JPH107454A - 高磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体およびＤＣ−ＤＣコンバータ用トランス - Google Patents
高磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体およびＤＣ−ＤＣコンバータ用トランスInfo
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- JPH107454A JPH107454A JP8158654A JP15865496A JPH107454A JP H107454 A JPH107454 A JP H107454A JP 8158654 A JP8158654 A JP 8158654A JP 15865496 A JP15865496 A JP 15865496A JP H107454 A JPH107454 A JP H107454A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比抵抗の高いＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトに
おいて、飽和磁束密度が大きくて損失が小さい、ＤＣ／
ＤＣコンバータ等のトランス用等として使用できるフェ
ライトを提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3 ４９．０〜５０．０ｍｏｌ％、Ｚ
ｎＯ １８．０〜２６．０、ＣｕＯ ０〜１２．０ｍｏ
ｌ％、残部がＮｉＯから成る組成を有するフェライトに
おいて、２０〜１４０℃における損失（コアロス）の最
小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下（周波数５０ｋＨｚ、動作
磁束密度５０ｍＴ）で飽和磁束密度が４２０ｍＴ以上
（印加磁界４０００Ａ／ｍ）の特性をもつ。
おいて、飽和磁束密度が大きくて損失が小さい、ＤＣ／
ＤＣコンバータ等のトランス用等として使用できるフェ
ライトを提供する。 【構成】 Ｆｅ2Ｏ3 ４９．０〜５０．０ｍｏｌ％、Ｚ
ｎＯ １８．０〜２６．０、ＣｕＯ ０〜１２．０ｍｏ
ｌ％、残部がＮｉＯから成る組成を有するフェライトに
おいて、２０〜１４０℃における損失（コアロス）の最
小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下（周波数５０ｋＨｚ、動作
磁束密度５０ｍＴ）で飽和磁束密度が４２０ｍＴ以上
（印加磁界４０００Ａ／ｍ）の特性をもつ。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＤＣ／ＤＣコンバ
ータのトランス用等に用いられるフェライト焼結体及び
トランス用コアに関する。
ータのトランス用等に用いられるフェライト焼結体及び
トランス用コアに関する。
【０００２】
【従来の技術】スイッチング電源は、民生機器をはじめ
ＯＡ、産業用機器へと幅広い利用が進んでおり、現在、
小型、薄型、軽量化が図られている。このスイッチング
電源、ＤＣ／ＤＣコンバータに使用されるトランスに
は、従来、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライトコアが使用されて
いた。
ＯＡ、産業用機器へと幅広い利用が進んでおり、現在、
小型、薄型、軽量化が図られている。このスイッチング
電源、ＤＣ／ＤＣコンバータに使用されるトランスに
は、従来、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライトコアが使用されて
いた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】Ｍｎ−Ｚｎ系のフェラ
イトコアは、飽和磁束密度、透磁率が大きく、また損失
（コアロス）が１０ｋＷ／ｍ3程度（周波数５０ｋＨ
ｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と小さいという特長があ
り、これまでスイッチング電源やＤＣ／ＤＣコンバータ
等のトランスに用いられてきた。しかしながら、比抵抗
が１０Ω・ｍ程度と比較的低く、コアに直接巻線をする
と漏れ電流が発生する。このため、ＤＣ／ＤＣコンバー
タ等のトランス用としては、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト
コアを使用する場合、コアにボビンをかぶせたり、絶縁
被膜等の処理を行ってから巻線を行っていた。それによ
り、製造コストが高く、小型化が難しいという問題があ
った。
イトコアは、飽和磁束密度、透磁率が大きく、また損失
（コアロス）が１０ｋＷ／ｍ3程度（周波数５０ｋＨ
ｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と小さいという特長があ
り、これまでスイッチング電源やＤＣ／ＤＣコンバータ
等のトランスに用いられてきた。しかしながら、比抵抗
が１０Ω・ｍ程度と比較的低く、コアに直接巻線をする
と漏れ電流が発生する。このため、ＤＣ／ＤＣコンバー
タ等のトランス用としては、Ｍｎ−Ｚｎ系のフェライト
コアを使用する場合、コアにボビンをかぶせたり、絶縁
被膜等の処理を行ってから巻線を行っていた。それによ
り、製造コストが高く、小型化が難しいという問題があ
った。
【０００４】これに対し、Ｎｉ系のフェライトコアは、
一般に比抵抗が１０6Ω・ｍ程度と非常に高く、コアに
直接巻線をすることが可能であるが、損失（コアロス）
が大きいためコアが発熱し易く、また飽和磁束密度が小
さいためコア形状が大きくなり、ＤＣ／ＤＣコンバータ
等のトランス用として適していなかった。本発明は、上
記のことを鑑みて、比抵抗の高いＮｉ系フェライトに
て、飽和磁束密度が大きく損失（コアロス）が小さい、
ＤＣ／ＤＣコンバータ等のトランス用等として使用でき
るフェライト材料を提供することを目的とする。
一般に比抵抗が１０6Ω・ｍ程度と非常に高く、コアに
直接巻線をすることが可能であるが、損失（コアロス）
が大きいためコアが発熱し易く、また飽和磁束密度が小
さいためコア形状が大きくなり、ＤＣ／ＤＣコンバータ
等のトランス用として適していなかった。本発明は、上
記のことを鑑みて、比抵抗の高いＮｉ系フェライトに
て、飽和磁束密度が大きく損失（コアロス）が小さい、
ＤＣ／ＤＣコンバータ等のトランス用等として使用でき
るフェライト材料を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ｆｅ2Ｏ3 ４
９．０〜５０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ １８．０〜２８．
０、ＣｕＯ ０〜１２．０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％
を含まない）、残部がＮｉＯから成る組成を有し、平均
結晶粒径が３〜３０μｍであり、２０〜１４０℃におけ
る損失（コアロス）の最小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下
（周波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）で、飽和
磁束密度が４２０ｍＴ（印加磁界４０００Ａ／ｍ）以上
であるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体である。ま
た本発明は、コアロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周波数５
０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密度（Ｂ
ｍ［ｍＴ］、印加磁界４０００Ａ／ｍ）の関係が、式１
のとおりであるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体で
ある。また本発明は、上記したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェ
ライト焼結体からなるコアを用いたＤＣ−ＤＣコンバー
タ用トランスである。
９．０〜５０．０ｍｏｌ％、ＺｎＯ １８．０〜２８．
０、ＣｕＯ ０〜１２．０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％
を含まない）、残部がＮｉＯから成る組成を有し、平均
結晶粒径が３〜３０μｍであり、２０〜１４０℃におけ
る損失（コアロス）の最小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下
（周波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）で、飽和
磁束密度が４２０ｍＴ（印加磁界４０００Ａ／ｍ）以上
であるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体である。ま
た本発明は、コアロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周波数５
０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密度（Ｂ
ｍ［ｍＴ］、印加磁界４０００Ａ／ｍ）の関係が、式１
のとおりであるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体で
ある。また本発明は、上記したＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェ
ライト焼結体からなるコアを用いたＤＣ−ＤＣコンバー
タ用トランスである。
【０００６】本発明では、主成分組成範囲が重要な要件
である。即ち、Ｆｅ2Ｏ3が４９．０ｍｏｌ％未満である
と、コアロスが大きくなり、飽和磁束密度も低くなる。
また、Ｆｅ2Ｏ3が５０．０ｍｏｌ％を超えると、比抵抗
が低くなり、Ｎｉ系の特徴である絶縁性が低くなり、不
適当である。よって、Ｆｅ2Ｏ3は４９．０〜５０．０ｍ
ｏｌ％の範囲であり、より好ましくは、４９．３〜４
９．８ｍｏｌ％である。ＺｎＯは１８．０ｍｏｌ％未満
であると、コアロスが大きくなり、また２８．０ｍｏｌ
％を超えると、飽和磁束密度が低くなる。よって、１
８．０〜２８．０ｍｏｌ％の範囲であり、より好ましく
は、２０．０〜２４．０ｍｏｌ％である。また、このＺ
ｎＯの含有量が１８．０〜２８．０ｍｏｌ％のとき、コ
アロスの最小値を得る温度を２０〜１４０℃の範囲に制
御できる。ＣｕＯは１２ｍｏｌ％を超えると、コアロス
が大きくなる。よって、１２ｍｏｌ％以下の範囲であ
り、より好ましくは、３．０〜９．０ｍｏｌ％である。
である。即ち、Ｆｅ2Ｏ3が４９．０ｍｏｌ％未満である
と、コアロスが大きくなり、飽和磁束密度も低くなる。
また、Ｆｅ2Ｏ3が５０．０ｍｏｌ％を超えると、比抵抗
が低くなり、Ｎｉ系の特徴である絶縁性が低くなり、不
適当である。よって、Ｆｅ2Ｏ3は４９．０〜５０．０ｍ
ｏｌ％の範囲であり、より好ましくは、４９．３〜４
９．８ｍｏｌ％である。ＺｎＯは１８．０ｍｏｌ％未満
であると、コアロスが大きくなり、また２８．０ｍｏｌ
％を超えると、飽和磁束密度が低くなる。よって、１
８．０〜２８．０ｍｏｌ％の範囲であり、より好ましく
は、２０．０〜２４．０ｍｏｌ％である。また、このＺ
ｎＯの含有量が１８．０〜２８．０ｍｏｌ％のとき、コ
アロスの最小値を得る温度を２０〜１４０℃の範囲に制
御できる。ＣｕＯは１２ｍｏｌ％を超えると、コアロス
が大きくなる。よって、１２ｍｏｌ％以下の範囲であ
り、より好ましくは、３．０〜９．０ｍｏｌ％である。
【０００７】また本発明では、結晶粒径も重要な要件で
ある。この結晶粒径が３μｍ未満であると、コアロスが
大きくなり、また３０μｍを超えると、結晶が異常成長
し、コアロスが大となる。このため、平均結晶粒径は３
〜３０μｍの範囲であることが好ましい。更に好ましく
は、４〜２０μｍである。
ある。この結晶粒径が３μｍ未満であると、コアロスが
大きくなり、また３０μｍを超えると、結晶が異常成長
し、コアロスが大となる。このため、平均結晶粒径は３
〜３０μｍの範囲であることが好ましい。更に好ましく
は、４〜２０μｍである。
【０００８】この結晶粒径は、焼結体の断面を鏡面研磨
後、酸エッチングあるいは熱処理を施し、ＳＥＭにより
所定の倍率で観察する。そして、結晶粒子の数が５０個
以上入る正方形の領域規定し、その領域内の各結晶の面
積を測定し、その面積から円換算で直径を求め、これを
各結晶の結晶粒径とする。その領域内の平均を平均結晶
粒径とする。尚、前記領域の領域線上に結晶が重なるも
のは含めないものとする。
後、酸エッチングあるいは熱処理を施し、ＳＥＭにより
所定の倍率で観察する。そして、結晶粒子の数が５０個
以上入る正方形の領域規定し、その領域内の各結晶の面
積を測定し、その面積から円換算で直径を求め、これを
各結晶の結晶粒径とする。その領域内の平均を平均結晶
粒径とする。尚、前記領域の領域線上に結晶が重なるも
のは含めないものとする。
【０００９】また、本発明によるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フ
ェライトは、高磁束密度で、低損失な特性を特徴として
おり、損失（コアロス）は１５０ｋＷ／ｍ3（周波数５
０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）以下であることを特
徴とし、飽和磁束密度が４２０ｍＴ（印加磁界４０００
Ａ／ｍ）以上であることを特徴としている。これらの特
性を満足しないと、スイッチング電源、ＤＣ−ＤＣコン
バータ用トランスとして実用性が低くなる。また、コア
ロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周波数５０ｋＨｚ、動作磁
束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密度（Ｂｍ［ｍＴ］、印加
磁界４０００Ａ／ｍ）の関係が、式１のとおりであるこ
とを特徴としている。
ェライトは、高磁束密度で、低損失な特性を特徴として
おり、損失（コアロス）は１５０ｋＷ／ｍ3（周波数５
０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）以下であることを特
徴とし、飽和磁束密度が４２０ｍＴ（印加磁界４０００
Ａ／ｍ）以上であることを特徴としている。これらの特
性を満足しないと、スイッチング電源、ＤＣ−ＤＣコン
バータ用トランスとして実用性が低くなる。また、コア
ロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周波数５０ｋＨｚ、動作磁
束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密度（Ｂｍ［ｍＴ］、印加
磁界４０００Ａ／ｍ）の関係が、式１のとおりであるこ
とを特徴としている。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に係るフェライト
材料の実施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの原料粉末を所定量
秤量し、これに所定量のイオン交換水を添加したものを
ボールミルにて４時間混合し、電気炉を用いて最高温度
８５０℃で１．５時間仮焼した後、これを炉冷し、４０
メッシュのふるいで解砕する。しかる後、再び所定量の
イオン交換水を添加したものをボールミルにて６時間粉
砕し、粉砕されたスラリー状の原料を乾燥および解砕す
る。これにバインダー（ポリビニルアルコール）を加え
て造粒し、４０メッシュのふるいにて整粒した顆粒を乾
式圧縮成形機と金型を用いて、外径１６．８mm、内径
８．５mm、高さ５．４mmのリング状コアに成形圧１４７
ＭＰａで成形し、これを大気中、１１００℃で１．０時
間焼成した。得られた各試料の成分組成及び焼成密度を
測定した後、周波数５０ｋＨｚ、磁束密度５０ｍＴの測
定条件において２０〜１４０℃の温度範囲で損失（コア
ロス）と印加磁界４０００Ａ／ｍの測定条件において２
０℃の飽和磁束密度を測定した。また、成分組成は、工
程中で変化し、秤量組成と若干異なるので、最終組成と
して表１に載せる。
材料の実施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの原料粉末を所定量
秤量し、これに所定量のイオン交換水を添加したものを
ボールミルにて４時間混合し、電気炉を用いて最高温度
８５０℃で１．５時間仮焼した後、これを炉冷し、４０
メッシュのふるいで解砕する。しかる後、再び所定量の
イオン交換水を添加したものをボールミルにて６時間粉
砕し、粉砕されたスラリー状の原料を乾燥および解砕す
る。これにバインダー（ポリビニルアルコール）を加え
て造粒し、４０メッシュのふるいにて整粒した顆粒を乾
式圧縮成形機と金型を用いて、外径１６．８mm、内径
８．５mm、高さ５．４mmのリング状コアに成形圧１４７
ＭＰａで成形し、これを大気中、１１００℃で１．０時
間焼成した。得られた各試料の成分組成及び焼成密度を
測定した後、周波数５０ｋＨｚ、磁束密度５０ｍＴの測
定条件において２０〜１４０℃の温度範囲で損失（コア
ロス）と印加磁界４０００Ａ／ｍの測定条件において２
０℃の飽和磁束密度を測定した。また、成分組成は、工
程中で変化し、秤量組成と若干異なるので、最終組成と
して表１に載せる。
【００１１】
【表１】
【００１２】表１及び図１に示すように、本発明の実施
例は、２０〜１４０℃におけるコアロスの最小値が１５
０ｋＷ／ｍ3（周波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍ
Ｔ）以下を満足し、全て１００ｋＷ／ｍ3以下を達成し
ている。また飽和磁束密度は４２０ｍＴ（印加磁界４０
００Ａ／ｍ）以上を満足し、４４０ｍＴ以上を達成して
いる。この実施例のコアロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周
波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密
度（Ｂｍ［ｍＴ］、印加磁界４０００Ａ／ｍ）の関係
は、式１を満足している。またこの実施例の初透磁率
は、３２０以上を示し、比抵抗は１×１０7以上を有し
ている。また、焼成密度は５．２１以上の値を示してい
る。
例は、２０〜１４０℃におけるコアロスの最小値が１５
０ｋＷ／ｍ3（周波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍ
Ｔ）以下を満足し、全て１００ｋＷ／ｍ3以下を達成し
ている。また飽和磁束密度は４２０ｍＴ（印加磁界４０
００Ａ／ｍ）以上を満足し、４４０ｍＴ以上を達成して
いる。この実施例のコアロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周
波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密
度（Ｂｍ［ｍＴ］、印加磁界４０００Ａ／ｍ）の関係
は、式１を満足している。またこの実施例の初透磁率
は、３２０以上を示し、比抵抗は１×１０7以上を有し
ている。また、焼成密度は５．２１以上の値を示してい
る。
【００１３】実施例２ 表１の試料Ｎｏ．１０のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト
からなるドラム型コアを作製した。このドラム型コアの
寸法は、巻心径が２ｍｍ、鍔径が４．２ｍｍ、巻幅が
２．０ｍｍで全長が３．２ｍｍである。このコアに、Ｕ
ＥＷ０．２φの被覆導線を用いて、３５ターン巻線し
た。この試料を用いて、直流重畳特性の評価を行った。
測定条件は、周波数１００ｋＨｚ、電流１ｍＡである。
この重畳特性は、２０℃、６０℃、１００℃で評価し
た。その結果を表２に示す。この表２のインダクタンス
Ｌは初期のインダクタンス値であり、Ｌ−２０％時の電
流値は、電流値を上げ、インダクタンスが低下し、初期
の値から２０％インダクタンス値が下がった時の電流値
である。また、２０℃のときのＬ−Ｉｄｃ特性のデータ
を図２示す。このように、本発明の実施例は、測定温度
２０℃、６０℃、１００℃の各温度で、比較例に比べて
３〜５％のインダクタンス値の向上と１５％程度の電流
値の延びが確認された。この電流値の延びは、インダク
タンス値が同じ場合で比較すると、更に大きな違いとな
る。つまり、本発明の実施例は、スイッチング電源、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ用トランスとして、実用的であり、
使用可能であることがわかる。
からなるドラム型コアを作製した。このドラム型コアの
寸法は、巻心径が２ｍｍ、鍔径が４．２ｍｍ、巻幅が
２．０ｍｍで全長が３．２ｍｍである。このコアに、Ｕ
ＥＷ０．２φの被覆導線を用いて、３５ターン巻線し
た。この試料を用いて、直流重畳特性の評価を行った。
測定条件は、周波数１００ｋＨｚ、電流１ｍＡである。
この重畳特性は、２０℃、６０℃、１００℃で評価し
た。その結果を表２に示す。この表２のインダクタンス
Ｌは初期のインダクタンス値であり、Ｌ−２０％時の電
流値は、電流値を上げ、インダクタンスが低下し、初期
の値から２０％インダクタンス値が下がった時の電流値
である。また、２０℃のときのＬ−Ｉｄｃ特性のデータ
を図２示す。このように、本発明の実施例は、測定温度
２０℃、６０℃、１００℃の各温度で、比較例に比べて
３〜５％のインダクタンス値の向上と１５％程度の電流
値の延びが確認された。この電流値の延びは、インダク
タンス値が同じ場合で比較すると、更に大きな違いとな
る。つまり、本発明の実施例は、スイッチング電源、Ｄ
Ｃ−ＤＣコンバータ用トランスとして、実用的であり、
使用可能であることがわかる。
【００１４】
【表２】
【００１５】
【発明の効果】本発明によれば、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトにおいて、コアロスが１５０ｋＷ／ｍ3以下（周
波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）で、飽和磁束
密度が４２０ｍＴ以上（印加磁界４０００Ａ／ｍ）とい
う非常に低損失で飽和磁束密度の高いフェライト焼結体
を得る事が出来、しかもＮｉ系フェライトの特有の比抵
抗の高いフェライト焼結体が得られ、ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ等のトランス用として有用であり、トランスの小型
化及び製造コストの低減に大いに役立つものである。
ライトにおいて、コアロスが１５０ｋＷ／ｍ3以下（周
波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）で、飽和磁束
密度が４２０ｍＴ以上（印加磁界４０００Ａ／ｍ）とい
う非常に低損失で飽和磁束密度の高いフェライト焼結体
を得る事が出来、しかもＮｉ系フェライトの特有の比抵
抗の高いフェライト焼結体が得られ、ＤＣ／ＤＣコンバ
ータ等のトランス用として有用であり、トランスの小型
化及び製造コストの低減に大いに役立つものである。
【図１】本発明に係る実施例と従来例のＰcvとＢｍの関
係を示した図である。
係を示した図である。
【図２】本発明に係る実施例と従来例のＬ−Ｉｄｃの関
係を示した図である。
係を示した図である。
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｆｅ2Ｏ3 ４９．０〜５０．０ｍｏｌ
％、ＺｎＯ １８．０〜２８．０、ＣｕＯ ０〜１２．
０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％を含まない）、残部がＮ
ｉＯから成る組成を有し、平均結晶粒径が３〜３０μｍ
であり、２０〜１４０℃における損失（コアロス）の最
小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下（周波数５０ｋＨｚ、動作
磁束密度５０ｍＴ）で、飽和磁束密度が４２０ｍＴ（印
加磁界４０００Ａ／ｍ）以上であることを特徴とする高
磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体。 - 【請求項２】 Ｆｅ2Ｏ3 ４９．０〜５０．０ｍｏｌ
％、ＺｎＯ １８．０〜２８．０、ＣｕＯ ０〜１２．
０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％を含まない）、残部がＮ
ｉＯから成る組成を有し、平均結晶粒径が３〜３０μｍ
であり、コアロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周波数５０ｋ
Ｈｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密度（Ｂｍ
［ｍＴ］、印加磁界４０００Ａ／ｍ）の関係が、式１の
とおりであることを特徴とする高磁束密度低損失Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体。 【式１】 - 【請求項３】 請求項２において、２０〜１４０℃にお
ける損失（コアロス）の最小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下
（周波数５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）で、かつ
飽和磁束密度が４２０ｍＴ（印加磁界４０００Ａ／ｍ）
以上であることを特徴とする高磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体。 - 【請求項４】 Ｆｅ2Ｏ3 ４９．０〜５０．０ｍｏｌ
％、ＺｎＯ １８．０〜２８．０、ＣｕＯ ０〜１２．
０ｍｏｌ％（但し、０ｍｏｌ％を含まない）、残部がＮ
ｉＯから成る組成を有し、２０〜１４０℃における損失
（コアロス）の最小値が１５０ｋＷ／ｍ3以下（周波数
５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）で、飽和磁束密度
が４２０ｍＴ（印加磁界４０００Ａ／ｍ）以上の磁気特
性を有するコアを用いることを特徴とするＤＣ／ＤＣコ
ンバータ用トランス。 - 【請求項５】 コアロス（Ｐcv［ｋＷ／ｍ3］、周波数
５０ｋＨｚ、動作磁束密度５０ｍＴ）と飽和磁束密度
（Ｂｍ［ｍＴ］、印加磁界４０００Ａ／ｍ）の関係が、
式１の特性のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体から
なるコアを用いることを特徴とするＤＣ／ＤＣコンバー
タ用トランス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865496A JP3410293B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 高磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体およびＤＣ−ＤＣコンバータ用トランス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15865496A JP3410293B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 高磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体およびＤＣ−ＤＣコンバータ用トランス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH107454A true JPH107454A (ja) | 1998-01-13 |
| JP3410293B2 JP3410293B2 (ja) | 2003-05-26 |
Family
ID=15676440
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15865496A Expired - Lifetime JP3410293B2 (ja) | 1996-06-19 | 1996-06-19 | 高磁束密度低損失Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト焼結体およびＤＣ−ＤＣコンバータ用トランス |
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11243024A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Kyocera Corp | ノーコンタクトチャージャー対応型電気器具 |
| JP2001151564A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-05 | Kyocera Corp | 高飽和磁束密度フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア |
| JP2003300774A (ja) * | 2002-04-04 | 2003-10-21 | Hitachi Metals Ltd | 低損失Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト |
| WO2008096795A1 (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-14 | Hitachi Metals, Ltd. | 低損失フェライト及びこれを用いた電子部品 |
| CN108530048A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-09-14 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种高Bs铁氧体材料及其制备方法 |
-
1996
- 1996-06-19 JP JP15865496A patent/JP3410293B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPH11243024A (ja) * | 1998-02-25 | 1999-09-07 | Kyocera Corp | ノーコンタクトチャージャー対応型電気器具 |
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| US8237529B2 (en) | 2007-02-07 | 2012-08-07 | Hitachi Metals, Ltd. | Low-loss ferrite and electronic device formed by such ferrite |
| CN108530048A (zh) * | 2018-05-15 | 2018-09-14 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种高Bs铁氧体材料及其制备方法 |
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| JP3410293B2 (ja) | 2003-05-26 |
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