JPH1074619A - 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 - Google Patents
金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法Info
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- JPH1074619A JPH1074619A JP22961296A JP22961296A JPH1074619A JP H1074619 A JPH1074619 A JP H1074619A JP 22961296 A JP22961296 A JP 22961296A JP 22961296 A JP22961296 A JP 22961296A JP H1074619 A JPH1074619 A JP H1074619A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高保磁力化と媒体ノイズの低減化を同時に達
成できる金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法を提供
する。 【解決手段】 媒体基板とＣｒ下地層の間に、結晶質合
金からなるシード層が設けられ、該シード層は媒体基板
に負のバイアス電圧を印加しながら形成されたものであ
る。結晶質合金のシード層は、原子％にて、Ｎｉを３６
〜４６％、残部実質的にＣｒからなる合金、又はＮｉを
３６〜４６％、Ｗ、Ｍｏの一種又は二種を合計量で０.
５〜３％、残部実質的にＣｒからなる合金から形成され
る。
成できる金属薄膜型磁気記録媒体とその製造方法を提供
する。 【解決手段】 媒体基板とＣｒ下地層の間に、結晶質合
金からなるシード層が設けられ、該シード層は媒体基板
に負のバイアス電圧を印加しながら形成されたものであ
る。結晶質合金のシード層は、原子％にて、Ｎｉを３６
〜４６％、残部実質的にＣｒからなる合金、又はＮｉを
３６〜４６％、Ｗ、Ｍｏの一種又は二種を合計量で０.
５〜３％、残部実質的にＣｒからなる合金から形成され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスク等
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、保磁力及び記録再生特性にすぐれた金
属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。
の磁気ディスク装置に使用される磁気記録媒体に関し、
より具体的には、保磁力及び記録再生特性にすぐれた金
属薄膜型磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ハードディスクに用いられる金属薄膜型
磁気記録媒体は、一般に図４に示す如く、Ａｌ合金から
なる非磁性のサブストレート(21)上に非晶質のＮｉＰ層
(22)が形成された媒体基板(2)に、実質的にＣｒからな
る下地層(4)、Ｃｏ合金の磁性層(5)、カーボン等の保護
膜(6)を順次積層成膜して形成されている。
磁気記録媒体は、一般に図４に示す如く、Ａｌ合金から
なる非磁性のサブストレート(21)上に非晶質のＮｉＰ層
(22)が形成された媒体基板(2)に、実質的にＣｒからな
る下地層(4)、Ｃｏ合金の磁性層(5)、カーボン等の保護
膜(6)を順次積層成膜して形成されている。
【０００３】金属薄膜型磁気記録媒体には、記録密度、
即ち線記録密度とトラック密度の向上が望まれている。
しかしながら、線記録密度を向上させると、線形等価に
よって除去できない非線形な波形干渉が生じ、記録分解
能の劣化の原因となる。この非線形波形干渉は、円周方
向の磁気的異方性が大きくなるほど増大する傾向にあ
る。トラック密度の向上には、トラック全体に占めるト
ラックエッジでの媒体ノイズの低減が非常に重要とな
る。トラックエッジでの媒体ノイズの増加は、円周方向
の磁気的異方性に起因する。
即ち線記録密度とトラック密度の向上が望まれている。
しかしながら、線記録密度を向上させると、線形等価に
よって除去できない非線形な波形干渉が生じ、記録分解
能の劣化の原因となる。この非線形波形干渉は、円周方
向の磁気的異方性が大きくなるほど増大する傾向にあ
る。トラック密度の向上には、トラック全体に占めるト
ラックエッジでの媒体ノイズの低減が非常に重要とな
る。トラックエッジでの媒体ノイズの増加は、円周方向
の磁気的異方性に起因する。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】媒体基板の表面には、
ヘッドと媒体との間の摩擦を軽減するために、テキスチ
ャーと呼ばれる微細な凹凸が円周方向に形成されること
が多い。このテキスチャーはＣｏ合金磁性層の周方向の
磁気的異方性を高めることになるため、保磁力の向上に
対しても有効であることが知られている。しかしなが
ら、円周方向の磁気異方性の向上は、上述のとおり、媒
体ノイズの増加に繋がる。非線形波形干渉を軽減し、か
つ媒体ノイズの増加を防ぐために、円周方向のテキスチ
ャーを施さずに、媒体基板の表面に超平滑加工を施した
金属薄膜型磁気記録媒体もある。しかしながら、テキス
チャーの形成を省略すると、磁性層の磁気的異方性はな
くなるが、所望レベルの保磁力を得られない不都合があ
る。保磁力の向上には、磁性層のＣｏ合金にＰｔを添加
することが有効であるが、Ｐｔの添加はスパッタリング
装置のターゲットが高価になること、さらに媒体ノイズ
が大きくなる問題がある。
ヘッドと媒体との間の摩擦を軽減するために、テキスチ
ャーと呼ばれる微細な凹凸が円周方向に形成されること
が多い。このテキスチャーはＣｏ合金磁性層の周方向の
磁気的異方性を高めることになるため、保磁力の向上に
対しても有効であることが知られている。しかしなが
ら、円周方向の磁気異方性の向上は、上述のとおり、媒
体ノイズの増加に繋がる。非線形波形干渉を軽減し、か
つ媒体ノイズの増加を防ぐために、円周方向のテキスチ
ャーを施さずに、媒体基板の表面に超平滑加工を施した
金属薄膜型磁気記録媒体もある。しかしながら、テキス
チャーの形成を省略すると、磁性層の磁気的異方性はな
くなるが、所望レベルの保磁力を得られない不都合があ
る。保磁力の向上には、磁性層のＣｏ合金にＰｔを添加
することが有効であるが、Ｐｔの添加はスパッタリング
装置のターゲットが高価になること、さらに媒体ノイズ
が大きくなる問題がある。
【０００５】本発明の目的は、高保磁力化と媒体ノイズ
の低減を同時に達成できる金属薄膜型磁気記録媒体及び
その製造方法を提供することである。
の低減を同時に達成できる金属薄膜型磁気記録媒体及び
その製造方法を提供することである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、媒体基板と下
地層の間に結晶質合金のシード層を設けたもので、該シ
ード層は媒体基板に負のバイアス電圧を印加しながら形
成されたものである。結晶質シード層の成分として、原
子％にて、Ｎｉを３６〜４６％、残部実質的にＣｒから
なる合金、または、Ｎｉを３６〜４６％、Ｗ、Ｍｏの一
種又は二種を合計量で０.５〜３％、残部実質的にＣｒ
からなる合金を挙げることができる。
に、本発明の金属薄膜型磁気記録媒体は、媒体基板と下
地層の間に結晶質合金のシード層を設けたもので、該シ
ード層は媒体基板に負のバイアス電圧を印加しながら形
成されたものである。結晶質シード層の成分として、原
子％にて、Ｎｉを３６〜４６％、残部実質的にＣｒから
なる合金、または、Ｎｉを３６〜４６％、Ｗ、Ｍｏの一
種又は二種を合計量で０.５〜３％、残部実質的にＣｒ
からなる合金を挙げることができる。
【０００７】本発明の金属薄膜型磁気記録媒体の製造方
法は、非磁性の媒体基板に下地層を成膜する前に、望ま
しくはＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中で、媒体基板に
負のバイアス電圧を印加しながら、媒体基板の上に結晶
質合金のシード層を形成するようにしたものである。
法は、非磁性の媒体基板に下地層を成膜する前に、望ま
しくはＡｒガス等の不活性ガス雰囲気中で、媒体基板に
負のバイアス電圧を印加しながら、媒体基板の上に結晶
質合金のシード層を形成するようにしたものである。
【０００８】
【作用】媒体基板に負のバイアス電圧を印加しながら、
結晶質合金のシード層を形成することにより、バイアス
電圧を印加せずにシード層を形成する場合に比べて、シ
ード層の結晶性は更に高められる。これにより、結晶質
合金のシード層の上に成膜されるＣｒ下地層の主たる結
晶配向である(２１１)配向が向上し、ひいては該下地層
の上に成膜されるＣｏ合金磁性層の主たる結晶配向であ
る(１００)配向が向上する。また、Ｃｒ下地層の結晶が
微細化され、ひいてはＣｏ合金磁性層の結晶が微細化さ
れる。このように、Ｃｏ合金磁性層の結晶配向が向上
し、結晶が微細化されることにより、磁気記録媒体の高
保磁力化と媒体ノイズの低減化が同時に達成される。
結晶質合金のシード層を形成することにより、バイアス
電圧を印加せずにシード層を形成する場合に比べて、シ
ード層の結晶性は更に高められる。これにより、結晶質
合金のシード層の上に成膜されるＣｒ下地層の主たる結
晶配向である(２１１)配向が向上し、ひいては該下地層
の上に成膜されるＣｏ合金磁性層の主たる結晶配向であ
る(１００)配向が向上する。また、Ｃｒ下地層の結晶が
微細化され、ひいてはＣｏ合金磁性層の結晶が微細化さ
れる。このように、Ｃｏ合金磁性層の結晶配向が向上
し、結晶が微細化されることにより、磁気記録媒体の高
保磁力化と媒体ノイズの低減化が同時に達成される。
【０００９】なお、結晶質合金のシード層を形成する前
の媒体基板のＮｉＰ層表面には不純物ガスが吸着し易
く、不純物ガスが吸着した媒体基板の上にシード層を形
成すると、不純物ガスがシード層に取り込まれて、シー
ド層の結晶配向性が乱れる。ところが、Ａｒガス等の不
活性ガス雰囲気中で媒体基板に負のバイアス電圧を印加
すると、不活性ガスがＮｉＰ層の表面に衝突して不純物
ガスは取り除かれる。このＮｉＰ層表面へのクリーニン
グ作用によって、ＮｉＰ層表面に吸着していた不純物ガ
スを取り込むことなく、シード層は形成される。
の媒体基板のＮｉＰ層表面には不純物ガスが吸着し易
く、不純物ガスが吸着した媒体基板の上にシード層を形
成すると、不純物ガスがシード層に取り込まれて、シー
ド層の結晶配向性が乱れる。ところが、Ａｒガス等の不
活性ガス雰囲気中で媒体基板に負のバイアス電圧を印加
すると、不活性ガスがＮｉＰ層の表面に衝突して不純物
ガスは取り除かれる。このＮｉＰ層表面へのクリーニン
グ作用によって、ＮｉＰ層表面に吸着していた不純物ガ
スを取り込むことなく、シード層は形成される。
【００１０】Ｃｒを主体とするシード層の中に適量のＮ
ｉを含有すると、磁気記録媒体の高保磁力化に有効であ
る。このため、シード層にはＮｉを３６〜４６原子％含
有させるものとし、３８〜４４原子％がより望ましい。
Ｗ、Ｍｏは、Ｃｏ合金磁性層の主たる結晶配向である
(１００)配向をさらに向上させ、また微細化を促進する
作用を有する。このため、Ｗ及び／又はＭｏを合計量で
０.５原子％以上含有させるが、あまりに多く含有する
と、シード層がアモルファス化するので、上限は合計量
で３原子％とする。
ｉを含有すると、磁気記録媒体の高保磁力化に有効であ
る。このため、シード層にはＮｉを３６〜４６原子％含
有させるものとし、３８〜４４原子％がより望ましい。
Ｗ、Ｍｏは、Ｃｏ合金磁性層の主たる結晶配向である
(１００)配向をさらに向上させ、また微細化を促進する
作用を有する。このため、Ｗ及び／又はＭｏを合計量で
０.５原子％以上含有させるが、あまりに多く含有する
と、シード層がアモルファス化するので、上限は合計量
で３原子％とする。
【００１１】媒体基板にテキスチャーを施した場合であ
っても、Ｃｒ下地層との間に上述の結晶質シード層を設
けたことにより、磁性層の磁気的異方性は低減される。
従って、磁気的異方性に起因する媒体ノイズの増加は抑
制され、かつ非線形波形干渉を低減することができる。
っても、Ｃｒ下地層との間に上述の結晶質シード層を設
けたことにより、磁性層の磁気的異方性は低減される。
従って、磁気的異方性に起因する媒体ノイズの増加は抑
制され、かつ非線形波形干渉を低減することができる。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の金属薄膜型磁気
記録媒体(1)の部分断面図を示しており、Ａｌ合金また
はガラスからなるサブストレート(21)にＮｉＰ層(22)を
形成した媒体基板(2)上に、結晶質シード層(3)、下地層
(4)、磁性層(5)及び保護膜(6)を、この順序で積層成膜
している。結晶質シード層(3)は、媒体基板(2)に負のバ
イアス電圧を印加しながらスパッタリングにより、媒体
基板(2)のＮｉＰ層(22)の上に形成される。図１では、
ＮｉＰ層(22)、シード層(3)、下地層(4)、磁性層(5)及
び保護膜(6)がサブストレート(21)に関して対称に成膜
されており、両面で書込み／読出しを行なえる構成とし
ているが、各層を片面にのみ成膜して、片面のみで書込
み／読出しを行なう構成とすることもできる。
記録媒体(1)の部分断面図を示しており、Ａｌ合金また
はガラスからなるサブストレート(21)にＮｉＰ層(22)を
形成した媒体基板(2)上に、結晶質シード層(3)、下地層
(4)、磁性層(5)及び保護膜(6)を、この順序で積層成膜
している。結晶質シード層(3)は、媒体基板(2)に負のバ
イアス電圧を印加しながらスパッタリングにより、媒体
基板(2)のＮｉＰ層(22)の上に形成される。図１では、
ＮｉＰ層(22)、シード層(3)、下地層(4)、磁性層(5)及
び保護膜(6)がサブストレート(21)に関して対称に成膜
されており、両面で書込み／読出しを行なえる構成とし
ているが、各層を片面にのみ成膜して、片面のみで書込
み／読出しを行なう構成とすることもできる。
【００１３】媒体基板(2)のＮｉＰ層(22)には、ヘッド
と媒体との間の摩擦を軽減するために、円周方向にテキ
スチャーを施してもよい。一方、ヘッドの低浮上化のた
めに磁気記録媒体(1)に平坦度が要求される場合には、
スーパーフィニッシュ加工を施して表面を超平滑化させ
ることができる。
と媒体との間の摩擦を軽減するために、円周方向にテキ
スチャーを施してもよい。一方、ヘッドの低浮上化のた
めに磁気記録媒体(1)に平坦度が要求される場合には、
スーパーフィニッシュ加工を施して表面を超平滑化させ
ることができる。
【００１４】前述したように、結晶質シード層(3)の形
成は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気中で、媒体基板
(2)に負のバイアス電圧を印加しながら、公知のＤＣス
パッタリング法により行なわれるが、シード層(3)の形
成時に、媒体基板(2)に印加される負のバイアス電圧
は、シード層の結晶性向上効果を十分に得るために、−
１００Ｖ以上とすることが望ましい。シード層(3)の厚
さは約１００〜１０００Åが望ましい。シード層(3)の
厚さが薄すぎるとシード層(3)の効果が十分に発揮され
ず、あまり厚くなりすぎると、その上に形成されるＣｒ
下地層(4)及びＣｏ合金磁性層(5)の粒子の粗大化を招
き、ノイズが増大するおそれがあるからである。また、
シード層(3)の上に成膜されるＣｒ下地層(4)の厚さは、
２００〜１０００Åが望ましく、４００〜８００Åがよ
り望ましい。これは、下地層(4)の層厚を約８００Åよ
り厚くしても、磁気記録媒体(1)の保磁力のさらなる向
上は期待できないためであり、１０００Åよりも厚くす
ると、その上に形成されるＣｏ合金磁性層(5)の粒子の
粗大化を招き、ノイズが増大するおそれがあるためであ
る。
成は、Ａｒガス等の不活性ガス雰囲気中で、媒体基板
(2)に負のバイアス電圧を印加しながら、公知のＤＣス
パッタリング法により行なわれるが、シード層(3)の形
成時に、媒体基板(2)に印加される負のバイアス電圧
は、シード層の結晶性向上効果を十分に得るために、−
１００Ｖ以上とすることが望ましい。シード層(3)の厚
さは約１００〜１０００Åが望ましい。シード層(3)の
厚さが薄すぎるとシード層(3)の効果が十分に発揮され
ず、あまり厚くなりすぎると、その上に形成されるＣｒ
下地層(4)及びＣｏ合金磁性層(5)の粒子の粗大化を招
き、ノイズが増大するおそれがあるからである。また、
シード層(3)の上に成膜されるＣｒ下地層(4)の厚さは、
２００〜１０００Åが望ましく、４００〜８００Åがよ
り望ましい。これは、下地層(4)の層厚を約８００Åよ
り厚くしても、磁気記録媒体(1)の保磁力のさらなる向
上は期待できないためであり、１０００Åよりも厚くす
ると、その上に形成されるＣｏ合金磁性層(5)の粒子の
粗大化を招き、ノイズが増大するおそれがあるためであ
る。
【００１５】下地層(4)は、公知の如く、実質的にＣｒ
から形成する。実質的にＣｒとは、必ずしも１００％Ｃ
ｒである必要はなく、Ｃｒを約９５原子％以上含有して
おればよい。磁性層(5)は、Ｃｏを主成分とする公知の
Ｃｏ合金から形成する。
から形成する。実質的にＣｒとは、必ずしも１００％Ｃ
ｒである必要はなく、Ｃｒを約９５原子％以上含有して
おればよい。磁性層(5)は、Ｃｏを主成分とする公知の
Ｃｏ合金から形成する。
【００１６】ＮｉＰ層(22)、下地層(4)、磁性層(5)及び
保護膜(6)の形成は、公知の如く、ＤＣスパッタリング
法、メッキ法又は真空蒸着法等の方法により行なうこと
ができる。
保護膜(6)の形成は、公知の如く、ＤＣスパッタリング
法、メッキ法又は真空蒸着法等の方法により行なうこと
ができる。
【００１７】なお、下地層(4)をシード層(3)の上に成膜
する際、Ｃｒ下地層(4)を所望の結晶配向とするため
に、シード層(3)及びＮｉＰ層(22)を赤外線ヒーター等
によって約２５０〜３００℃に加熱した状態で実施する
ことが望ましい。
する際、Ｃｒ下地層(4)を所望の結晶配向とするため
に、シード層(3)及びＮｉＰ層(22)を赤外線ヒーター等
によって約２５０〜３００℃に加熱した状態で実施する
ことが望ましい。
【００１８】
【実施例】実施例１ この実施例は、シード層を形成する際に印加するバイア
ス電圧と保磁力(Ｈｃ)との関係を調べるものであり、下
記条件でＤＣスパッタリング装置を用いて各層を順に成
膜した。 ・媒体基板 サブストレート：Ａｌ合金製(３.５inch−３１.５mil) ＮｉＰ層 ：厚さ１０μm 表面処理 ：円周方向の機械的テキスチャー 粗さ ：Ｒａ＝２８Å ・シード層 組成：表１参照 厚さ：４００Å 組織：結晶質 成膜時のバイアス電圧：表１参照
ス電圧と保磁力(Ｈｃ)との関係を調べるものであり、下
記条件でＤＣスパッタリング装置を用いて各層を順に成
膜した。 ・媒体基板 サブストレート：Ａｌ合金製(３.５inch−３１.５mil) ＮｉＰ層 ：厚さ１０μm 表面処理 ：円周方向の機械的テキスチャー 粗さ ：Ｒａ＝２８Å ・シード層 組成：表１参照 厚さ：４００Å 組織：結晶質 成膜時のバイアス電圧：表１参照
【００１９】
【表１】
【００２０】・下地層 組成：実質的にＣｒ 厚さ：６００Å 成膜時の基板加熱温度：２６０℃ 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・磁性層 組成：原子％にて、Ｃｒ１４％、Ｔａ６％、残部実質的
にＣｏ 厚さ：４００Å 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・保護膜 厚さ：１２０Å 組成：実質的にＣ
にＣｏ 厚さ：４００Å 成膜時のバイアス電圧：−２００Ｖ ・保護膜 厚さ：１２０Å 組成：実質的にＣ
【００２１】上記各磁気記録媒体の保磁力Ｈｃの測定結
果を図２に示す。何れの磁気記録媒体についても、バイ
アス電圧を印加してシード層を形成することにより、保
磁力Ｈｃが上昇していることが判る。特に、シード層に
Ｗを２原子％、またはＭｏを１原子％含有する磁気記録
媒体は、印加するバイアス電圧の大きさにほぼ比例し
て、保磁力Ｈｃが上昇している。保磁力Ｈｃが向上した
のは、シード層の結晶性が、バイアス電圧の印加により
更に高められ、Ｃｒ下地層の主たる結晶配向である(２
１１)配向、Ｃｏ磁性層の主たる結晶配向である(１０
０)配向が向上すると共に、下地層及び磁性層がより微
細化されたためと考えられる。
果を図２に示す。何れの磁気記録媒体についても、バイ
アス電圧を印加してシード層を形成することにより、保
磁力Ｈｃが上昇していることが判る。特に、シード層に
Ｗを２原子％、またはＭｏを１原子％含有する磁気記録
媒体は、印加するバイアス電圧の大きさにほぼ比例し
て、保磁力Ｈｃが上昇している。保磁力Ｈｃが向上した
のは、シード層の結晶性が、バイアス電圧の印加により
更に高められ、Ｃｒ下地層の主たる結晶配向である(２
１１)配向、Ｃｏ磁性層の主たる結晶配向である(１０
０)配向が向上すると共に、下地層及び磁性層がより微
細化されたためと考えられる。
【００２２】実施例２ この実施例は、記録再生特性を調べるものである。な
お、磁気特性が異なると記録再生特性も異なるため、磁
気記録媒体は、Ｂｒ・δが約２２０Ｇμとなるように調
整し、各媒体の保磁力Ｈｃが約２２００Ｏｅとなるよう
に磁性層の成膜時のバイアス電圧及び基板温度を変えて
作製した。記録再生特性の測定は、Ｓｉｌｍａｇ社製の
ＰＨＳヘッドを用いて行なった。測定結果を表２に示
す。
お、磁気特性が異なると記録再生特性も異なるため、磁
気記録媒体は、Ｂｒ・δが約２２０Ｇμとなるように調
整し、各媒体の保磁力Ｈｃが約２２００Ｏｅとなるよう
に磁性層の成膜時のバイアス電圧及び基板温度を変えて
作製した。記録再生特性の測定は、Ｓｉｌｍａｇ社製の
ＰＨＳヘッドを用いて行なった。測定結果を表２に示
す。
【００２３】
【表２】
【００２４】表２中、ＳＮｍは媒体ノイズと信号強度と
の比、Ｎｍは媒体のノイズを表わす。ＮＬＴＳは、Non
Linear Transition Shiftの略語で、既に書き込まれた
記録パターン上の漏洩磁場がヘッドの記録磁界に影響を
及ぼした結果、次にディスクに書き込まれる磁化遷移領
域の位置がずれる量を表わしている。表２の記録再生特
性結果を参照すると、ＳＮｍ、Ｎｍ、ＮＬＴＳの全ての
特性に関して、バイアス電圧を印加して結晶質シード層
を形成した磁気記録媒体は、バイアス電圧を印加せずに
結晶質シード層を形成した磁気記録媒体よりもすぐれて
おり、記録再生特性が改善されていることを示してい
る。Ｗを含むＣｒ−Ｎｉ合金にバイアス電圧を印加して
形成した結晶質シード層は、特に記録再生特性がすぐれ
ていることが判る。
の比、Ｎｍは媒体のノイズを表わす。ＮＬＴＳは、Non
Linear Transition Shiftの略語で、既に書き込まれた
記録パターン上の漏洩磁場がヘッドの記録磁界に影響を
及ぼした結果、次にディスクに書き込まれる磁化遷移領
域の位置がずれる量を表わしている。表２の記録再生特
性結果を参照すると、ＳＮｍ、Ｎｍ、ＮＬＴＳの全ての
特性に関して、バイアス電圧を印加して結晶質シード層
を形成した磁気記録媒体は、バイアス電圧を印加せずに
結晶質シード層を形成した磁気記録媒体よりもすぐれて
おり、記録再生特性が改善されていることを示してい
る。Ｗを含むＣｒ−Ｎｉ合金にバイアス電圧を印加して
形成した結晶質シード層は、特に記録再生特性がすぐれ
ていることが判る。
【００２５】実施例３ 実施例１で得られたＣｒ60Ｎｉ40の結晶質シード層を有
する磁気記録媒体についてＸ線回析を行なった。測定結
果を図３に示す。図３を参照すると、印加するバイアス
電圧が大きくなるにつれて、Ｃｒ−Ｎｉのピークが左側
へ移動していることがわかる(図中一点鎖線で示す)。こ
れは、Ｃｒ−Ｎｉの結晶格子が膨れ、シード層の結晶配
向性が高まっていることを意味している。なお、図３
中、縦軸の強さを示す数値は任意目盛(arbitrary unit)
である。
する磁気記録媒体についてＸ線回析を行なった。測定結
果を図３に示す。図３を参照すると、印加するバイアス
電圧が大きくなるにつれて、Ｃｒ−Ｎｉのピークが左側
へ移動していることがわかる(図中一点鎖線で示す)。こ
れは、Ｃｒ−Ｎｉの結晶格子が膨れ、シード層の結晶配
向性が高まっていることを意味している。なお、図３
中、縦軸の強さを示す数値は任意目盛(arbitrary unit)
である。
【００２６】
【発明の効果】媒体基板に負のバイアス電圧を印加しな
がら、Ｎｉ：３６〜４６原子％、残部実質Ｃｒからなる
結晶質合金、またはＮｉを３６〜４６原子％、Ｗ、Ｍｏ
の一種又は二種を合計量で０.５〜３原子％、残部実質
的にＣｒからなる結晶質合金のシード層を設けたことに
より、高保磁力及び低ノイズ特性を具えた磁気記録媒体
を得ることができ、記録密度の向上に対応することがで
きる。
がら、Ｎｉ：３６〜４６原子％、残部実質Ｃｒからなる
結晶質合金、またはＮｉを３６〜４６原子％、Ｗ、Ｍｏ
の一種又は二種を合計量で０.５〜３原子％、残部実質
的にＣｒからなる結晶質合金のシード層を設けたことに
より、高保磁力及び低ノイズ特性を具えた磁気記録媒体
を得ることができ、記録密度の向上に対応することがで
きる。
【図１】結晶質Ｃｒ−Ｎｉのシード層を形成した金属薄
膜型磁気記録媒体の部分断面図である。
膜型磁気記録媒体の部分断面図である。
【図２】シード層形成時に印加するバイアス電圧と保磁
力の関係を示すグラフである。
力の関係を示すグラフである。
【図３】磁気記録媒体のＸ線回折結果を示すグラフであ
る。
る。
【図４】従来の金属薄膜型磁気記録媒体の部分断面図で
ある。
ある。
(1) 金属薄膜型磁気記録媒体 (2) 媒体基板 (3) 結晶質シード層 (4) 下地層 (5) 磁性層 (6) 保護膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 前田 誠 大阪府大阪市浪速区敷津東１丁目２番47号 株式会社クボタ内
Claims (4)
- 【請求項１】 非磁性の媒体基板上に、下地層、磁性層
及び保護膜を順次積層成膜してなる金属薄膜型磁気記録
媒体において、媒体基板と下地層の間に、結晶質合金か
らなるシード層が設けられ、該シード層は媒体基板に負
のバイアス電圧を印加しながら形成されたものであるこ
とを特徴とする金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項２】 結晶質合金のシード層は、原子％にて、
Ｎｉを３６〜４６％、残部実質的にＣｒからなることを
特徴とする請求項１に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項３】 結晶質合金のシード層は、原子％にて、
Ｎｉを３６〜４６％、Ｗ、Ｍｏの一種又は二種を合計量
で０.５〜３％、残部実質的にＣｒからなることを特徴
とする請求項１に記載の金属薄膜型磁気記録媒体。 - 【請求項４】 非磁性の媒体基板上に、下地層、磁性層
及び保護膜を順次積層成膜する金属薄膜型磁気記録媒体
の製造方法において、下地層を成膜する前に、媒体基板
に負のバイアス電圧を印加しながら、媒体基板の上に結
晶質合金のシード層を形成する工程を有することを特徴
とする金属薄膜型磁気記録媒体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22961296A JP3933731B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22961296A JP3933731B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074619A true JPH1074619A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3933731B2 JP3933731B2 (ja) | 2007-06-20 |
Family
ID=16894915
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22961296A Expired - Fee Related JP3933731B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | 金属薄膜型磁気記録媒体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3933731B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436248B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with barrier layer |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22961296A patent/JP3933731B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6436248B1 (en) | 1998-11-05 | 2002-08-20 | International Business Machines Corporation | Thin film disk with barrier layer |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3933731B2 (ja) | 2007-06-20 |
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