者は、Jean-Pierre Lazzariであり、Com
missariat al'Energie Atomiqueへ譲渡されている。説
明を容易にするため、Lazzariによる磁気ヘッドの製造
を説明する。しかし、当業者なら半導体技術を使用する
磁気ヘッドを製造する他のプロセスも使用できることは
理解できるであろう。さらに、Lazzariは水平磁気ヘッ
ド製造プロセスについて記述している。しかし、本発明
は一体型サスペンションや水平磁気ヘッドに限定される
ものではない事は理解されよう。
一構造のサスペンションを製造するなら、その磁気ヘッ
ドは公知の半導体製造技術を用いてポリシリコン層上に
形成させる。磁気ヘッドを製造するプロセスの一例は米
国特許第4,837,924号、PROCESS FOR THE PRODUCTION OF
PLANAR STRUCTURE THIN FILM MAGNETIC HEADS（平板構
造の薄膜磁気ヘッドの製造用プロセス）、および米国特
許第4,949,207号、PLANAR STRUCTURE THIN FILM MAGNET
IC HEAD（平板構造の薄膜磁気ヘッド）に記載があり、
両方ともに発明者は、Jean-Pierre Lazzariであり、Com
missariat al'Energie Atomiqueへ譲渡されている。説
明を容易にするため、Lazzariによる磁気ヘッドの製造
を説明する。しかし、当業者なら半導体技術を使用する
磁気ヘッドを製造する他のプロセスも使用できることは
理解できるであろう。さらに、Lazzariは水平磁気ヘッ
ド製造プロセスについて記述している。しかし、本発明
は一体型サスペンションや水平磁気ヘッドに限定される
ものではない事は理解されよう。
【００３０】図７乃至図１９はLazzariにより説明され
た磁気ヘッド製造プロセスの主な工程を示す。図６のポ
リシリコン層上に、二酸化珪素層１１１を設けるか、成
長させ、またその上に第一絶縁膜１１２（例えば、酸化
珪素）を形成する。図８以降は、磁気ヘッドの製造につ
いてのみ説明し、ポリシリコン層の図示は省略してあ
る。
た磁気ヘッド製造プロセスの主な工程を示す。図６のポ
リシリコン層上に、二酸化珪素層１１１を設けるか、成
長させ、またその上に第一絶縁膜１１２（例えば、酸化
珪素）を形成する。図８以降は、磁気ヘッドの製造につ
いてのみ説明し、ポリシリコン層の図示は省略してあ
る。
【００３１】絶縁膜１１２および基板１１１は図８に示
すようにエッチングをして第一凹部１１３を形成する。
基板全体上に、第一導電膜１１４を設ける。その膜１１
４は第一凹部１１３の底だけに残るように選択的にエッ
チング処理する。導電膜１１４を電極として使用する第
一次電気分解により、第一磁気膜１１６を凹部１１３を
満たすように設け、その第一磁気膜１１６が図９に示さ
れるように第一絶縁膜１１２の表面と同一面となる。こ
のようにして、上記磁気膜が基板に設けられる。
すようにエッチングをして第一凹部１１３を形成する。
基板全体上に、第一導電膜１１４を設ける。その膜１１
４は第一凹部１１３の底だけに残るように選択的にエッ
チング処理する。導電膜１１４を電極として使用する第
一次電気分解により、第一磁気膜１１６を凹部１１３を
満たすように設け、その第一磁気膜１１６が図９に示さ
れるように第一絶縁膜１１２の表面と同一面となる。こ
のようにして、上記磁気膜が基板に設けられる。
【００３２】図１０は基板１１１全体に設けた第二絶縁
膜１１８を示している。この第二絶縁膜１１８内には、
図１１に示した電気コイル１２０が形成されている。こ
のコイルは側方部分（１つだけ示す）１２０’で閉じら
れ、コイルの中央部分１２０と同じ面にある。図１２は
コイル１２０のどちらか一方の側に２つの開口部１２
１、１２２を示しており、第二絶縁膜１１８内にエッチ
ング処理して設け、第一磁気膜１１６に到達している。
膜１１８を示している。この第二絶縁膜１１８内には、
図１１に示した電気コイル１２０が形成されている。こ
のコイルは側方部分（１つだけ示す）１２０’で閉じら
れ、コイルの中央部分１２０と同じ面にある。図１２は
コイル１２０のどちらか一方の側に２つの開口部１２
１、１２２を示しており、第二絶縁膜１１８内にエッチ
ング処理して設け、第一磁気膜１１６に到達している。
【００３３】第一導電膜１１４を電極として利用する第
二次電気分解により、これらの開口部が満たされて磁気
接点パッド１２３、１２４を形成し、第一磁気絶縁膜１
１６と良好な磁気的継続を成し、図１３に示したように
第二絶縁膜１１８と同じ面となる。図１４に示すごと
く、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ポリイミド樹脂の第三
絶縁膜１２６を全体に設ける。その第三絶縁膜１２６の
磁気接点パッド１２３、１２４の上に第二、第三凹部１
２７、１２８をエッチング処理で設け、第二、第三凹部
の間に中央絶縁アイランド１３２（経路ｈ）を残す。第
二導電膜１３３を全体に設け、その後、選択的にエッチ
ング処理して第二、第三凹部１２７、１２８の底にだけ
残るようにする。
二次電気分解により、これらの開口部が満たされて磁気
接点パッド１２３、１２４を形成し、第一磁気絶縁膜１
１６と良好な磁気的継続を成し、図１３に示したように
第二絶縁膜１１８と同じ面となる。図１４に示すごと
く、例えばＳｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、ポリイミド樹脂の第三
絶縁膜１２６を全体に設ける。その第三絶縁膜１２６の
磁気接点パッド１２３、１２４の上に第二、第三凹部１
２７、１２８をエッチング処理で設け、第二、第三凹部
の間に中央絶縁アイランド１３２（経路ｈ）を残す。第
二導電膜１３３を全体に設け、その後、選択的にエッチ
ング処理して第二、第三凹部１２７、１２８の底にだけ
残るようにする。
【００３４】図１５は第二導電膜１３３を電極として利
用する第三次電気分解を示し、第二、第三凹部が２つの
部分１３０、１３１に区分けされ、中央絶縁アイランド
１３２の両側に位置した第二磁性薄膜により満たされて
いる。その第二磁性薄膜は第三絶縁膜１２６の表面と同
じレベルである。図１６に示すように、その上に第四保
護絶縁膜１３４を設ける。その第四凹部１３６には、中
央絶縁アイランド１３２を中心にして非磁性薄膜スペー
サを作る。このスペーサは上記のヨーロッパ特許出願に
記述してある方法により得られる。すなわち、絶縁物質
１３８を設け、エッチングにより段状に形成し、図１７
に示すように非磁性薄膜１４０を設け、図１８に示すよ
うに水平部分をエッチングして、垂直壁１４２を残す。
全体に第三導電薄膜１４３を設け、次に、この薄膜をエ
ッチングにより選択的に処理してスペーサ１４２のどち
らか側の第四凹部１３６の底にだけ残すようにする。
用する第三次電気分解を示し、第二、第三凹部が２つの
部分１３０、１３１に区分けされ、中央絶縁アイランド
１３２の両側に位置した第二磁性薄膜により満たされて
いる。その第二磁性薄膜は第三絶縁膜１２６の表面と同
じレベルである。図１６に示すように、その上に第四保
護絶縁膜１３４を設ける。その第四凹部１３６には、中
央絶縁アイランド１３２を中心にして非磁性薄膜スペー
サを作る。このスペーサは上記のヨーロッパ特許出願に
記述してある方法により得られる。すなわち、絶縁物質
１３８を設け、エッチングにより段状に形成し、図１７
に示すように非磁性薄膜１４０を設け、図１８に示すよ
うに水平部分をエッチングして、垂直壁１４２を残す。
全体に第三導電薄膜１４３を設け、次に、この薄膜をエ
ッチングにより選択的に処理してスペーサ１４２のどち
らか側の第四凹部１３６の底にだけ残すようにする。
【００３５】図１９は、第三導電薄膜１４３を電極とし
て使用する第四電気分解プロセスを示しており、第四凹
部１３６は第三磁性薄膜で満たされ、非磁性スペーサ１
４２の両側に分割した２つの部分１４６、１４８が形成
され、この第三磁性薄膜は硬質保護薄膜１３４の表面と
同じレベルとされる。従って、従来技術のように、この
部材を磨く必要はない。
て使用する第四電気分解プロセスを示しており、第四凹
部１３６は第三磁性薄膜で満たされ、非磁性スペーサ１
４２の両側に分割した２つの部分１４６、１４８が形成
され、この第三磁性薄膜は硬質保護薄膜１３４の表面と
同じレベルとされる。従って、従来技術のように、この
部材を磨く必要はない。
【００３６】このプロセスでは、導電薄膜１１４、１３
３、１４３は、例えば銅、クロム、あるいはタングステ
ンで形成することができる。磁性薄膜１１６、１２３、
１２４、１３０、１３１、１４６、１４８は高い透磁率
を得るように比率８０：２０のＦｅ：Ｎｉを使用可能で
ある。磁性薄膜１１６の厚さは１から５μｍであり、垂
直壁１４２は０．０５と１μｍの間の幅を有する。中央
絶縁アイランド１３２の幅Ｘは１と５μｍの間である。
保護絶縁膜１３４の厚さは１と５μｍの間である。エッ
チング幅Ｙは図１６に示すように５と１５μｍの間であ
る。
３、１４３は、例えば銅、クロム、あるいはタングステ
ンで形成することができる。磁性薄膜１１６、１２３、
１２４、１３０、１３１、１４６、１４８は高い透磁率
を得るように比率８０：２０のＦｅ：Ｎｉを使用可能で
ある。磁性薄膜１１６の厚さは１から５μｍであり、垂
直壁１４２は０．０５と１μｍの間の幅を有する。中央
絶縁アイランド１３２の幅Ｘは１と５μｍの間である。
保護絶縁膜１３４の厚さは１と５μｍの間である。エッ
チング幅Ｙは図１６に示すように５と１５μｍの間であ
る。
【００３７】図２０乃至図２２を参照にして、複数の交
差を有する低ノイズの集積導体回路構造を製造するプロ
セスを説明する。銅あるいは金のような導電トレースを
ウェーハのヘッド側あるいは裏側に設けることができ、
このプロセスは磁気抵抗および磁気誘導のような全ての
タイプの磁気記録ヘッドに適用できる。
差を有する低ノイズの集積導体回路構造を製造するプロ
セスを説明する。銅あるいは金のような導電トレースを
ウェーハのヘッド側あるいは裏側に設けることができ、
このプロセスは磁気抵抗および磁気誘導のような全ての
タイプの磁気記録ヘッドに適用できる。
【００３８】図２０は、銅、金あるいはパーマロイのよ
うなシード層２４０をポリシリコン層６８上に設けた状
態を示す。次に、フォトレジストを塗布し、露光および
現像をして導電トレースの幾何学的配置を形成する。望
ましい実施例では、導電トレースの幅は５０から１００
ミクロンの範囲である。導電トレース間の間隔２４２は
５０から１００ミクロンの範囲である。次に、導電物質
２４０を２から４０ミクロンの範囲の厚さに電気メッキ
する。望ましい実施例では、導電物質２４０は１８ミク
ロンの厚さに電気メッキする。シード層はスパッタ・エ
ッチングあるいはイオン・ミリングのような公知のプロ
セスで除去される。
うなシード層２４０をポリシリコン層６８上に設けた状
態を示す。次に、フォトレジストを塗布し、露光および
現像をして導電トレースの幾何学的配置を形成する。望
ましい実施例では、導電トレースの幅は５０から１００
ミクロンの範囲である。導電トレース間の間隔２４２は
５０から１００ミクロンの範囲である。次に、導電物質
２４０を２から４０ミクロンの範囲の厚さに電気メッキ
する。望ましい実施例では、導電物質２４０は１８ミク
ロンの厚さに電気メッキする。シード層はスパッタ・エ
ッチングあるいはイオン・ミリングのような公知のプロ
セスで除去される。
【００３９】図２１には、絶縁層２４８が第一導電層２
４０に塗布され、交差部分２０６の絶縁ポケットを形成
した状態を示している。適切な絶縁層の例は、ハード・
ベイク・フォトレジスト、アルミナ、あるいはＳｉＯ2
である。アルミナあるいはＳｉＯ2を使用するなら、Ｒ
ＩＥあるいは化学エッチングのような追加の工程が絶縁
層２４８を形成するために必要である。
４０に塗布され、交差部分２０６の絶縁ポケットを形成
した状態を示している。適切な絶縁層の例は、ハード・
ベイク・フォトレジスト、アルミナ、あるいはＳｉＯ2
である。アルミナあるいはＳｉＯ2を使用するなら、Ｒ
ＩＥあるいは化学エッチングのような追加の工程が絶縁
層２４８を形成するために必要である。
【００４０】図２２はポリシリコン層６８上に形成し、
第一導電層２４０と交差する第二導電層２４４を示す。
第二導電トレース２４４は、図２０で説明したように、
第一導電トレース２４０とほぼ同じ形状に形成する。
銅、金あるいはパーマロイのようなシード層をウェーハ
のポリシリコン層６８および絶縁層２４８により形成し
たポケット上に設ける。フォトレジストを塗布し、露光
および現像をして第二導電トレース２４４の幾何学的配
置を形成する。次に、第二導電トレース２４４を２から
４０ミクロンの範囲の厚さに電気メッキする。望ましく
は、導電体は１８ミクロンの厚さを有する。そしてシー
ド層をスパッタ・エッチングあるいはイオン・ミリング
のような公知のプロセスで除去する。
第一導電層２４０と交差する第二導電層２４４を示す。
第二導電トレース２４４は、図２０で説明したように、
第一導電トレース２４０とほぼ同じ形状に形成する。
銅、金あるいはパーマロイのようなシード層をウェーハ
のポリシリコン層６８および絶縁層２４８により形成し
たポケット上に設ける。フォトレジストを塗布し、露光
および現像をして第二導電トレース２４４の幾何学的配
置を形成する。次に、第二導電トレース２４４を２から
４０ミクロンの範囲の厚さに電気メッキする。望ましく
は、導電体は１８ミクロンの厚さを有する。そしてシー
ド層をスパッタ・エッチングあるいはイオン・ミリング
のような公知のプロセスで除去する。
【００４１】オプションとして、保護層が必要なら設け
ることができる。一実施例としては、ＳｉＯ2の層を蒸
着により導電トレース２１０、２１２上に設ける。ある
いは、アルミナの保護層をスパッタリングやフォトレジ
ストにより設けることができる。磁気ヘッドのパッドへ
の導電トレース２１０、２１２の電気的接続は、ヘッド
あるいは導電トレースの製造の前にウェーハに接点ホー
ル（図示せず）をレーザ穿孔することにより作ることが
できる。
ることができる。一実施例としては、ＳｉＯ2の層を蒸
着により導電トレース２１０、２１２上に設ける。ある
いは、アルミナの保護層をスパッタリングやフォトレジ
ストにより設けることができる。磁気ヘッドのパッドへ
の導電トレース２１０、２１２の電気的接続は、ヘッド
あるいは導電トレースの製造の前にウェーハに接点ホー
ル（図示せず）をレーザ穿孔することにより作ることが
できる。
【００４２】図２２には、導電トレース２１０、２１２
が水平方向の分離に比べて僅かな距離をとって絶縁層２
４８により垂直方向に分けられる。望ましい実施例で
は、その絶縁層は２から２０ミクロンの範囲の厚さを有
する。しかし、導電トレース２１０、２１２は第一導電
トレース２１２が交差部分にある間は絶縁層上に設け、
並列部分２３０にある間は下側の導電トレース２１０と
同じ面に設けることができるので、実質的に平面的であ
る。
が水平方向の分離に比べて僅かな距離をとって絶縁層２
４８により垂直方向に分けられる。望ましい実施例で
は、その絶縁層は２から２０ミクロンの範囲の厚さを有
する。しかし、導電トレース２１０、２１２は第一導電
トレース２１２が交差部分にある間は絶縁層上に設け、
並列部分２３０にある間は下側の導電トレース２１０と
同じ面に設けることができるので、実質的に平面的であ
る。
【００４３】図２に戻り、導電トレース２１０、２１２
の交差部分２０６と並列部分２３０の交互パターンはサ
スペンション３１の全長に渡って繰り返されている。こ
の方法で、交差部分２０６と並列部分２３０は回路間の
ノイズを低減するための捻った対と同様な形を作る。平
面的な捻った対の線の磁気ループが２つの導体の交差間
の閉じた電流経路によって形成される。平面的な捻り対
のような導電トレース２１０、２１２の磁気ループに対
する垂線は、送信線に対して全てが直交するように向け
られている。水平に配列された平面線に対しては、磁気
線にたいする垂線は全て垂直に並べられて、あるループ
を流れる電流により決定されるように上下のどちらかを
示す。得られた送信線構造は１回転以上の導電トレース
の捻りを作る上で効果的なジグザグの導電トレースを実
施しており、これは磁界の相殺、自己遮蔽および干渉の
防止という効果を導く。図２０乃至図２２に示した導電
トレースのパターン形成は本発明の一実施例を説明する
ものであり、このパターン形成の望ましい実施例は図３
１乃至図３２に示されており、続いて詳細に説明する。
の交差部分２０６と並列部分２３０の交互パターンはサ
スペンション３１の全長に渡って繰り返されている。こ
の方法で、交差部分２０６と並列部分２３０は回路間の
ノイズを低減するための捻った対と同様な形を作る。平
面的な捻った対の線の磁気ループが２つの導体の交差間
の閉じた電流経路によって形成される。平面的な捻り対
のような導電トレース２１０、２１２の磁気ループに対
する垂線は、送信線に対して全てが直交するように向け
られている。水平に配列された平面線に対しては、磁気
線にたいする垂線は全て垂直に並べられて、あるループ
を流れる電流により決定されるように上下のどちらかを
示す。得られた送信線構造は１回転以上の導電トレース
の捻りを作る上で効果的なジグザグの導電トレースを実
施しており、これは磁界の相殺、自己遮蔽および干渉の
防止という効果を導く。図２０乃至図２２に示した導電
トレースのパターン形成は本発明の一実施例を説明する
ものであり、このパターン形成の望ましい実施例は図３
１乃至図３２に示されており、続いて詳細に説明する。
【００４４】図２の線Ａ−Ａ’に沿った断面図におい
て、図２３が図３乃至図２２について説明した上記のプ
ロセスにより得られたヘッド・サスペンションを示して
いる。磁界線が空隙に近い磁束の集中を判別できるよう
にしている。集積した交差導電トレースを有するサスペ
ンション、あるいはサスペンション／トレースと磁気ヘ
ッドを製造した後、フォトレジストおよび化学エッチン
グ剤あるいは反応性イオン・エッチングを使用してサス
ペンションとリードの接続用にポリシリコンに接点ホー
ルを開ける。溝１９０をフォトレジストによりシリコン
・ウェーハを介して作り、化学エッチング剤あるいは反
応性イオン・エッチングを用いてヘッドとサスペンショ
ンの形状およびサイズを決める。前述のように、ヘッド
とサスペンションは一体あるいは分離体として形成可能
である。
て、図２３が図３乃至図２２について説明した上記のプ
ロセスにより得られたヘッド・サスペンションを示して
いる。磁界線が空隙に近い磁束の集中を判別できるよう
にしている。集積した交差導電トレースを有するサスペ
ンション、あるいはサスペンション／トレースと磁気ヘ
ッドを製造した後、フォトレジストおよび化学エッチン
グ剤あるいは反応性イオン・エッチングを使用してサス
ペンションとリードの接続用にポリシリコンに接点ホー
ルを開ける。溝１９０をフォトレジストによりシリコン
・ウェーハを介して作り、化学エッチング剤あるいは反
応性イオン・エッチングを用いてヘッドとサスペンショ
ンの形状およびサイズを決める。前述のように、ヘッド
とサスペンションは一体あるいは分離体として形成可能
である。
【００４５】図２４は図２の線Ｂ−Ｂ’に沿った断面図
で、図３乃至図２２に示したプロセスにより得られ完成
したサスペンションを示している。図２４に示すよう
に、第一導電トレース２１０と２１８がポリシリコン層
６８上に形成される。次に、導電トレース２１０、２１
８が交差する位置で、その導電トレース上に絶縁層２２
８が形成される。最後に、第二導電トレース２１２、２
１６が、第一導電トレース２１０、２１８に絶縁層２２
８が重なる位置で、その絶縁層２２８に重なるように形
成される。
で、図３乃至図２２に示したプロセスにより得られ完成
したサスペンションを示している。図２４に示すよう
に、第一導電トレース２１０と２１８がポリシリコン層
６８上に形成される。次に、導電トレース２１０、２１
８が交差する位置で、その導電トレース上に絶縁層２２
８が形成される。最後に、第二導電トレース２１２、２
１６が、第一導電トレース２１０、２１８に絶縁層２２
８が重なる位置で、その絶縁層２２８に重なるように形
成される。
【００４６】ヘッドとサスペンションは、化学エッチン
グ剤により第一酸化珪素層（裏側）、および図２５に示
すようにピロカテコール（指向性エッチング剤）のよう
な選択的エッチングによりＰ-シリコン・ウェーハを除
去することによってウェーハから選択的に分離させる。
そして、Ｎ+シリコン層６２が手つかずで残る。最後
に、磁気記録ヘッドとサスペンションが回収できる。
グ剤により第一酸化珪素層（裏側）、および図２５に示
すようにピロカテコール（指向性エッチング剤）のよう
な選択的エッチングによりＰ-シリコン・ウェーハを除
去することによってウェーハから選択的に分離させる。
そして、Ｎ+シリコン層６２が手つかずで残る。最後
に、磁気記録ヘッドとサスペンションが回収できる。
【００４７】図２６乃至図３１に示すように、本発明の
別の実施例は、磁気ヘッドにコイルの巻線を形成すると
同時にサスペンション上に導電トレースを作る。図３乃
至図６に示し、説明したように、Ｐ-シリコン・ウェー
ハ６０はイオン注入あるいはドープ処理したガラスの外
部拡散によりＮ+６２をドープし、ドープ処理シリコン
・ウェーハとした。そして、このドープ処理シリコン・
ウェーハ６４を熱酸化させて、ウェーハ６４の両側に酸
化珪素層６６を生成し、かつＮ+ドーパント６２をこの
ウェーハ内に入れるようにしてサスペンションの所望厚
さとする。あるいは、図４に示されているように、ウェ
ーハ６４は酸化の後にアニールしてもよい。
別の実施例は、磁気ヘッドにコイルの巻線を形成すると
同時にサスペンション上に導電トレースを作る。図３乃
至図６に示し、説明したように、Ｐ-シリコン・ウェー
ハ６０はイオン注入あるいはドープ処理したガラスの外
部拡散によりＮ+６２をドープし、ドープ処理シリコン
・ウェーハとした。そして、このドープ処理シリコン・
ウェーハ６４を熱酸化させて、ウェーハ６４の両側に酸
化珪素層６６を生成し、かつＮ+ドーパント６２をこの
ウェーハ内に入れるようにしてサスペンションの所望厚
さとする。あるいは、図４に示されているように、ウェ
ーハ６４は酸化の後にアニールしてもよい。
【００４８】ポリシリコン、あるいはドープ処理ポリシ
リコン、あるいは珪化物の層６８、約１μｍ厚を低圧化
学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）、
あるいは他の同様な半導体形成プロセスを使用して酸化
珪素層６６上に設ける。ポリシリコン６８はフォトレジ
ストや化学エッチング剤、あるいは反応性イオン・エッ
チングを使用してパターンを描き、ヘッド構造やサスペ
ンション構造を一体として、あるいは分離して形成し、
また、ホールやリードへの接点も設ける。
リコン、あるいは珪化物の層６８、約１μｍ厚を低圧化
学蒸着（ＬＰＣＶＤ）、あるいは化学蒸着（ＣＶＤ）、
あるいは他の同様な半導体形成プロセスを使用して酸化
珪素層６６上に設ける。ポリシリコン６８はフォトレジ
ストや化学エッチング剤、あるいは反応性イオン・エッ
チングを使用してパターンを描き、ヘッド構造やサスペ
ンション構造を一体として、あるいは分離して形成し、
また、ホールやリードへの接点も設ける。
【００４９】図２６乃至図３２には、磁気ヘッドのコイ
ル巻線を伴った導電トレースの製造が説明されており、
図６に示したポリシリコン層上に、二酸化珪素層１１１
が設けられるか成長させられ、その上に第一絶縁膜１１
２が形成される。第一絶縁膜１１２は例えば、酸化珪素
である。絶縁膜１１２および基板１１１は図２７に示す
ようにエッチングをして第一凹部１１３を形成する。基
板全体上に、第一導電膜１１４を設ける。その膜１１４
は第一凹部１１３の底だけに残るように選択的にエッチ
ング処理する。導電膜１１４を電極として使用する第一
次電気分解により、第一磁気膜１１６を凹部１１３を満
たすように設け、その第一磁気膜１１６が図２８に示さ
れるように第一絶縁膜１１２の表面と同一面となる。こ
のようにして、上記磁気膜が基板に設けられる。
ル巻線を伴った導電トレースの製造が説明されており、
図６に示したポリシリコン層上に、二酸化珪素層１１１
が設けられるか成長させられ、その上に第一絶縁膜１１
２が形成される。第一絶縁膜１１２は例えば、酸化珪素
である。絶縁膜１１２および基板１１１は図２７に示す
ようにエッチングをして第一凹部１１３を形成する。基
板全体上に、第一導電膜１１４を設ける。その膜１１４
は第一凹部１１３の底だけに残るように選択的にエッチ
ング処理する。導電膜１１４を電極として使用する第一
次電気分解により、第一磁気膜１１６を凹部１１３を満
たすように設け、その第一磁気膜１１６が図２８に示さ
れるように第一絶縁膜１１２の表面と同一面となる。こ
のようにして、上記磁気膜が基板に設けられる。
【００５０】図２９は基板全体に設けた第二絶縁膜１１
８を示している。この第二絶縁膜１１８内には、電気コ
イル１２０、１２１および導電トレース２１０、２１２
が形成されている。図３０に示したようにコイル巻線１
２０、１２１および図３１、図３２に示した導電トレー
ス２１０、２１２は、例えばメッキ技術により、銅（Ｃ
ｕ）あるいは金（Ａｕ）で形成される。この技術を用い
る集積ヘッド・サスペンション・アセンブリの製造性
は、ヘッドから離したサスペンション上の導電リードを
製造する種々のプロセスを省略するので、非常に簡素化
される。磁気ヘッドの絶縁層１１８内で第一コイル巻線
１２０を作る際、図２０に示したプロセスにより第一導
電トレース２１０をサスペンション本体に沿って形成す
る。次に、第二コイル巻線１２１を絶縁層１１８内に形
成する。そして、絶縁層１１８を第一コイル巻線１２０
および第一導電トレース２１０上に設ける。こうして、
第二導電トレース２１２がサスペンションの本体上に形
成される。次に、磁気ヘッドの残りの部分が図１２乃至
図１９に示したように形成される。
８を示している。この第二絶縁膜１１８内には、電気コ
イル１２０、１２１および導電トレース２１０、２１２
が形成されている。図３０に示したようにコイル巻線１
２０、１２１および図３１、図３２に示した導電トレー
ス２１０、２１２は、例えばメッキ技術により、銅（Ｃ
ｕ）あるいは金（Ａｕ）で形成される。この技術を用い
る集積ヘッド・サスペンション・アセンブリの製造性
は、ヘッドから離したサスペンション上の導電リードを
製造する種々のプロセスを省略するので、非常に簡素化
される。磁気ヘッドの絶縁層１１８内で第一コイル巻線
１２０を作る際、図２０に示したプロセスにより第一導
電トレース２１０をサスペンション本体に沿って形成す
る。次に、第二コイル巻線１２１を絶縁層１１８内に形
成する。そして、絶縁層１１８を第一コイル巻線１２０
および第一導電トレース２１０上に設ける。こうして、
第二導電トレース２１２がサスペンションの本体上に形
成される。次に、磁気ヘッドの残りの部分が図１２乃至
図１９に示したように形成される。
【００５１】この実施例では、導電トレース２１０、２
１２はサスペンションとヘッド上に設けた絶縁層１１８
により分けられ、ジグザグのパターンでサスペンション
の長さに沿って作られる。この実施例によれば、導電ト
レース２１０、２１２の厚さは第一コイル巻線１２０お
よび第二コイル巻線１２１のそれぞれの厚さに対して限
定される。しかし、幅は抵抗を減少させたり、ノイズを
制御するために調整することができる。望ましい実施例
では、絶縁層の厚さは２から２０ミクロンの範囲にある
が、望ましくは約３ミクロンである。
１２はサスペンションとヘッド上に設けた絶縁層１１８
により分けられ、ジグザグのパターンでサスペンション
の長さに沿って作られる。この実施例によれば、導電ト
レース２１０、２１２の厚さは第一コイル巻線１２０お
よび第二コイル巻線１２１のそれぞれの厚さに対して限
定される。しかし、幅は抵抗を減少させたり、ノイズを
制御するために調整することができる。望ましい実施例
では、絶縁層の厚さは２から２０ミクロンの範囲にある
が、望ましくは約３ミクロンである。
【００５２】本発明の第二の実施例は、図３３に示され
ているように、サスペンションに二酸化珪素マトリック
スを用い、それによりＮ+Ｓｉ層とパターン形成工程を
省略可能にしている。本発明から逸脱しないで実行可能
な別のオプションは、電気的なノイズに対する遮蔽とし
てＮ+Ｓｉを使用することを含んでいる。ポリシリコン
はＥＳＤ防護用の抵抗３０２（あるいは、ダイオード）
を形成するためにも使用でき、また、図３４に示すよう
にポリシリコン・パッド３０６と磁極片３０４の間に位
置させることが可能である。さらに、複数のリードを誘
導体、磁気抵抗体、あるいはデュアル・ヘッド構造等の
ために形成することが可能である。また、異なった熱膨
張率の材料をサスペンション３１上の特定の位置に設け
て、サスペンション３１の負荷を調節することが可能で
ある。あるいは、複数の溝をサスペンション３１にエッ
チングで設け、サスペンションの負荷を変えてもよい。
ているように、サスペンションに二酸化珪素マトリック
スを用い、それによりＮ+Ｓｉ層とパターン形成工程を
省略可能にしている。本発明から逸脱しないで実行可能
な別のオプションは、電気的なノイズに対する遮蔽とし
てＮ+Ｓｉを使用することを含んでいる。ポリシリコン
はＥＳＤ防護用の抵抗３０２（あるいは、ダイオード）
を形成するためにも使用でき、また、図３４に示すよう
にポリシリコン・パッド３０６と磁極片３０４の間に位
置させることが可能である。さらに、複数のリードを誘
導体、磁気抵抗体、あるいはデュアル・ヘッド構造等の
ために形成することが可能である。また、異なった熱膨
張率の材料をサスペンション３１上の特定の位置に設け
て、サスペンション３１の負荷を調節することが可能で
ある。あるいは、複数の溝をサスペンション３１にエッ
チングで設け、サスペンションの負荷を変えてもよい。
【００５３】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００５４】（１）磁気記憶システム用の磁気記録ヘッ
ド・サスペンション・アセンブリにおいて、Ｐ-シリコ
ン・ウェーハと、上記Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設け
たＮ+シリコン層であって、該Ｎ+シリコン層とＰ-シリ
コン・ウェーハは加熱酸化させて、上記ウェーハのＮ+
層側と反対側に底面酸化珪素層および上記ウェーハの該
Ｎ+層上に上面酸化珪素層を生成し、かつＮ+シリコンを
上記Ｐ-シリコン・ウェーハ内に浸透させるＮ+シリコン
層と、上記Ｎ+シリコン層上の上記酸化珪素層上に設け
たポリシリコン層であって、ヘッド構造およびサスペン
ション構造を一体として形成するため、かつホールやリ
ードへの接点を設けるためにパターンを描かれるような
ポリシリコン層と、上記ポリシリコン上に設けた１ある
いは、それ以上の導電トレース対であって、該導電トレ
ース対は、少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分か
ら延伸する少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第
一導電トレースと、少なくとも１カ所の直線部分と該直
線部分から延伸する少なくとも１カ所の曲がった部分を
有する第二導電トレースを有し、さらに該第一導電トレ
ースの曲がった部分が該第二導電トレースの曲がった部
分と交差し、該第一導電トレースの直線部分が該第二導
電トレースの直線部分とほぼ並行となるように、上記ポ
リシリコン上に設けられるような導電トレース対とを有
し、化学エッチング剤により上記底面酸化珪素層を、ま
た選択的エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハ
を除去することにより上記サスペンションを上記ウェー
ハから分離することを特徴とする、磁気記録ヘッド・サ
スペンション・アセンブリ。 （２）上記第一導電トレースと第二導電トレースの、互
いに交差する曲がった部分の間に絶縁層を設けることを
特徴とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 （３）銅、金あるいはパマロイからなるグループから選
択されるシード層を設けることを特徴とする、上記
（２）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （４）上記絶縁層はポリイミドであることを特徴とす
る、上記（３）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （５）上記ポリシリコン上に設け、上記サスペンション
と一体に形成する磁気ヘッドをさらに有することを特徴
とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （６）上記シリコン・ウェーハを貫いて溝を作り、上記
ヘッドとサスペンションをエッチングにより形成するこ
とを特徴とする、上記（５）に記載のサスペンション・
アセンブリ。 （７）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また上
記ヘッドとサスペンションは化学エッチング剤を用いて
形成することを特徴とする、上記（６）に記載のサスペ
ンション・アセンブリ。 （８）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また上
記サスペンションは反応性イオン・エッチング技術を用
いて形成することを特徴とする、上記（６）に記載のサ
スペンション・アセンブリ。 （９）上記Ｐ-シリコン・ウェーハは指向性エッチング
剤により除去されることを特徴とする、上記（１）に記
載のサスペンション・アセンブリ。 （１０）上記指向性エッチング剤はピロカテコールであ
ることを特徴とする、上記（１）に記載のサスペンショ
ン・アセンブリ。 （１１）上記Ｎ+シリコン層はイオン注入によりＰ-シリ
コン・ウェーハ上に設けてドープ処理したシリコン・ウ
ェーハを製造することを特徴とする、上記（１）に記載
のサスペンション・アセンブリ。 （１２）上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に浸透さ
せられて、サスペンションの所望の厚さとすることを特
徴とする、上記（１１）に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 （１３）上記Ｎ+シリコン層はドープ処理したガラスの
外部拡散によりＰ-シリコン・ウェーハ上に設け、ドー
プ処理したシリコン・ウェーハを製造することを特徴と
する、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （１４）上記ポリシリコンはドープ処理したポリシリコ
ンであることを特徴とする、上記（１）に記載のサスペ
ンション・アセンブリ。 （１５）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と化学エッチング剤により描かれ、ヘッド構造とサスペ
ンション構造を一体として形成することを特徴とする、
上記（１５）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （１６）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と反応性イオン・エッチングにより描かれヘッド構造と
サスペンション構造を一体として形成することを特徴と
する、上記（１５）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （１７）上記サスペンション用に選択した負荷を形成す
る上記サスペンション上に設けた、あるいは成長させ、
特定の熱膨張率を有する材料をさらに有することを特徴
とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （１８）上記サスペンションの負荷を変えるために上記
サスペンションにエッチングをして設けた溝を、さらに
有することを特徴とする、上記（１）に記載のサスペン
ション・アセンブリ。 （１９）静電気の放電を防護するため導電トレース間に
接続したポリシリコンの壁を、さらに有することを特徴
とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （２０）上記防護壁は抵抗を有することを特徴とする、
上記（１９）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （２１）上記防護壁はダイオードを有することを特徴と
する、上記（１９）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （２２）上記磁気ヘッドは、第一磁気膜を埋めた絶縁基
板を有する第一層と、上記第一層に重なった第二絶縁層
であって、磁界を誘導する電流を付与するため該絶縁層
内に位置させた電気コイルを有し、該電気コイルは上記
導電トレースがサスペンション上に形成される時に形成
されるような第二絶縁層と、上記第二絶縁層に重なった
第三絶縁層であって、上記第二絶縁膜と重なって接触
し、完全に覆う、中央絶縁アイランドと２つの磁気膜部
分を有するような第三絶縁層と、上記第三絶縁層に重な
った第四層であって、２つの磁気膜セグメントの間に設
けた中央スペーサを有し、該磁気膜セグメントは上記２
つの磁気膜部分に接して上記コイルを回る経路を形成
し、上記中央スペーサは上記２つの磁気膜部分の間の間
隙を形成する非磁性材料から成るような第四層とを有す
ることを特徴とする、上記（５）に記載のサスペンショ
ン・アセンブリ。 （２３）一体型磁気記録ヘッド・サスペンションを製造
する方法において、上面および底面を有するＰ-シリコ
ン・ウェーハを作る工程と、上記Ｐ-シリコン・ウェー
ハの上面上にＮ+でドープ処理し、ドープ処理したシリ
コン・ウェーハを得る工程と、上記ドープ処理したシリ
コン・ウェーハを熱酸化させて、上記ウェーハの両面に
酸化珪素を生成する工程と、上記酸化珪素層上にポリシ
リコンを設ける工程と、上記ポリシリコン層上に第一シ
ード層を設ける工程と、フォトレジストおよびエッチン
グ技術を使用して上記シード層のパターンを描き、直線
部分と曲げた部分を有する第一導電トレースを形成する
工程と、上記第一シード層を所望の厚さに電気メッキす
る工程と、上記第一導電トレースの曲げた部分の選択し
た位置に絶縁層を設ける工程と、上記第一シード層を除
去する工程と、上記ポリシリコン層と上記絶縁層上に第
二シード層を設ける工程と、フォトレジストおよびエッ
チング技術を使用して上記第二シード層のパターンを描
き、直線部分と曲げた部分を有する第二導電トレースを
形成し、該第二導電トレースの曲げた部分は上記第一導
電トレース上に設けた絶縁層と交差するようにする工程
と、上記第二シード層を所望の厚さに電気メッキする工
程と、上記第二シード層を除去する工程と、上記シリコ
ン・ウェーハを貫通する溝を作る工程と、エッチングに
より上記サスペンションのサイズと形状を決める工程
と、化学エッチング剤により上記底面の酸化珪素層と選
択エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去
することにより、上記ウェーハから上記サスペンション
を選択的に分離する工程とを有することを特徴とする、
一体型磁気記録ヘッド・サスペンションを製造する方
法。 （２４）上記第一シード層はスパッタ・エッチングによ
り除去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の
方法。 （２５）上記第二シード層はスパッタ・エッチングによ
り除去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の
方法。 （２６）上記第一シード層はイオン・ミリングにより除
去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の方
法。 （２７）上記第二シード層はイオン・ミリングにより除
去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の方
法。 （２８）上記シード層は銅から作られることを特徴とす
る上記（２３）に記載の方法。 （２９）上記絶縁層はポリイミドであることを特徴とす
る上記（２３）に記載の方法。 （３０）上記サスペンション上の上記第一導電トレース
と第二導電トレース上に保護層を設ける工程を、さらに
有することを特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３１）上記保護層は蒸着により設けたＳｉＯ2である
ことを特徴とする上記（３０）に記載の方法。 （３２）上記保護層はスパッタリングにより設けたアル
ミナであることを特徴とする上記（３０）に記載の方
法。 （３３）上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面をＮ+でドー
プ処理し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを得る工
程はイオン注入により行われることを特徴とする上記
（２３）に記載の方法。 （３４）上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面をＮ+でドー
プ処理し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを得る工
程はドープ処理したガラスの外部拡散により行われるこ
とを特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３５）上記ドープ処理したシリコン・ウェーハを熱酸
化させる工程は、サスペンションを所望の厚さとするた
め該ウェーハ内にＮ+ドーパントを浸透させる工程をさ
らに有することを特徴とする上記（２３）に記載の方
法。 （３６）上記ドープ処理したシリコン・ウェーハを熱酸
化させる工程は、酸化後に該ドープ処理したウェーハを
アニールする工程をさらに有することを特徴とする上記
（２３）に記載の方法。 （３７）上記ポリシリコンはドープ処理したポリシリコ
ンであることを特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３８）上記酸化珪素層の上面にポリシリコンを設ける
工程は低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）により行われること
を特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３９）上記酸化珪素層の上面にポリシリコンを設ける
工程は化学蒸着（ＣＶＤ）により行われることを特徴と
する上記（２３）に記載の方法。 （４０）上記シリコン・ウェーハを貫通する溝を作る工
程はフォトレジストにより行われることを特徴とする上
記（２３）に記載の方法。 （４１）選択エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェ
ーハを除去することにより上記ウェーハから上記ヘッド
を選択的に分離する工程は、さらにピロカテコールを使
用することを含むことを特徴とする上記（２３）に記載
の方法。 （４２）上記磁気ヘッドとサスペンションを一体型とし
て一体形成するように磁気ヘッドを上記ポリシリコン層
上に作ることを、さらに含むことを特徴とする上記（２
３）に記載の方法。 （４３）上記磁気ヘッドを製造する工程は、絶縁基板上
に第一絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜および基板
をエッチングし、第一凹部を形成する工程と、上記凹部
上に第一導電膜を設け、上記第一凹部の底にだけ残るよ
うに該第一導電膜を選択的にエッチングする工程と、上
記導電膜を電極として用いる第一電気分解により第一磁
気膜を設け、該第一磁気膜が上記凹部を満たし、上記第
一絶縁膜の表面と同じレベルとなるようにする工程と、
電気コイルが形成されている第二絶縁膜を上記第一磁気
膜上に設ける工程と、上記第二絶縁膜をエッチングし、
上記コイルのどちらかの側に上記第一磁気膜に達する２
つの開口部を設ける工程と、上記第一導電膜を電極とし
て使用する第二電気分解により上記開口部を満たし、磁
気接点パッドを製造し、該接点パッドは上記第一磁気膜
との良好な磁気継続性を有し、上記第二絶縁膜表面と同
じレベルとなるようにする工程と、その上に第三絶縁膜
を設ける工程と、上記磁気接点パッド上の上記第三絶縁
膜をエッチングして、第二凹部と第三凹部を形成し、該
第二、第三凹部の間に中央絶縁アイランドを残すように
する工程と、その上に第二導電膜を設け、該第二導電膜
は上記第二、第三凹部の底に残るように選択的にエッチ
ングを行う工程と、上記第二導電膜を電極として使用す
る第三電気分解により、２つの部分に分割し、上記中央
絶縁アイランドの両側に位置させた第二磁気膜で第二お
よび第三凹部を満たし、該第二磁気膜は上記第三絶縁膜
の表面と同じレベルとなるようにする工程と、その上に
第四保護絶縁膜を設け、上記中央絶縁アイランドの上
で、上記第二磁気膜に到達する第四凹部をエッチングに
より該保護膜内に形成する工程と、上記第四凹部に、上
記中央絶縁アイランドを中心に薄い非磁性体スペーサを
形成する工程と、その上に第三導電膜を設け、該第三導
電膜は上記スペーサの両側の上記第四凹部の底に残るよ
うに選択的にエッチングを行う工程と、上記第三導電膜
を電極として使用する第四電気分解により、２つの部分
に分割し、上記非磁性体スペーサの両側に位置させた第
三磁気膜で第四凹部を満たし、該第三磁気膜は上記保護
膜の表面と同じレベルとなるようにする工程とを、さら
に有することを特徴とする上記（４２）に記載の方法。 （４４）上記絶縁基板は上記ポリシリコン基板上に設け
た、あるいは成長させたシリコン層を有することを特徴
とする上記（４３）に記載の方法。 （４５）上記磁気ヘッドは、絶縁基板と、該基板に埋め
込まれ基板表面と同じレベルの第一磁気膜と、該第一磁
気膜の２つの端部に設けた２つの磁気接点パッドと、該
２つの接点パッドを囲み、かつ絶縁膜内に設けた電気コ
イルと、該コイルの中央部の上に位置した絶縁アイラン
ドと、該絶縁接点パッドにより２つの部分に分けられた
第二磁気膜と、該第二磁気膜の２つの部分に設けた２つ
の部分に分けられた第三磁気膜を有し、該第二磁気膜の
２つの部分は非磁性体スペーサによって分けられ、該第
三磁気膜は硬質保護絶縁膜で覆われるようにしたことを
特徴とする、上記（４３）に記載の方法。 （４６）磁気記憶システムにおいて、ハウジングと、上
記ハウジング内に設けられた少なくとも１つの磁気記憶
ディスクと、上記ディスクに接続させ、回転軸を有する
スピンドルと、上記回転軸を中心に上記スピンドルとデ
ィスクを回転させるための、上記スピンドルに接続させ
た駆動手段と、上記ディスクに近接して上記ハウジング
内に設けたアクチュエータと、上記アクチュエータに接
続し、上記記憶ディスクの表面に対して該アクチュエー
タにより移動させられる一体型磁気ヘッドとサスペンシ
ョン・アセンブリであって、該一体型磁気ヘッドとサス
ペンション・アセンブリが、Ｐ-シリコン・ウェーハ
と、上記Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設けたＮ+シリコン
層であって、該Ｎ+シリコン層と該Ｐ-シリコン・ウェー
ハは熱酸化させられ、該ウェーハのＮ+層と反対の底面
酸化珪素層と該ウェーハのＮ+層側に上面酸化珪素層を
生成し、該Ｐ-シリコン・ウェーハ内へ浸透させられる
Ｎ+シリコン層と、上記上面酸化珪素層上に設けらたポ
リシリコン層であって、該ポリシリコン層は一体構造と
して上記ヘッド構造とサスペンション構造を形成し、ホ
ールやトレースへの接点を設けるようにパターンを描か
れるポリシリコン層と、上記ポリシリコン上に設けた１
対以上の導電トレースであって、該導電トレース対は、
少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分から延伸する
少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第一導電トレ
ースと、少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分から
延伸する少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第二
導電トレースを有し、さらに該導電トレースの曲がった
部分が他の曲がった部分と交差し、該導電トレースの直
線部分が他の直線部分とほぼ並行となるように、上記ポ
リシリコン上に設けられるような導電トレース対と、上
記ポリシリコン上に設けた磁気ヘッドであって、化学エ
ッチング剤により上記底面酸化珪素層を、また選択的エ
ッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去する
ことにより上記ウェーハから分離させる磁気ヘッドとを
有する一体型磁気ヘッドとサスペンション・アセンブリ
と、を有することを特徴とする磁気記憶システム。 （４７）上記シリコン・ウェーハを貫いて溝を作り、上
記ヘッドとサスペンションをエッチングにより形成する
ことを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記憶シス
テム。 （４８）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また
上記ヘッドとサスペンションは化学エッチング剤を用い
て形成することを特徴とする、上記（４７）に記載の磁
気記憶システム。 （４９）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また
上記ヘッドとサスペンションは反応性イオン・エッチン
グ技術を用いて形成することを特徴とする、上記（４
７）に記載の磁気記憶システム。 （５０）上記Ｐ-シリコン・ウェーハは指向性エッチン
グ剤により除去されることを特徴とする、上記（４６）
に記載の磁気記憶システム。 （５１）上記指向性エッチング剤はピロカテコールであ
ることを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記憶シ
ステム。 （５２）上記Ｎ+シリコン層はイオン注入によりＰ-シリ
コン・ウェーハ上に設け、ドープ処理したシリコン・ウ
ェーハを製造することを特徴とする、上記（４６）に記
載の磁気記憶システム。 （５３）上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に浸透さ
せられて、上記サスペンションの所望の厚さとすること
を特徴とする、上記（５２）に記載の磁気記憶システ
ム。 （５４）上記Ｎ+シリコン層はドープ処理したガラスの
外部拡散によりＰ-シリコン・ウェーハ上に設け、ドー
プ処理したシリコン・ウェーハを製造することを特徴と
する、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （５５）上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に浸透さ
せられて、上記サスペンションの所望の厚さとすること
を特徴とする、上記（５４）に記載の磁気記憶システ
ム。 （５６）上記ポリシリコンはドープ処理したポリシリコ
ンであることを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気
記憶システム。 （５７）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と化学エッチング剤により描かれ、ヘッド構造とサスペ
ンション構造を一体として形成することを特徴とする、
上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （５８）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と反応性イオン・エッチングにより描かれ、ヘッド構造
とサスペンション構造を一体として形成することを特徴
とする、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （５９）フォトレジストおよびエッチング技術を用い
て、サスペンションとリードの接続用に上記ポリシリコ
ンに接点ホールを設けることを特徴とする、上記（４
６）に記載の磁気記憶システム。 （６０）電気ノイズを遮蔽するために上記Ｎ+シリコン
層のパターンを描くことを特徴とする、上記（４６）に
記載の磁気記憶システム。 （６１）上記サスペンション用に選択した負荷を形成す
る上記サスペンション上に設けた、あるいは成長させ、
特定の熱膨張率を有する材料をさらに有することを特徴
とする、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （６２）上記サスペンションの負荷を変えるために上記
サスペンションにエッチングをして設けた溝を、さらに
有することを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記
憶システム。 （６３）静電気の放電を防護するため導電トレース間に
接続したポリシリコンの壁を、さらに有することを特徴
とする、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （６４）上記防護壁は抵抗を有することを特徴とする、
上記（６３）に記載の磁気記憶システム。 （６５）上記防護壁はダイオードを有することを特徴と
する、上記（６３）に記載の磁気記憶システム。 （６６）上記磁気ヘッドは、（i）絶縁基板を有する第
一層であって、該絶縁基板は上面と該上面から該基板内
に埋めた第一磁気膜を有し、該磁気膜の露出表面が該上
面と同じレベルとなるようにした第一層と、（ii）上記
第一層に重なった第二層であって、該第二層は上記第一
磁気膜の露出面と接するように重なった第二絶縁膜を有
し、該第二絶縁膜の各端部で上記第一磁気膜を露出した
ままにし、該第二絶縁膜はその中に電気コイルを有し、
また該第二絶縁膜の端部で上記第一磁気膜の露出面と接
触するように、かつ該第二絶縁膜と接触するように重な
る２つの磁気接点パッドを有するような、第二層と、
（iii）上記第二層に重なる第三層であって、該第二層
は、上記第二絶縁膜と接点パッドと接触するように重な
り、かつ完全に覆う、中央絶縁アイランドと２つの第二
磁気膜部分を有し、該中央絶縁アイランドはその中央部
分で該第二絶縁膜と接し、該絶縁アイランドの両側の上
記第二絶縁膜の表面を覆われないようにし、該第二磁気
膜部分の各々が該第二絶縁膜の覆われない表面の各々と
接するように重なり、該接点パッドが該第二絶縁膜の覆
われない部分と接するような第三層と、（iv）上記第三
層に重なった第四層であって、非磁性体のスペーサによ
り２つの部分に分けられ、上記絶縁アイランドと接触し
て重なった第三磁気膜を有し、該２つの部分は各々が上
記第二磁気膜部分の各々と接触して重なり、また分けら
れた該第三磁気膜と接触し、該第三磁気膜と該非磁性体
スペーサにより覆われてない上記第三層の全ての部分を
覆う硬質保護絶縁膜を有するような第四層とを、さらに
有することを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記
憶システム。
ド・サスペンション・アセンブリにおいて、Ｐ-シリコ
ン・ウェーハと、上記Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設け
たＮ+シリコン層であって、該Ｎ+シリコン層とＰ-シリ
コン・ウェーハは加熱酸化させて、上記ウェーハのＮ+
層側と反対側に底面酸化珪素層および上記ウェーハの該
Ｎ+層上に上面酸化珪素層を生成し、かつＮ+シリコンを
上記Ｐ-シリコン・ウェーハ内に浸透させるＮ+シリコン
層と、上記Ｎ+シリコン層上の上記酸化珪素層上に設け
たポリシリコン層であって、ヘッド構造およびサスペン
ション構造を一体として形成するため、かつホールやリ
ードへの接点を設けるためにパターンを描かれるような
ポリシリコン層と、上記ポリシリコン上に設けた１ある
いは、それ以上の導電トレース対であって、該導電トレ
ース対は、少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分か
ら延伸する少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第
一導電トレースと、少なくとも１カ所の直線部分と該直
線部分から延伸する少なくとも１カ所の曲がった部分を
有する第二導電トレースを有し、さらに該第一導電トレ
ースの曲がった部分が該第二導電トレースの曲がった部
分と交差し、該第一導電トレースの直線部分が該第二導
電トレースの直線部分とほぼ並行となるように、上記ポ
リシリコン上に設けられるような導電トレース対とを有
し、化学エッチング剤により上記底面酸化珪素層を、ま
た選択的エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハ
を除去することにより上記サスペンションを上記ウェー
ハから分離することを特徴とする、磁気記録ヘッド・サ
スペンション・アセンブリ。 （２）上記第一導電トレースと第二導電トレースの、互
いに交差する曲がった部分の間に絶縁層を設けることを
特徴とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 （３）銅、金あるいはパマロイからなるグループから選
択されるシード層を設けることを特徴とする、上記
（２）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （４）上記絶縁層はポリイミドであることを特徴とす
る、上記（３）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （５）上記ポリシリコン上に設け、上記サスペンション
と一体に形成する磁気ヘッドをさらに有することを特徴
とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （６）上記シリコン・ウェーハを貫いて溝を作り、上記
ヘッドとサスペンションをエッチングにより形成するこ
とを特徴とする、上記（５）に記載のサスペンション・
アセンブリ。 （７）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また上
記ヘッドとサスペンションは化学エッチング剤を用いて
形成することを特徴とする、上記（６）に記載のサスペ
ンション・アセンブリ。 （８）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また上
記サスペンションは反応性イオン・エッチング技術を用
いて形成することを特徴とする、上記（６）に記載のサ
スペンション・アセンブリ。 （９）上記Ｐ-シリコン・ウェーハは指向性エッチング
剤により除去されることを特徴とする、上記（１）に記
載のサスペンション・アセンブリ。 （１０）上記指向性エッチング剤はピロカテコールであ
ることを特徴とする、上記（１）に記載のサスペンショ
ン・アセンブリ。 （１１）上記Ｎ+シリコン層はイオン注入によりＰ-シリ
コン・ウェーハ上に設けてドープ処理したシリコン・ウ
ェーハを製造することを特徴とする、上記（１）に記載
のサスペンション・アセンブリ。 （１２）上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に浸透さ
せられて、サスペンションの所望の厚さとすることを特
徴とする、上記（１１）に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 （１３）上記Ｎ+シリコン層はドープ処理したガラスの
外部拡散によりＰ-シリコン・ウェーハ上に設け、ドー
プ処理したシリコン・ウェーハを製造することを特徴と
する、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （１４）上記ポリシリコンはドープ処理したポリシリコ
ンであることを特徴とする、上記（１）に記載のサスペ
ンション・アセンブリ。 （１５）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と化学エッチング剤により描かれ、ヘッド構造とサスペ
ンション構造を一体として形成することを特徴とする、
上記（１５）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （１６）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と反応性イオン・エッチングにより描かれヘッド構造と
サスペンション構造を一体として形成することを特徴と
する、上記（１５）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （１７）上記サスペンション用に選択した負荷を形成す
る上記サスペンション上に設けた、あるいは成長させ、
特定の熱膨張率を有する材料をさらに有することを特徴
とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （１８）上記サスペンションの負荷を変えるために上記
サスペンションにエッチングをして設けた溝を、さらに
有することを特徴とする、上記（１）に記載のサスペン
ション・アセンブリ。 （１９）静電気の放電を防護するため導電トレース間に
接続したポリシリコンの壁を、さらに有することを特徴
とする、上記（１）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （２０）上記防護壁は抵抗を有することを特徴とする、
上記（１９）に記載のサスペンション・アセンブリ。 （２１）上記防護壁はダイオードを有することを特徴と
する、上記（１９）に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 （２２）上記磁気ヘッドは、第一磁気膜を埋めた絶縁基
板を有する第一層と、上記第一層に重なった第二絶縁層
であって、磁界を誘導する電流を付与するため該絶縁層
内に位置させた電気コイルを有し、該電気コイルは上記
導電トレースがサスペンション上に形成される時に形成
されるような第二絶縁層と、上記第二絶縁層に重なった
第三絶縁層であって、上記第二絶縁膜と重なって接触
し、完全に覆う、中央絶縁アイランドと２つの磁気膜部
分を有するような第三絶縁層と、上記第三絶縁層に重な
った第四層であって、２つの磁気膜セグメントの間に設
けた中央スペーサを有し、該磁気膜セグメントは上記２
つの磁気膜部分に接して上記コイルを回る経路を形成
し、上記中央スペーサは上記２つの磁気膜部分の間の間
隙を形成する非磁性材料から成るような第四層とを有す
ることを特徴とする、上記（５）に記載のサスペンショ
ン・アセンブリ。 （２３）一体型磁気記録ヘッド・サスペンションを製造
する方法において、上面および底面を有するＰ-シリコ
ン・ウェーハを作る工程と、上記Ｐ-シリコン・ウェー
ハの上面上にＮ+でドープ処理し、ドープ処理したシリ
コン・ウェーハを得る工程と、上記ドープ処理したシリ
コン・ウェーハを熱酸化させて、上記ウェーハの両面に
酸化珪素を生成する工程と、上記酸化珪素層上にポリシ
リコンを設ける工程と、上記ポリシリコン層上に第一シ
ード層を設ける工程と、フォトレジストおよびエッチン
グ技術を使用して上記シード層のパターンを描き、直線
部分と曲げた部分を有する第一導電トレースを形成する
工程と、上記第一シード層を所望の厚さに電気メッキす
る工程と、上記第一導電トレースの曲げた部分の選択し
た位置に絶縁層を設ける工程と、上記第一シード層を除
去する工程と、上記ポリシリコン層と上記絶縁層上に第
二シード層を設ける工程と、フォトレジストおよびエッ
チング技術を使用して上記第二シード層のパターンを描
き、直線部分と曲げた部分を有する第二導電トレースを
形成し、該第二導電トレースの曲げた部分は上記第一導
電トレース上に設けた絶縁層と交差するようにする工程
と、上記第二シード層を所望の厚さに電気メッキする工
程と、上記第二シード層を除去する工程と、上記シリコ
ン・ウェーハを貫通する溝を作る工程と、エッチングに
より上記サスペンションのサイズと形状を決める工程
と、化学エッチング剤により上記底面の酸化珪素層と選
択エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去
することにより、上記ウェーハから上記サスペンション
を選択的に分離する工程とを有することを特徴とする、
一体型磁気記録ヘッド・サスペンションを製造する方
法。 （２４）上記第一シード層はスパッタ・エッチングによ
り除去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の
方法。 （２５）上記第二シード層はスパッタ・エッチングによ
り除去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の
方法。 （２６）上記第一シード層はイオン・ミリングにより除
去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の方
法。 （２７）上記第二シード層はイオン・ミリングにより除
去されることを特徴とする、上記（２３）に記載の方
法。 （２８）上記シード層は銅から作られることを特徴とす
る上記（２３）に記載の方法。 （２９）上記絶縁層はポリイミドであることを特徴とす
る上記（２３）に記載の方法。 （３０）上記サスペンション上の上記第一導電トレース
と第二導電トレース上に保護層を設ける工程を、さらに
有することを特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３１）上記保護層は蒸着により設けたＳｉＯ2である
ことを特徴とする上記（３０）に記載の方法。 （３２）上記保護層はスパッタリングにより設けたアル
ミナであることを特徴とする上記（３０）に記載の方
法。 （３３）上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面をＮ+でドー
プ処理し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを得る工
程はイオン注入により行われることを特徴とする上記
（２３）に記載の方法。 （３４）上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面をＮ+でドー
プ処理し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを得る工
程はドープ処理したガラスの外部拡散により行われるこ
とを特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３５）上記ドープ処理したシリコン・ウェーハを熱酸
化させる工程は、サスペンションを所望の厚さとするた
め該ウェーハ内にＮ+ドーパントを浸透させる工程をさ
らに有することを特徴とする上記（２３）に記載の方
法。 （３６）上記ドープ処理したシリコン・ウェーハを熱酸
化させる工程は、酸化後に該ドープ処理したウェーハを
アニールする工程をさらに有することを特徴とする上記
（２３）に記載の方法。 （３７）上記ポリシリコンはドープ処理したポリシリコ
ンであることを特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３８）上記酸化珪素層の上面にポリシリコンを設ける
工程は低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）により行われること
を特徴とする上記（２３）に記載の方法。 （３９）上記酸化珪素層の上面にポリシリコンを設ける
工程は化学蒸着（ＣＶＤ）により行われることを特徴と
する上記（２３）に記載の方法。 （４０）上記シリコン・ウェーハを貫通する溝を作る工
程はフォトレジストにより行われることを特徴とする上
記（２３）に記載の方法。 （４１）選択エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェ
ーハを除去することにより上記ウェーハから上記ヘッド
を選択的に分離する工程は、さらにピロカテコールを使
用することを含むことを特徴とする上記（２３）に記載
の方法。 （４２）上記磁気ヘッドとサスペンションを一体型とし
て一体形成するように磁気ヘッドを上記ポリシリコン層
上に作ることを、さらに含むことを特徴とする上記（２
３）に記載の方法。 （４３）上記磁気ヘッドを製造する工程は、絶縁基板上
に第一絶縁膜を形成する工程と、上記絶縁膜および基板
をエッチングし、第一凹部を形成する工程と、上記凹部
上に第一導電膜を設け、上記第一凹部の底にだけ残るよ
うに該第一導電膜を選択的にエッチングする工程と、上
記導電膜を電極として用いる第一電気分解により第一磁
気膜を設け、該第一磁気膜が上記凹部を満たし、上記第
一絶縁膜の表面と同じレベルとなるようにする工程と、
電気コイルが形成されている第二絶縁膜を上記第一磁気
膜上に設ける工程と、上記第二絶縁膜をエッチングし、
上記コイルのどちらかの側に上記第一磁気膜に達する２
つの開口部を設ける工程と、上記第一導電膜を電極とし
て使用する第二電気分解により上記開口部を満たし、磁
気接点パッドを製造し、該接点パッドは上記第一磁気膜
との良好な磁気継続性を有し、上記第二絶縁膜表面と同
じレベルとなるようにする工程と、その上に第三絶縁膜
を設ける工程と、上記磁気接点パッド上の上記第三絶縁
膜をエッチングして、第二凹部と第三凹部を形成し、該
第二、第三凹部の間に中央絶縁アイランドを残すように
する工程と、その上に第二導電膜を設け、該第二導電膜
は上記第二、第三凹部の底に残るように選択的にエッチ
ングを行う工程と、上記第二導電膜を電極として使用す
る第三電気分解により、２つの部分に分割し、上記中央
絶縁アイランドの両側に位置させた第二磁気膜で第二お
よび第三凹部を満たし、該第二磁気膜は上記第三絶縁膜
の表面と同じレベルとなるようにする工程と、その上に
第四保護絶縁膜を設け、上記中央絶縁アイランドの上
で、上記第二磁気膜に到達する第四凹部をエッチングに
より該保護膜内に形成する工程と、上記第四凹部に、上
記中央絶縁アイランドを中心に薄い非磁性体スペーサを
形成する工程と、その上に第三導電膜を設け、該第三導
電膜は上記スペーサの両側の上記第四凹部の底に残るよ
うに選択的にエッチングを行う工程と、上記第三導電膜
を電極として使用する第四電気分解により、２つの部分
に分割し、上記非磁性体スペーサの両側に位置させた第
三磁気膜で第四凹部を満たし、該第三磁気膜は上記保護
膜の表面と同じレベルとなるようにする工程とを、さら
に有することを特徴とする上記（４２）に記載の方法。 （４４）上記絶縁基板は上記ポリシリコン基板上に設け
た、あるいは成長させたシリコン層を有することを特徴
とする上記（４３）に記載の方法。 （４５）上記磁気ヘッドは、絶縁基板と、該基板に埋め
込まれ基板表面と同じレベルの第一磁気膜と、該第一磁
気膜の２つの端部に設けた２つの磁気接点パッドと、該
２つの接点パッドを囲み、かつ絶縁膜内に設けた電気コ
イルと、該コイルの中央部の上に位置した絶縁アイラン
ドと、該絶縁接点パッドにより２つの部分に分けられた
第二磁気膜と、該第二磁気膜の２つの部分に設けた２つ
の部分に分けられた第三磁気膜を有し、該第二磁気膜の
２つの部分は非磁性体スペーサによって分けられ、該第
三磁気膜は硬質保護絶縁膜で覆われるようにしたことを
特徴とする、上記（４３）に記載の方法。 （４６）磁気記憶システムにおいて、ハウジングと、上
記ハウジング内に設けられた少なくとも１つの磁気記憶
ディスクと、上記ディスクに接続させ、回転軸を有する
スピンドルと、上記回転軸を中心に上記スピンドルとデ
ィスクを回転させるための、上記スピンドルに接続させ
た駆動手段と、上記ディスクに近接して上記ハウジング
内に設けたアクチュエータと、上記アクチュエータに接
続し、上記記憶ディスクの表面に対して該アクチュエー
タにより移動させられる一体型磁気ヘッドとサスペンシ
ョン・アセンブリであって、該一体型磁気ヘッドとサス
ペンション・アセンブリが、Ｐ-シリコン・ウェーハ
と、上記Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設けたＮ+シリコン
層であって、該Ｎ+シリコン層と該Ｐ-シリコン・ウェー
ハは熱酸化させられ、該ウェーハのＮ+層と反対の底面
酸化珪素層と該ウェーハのＮ+層側に上面酸化珪素層を
生成し、該Ｐ-シリコン・ウェーハ内へ浸透させられる
Ｎ+シリコン層と、上記上面酸化珪素層上に設けらたポ
リシリコン層であって、該ポリシリコン層は一体構造と
して上記ヘッド構造とサスペンション構造を形成し、ホ
ールやトレースへの接点を設けるようにパターンを描か
れるポリシリコン層と、上記ポリシリコン上に設けた１
対以上の導電トレースであって、該導電トレース対は、
少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分から延伸する
少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第一導電トレ
ースと、少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分から
延伸する少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第二
導電トレースを有し、さらに該導電トレースの曲がった
部分が他の曲がった部分と交差し、該導電トレースの直
線部分が他の直線部分とほぼ並行となるように、上記ポ
リシリコン上に設けられるような導電トレース対と、上
記ポリシリコン上に設けた磁気ヘッドであって、化学エ
ッチング剤により上記底面酸化珪素層を、また選択的エ
ッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去する
ことにより上記ウェーハから分離させる磁気ヘッドとを
有する一体型磁気ヘッドとサスペンション・アセンブリ
と、を有することを特徴とする磁気記憶システム。 （４７）上記シリコン・ウェーハを貫いて溝を作り、上
記ヘッドとサスペンションをエッチングにより形成する
ことを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記憶シス
テム。 （４８）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また
上記ヘッドとサスペンションは化学エッチング剤を用い
て形成することを特徴とする、上記（４７）に記載の磁
気記憶システム。 （４９）上記溝はフォトレジスト技術により作り、また
上記ヘッドとサスペンションは反応性イオン・エッチン
グ技術を用いて形成することを特徴とする、上記（４
７）に記載の磁気記憶システム。 （５０）上記Ｐ-シリコン・ウェーハは指向性エッチン
グ剤により除去されることを特徴とする、上記（４６）
に記載の磁気記憶システム。 （５１）上記指向性エッチング剤はピロカテコールであ
ることを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記憶シ
ステム。 （５２）上記Ｎ+シリコン層はイオン注入によりＰ-シリ
コン・ウェーハ上に設け、ドープ処理したシリコン・ウ
ェーハを製造することを特徴とする、上記（４６）に記
載の磁気記憶システム。 （５３）上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に浸透さ
せられて、上記サスペンションの所望の厚さとすること
を特徴とする、上記（５２）に記載の磁気記憶システ
ム。 （５４）上記Ｎ+シリコン層はドープ処理したガラスの
外部拡散によりＰ-シリコン・ウェーハ上に設け、ドー
プ処理したシリコン・ウェーハを製造することを特徴と
する、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （５５）上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に浸透さ
せられて、上記サスペンションの所望の厚さとすること
を特徴とする、上記（５４）に記載の磁気記憶システ
ム。 （５６）上記ポリシリコンはドープ処理したポリシリコ
ンであることを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気
記憶システム。 （５７）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と化学エッチング剤により描かれ、ヘッド構造とサスペ
ンション構造を一体として形成することを特徴とする、
上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （５８）上記ポリシリコンのパターンはフォトレジスト
と反応性イオン・エッチングにより描かれ、ヘッド構造
とサスペンション構造を一体として形成することを特徴
とする、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （５９）フォトレジストおよびエッチング技術を用い
て、サスペンションとリードの接続用に上記ポリシリコ
ンに接点ホールを設けることを特徴とする、上記（４
６）に記載の磁気記憶システム。 （６０）電気ノイズを遮蔽するために上記Ｎ+シリコン
層のパターンを描くことを特徴とする、上記（４６）に
記載の磁気記憶システム。 （６１）上記サスペンション用に選択した負荷を形成す
る上記サスペンション上に設けた、あるいは成長させ、
特定の熱膨張率を有する材料をさらに有することを特徴
とする、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （６２）上記サスペンションの負荷を変えるために上記
サスペンションにエッチングをして設けた溝を、さらに
有することを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記
憶システム。 （６３）静電気の放電を防護するため導電トレース間に
接続したポリシリコンの壁を、さらに有することを特徴
とする、上記（４６）に記載の磁気記憶システム。 （６４）上記防護壁は抵抗を有することを特徴とする、
上記（６３）に記載の磁気記憶システム。 （６５）上記防護壁はダイオードを有することを特徴と
する、上記（６３）に記載の磁気記憶システム。 （６６）上記磁気ヘッドは、（i）絶縁基板を有する第
一層であって、該絶縁基板は上面と該上面から該基板内
に埋めた第一磁気膜を有し、該磁気膜の露出表面が該上
面と同じレベルとなるようにした第一層と、（ii）上記
第一層に重なった第二層であって、該第二層は上記第一
磁気膜の露出面と接するように重なった第二絶縁膜を有
し、該第二絶縁膜の各端部で上記第一磁気膜を露出した
ままにし、該第二絶縁膜はその中に電気コイルを有し、
また該第二絶縁膜の端部で上記第一磁気膜の露出面と接
触するように、かつ該第二絶縁膜と接触するように重な
る２つの磁気接点パッドを有するような、第二層と、
（iii）上記第二層に重なる第三層であって、該第二層
は、上記第二絶縁膜と接点パッドと接触するように重な
り、かつ完全に覆う、中央絶縁アイランドと２つの第二
磁気膜部分を有し、該中央絶縁アイランドはその中央部
分で該第二絶縁膜と接し、該絶縁アイランドの両側の上
記第二絶縁膜の表面を覆われないようにし、該第二磁気
膜部分の各々が該第二絶縁膜の覆われない表面の各々と
接するように重なり、該接点パッドが該第二絶縁膜の覆
われない部分と接するような第三層と、（iv）上記第三
層に重なった第四層であって、非磁性体のスペーサによ
り２つの部分に分けられ、上記絶縁アイランドと接触し
て重なった第三磁気膜を有し、該２つの部分は各々が上
記第二磁気膜部分の各々と接触して重なり、また分けら
れた該第三磁気膜と接触し、該第三磁気膜と該非磁性体
スペーサにより覆われてない上記第三層の全ての部分を
覆う硬質保護絶縁膜を有するような第四層とを、さらに
有することを特徴とする、上記（４６）に記載の磁気記
憶システム。
【００５５】
【発明の効果】本発明の効果は以下に示す。すなわち、
低ノイズ磁気ヘッド・サスペンションが半導体製造プロ
セスを用いて製造され、従来技術の集積回路サスペンシ
ョンの並列するトレース間に発生した望ましくないクロ
ストークを減少することである。また、半導体製造プロ
セスを用いて低ノイズの磁気ヘッドとサスペンションを
単一構造として製造でき、よってヘッドの取り付けプロ
セスを省くことである。さらに、磁気リード内に電気コ
イルを形成すると同時にサスペンション上に導電トレー
スを形成することができ、導電リード線を取り付けるた
めの別のプロセスを省くことである。また、低ノイズの
一体型磁気ヘッド・サスペンションを寸法および質量を
減少させて製造することである。さらに、機械的プロセ
スを省き、マイクロ・リソグラフ技術により形成される
トレースがサイズを減少させ、最適な機能を得、複数の
トレースを可能とするので、ヘッドとサスペンションの
サイズを縮小できることである。さらにまた、切断プロ
セスから削ったり、砕いたりする作業がなくなるので、
一体型ヘッド・サスペンションは信頼性を増大すること
である。
低ノイズ磁気ヘッド・サスペンションが半導体製造プロ
セスを用いて製造され、従来技術の集積回路サスペンシ
ョンの並列するトレース間に発生した望ましくないクロ
ストークを減少することである。また、半導体製造プロ
セスを用いて低ノイズの磁気ヘッドとサスペンションを
単一構造として製造でき、よってヘッドの取り付けプロ
セスを省くことである。さらに、磁気リード内に電気コ
イルを形成すると同時にサスペンション上に導電トレー
スを形成することができ、導電リード線を取り付けるた
めの別のプロセスを省くことである。また、低ノイズの
一体型磁気ヘッド・サスペンションを寸法および質量を
減少させて製造することである。さらに、機械的プロセ
スを省き、マイクロ・リソグラフ技術により形成される
トレースがサイズを減少させ、最適な機能を得、複数の
トレースを可能とするので、ヘッドとサスペンションの
サイズを縮小できることである。さらにまた、切断プロ
セスから削ったり、砕いたりする作業がなくなるので、
一体型ヘッド・サスペンションは信頼性を増大すること
である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による磁気記憶システムを示す概略図で
ある。
ある。
【図２】サスペンション部分と、そのサスペンション部
分の一端に一体的に形成したオプションのトランスデュ
ーサ／スライダとを有する集積アセンブリを示す概略図
である。
分の一端に一体的に形成したオプションのトランスデュ
ーサ／スライダとを有する集積アセンブリを示す概略図
である。
【図３】本発明による一体型ヘッド・サスペンションの
サスペンション形成プロセスの一工程を示す概略図であ
る。
サスペンション形成プロセスの一工程を示す概略図であ
る。
【図４】図３に示した工程に続く、図３と同様な概略図
である。
である。
【図５】図４に示した工程に続く、図３と同様な概略図
である。
である。
【図６】図５に示した工程に続く、図３と同様な概略図
である。
である。
【図７】本発明による一体型ヘッド・サスペンション用
の公知技術による磁気ヘッド製造プロセスの一実施例を
示す概略図である。
の公知技術による磁気ヘッド製造プロセスの一実施例を
示す概略図である。
【図８】図７に示した工程に続く、図７と同様な概略図
である。
である。
【図９】図８に示した工程に続く、図７と同様な概略図
である。
である。
【図１０】図９に示した工程に続く、図７と同様な概略
図である。
図である。
【図１１】図１０に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１２】図１１に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１３】図１２に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１４】図１３に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１５】図１４に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１６】図１５に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１７】図１６に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１８】図１７に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図１９】図１８に示した工程に続く、図７と同様な概
略図である。
略図である。
【図２０】図３乃至図６に示したサスペンション上に、
導電トレースの複数の交差部分を有する導電回路構造の
製造プロセスの一実施例を示す概略図である。
導電トレースの複数の交差部分を有する導電回路構造の
製造プロセスの一実施例を示す概略図である。
【図２１】図２０に示した工程に続く、図２０と同様な
概略図である。
概略図である。
【図２２】図２１に示した工程に続く、図２０と同様な
概略図である。
概略図である。
【図２３】図３乃至図２２に示したプロセスにより得ら
れた完成したヘッドとサスペンションの一実施例を示す
概略図である。
れた完成したヘッドとサスペンションの一実施例を示す
概略図である。
【図２４】図２の線Ｂ−Ｂ’に沿って示す完成したヘッ
ドとサスペンションの断面であり、図３乃至図２２に示
したプロセスにより得られた交差したリードを示す概略
断面図である。
ドとサスペンションの断面であり、図３乃至図２２に示
したプロセスにより得られた交差したリードを示す概略
断面図である。
【図２５】酸化珪素第一層とＰ-シリコン・ウェーハの
除去後を示す、図２の線Ａ−Ａ’に沿ったサスペンショ
ンの断面図である。
除去後を示す、図２の線Ａ−Ａ’に沿ったサスペンショ
ンの断面図である。
【図２６】コイル形成時に導電トレースが磁気ヘッドに
形成される、本発明の別の実施例を示す概略図である。
形成される、本発明の別の実施例を示す概略図である。
【図２７】図２６に示した工程に続く、図２６と同様な
概略図である。
概略図である。
【図２８】図２７に示した工程に続く、図２６と同様な
概略図である。
概略図である。
【図２９】図２８に示した工程に続く、図２６と同様な
概略図である。
概略図である。
【図３０】図２９に示した工程に続く、図２６と同様な
概略図である。
概略図である。
【図３１】図３０に示した工程に続く、図２６と同様な
概略図である。
概略図である。
【図３２】図３１に示した工程に続く、図２６と同様な
概略図である。
概略図である。
【図３３】低質量の磁気記録ヘッドとサスペンションが
サスペンションに二酸化珪素マトリックスを使用し、Ｎ
+Ｓｉ層とパターン形成ステップの省略を可能とする本
発明の第二実施例を示す概略図である。
サスペンションに二酸化珪素マトリックスを使用し、Ｎ
+Ｓｉ層とパターン形成ステップの省略を可能とする本
発明の第二実施例を示す概略図である。
【図３４】本発明による一体型ヘッド・サスペンション
のリード間のＥＳＤバリヤの形成を示す概略図である。
のリード間のＥＳＤバリヤの形成を示す概略図である。
１０ 磁気記憶システム １１ ハウジング １３ 回転アクチュエータ １５ 磁気記憶ディスク １７ スピンドル １９ トランスデューサ／サスペンション集積アセンブ
リ ２１ コイル ２３ 固定永久磁石アセンブリ ２５ アクチュエータ・アーム ２７ 軸 ２９ サポート・アーム ３１ サスペンション部分 ３３ トランスデューサ／スライダ ６０ Ｐ-シリコン・ウェーハ ６２ Ｎ+ドーパント ６４ ドープ処理したシリコン・ウェーハ ６６ 酸化珪素層 ６８ ポリシリコン層 ７０ 完成したウェーハ １１１ 二酸化珪素層 １１２ 第一絶縁層 １１３ 第一凹部 １１４ 導電膜 １１６ 第一磁気膜 １１８ 第二絶縁膜 １２０ 電気コイル １２３ 磁気接点パッド １２４ 磁気接点パッド １２６ 第三絶縁膜 １３０ 磁気膜 １３１ 磁気膜 １３２ 中央絶縁アイランド １３３ 第二導電膜 １３４ 第四保護絶縁膜 １４３ 導電膜 １４６ 磁気膜 １４８ 磁気膜 ２０２ ポート ２０４ ポート ２０６ 導電トレースの交差部分 ２１０ 導電トレース ２１２ 導電トレース ２１４ 導電トレース ２１６ 導電トレース ２１８ ポート ２２０ ポート ２２２ ポート ２２４ ポート ２２６ ポート ２２８ ポート ２３０ 導電トレースの並列部分 ２４０ シード層
リ ２１ コイル ２３ 固定永久磁石アセンブリ ２５ アクチュエータ・アーム ２７ 軸 ２９ サポート・アーム ３１ サスペンション部分 ３３ トランスデューサ／スライダ ６０ Ｐ-シリコン・ウェーハ ６２ Ｎ+ドーパント ６４ ドープ処理したシリコン・ウェーハ ６６ 酸化珪素層 ６８ ポリシリコン層 ７０ 完成したウェーハ １１１ 二酸化珪素層 １１２ 第一絶縁層 １１３ 第一凹部 １１４ 導電膜 １１６ 第一磁気膜 １１８ 第二絶縁膜 １２０ 電気コイル １２３ 磁気接点パッド １２４ 磁気接点パッド １２６ 第三絶縁膜 １３０ 磁気膜 １３１ 磁気膜 １３２ 中央絶縁アイランド １３３ 第二導電膜 １３４ 第四保護絶縁膜 １４３ 導電膜 １４６ 磁気膜 １４８ 磁気膜 ２０２ ポート ２０４ ポート ２０６ 導電トレースの交差部分 ２１０ 導電トレース ２１２ 導電トレース ２１４ 導電トレース ２１６ 導電トレース ２１８ ポート ２２０ ポート ２２２ ポート ２２４ ポート ２２６ ポート ２２８ ポート ２３０ 導電トレースの並列部分 ２４０ シード層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ランドール・ジョージ・シモンズ アメリカ合衆国95120、カリフォルニア州、 サンノゼ、ストーサー・センター 7180
Claims (66)
- 【請求項１】磁気記憶システム用の磁気記録ヘッド・サ
スペンション・アセンブリにおいて、 Ｐ-シリコン・ウェーハと、 上記Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設けたＮ+シリコン層で
あって、該Ｎ+シリコン層とＰ-シリコン・ウェーハは加
熱酸化させて、上記ウェーハのＮ+層側と反対側に底面
酸化珪素層および上記ウェーハの該Ｎ+層上に上面酸化
珪素層を生成し、かつＮ+シリコンを上記Ｐ-シリコン・
ウェーハ内に浸透させるＮ+シリコン層と、 上記Ｎ+シリコン層上の上記酸化珪素層上に設けたポリ
シリコン層であって、ヘッド構造およびサスペンション
構造を一体として形成するため、かつホールやリードへ
の接点を設けるためにパターンを描かれるようなポリシ
リコン層と、 上記ポリシリコン上に設けた１あるいは、それ以上の導
電トレース対であって、該導電トレース対は、少なくと
も１カ所の直線部分と該直線部分から延伸する少なくと
も１カ所の曲がった部分を有する第一導電トレースと、
少なくとも１カ所の直線部分と該直線部分から延伸する
少なくとも１カ所の曲がった部分を有する第二導電トレ
ースを有し、さらに該第一導電トレースの曲がった部分
が該第二導電トレースの曲がった部分と交差し、該第一
導電トレースの直線部分が該第二導電トレースの直線部
分とほぼ並行となるように、上記ポリシリコン上に設け
られるような導電トレース対とを有し、化学エッチング
剤により上記底面酸化珪素層を、また選択的エッチング
により上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去することによ
り上記サスペンションを上記ウェーハから分離すること
を特徴とする、磁気記録ヘッド・サスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項２】上記第一導電トレースと第二導電トレース
の、互いに交差する曲がった部分の間に絶縁層を設ける
ことを特徴とする、請求項１に記載のサスペンション・
アセンブリ。 - 【請求項３】銅、金あるいはパーマロイからなるグルー
プから選択されるシード層を設けることを特徴とする、
請求項２に記載のサスペンション・アセンブリ。 - 【請求項４】上記絶縁層はポリイミドであることを特徴
とする、請求項３に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 - 【請求項５】上記ポリシリコン上に設け、上記サスペン
ションと一体に形成する磁気ヘッドをさらに有すること
を特徴とする、請求項１に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項６】上記シリコン・ウェーハを貫いて溝を作
り、上記ヘッドとサスペンションをエッチングにより形
成することを特徴とする、請求項５に記載のサスペンシ
ョン・アセンブリ。 - 【請求項７】上記溝はフォトレジスト技術により作り、
また上記ヘッドとサスペンションは化学エッチング剤を
用いて形成することを特徴とする、請求項６に記載のサ
スペンション・アセンブリ。 - 【請求項８】上記溝はフォトレジスト技術により作り、
また上記サスペンションは反応性イオン・エッチング技
術を用いて形成することを特徴とする、請求項６に記載
のサスペンション・アセンブリ。 - 【請求項９】上記Ｐ-シリコン・ウェーハは指向性エッ
チング剤により除去されることを特徴とする、請求項１
に記載のサスペンション・アセンブリ。 - 【請求項１０】上記指向性エッチング剤はピロカテコー
ルであることを特徴とする、請求項１に記載のサスペン
ション・アセンブリ。 - 【請求項１１】上記Ｎ+シリコン層はイオン注入により
Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設けてドープ処理したシリ
コン・ウェーハを製造することを特徴とする、請求項１
に記載のサスペンション・アセンブリ。 - 【請求項１２】上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に
浸透させられて、サスペンションの所望の厚さとするこ
とを特徴とする、請求項１１に記載のサスペンション・
アセンブリ。 - 【請求項１３】上記Ｎ+シリコン層はドープ処理したガ
ラスの外部拡散によりＰ-シリコン・ウェーハ上に設
け、ドープ処理したシリコン・ウェーハを製造すること
を特徴とする、請求項１に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項１４】上記ポリシリコンはドープ処理したポリ
シリコンであることを特徴とする、請求項１に記載のサ
スペンション・アセンブリ。 - 【請求項１５】上記ポリシリコンのパターンはフォトレ
ジストと化学エッチング剤により描かれ、ヘッド構造と
サスペンション構造を一体として形成することを特徴と
する、請求項１に記載のサスペンション・アセンブリ。 - 【請求項１６】上記ポリシリコンのパターンはフォトレ
ジストと反応性イオン・エッチングにより描かれヘッド
構造とサスペンション構造を一体として形成することを
特徴とする、請求項１５に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項１７】上記サスペンション用に選択した負荷を
形成する上記サスペンション上に設けた、あるいは成長
させ、特定の熱膨張率を有する材料をさらに有すること
を特徴とする、請求項１に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項１８】上記サスペンションの負荷を変えるため
に上記サスペンションにエッチングをして設けた溝を、
さらに有することを特徴とする、請求項１に記載のサス
ペンション・アセンブリ。 - 【請求項１９】静電気の放電を防護するため導電トレー
ス間に接続したポリシリコンの壁を、さらに有すること
を特徴とする、請求項１に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項２０】上記防護壁は抵抗を有することを特徴と
する、請求項１９に記載のサスペンション・アセンブ
リ。 - 【請求項２１】上記防護壁はダイオードを有することを
特徴とする、請求項１９に記載のサスペンション・アセ
ンブリ。 - 【請求項２２】上記磁気ヘッドは、 第一磁気膜を埋めた絶縁基板を有する第一層と、 上記第一層に重なった第二絶縁層であって、磁界を誘導
する電流を付与するため該絶縁層内に位置させた電気コ
イルを有し、該電気コイルは上記導電トレースがサスペ
ンション上に形成される時に形成されるような第二絶縁
層と、 上記第二絶縁層に重なった第三絶縁層であって、上記第
二絶縁膜と重なって接触し、完全に覆う、中央絶縁アイ
ランドと２つの磁気膜部分を有するような第三絶縁層
と、 上記第三絶縁層に重なった第四層であって、２つの磁気
膜セグメントの間に設けた中央スペーサを有し、該磁気
膜セグメントは上記２つの磁気膜部分に接して上記コイ
ルを回る経路を形成し、上記中央スペーサは上記２つの
磁気膜部分の間の間隙を形成する非磁性材料から成るよ
うな第四層とを有することを特徴とする、請求項５に記
載のサスペンション・アセンブリ。 - 【請求項２３】一体型磁気記録ヘッド・サスペンション
を製造する方法において、 上面および底面を有するＰ-シリコン・ウェーハを作る
工程と、 上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面上にＮ+でドープ処理
し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを得る工程と、 上記ドープ処理したシリコン・ウェーハを熱酸化させ
て、上記ウェーハの両面に酸化珪素を生成する工程と、 上記酸化珪素層上にポリシリコンを設ける工程と、 上記ポリシリコン層上に第一シード層を設ける工程と、 フォトレジストおよびエッチング技術を使用して上記シ
ード層のパターンを描き、直線部分と曲げた部分を有す
る第一導電トレースを形成する工程と、 上記第一シード層を所望の厚さに電気メッキする工程
と、 上記第一導電トレースの曲げた部分の選択した位置に絶
縁層を設ける工程と、 上記第一シード層を除去する工程と、 上記ポリシリコン層と上記絶縁層上に第二シード層を設
ける工程と、 フォトレジストおよびエッチング技術を使用して上記第
二シード層のパターンを描き、直線部分と曲げた部分を
有する第二導電トレースを形成し、該第二導電トレース
の曲げた部分は上記第一導電トレース上に設けた絶縁層
と交差するようにする工程と、 上記第二シード層を所望の厚さに電気メッキする工程
と、 上記第二シード層を除去する工程と、 上記シリコン・ウェーハを貫通する溝を作る工程と、 エッチングにより上記サスペンションのサイズと形状を
決める工程と、 化学エッチング剤により上記底面の酸化珪素層と選択エ
ッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去する
ことにより、上記ウェーハから上記サスペンションを選
択的に分離する工程とを有することを特徴とする、一体
型磁気記録ヘッド・サスペンションを製造する方法。 - 【請求項２４】上記第一シード層はスパッタ・エッチン
グにより除去されることを特徴とする、請求項２３に記
載の方法。 - 【請求項２５】上記第二シード層はスパッタ・エッチン
グにより除去されることを特徴とする、請求項２３に記
載の方法。 - 【請求項２６】上記第一シード層はイオン・ミリングに
より除去されることを特徴とする、請求項２３に記載の
方法。 - 【請求項２７】上記第二シード層はイオン・ミリングに
より除去されることを特徴とする、請求項２３に記載の
方法。 - 【請求項２８】上記シード層は銅から作られることを特
徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項２９】上記絶縁層はポリイミドであることを特
徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項３０】上記サスペンション上の上記第一導電ト
レースと第二導電トレース上に保護層を設ける工程を、
さらに有することを特徴とする請求項２３に記載の方
法。 - 【請求項３１】上記保護層は蒸着により設けたＳｉＯ2
であることを特徴とする請求項３０に記載の方法。 - 【請求項３２】上記保護層はスパッタリングにより設け
たアルミナであることを特徴とする請求項３０に記載の
方法。 - 【請求項３３】上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面をＮ+
でドープ処理し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを
得る工程はイオン注入により行われることを特徴とする
請求項２３に記載の方法。 - 【請求項３４】上記Ｐ-シリコン・ウェーハの上面をＮ+
でドープ処理し、ドープ処理したシリコン・ウェーハを
得る工程はドープ処理したガラスの外部拡散により行わ
れることを特徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項３５】上記ドープ処理したシリコン・ウェーハ
を熱酸化させる工程は、サスペンションを所望の厚さと
するため該ウェーハ内にＮ+ドーパントを浸透させる工
程をさらに有することを特徴とする請求項２３に記載の
方法。 - 【請求項３６】上記ドープ処理したシリコン・ウェーハ
を熱酸化させる工程は、酸化後に該ドープ処理したウェ
ーハをアニールする工程をさらに有することを特徴とす
る請求項２３に記載の方法。 - 【請求項３７】上記ポリシリコンはドープ処理したポリ
シリコンであることを特徴とする請求項２３に記載の方
法。 - 【請求項３８】上記酸化珪素層の上面にポリシリコンを
設ける工程は低圧化学蒸着（ＬＰＣＶＤ）により行われ
ることを特徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項３９】上記酸化珪素層の上面にポリシリコンを
設ける工程は化学蒸着（ＣＶＤ）により行われることを
特徴とする請求項２３に記載の方法。 - 【請求項４０】上記シリコン・ウェーハを貫通する溝を
作る工程はフォトレジストにより行われることを特徴と
する請求項２３に記載の方法。 - 【請求項４１】選択エッチングにより上記Ｐ-シリコン
・ウェーハを除去することにより上記ウェーハから上記
ヘッドを選択的に分離する工程は、さらにピロカテコー
ルを使用することを含むことを特徴とする請求項２３に
記載の方法。 - 【請求項４２】上記磁気ヘッドとサスペンションを一体
型として一体形成するように磁気ヘッドを上記ポリシリ
コン層上に作ることを、さらに含むことを特徴とする請
求項２３に記載の方法。 - 【請求項４３】上記磁気ヘッドを製造する工程は、 絶縁基板上に第一絶縁膜を形成する工程と、 上記絶縁膜および基板をエッチングし、第一凹部を形成
する工程と、 上記凹部上に第一導電膜を設け、上記第一凹部の底にだ
け残るように該第一導電膜を選択的にエッチングする工
程と、 上記導電膜を電極として用いる第一電気分解により第一
磁気膜を設け、該第一磁気膜が上記凹部を満たし、上記
第一絶縁膜の表面と同じレベルとなるようにする工程
と、 電気コイルが形成されている第二絶縁膜を上記第一磁気
膜上に設ける工程と、 上記第二絶縁膜をエッチングし、上記コイルのどちらか
の側に上記第一磁気膜に達する２つの開口部を設ける工
程と、 上記第一導電膜を電極として使用する第二電気分解によ
り上記開口部を満たし、磁気接点パッドを製造し、該接
点パッドは上記第一磁気膜との良好な磁気継続性を有
し、上記第二絶縁膜表面と同じレベルとなるようにする
工程と、 その上に第三絶縁膜を設ける工程と、 上記磁気接点パッド上の上記第三絶縁膜をエッチングし
て、第二凹部と第三凹部を形成し、該第二、第三凹部の
間に中央絶縁アイランドを残すようにする工程と、 その上に第二導電膜を設け、該第二導電膜は上記第二、
第三凹部の底に残るように選択的にエッチングを行う工
程と、 上記第二導電膜を電極として使用する第三電気分解によ
り、２つの部分に分割し、上記中央絶縁アイランドの両
側に位置させた第二磁気膜で第二および第三凹部を満た
し、該第二磁気膜は上記第三絶縁膜の表面と同じレベル
となるようにする工程と、 その上に第四保護絶縁膜を設け、上記中央絶縁アイラン
ドの上で、上記第二磁気膜に到達する第四凹部をエッチ
ングにより該保護膜内に形成する工程と、 上記第四凹部に、上記中央絶縁アイランドを中心に薄い
非磁性体スペーサを形成する工程と、 その上に第三導電膜を設け、該第三導電膜は上記スペー
サの両側の上記第四凹部の底に残るように選択的にエッ
チングを行う工程と、 上記第三導電膜を電極として使用する第四電気分解によ
り、２つの部分に分割し、上記非磁性体スペーサの両側
に位置させた第三磁気膜で第四凹部を満たし、該第三磁
気膜は上記保護膜の表面と同じレベルとなるようにする
工程とを、さらに有することを特徴とする請求項４２に
記載の方法。 - 【請求項４４】上記絶縁基板は上記ポリシリコン基板上
に設けた、あるいは成長させたシリコン層を有すること
を特徴とする請求項４３に記載の方法。 - 【請求項４５】上記磁気ヘッドは、絶縁基板と、該基板
に埋め込まれ基板表面と同じレベルの第一磁気膜と、該
第一磁気膜の２つの端部に設けた２つの磁気接点パッド
と、該２つの接点パッドを囲み、かつ絶縁膜内に設けた
電気コイルと、該コイルの中央部の上に位置した絶縁ア
イランドと、該絶縁接点パッドにより２つの部分に分け
られた第二磁気膜と、該第二磁気膜の２つの部分に設け
た２つの部分に分けられた第三磁気膜を有し、該第二磁
気膜の２つの部分は非磁性体スペーサによって分けら
れ、該第三磁気膜は硬質保護絶縁膜で覆われるようにし
たことを特徴とする、請求項４３に記載の方法。 - 【請求項４６】磁気記憶システムにおいて、 ハウジングと、 上記ハウジング内に設けられた少なくとも１つの磁気記
憶ディスクと、 上記ディスクに接続させ、回転軸を有するスピンドル
と、 上記回転軸を中心に上記スピンドルとディスクを回転さ
せるための、上記スピンドルに接続させた駆動手段と、 上記ディスクに近接して上記ハウジング内に設けたアク
チュエータと、 上記アクチュエータに接続し、上記記憶ディスクの表面
に対して該アクチュエータにより移動させられる一体型
磁気ヘッドとサスペンション・アセンブリとを有してい
て、該一体型磁気ヘッドとサスペンション・アセンブリ
が、 Ｐ-シリコン・ウェーハと、 上記Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設けたＮ+シリコン層で
あって、該Ｎ+シリコン層と該Ｐ-シリコン・ウェーハは
熱酸化させられ、該ウェーハのＮ+層と反対の底面酸化
珪素層と該ウェーハのＮ+層側に上面酸化珪素層を生成
し、該Ｐ-シリコン・ウェーハ内へ浸透させられるＮ+シ
リコン層と、 上記上面酸化珪素層上に設けらたポリシリコン層であっ
て、該ポリシリコン層は一体構造として上記ヘッド構造
とサスペンション構造を形成し、ホールやトレースへの
接点を設けるようにパターンを描かれるポリシリコン層
と、 上記ポリシリコン上に設けた１対以上の導電トレースで
あって、該導電トレース対は、少なくとも１カ所の直線
部分と該直線部分から延伸する少なくとも１カ所の曲が
った部分を有する第一導電トレースと、少なくとも１カ
所の直線部分と該直線部分から延伸する少なくとも１カ
所の曲がった部分を有する第二導電トレースを有し、さ
らに該導電トレースの曲がった部分が他の曲がった部分
と交差し、該導電トレースの直線部分が他の直線部分と
ほぼ並行となるように、上記ポリシリコン上に設けられ
るような導電トレース対と、 上記ポリシリコン上に設けた磁気ヘッドであって、化学
エッチング剤により上記底面酸化珪素層を、また選択的
エッチングにより上記Ｐ-シリコン・ウェーハを除去す
ることにより上記ウェーハから分離させる磁気ヘッドと
を有する一体型磁気ヘッドとサスペンション・アセンブ
リと、を有することを特徴とする磁気記憶システム。 - 【請求項４７】上記シリコン・ウェーハを貫いて溝を作
り、上記ヘッドとサスペンションをエッチングにより形
成することを特徴とする、請求項４６に記載の磁気記憶
システム。 - 【請求項４８】上記溝はフォトレジスト技術により作
り、また上記ヘッドとサスペンションは化学エッチング
剤を用いて形成することを特徴とする、請求項４７に記
載の磁気記憶システム。 - 【請求項４９】上記溝はフォトレジスト技術により作
り、また上記ヘッドとサスペンションは反応性イオン・
エッチング技術を用いて形成することを特徴とする、請
求項４７に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項５０】上記Ｐ-シリコン・ウェーハは指向性エ
ッチング剤により除去されることを特徴とする、請求項
４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項５１】上記指向性エッチング剤はピロカテコー
ルであることを特徴とする、請求項４６に記載の磁気記
憶システム。 - 【請求項５２】上記Ｎ+シリコン層はイオン注入により
Ｐ-シリコン・ウェーハ上に設け、ドープ処理したシリ
コン・ウェーハを製造することを特徴とする、請求項４
６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項５３】上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に
浸透させられて、上記サスペンションの所望の厚さとす
ることを特徴とする、請求項５２に記載の磁気記憶シス
テム。 - 【請求項５４】上記Ｎ+シリコン層はドープ処理したガ
ラスの外部拡散によりＰ-シリコン・ウェーハ上に設
け、ドープ処理したシリコン・ウェーハを製造すること
を特徴とする、請求項４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項５５】上記Ｎ+ドーパントは上記ウェーハ内に
浸透させられて、上記サスペンションの所望の厚さとす
ることを特徴とする、請求項５４に記載の磁気記憶シス
テム。 - 【請求項５６】上記ポリシリコンはドープ処理したポリ
シリコンであることを特徴とする、請求項４６に記載の
磁気記憶システム。 - 【請求項５７】上記ポリシリコンのパターンはフォトレ
ジストと化学エッチング剤により描かれ、ヘッド構造と
サスペンション構造を一体として形成することを特徴と
する、請求項４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項５８】上記ポリシリコンのパターンはフォトレ
ジストと反応性イオン・エッチングにより描かれ、ヘッ
ド構造とサスペンション構造を一体として形成すること
を特徴とする、請求項４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項５９】フォトレジストおよびエッチング技術を
用いて、サスペンションとリードの接続用に上記ポリシ
リコンに接点ホールを設けることを特徴とする、請求項
４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項６０】電気ノイズを遮蔽するために上記Ｎ+シ
リコン層のパターンを描くことを特徴とする、請求項４
６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項６１】上記サスペンション用に選択した負荷を
形成する上記サスペンション上に設けた、あるいは成長
させ、特定の熱膨張率を有する材料をさらに有すること
を特徴とする、請求項４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項６２】上記サスペンションの負荷を変えるため
に上記サスペンションにエッチングをして設けた溝を、
さらに有することを特徴とする、請求項４６に記載の磁
気記憶システム。 - 【請求項６３】静電気の放電を防護するため導電トレー
ス間に接続したポリシリコンの壁を、さらに有すること
を特徴とする、請求項４６に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項６４】上記防護壁は抵抗を有することを特徴と
する、請求項６３に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項６５】上記防護壁はダイオードを有することを
特徴とする、請求項６３に記載の磁気記憶システム。 - 【請求項６６】上記磁気ヘッドは、 （i）絶縁基板を有する第一層であって、該絶縁基板は
上面と該上面から該基板内に埋めた第一磁気膜を有し、
該磁気膜の露出表面が該上面と同じレベルとなるように
した第一層と、 （ii）上記第一層に重なった第二層であって、該第二層
は上記第一磁気膜の露出面と接するように重なった第二
絶縁膜を有し、該第二絶縁膜の各端部で上記第一磁気膜
を露出したままにし、該第二絶縁膜はその中に電気コイ
ルを有し、また該第二絶縁膜の端部で上記第一磁気膜の
露出面と接触するように、かつ該第二絶縁膜と接触する
ように重なる２つの磁気接点パッドを有するような、第
二層と、 （iii）上記第二層に重なる第三層であって、該第二層
は、上記第二絶縁膜と接点パッドと接触するように重な
り、かつ完全に覆う、中央絶縁アイランドと２つの第二
磁気膜部分を有し、該中央絶縁アイランドはその中央部
分で該第二絶縁膜と接し、該絶縁アイランドの両側の上
記第二絶縁膜の表面を覆われないようにし、該第二磁気
膜部分の各々が該第二絶縁膜の覆われない表面の各々と
接するように重なり、該接点パッドが該第二絶縁膜の覆
われない部分と接するような第三層と、 （iv）上記第三層に重なった第四層であって、非磁性体
のスペーサにより２つの部分に分けられ、上記絶縁アイ
ランドと接触して重なった第三磁気膜を有し、該２つの
部分は各々が上記第二磁気膜部分の各々と接触して重な
り、また分けられた該第三磁気膜と接触し、該第三磁気
膜と該非磁性体スペーサにより覆われてない上記第三層
の全ての部分を覆う硬質保護絶縁膜を有するような第四
層とを、さらに有することを特徴とする、請求項４６に
記載の磁気記憶システム。
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|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP (1) | JP3638405B2 (ja) |
| KR (1) | KR100266933B1 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006004599A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sae Magnetics (Hk) Ltd | 積層構造における電気的な交差を提供する方法 |
| JP2008276926A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Hutchinson Technol Inc | 交互に入れ替わる幅の積層導線を有するディスクドライブヘッドサスペンション屈曲部材 |
| WO2012060411A1 (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法 |
| US8553368B2 (en) * | 2007-11-19 | 2013-10-08 | HGST Netherlands B.V. | High aspect ratio motion limiter of a microactuator and method for fabrication |
Families Citing this family (74)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3206428B2 (ja) * | 1996-04-09 | 2001-09-10 | ティーディーケイ株式会社 | ヘッドジンバルアセンブリを具備するハードディスク装置 |
| US5912787A (en) * | 1996-10-07 | 1999-06-15 | Magnecomp Corp. | Disk drive suspension with minimum wire-induced bias |
| USRE38340E1 (en) * | 1996-11-04 | 2003-12-02 | Seagate Technology Llc | Multi-point bending of bars during fabrication of magnetic recording heads |
| WO1998027547A1 (en) * | 1996-12-16 | 1998-06-25 | Seagate Technology, Inc. | Bimorph piezoelectric microactuator head and flexure assembly |
| US6396667B1 (en) | 1997-06-24 | 2002-05-28 | Seagate Technology Llc | Electromagnetic disc drive microactuator and suspension |
| US6362542B1 (en) | 1997-08-15 | 2002-03-26 | Seagate Technology Llc | Piezoelectric microactuator for precise head positioning |
| US6278583B1 (en) * | 1997-10-31 | 2001-08-21 | Questek Innovations, Inc. | Low impedance head/preamplifier chip position in a disk drive |
| US5956211A (en) * | 1997-10-31 | 1999-09-21 | Questek Innovations, Inc. | Chip attached to actuator arm having heat conducting fibers |
| US6157522A (en) * | 1998-04-07 | 2000-12-05 | Seagate Technology Llc | Suspension-level microactuator |
| US6215629B1 (en) | 1998-04-16 | 2001-04-10 | Seagate Technology Llc | Unitary synchronous flexure microactuator |
| US6239947B1 (en) * | 1998-05-11 | 2001-05-29 | International Business Machines Corporation | Milliactuator with integrated sensor and drivers and method of manufacturing the same |
| US6078473A (en) * | 1998-05-13 | 2000-06-20 | Seagate Technology, Inc. | Gimbal flexure for use with microactuator |
| US6359758B1 (en) | 1998-06-11 | 2002-03-19 | Seagate Technology, Llc | Rigid body microactuator having elastic joint attachment |
| US6414822B1 (en) | 1998-06-11 | 2002-07-02 | Seagate Technology Llc | Magnetic microactuator |
| US6233124B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-05-15 | Seagate Technology Llc | Piezoelectric microactuator suspension assembly with improved stroke length |
| US6268984B1 (en) | 1999-01-22 | 2001-07-31 | Seagate Technology Llc | Magnet configuration for head-level microactuator |
| US6249404B1 (en) * | 1999-02-04 | 2001-06-19 | Read-Rite Corporation | Head gimbal assembly with a flexible printed circuit having a serpentine substrate |
| EP1031965B1 (en) * | 1999-02-23 | 2005-04-27 | STMicroelectronics S.r.l. | Micrometric actuation, hard disk read/write unit |
| US6885522B1 (en) | 1999-05-28 | 2005-04-26 | Fujitsu Limited | Head assembly having integrated circuit chip covered by layer which prevents foreign particle generation |
| US6608736B1 (en) * | 2000-05-08 | 2003-08-19 | International Business Machines Corporation | Integrated trace suspension interconnect for high-data-rate single-ended preamplifier for (G)MR elements |
| JP2001344723A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-14 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気ヘッド装置およびリード線 |
| US6493190B1 (en) * | 2000-08-16 | 2002-12-10 | Magnecomp Corporation | Trace flexure with controlled impedance |
| US20020050519A1 (en) * | 2000-10-26 | 2002-05-02 | Oliva Guido M. | Laser module for reading optical codes |
| US6940697B2 (en) * | 2001-12-05 | 2005-09-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Interconnection scheme for head arms of disk drive actuator |
| US6975488B1 (en) * | 2002-04-30 | 2005-12-13 | Magnecomp Corporation | Suspension interconnect with controlled noise |
| US7079357B1 (en) | 2002-04-30 | 2006-07-18 | Magnecomp Corporation | Additive-process suspension interconnect with controlled noise |
| US6870717B2 (en) | 2002-05-16 | 2005-03-22 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Semiconductor slider with an integral spin valve transistor structure and method for making same without a bonding step |
| US7206154B2 (en) * | 2002-09-25 | 2007-04-17 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method and apparatus for balanced shield shunts, leads and pads for electrical noise reduction in read heads |
| US7203033B2 (en) * | 2002-10-02 | 2007-04-10 | Seagate Technology Llc | Head gimbal assembly with an integrated mechanical and electrical attachment and a stiff plate |
| JP4222882B2 (ja) * | 2003-06-03 | 2009-02-12 | 日東電工株式会社 | 配線回路基板 |
| US6956716B2 (en) * | 2003-07-30 | 2005-10-18 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Magnetic head having multilayer heater for thermally assisted write head and method of fabrication thereof |
| US20050180053A1 (en) * | 2004-02-18 | 2005-08-18 | Headway Technologies, Inc. | Cross talk and EME minimizing suspension design |
| US20050219759A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | System for minimizing cross-talk in storage devices |
| US20050219758A1 (en) * | 2004-03-30 | 2005-10-06 | Maxim Roth | Method for minimizing cross-talk in storage devices |
| US7271985B1 (en) * | 2004-09-24 | 2007-09-18 | Storage Technology Corporation | System and method for crosstalk reduction in a flexible trace interconnect array |
| US7352535B2 (en) * | 2005-01-13 | 2008-04-01 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands, B.V. | Method and apparatus for reducing crosstalk and signal loss in flexing interconnects of an electrical lead suspension |
| JP4386863B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2009-12-16 | 日本発條株式会社 | ヘッド・サスペンション |
| JP4326484B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2009-09-09 | 日本発條株式会社 | ヘッドサスペンション |
| US8553364B1 (en) * | 2005-09-09 | 2013-10-08 | Magnecomp Corporation | Low impedance, high bandwidth disk drive suspension circuit |
| JP2007149157A (ja) * | 2005-11-24 | 2007-06-14 | Fujitsu Ltd | 記憶装置、磁気ヘッド駆動装置、及び中継フレキシブルプリント基板 |
| US7881015B2 (en) * | 2007-06-29 | 2011-02-01 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Overpass structure of flexible printed cable (FPC) signal lines with suspension signal lines for a hard disk drive |
| US7957100B1 (en) * | 2007-08-29 | 2011-06-07 | Magnecomp Corporation | Disk drive gimbal having reduced residual stress and related method of manufacture |
| JP2009199682A (ja) * | 2008-02-22 | 2009-09-03 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド駆動装置及びそれを用いた磁気記録再生装置 |
| US8169746B1 (en) | 2008-04-08 | 2012-05-01 | Hutchinson Technology Incorporated | Integrated lead suspension with multiple trace configurations |
| US8254062B2 (en) * | 2008-10-20 | 2012-08-28 | Seagate Technology Llc | Recessed base plate for data transducer suspension |
| US8144435B2 (en) * | 2008-10-20 | 2012-03-27 | Seagate Technology Llc | Cost reduced microactuator suspension |
| US8289656B1 (en) | 2008-11-19 | 2012-10-16 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive comprising stacked and stepped traces for improved transmission line performance |
| US8462466B2 (en) * | 2009-08-31 | 2013-06-11 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive comprising impedance discontinuity compensation for interconnect transmission lines |
| US8467151B1 (en) | 2010-05-21 | 2013-06-18 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive comprising an interconnect with transmission lines forming an approximated lattice network |
| US8885299B1 (en) | 2010-05-24 | 2014-11-11 | Hutchinson Technology Incorporated | Low resistance ground joints for dual stage actuation disk drive suspensions |
| US8488279B1 (en) | 2011-11-22 | 2013-07-16 | Western Digital (Fremont), Llc | Disk drive suspension assembly with flexure having stacked interleaved traces |
| WO2013138619A1 (en) | 2012-03-16 | 2013-09-19 | Hutchinson Technology Incorporated | Mid-loadbeam dual stage actuated (dsa) disk drive head suspension |
| CN103474084B (zh) * | 2012-06-08 | 2018-06-05 | 新科实业有限公司 | 悬臂件、磁头折片组合及磁盘驱动单元 |
| US8861141B2 (en) | 2012-08-31 | 2014-10-14 | Hutchinson Technology Incorporated | Damped dual stage actuation disk drive suspensions |
| JP6251745B2 (ja) | 2012-09-14 | 2017-12-20 | ハッチンソン テクノロジー インコーポレイテッドＨｕｔｃｈｉｎｓｏｎ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | ２段始動構造部を有するジンバル形撓み部材及びサスペンション |
| WO2014059128A2 (en) | 2012-10-10 | 2014-04-17 | Hutchinson Technology Incorporated | Co-located gimbal-based dual stage actuation disk drive suspensions with dampers |
| US8941951B2 (en) | 2012-11-28 | 2015-01-27 | Hutchinson Technology Incorporated | Head suspension flexure with integrated strain sensor and sputtered traces |
| US8891206B2 (en) | 2012-12-17 | 2014-11-18 | Hutchinson Technology Incorporated | Co-located gimbal-based dual stage actuation disk drive suspensions with motor stiffener |
| US8896969B1 (en) | 2013-05-23 | 2014-11-25 | Hutchinson Technology Incorporated | Two-motor co-located gimbal-based dual stage actuation disk drive suspensions with motor stiffeners |
| US8717712B1 (en) | 2013-07-15 | 2014-05-06 | Hutchinson Technology Incorporated | Disk drive suspension assembly having a partially flangeless load point dimple |
| US8792214B1 (en) | 2013-07-23 | 2014-07-29 | Hutchinson Technology Incorporated | Electrical contacts to motors in dual stage actuated suspensions |
| US8675314B1 (en) | 2013-08-21 | 2014-03-18 | Hutchinson Technology Incorporated | Co-located gimbal-based dual stage actuation disk drive suspensions with offset motors |
| US8879212B1 (en) | 2013-08-23 | 2014-11-04 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive suspension assembly with flexure having dual conductive layers with staggered traces |
| US8896970B1 (en) | 2013-12-31 | 2014-11-25 | Hutchinson Technology Incorporated | Balanced co-located gimbal-based dual stage actuation disk drive suspensions |
| US8867173B1 (en) | 2014-01-03 | 2014-10-21 | Hutchinson Technology Incorporated | Balanced multi-trace transmission in a hard disk drive flexure |
| US9064513B1 (en) | 2014-03-07 | 2015-06-23 | Western Digital Technologies, Inc. | Disk drive suspension assembly with flexure having dual conductive layers with staggered traces |
| US9117469B1 (en) | 2014-12-01 | 2015-08-25 | HGST Netherlands B.V. | Suspension design with split substrate for improved interference signal immunity |
| US9070392B1 (en) | 2014-12-16 | 2015-06-30 | Hutchinson Technology Incorporated | Piezoelectric disk drive suspension motors having plated stiffeners |
| US9318136B1 (en) | 2014-12-22 | 2016-04-19 | Hutchinson Technology Incorporated | Multilayer disk drive motors having out-of-plane bending |
| US9296188B1 (en) | 2015-02-17 | 2016-03-29 | Hutchinson Technology Incorporated | Partial curing of a microactuator mounting adhesive in a disk drive suspension |
| JP6123846B2 (ja) * | 2015-05-28 | 2017-05-10 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用フレキシャー基板の製造方法 |
| US9734852B2 (en) | 2015-06-30 | 2017-08-15 | Hutchinson Technology Incorporated | Disk drive head suspension structures having improved gold-dielectric joint reliability |
| US9646638B1 (en) | 2016-05-12 | 2017-05-09 | Hutchinson Technology Incorporated | Co-located gimbal-based DSA disk drive suspension with traces routed around slider pad |
| US10283150B2 (en) * | 2017-08-02 | 2019-05-07 | Western Digital Technologies, Inc. | Suspension adjacent-conductors differential-signal-coupling attenuation structures |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3761842A (en) * | 1972-06-01 | 1973-09-25 | Bell Telephone Labor Inc | Twisted pair flat conductor cable with means to equalize impedance and propagation velocity |
| US3764727A (en) * | 1972-06-12 | 1973-10-09 | Western Electric Co | Electrically conductive flat cable structures |
| US3757028A (en) * | 1972-09-18 | 1973-09-04 | J Schlessel | Terference printed board and similar transmission line structure for reducing in |
| US4321641A (en) * | 1977-09-02 | 1982-03-23 | Magnex Corporation | Thin film magnetic recording heads |
| US4195323A (en) * | 1977-09-02 | 1980-03-25 | Magnex Corporation | Thin film magnetic recording heads |
| FR2559297B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1990-01-12 | Commissariat Energie Atomique | Nouveau patin de vol pour tetes magnetiques d'enregistrement |
| FR2559296B1 (fr) * | 1984-02-03 | 1988-12-30 | Commissariat Energie Atomique | Nouveau patin du type catamaran pour tetes magnetiques d'enregistrement et son procede de fabrication |
| FR2630244B1 (fr) * | 1988-04-15 | 1990-07-13 | Commissariat Energie Atomique | Dispositif d'ecriture et de lecture sur un support magnetique et son procede de fabrication |
| US5166845A (en) * | 1989-02-22 | 1992-11-24 | Iomega Corporation | Integrated read/write heads, flexure assembly and air-bearing structure on common unitary substrate |
| JPH033289A (ja) * | 1989-05-30 | 1991-01-09 | Gurafuiko:Kk | ツイスト・プリント配線 |
| US5483025A (en) * | 1989-11-27 | 1996-01-09 | Censtor Corporation | Unitary micro-flexure structure |
| US5041932A (en) * | 1989-11-27 | 1991-08-20 | Censtor Corp. | Integrated magnetic read/write head/flexure/conductor structure |
| US5111351A (en) * | 1989-11-27 | 1992-05-05 | Censtor Corp. | Integrated magnetic read/write head/flexure/conductor structure |
| US5095613A (en) * | 1990-06-29 | 1992-03-17 | Digital Equipment Corporation | Thin film head slider fabrication process |
| US5228184A (en) * | 1990-07-18 | 1993-07-20 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing thin film magnetic head |
| US5357050A (en) * | 1992-11-20 | 1994-10-18 | Ast Research, Inc. | Apparatus and method to reduce electromagnetic emissions in a multi-layer circuit board |
| US5408373A (en) * | 1993-03-15 | 1995-04-18 | International Business Machines Corporation | Integrated transducer-suspension assembly for vertical recording |
| US5430247A (en) * | 1993-08-31 | 1995-07-04 | Motorola, Inc. | Twisted-pair planar conductor line off-set structure |
| US5397862A (en) * | 1993-08-31 | 1995-03-14 | Motorola, Inc. | Horizontally twisted-pair planar conductor line structure |
| US5389735A (en) * | 1993-08-31 | 1995-02-14 | Motorola, Inc. | Vertically twisted-pair planar conductor line structure |
-
1996
- 1996-06-21 US US08/668,645 patent/US5805382A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-21 KR KR1019970014679A patent/KR100266933B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-06-19 JP JP16228897A patent/JP3638405B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006004599A (ja) * | 2004-06-16 | 2006-01-05 | Sae Magnetics (Hk) Ltd | 積層構造における電気的な交差を提供する方法 |
| JP2008276926A (ja) * | 2007-05-04 | 2008-11-13 | Hutchinson Technol Inc | 交互に入れ替わる幅の積層導線を有するディスクドライブヘッドサスペンション屈曲部材 |
| US8553368B2 (en) * | 2007-11-19 | 2013-10-08 | HGST Netherlands B.V. | High aspect ratio motion limiter of a microactuator and method for fabrication |
| WO2012060411A1 (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-10 | 大日本印刷株式会社 | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法 |
| JP2012099182A (ja) * | 2010-11-02 | 2012-05-24 | Dainippon Printing Co Ltd | サスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブ、並びにサスペンション用基板の製造方法 |
| US8810969B2 (en) | 2010-11-02 | 2014-08-19 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Suspension substrate, suspension, suspension with head, hard disk drive, and method of manufacturing suspension substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5805382A (en) | 1998-09-08 |
| JP3638405B2 (ja) | 2005-04-13 |
| KR100266933B1 (ko) | 2000-10-02 |
| KR980004367A (ko) | 1998-03-30 |
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