JPH1047972A - マイクロメカニカル回転速度センサ - Google Patents
マイクロメカニカル回転速度センサInfo
- Publication number
- JPH1047972A JPH1047972A JP9113266A JP11326697A JPH1047972A JP H1047972 A JPH1047972 A JP H1047972A JP 9113266 A JP9113266 A JP 9113266A JP 11326697 A JP11326697 A JP 11326697A JP H1047972 A JPH1047972 A JP H1047972A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ring
- speed sensor
- substrate
- rotational speed
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 16
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims description 8
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 claims description 4
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 20
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 239000011796 hollow space material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 239000004922 lacquer Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01C—MEASURING DISTANCES, LEVELS OR BEARINGS; SURVEYING; NAVIGATION; GYROSCOPIC INSTRUMENTS; PHOTOGRAMMETRY OR VIDEOGRAMMETRY
- G01C19/00—Gyroscopes; Turn-sensitive devices using vibrating masses; Turn-sensitive devices without moving masses; Measuring angular rate using gyroscopic effects
- G01C19/56—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces
- G01C19/567—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode
- G01C19/5677—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially two-dimensional vibrators, e.g. ring-shaped vibrators
- G01C19/5684—Turn-sensitive devices using vibrating masses, e.g. vibratory angular rate sensors based on Coriolis forces using the phase shift of a vibration node or antinode of essentially two-dimensional vibrators, e.g. ring-shaped vibrators the devices involving a micromechanical structure
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Radar, Positioning & Navigation (AREA)
- Remote Sensing (AREA)
- Gyroscopes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 振動の節に検出エレメント２０が配設されて
おり、これによって、回転によって惹き起こされた、振
動の節のずれが検出可能である、励振手段１０によって
振動の腹および振動の節を有する振動に励振可能である
リング３を備えたマイクロメカニカル回転速度センサを
低価格で製造することができるように改良する。 【解決手段】 リング、励振手段、検出エレメントが表
面マイクロメカニカル素子としてサブストレート上に実
現されている。
おり、これによって、回転によって惹き起こされた、振
動の節のずれが検出可能である、励振手段１０によって
振動の腹および振動の節を有する振動に励振可能である
リング３を備えたマイクロメカニカル回転速度センサを
低価格で製造することができるように改良する。 【解決手段】 リング、励振手段、検出エレメントが表
面マイクロメカニカル素子としてサブストレート上に実
現されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、請求項１の上位概
念に記載のマイクロメカニカル回転速度センサから出発
している。
念に記載のマイクロメカニカル回転速度センサから出発
している。
【０００２】
【従来の技術】ヨーロッパ特許第４６１７６１号明細書
から既に、振動するように励振することができるリング
構造を有するマイクロメカニカル回転速度センサが公知
である。リングをその中心軸線を中心に回転することに
よって、振動の節がずらされる。振動の節には検出素子
が配設されており、この検出素子がこのずれを検出す
る。リング構造はプレート状のエレメントから構造化さ
れており、その際振動性の部分はばねエレメントを介し
てプレート構造の残りの部分に連結されている。その場
合プレート構造は、励振手段または振動の節のずれの検
出手段を実現するために、別のプレート間に配設するこ
とができる。
から既に、振動するように励振することができるリング
構造を有するマイクロメカニカル回転速度センサが公知
である。リングをその中心軸線を中心に回転することに
よって、振動の節がずらされる。振動の節には検出素子
が配設されており、この検出素子がこのずれを検出す
る。リング構造はプレート状のエレメントから構造化さ
れており、その際振動性の部分はばねエレメントを介し
てプレート構造の残りの部分に連結されている。その場
合プレート構造は、励振手段または振動の節のずれの検
出手段を実現するために、別のプレート間に配設するこ
とができる。
【０００３】
【発明が解決すべき課題】本発明の課題は、冒頭に述べ
た形式のマイクロメカニカル回転速度センサを、簡単
で、それ故に低価格で製造することができるように構成
することである。
た形式のマイクロメカニカル回転速度センサを、簡単
で、それ故に低価格で製造することができるように構成
することである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題は請求項１の特
徴部分に記載の構成を有するマイクロメカニカル回転速
度センサによって解決される。
徴部分に記載の構成を有するマイクロメカニカル回転速
度センサによって解決される。
【０００５】本発明のマイクロメカニカル回転速度セン
サは、リング、励振手段および検出素子が一緒に１つの
製造工程において製造することができるという利点を有
する。この同時の製造によって製造コストが低減され
る。更に、個々のエレメント間の相対的な寸法は同一の
製造過程によって決定されるので、比較的正確な公差が
個々に実現される。更に、本発明のセンサは大量の個数
で並列な製造工程において製作される。
サは、リング、励振手段および検出素子が一緒に１つの
製造工程において製造することができるという利点を有
する。この同時の製造によって製造コストが低減され
る。更に、個々のエレメント間の相対的な寸法は同一の
製造過程によって決定されるので、比較的正確な公差が
個々に実現される。更に、本発明のセンサは大量の個数
で並列な製造工程において製作される。
【０００６】
【発明の実施の形態】その他の請求項に記載の構成によ
って、請求項１に記載のマイクロメカニカル回転速度セ
ンサの有利な実施例御よび改良例が可能である。励振な
いし振動の節のずれは有利には、容量エレメントによっ
て行われる。このためにリングには可動の電極が設けら
れておりかつサブストレートに定置の電極が設けられ
る。定置の電極はそれぞれ支持ブロックによってサブス
トレートに連結される。絶縁層によって支持ブロックは
サブストレートに対して完全に誘電的に絶縁することが
できる。更に、このように使用される絶縁層は、リング
構造、振動ばねおよび可動の電極に対する支持層として
も使用することができる。単結晶のシリコン材料によっ
て、機械的な老化プロセスに曝されない回転速度センサ
が製造される。多結晶エレメントは特別簡単に製造され
る。
って、請求項１に記載のマイクロメカニカル回転速度セ
ンサの有利な実施例御よび改良例が可能である。励振な
いし振動の節のずれは有利には、容量エレメントによっ
て行われる。このためにリングには可動の電極が設けら
れておりかつサブストレートに定置の電極が設けられ
る。定置の電極はそれぞれ支持ブロックによってサブス
トレートに連結される。絶縁層によって支持ブロックは
サブストレートに対して完全に誘電的に絶縁することが
できる。更に、このように使用される絶縁層は、リング
構造、振動ばねおよび可動の電極に対する支持層として
も使用することができる。単結晶のシリコン材料によっ
て、機械的な老化プロセスに曝されない回転速度センサ
が製造される。多結晶エレメントは特別簡単に製造され
る。
【０００７】
【実施例】次に本発明を図示の実施例につき図面を用い
て詳細に説明する。
て詳細に説明する。
【０００８】図１には、第１の振動モードにおいて振動
する振動性のリングが図示されている。その際最初は円
形のリングは、２つの相対向する辺が離れる方向で変形
しかつ第１の辺に対して９０°ずれて配置されている相
対向する辺が互いに近付くように変形される。振動の第
２の半波相の変形は第１の半波相に相応するが、９０°
だけ回転された変形が生じる。図１には、２つの半波相
の最大の変形状態が図示されている。図から分かるよう
に、リング構造は４つの振動の腹１および４つの振動の
節２を有している。振動の腹においてそれぞれリング構
造の最大の振れが生じ、一方振動の節においてリング構
造は僅かしか振れない。この形式の振動するリング構造
が中心軸線を中心に回転されるとき、これにより惹起さ
れるコリオリの加速に基づいて付加的な力が生じ、この
力が振動の節の位置をずらす。それ故に、これらの個所
においても振れが生じ、この振れが回転に対する尺度で
ある。この効果が本発明の回転速度センサによって利用
される。
する振動性のリングが図示されている。その際最初は円
形のリングは、２つの相対向する辺が離れる方向で変形
しかつ第１の辺に対して９０°ずれて配置されている相
対向する辺が互いに近付くように変形される。振動の第
２の半波相の変形は第１の半波相に相応するが、９０°
だけ回転された変形が生じる。図１には、２つの半波相
の最大の変形状態が図示されている。図から分かるよう
に、リング構造は４つの振動の腹１および４つの振動の
節２を有している。振動の腹においてそれぞれリング構
造の最大の振れが生じ、一方振動の節においてリング構
造は僅かしか振れない。この形式の振動するリング構造
が中心軸線を中心に回転されるとき、これにより惹起さ
れるコリオリの加速に基づいて付加的な力が生じ、この
力が振動の節の位置をずらす。それ故に、これらの個所
においても振れが生じ、この振れが回転に対する尺度で
ある。この効果が本発明の回転速度センサによって利用
される。
【０００９】図２には、センサの実施例の平面図が示さ
れている。サブストレート４に、自由に移動するリング
３が実現されている。このリングは、振動ばね５によっ
て中央の支持ブロック６に懸架されている。中央の支持
ブロック６はサブストレート４に定置に固定されてお
り、これに対して振動ばね５およびリング３はサブスト
レート４に対して間隔を有しておりかつ自由に移動す
る。
れている。サブストレート４に、自由に移動するリング
３が実現されている。このリングは、振動ばね５によっ
て中央の支持ブロック６に懸架されている。中央の支持
ブロック６はサブストレート４に定置に固定されてお
り、これに対して振動ばね５およびリング３はサブスト
レート４に対して間隔を有しておりかつ自由に移動す
る。
【００１０】リングの周りに、それぞれ９０°づつずら
されて、４つの駆動部１０が配設されている。更に、４
つの検出エレメント２０が設けられている。これら検出
エレメントはそれぞれ、リング３の中心点から見て、相
互に９０°の角度を有している。中心点から出発して、
駆動部１０は検出エレメント２０に対してそれぞれ４５
°づつずらされて配設されている。図２にまた、２つの
直角な座標系ＸＹおよびＡＢが示されている。これら座
標系はそれぞれ、駆動部１０および検出エレメント２０
に対応付けることができる。リング３の中心点から見
て、駆動部は正および負のＸおよびＹ方向に存在しかつ
検出エレメントは正および負のＡおよびＢ方向に存在し
ている。それぞれの駆動部１０は定置の電極１１および
可動の電極１２を有している。定置の電極１１は支持ブ
ロック１３によってサブストレート４に固定されてい
る。可動の電極１２はリング３に固定されている。それ
ぞれの検出エレメント２０は定置の電極２１および可動
の電極２２を有している。定置の電極２１は支持ブロッ
ク２３においてサブストレート４に連結されている。可
動の電極２２はリング３に連結されている。駆動部１０
および検出エレメント２０の可動の電極２１，２２はそ
れぞれリング３と一緒に移動することができる。定置の
電極１１，２１は支持ブロック１３，２３によってそれ
ぞれ、サブストレートに定置に連結されており、従って
不動である。
されて、４つの駆動部１０が配設されている。更に、４
つの検出エレメント２０が設けられている。これら検出
エレメントはそれぞれ、リング３の中心点から見て、相
互に９０°の角度を有している。中心点から出発して、
駆動部１０は検出エレメント２０に対してそれぞれ４５
°づつずらされて配設されている。図２にまた、２つの
直角な座標系ＸＹおよびＡＢが示されている。これら座
標系はそれぞれ、駆動部１０および検出エレメント２０
に対応付けることができる。リング３の中心点から見
て、駆動部は正および負のＸおよびＹ方向に存在しかつ
検出エレメントは正および負のＡおよびＢ方向に存在し
ている。それぞれの駆動部１０は定置の電極１１および
可動の電極１２を有している。定置の電極１１は支持ブ
ロック１３によってサブストレート４に固定されてい
る。可動の電極１２はリング３に固定されている。それ
ぞれの検出エレメント２０は定置の電極２１および可動
の電極２２を有している。定置の電極２１は支持ブロッ
ク２３においてサブストレート４に連結されている。可
動の電極２２はリング３に連結されている。駆動部１０
および検出エレメント２０の可動の電極２１，２２はそ
れぞれリング３と一緒に移動することができる。定置の
電極１１，２１は支持ブロック１３，２３によってそれ
ぞれ、サブストレートに定置に連結されており、従って
不動である。
【００１１】図２の装置は、駆動部１０に電圧を印加す
ることによって振動される。このために常時、互いに相
対向している駆動部１０に交番的に電圧が印加される。
この電圧によって、可動の電極１２は定置の電極１１の
中に入り込む。その際常時、相対向する駆動部１０が同
時に制御される。即ち、例えばまず駆動部は正および負
のＹ方向に制御されかつ次の半波において駆動部は正お
よび負のＸ方向に制御される。この励振が第１図におい
て説明した第１の基本振動に対するリング３の固有振動
において行われるとき、リング３の第１の固有振動が励
振される。この振動では、検出エレメント２０の可動の
電極２２がそれぞれ振動の節においてリング３と連結さ
れているので、検出エレメント２０の可動の電極２２の
顕著な振れは生じない。しかしサブストレート４に対し
て垂直である軸線を中心としたセンサの回転が行われる
とき、リング３の振動の節はずらされかつ検出エレメン
ト２０の可動の電極２２は定置の電極２１に対して相対
的にずらされる。このずれは、可動の電極２２と定置の
電極２１との間の容量測定によって検出することができ
かつサブストレート４の回転に対する尺度である。
ることによって振動される。このために常時、互いに相
対向している駆動部１０に交番的に電圧が印加される。
この電圧によって、可動の電極１２は定置の電極１１の
中に入り込む。その際常時、相対向する駆動部１０が同
時に制御される。即ち、例えばまず駆動部は正および負
のＹ方向に制御されかつ次の半波において駆動部は正お
よび負のＸ方向に制御される。この励振が第１図におい
て説明した第１の基本振動に対するリング３の固有振動
において行われるとき、リング３の第１の固有振動が励
振される。この振動では、検出エレメント２０の可動の
電極２２がそれぞれ振動の節においてリング３と連結さ
れているので、検出エレメント２０の可動の電極２２の
顕著な振れは生じない。しかしサブストレート４に対し
て垂直である軸線を中心としたセンサの回転が行われる
とき、リング３の振動の節はずらされかつ検出エレメン
ト２０の可動の電極２２は定置の電極２１に対して相対
的にずらされる。このずれは、可動の電極２２と定置の
電極２１との間の容量測定によって検出することができ
かつサブストレート４の回転に対する尺度である。
【００１２】勿論、駆動部１０および検出エレメント２
０の任意の別の配設も考えられる。図３には、検出エレ
メント２０の別の実施例が示されている。ここでは定置
の電極２１、可動の電極２２および支持ブロック２３は
リング３の内側に配設されている。この配設によって、
センサに対する所要スペースを低減することができる。
駆動エレメント１０も同様にリング３の内側に配設する
ことができるかまたは振動条片５を例えばリング３の外
側に配設することができる。
０の任意の別の配設も考えられる。図３には、検出エレ
メント２０の別の実施例が示されている。ここでは定置
の電極２１、可動の電極２２および支持ブロック２３は
リング３の内側に配設されている。この配設によって、
センサに対する所要スペースを低減することができる。
駆動エレメント１０も同様にリング３の内側に配設する
ことができるかまたは振動条片５を例えばリング３の外
側に配設することができる。
【００１３】図４，図５および図６において、センサに
対する第１の製造方法について説明する。この方法は所
謂ＳＯＩ構造（Silicon on Insulator）から出発してい
る。この構造では、シリコンサブストレート３１に絶縁
層３２およびその上にシリコン層３３が被着されてい
る。シリコンサブストレート３１は通例、数百マイクロ
メータの厚さを有しており、絶縁層は数マイクロメータ
の厚さを有しておりかつシリコン層３３は数マイクロメ
ータないし数十マイクロメータの厚さを有している。典
型的な寸法はシリコンサブストレートに対して５００μ
ｍであり、絶縁層に対しては２μｍでありかつシリコン
層３３に対しては１５μｍである。この形式の構造は、
種々の方法で製造することができる。間に存在している
絶縁層を用いて２つのシリコンウエファを結合しかつシ
リコンウエファの一方を薄くすることによって、図４に
示されているような構造が実現される。この場合シリコ
ン層３３は単結晶のシリコンから成っている。この材料
は、曲げに基づいて負荷される機械的な構造の製造に特
別適している。というのは、単結晶の材料では曲げによ
って惹き起こされる、材料の老化過程は生じないからで
ある。図４の構造を製造する別の可能性は、シリコンウ
エファにまず絶縁層を析出しかつそれから絶縁層に多結
晶層を析出することである。その際多結晶層が通例はエ
ピタキシャル層に対して使用される装置において使用さ
れるとき、数十マイクロメータのオーダにある大きな層
厚も実現される。絶縁層３２は有利には、酸化シリコン
（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または２つ
の材料の化合物から成っている。絶縁層３２をシリコン
サブストレート３１の表面全体ではなくて、所定の領
域、殊に支持ブロック１３，２３，６をサブストレート
に連結すべきである領域においてサブストレート３１の
表面を絶縁層によって被覆しないようにすることも可能
である。しかしこの場合、サブストレート３１およびシ
リコン層３３の絶縁は例えば、異なった種類のドーピン
グ材によって保証されるべきである。
対する第１の製造方法について説明する。この方法は所
謂ＳＯＩ構造（Silicon on Insulator）から出発してい
る。この構造では、シリコンサブストレート３１に絶縁
層３２およびその上にシリコン層３３が被着されてい
る。シリコンサブストレート３１は通例、数百マイクロ
メータの厚さを有しており、絶縁層は数マイクロメータ
の厚さを有しておりかつシリコン層３３は数マイクロメ
ータないし数十マイクロメータの厚さを有している。典
型的な寸法はシリコンサブストレートに対して５００μ
ｍであり、絶縁層に対しては２μｍでありかつシリコン
層３３に対しては１５μｍである。この形式の構造は、
種々の方法で製造することができる。間に存在している
絶縁層を用いて２つのシリコンウエファを結合しかつシ
リコンウエファの一方を薄くすることによって、図４に
示されているような構造が実現される。この場合シリコ
ン層３３は単結晶のシリコンから成っている。この材料
は、曲げに基づいて負荷される機械的な構造の製造に特
別適している。というのは、単結晶の材料では曲げによ
って惹き起こされる、材料の老化過程は生じないからで
ある。図４の構造を製造する別の可能性は、シリコンウ
エファにまず絶縁層を析出しかつそれから絶縁層に多結
晶層を析出することである。その際多結晶層が通例はエ
ピタキシャル層に対して使用される装置において使用さ
れるとき、数十マイクロメータのオーダにある大きな層
厚も実現される。絶縁層３２は有利には、酸化シリコン
（ＳｉＯ２）、窒化シリコン（Ｓｉ３Ｎ４）または２つ
の材料の化合物から成っている。絶縁層３２をシリコン
サブストレート３１の表面全体ではなくて、所定の領
域、殊に支持ブロック１３，２３，６をサブストレート
に連結すべきである領域においてサブストレート３１の
表面を絶縁層によって被覆しないようにすることも可能
である。しかしこの場合、サブストレート３１およびシ
リコン層３３の絶縁は例えば、異なった種類のドーピン
グ材によって保証されるべきである。
【００１４】それから次のステップにおいて、金属化部
３４が被着されかつ構造化される。このことはとりわけ
重要である。というのは、そこでは、後でボンディング
ワイヤを接触接続すべきである支持ブロックが設けられ
るからである。その後、例えばホトラッカから形成する
ことができるエッチングマスク３５が被着される。この
エッチングマスク３５は、図２にて平面図で示されてい
るように、センサに対する構造部を含んでいる。
３４が被着されかつ構造化される。このことはとりわけ
重要である。というのは、そこでは、後でボンディング
ワイヤを接触接続すべきである支持ブロックが設けられ
るからである。その後、例えばホトラッカから形成する
ことができるエッチングマスク３５が被着される。この
エッチングマスク３５は、図２にて平面図で示されてい
るように、センサに対する構造部を含んでいる。
【００１５】それからエッチングによって、エッチング
マスク３５の構造が上側のシリコン層３３内にて腐食形
成される。その際このエッチングは、絶縁層３２が露出
するまでの間、実施される。それから後続するエッチン
グステップにおいて絶縁層３２がエッチングされる。こ
の状態は図６に示されている。図６において、リング
３、中央の支持ブロック６，定置の電極２１、可動の電
極２２および支持ブロック２３の横断面が例示されてい
る。しかし個々のエレメント間の間隔は簡単に図示する
理由から歪曲されて図示されている。図６の横断面から
分かるように、支持ブロック６および支持ブロック２３
は絶縁層３２を介してシリコンサブストレート３１に固
定連結されており、これに対してリング３および電極２
１，２２の下方にはもはや絶縁層３２は配設されていな
い。このことは、リング３および電極２１，２２の幾何
学的寸法が支持ブロック６，２３に比して比較的僅かで
あることによって実現される。絶縁層３２の等方性エッ
チングプロセスは所定の時間後中断され、その結果リン
グ３および電極２１，２２のような僅かなラテラル方向
の拡がりを有する構造部は完全にアンダエッチングされ
るが、一方大きなラテラル方向の拡がりを有する支持領
域６，２３はほんの僅かしかアンダエッチングされな
い。このようにして、加えてほんの僅かマスク面しか要
求しない簡単な製造プロセスによって、回転速度全体を
製造することができる。その際、センサのすべてのエレ
メントの相対間隔が唯一のマスキングステップによって
規定されることは特別有利である。このようにして特別
申し分なく再現可能な間隔を実現することができる。
マスク３５の構造が上側のシリコン層３３内にて腐食形
成される。その際このエッチングは、絶縁層３２が露出
するまでの間、実施される。それから後続するエッチン
グステップにおいて絶縁層３２がエッチングされる。こ
の状態は図６に示されている。図６において、リング
３、中央の支持ブロック６，定置の電極２１、可動の電
極２２および支持ブロック２３の横断面が例示されてい
る。しかし個々のエレメント間の間隔は簡単に図示する
理由から歪曲されて図示されている。図６の横断面から
分かるように、支持ブロック６および支持ブロック２３
は絶縁層３２を介してシリコンサブストレート３１に固
定連結されており、これに対してリング３および電極２
１，２２の下方にはもはや絶縁層３２は配設されていな
い。このことは、リング３および電極２１，２２の幾何
学的寸法が支持ブロック６，２３に比して比較的僅かで
あることによって実現される。絶縁層３２の等方性エッ
チングプロセスは所定の時間後中断され、その結果リン
グ３および電極２１，２２のような僅かなラテラル方向
の拡がりを有する構造部は完全にアンダエッチングされ
るが、一方大きなラテラル方向の拡がりを有する支持領
域６，２３はほんの僅かしかアンダエッチングされな
い。このようにして、加えてほんの僅かマスク面しか要
求しない簡単な製造プロセスによって、回転速度全体を
製造することができる。その際、センサのすべてのエレ
メントの相対間隔が唯一のマスキングステップによって
規定されることは特別有利である。このようにして特別
申し分なく再現可能な間隔を実現することができる。
【００１６】図７に基づいて、第２の製造方法を説明す
る。この方法は絶縁性のサブストレート１０１から出発
する。絶縁層の上には金属層１０２が被着される。その
後金属層１０２に構造化可能な層１０３が被着されかつ
構造化される。層１０３に被着される構造は図２に示さ
れているようなセンサの構造に相応している。センサエ
レメントが存在しているところではどこでも、構造化可
能な層は除去される。その際層１０３の構造化は、その
下に位置する金属層１０２が露出するまで行われる。そ
れから金属層１０２においてスタートする電気メッキ析
出プロセスによって、構造化可能な層１０３において形
成された中空空間に金属、例えばニッケルが充填され
る。この析出は、構造化可能な層１０３を越えて金属化
が成長する前に停止される。従ってこのようにして形成
された金属構造１０４は図２に図示のセンサのすべての
エレメントを形成するが、この工程においてなお構造化
可能な層１０３内に埋め込まれている。製造方法の中間
ステップを表すこの状態は図７に示されている。それか
ら第２のステップにおいて、構造化可能な層１０３が完
全に除去される。それから金属構造１０４を攻撃しない
が、その下に存在する金属層１０２を腐食するエッチン
グプロセスによって、図５および図６において説明した
のと同じ方法で、個々の金属構造１０４のアンダエッチ
ングを行うことができる。その際異なった大きさのラテ
ラル方向の寸法およびエッチングの適時の停止によっ
て、この場合も可動に実現されるべきセンサ構造しかア
ンダエッチングされないことが実現される。絶縁性のサ
ブストレート１０１に対して、セラミック材料の他に、
表面に絶縁層を有するシリコウエファを使用することも
できる。金属層１０２は、それは金属構造１０４の材料
に対して選択的にエッチング可能であるように選択され
るべきである。金属構造１０４に対してニッケルを使用
する場合、金属層１０２は例えば、銅から形成すること
ができる。択一的に、金属層１０２に代わって、薄い表
面の金属化部を有する合成樹脂層を使用することも可能
である。構造化可能な層１０３に対して例えば、ホトラ
ッカ、Ｘ線構造化可能なラッカまたはプラズマエッチン
グプロセスによって構造化することができる別の層を使
用することができる。
る。この方法は絶縁性のサブストレート１０１から出発
する。絶縁層の上には金属層１０２が被着される。その
後金属層１０２に構造化可能な層１０３が被着されかつ
構造化される。層１０３に被着される構造は図２に示さ
れているようなセンサの構造に相応している。センサエ
レメントが存在しているところではどこでも、構造化可
能な層は除去される。その際層１０３の構造化は、その
下に位置する金属層１０２が露出するまで行われる。そ
れから金属層１０２においてスタートする電気メッキ析
出プロセスによって、構造化可能な層１０３において形
成された中空空間に金属、例えばニッケルが充填され
る。この析出は、構造化可能な層１０３を越えて金属化
が成長する前に停止される。従ってこのようにして形成
された金属構造１０４は図２に図示のセンサのすべての
エレメントを形成するが、この工程においてなお構造化
可能な層１０３内に埋め込まれている。製造方法の中間
ステップを表すこの状態は図７に示されている。それか
ら第２のステップにおいて、構造化可能な層１０３が完
全に除去される。それから金属構造１０４を攻撃しない
が、その下に存在する金属層１０２を腐食するエッチン
グプロセスによって、図５および図６において説明した
のと同じ方法で、個々の金属構造１０４のアンダエッチ
ングを行うことができる。その際異なった大きさのラテ
ラル方向の寸法およびエッチングの適時の停止によっ
て、この場合も可動に実現されるべきセンサ構造しかア
ンダエッチングされないことが実現される。絶縁性のサ
ブストレート１０１に対して、セラミック材料の他に、
表面に絶縁層を有するシリコウエファを使用することも
できる。金属層１０２は、それは金属構造１０４の材料
に対して選択的にエッチング可能であるように選択され
るべきである。金属構造１０４に対してニッケルを使用
する場合、金属層１０２は例えば、銅から形成すること
ができる。択一的に、金属層１０２に代わって、薄い表
面の金属化部を有する合成樹脂層を使用することも可能
である。構造化可能な層１０３に対して例えば、ホトラ
ッカ、Ｘ線構造化可能なラッカまたはプラズマエッチン
グプロセスによって構造化することができる別の層を使
用することができる。
【図１】振動するリング構造の概略図である。
【図２】回転速度センサに対する第１の実施例の平面略
図である。
図である。
【図３】別の実施例の詳細を示す概略図である。
【図４】第１の製造方法を示す断面図である。
【図５】第１の製造方法を示す断面図である。
【図６】第１の製造方法を示す断面図である。
【図７】センサに対する第２の製造方法を示す断面図で
ある。
ある。
１ 振動の腹、 ２ 振動の節、 ３ リング、 ４
サブストレート、 ５振動ばね、 ６，１３，２３ 支
持ブロック、 １０ 駆動手段、 １１，２１ 定置の
電極、 ２１，２２ 可動の電極、 ２０ 検出エレメ
ント、 ３１，３３ シリコン層、 ３２ 絶縁層、
１０１ 絶縁性サブストレート、 １０２，１０４ 金
属層、 １０３ 構造化可能な層
サブストレート、 ５振動ばね、 ６，１３，２３ 支
持ブロック、 １０ 駆動手段、 １１，２１ 定置の
電極、 ２１，２２ 可動の電極、 ２０ 検出エレメ
ント、 ３１，３３ シリコン層、 ３２ 絶縁層、
１０１ 絶縁性サブストレート、 １０２，１０４ 金
属層、 １０３ 構造化可能な層
Claims (9)
- 【請求項１】 励振手段（１０）によって振動の腹およ
び振動の節を有する振動に励振可能であるリング（３）
を備えたマイクロメカニカル回転速度センサであって、
振動の節に検出エレメント（２０）が配設されており、
該検出エレメントによって、回転によって惹き起こされ
た、振動の節のずれが検出可能である形式のものにおい
て、前記リング（３）、前記励振手段（１０）および前
記検出エレメント（２０）が表面マイクロメカニカル素
子としてサブストレート上に実現されていることを特徴
とするマイクロメカニカル回転速度センサ。 - 【請求項２】 前記励振手段（１０）に対して、互いに
相対向して配設されている可動の電極（１２）および定
置の電極（１１）が設けられており、かつ前記可動の電
極（１２）は前記リング（３）に固定されておりかつ前
記定置の電極（１１）は前記サブストレート（４，３
１）に固定されており、かつ前記可動の電極（１２）お
よび定置の電極（１１）の間に、振動性の電圧が印加可
能である請求項１記載のマイクロメカニカル回転速度セ
ンサ。 - 【請求項３】 前記検出エレメント（２０）は、互いに
相対向して配設されている可動の電極（２２）および定
置の電極（２１）を有し、かつ前記可動の電極（２２）
は前記リング（３）に固定されておりかつ前記定置の電
極（２１）は前記サブストレート（４，３１）に固定さ
れており、かつ前記定置の電極（２１）および可動の電
極（２２）の間で、容量性の信号が測定可能である請求
項１または２記載のマイクロメカニカル回転速度セン
サ。 - 【請求項４】 前記定置の電極（１１，２１）は支持ブ
ロック（１３，２３）を介して前記サブストレート
（４，３１）に連結されている請求項１から３までのい
ずれか１項記載のマイクロメカニカル回転速度センサ。 - 【請求項５】 前記リング（３）は振動ばね（５）によ
って前記サブストレート（４，３１）に固定されている
支持ブロック（６）に懸架されている請求項１から４ま
でのいずれか１項記載のマイクロメカニカル回転速度セ
ンサ。 - 【請求項６】 前記サブストレート（４，３１）はシリ
コンから成っており、かつ前記支持ブロック（６，１
３，２３）は絶縁層（３２）によって前記サブストレー
ト（４，３１）に連結されている請求項４または５記載
のマイクロメカニカル回転速度センサ。 - 【請求項７】 前記リング（３），前記励振手段（１
０）および前記検出素子（２０）は単結晶のシリコンか
ら実現されている請求項１から６までのいずれか１項記
載のマイクロメカニカル回転速度センサ。 - 【請求項８】 前記リング（３），前記励振手段（１
０）および前記検出素子（２０）は多結晶のシリコンか
ら実現されている請求項１から７までのいずれか１項記
載のマイクロメカニカル回転速度センサ。 - 【請求項９】 前記サブストレート（１０１）は絶縁材
料から形成されており、かつ前記支持ブロック（６，１
３，２３）は前記サブストレート（１０１）に連結され
ており、かつ前記リング（３），前記励振手段（１０）
および前記検出素子（２０）は金属から実現されている
請求項１から８までのいずれか１項記載のマイクロメカ
ニカル回転速度センサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19617666.2 | 1996-05-03 | ||
| DE19617666A DE19617666B4 (de) | 1996-05-03 | 1996-05-03 | Mikromechanischer Drehratensensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1047972A true JPH1047972A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=7793152
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9113266A Pending JPH1047972A (ja) | 1996-05-03 | 1997-05-01 | マイクロメカニカル回転速度センサ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5889207A (ja) |
| JP (1) | JPH1047972A (ja) |
| DE (1) | DE19617666B4 (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000009474A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 角速度センサ |
| JP2001099855A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-04-13 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング型の回転角加速度センサ |
| JP2001133477A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-18 | Stmicroelectronics Srl | マイクロアクチュエータを有する半導体一体型慣性センサ |
| JP2001147236A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Stmicroelectronics Srl | 機械的応力に対して不感受性であるマイクロ電気機械構造体 |
| JP2001304867A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Denso Corp | 角速度センサ |
| JP2002533703A (ja) * | 1998-12-24 | 2002-10-08 | ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− | 振動構造ジャイロスコープの製造方法 |
| JP2005535889A (ja) * | 2002-08-12 | 2005-11-24 | ザ・ボーイング・カンパニー | 内部径方向検知およびアクチュエーションを備える分離型平面ジャイロスコープ |
| JP2009198206A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Canon Inc | 角速度センサ |
| JP2012088119A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Seiko Epson Corp | 物理量センサーおよび電子機器 |
| JP2015511023A (ja) * | 2012-03-22 | 2015-04-13 | アトランティック イナーシャル システムズ リミテッドＡｔｌａｎｔｉｃ Ｉｎｅｒｔｉａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 振動リング構造体 |
| JP2017506739A (ja) * | 2014-01-28 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 改良されたジャイロスコープ構造およびジャイロスコープ |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19523895A1 (de) * | 1995-06-30 | 1997-01-02 | Bosch Gmbh Robert | Beschleunigungssensor |
| JPH112526A (ja) * | 1997-06-13 | 1999-01-06 | Mitsubishi Electric Corp | 振動型角速度センサ |
| JP3999377B2 (ja) | 1997-11-04 | 2007-10-31 | 日本碍子株式会社 | 振動子、振動型ジャイロスコープ、直線加速度計および回転角速度の測定方法 |
| DE19850066B4 (de) * | 1998-10-30 | 2008-05-21 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Neigungssensor |
| US6198387B1 (en) | 1998-11-09 | 2001-03-06 | Delphi Technologies, Inc. | Restraint deployment control with central and frontal crash sensing |
| JP3796991B2 (ja) * | 1998-12-10 | 2006-07-12 | 株式会社デンソー | 角速度センサ |
| US6128954A (en) * | 1998-12-18 | 2000-10-10 | Delco Electronics Corporation | Spring for a resonance ring of an angular rate sensor |
| JP2000199714A (ja) * | 1999-01-06 | 2000-07-18 | Murata Mfg Co Ltd | 角速度センサ |
| US6481285B1 (en) * | 1999-04-21 | 2002-11-19 | Andrei M. Shkel | Micro-machined angle-measuring gyroscope |
| US6189381B1 (en) * | 1999-04-26 | 2001-02-20 | Sitek, Inc. | Angular rate sensor made from a structural wafer of single crystal silicon |
| US6305222B1 (en) * | 1999-05-27 | 2001-10-23 | Delphi Technologies, Inc. | Road vibration compensated angular rate sensor |
| US7514283B2 (en) * | 2003-03-20 | 2009-04-07 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating electromechanical device having a controlled atmosphere |
| US8912174B2 (en) * | 2003-04-16 | 2014-12-16 | Mylan Pharmaceuticals Inc. | Formulations and methods for treating rhinosinusitis |
| US7075160B2 (en) | 2003-06-04 | 2006-07-11 | Robert Bosch Gmbh | Microelectromechanical systems and devices having thin film encapsulated mechanical structures |
| US6936491B2 (en) | 2003-06-04 | 2005-08-30 | Robert Bosch Gmbh | Method of fabricating microelectromechanical systems and devices having trench isolated contacts |
| US6952041B2 (en) * | 2003-07-25 | 2005-10-04 | Robert Bosch Gmbh | Anchors for microelectromechanical systems having an SOI substrate, and method of fabricating same |
| US20050062362A1 (en) * | 2003-08-28 | 2005-03-24 | Hongyuan Yang | Oscillatory gyroscope |
| US7036372B2 (en) * | 2003-09-25 | 2006-05-02 | Kionix, Inc. | Z-axis angular rate sensor |
| US20050066728A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Kionix, Inc. | Z-axis angular rate micro electro-mechanical systems (MEMS) sensor |
| US7068125B2 (en) | 2004-03-04 | 2006-06-27 | Robert Bosch Gmbh | Temperature controlled MEMS resonator and method for controlling resonator frequency |
| US7102467B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Robert Bosch Gmbh | Method for adjusting the frequency of a MEMS resonator |
| TWI245902B (en) * | 2004-05-14 | 2005-12-21 | Chung Shan Inst Of Science | Microstructure angular velocity sensor device |
| US7100446B1 (en) * | 2004-07-20 | 2006-09-05 | The Regents Of The University Of California | Distributed-mass micromachined gyroscopes operated with drive-mode bandwidth enhancement |
| US7406867B2 (en) * | 2005-06-27 | 2008-08-05 | Milli Sensor Systems + Actuators | G2-Gyroscope: MEMS gyroscope with output oscillation about the normal to the plane |
| US8079259B2 (en) * | 2005-06-27 | 2011-12-20 | Milli Sensor Systems & Actuators | MEMS gyroscope with output oscillation about the normal to the plane |
| US7426860B2 (en) | 2005-08-08 | 2008-09-23 | Litton Systems Inc. | Ring resonator gyro with folded cylinder suspension |
| US20070170528A1 (en) * | 2006-01-20 | 2007-07-26 | Aaron Partridge | Wafer encapsulated microelectromechanical structure and method of manufacturing same |
| CN101360968B (zh) * | 2006-01-24 | 2013-06-05 | 松下电器产业株式会社 | 惯性力传感器 |
| EP1832841B1 (en) * | 2006-03-10 | 2015-12-30 | STMicroelectronics Srl | Microelectromechanical integrated sensor structure with rotary driving motion |
| US8042396B2 (en) | 2007-09-11 | 2011-10-25 | Stmicroelectronics S.R.L. | Microelectromechanical sensor with improved mechanical decoupling of sensing and driving modes |
| DE102007051591B4 (de) | 2007-10-12 | 2019-04-25 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanische Vorrichtung mit Antriebsrahmen |
| US20110088469A1 (en) * | 2007-11-08 | 2011-04-21 | Reinhard Neul | Rotation-rate sensor having two sensitive axes |
| US7908922B2 (en) * | 2008-01-24 | 2011-03-22 | Delphi Technologies, Inc. | Silicon integrated angular rate sensor |
| DE102008041757B4 (de) * | 2008-09-02 | 2019-01-03 | Robert Bosch Gmbh | Herstellungsverfahren für eine Rotationssensorvorrichtung und Rotationssensorvorrichtung |
| DE102009027897B4 (de) * | 2009-07-21 | 2023-07-20 | Robert Bosch Gmbh | Mikromechanischer Drehratensensor |
| EP2544370B1 (en) * | 2011-07-06 | 2020-01-01 | Nxp B.V. | MEMS resonator |
| GB201514114D0 (en) | 2015-08-11 | 2015-09-23 | Atlantic Inertial Systems Ltd | Angular velocity sensors |
| US10192850B1 (en) | 2016-09-19 | 2019-01-29 | Sitime Corporation | Bonding process with inhibited oxide formation |
| JP2023074208A (ja) * | 2021-11-17 | 2023-05-29 | 株式会社東芝 | センサ及び電子装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0461761A1 (en) * | 1990-05-18 | 1991-12-18 | British Aerospace Public Limited Company | Inertial sensors |
| JPH06112548A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Canon Inc | プローブユニットの製造方法 |
| JPH06241810A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-09-02 | General Motors Corp <Gm> | 振動式ジャイロスコープの制御回路 |
| EP0623807A1 (en) * | 1993-05-04 | 1994-11-09 | General Motors Corporation | Microstructure for vibratory gyroscope |
| JPH0791958A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Canon Inc | 角速度センサ |
| JPH07218268A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Charles Stark Draper Lab Inc:The | 慣性レートセンサー |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5616864A (en) * | 1995-02-22 | 1997-04-01 | Delco Electronics Corp. | Method and apparatus for compensation of micromachined sensors |
| US5635640A (en) * | 1995-06-06 | 1997-06-03 | Analog Devices, Inc. | Micromachined device with rotationally vibrated masses |
-
1996
- 1996-05-03 DE DE19617666A patent/DE19617666B4/de not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-04-15 US US08/839,660 patent/US5889207A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-05-01 JP JP9113266A patent/JPH1047972A/ja active Pending
Patent Citations (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0461761A1 (en) * | 1990-05-18 | 1991-12-18 | British Aerospace Public Limited Company | Inertial sensors |
| US5226321A (en) * | 1990-05-18 | 1993-07-13 | British Aerospace Public Limited Company | Vibrating planar gyro |
| JPH0642971A (ja) * | 1990-05-18 | 1994-02-18 | British Aerospace Plc <Baf> | センサー |
| JPH06112548A (ja) * | 1992-09-24 | 1994-04-22 | Canon Inc | プローブユニットの製造方法 |
| JPH06241810A (ja) * | 1993-02-01 | 1994-09-02 | General Motors Corp <Gm> | 振動式ジャイロスコープの制御回路 |
| EP0623807A1 (en) * | 1993-05-04 | 1994-11-09 | General Motors Corporation | Microstructure for vibratory gyroscope |
| JPH0712575A (ja) * | 1993-05-04 | 1995-01-17 | General Motors Corp <Gm> | 振動ジャイロスコープのためのミクロ構造体 |
| US5450751A (en) * | 1993-05-04 | 1995-09-19 | General Motors Corporation | Microstructure for vibratory gyroscope |
| JPH0791958A (ja) * | 1993-09-27 | 1995-04-07 | Canon Inc | 角速度センサ |
| JPH07218268A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-18 | Charles Stark Draper Lab Inc:The | 慣性レートセンサー |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000009474A (ja) * | 1998-06-24 | 2000-01-14 | Aisin Seiki Co Ltd | 角速度センサ |
| JP2002533703A (ja) * | 1998-12-24 | 2002-10-08 | ビ−エイイ− システムズ パブリック リミテッド カンパニ− | 振動構造ジャイロスコープの製造方法 |
| JP2001099855A (ja) * | 1999-08-12 | 2001-04-13 | Robert Bosch Gmbh | マイクロマシニング型の回転角加速度センサ |
| JP2001133477A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-18 | Stmicroelectronics Srl | マイクロアクチュエータを有する半導体一体型慣性センサ |
| JP2001147236A (ja) * | 1999-09-10 | 2001-05-29 | Stmicroelectronics Srl | 機械的応力に対して不感受性であるマイクロ電気機械構造体 |
| JP2001304867A (ja) * | 2000-04-19 | 2001-10-31 | Denso Corp | 角速度センサ |
| JP2005535889A (ja) * | 2002-08-12 | 2005-11-24 | ザ・ボーイング・カンパニー | 内部径方向検知およびアクチュエーションを備える分離型平面ジャイロスコープ |
| JP4698221B2 (ja) * | 2002-08-12 | 2011-06-08 | ザ・ボーイング・カンパニー | 内部径方向検知およびアクチュエーションを備える分離型平面ジャイロスコープ |
| JP2009198206A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Canon Inc | 角速度センサ |
| JP2012088119A (ja) * | 2010-10-18 | 2012-05-10 | Seiko Epson Corp | 物理量センサーおよび電子機器 |
| JP2015511023A (ja) * | 2012-03-22 | 2015-04-13 | アトランティック イナーシャル システムズ リミテッドＡｔｌａｎｔｉｃ Ｉｎｅｒｔｉａｌ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ｌｉｍｉｔｅｄ | 振動リング構造体 |
| US9671422B2 (en) | 2012-03-22 | 2017-06-06 | Atlantic Inertial Systems Limited | Vibratory ring structure |
| JP2017506739A (ja) * | 2014-01-28 | 2017-03-09 | 株式会社村田製作所 | 改良されたジャイロスコープ構造およびジャイロスコープ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19617666A1 (de) | 1997-11-06 |
| US5889207A (en) | 1999-03-30 |
| DE19617666B4 (de) | 2006-04-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH1047972A (ja) | マイクロメカニカル回転速度センサ | |
| KR100492105B1 (ko) | 수평 가진 수직형 ｍｅｍｓ 자이로스코프 및 그 제작 방법 | |
| US6277666B1 (en) | Precisely defined microelectromechanical structures and associated fabrication methods | |
| KR0171009B1 (ko) | 원판 진동형 마이크로 자이로스코프 및 그의 제조방법 | |
| US5721377A (en) | Angular velocity sensor with built-in limit stops | |
| JP4607153B2 (ja) | 微小電気機械システム素子の製造方法 | |
| US5555765A (en) | Gimballed vibrating wheel gyroscope | |
| JPH0832090A (ja) | 慣性力センサおよびその製造方法 | |
| JPH08248058A (ja) | 加速センサ及び加速センサの製造方法 | |
| US6242276B1 (en) | Method for fabricating micro inertia sensor | |
| JP4362877B2 (ja) | 角速度センサ | |
| JPH06123632A (ja) | 力学量センサ | |
| JPH10270714A (ja) | 半導体慣性センサの製造方法 | |
| JP2001133479A (ja) | 慣性力センサおよびその製造方法 | |
| JPH10163505A (ja) | 半導体慣性センサ及びその製造方法 | |
| JP2010145315A (ja) | 振動ジャイロスコープ | |
| JPH10270719A (ja) | 半導体慣性センサ及びその製造方法 | |
| JP2004004119A (ja) | 半導体力学量センサ | |
| KR100416763B1 (ko) | 수직변위 측정 및 구동 구조체와 그 제조방법 | |
| JPH1038578A (ja) | 角速度センサ | |
| CN218841706U (zh) | 自对准多晶硅单晶硅混合mems垂直梳齿电极 | |
| JPH10178181A (ja) | 半導体慣性センサの製造方法 | |
| JPH09325032A (ja) | 角速度センサ | |
| KR100506071B1 (ko) | 수직 가진형 2축 마이크로자이로스코프 및 그 제조방법 | |
| JPH10267659A (ja) | 角速度センサ及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040430 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070105 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20070326 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20070329 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070521 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080827 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081127 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20081202 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20081225 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090106 |
|
| A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090126 |
|
| A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090129 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090224 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20091218 |