JPH10503710A - Uvランプ反応器アセンブリの改良型ランプ冷却器 - Google Patents

Uvランプ反応器アセンブリの改良型ランプ冷却器

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Abstract

(57)【要約】 本発明は、放射線でたとえば水、空気または溶剤などの流体の媒質を処理する紫外線(UV)ランプを有する、反応器の改良型冷却システムに関する。特に、この反応器システムは、通常は300℃を上回る高温で作動するUV発光ランプを使用することによって、流体中の汚染物質を処理するようになっている。

Description

【発明の詳細な説明】 UVランプ反応器アセンブリの改良型ランプ冷却器発明の分野 本発明は、放射線でたとえば水、空気または溶剤などの流体の媒質を処理する 紫外線(UV)ランプを有する、反応器の改良型冷却システムに関する。特に、 反応器システムは、通常は300℃を上回る高温で作動するUV発光ランプを使 用することによって、流体中の汚染物質を処理するようになっている。発明の背景 紫外線放射は、化学反応を促進したり、化学反応を起こさせたり、有機及び非 有機分子を減成させたり、生物系に突然変異を誘発したり、抗ウィルス剤や殺菌 剤等として作用するなど、産業社会において重要な主力製品である。通常、紫外 線の放射源は、放電によって励起されるとUV線を放射する様々なタイプの気体 を有する放電ランプから放出される。そのランプは、一般に低または中/高輝度 ランプと分類される。これは、ランプ内の気体が低圧または高圧の状態で作動す る。通常、ランプは、放出されるUV線を透過するクォーツ材料でできている。 ランプは、約30℃から最高1100℃の範囲の低温または高温で作動する。そ のランプの電源入力は、40ワット未満から60,000ワットを上回るUV線 の範囲である。ランプは、UVスペクトルの全範囲ではなく、UVスペクトルの 特定の部分を削除したり、高めたりするように特別注文することもできる。 UVランプのこのような多様性を生み出す力となるのは、上記の産業用途がそ れぞれ、異なるUV強度、異なる放射波長、使用圧力、温度及び電力要件を有す るランプを必要とすることである。 通常、反応器システム、特に水性媒質を含む反応器システムに使用するような ランプは、UVが透過する様々な保護シースを有し、UV線で処理される物質と ランプが接触しないよう、その中にランプが配置される。この技術は、UVラン プのクォーツ及びランプ電極への電気接続部を保護する。これは、反応器を分解 せずにランプを交換するのにも容易である。このタイプの水処理システムの2つ の例が、米国特許第3,462,597号および第3,562,520号で開示されている。水処理 装置の円筒形の外壁と装置の内部シースとの間に環状室が規定され、内部シース は、流体処理装置内で環状室を通過する流体からUV線発光ランプを保護する。 いずれのシステムも、ランプが装置の中心に配置され、保護シースに封入される ので、ランプ端が封入されるよう設計されている。シースは、クォーツまたは他 のUV透過性材料である。これらの構成では、特殊なシース・クリーニング機構 について述べている。これらのシステムの欠点については、出願人の米国特許第 5,133,945号および第5,266,280号で詳細に検討している。 これら2件の先行する米国特許のシステムは、飲料水を処理する抗ウィルス剤 および殺菌剤としての使用に適している。水に照射する標準的な技術に従って、 低温ランプを使用する。ランプは完全に封入されている。両方の米国特許で実証 されているように、ランプ端はシース内に完全に封入され、密封されている。こ れによって、ランプと保護シースとの間に規定された環状空間にある空気を、U V線で酸化しない不活性気体と交換することができる。その結果、UV処理シス テムに使用する構成部品にとって非常に有害と考えられるオゾンの形成が防止さ れる。完全に封入したランプは、40ないし150℃の範囲の比較的低温で作動 するランプを使用するシステムに使用することができる。 流体内で所望の化学反応を起こす、またはこれを促進するために流体にUV線 を照射するもう一つの一般的な方法は、UV線に対して透明な壁を有する反応容 器の周囲に、複数のUVランプを配置することである。これによって、ランプか らの放射が容器の壁を通過し、反応容器内の流体に吸収されて、所望の反応を起 こす、あるいはそれを促進する。通常、反応容器を囲んだ状態のランプは、封入 されている。封入容器は、反応路から逸れた方向に向かうランプからの放射線を 反射し、このような放射線を反応器の方向へ戻すよう、UV反射性の表面を有す るものであってもよい。封入容器内に幾つかのランプを設けることにより、封入 されたランプの過熱が問題となることがある。このタイプの反応器の一例が、米 国特許第4,002,918号で検討されている。 米国特許第4,897,246号およびその分割出願の米国特許第4,952,376号で、様々 な形態の水及び廃水の汚染を除去するUV処理システムが開示されている。廃水 は、反応器システムの一方端で導入され、バッフルを使用することにより、水は 反応室内でランプ上をジグザグのパターンに方向づけられる。反応室は長方形で 、液体が反応室内を絶えず流れている。システムに使用するランプは、前述した 米国特許第3,462,597号および第3,562,520号の水処理システムで使用したランプ より、はるかに強力である。標準的な技術により、UV線発光ランプは、適切な 保護シースによって処理された流体から隔離される。また、標準的な方法により 、ランプと保護シースとの間に密封された環状空間を規定するよう、ランプの端 部が密封される。この配置構成で、使用されるランプの好ましい形態は、より高 圧の水銀ランプで、これは中圧ランプとも呼ばれる。これらのランプは、文献で は中圧ランプとも高圧ランプとも呼ばれている。これらのランプの作動特性には 、大きな違いがある。本明細書で中圧ランプと呼ぶランプは、圧力が1ないし1 0atmで、電球の温度が300℃を上回り、入力密度が電球長1cm当たり4 0ないし100ワットの水銀ランプである。これらのランプは低圧UVランプよ りかなりの高温で作動する。中圧ランプは通常300℃よりも高い温度で作動す る。高温で中圧のランプを使用する1つの利点は、流体の温度変化にそれほど影 響されないことである。これに対して、低温で低圧のUVランプの場合は、水温 が有意に変化すると、低圧ランプの使用温度に有意の影響を及ぼすことがあり、 したがって全体的な性能に影響する。 したがって、米国特許第4,952,376号で検討されているように、この点では、 中圧の水銀ランプなどの、より高輝度のランプが好ましい。しかし、反応器の保 護シースに封入されたランプという点で、ランプの出力が増大するにつれ、ラン プの過熱と、場合によっては劣化という問題に遭遇することがある。保護シース 上を流れる流体によって提供されるようなランプの冷却以外では、電気的端子を 含む温度に敏感なランプ端部は適切に冷却されず、時々、過熱がランプの故障を もたらすことがある。したがって、高温で中圧のランプに伴うこのような過熱の 問題が、UV処理システムの使用を抑制してきた。その結果、米国特許第4,952, 376号のシステムで使用するランプは、中圧ランプの温度範囲の下端で作動し、 したがって温度範囲の上端で作動するランプと比較して、出力が小さい。 市販されている多くのシステムは、ランプごとのUV出力が通常は40ないし 140ワットの範囲の低い入力を有する低温、低圧水銀ランプを使用して機能す る。この入力は通常、ランプのアーク長1cmあたり約0.4〜0.8ワット、 使用温度100℃未満に等しい。飲料水中の微生物を殺す低輝度ランプの工業使 用については、米国特許第4,179,616号で述べられている。作動出力が37ワッ トの範囲で作動温度が60℃よりはるかに低い従来通りのG−37−T6UVラ ンプが使用されている。主としてコビエロ(Coviello)らのシステムを使用する と、非常に少ない流量でシステムを通過する空気により、オゾンの最適量が生成 される。次に、生成されたオゾンは、処理タンクに搬送され、飲料水をさらに殺 菌する。コビエロ(Coviello)らは、図3および図5について記載されているよ うなランプ端上に空気を通過させることを考えている。加圧状態で空気を導入し 、ランプ端の上のみで高速で循環させる。コビエロ(Coviello)の図4のシステ ムは、ランプ上に低流速で空気を通過させてオゾンの生成を最適化し、明らかに ランプ端部で空間が比較的制約されるので、ランプ端部の上では比較的高い流速 が達成され、冷却が実行される。このようなランプ端部冷却方法は、通常は10 0℃未満の比較的低温で作動する低圧ランプには適しているかもしれないが、こ のような冷却システムは、300℃を上回る温度で作動する中圧及び高圧ランプ には、まったく不十分である。 汚染した流体の処理には、上記のシステムに、これ以外にも幾つか短所や欠点 がある。低圧ランプは、200nmと300nmとの間のUV出力率に当たる良 好な効率(30%)を有し、これは流体の汚染除去には重要なUV領域である。 しかし、低圧ランプには大きい短所がある。というのは、非常に入力電力が小さ い(通常は40〜120ワット)ので、流量が大きい流体の処理には、非常に多 数のランプが必要だからである。多くのランプと反応室を作成し、保守しなけれ ばならないので、これは実用的ではない。従来通りの中圧ランプは効率が低く、 20%未満なので、この場合も多くのランプが必要で、電気消費量が大きい。し たがって、高電力、高効率で作動するランプが求められている。現在、高電力入 力で30%前後の効率のランプが市販されている。これらのランプは、標準的な 中圧ランプよりアークの単位長当たりの入力が大きい(100ワット/cm未満 に対して100〜300ワット/cm)。ランプは、600℃〜1000℃の範 囲の電球温度になり、高温にもなる。これらの要因の結果、スリーブのクォーツ 表面ではるかに多くの熱が発生し、ランプや周囲の構成材料の冷却問題をもたら す。 出願人の前述した米国特許第5,133,945号および第5,266,280号では、通常60 0℃を上回る温度で作動する高圧ランプのための冷却システムが記載されている 。個々の冷却ファンが反応器システムの各端に設けられ、各ランプ端のセラミッ ク取付け部に冷却空気が送られている。各冷却ファンは、冷却空気をセラミック 取付け部に送るダクトを有し、これによってランプ端部内に密封された電極が、 ランプのクォーツの高温により劣化しないことを保証する。ランプの下部に送ら れた空気は、保護シースとクォーツ・ランプ表面との間の環状空間に入ることが できる。このような循環空気は、反応器の頂部で排出され、さらにシステムの冷 却を向上させることができる。このシステムは高圧ランプの冷却には適している が、ランプの作動が常に一定とは限らず、したがって出願人の米国特許第5,372, 781号で述べた冷却システムによって向上することが判明している。 本発明は、ランプの冷却を改善するばかりでなく、ランプの作動を改善し、そ れと同時に反応器内でランプを支持する材料を囲む保護を提供し続けるランプ冷 却のための排気システムを提供する。発明の要旨 本発明の一態様によると、反応器アセンブリの高温UVランプのための改良型 冷却システムが提供される。したがって、UVを照射することによって流体内の 汚染物質の破壊を促進することによりそれを破壊する反応器アセンブリにおいて 、反応器アセンブリが、 i)一方端に前記反応器に流体を導入する入口、別の端に前記反応器から処理 流体を除去する出口を有する反応器カラム、 ii)300℃を上回る温度で作動し、前記反応器カラム内に配置されるUV 線放射ランプ、 iii)前記ランプ用のUV線に対して透明な円筒形の保護シース、前記シー スは前記ランプと同心円状で、前記ランプを前記反応器の内部から隔離し、前記 反応器カラムは、処理流体が前記反応器入口から前記反応器出口へと流れる反応 器空間を規定する壁を有し、これによって前記シース上の流体の流れが、ランプ の加熱による前記シースを冷却し、 iv)前記反応器カラム壁を通って突き出す前記シースの各端及び、前記シー スの各端を前記反応器壁に密封し、それによって各シースの各端が前記反応器の 外側に開く手段、前記密封手段が前記反応器の空間内に流体を保持し、 v)前記ランプが第1端子部分と第2端子部分とを有し、前記ランプは、前記 端子部分を前記シースの対応する開口端より先に延ばすだけの十分な長さであり 、 vi)各前記端子を前記反応器壁の対応する部分で支持する手段、前記支持手 段はそれぞれ、シース内部との空気の連絡を提供する方法で、前記開口端のシー スを横断するランプ係合部分を有し、 vii)冷却空気を前記第1および第2端子部分のそれぞれに送り前記端子部 分を冷却し、それによって過熱による前記ランプ端子部分の劣化を防止する手段 、前記シースが前記ランプの外径より大きい内径を有し、冷却空気を前記第1端 子に送る前記手段が、前記シースの対応する第2端における空気圧力値より大き い空気圧力値を、前記シースの対応する第1端に生成するようになっていて、こ れにより、前記シース第1及び第2端が前記反応器壁の外側に向かって開放する ことによって、前記シースを通り前記ランプ上を通る冷却空気の一定流量が確保 され、前記ランプが最適作動温度で作動できるよう冷却空気の前記流量が制御さ れ、及び viii)改良点が、冷却空気を向ける前記手段の排気システムを含み、前記 排気システムが、冷却空気を前記第1端子部上、前記シース中及び前記ランプ上 を通って前記第2端子部に吸い込み、冷却空気を前記第2端子部上に吸い込むよ うになっている排気ファンおよびダクトを備え、前記排気ファンが、前記シース 及び前記第2端子部から集めた冷却空気を排気し、前記ダクトが、前記第2端子 部上に吸い込まれる補助的な冷却空気に空気入口を提供することである反応器ア センブリ。 本発明のさらなる利点と特徴は、当業者には、添付図と組み合わせた下記の詳 細な説明により明白になる。図面の簡単な説明 本発明の好ましい実施形態を図面に示す。 図1は、ランプ冷却のための改良型排気システムを有するUV反応器システム の頂部透視図である。 図2は、図1の反応器の側面断面図である。 図3は、1つの反応器カラムに複数のランプを設け、これを垂直または水平方 向に向けることができる反応器システムの代替実施形態の概略透視図である。 図4は、図3の反応器の壁または図2の反応器端内にあるランプ・シースの密 封を示す詳細な断面図である。好ましい実施形態の詳細な説明 本発明の反応器アセンブリ・ランプ冷却は、特に中圧及び高圧UVランプに使用 するようになっている。好ましい実施形態に関する以下の検討で明白なように、 非常に高温で作動する高輝度UVランプを使用しながら流体の処理を提供するた め、反応器アセンブリには特別な措置が施されている。UVランプ産業では、ラ ンプは低圧、中圧および高圧ランプという3つの範疇に分類されることが一般に 理解されている。圧力とは、作動中にランプ内に蓄積する蒸気圧を指す。圧力が 蓄積するのは、通常はランプ内の水銀の蒸発によるものである。通常、励起ガス はランプに含まれ、アーク放電を開始し、アーク放電によって水銀が蒸発温度ま で加熱され、ランプ内に蒸気を発生し、これが励起サイクル中に所望の強度及び 波長のUV線を放射する。低圧ランプは、約0.01ワット/cm2のランプ・ ワット数で、100℃未満の温度で作動する。文献(L.R.Kohlerの「紫外線照射 」[John Wiley & Sons Inc.New York 1965]およびJ.F.Waymouthの「放電ランプ 」[The MIT Press,Cambridge 1978]およびR.Phillipsの「紫外線照射の発生源 および応用」[Academic Press,Toronto 1983])で定義されているように、中圧 ランプはランプ・ワット数が0.1ないし1.0ワット/cm2前後で、通常は 300ないし400℃前後の温度で作動する。既に検討したように、本発明の実 施形態は、普通は300℃を上回り、通常は700℃ないし1000℃、あるい は1100℃という高温でも作動する中圧から高圧ランプを使用することを目指 す。このような高い作動温度では、作動中の幾つかの側面が問題となり、それは 前述し た本出願人の米国特許第5,372,781号で述べた冷却システムで解決され、現在さ らに改良中である。 図面で示したシステムに使用する好ましいランプは、出願人によって販売され ている。このようなUVランプは高輝度、高圧の水銀圧ランプで、UV線出力の 約30%が300nm以下である。この反応器内で実行される水の汚染除去プロ セスの大部分が、米国特許第4,956,098号、第5,043,079号および第5,043,080号 で述べたような、出願人が占有権を有するプロセスによるものである。300n m以下の出力が大きいほど、化学的な汚染除去処理は効果的になる。 反応器アセンブリの幾つかの構造的、機能的詳細、内部バッフルおよびランプ ・クリーニング・システムについて、前述した出願人の米国特許第5,133,945号 、第5,266,280号、第5,372,781号で述べており、その主題を参照によって本明細 書に組み込む。これらの先行特許および特許出願で与えられた詳細な説明に基づ き、図面の反応器システムの作動は、当業者には容易に明白になるはずである。 しかし、このような理解を促進し、本発明による改良型冷却システムの作動を理 解するために、反応器の特定の態様について、簡単に説明する。 本発明の改良型ランプ冷却システムは、2つの供給源から空気を吸い込み、U Vランプの先端の冷却を確保し、さらにランプ本体をその長さに沿って適切に冷 却する。ランプは、反応器内でいずれの方向にも配置することができ、反応器自 体も、水平と垂直との間の所望の方向で配置することができる。ランプの方向に 融通性があるため、幾つかの高圧ランプを備えた反応器カラムを設けることが可 能である。たとえば、大流量の水を処理するため、複数のランプを収容する1つ の反応器を使用することができる。このようなランプの列は、1個のランプ・シ ステムを有する反応器で処理できるより大量の水を処理する反応器システムの作 動パラメーターを、さらに向上させる。2つの供給源から吸い込むランプ冷却空 気の排気システムによって、ランプに沿って適正量の冷却空気が確保され、それ と同時に両ランプ先端に十分な冷却空気を提供する。少なくとも一方の空気供給 源に入る冷却空気をモニターして、ランプ冷却システムの正しい連続作動を確保 することができる。さらに、排気システムをランプの一方端に配置することによ り、反応器カラムの制約された空間に幾つかのランプを配置して、所望のUVラ ンプ列を形成することが、非常に容易になる。 図1を参照すると、反応器アセンブリ10は、好ましくは円筒形の反応器カラ ム12から成る。しかし、反応器は空間の要件などを最適化するために、他の様 々な形状でもよいことが分かる。好ましい円筒形の反応器は、カラムの側壁14 および端板18の端壁部16および端板22の壁部20で構成された反応器の壁 を有する。反応器カラムは、一方端に流体を反応器に導入する入口24、他方端 に処理流体を反応器から取り出す出口26を有する。中高UV線放射ランプ28 が、反応器カラム内に設けられる。UVに対して透明な円筒形の保護シース30 が、ランプに設けられる。シースはランプと同心円で、全体として32と番号づ けられた環状空間である反応器内部からランプを隔離する。反応器カラム壁は、 部分14、16および20で構成されて、反応器の環状空間32を規定し、入口 24を介して導入された流体は、反応器の一方端から他方端へ流れるにつれ、こ れを通って処理される。シース上のこのような流体の流れは、高温ランプによる 流体を冷却する。全体として34および36と番号づけられたシースの端部が、 それぞれカラム壁部20および16を通って突き出す。シース端34および36 をコラム壁部に密封するために適切な手段が設けられ、その詳細について、図4 を参照しながら説明することにする。このような密封装置が所定の位置にあるの で、シースの各端が、図2でさらに明瞭に分かるように、反応器の外側に向かっ て開く。 UVランプは、第1端子部38および第2端子部40を有し、ランプの長さは 、端子部が保護シース30の対応する開放端35および36より先まで延びるの に十分である。ブラケット42および44は、図2について述べるように、反応 器壁の対応する部分で各端子を支持する手段として働く。各支持ブラケットは、 シース内部と空気が連絡するような方法で、開放端のシースを横切るランプ係合 部分を有する。 ランプ・クリーニング・システム46はブラシ装置48を備え、これは往復ピ ストン50によってシース30に沿って往復運動し、環状反応室32を通過する 流体による汚れのために、シースの所望のクリーニングを実行する。 冷却空気は、全体として52と番号づけられた冷却装置によって、ランプの第 1および第2端子部38および40のそれぞれに送られる。装置52は、下端子 部38を通って矢印54の方向に空気を引き寄せる。空気はランプ28上をシー スの上方向に通過し、端子部40を通って外に向かう。シースは、ランプの外径 より大きい内径を有するので、冷却空気は環状空間56を通過することができ、 ここで冷却空気は、第1端子端38での空気圧力値を第2端子端40の空気圧力 値より大きくすることにより、このような空間を移動するのが容易になる。この 空気圧力差の結果、シースの第1及び第2端が反応器壁の外側に向かって開放し ているため、冷却空気の一定流量がシース及びランプ上で確保される。冷却空気 の一定流量は、ランプを最適使用温度で使用できるよう制御される。 冷却空気装置に関する改良点は、排気ファン58および補足的なダクト60を 備えた排気システム52を設けたことである。排気ファン58は、領域62に吸 気口を有する。吸気口を通って引き込まれた排気は、矢印66の方向に出口64 を介して排出される。排気ファン58を通る流量は、端子40の領域の圧力を端 子38の領域より低くするのに十分な量である。このように、所望の圧力差が設 定され、これによって空気は、端子38上を矢印54の方向に流れ、シースとラ ンプとの間の環状空間56を通る。ダクト60は、補助の冷却空気を、第2端子 部40上を矢印70の方向に引き込む開口部68も含む。バッフル72の下の空 気入口73は、バッフルで遮断されたダクトの断面空間によって規定される。空 気入口73は、環状空間56を通る冷却空気の適切な流量を確保し、ランプ温度 を最適にして、反応器空間32を流れる流体へのUV線入力を最適にするよう設 計されている。バッフル72は、補助的な冷却空気の入口73に所望の断面積を 規定するよう、固定してもよい。あるいは、バッフル72は、矢印76の方向に 上向きに揺れるよう、ロッド74を中心に回転してもよい。このようなバッフル 72の回転は、電力サージ、周囲温度の変化などによる排気ファンの速度の変動 に対応する。センサ76をロッド74の外側に接続し、ロッド74の回転を感知 してもよい。センサ76は、ワイヤー80によって信号発生器78に電気的に接 続される。装置78によって発生した信号は、ワイヤーまたはその他の方法で監 視システムに伝達され、これはバッフル72の傾斜または回転の程度によって、 排気ファン58の効率を監視することができる。さらに、装置78は、矢印70 の方向の空気の移動が非常に少ないか、または移動がないためにバッフル72が 十分回転しないか、まったく回転しないほどファン58の作動効率が下がった場 合に、その動作不良を指示することができる。バッフル72が固定され、回転で きない場合、ファンの動作も、図示されていない適切な信号発生器に接続された 空気流量センサ82によって検出し、信号をモニタに送信して、ランプ端40上 のダクトを通る空気の流れの有無を決定することができる。 代替反応器システム84を図3に示し、ここではランプ86の列が反応器カラ ム88内に設けられている。反応器カラム88は入口90および出口92を有し 、その結果、処理される流体は、カラムの側壁94およびカラムの端部96およ び98という反応器の壁の内部に規定された反応器空間を通って流れる。各ラン プはコンパクトで、全体として100、102、104および106と番号づけ られたランプ冷却システムがそれに対応しているので、ランプ冷却装置が互いに 干渉することなく、ランプを相対的に近づけて配置するのに容易である。ランプ は、反応器カラム88内で、図3に示す交差状態で配置することができ、あるい はランプの冷却システムによってランプを任意の方向に向けることができるとい う観点から、反応器カラム88内で様々な他の構成で配置することができる。 各ランプ・ユニット102、104および106は、図1について述べたのと 同じ構成要素、つまりランプ、保護ランプ・シース及びランプ端子端部の取付け 装置を備える。取付け装置の一部を図3に示し、108および110で特定する 。シース・クリーニング装置を往復させる対応の油圧シリンダーを、112、1 14、116および118とする。ランプ冷却排気システムは、全体として12 0、122、124および126とする。排気システムは、図1について述べた のと同じ構造であり、ランプ先端およびランプ本体上に冷却空気の適切な流れを 確保するよう、同じ方法で作動する。ランプ毎に独立して作動し、ランプの一方 端だけに配置される排気システムにより、ランプで、上述した任意の方向のコン パクトな列が達成できる。しかし、各冷却システムのダクトで、図1について検 討し、72で識別されたようなバッフルは、回転する場合は装置120、122 、124および126の個々のダクト内の水平軸を中心に吊り下げねばならない ことを銘記されたい。図3の実施形態では、ランプは水平に配置されており、し たがっ て各バッフル72の回転の中心となるロッド74も、水平方向にダクト内を延び ることが分かる。 図1および3の反応器構成の端壁または側壁の部分である反応器壁にシースを 密封する方法の詳細を、図4に示す。保護シース30は、端部34が反応器壁1 2を通って延び、これは既に述べたように、図3の反応器84の側壁88または 図1の反応器10の端壁16または20でよい。反応器壁には穴128が設けら れ、その内径はシース30の外径より大きい。これによって、システムの作動中 にシースを配置し、拡張することができる。反応器壁12に対してシース端34 を密封するため、端部34の外周にOリング・シール130が設けられる。端部 34の外周に、反応器壁12に突き合わせてOリング・シール130を圧縮する ため、ボルト134でクランプ・リング132を反応器壁に留める。次に、Oリ ング130を、対向する収束面136と138との間で圧縮し、Oリング境界面 140および142で密封を確保する。Oリング130は、ビィトン(VITO NTM)という商標で販売されているような温度、UV線およびオゾンに対して抵 抗力のある材料であることが好ましい。特に抵抗力のない材料で作成した場合、 Oリングの長い寿命を確保するため、セラミック製カラー144をシース30の 端34内に配置する。セラミック製カラーは、UV線を遮断し、さらにOリング を高温ランプ28から隔離する。ランプ28については、これは普通のクォーツ ・ランプ本体146を有し、これは端子端38のために148で締め付けて閉じ ている。電極150がランプ端内に設けられ、金属リボン152の形状のリンク がこれに接続される。リンク152は、セラミック製ランプ端156を通過する ワイヤー154によって、適切な電源に接続される。金属リンク152は、温度 が約350℃を上回ると劣化する。したがって、ランプ端の温度が350℃を超 えないよう、ランプ冷却システムが、十分にランプを冷却することを保証するこ とが望ましい。 保護シース30内に収容されたランプ本体とランプ端とを冷却するには、幾つ かのことを考慮しなければならない。ランプ端の冷却では、シース30内に収容 された状態のランプ本体を過剰に冷却しないことが重要である。ランプ本体を過 剰に冷却すると、ランプの性能が低下し、ランプが消えることもある。ランプが 消えるのは、通常は、放電によって形成された蒸気が即座に凝縮するので、ラン プが始動段階に至らない程度にランプ本体が冷却されるか、作動中に水銀蒸気が ランプ内で凝縮するほどランプ本体が冷却された場合に生じる。反応器本体の温 度に敏感な部分を、ランプの高温作動に影響されないよう設計し、反応器アセン ブリのUV線に当たる部分が、適当な材料であるかUVで劣化しないようにする ことも重要である。 設計時に考慮すべきもう一つの要素は、ランプ作動中に使用者をUV線の照射 から保護することである。このため、操作員がランプから放出されるUV線を直 接見ることができないよう、反応器の上下部分を封入することが必要である。言 うまでもなく、操作員に問題を生じ得るのは直接被爆のみであるよう、反応器は UV線を反射しない材料でよいことが分かる。反応器の各端は、支持基体に封入 するか、遮蔽することができる。支持基体は、油圧シリンダの保守およびランプ 交換を容易にするためのドアというアクセス手段を有することができる。支持基 体へのドアが開放されると、ランプが消えてUV線の被爆と感電とを防止するよ うな、適切な連動装置が設けられる。 同様に、反応器の端18は、排気システム52の出口ダクト60に接続された 適当な封入装置によって封入しなければならない。ダクト60は、操作員がラン プ28から放出される放射線を直接見ることを防止している。 改良型ランプ冷却システムの操作について、図2に関連して詳細に説明する。 反応器10は、垂直または水平に配置するか、その間の任意の角度に向けること ができる。反応器の側壁14に、入口24および26を設ける。反応器の空間3 2は、端板の壁部16および20によって、反応器の端で密封される。環状空間 32が、保護シース30の外周と壁14、16および20の内側との間で規定さ れる。反応器の空間32を通って流れる流体は、シースの外面を汚しやすい。本 出願人の米国特許第5,133,945号および第5,266,280号に関連して述べたように、 クリーニング・システム48のキャリッジ162に、ブラシ・システム160が 接続される。クリーニング・システムは、シースの外面を清浄に保ち、それによ ってランプ28から発生するUV線の効果を、反応器の空間32を通って流れる 流体が完全に受けるような方法で機能する。 図2および4に関連して述べたように、シース端34および36は、反応器の 外側に向かって開放している。これによって、冷却空気はランプ28とシース3 0との間の環状空間56を、自由に流れることができる。環状空間を通る冷却空 気のこのような流れを、矢印164で示す。モータ166で駆動されるファン5 8は、ダクト60の一方端62に吸気口168を有する。ファン58は、矢印6 6の方向に出口64から十分な流量の空気を放出し、シースの端34と36との 間のランプの長さにわたって、前述したように十分な圧力低下を生じさせる。フ ァンによって端36に生じた低圧は、外部の空気が矢印64の方向に入ることに より、空気をシースの開放端へ、さらに環状通路56へと吸い込む。ランプ端の ブラケット42は、シースの開放端に入る空気の流れを妨げないようU字形で、 その結果、空気は環状通路56に沿って自由に移動することができる。ダクト6 0は、補助的な空気入口68を含み、それを通る流れは、バッフル72によって 制御される。矢印70の方向に入る空気は、バッフル72の下を流れ、ランプの 端子70の上を流れる。端子38は、矢印54の方向に流れて環状空間に入る空 気によって冷却される。ランプ本体は、環状空間に沿って流れるこのような空気 によって冷却され、次に端子40が、主に、バッフル72の下を流れて端子44 を横断する補助的な空気によって冷却される。開放端36を通って環状空間56 から出る空気も、ランプ端子の冷却を実行する。ブラケット44は、バッフル7 2からの空気の流れが、端子40の真上を流れるような方向に向けられる。 ファン58の空気入口は、シースとランプとの間の環状空間から空気を吸い込 むばかりでなく、開口部68および補助的な吸気口73からも吸い込む。ファン が補助的な吸気口から空気を吸い込む量は、バッフル72の配置によって制御さ れる。バッフルの固定位置を72Aに示し、ダクトの基部上のその間隔を170 で示す。バッフルの下端172の配置は、試行錯誤によって決定することができ 、間隔170が大きすぎるとランプの冷却が脅かされ、間隔170が小さすぎる とランプを冷却し過ぎることが理解される。たとえば、環状空間が領域56で約 4.25平方インチの断面積を有し、ファンの流量が245CFMで、バッフル 72の領域でダクト60が7”×5”の断面積を有し、バッフルのサイズが7” ×2”の場合、間隔170は2”ないし3”の範囲である。これによって、ファ ン5 8に吸い込まれる空気の30%ないし70%が提供される。補助的な空気が、フ ァン58から排出される空気全体の30%を構成すると、排出される空気の70 %を補助的な空気が構成する場合に対して、環状空間56を通る流量がはるかに 多くなる。このような範囲には、ランプの作動温度、処理される流体の温度、お よびシステムを作動する周囲温度および圧力を考慮に入れる。 バッフル72は、図1について述べたような方法で回転できることも分かる。 矢印76の方向のこのような回転動作には、様々な周囲の条件を考慮に入れる。 モータ166の回転数を上げ、そして空気の排出量が非常に多くなるような電力 サージがあることもある。このような状態で、バッフル72Aが固定されている と、シースの開放端34を介して環状空間56に吸い込まれる空気が非常に多く なる。その結果、ランプが過冷却され、機能が低下することがある。しかし、図 2で示すように、バッフル72が矢印76の方向に回転できると、電力サージと モータ166の回転数増加とを、可動バッフルによって吸収することができる。 バッフルが矢印76の方向に上向きに揺れるにつれ、空間170が増大して、流 入する補助的な空気を多くして、環状空間56の圧力差をある程度小さくするこ とができる。このような動きは、過剰な冷却によってランプの効率に影響を及ぼ し得る環状空間56を通る空気の流れが過剰に増加するのを、ある程度抑制する 。同様に、ファンの出力損失または物理的損傷によってファンの効率が低下した 場合は、ファンを通る流量が減少する。これによって、バッフル72が矢印76 とは反対の方向に回転して空間170が減少し、その結果、システムに吸い込ま れる補助的な空気の流量が減少するので、環状空間56を通って吸い込まれる空 気は所望の流量であり続け、ランプの過熱が防止される。しかし、バッフル72 のいずれの方向の回転も、既に述べたように、周囲圧力、温度または空気の流れ に影響するようなその他の変動要素の変化によっても生じる。 本発明による改良型ランプ冷却システムは、流体中の汚染物質を破壊するUV 放射システムを、大幅に機能強化する。ランプは、あらゆる範囲の反応器の位置 に対応し、所望の反応器構成内のランプの配置にも対応するよう、所望のいずれ の方向にも配置することができる。これで、反応器は様々な形態をとって、物理 的な工場の特性や反応器のプラグ流れの設計に対応し、最小の反応器スペースで 最大の反応量を得ることができる。ランプとシースとの間の環状空間を通って補 助的な空気を引き込むことにより、ランプ端及びランプ本体の過冷却が防止され る。周囲の変動要素も、ダクト内のバッフルのデザインによって容易に対応する ことができる。ランプ本体の適当な冷却を確保することによって、ランプ本体の 長さに沿って高温点の生成を防止し、ランプ性能が最適化される。ランプ構成の 一方端にファン冷却システムを設けることにより、反応器システムの保守やクォ ーツ・ランプの交換が容易になる。排気ファンの位置は、補助的な吸気口の反対 側で、保護シースの開放端より先に延びるランプの第2端子部分上に冷却空気が 直接流れることを保証する。 本発明の好ましい実施形態は、本明細書で詳しく述べているが、当業者には、 本発明の精神または特許請求の範囲から逸脱することなく変形が可能であること が理解される。
【手続補正書】 【提出日】1997年8月27日 【補正内容】 請求の範囲 1.UVを照射することによって流体内の汚染物質の破壊を促進することにより それを破壊する反応器アセンブリにおいて、該反応器アセンブリが、 i) 一方端に該反応器に流体を導入する入口、及び別の端に該反応器から処 理流体を除去する出口を有する反応器カラム、 ii) 300℃を上回る温度で作動し、及び該反応器カラム内に配置されるU V線放射ランプ、 iii) UV線に対して透過性な該ランプの円筒形の保護シース、該シースは該 ランプと同心円状で、該ランプを該反応器の内部から隔離し、該反応器ラムは 、処理流体が該反応器入口から該反応器出口へと流れる反応器空間を規定する壁 を有し、これによって該シース上の流体の流れが、ランプの加熱による該シース を冷却し、 iv) 該反応器壁を通って突き出す該シースの各端及び、該シースの各端を該 反応器壁に密封し、それによって各シースの各端が該反応器の外側に開く手段、 該密封手段が該反応器の空間内に処理流体を保持し、 v) 第1端子部分及び第2端子部分を有する該ランプ、該ランプは、該端子 部分を該シースの対応する開放端より先に延ばすだけの十分な長さであり、 vi) 各該端子を該反応器壁の対応する部分で支持する手段、該支持手段はそ れぞれ、シース内部との空気の連絡を提供する方法で、該開放端のシースを横断 するランプ係合部分を有し、 vii) 冷却空気を該第1および第2端子部分のそれぞれに送り該端予部分を冷 却し、それによって過剰の加熱により該ランプ端子部分の劣化を防止する手段、 該シースが該ランプの外径より大きい内径を有し、冷却空気を該第1端子に送る 該手段が、該シースの対応する第2端における空気圧力値より大きい空気圧力値 を、該シースの対応する第1端に生成するようになっていて、これにより、該シ ース第1及び第2端が該反応器壁の外側に向かって開放することによって、該シ ースを通り該ランプ上を通る冷却空気の一定の流量が確保され、該ランプが最適 作動温度で作動できるよう冷 却空気の該一定の流量が制御され、及び viii)改良点が、冷却空気を送る該手段の排気システムを含み、該排気システ ムが、冷却空気を該第1端子部上、該シース中及び該ランプ上を通って該第2端 子部に吸い込み、冷却空気を該第2端子部上に吸い込むようになっている排気フ ァンおよびダクトを備え、該排気ファンが、該シース及び該第2端子部から集め た冷却空気を排気し、該ダクトが、該第2端子部上に吸い込まれる補助的な冷却 空気に空気入口を提供する、反応器アセンブリ。 2.該ダクトが、該空気入口の断面積を決定するバッフルからなる、請求項1に 記載の反応器アセンブリ。 3.該バッフルが、該ダクトに回転可能な状態で取り付けられ、該空気入口を通 って流れる空気が増加するにつれて該バッフルが回転し、これによって該排気フ ァンが空気を吸い込む量に対して該空気入口の断面積を拡大する、請求項2に記 載の反応器アセンブリ。 4.バッフルの回転程度を検出するセンサが、排気ファンが空気を吸い込む量を 監視する、請求項3記載の反応器アセンブリ。 5.該排気ファンが、該第2端子部から横方向にずれて、該第2端子部から横方 向にずれた該空気入口に対向する吸気口を有し、それによって補助的な冷却空気 が該第2端子部上を流れる、請求項1、2、3または4のいずれかに記載の反応 器アセンブリ。 6.該反応器カラムが円筒形で、該保護シースと一致し、このような流体が、該 入口と該出口との間で該シースに沿って流れる、請求項1、2、3、4または5 のいずれかに記載の反応器アセンブリ。 7.複数の該保護シースが、該反応器カラムを横切って延び、該カラムに沿って 間隔があき、別個の排気システムが各該シースの該第2端に設けられている、請 求項1、2、3、4、5または6のいずれかに記載の反応器アセンブリ。 8.該反応器カラムの各端に端部キャップが設けられて、該反応器壁の一部を構 成し、該シースが個々の端部キャップを通って延び、該密封手段が該 シースを該端部キャップの該壁部に密封する、請求項6に記載の反応器アセンブ リ。 9.該ダクトが細長いハウジングであり、該空気入口が該ハウジングの一方側に あって、該ファンの空気入口が該ハウジングの他方側にあり、該ハウジングが該 第2端子部を遮蔽する、請求項5に記載の反応器アセンブリ。 10.該ランプ及びシースが、垂直または水平のいずれかに取り付けられた、請求 項1ないし9のいずれか1項に記載の反応器アセンブリ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FR,GB,GR,IE,IT,LU,M C,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF,CG ,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN, TD,TG),AP(KE,LS,MW,SD,SZ,U G),AL,AM,AT,AU,BB,BG,BR,B Y,CA,CH,CN,CZ,DE,DK,EE,ES ,FI,GB,GE,HU,IS,JP,KE,KG, KP,KR,KZ,LK,LR,LT,LU,LV,M D,MG,MK,MN,MW,MX,NO,NZ,PL ,PT,RO,RU,SD,SE,SG,SI,SK, TJ,TM,TT,UA,UG,UZ,VN

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.UVを照射することによって流体内の汚染物質の破壊を促進することにより それを破壊する反応器アセンブリにおいて、該反応器アセンブリが、 i) 一方端に該反応器に流体を導入する入口、及び別の端に該反応器から処 理流体を除去する出口を有する反応器カラム、 ii) 300℃を上回る温度で作動し、及び該反応器カラム内に配置されるU V線放射ランプ、 iii) UV線に対して透過性な該ランプの円筒形の保護シース、該シースは該 ランプと同心円状で、該ランプを該反応器の内部から隔離し、該反応器コラムは 、処理流体が該反応器入口から該反応器出口へと流れる反応器空間を規定する壁 を有し、これによって該シース上の流体の流れが、ランプの加熱による該シース を冷却し、 iv) 該反応器壁を通って突き出す該シースの各端及び、該シースの各端を該 反応器壁に密封し、それによって各シースの各端が該反応器の外側に開く手段、 該密封手段が該反応器の空間内に処理流体を保持し、 v) 第1端子部分及び第2端子部分を有する該ランプ、該ランプは、該端子 部分を該シースの対応する開放端より先に延ばすだけの十分な長さであり、 vi) 各該端子を該反応器壁の対応する部分で支持する手段、該支持手段はそ れぞれ、シース内部との空気の連絡を提供する方法で、該開放端のシースを横断 するランプ係合部分を有し、 vii) 冷却空気を該第1および第2端子部分のそれぞれに送り該端子部分を冷 却し、それによって過熱により該ランプ端子部分の劣化を防止する手段、該シー スが該ランプの外径より大きい内径を有し、冷却空気を該第1端子に送る該手段 が、該シースの対応する第2端における空気圧力値より大きい空気圧力値を、該 シースの対応する第1端に生成するようになっていて、これにより、該シース第 1及び第2端が該反応器壁の外側に向かって開放することによって、該シースを 通り該ランプ上を通る冷却空気の一定の流量が確保され、該ランプが最適作動温 度で作動できるよう冷却空気 の該一定の流量が制御され、及び viii)改良点が、冷却空気を送る該手段の排気システムを含み、該排気システ ムが、冷却空気を該第1端子部上、該シース中及び該ランプ上を通って該第2端 子部に吸い込み、冷却空気を該第2端子部上に吸い込むようになっている排気フ ァンおよびダクトを備え、該排気ファンが、該シース及び該第2端子部から集め た冷却空気を排気し、該ダクトが、該第2端子部上に吸い込まれる補助的な冷却 空気に空気入口を提供する、反応器アセンブリ。 2.該ダクトが、該空気入口の断面積を決定するバッフルからなる、請求項1に 記載の反応器アセンブリ。 3.該バッフルが、該ダクトに回転可能な状態で取り付けられ、該空気入口を通 って流れる空気が増加するにつれて該バッフルが回転し、これによって該排気フ ァンが空気を吸い込む量に対して該空気入口の断面積を拡大する、請求項2に記 載の反応器アセンブリ。 4.バッフルの回転程度を検出するセンサが、排気ファンが空気を吸い込む量を 監視する、請求項3記載の反応器アセンブリ。 5.該排気ファンが、該第2端子部から横方向にずれて、該第2端子部から横方 向にずれた該空気入口に対向する吸気口を有し、それによって補助的な冷却空気 が該第2端子部上を流れる、請求項1、2、3または4のいずれかに記載の反応 器アセンブリ。 6.該反応器カラムが円筒形で、該保護シースと一致し、このような流体が、該 入口と該出口との間で該シースに沿って流れる、請求項1、2、3、4または5 のいずれかに記載の反応器アセンブリ。 7.複数の該保護シースが、該反応器カラムを横切って延び、該カラムに沿って 間隔があき、別個の排気システムが各該シースの該第2端に設けられている、請 求項1、2、3、4、5または6のいずれかに記載の反応器アセンブリ。 8.該反応器カラムの各端に端部キャップが設けられて、該反応器壁の一部を構 成し、該シースが個々の端部キャップを通って延び、該密封手段が該 シースを該端部キャップの該壁部に密封する、請求項6に記載の反応器アセンブ リ。 9.該ダクトが細長いハウジングであり、該空気入口が該ハウジングの一方側に あって、該ファンの空気入口が該ハウジングの他方側にあり、該ハウジングが該 第2端子部を遮蔽する、請求項5に記載の反応器アセンブリ。 10.該ランプ及びシースが、垂直または水平のいずれかに取り付けられた、請求 項1ないし9のいずれか1項に記載の反応器アセンブリ。
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