JPH1036140A - シリカガラス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法 - Google Patents
シリカガラス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法Info
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- JPH1036140A JPH1036140A JP20879896A JP20879896A JPH1036140A JP H1036140 A JPH1036140 A JP H1036140A JP 20879896 A JP20879896 A JP 20879896A JP 20879896 A JP20879896 A JP 20879896A JP H1036140 A JPH1036140 A JP H1036140A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
- C03C15/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by etching
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- Glass Melting And Manufacturing (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】低コストで、しかも組成比が安定しているシリ
カガラス表面処理液を提供すること。 【解決手段】シリカガラス治具の表面処理液がフッ化水
素、フッ化アンモニウム及び水を含有する主液と９８％
以上の酢酸からなる補助液を混合する等による成分割合
がフッ化水素とフッ化アンモニウムの合計含有量が１０
重量％以上２５重量％未満、そのモル比がフッ化水素：
フッ化アンモニウム＝０．５：１ないし２：１、酢酸の
含有量が４０重量％ないし７５重量％であるシリカガラ
ス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法。
カガラス表面処理液を提供すること。 【解決手段】シリカガラス治具の表面処理液がフッ化水
素、フッ化アンモニウム及び水を含有する主液と９８％
以上の酢酸からなる補助液を混合する等による成分割合
がフッ化水素とフッ化アンモニウムの合計含有量が１０
重量％以上２５重量％未満、そのモル比がフッ化水素：
フッ化アンモニウム＝０．５：１ないし２：１、酢酸の
含有量が４０重量％ないし７５重量％であるシリカガラ
ス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリカガラス治具表面
処理液及びそれを用いた処理方法、さらに詳しくは半導
体素子製造用シリカガラス治具の表面を粗面化する処理
液とそれを用いた処理方法に関する。
処理液及びそれを用いた処理方法、さらに詳しくは半導
体素子製造用シリカガラス治具の表面を粗面化する処理
液とそれを用いた処理方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、シリコンのような半導体ウェーハ
を処理する工程で、ウェーハボートや炉芯管等の治具が
使用されるが、該治具には例えばＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ
Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によるポリシリコン膜の形成の
ように炉芯管内表面にポリシリコンが堆積し、それが半
導体ウェーハの熱処理時に剥離して該ウェーハを汚染し
たり、或はボートとウェーハを癒着させる等の不都合が
あり、その解決のため炉芯管内表面を粗面にしたり（実
開昭６１ー８８２３３号公報）、或はボート表面のウェ
ーハ接触部分を粗面（特開平１ー１７００１９号公報参
照）とすることが行われている。前記粗面化にはサンド
ブラスト法が多く用いられるが、該方法では機械的に表
面を破壊するため、治具の処理面の下にマイクロクラッ
クを持った層が形成され、そのマイクロクラック中にシ
リコンウエーハを汚染する物質が取り込まれたり、或は
前記マイクロクラックが破壊開始クラックとなり製品の
強度を低下させる等の欠点がある。前記欠点を解決する
ため本発明者等は、特開平７ー２６７６７９号公報で酢
酸の含有量を１０％以上、水の含有量を５０％以下、フ
ッ化水素とフッ化アンモニウムの合計量を２５％以上、
フッ化アンモニウム１モルに対してフッ化水素を０．２
〜１５モルとするシリカガラス治具用表面処理液を提案
した。
を処理する工程で、ウェーハボートや炉芯管等の治具が
使用されるが、該治具には例えばＬＰＣＶＤ（Ｌｏｗ
Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄ
ｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法によるポリシリコン膜の形成の
ように炉芯管内表面にポリシリコンが堆積し、それが半
導体ウェーハの熱処理時に剥離して該ウェーハを汚染し
たり、或はボートとウェーハを癒着させる等の不都合が
あり、その解決のため炉芯管内表面を粗面にしたり（実
開昭６１ー８８２３３号公報）、或はボート表面のウェ
ーハ接触部分を粗面（特開平１ー１７００１９号公報参
照）とすることが行われている。前記粗面化にはサンド
ブラスト法が多く用いられるが、該方法では機械的に表
面を破壊するため、治具の処理面の下にマイクロクラッ
クを持った層が形成され、そのマイクロクラック中にシ
リコンウエーハを汚染する物質が取り込まれたり、或は
前記マイクロクラックが破壊開始クラックとなり製品の
強度を低下させる等の欠点がある。前記欠点を解決する
ため本発明者等は、特開平７ー２６７６７９号公報で酢
酸の含有量を１０％以上、水の含有量を５０％以下、フ
ッ化水素とフッ化アンモニウムの合計量を２５％以上、
フッ化アンモニウム１モルに対してフッ化水素を０．２
〜１５モルとするシリカガラス治具用表面処理液を提案
した。
【０００３】しかしながら、上記処理液はフッ化水素と
フッ化アンモニウムの含有量が多いところから高価であ
り、しかもその処理液の混合において熱が発生し処理液
成分を揮発させ、成分比率を変えて粗面化効果を低下し
たり、或は処理液を長時間冷却する必要がある等の問題
点があった。
フッ化アンモニウムの含有量が多いところから高価であ
り、しかもその処理液の混合において熱が発生し処理液
成分を揮発させ、成分比率を変えて粗面化効果を低下し
たり、或は処理液を長時間冷却する必要がある等の問題
点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】そこで、上記問題点を
解決すべく本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、フッ化
水素及びフッ化アンモニウムを酢酸で希釈することで、
高価なフッ化水素、フッ化アンモニウムの使用量を少な
くでき、しかもシリカガラス表面を良好に粗面化できる
表面処理液が得られることを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち
解決すべく本発明者等は鋭意研究を重ねた結果、フッ化
水素及びフッ化アンモニウムを酢酸で希釈することで、
高価なフッ化水素、フッ化アンモニウムの使用量を少な
くでき、しかもシリカガラス表面を良好に粗面化できる
表面処理液が得られることを見出し、本発明を完成した
ものである。すなわち
【０００５】本発明は、フッ化水素やフッ化アンモニウ
ムの含有量が少なくても良好な粗面化ができる低コスト
のシリカガラス治具表面処理液を提供することを目的と
する。
ムの含有量が少なくても良好な粗面化ができる低コスト
のシリカガラス治具表面処理液を提供することを目的と
する。
【０００６】また、本発明は、表面処理液の調製におい
て発熱による組成変化がなく安定したシリカガラス治具
表面処理液を提供することを目的とする。
て発熱による組成変化がなく安定したシリカガラス治具
表面処理液を提供することを目的とする。
【０００７】さらに、本発明は、上記シリカガラス治具
表面処理液を用いた処理方法を提供することを目的とす
る。
表面処理液を用いた処理方法を提供することを目的とす
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、シリカガラス治具の表面処理液において、フッ化
水素とフッ化アンモニウムの合計含有量が１０重量％以
上２５重量％未満、そのモル比がフッ化水素：フッ化ア
ンモニウム＝０．５：１ないし２：１、酢酸の含有量が
４０重量％ないし７５重量％であるシリカガラス治具表
面処理液及びそれを用いた処理方法に係る。
明は、シリカガラス治具の表面処理液において、フッ化
水素とフッ化アンモニウムの合計含有量が１０重量％以
上２５重量％未満、そのモル比がフッ化水素：フッ化ア
ンモニウム＝０．５：１ないし２：１、酢酸の含有量が
４０重量％ないし７５重量％であるシリカガラス治具表
面処理液及びそれを用いた処理方法に係る。
【０００９】本発明のシリカガラス治具表面処理液は、
上述のとおりフッ化水素（以下ＨＦという）とフッ化ア
ンモニウム（以下ＮＨ4Ｆという）、水及び酢酸を含有
する表面処理液であり、その組成比がフッ化水素とフッ
化アンモニウムの合計含有量が１０重量％以上２５重量
％未満、そのモル比がフッ化水素：フッ化アンモニウム
＝０．５：１ないし２：１、酢酸の含有量が４０重量％
ないし７５重量％の処理液である。前記表面処理液は、
好ましくはフッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を含
有する主液と酢酸からなる補助液を使用直前で混合する
２液型処理液が好ましい。前記２液型であることにより
調合時に液温の上昇がなく成分の揮発による処理液組成
の変動が抑えられ、安定した処理液が得られる。また、
主液と補助液の比率が、処理によって得られる表面粗さ
にほぼ比例するという性質があるところから、治具の粗
面の程度に応じて処理主液と補助液を混ぜ合わせればよ
く、粗面の程度を容易にコントロールできる。その上、
処理液として使用するのに冷却を待つ必要がなく直ちに
使用ができる利点もある。前記補助液の酢酸は９８％以
上が好ましく、これによってＮＨ4ＦやＨＦの含有量を
低減しても処理能力が低下することがない。前記ＮＨ4
Ｆ１モルに対してＨＦが２モルを超えると粗面化が起こ
らず、また０．５モル未満ではエッチングの進行が遅く
て粗面化が起こっても凹凸が浅過ぎて実用的でない。さ
らにＮＨ4ＦとＨＦの合計含有量が１０重量％未満では
実用的に採用しやすい時間で粗面化が起こらず透明のま
まであり、２５重量％を超えるとコストの低下が望めな
く経済的でない。前記主液の調製においてＮＨ4Ｆ水溶
液にＨＦを加えると発熱が起こるのでその混合において
は冷却するのがよい。
上述のとおりフッ化水素（以下ＨＦという）とフッ化ア
ンモニウム（以下ＮＨ4Ｆという）、水及び酢酸を含有
する表面処理液であり、その組成比がフッ化水素とフッ
化アンモニウムの合計含有量が１０重量％以上２５重量
％未満、そのモル比がフッ化水素：フッ化アンモニウム
＝０．５：１ないし２：１、酢酸の含有量が４０重量％
ないし７５重量％の処理液である。前記表面処理液は、
好ましくはフッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を含
有する主液と酢酸からなる補助液を使用直前で混合する
２液型処理液が好ましい。前記２液型であることにより
調合時に液温の上昇がなく成分の揮発による処理液組成
の変動が抑えられ、安定した処理液が得られる。また、
主液と補助液の比率が、処理によって得られる表面粗さ
にほぼ比例するという性質があるところから、治具の粗
面の程度に応じて処理主液と補助液を混ぜ合わせればよ
く、粗面の程度を容易にコントロールできる。その上、
処理液として使用するのに冷却を待つ必要がなく直ちに
使用ができる利点もある。前記補助液の酢酸は９８％以
上が好ましく、これによってＮＨ4ＦやＨＦの含有量を
低減しても処理能力が低下することがない。前記ＮＨ4
Ｆ１モルに対してＨＦが２モルを超えると粗面化が起こ
らず、また０．５モル未満ではエッチングの進行が遅く
て粗面化が起こっても凹凸が浅過ぎて実用的でない。さ
らにＮＨ4ＦとＨＦの合計含有量が１０重量％未満では
実用的に採用しやすい時間で粗面化が起こらず透明のま
まであり、２５重量％を超えるとコストの低下が望めな
く経済的でない。前記主液の調製においてＮＨ4Ｆ水溶
液にＨＦを加えると発熱が起こるのでその混合において
は冷却するのがよい。
【００１０】本発明のシリカガラス治具表面処理液の組
成範囲を状態図で示すと図１のとおりとなる。図１にお
いて、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ水、ＨＦ、ＮＨ4Ｆ及
び酢酸である。四角形ＦＪＫＧはＨＦとＮＨ4Ｆの和が
２５重量％の面であり、四角形ＥＩＬＨはＨＦとＮＨ4
Ｆの和が１０重量％の面である。四角形ＥＦＧＨは４０
重量％酢酸の面であり、四角形ＩＪＫＬは７５重量％の
面である。ＮＨ4Ｆ１モルに対するＨＦが０．５から
０．２モルの間の領域は、三角形ＡＮＤと三角形ＡＭＤ
に挟まれた部分である。
成範囲を状態図で示すと図１のとおりとなる。図１にお
いて、Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄはそれぞれ水、ＨＦ、ＮＨ4Ｆ及
び酢酸である。四角形ＦＪＫＧはＨＦとＮＨ4Ｆの和が
２５重量％の面であり、四角形ＥＩＬＨはＨＦとＮＨ4
Ｆの和が１０重量％の面である。四角形ＥＦＧＨは４０
重量％酢酸の面であり、四角形ＩＪＫＬは７５重量％の
面である。ＮＨ4Ｆ１モルに対するＨＦが０．５から
０．２モルの間の領域は、三角形ＡＮＤと三角形ＡＭＤ
に挟まれた部分である。
【００１１】上記図１のＡＭＮＤの四面体を詳細に図示
すると図２となる。図２において点ＰはＮＨ4Ｆ１モル
に対してＨＦが１モルの主液であり、Ｄは補助液の酢酸
である。本発明の表面処理液の組成であるＨＦとＮＨ4
Ｆの含有量の合計が１０重量％以上２５重量％未満、そ
のモル比がＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝０．５：１ないし２：１、
酢酸の含有量が４０重量％ないし７５重量％は図２の６
面体Ｅ′Ｆ′Ｇ′Ｈ′ーＩ′Ｊ′Ｋ′Ｌ′に示される。
すると図２となる。図２において点ＰはＮＨ4Ｆ１モル
に対してＨＦが１モルの主液であり、Ｄは補助液の酢酸
である。本発明の表面処理液の組成であるＨＦとＮＨ4
Ｆの含有量の合計が１０重量％以上２５重量％未満、そ
のモル比がＨＦ：ＮＨ4Ｆ＝０．５：１ないし２：１、
酢酸の含有量が４０重量％ないし７５重量％は図２の６
面体Ｅ′Ｆ′Ｇ′Ｈ′ーＩ′Ｊ′Ｋ′Ｌ′に示される。
【００１２】例えば４０重量％のＮＨ4Ｆ水溶液に５０
％のＨＦを加え、１３％のＨＦと３０％のＮＨ4Ｆを含
有する処理主液を調製し、それに９８％酢酸からなる補
助液を混合する処理液でＬＰＣＶＤ用炉芯管内面を処理
すると、ポリシリコンの剥落のない炉芯管が得られる。
％のＨＦを加え、１３％のＨＦと３０％のＮＨ4Ｆを含
有する処理主液を調製し、それに９８％酢酸からなる補
助液を混合する処理液でＬＰＣＶＤ用炉芯管内面を処理
すると、ポリシリコンの剥落のない炉芯管が得られる。
【００１３】上記主液と補助液からなるシリカガラス治
具表面処理液を用いた処理方法において、例えば主液を
２５容量％とすると薄く曇る程度（表面粗さＲａ＝０．
１μｍ）の粗面が得られ、また５０容量％とすると白色
の外観（表面粗さＲａ＝０．２μｍ）を有する粗面が得
られるので、主液を２０〜５０容量％とするのがよい。
主液が５０容量％を超えると粗さは大きくなるが、均一
性に欠けることがあるので好ましくない。
具表面処理液を用いた処理方法において、例えば主液を
２５容量％とすると薄く曇る程度（表面粗さＲａ＝０．
１μｍ）の粗面が得られ、また５０容量％とすると白色
の外観（表面粗さＲａ＝０．２μｍ）を有する粗面が得
られるので、主液を２０〜５０容量％とするのがよい。
主液が５０容量％を超えると粗さは大きくなるが、均一
性に欠けることがあるので好ましくない。
【００１４】また、本発明のシリカガラス治具表面処理
液の使用温度は２５℃以下、好ましくは２０℃以下がよ
いが、温度が低過ぎると、析出物の発生が起こるので、
３℃程度までにとどめ析出物による影響をなくするのが
よい。さらに、処理時間は、表面粗さが処理時間に依存
することが少ないので特に厳密に制御する必要はない
が、経済性などを考慮し０．５〜１０時間とするのが好
ましい。
液の使用温度は２５℃以下、好ましくは２０℃以下がよ
いが、温度が低過ぎると、析出物の発生が起こるので、
３℃程度までにとどめ析出物による影響をなくするのが
よい。さらに、処理時間は、表面粗さが処理時間に依存
することが少ないので特に厳密に制御する必要はない
が、経済性などを考慮し０．５〜１０時間とするのが好
ましい。
【００１５】本発明のシリカガラス表面処理液によるシ
リカガラス表面の凹凸の形成は、微細な析出物がシリカ
ガラス表面に析出しシリカガラスの溶解を部分的に妨げ
ることに起因するものと考えられる。処理液の表面とシ
リカガラス表面の接するメニスカス部では析出物の大き
さが全く違うのでメニスカス部は異なる粗さとなる。均
一な粗さに仕上げるためには表面処理液にシリカガラス
全体を浸ける必要があるが、部分的に粗面化したい場合
には部分的に処理液に浸ければよい。その際メニスカス
部に粗さの異なる帯状の部分が生じるので注意を要す
る。また、粗面化した面を火炎で加熱すると凹凸が溶融
し平滑となるので、部分的な粗面を必要とする場合は、
火炎処理して平滑面を形成するのもよい。
リカガラス表面の凹凸の形成は、微細な析出物がシリカ
ガラス表面に析出しシリカガラスの溶解を部分的に妨げ
ることに起因するものと考えられる。処理液の表面とシ
リカガラス表面の接するメニスカス部では析出物の大き
さが全く違うのでメニスカス部は異なる粗さとなる。均
一な粗さに仕上げるためには表面処理液にシリカガラス
全体を浸ける必要があるが、部分的に粗面化したい場合
には部分的に処理液に浸ければよい。その際メニスカス
部に粗さの異なる帯状の部分が生じるので注意を要す
る。また、粗面化した面を火炎で加熱すると凹凸が溶融
し平滑となるので、部分的な粗面を必要とする場合は、
火炎処理して平滑面を形成するのもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施例について述べ
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。
るがこれによって本発明はなんら限定されるものではな
い。
【００１８】
実施例１ フッ化アンモニウム（関東化学株式会社製、純度９７．
０％以上）の粉体を純水に溶解し、４０重量％のフッ化
アンモニウム水溶液を作成しそれに５０％フッ化水素酸
（フッ化水素水溶液）を静かに加えて１３％ＨＦ、３０
％ＮＨ4Ｆの主液を調製した。前記調製時には容器を冷
却し発熱による温度上昇を抑えた。主液３０容量％に純
度９９．７％、沸点１１８．１℃の酢酸からなる補助液
７０容量％を加えて、シリカガラス治具表面処理液を調
合した。
０％以上）の粉体を純水に溶解し、４０重量％のフッ化
アンモニウム水溶液を作成しそれに５０％フッ化水素酸
（フッ化水素水溶液）を静かに加えて１３％ＨＦ、３０
％ＮＨ4Ｆの主液を調製した。前記調製時には容器を冷
却し発熱による温度上昇を抑えた。主液３０容量％に純
度９９．７％、沸点１１８．１℃の酢酸からなる補助液
７０容量％を加えて、シリカガラス治具表面処理液を調
合した。
【００１９】調合した表面処理液にシリカガラス製のＬ
ＰＣＶＤ用炉芯管を３時間浸した後、純水で洗浄し、ク
リーンルームで乾燥した。ポリシリコンのＬＰＣＶＤを
この炉芯管を用いて実施したところ、付着膜の剥離や落
下がなく、半導体ウェーハ上に良好な成膜ができた。前
記処理を行った結果を表１に示す。
ＰＣＶＤ用炉芯管を３時間浸した後、純水で洗浄し、ク
リーンルームで乾燥した。ポリシリコンのＬＰＣＶＤを
この炉芯管を用いて実施したところ、付着膜の剥離や落
下がなく、半導体ウェーハ上に良好な成膜ができた。前
記処理を行った結果を表１に示す。
【００２０】実施例２、３、比較例１〜４ 主液と補助液との配合を変えた以外実施例１と同様にし
てシリカガラス表面処理液を調製し、それをＬＰＣＶＤ
用炉芯管の内表面処理液として使用し粗面化処理を行っ
た。処理の結果を表１に示す。
てシリカガラス表面処理液を調製し、それをＬＰＣＶＤ
用炉芯管の内表面処理液として使用し粗面化処理を行っ
た。処理の結果を表１に示す。
【００２１】
【表１】
【００２２】〈処理面の観察〉上記実施例１〜３、比較
例１〜４の処理を行ったＬＰＣＶＤ用炉芯管の内表面を
観察した。図２で示すＱ１の場合には粗さが不均一であ
り、またＱ２の場合には島状の斑点が現れ不均一であっ
た。さらにＱ６とＱ７の場合にはＱ５の組成比の処理液
に比較して急に表面が粗くなり、Ｑ７の場合には１μｍ
を超える表面粗さとなった。実用的な表面粗さ０．１〜
０．６μｍはＱ３〜Ｑ５の組成比の場合であった。前記
Ｑ１〜Ｑ７は図２に示す組成比であり、Ｑ３〜Ｑ５は実
施例１〜３の組成比を、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ６、Ｑ７は比較
例１〜４の組成比を示す。
例１〜４の処理を行ったＬＰＣＶＤ用炉芯管の内表面を
観察した。図２で示すＱ１の場合には粗さが不均一であ
り、またＱ２の場合には島状の斑点が現れ不均一であっ
た。さらにＱ６とＱ７の場合にはＱ５の組成比の処理液
に比較して急に表面が粗くなり、Ｑ７の場合には１μｍ
を超える表面粗さとなった。実用的な表面粗さ０．１〜
０．６μｍはＱ３〜Ｑ５の組成比の場合であった。前記
Ｑ１〜Ｑ７は図２に示す組成比であり、Ｑ３〜Ｑ５は実
施例１〜３の組成比を、Ｑ１、Ｑ２、Ｑ６、Ｑ７は比較
例１〜４の組成比を示す。
【００２３】
【発明の効果】本発明のシリカガラス表面処理液は、高
価なフッ化アンモニウムやフッ化水素酸の使用量を少な
くでき低コストでシリカガラス治具表面を処理できる。
その上、主液と補助液との配合比率を変えることで任意
の組成比の処理液が調合でき、それを使用する治具の粗
面粗さを任意にコントロールできる。それ故、本発明の
シリカガラス表面処理液は、工業的価値の高い処理液で
ある。
価なフッ化アンモニウムやフッ化水素酸の使用量を少な
くでき低コストでシリカガラス治具表面を処理できる。
その上、主液と補助液との配合比率を変えることで任意
の組成比の処理液が調合でき、それを使用する治具の粗
面粗さを任意にコントロールできる。それ故、本発明の
シリカガラス表面処理液は、工業的価値の高い処理液で
ある。
【図１】本発明のシリカガラス表面処理液の組成割合図
である。
である。
【図２】図１の四面体ＡＭＮＤの説明図である。
Claims (6)
- 【請求項１】シリカガラス治具の表面処理液において、
前記処理液がフッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を
含有する主液と、９８％以上の酢酸からなる補助液とよ
りなる２液型処理液であることを特徴とするシリカガラ
ス治具表面処理液。 - 【請求項２】主液がフッ化アンモニウム水溶液にフッ化
水素水溶液を混合した溶液であることを特徴とする請求
項１記載のシリカガラス治具表面処理液。 - 【請求項３】主液が４０重量％のフッ化アンモニウム水
溶液に５０％フッ化水素水溶液を混合して調製した、１
３％フッ化水素と３０％フッ化アンモニウムの水溶液で
あることを特徴とする請求項２記載のシリカガラス治具
表面処理液。 - 【請求項４】シリカガラス治具の表面処理液において、
フッ化水素とフッ化アンモニウムの合計含有量が１０重
量％以上２５重量％未満、そのモル比がフッ化水素：フ
ッ化アンモニウム＝０．５：１ないし２：１、酢酸の含
有量が４０重量％ないし７５重量％であることを特徴と
するシリカガラス治具表面処理液。 - 【請求項５】フッ化水素、フッ化アンモニウム及び水を
含有する主液と酢酸からなる補助液とをシリカガラス治
具の表面処理直前に混合し処理することを特徴とするシ
リカガラス治具の処理方法。 - 【請求項６】表面処理液の温度を５〜２５℃に保持しつ
つ０．５〜５時間でシリカガラス治具を処理することを
特徴とする請求項５記載のシリカガラス治具の処理方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20879896A JP3907129B2 (ja) | 1996-07-20 | 1996-07-20 | シリカガラス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20879896A JP3907129B2 (ja) | 1996-07-20 | 1996-07-20 | シリカガラス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1036140A true JPH1036140A (ja) | 1998-02-10 |
| JP3907129B2 JP3907129B2 (ja) | 2007-04-18 |
Family
ID=16562301
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20879896A Expired - Lifetime JP3907129B2 (ja) | 1996-07-20 | 1996-07-20 | シリカガラス治具表面処理液及びそれを用いた処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3907129B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1213269A1 (en) * | 2000-12-05 | 2002-06-12 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Fluororesin-coated quartz glass jig and method for producing the same |
| WO2003018500A1 (fr) * | 2001-08-24 | 2003-03-06 | Stella Chemifa Kabushiki Kaisha | Solution de traitement de surface a composants multiples destinee au traitement de precision dune plaque de base en verre |
| EP1371617A1 (en) * | 2002-05-28 | 2003-12-17 | Heraeus Quarzglas GmbH & Co. KG | Method for producing a quartz glass tank for use in ultrasonic cleaning used for fabricating semiconductor and quartz glass tank obtainable from that method |
| WO2005096747A3 (en) * | 2004-04-02 | 2006-03-30 | Honeywell Int Inc | Highly selective silicon oxide etching compositions |
| CN103184113A (zh) * | 2011-12-31 | 2013-07-03 | 北大方正集团有限公司 | 二氧化硅去除溶液及其制备方法和应用 |
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-
1996
- 1996-07-20 JP JP20879896A patent/JP3907129B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| WO2005096747A3 (en) * | 2004-04-02 | 2006-03-30 | Honeywell Int Inc | Highly selective silicon oxide etching compositions |
| JP2007532006A (ja) * | 2004-04-02 | 2007-11-08 | ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド | 高度に選択的な酸化ケイ素エッチング組成物 |
| CN103184113A (zh) * | 2011-12-31 | 2013-07-03 | 北大方正集团有限公司 | 二氧化硅去除溶液及其制备方法和应用 |
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| JP2014160701A (ja) * | 2013-02-19 | 2014-09-04 | Shin Etsu Chem Co Ltd | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3907129B2 (ja) | 2007-04-18 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050513 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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| A521 | Written amendment |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070112 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110126 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120126 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130126 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140126 Year of fee payment: 7 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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