JP3259942B2 - 低損失Ni系フェライト焼結体及び磁心 - Google Patents
低損失Ni系フェライト焼結体及び磁心Info
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Description
晶バックライト等のトランス用等に用いられる低損失フ
ェライト焼結体及び磁心に関する。
は、民生機器をはじめOA、産業用機器へと幅広い利用
が進んでおり、現在、小型、薄型、軽量化が図られてい
る。このスイッチング電源や液晶バックライト等に使用
されるトランスには、従来、Mn系のフェライトコアが
使用されていた。
アは、飽和磁束密度、透磁率が大きく、また損失(コア
ロス)が10kW/m3程度(50kHz、50mT)
と小さいという特長があり、これまでスイッチング電源
や液晶バックライト等のトランスに用いられてきた。し
かしながら、比抵抗が10Ω・m程度と比較的低く、コ
アに直接巻線をすると漏れ電流が発生する。このため、
スイッチング電源等のトランス用としては、Mn系のフ
ェライトコアを使用する場合、コアにボビンをかぶせた
り、絶縁被膜等の処理を行ってから巻線を行っており、
製造コストが高く、小型化が難しいという問題があっ
た。これに対し、Ni系のフェライトコアは、一般に比
抵抗が106Ω・m程度と非常に高く、コアに直接巻線
をすることが可能であるが、損失(コアロス)が60k
W/m3(50kHz、50mT)程度と大きいため、
コアが発熱し易く、スイッチング電源等のトランス用と
して適していなかった。本発明は、上記のことを鑑み
て、比抵抗の高いNi系フェライトにて、損失(コアロ
ス)が小さく、スイッチング電源等のトランス用等とし
て使用できるフェライト材料を提供することを目的とす
る。
3 48.0mol%〜50.0mol%、ZnO 2
8.0mol%〜36.0mol%、NiO 14.0
mol%〜24.0mol%(NiOの内12mol%
以下をCuOで置換してもよい)を主成分とし、焼結体
中のP含有量が50ppm以下で、平均結晶粒径が3〜
30μmであり、20℃〜140℃の間に損失(コアロ
ス)の最小値を有し、当該損失(コアロス)の最小値が
30KW/m3以下(50KHz、50mT)の低損失
Ni系フェライト焼結体である。本発明においては、前
記平均結晶粒径の2倍を超える結晶粒子の数が全体の1
0%以下であることが好ましい。また焼結体の比抵抗が
1×105Ω・m以上の低損失Ni系フェライト焼結体
である第二の発明は、第一の発明の低損失Ni系フェラ
イト焼結体を用いた磁心である。
く、損失(コアロス)が60kW/m3程度(50kH
z、50mT)と大きく、スイッチング電源等のトラン
ス用として使用するには適さなかった。本発明者らは、
Ni系フェライト材料で、スイッチング電源等のトラン
ス用として使用できる材料を研究した所、Fe2O3 4
8.0〜50.0mol%、ZnO 28.0〜36.
0mol%、焼結体中のPの含有量を50ppm以下と
し、組織の平均結晶粒径を3〜30μmとすれば、損失
(コアロス)が30kW/m3以下(50kHz、50
mT)を得る事ができることを知見した。また、焼結体
の結晶組織にPの偏析がない方が低損失となり、特には
Pの偏析が1%以下であれば、一層低損失となる。ま
た、更に好ましい平均結晶粒径は、4〜20μmであ
る。また、ZnOの含有量が28.0〜36.0mol
%のとき、コアロスの最小値を得る温度を20〜140
℃の範囲に制御できる。好ましくは、ZnOの含有量が
29.0〜33.0mol%である。本発明によれば、
Fe2O3 48.0〜50.0mol%、NiO 14.
0〜24.0mol%、ZnO 28.0〜36.0m
ol%から成る組成を主成分で、又はさらにNiOの内
12mol%以下CuOに置換した成分組成で、低損失
でスイッチング電源等のトランスとして使用できる材料
を得ることができた。また、添加物として、Mg,C
a,Sr,Ba,Al,Si,Ge,In,Sn,S
b,Te,Tl,Bi,Pb又は遷移金属の1種又は2
種以上を含んでも良い。また、添加物の含有量は1wt
%程度までが適当である。また、本発明によるNi系フ
ェライトとしては、平均結晶粒径の2倍を超える結晶粒
子の数が結晶粒子全体の10%以下であり、結晶粒径が
均一であることが望ましい。また平均結晶粒径の2倍を
超える結晶粒子の数が結晶粒子全体の5%以下であるこ
とが更に好ましい。なお、このPの偏析は、フェライト
焼結体の断面を研磨し、930〜1050℃の温度で熱
処理した後、SEM(Scanning Electron Microscope)
又はEDX( Energy Dispersive -Xray Spectrometer)
により加速電圧20kVの条件で、少なくとも1600
μm2以上の範囲についてPの組成分布を調べ、得られ
たPのマップ像について画像処理を行い、Pが存在する
部分の面積の合計を全体の面積で割った値を用いる。ま
た本発明では、比抵抗が1×105Ω・m以上であるこ
とが望ましい。
の通りである。Fe2O3が48.0mol%未満である
と、コアロスが大きくなり、また、50.0mol%を
超えると、比抵抗が低くなり、Ni系の特徴である絶縁
性が低くなり、不適当である。コアロスが30kW/m
3を超えると、実用性が低くなる。Pの偏析が面積比で
1%を超えると、コアロスが大きくなる。好ましくは、
0.8%以下である。焼結体中のPの含有量が50pp
mを超えると、コアロスが大きくなる。好ましくは、焼
結体中のPの含有量は7ppm以下である。ZnOが2
8.0mol%未満であると、コアロスが大きくなり、
また36.0mol%を超えると、コアロスの最小値を
得る温度が室温以下となり、実際に使用される温度範囲
で低損失とならない。コアロスの最小値を得る温度は、
20〜140℃が適当である。CuOが12mol%を
超えると、コアロスが大きくなる。結晶粒径が3μm未
満であると、コアロスが大きくなり、また30μmを超
えると、結晶が異常成長し、コアロス大となる。また、
その平均結晶粒径の2倍を超える結晶粒子の数が結晶粒
子全体の10%を超えると、コアロスが大きくなる。
例を詳細に説明する。 実施例1 Fe2O3、NiO、ZnO、CuOの原料粉末を所定量
秤量し、これに所定量のイオン交換水を添加したものを
ボールミルにて4時間混合し、電気炉を用いて最高温度
850℃で1.5時間仮焼した後、これを炉冷し、40
メッシュのふるいで解砕する。しかる後、再び所定量の
イオン交換水を添加したものをボールミルにて6時間粉
砕し、粉砕されたスラリー状の原料を乾燥および解砕す
る。これにバインダー(ポリビニルアルコール)を1w
t%加えて造粒し、40メッシュのふるいにて整粒した
顆粒を乾式圧縮成形機と金型を用いて、外径16.8m
m、内径8.5mm、高さ5.4mmのリング状コアに
成形圧1.5ton/cm2で成形し、これを大気中、
1100℃〜1200℃で1.5時間焼成した。得られ
た各試料の成分組成及び焼成密度を測定した後、周波数
50kHz、磁束密度50mTの測定条件において20
〜140℃の温度範囲で損失(コアロス)を測定した。
また、焼結体の結晶組織(結晶粒径、組成分布)の観察
を行った。また、成分組成は、工程中で変化し、秤量組
成と若干異なるので、最終組成として表1に載せる。な
お、この表1に示す各試料におけるPの含有量は、50
ppm以下である。
50.0mol%で、コアロスの最小値が30kW/m
3以下のNi系フェライト焼結体を得る事ができた。ま
た、Fe2O3が48.0〜50.0mol%、NiOが
14.0〜24.0mol%、ZnOが28.0〜3
6.0mol%でコアロスの最小値が30kW/m3以
下のNi系フェライト焼結体を得る事ができた。また、
そのNiOの内12mol%以下をCuOに置換しても
コアロスの最小値が30kW/m3以下のNi系フェラ
イト焼結体を得る事ができた。
た。尚、焼成温度は、1100℃又は1050℃で行っ
た。各試料の測定結果を表2に示す。この表2に示すよ
うに、Pの含有量が50ppm以下であると、コアロス
の最小値が30kW/m3以下のNi系フェライト焼結
体を得る事ができた。このPは、主にFe2O3の原料粉
中に含まれている不純物であり、フェライト焼結体中の
Pの含有量を50ppm以下とするには、Fe2O3の原
料粉中に含まれているPが76ppm以下程度であるこ
とが望ましい。
焼結体の結晶組織中のP偏析を調査した。このPの偏析
の確認方法は、試料を切断し、その断面を研磨し、焼成
温度より50℃低い温度で熱処理した後、SEMにより
加速電圧20kVの条件で、少なくとも1600μm2
の範囲についてPの組成分布を調べ、得られたPのマッ
プ像について画像処理を行い、Pが存在する部分の面積
の合計を全体の面積(1600μm2)で割った値を用
いた。この結果を表3に示す。また、表3のNo3の試
料のPの偏析を調べたSEMのマップ像の画像処理した
模式図を図3に、表3のNo4の試料のPの偏析を調べ
たSEMのマップ像の画像処理した模式図を図4に示
す。この図3に示すNo3の試料では、Pの偏析は1ケ
所(図中番号1)のみであり、面積比は、0.8%であ
った。また、図4に示すNo4の試料では、Pの偏析
(図中番号1)は多数存在し、面積比は、5.4%であ
った。尚、表3の試料No1,2,3,4,5,6,
7,8は、表2の試料No1,2,3,4,6,7,
8,10に対応している。
した結果を表4に示す。この表4に示すように、CuO
に置換する量が12mol%以下であれば、コアロスの
最小値が30kW/m3以下のNi系フェライト焼結体
を得る事ができている。
して、平均結晶粒径及び平均結晶粒径の2倍を超える結
晶粒子の数の割合の変化によるコアロスの関係を検討し
た。この結果を表5に示す。この表5に示すように、平
均結晶粒径が、3〜30μmであって、その平均結晶粒
径の2倍を超える結晶粒子の数が結晶粒子全体の10%
以下であれば、コアロスの最小値が30kW/m3以下
のNi系フェライト焼結体を得る事ができている。
ロスの最小値を得る温度との関係を検討した。この結果
を表6と図2に示す。Cuを含まない成分のものと、C
uを含む成分のもので多少の差異はあるものの、ZnO
の含有量によって、コアロスの最小値を得る温度がほぼ
決まる。これにより、ZnOの含有量が28〜36mo
l%で、コアロスの最小値を得る温度が140〜20℃
の範囲で制御できる。
温度特性を表7と図1に示す。尚、図1のグラフのA材
が、表7の試料No1であり、同じくB材が試料No
2、C材が試料No3である。A材は、高温で低損失な
材料であり、B材は、80℃付近を最低値とし、20〜
100℃でコアロスが30kW/m3以下となってい
る。また、C材は、100℃付近が最低値となってい
る。本発明の実施例が広い温度範囲で低損失となってい
る事がわかる。この本発明の実施例は、電源用コアとし
て十分使用可能な特性を有している。尚、本発明の実施
例では、焼成密度が理論密度の95%以上(約5.1×
103kg/m3以上)であることが、実用上望まし
い。また本発明の実施例では、特にPの含有量を記載し
ていないものは、Pの含有量は50ppm以下を満足し
ており、実質的には、Pの含有量は7ppm以下となっ
ている。
いて、コアロスが30kW/m3以下という非常に低損
失なフェライト焼結体を得る事が出来、しかもNi系フ
ェライトの特有の比抵抗の高いフェライト焼結体が得ら
れ、スイッチング電源等のトランス用として有用であ
り、トランスの小型化及び製造コストの低減に大いに役
立つものである。
すグラフである。
スの最小値を得る温度との関係を示すグラフである。
マップ像の画像処理した模式図である。
マップ像の画像処理した模式図である。
Claims (4)
- 【請求項1】 Fe2O3 48.0mol%〜50.
0mol%、ZnO 28.0mol%〜36.0mo
l%、NiO 14.0mol%〜24.0mol%
(NiOの内12mol%以下をCuOで置換してもよ
い)を主成分とし、焼結体中のP含有量が50ppm以
下で、平均結晶粒径が3〜30μmであり、20℃〜1
40℃の間に損失(コアロス)の最小値を有し、当該損
失(コアロス)の最小値が30KW/m3以下(50K
Hz、50mT)であることを特徴とする低損失Ni系
フェライト焼結体。 - 【請求項2】 前記平均結晶粒径の2倍を超える結晶粒
子の数が全体の10%以下であることを特徴とする請求
項1に記載の低損失Ni系フェライト焼結体。 - 【請求項3】 焼結体の比抵抗が1×105Ω・m以上
であることを特徴とする請求項1又は2に記載の低損失
Ni系フェライト焼結体。 - 【請求項4】 請求項1乃至3のいずれかに記載の低損
失Ni系フェライト焼結体を用いたことを特徴とする磁
心。
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JP7249794 | 1994-03-16 | ||
JP07997795A JP3259942B2 (ja) | 1994-03-16 | 1995-03-10 | 低損失Ni系フェライト焼結体及び磁心 |
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JP2000158047A Division JP2001015322A (ja) | 1994-03-16 | 2000-05-29 | 低損失Ni系フェライト焼結体およびこれを用いた磁心 |
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JPH07307212A JPH07307212A (ja) | 1995-11-21 |
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6407173B1 (en) | 1999-03-25 | 2002-06-18 | Kaneka Corporation | Impact modifier resin for vinyl chloride resins improved in powder characteristics |
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JP5423962B2 (ja) * | 2009-11-02 | 2014-02-19 | Tdk株式会社 | フェライト組成物、フェライトコアおよび電子部品 |
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-
1995
- 1995-03-10 JP JP07997795A patent/JP3259942B2/ja not_active Expired - Lifetime
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