JP2886411B2 - シリコンウエハのエッチング液およびその方法 - Google Patents
シリコンウエハのエッチング液およびその方法Info
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、シリコン半導体ウエハ
製造のためのウエハの化学エッチング液およびその液を
使用するエッチング方法に関する。
製造のためのウエハの化学エッチング液およびその液を
使用するエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】シリコン半導体ウエハはシリコン結晶イ
ンゴットを引き上げ、そのインゴットを切断して得た薄
円板をラッピング、エッチング、ポリッシングの順に加
工される。近年、デバイスの集積度が向上するにつれ
て、超ＬＳＩ用ウエハに極めて高い形状精度が要求され
るようになった。
ンゴットを引き上げ、そのインゴットを切断して得た薄
円板をラッピング、エッチング、ポリッシングの順に加
工される。近年、デバイスの集積度が向上するにつれ
て、超ＬＳＩ用ウエハに極めて高い形状精度が要求され
るようになった。
【０００３】ところで、エッチング工程は両面同時ラッ
ピングで平坦度、板厚ともに精度高く加工したウエハに
対して、残留砥粒と加工変質層を除く目的で、４０〜５
０μｍ程度化学的に除去するために行われるが、形状の
制御性が非常に難しい。
ピングで平坦度、板厚ともに精度高く加工したウエハに
対して、残留砥粒と加工変質層を除く目的で、４０〜５
０μｍ程度化学的に除去するために行われるが、形状の
制御性が非常に難しい。
【０００４】通常、ウエハのエッチングには選択エッチ
ング性がなく、表面荒さが小さく、かつエッチング能率
の高い、弗酸、硝酸、酢酸および水の混合液が用いられ
ている。特開昭５９−２１９４７６号公報に開示されて
いるように、従来、弗酸（約５０重量％）：硝酸（約７
０重量％）：酢酸（約１００重量％）＝３：５：３（容
量比）の混合比に代表される硝酸濃度の高い混合液が利
用されてきた。同公報において詳しく説明されているよ
うに前記のエッチング液では、拡散律速の条件によって
エッチングが進行する。拡散律速の条件下では、結晶表
面の面方位、結晶欠陥等に反応速度は依存せず、結晶表
面における拡散が主たる効果を持つため、シリコンウエ
ハ表面の面荒さが平坦化し、ミクロな形状が向上すると
いう利点がある。しかしながら、エッチングの進行とと
もに、ウエハ外周部がだれて、マクロな形状は平坦性が
損なわれるという欠点がある。弗酸濃度が高いエッチン
グ液の場合には、エッチング速度が大きくなったり、ウ
エハ表面のミクロな形状が悪くなり、光沢度が低下する
等の問題があり、実用には至っていない。
ング性がなく、表面荒さが小さく、かつエッチング能率
の高い、弗酸、硝酸、酢酸および水の混合液が用いられ
ている。特開昭５９−２１９４７６号公報に開示されて
いるように、従来、弗酸（約５０重量％）：硝酸（約７
０重量％）：酢酸（約１００重量％）＝３：５：３（容
量比）の混合比に代表される硝酸濃度の高い混合液が利
用されてきた。同公報において詳しく説明されているよ
うに前記のエッチング液では、拡散律速の条件によって
エッチングが進行する。拡散律速の条件下では、結晶表
面の面方位、結晶欠陥等に反応速度は依存せず、結晶表
面における拡散が主たる効果を持つため、シリコンウエ
ハ表面の面荒さが平坦化し、ミクロな形状が向上すると
いう利点がある。しかしながら、エッチングの進行とと
もに、ウエハ外周部がだれて、マクロな形状は平坦性が
損なわれるという欠点がある。弗酸濃度が高いエッチン
グ液の場合には、エッチング速度が大きくなったり、ウ
エハ表面のミクロな形状が悪くなり、光沢度が低下する
等の問題があり、実用には至っていない。
【０００５】このため、従来のエッチング工程において
は、前記特開昭５９−２１９４７６号公報に代表される
ように、硝酸濃度の高い拡散律速の条件下でエッチング
液の流れを制御することによって、ウエハのマクロな形
状の劣化を抑制する努力が続けられてきた。
は、前記特開昭５９−２１９４７６号公報に代表される
ように、硝酸濃度の高い拡散律速の条件下でエッチング
液の流れを制御することによって、ウエハのマクロな形
状の劣化を抑制する努力が続けられてきた。
【０００６】シリコン半導体ウエハをエッチングするに
際し、もう一つの考慮すべきこととしてエッチングむら
があげられる。シリコンウエハをエッチングした後、エ
ッチングウエハを純水に浸漬し、ウエハを引き上げ、ウ
エハ表面を観察すると、蛍光灯下でむらとして観察され
る場合がある（以下、このむらをエッチむら１と称す
る。）。次に、ウエハ最表面に何らかの薄膜が形成さ
れ、集光灯（１０〜３０万ルクス程度の光を照射する装
置）下において色むらとして観察される場合がある（以
下、このむらをエッチむら２と称する。）。
際し、もう一つの考慮すべきこととしてエッチングむら
があげられる。シリコンウエハをエッチングした後、エ
ッチングウエハを純水に浸漬し、ウエハを引き上げ、ウ
エハ表面を観察すると、蛍光灯下でむらとして観察され
る場合がある（以下、このむらをエッチむら１と称す
る。）。次に、ウエハ最表面に何らかの薄膜が形成さ
れ、集光灯（１０〜３０万ルクス程度の光を照射する装
置）下において色むらとして観察される場合がある（以
下、このむらをエッチむら２と称する。）。
【０００７】前記硝酸濃度が高い拡散律速の条件下では
エッチむら１は発生しないが、このエッチむら２が発生
し易い。このため、従来のエッチング後工程においては
このエッチむら２を除去するためにアルカリ性の溶液を
用いて、エッチングを行い、エッチむら２を除去するこ
とが行われてきた。軽微なエッチむら２はこのアルカリ
性エッチングにより除去できるが、このエッチむら２の
程度がひどい場合には完全には除去できないという問題
があった。
エッチむら１は発生しないが、このエッチむら２が発生
し易い。このため、従来のエッチング後工程においては
このエッチむら２を除去するためにアルカリ性の溶液を
用いて、エッチングを行い、エッチむら２を除去するこ
とが行われてきた。軽微なエッチむら２はこのアルカリ
性エッチングにより除去できるが、このエッチむら２の
程度がひどい場合には完全には除去できないという問題
があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ラッピングウエハのエ
ッチング液としては、例えば弗酸（約５０％）：硝酸
（約７０％）：酢酸（約１００％）＝３：５：３（容量
比）で代表されるように拡散律速の条件下で化学エッチ
ングされていた。あるいは、特開平３−１５３７号公報
に開示されているように、エッチング溶液中の水分に注
目し、発煙硝酸を用いて溶液中の水分量を減少させた拡
散律速系のエッチング液にて、化学エッチングされてい
た。いずれの場合も、拡散律速系のエッチング液であ
り、形状精度の面において、エッチングを行ったウエハ
はウエハ周縁はウエハ面内に比べ、拡散層が薄くなるた
め、角が丸くなり、ウエハの最エッジはだれてしまって
いた。また、エッチむら１は発生しにくいが、エッチむ
ら２は発生し易いという欠点を有していた。一方、反応
律速系のエッチング液はエッチむら２は発生しにくい
が、エッチむら１が発生し易いという欠点があった。
ッチング液としては、例えば弗酸（約５０％）：硝酸
（約７０％）：酢酸（約１００％）＝３：５：３（容量
比）で代表されるように拡散律速の条件下で化学エッチ
ングされていた。あるいは、特開平３−１５３７号公報
に開示されているように、エッチング溶液中の水分に注
目し、発煙硝酸を用いて溶液中の水分量を減少させた拡
散律速系のエッチング液にて、化学エッチングされてい
た。いずれの場合も、拡散律速系のエッチング液であ
り、形状精度の面において、エッチングを行ったウエハ
はウエハ周縁はウエハ面内に比べ、拡散層が薄くなるた
め、角が丸くなり、ウエハの最エッジはだれてしまって
いた。また、エッチむら１は発生しにくいが、エッチむ
ら２は発生し易いという欠点を有していた。一方、反応
律速系のエッチング液はエッチむら２は発生しにくい
が、エッチむら１が発生し易いという欠点があった。
【０００９】本発明は、弗酸、硝酸、酢酸および水から
なるエッチング液の主に弗酸と硝酸濃度を変化させ、エ
ッチング反応は拡散律速で進行するにも拘らず、前記問
題点を解消し、ウエハ表面のミクロな形状を向上し、ウ
エハの最エッジ部分のだれも少なく、さらにはエッチむ
ら１、２も発生しないエッチング方法を提供するもので
ある。
なるエッチング液の主に弗酸と硝酸濃度を変化させ、エ
ッチング反応は拡散律速で進行するにも拘らず、前記問
題点を解消し、ウエハ表面のミクロな形状を向上し、ウ
エハの最エッジ部分のだれも少なく、さらにはエッチむ
ら１、２も発生しないエッチング方法を提供するもので
ある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、重量％比で、 ＨＦ／ＨＮＯ３＝０．３０〜０．４０ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／ＣＨ３ＣＯＯＨ＝０．８０〜３．
００ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏ＝０．８０〜２．９０、 の組成を有する溶液にシリコンを０．３６〜０．８０ｍ
ｏｌ／リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導
体ウエハのエッチング液に関するものである。
００ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏ＝０．８０〜２．９０、 の組成を有する溶液にシリコンを０．３６〜０．８０ｍ
ｏｌ／リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導
体ウエハのエッチング液に関するものである。
【００１１】さらに、前記のエッチング液を用い、該エ
ッチング液の温度を２０〜６０℃、の温度に調整し、ウ
エハを揺動させながら該エッチング液に浸漬することを
特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング方法に関
する。
ッチング液の温度を２０〜６０℃、の温度に調整し、ウ
エハを揺動させながら該エッチング液に浸漬することを
特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング方法に関
する。
【００１２】
【作用】以下、本発明の作用を詳細に説明する。
【００１３】本発明では、ラッピングウエハを弗酸、硝
酸、酢酸および水の４成分からなるエッチング液中に浸
漬し、エッチングする方法として、その初期組成を重量
％で、 ＨＦ／ＨＮＯ３＝０．３０〜０．４０ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／ＣＨ３ＣＯＯＨ＝０．８０〜３．
００、好ましくは１．５０〜２．５０，（ＨＦ＋ＨＮＯ
３）／Ｈ２Ｏ＝０．８０〜２．９０、好ましくは１．４
０〜２．００の組成を有する溶液にシリコンを０．３６
〜０．８０，好ましくは０．４６〜０．６４ｍｏｌ／リ
ットル（ｍｏｌ／ｄｍ３）溶解したものをエッチング溶
液として用い、該エッチング時の温度を２０〜６０、好
ましくは３０〜４５℃とする。ＨＦ／ＨＮＯ３の濃度比
が低く、（ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏの比率が高いこと
が従来のエッチング液と大きな違いである。また、エッ
チングに最適な温度範囲があることも大きな特徴であ
る。
酸、酢酸および水の４成分からなるエッチング液中に浸
漬し、エッチングする方法として、その初期組成を重量
％で、 ＨＦ／ＨＮＯ３＝０．３０〜０．４０ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／ＣＨ３ＣＯＯＨ＝０．８０〜３．
００、好ましくは１．５０〜２．５０，（ＨＦ＋ＨＮＯ
３）／Ｈ２Ｏ＝０．８０〜２．９０、好ましくは１．４
０〜２．００の組成を有する溶液にシリコンを０．３６
〜０．８０，好ましくは０．４６〜０．６４ｍｏｌ／リ
ットル（ｍｏｌ／ｄｍ３）溶解したものをエッチング溶
液として用い、該エッチング時の温度を２０〜６０、好
ましくは３０〜４５℃とする。ＨＦ／ＨＮＯ３の濃度比
が低く、（ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏの比率が高いこと
が従来のエッチング液と大きな違いである。また、エッ
チングに最適な温度範囲があることも大きな特徴であ
る。
【００１４】シリコンが溶解するときには次の式で表さ
れる化学反応が起こる。
れる化学反応が起こる。
【００１５】 ３Ｓｉ＋４ＨＮＯ３＋１８ＨＦ→３Ｈ２ＳｉＦ６＋４ＮＯ↑＋８Ｈ２Ｏ（１） シリコンが溶解するときには、弗酸と硝酸が消費され、
反応生成物としてヘキサフルオロケイ酸（Ｈ２Ｓｉ
Ｆ６）、一酸化窒素（ＮＯ）、水（Ｈ２Ｏ）が生成す
る。したがって、上式により初期組成と溶解シリコン濃
度とからエッチング時の液組成を計算することができ
る。
反応生成物としてヘキサフルオロケイ酸（Ｈ２Ｓｉ
Ｆ６）、一酸化窒素（ＮＯ）、水（Ｈ２Ｏ）が生成す
る。したがって、上式により初期組成と溶解シリコン濃
度とからエッチング時の液組成を計算することができ
る。
【００１６】ＨＦ／ＨＮＯ３の重量％比率を規定したの
はＨＦ／ＨＮＯ３の比率がエッチングの特性を決定する
第１の因子であり、主にエッチング速度、ウエハ表面状
態、ウエハ表面のミクロな形状等を決定するためであ
る。特に、エッチむら２は主にＨＦ／ＨＮＯ３の比率に
ほぼ支配されており、ＨＦ／ＨＮＯ３の比率が低くなる
と発生し易くなる。このエッチむら２はシリコンウエハ
表面に何らかの薄膜あるいは多孔質の薄膜が形成され、
それが集光灯下で色むらとして観察される。
はＨＦ／ＨＮＯ３の比率がエッチングの特性を決定する
第１の因子であり、主にエッチング速度、ウエハ表面状
態、ウエハ表面のミクロな形状等を決定するためであ
る。特に、エッチむら２は主にＨＦ／ＨＮＯ３の比率に
ほぼ支配されており、ＨＦ／ＨＮＯ３の比率が低くなる
と発生し易くなる。このエッチむら２はシリコンウエハ
表面に何らかの薄膜あるいは多孔質の薄膜が形成され、
それが集光灯下で色むらとして観察される。
【００１７】本発明において、ＨＦ／ＨＮＯ３の比率の
下限を０．３０と規定したのは、０．３０以下になると
前述のエッチむら２が発生し易くなるためである。ま
た、上限を０．４０と規定したのは、０．４０以上にな
ると反応律速系のエッチング液となるためである。
下限を０．３０と規定したのは、０．３０以下になると
前述のエッチむら２が発生し易くなるためである。ま
た、上限を０．４０と規定したのは、０．４０以上にな
ると反応律速系のエッチング液となるためである。
【００１８】酢酸はシリコンの溶解には直接関与してい
ないが、エッチング速度を減少させるインヒビターとし
て働く。また、ウエハ表面のミクロな形状を改善すると
いう働きがある。
ないが、エッチング速度を減少させるインヒビターとし
て働く。また、ウエハ表面のミクロな形状を改善すると
いう働きがある。
【００１９】本発明において、（ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｃ
Ｈ３ＣＯＯＨの比率の下限として０．８０と規定したの
は、前記比率が０．８以下になると、インヒビターとし
ての働きが過度に強くなって、エッチング反応が不均一
に進行し易くなり、その結果、前述のエッチむら１が発
生するためである。上限として３．００を規定した理由
は、前記ＨＦ／ＨＮＯ３の比率の範囲において、（ＨＦ
＋ＨＮＯ３）／ＣＨ３ＣＯＯＨが３．００以上になる
と、エッチング速度が大きくなり過ぎて、エッチング後
のウエハの厚みを制御することが困難となるためであ
る。
Ｈ３ＣＯＯＨの比率の下限として０．８０と規定したの
は、前記比率が０．８以下になると、インヒビターとし
ての働きが過度に強くなって、エッチング反応が不均一
に進行し易くなり、その結果、前述のエッチむら１が発
生するためである。上限として３．００を規定した理由
は、前記ＨＦ／ＨＮＯ３の比率の範囲において、（ＨＦ
＋ＨＮＯ３）／ＣＨ３ＣＯＯＨが３．００以上になる
と、エッチング速度が大きくなり過ぎて、エッチング後
のウエハの厚みを制御することが困難となるためであ
る。
【００２０】エッチング液の成分である水も、酢酸と同
様にインヒビターとしての働きがある。本発明において
（ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏの比率の下限として０．８
０を規定したのは、０．８０以下になると、エッチむら
１が発生し易くなり、ウエハの外観が悪くなるためであ
る。また、また、上限として２．９０を規定したのは、
２．９０以上になるとエッチング液を調合するのが困難
になり、エッチング速度が大きくなり過ぎて、エッチン
グウエハの厚みを制御することが困難になるためであ
る。市販されている薬品を用いてエッチング液を調合す
る場合、半導体仕様薬品としては５０重量％弗酸、７０
重量％硝酸が多いため、エッチング液中の水成分が必然
的に多くなることが避けられない。このため、（ＨＦ＋
ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏの比率を下げることは、非常に困難
であり、特開平３−１５７３の明細書に記載されている
ように、発煙硝酸等の薬品を使用しないと調合できな
い。このような理由のため、前記比率が２．９以上にな
るとエッチング液の調合が困難となるのである。
様にインヒビターとしての働きがある。本発明において
（ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏの比率の下限として０．８
０を規定したのは、０．８０以下になると、エッチむら
１が発生し易くなり、ウエハの外観が悪くなるためであ
る。また、また、上限として２．９０を規定したのは、
２．９０以上になるとエッチング液を調合するのが困難
になり、エッチング速度が大きくなり過ぎて、エッチン
グウエハの厚みを制御することが困難になるためであ
る。市販されている薬品を用いてエッチング液を調合す
る場合、半導体仕様薬品としては５０重量％弗酸、７０
重量％硝酸が多いため、エッチング液中の水成分が必然
的に多くなることが避けられない。このため、（ＨＦ＋
ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏの比率を下げることは、非常に困難
であり、特開平３−１５７３の明細書に記載されている
ように、発煙硝酸等の薬品を使用しないと調合できな
い。このような理由のため、前記比率が２．９以上にな
るとエッチング液の調合が困難となるのである。
【００２１】エッチングを工業的に行う場合には、消費
される弗酸量、硝酸量、増加するシリコン量、水の量は
無視することができない。そこで、シリコンをエッチン
グした後、シリコン量、弗酸量、硝酸量、酢酸量、水量
を調節するため、エッチング液の一部を抜き取り、所定
量の弗酸、硝酸、酢酸および水を入れ、エッチング溶液
の組成を元の状態に戻るように調合し、繰り返し用いら
れる。
される弗酸量、硝酸量、増加するシリコン量、水の量は
無視することができない。そこで、シリコンをエッチン
グした後、シリコン量、弗酸量、硝酸量、酢酸量、水量
を調節するため、エッチング液の一部を抜き取り、所定
量の弗酸、硝酸、酢酸および水を入れ、エッチング溶液
の組成を元の状態に戻るように調合し、繰り返し用いら
れる。
【００２２】溶解シリコン量の下限として、０．３６ｍ
ｏｌ／リットルを規定したのは、０．３６ｍｏｌ／リッ
トル以下になると、エッチング液を元のエッチング液組
成、特に溶解シリコン量を元の状態に戻すためには、多
量のエッチング液を抜く必要があり、工業的には行えな
い。溶解シリコン量の上限として０．８０ｍｏｌ／リッ
トルを規定したのは、０．８０ｍｏｌ／リットル以上に
なると、シリコンの溶解によりエッチング液中の水の成
分が多くなり、結果として、前述のエッチむら１が発生
し易くなり、また、光沢度が低下するためである。
ｏｌ／リットルを規定したのは、０．３６ｍｏｌ／リッ
トル以下になると、エッチング液を元のエッチング液組
成、特に溶解シリコン量を元の状態に戻すためには、多
量のエッチング液を抜く必要があり、工業的には行えな
い。溶解シリコン量の上限として０．８０ｍｏｌ／リッ
トルを規定したのは、０．８０ｍｏｌ／リットル以上に
なると、シリコンの溶解によりエッチング液中の水の成
分が多くなり、結果として、前述のエッチむら１が発生
し易くなり、また、光沢度が低下するためである。
【００２３】本発明において温度範囲を規定した理由
は、エッチング液温度がウエハ表面状態およびエッチン
グ後のウエハ形状に大きく作用する重要な因子であるた
めである。下限として２０℃を規定したのは、この温度
以下になるとエッチむら１が生じ易くなるためである。
上限として、６０℃を規定したのは、この温度を越える
とエッチング液の成分が一部蒸発することによって組成
変動が起こるためである。 実施例１に示されているよ
うに、本発明のエッチング液ではウエハ回転数によりエ
ッチング速度が異なっており、ウエハ回転数依存性があ
る。これはラップウエハがエッチングされるときの反応
が拡散律速で進行していることを示している。本発明の
方法においてラッピングウエハをエッチングすると、ウ
エハ表面にミクロな形状を向上し、エッチむら１および
２も生じない。
は、エッチング液温度がウエハ表面状態およびエッチン
グ後のウエハ形状に大きく作用する重要な因子であるた
めである。下限として２０℃を規定したのは、この温度
以下になるとエッチむら１が生じ易くなるためである。
上限として、６０℃を規定したのは、この温度を越える
とエッチング液の成分が一部蒸発することによって組成
変動が起こるためである。 実施例１に示されているよ
うに、本発明のエッチング液ではウエハ回転数によりエ
ッチング速度が異なっており、ウエハ回転数依存性があ
る。これはラップウエハがエッチングされるときの反応
が拡散律速で進行していることを示している。本発明の
方法においてラッピングウエハをエッチングすると、ウ
エハ表面にミクロな形状を向上し、エッチむら１および
２も生じない。
【００２４】
【実施例】直径６インチ、８〜１２Ωｃｍのシリコンの
単結晶をスライスし、ベベリングし、その後両面をラッ
ピングし、ラッピングウエハを作成した。エッチングに
はラッピングウエハを洗浄、乾燥して用いた。
単結晶をスライスし、ベベリングし、その後両面をラッ
ピングし、ラッピングウエハを作成した。エッチングに
はラッピングウエハを洗浄、乾燥して用いた。
【００２５】エッチング液は所定の初期組成の弗酸、硝
酸、酢酸および水を含む溶液にシリコンを溶解させて、
エッチング液を調合した。シリコンを溶解させるときに
は多量のＮＯｘが発生するため、エッチングは所定濃度
のエッチング液を調合した後、１時間経過した後に行っ
た。図１に示すエッチング槽１に所定の濃度のエッチン
グ液２を入れ、ラッピングウエハ３を回転、上下、左右
運動等の揺動を加えたり、全く揺動を加えないようにし
てエッチングを行った。エッチング代は両面を合わせて
３５〜４０μｍとした。
酸、酢酸および水を含む溶液にシリコンを溶解させて、
エッチング液を調合した。シリコンを溶解させるときに
は多量のＮＯｘが発生するため、エッチングは所定濃度
のエッチング液を調合した後、１時間経過した後に行っ
た。図１に示すエッチング槽１に所定の濃度のエッチン
グ液２を入れ、ラッピングウエハ３を回転、上下、左右
運動等の揺動を加えたり、全く揺動を加えないようにし
てエッチングを行った。エッチング代は両面を合わせて
３５〜４０μｍとした。
【００２６】
【表１】
【００２７】表１に本発明と従来の方法におけるエッチ
ング液組成とエッチング特性を示す。本発明のエッチン
グ液はウエハの回転数によりエッチング速度が異なって
おり、ウエハの回転数依存性がある。これはラップウエ
ハをエッチングするときの反応が拡散律速で進行してい
ると思われる。一方、ＨＦ／ＨＮＯ３濃度比が０．４０
以上ではウエハの回転数依存性が見られず、ラップウエ
ハをエッチングするときの反応が反応律速で進行してい
ると思われる。
ング液組成とエッチング特性を示す。本発明のエッチン
グ液はウエハの回転数によりエッチング速度が異なって
おり、ウエハの回転数依存性がある。これはラップウエ
ハをエッチングするときの反応が拡散律速で進行してい
ると思われる。一方、ＨＦ／ＨＮＯ３濃度比が０．４０
以上ではウエハの回転数依存性が見られず、ラップウエ
ハをエッチングするときの反応が反応律速で進行してい
ると思われる。
【００２８】揺動がある条件下においては、従来のエッ
チング液ではエッチむら１あるいはエッチむら２が観察
されたが、本発明のエッチング液では全く観察されなか
った。また、本発明のエッチング液を用いて、揺動を加
えた場合はエッチむら１および２は発生しないが、揺動
がない場合はエッチむら１がやや観察された。
チング液ではエッチむら１あるいはエッチむら２が観察
されたが、本発明のエッチング液では全く観察されなか
った。また、本発明のエッチング液を用いて、揺動を加
えた場合はエッチむら１および２は発生しないが、揺動
がない場合はエッチむら１がやや観察された。
【００２９】
【発明の効果】本発明は、従来のエッチング液の組成比
の中で、ＨＦ濃度が高い領域において、拡散律速のエッ
チング液を実現し、酢酸濃度、水濃度を高めたところに
特徴があり、エッチングウエハのマクロな形状が優れ、
さらにはミクロな形状も良く、エッチむらの生じないウ
エハを提供できる。さらには、後工程であるポリッシン
グ工程で表面形状精度の高いウエハを得ることができる
エッチングウエハを提供することができる。
の中で、ＨＦ濃度が高い領域において、拡散律速のエッ
チング液を実現し、酢酸濃度、水濃度を高めたところに
特徴があり、エッチングウエハのマクロな形状が優れ、
さらにはミクロな形状も良く、エッチむらの生じないウ
エハを提供できる。さらには、後工程であるポリッシン
グ工程で表面形状精度の高いウエハを得ることができる
エッチングウエハを提供することができる。
【図１】 本発明に使用するエッチング槽を示す概略図
である。
である。
１：エッチング槽 ２：シリコン半導体ウエハ ３：エッチング液
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三浦 晃 山口県光市島田3434番地 新日本製鐵株 式会社 光製鐵所内 (72)発明者 垂永 伸二 山口県光市島田3434番地 ニッテツ電子 株式会社内 (72)発明者 畑中 裕行 山口県光市島田3434番地 ニッテツ電子 株式会社内 (56)参考文献 特開 平３−1537（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−291238（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−45314（ＪＰ，Ａ) 特開 昭56−55054（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 21/306 H01L 21/308
Claims (2)
- 【請求項１】 重量％比で、 ＨＦ／ＨＮＯ３＝０．３０〜０．４０ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／ＣＨ３ＣＯＯＨ＝０．８０〜３．
００ （ＨＦ＋ＨＮＯ３）／Ｈ２Ｏ＝０．８０〜２．９０ の組成を有する溶液にシリコンを０．３６〜０．８０ｍ
ｏｌ／リットル溶解したことを特徴とするシリコン半導
体ウエハのエッチング液。 - 【請求項２】 請求項１記載のエッチング液を用い、該
エッチング液の温度を２０〜６０℃の温度に調整し、ウ
エハを揺動させながら該エッチング液に浸漬することを
特徴とするシリコン半導体ウエハのエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10440893A JP2886411B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | シリコンウエハのエッチング液およびその方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10440893A JP2886411B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | シリコンウエハのエッチング液およびその方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06314684A JPH06314684A (ja) | 1994-11-08 |
| JP2886411B2 true JP2886411B2 (ja) | 1999-04-26 |
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ID=14379893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10440893A Expired - Fee Related JP2886411B2 (ja) | 1993-04-30 | 1993-04-30 | シリコンウエハのエッチング液およびその方法 |
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|---|---|
| JP (1) | JP2886411B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW511180B (en) * | 2000-07-31 | 2002-11-21 | Mitsubishi Chem Corp | Mixed acid solution in etching process, process for producing the same, etching process using the same and process for producing semiconductor device |
| JP5178175B2 (ja) * | 2007-12-17 | 2013-04-10 | キヤノン株式会社 | 揺動体装置の製造方法 |
-
1993
- 1993-04-30 JP JP10440893A patent/JP2886411B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JPH06314684A (ja) | 1994-11-08 |
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