JPH10340494A - 偏光成分分離光学素子、光磁気信号検出器、光磁気ピックアップおよび光磁気信号記録再生装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工性に優れ、安価に製造可能な偏光成分分
離光学素子を実現する。 【解決手段】 偏光成分分離光学素子２０は、光磁気デ
ィスク４０からの戻り光の光軸に対して傾けられて配置
される透明な略平行平板状の光学部材２１と、光学部材
２１の入射側の面に設けられた反射防止膜２２と、光学
部材２１の出射側の面に設けられ、反射防止膜２２を通
過した光を偏光方向が互いに直交する２つの偏光成分の
光に分離する偏光分離膜２３と、光学部材２１の入射側
の面に設けられ、偏光分離膜２３によって反射された光
を更に反射して、光学部材２１の出射側の面より出射さ
せる反射膜２４と、光学部材２１の出射側の面に設けら
れ、反射膜２４によって反射され、光学部材２１の出射
側の面より出射される光の反射を防止する反射防止膜２
５とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、入射光を複数の偏
光成分に分離するための偏光成分分離光学素子、ならび
に、この偏光成分分離光学素子を用いた光磁気信号検出
器、光磁気ピックアップおよび光磁気信号記録再生装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、光ディスク等の光情報記録媒体を
用いて、光学的に情報の記録と再生の少なくとも一方を
行う光情報記録再生装置が種々実用化されている。光情
報記録再生装置の一つに、ミニディスク（ＭＤ）等の光
磁気ディスクを用いて情報の記録と再生の少なくとも一
方を行う光磁気ディスク装置がある。ここで、従来の光
磁気ディスク装置における光磁気ピックアップの構成に
ついて、２つの例を挙げて説明する。

【０００３】図１６に示した光磁気ピックアップ２１０
は、レーザ光を出射する半導体レーザ２１１と、光磁気
ディスク２２０に対向するように配置される対物レンズ
２１５と、半導体レーザ２１１と対物レンズ２１５との
間に、半導体レーザ２１１側より順に配設された回折素
子（グレーティング）２１２、ビームスプリッタ２１３
およびコリメータレンズ２１４を備えている。光磁気ピ
ックアップ２１０は、更に、ビームスプリッタ２１３の
側方に、ビームスプリッタ２１３側より順に配設された
３ビームウォラストンプリズム２１６、マルチレンズ２
１７および光検出器２１８を備えている。対物レンズ２
１５は、図示しないアクチュエータによって、フォーカ
ス方向（光磁気ディスク２２０の面に垂直な方向）Ｆお
よびトラッキング方向（トラック横断方向）Ｔに駆動さ
れるようになっている。対物レンズ２１５を除く光磁気
ピックアップ２１０の各構成部品は、ベース部材に対し
て個別に固定されている。

【０００４】半導体レーザ２１１は、ビームスプリッタ
２１３に対してＰ偏光（偏光方向が入射面に平行な直線
偏光）となる直線偏光のレーザ光を出射するようになっ
ている。回折素子２１２は、半導体レーザ２１１からの
光を回折して、０次回折光と±１次回折光の３本の回折
光を発生させるようになっている。ビームスプリッタ２
１３は、一般に、一対の光学プリズムとこれらの光学プ
リズム間に蒸着やスパッタリングによって形成された誘
電体多層膜２１３ａとによって構成されている。

【０００５】コリメータレンズ２１４は、ビームスプリ
ッタ２１３からの光を平行光束にするようになってい
る。対物レンズ２１５は、コリメータレンズ２１４から
の光を集光して、信号記録面上で収束するように光磁気
ディスク２２０に照射するようになっている。光磁気デ
ィスク２２０からの戻り光は、対物レンズ２１５および
コリメータレンズ２１４を順に通過した後、ビームスプ
リッタ２１３に入射し、誘電多層膜２１３ａで一部が反
射されて、３ビームウォラストンプリズム２１６、マル
チレンズ２１７を順に通過して光検出器２１８に入射す
るようになっている。

【０００６】３ビームウォラストンプリズム２１６は、
入射した光を、互いに偏光方向の異なる３本の光ビーム
に分離するようになっている。マルチレンズ２１７は、
片面がシリンドリカル面に、片面が凹面に加工されたシ
リンドカルレンズ機能と凹レンズ機能とを併せ持つレン
ズであり、シリンドリカルレンズ機能によって、３ビー
ムウォラストンプリズム２１６からの光に対して非点収
差法によるフォーカスエラー信号を得るための非点収差
を発生させると共に、凹レンズ機能によって、３ビーム
ウォラストンプリズム２１６からの各光ビームの光検出
器２１８までの光路長を延長して各光ビームの分離を容
易にしている。光検出器２１８は、フォーカスエラー信
号、トラッキングエラー信号および光磁気再生信号を検
出するための複数の受光部を有している。

【０００７】図１７は、図１６における光検出器２１８
の受光部の配置を示したものである。光検出器２１８
は、矩形例えば正方形を上下の中心線および左右の中心
線によって４分割した形状をなす４つの受光部２１８Ａ
〜２１８Ｄと、この受光部２１８Ａ〜２１８Ｄの左右に
配置された受光部２１８Ｆ，２１８Ｅと、受光部２１８
Ａ〜２１８Ｄの上下に配置された受光部２１８Ｉ，２１
８Ｊとを有している。光磁気ディスク２２０からの戻り
光のうち、回折素子２１２からの０次回折光に対応する
光は、３ビームウォラストンプリズム２１６によって３
本の光ビームに分離され、それぞれ、光検出器２１８の
受光部２１８Ｉと受光部２１８Ａ〜２１８Ｄと受光部２
１８Ｊとに入射するようになっている。また、光磁気デ
ィスク２２０からの戻り光のうち、回折素子２１２から
の±１次回折光に対応する光は、それぞれ３ビームウォ
ラストンプリズム２１６によって３本の光ビームに分離
されるが、そのうちの中央の光ビームが、光検出器２１
８の受光部２１８Ｅ，２１８Ｆに入射するようになって
いる。

【０００８】図１６に示した光磁気ピックアップ２１０
では、半導体レーザ２１１から出射されたレーザ光は、
回折素子２１２によって３本の光ビームに分離され、ビ
ームスプリッタ２１３に入射し、光量の一部が誘電多層
膜２１３ａを透過し、コリメータレンズ２１４によって
平行光束とされ、対物レンズ２１５によって集光され、
信号記録面の所望のトラック上で収束するように光磁気
ディスク２２０に照射される。光磁気ディスク２２０か
らの戻り光は、対物レンズ２１５およびコリメータレン
ズ２１４を順に通過した後、ビームスプリッタ２１３に
入射し、誘電多層膜２１３ａで一部が反射されて、３ビ
ームウォラストンプリズム２１６、マルチレンズ２１７
を順に通過して光検出器２１８に入射する。そして、こ
の光検出器２１８の出力信号に基づいて、フォーカスエ
ラー信号、トラッキングエラー信号および光磁気再生信
号が検出される。

【０００９】ここで、光検出器２１８の各受光部２１８
Ａ〜２１８Ｆ，２１８Ｉ，２１８Ｊの各出力信号を、Ａ
〜Ｆ，Ｉ，Ｊと表すと、フォーカスエラー信号ＦＥ、ト
ラッキングエラー信号ＴＥおよび光磁気再生信号ＭＳ
は、それぞれ次の式（１）〜（３）によって求められ
る。

【００１０】ＦＥ＝（Ａ＋Ｃ）−（Ｂ＋Ｄ） …（１） ＴＥ＝Ｅ−Ｆ …（２） ＭＳ＝Ｉ−Ｊ …（３）

【００１１】図１８に示した光磁気ピックアップ２３０
は、半導体レーザ，光検出器，回折素子およびホログラ
ム素子が一体化されたホログラムレーザ素子２３１と、
光磁気ディスク２２０に対向するように配置される対物
レンズ２３５と、ホログラムレーザ素子２３１と対物レ
ンズ２３５との間に、ホログラムレーザ素子２３１側よ
り順に配設されたビームスプリッタ２３３、コリメータ
レンズ２３４を備えている。光磁気ピックアップ２３０
は、更に、ビームスプリッタ２３３の側方に、ビームス
プリッタ２３３側より順に配設されたウォラストンプリ
ズム２３６、凹レンズ２３７、光検出器２３８を備えて
いる。対物レンズ２３５は、図示しないアクチュエータ
によって、フォーカス方向Ｆおよびトラッキング方向Ｔ
に駆動されるようになっている。対物レンズ２３５を除
く光磁気ピックアップ２３０の各構成部品は、ベース部
材に対して個別に固定されている。

【００１２】ホログラムレーザ素子２３１内の半導体レ
ーザは、ビームスプリッタ２３３に対してＰ偏光となる
直線偏光のレーザ光を出射するようになっている。ホロ
グラムレーザ素子２３１内の回折素子は、半導体レーザ
からの光を回折して、０次回折光と±１次回折光の３本
の回折光を発生させるようになっている。回折素子から
の光は、ホログラムレーザ素子２３１内のホログラム素
子を通過して、ビームスプリッタ２３３に入射するよう
になっている。ビームスプリッタ２３３は、一般に、一
対の光学プリズムとこれらの光学プリズム間に蒸着やス
パッタリングによって形成された誘電体多層膜２３３ａ
とによって構成されている。

【００１３】コリメータレンズ２３４は、ビームスプリ
ッタ２３３からの光を平行光束にするようになってい
る。対物レンズ２３５は、コリメータレンズ２３４から
の光を集光して、信号記録面上で収束するように光磁気
ディスク２２０に照射するようになっている。光磁気デ
ィスク２２０からの戻り光は、対物レンズ２３５および
コリメータレンズ２３４を順に通過した後、ビームスプ
リッタ２３３に入射し、誘電多層膜２３３ａで一部が透
過し、一部が反射されるようになっている。

【００１４】誘電多層膜２３３ａを透過した光は、ホロ
グラムレーザ素子２３１内のホログラム素子によって半
円状の２つの光ビームに分割され、且つ各光ビームが互
いに異なる方向に向けて出射される。この２つの光ビー
ムは、回折素子を通らずに光検出器に入射するようにな
っている。半円状の１つの光ビームは、光検出器の２分
割の受光部に対して、光ビームの直線部分が２分割の受
光部の分割線と一致するように入射し、この２分割の受
光部の出力信号に基づいてフォーカスエラー信号が検出
されるようになっている。

【００１５】戻り光のうち、誘電多層膜２３３ａで反射
された光は、ウォラストンプリズム２３６、マルチレン
ズ２３７を順に通過して光検出器２３８に入射するよう
になっている。ウォラストンプリズム２３６は、入射し
た光を、互いに偏光方向が直交する２本の光ビームに分
離するようになっている。凹レンズ２３７は、ウォラス
トンプリズム２３６からの光ビームの光検出器２３８ま
での光路長を延長して各光ビームの分離を容易にしてい
る。光検出器２３８は、トラッキングエラー信号および
光磁気再生信号を検出するための複数の受光部を有して
いる。

【００１６】図１９は、図１８における光検出器２３８
の受光部の配置を示したものである。この図に示したよ
うに、光検出器２３８は、ウォラストンプリズム２３６
より出射される２郡６本の光ビームを受光するための６
郡の受光部を有している。図１９における右上には受光
部２３８Ｆ₁ 、左上には受光部２３８Ｆ₂ 、右下には受
光部２３８Ｅ₁ 、左下には受光部２３８Ｅ₂ 、右側中央
部には受光部２３８Ａ，２３８Ｂ、左側中央部には受光
部２３８Ｃ，２３８Ｄが配設されている。受光部２３８
Ａ，２３８Ｂは左右に２分割された受光部であり、受光
部２３８Ｃ，２３８Ｄは上下に２分割された受光部であ
る。光磁気ディスク２２０からの戻り光のうち、ホログ
ラムレーザ素子２３１からの０次回折光に対応する光
は、ウォラストンプリズム２３６によって２本の光ビー
ムに分離され、それぞれ、光検出器２３８の受光部２３
８Ａ，２３８Ｂと受光部２３８Ｃ，２３８Ｄとに入射す
るようになっている。また、光磁気ディスク２２０から
の戻り光のうち、ホログラムレーザ素子２３１からの±
１次回折光に対応する光は、それぞれウォラストンプリ
ズム２３６によって２本の光ビームに分離され、光検出
器２３８の受光部２３８Ｅ₁ ，２３８Ｅ₂ 、２３８
Ｆ₁ ，２３８Ｆ₂ に入射するようになっている。

【００１７】図１８に示した光磁気ピックアップ２３０
では、ホログラムレーザ素子２３１内の半導体レーザか
ら出射されたレーザ光は、回折素子によって３本の光ビ
ームに分離され、ビームスプリッタ２３３に入射し、光
量の一部が誘電多層膜２３３ａを透過し、コリメータレ
ンズ２３４によって平行光束とされ、対物レンズ２３５
によって集光され、信号記録面の所望のトラック上で収
束するように光磁気ディスク２２０に照射される。光磁
気ディスク２２０からの戻り光は、対物レンズ２３５お
よびコリメータレンズ２３４を順に通過した後、ビーム
スプリッタ２３３に入射し、誘電多層膜２３３ａで一部
が透過し、一部が反射される。誘電多層膜２３３ａを透
過した光は、ホログラムレーザ素子２３１内のホログラ
ム素子によって半円状の２つの光ビームに分割され、そ
のうちの１つの光ビームが、ホログラムレーザ素子２３
１内の光検出器における２分割の受光部に入射し、この
２分割の受光部の出力信号に基づいて、フーコ法によっ
てフォーカスエラー信号が検出される。

【００１８】戻り光のうち、誘電多層膜２３３ａで反射
された光は、ウォラストンプリズム２３６、マルチレン
ズ２３７を順に通過して光検出器２３８に入射する。そ
して、この光検出器２３８の出力信号に基づいて、トラ
ッキングエラー信号および光磁気再生信号が検出され
る。

【００１９】ここで、光検出器２３８の各受光部２３８
Ａ〜２３８Ｄ，２３８Ｅ₁ ，２３８Ｅ₂ ，２１８Ｆ₁ ，
２１８Ｆ₂ の各出力信号を、Ａ〜Ｄ，Ｅ₁ ，Ｅ₂ ，
Ｆ₁ ，Ｆ₂ と表すと、トラッキングエラー信号ＴＥ，ア
ドレス信号ＡＤおよび光磁気再生信号ＭＳは、それぞれ
次の式（４）〜（６）によって求められる。

【００２０】 ＴＥ＝（Ｅ₁ ＋Ｅ₂ ）−（Ｆ₁ ＋Ｆ₂ ） …（４） ＡＤ＝Ａ−Ｂ …（５） ＭＳ＝（Ａ＋Ｂ）−（Ｃ＋Ｄ） …（６）

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】ところで、光磁気ピッ
クアップでは、光磁気再生信号を検出するために、光磁
気ディスクからの戻り光を複数の偏光成分に分離する必
要がある。そのために、図１６に示した光磁気ピックア
ップ２１０では、３ビームウォラストンプリズム２１６
を用い、図１８に示した光磁気ピックアップ２３０で
は、ウォラストンプリズム２３６を用いている。このよ
うなウォラストンプリズムは、材料に複数の結晶（例え
ばＬＮ：ＬｉＮｂＯ₃ ）を用い、それらを光学軸が互い
に異なる所定の方向になるように斜め加工し、貼り合わ
せ、研磨して作製される。

【００２２】しかし、上述のようなウォラストンプリズ
ムは、光学軸の向き等に高い精度が要求されると共に、
結晶材料が歪み、割れ等により加工しづらい等、加工が
煩雑であるという問題点や、材料自体もガラス等の等方
性媒質に比べて、製造、入手が困難で、非常に高価にな
ってしまうという問題点があった。

【００２３】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、加工性に優れ、安価に製造可能な偏
光成分分離光学素子、ならびにこの偏光成分分離光学素
子を用いて容易に且つ安価に製造可能な光磁気信号検出
器、光磁気ピックアップおよび光磁気信号記録再生装置
を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】請求項１記載の偏光成分
分離光学素子は、入射光の光軸に対して傾けられて配置
される透明な板状の光学部材と、この光学部材の出射側
の面に設けられ、互いに偏光方向が直交する第１の偏光
成分と第２の偏光成分のうち、第１の偏光成分に対する
透過率が第２の偏光成分に対する透過率よりも大きく、
且つ第２の偏光成分に対する反射率が第１の偏光成分に
対する反射率よりも大きく、光学部材に対する入射光を
主に第１の偏光成分を含む透過光と主に第２の偏光成分
を含む反射光とに分離する偏光分離手段と、光学部材の
入射側の面に設けられ、偏光分離手段によって反射され
た光を更に反射して、光学部材の出射側の面より出射さ
せる反射手段とを備えたものである。

【００２５】請求項３記載の光磁気信号検出器は、光磁
気記録媒体からの戻り光を複数の偏光成分に分離するた
めの偏光成分分離光学素子と、この偏光成分分離光学素
子によって分離された各光を検出する光検出器とを備
え、これらが一体化されたものである。偏光成分分離光
学素子の構成は、請求項１記載の偏光成分分離光学素子
と同様である。

【００２６】請求項４記載の光磁気ピックアップは、光
磁気記録媒体に照射する光を出射する光源と、この光源
から出射された光を集光して光磁気記録媒体に照射する
集光手段と、光源と集光手段との間に少なくとも一つ設
けられ、光源から出射された光の光路と光情報記録媒体
からの戻り光の光路とを分離するための光路分離手段
と、この光路分離手段によって分離された戻り光を複数
の偏光成分に分離するための偏光成分分離光学素子と、
この偏光成分分離光学素子によって分離された各光を検
出する光検出器とを備えたものである。偏光成分分離光
学素子の構成は、請求項１記載の偏光成分分離光学素子
と同様である。

【００２７】請求項１１記載の光磁気信号記録再生装置
は、光磁気記録媒体に対して少なくとも再生用の光を照
射すると共に光磁気記録媒体からの戻り光を検出する光
磁気ピックアップを備え、この光磁気ピックアップを制
御して、光磁気記録媒体への情報の記録と光磁気記録媒
体からの情報の再生のうちの少なくとも情報の再生を行
うものである。光磁気ピックアップの構成は、請求項４
記載の光磁気ピックアップと同様である。

【００２８】請求項１記載の偏光成分分離光学素子、請
求項３記載の光磁気信号検出器、請求項４記載の光磁気
ピックアップまたは請求項１１記載の光磁気信号記録再
生装置では、偏光成分分離光学素子に入射した光は、光
学部材の出射側の面に設けられた偏光分離手段によっ
て、主に第１の偏光成分を含む透過光と主に第２の偏光
成分を含む反射光とに分離される。偏光分離手段による
反射光は、光学部材の入射側の面に設けられた反射手段
によって更に反射され、光学部材の出射側の面より出射
される。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。

【００３０】図１は、本発明の第１の実施の形態に係る
偏光成分分離光学素子を含む光磁気ピックアップの構成
を示す説明図である。この光磁気ピックアップ１０は、
レーザ光を出射する半導体レーザ１１と、光磁気ディス
ク４０に対向するように配置される対物レンズ１５と、
半導体レーザ１１と対物レンズ１５との間に、半導体レ
ーザ１５側より順に配設された回折素子（グレーティン
グ）１２、ビームスプリッタ１３およびコリメータレン
ズ１４を備えている。光磁気ピックアップ１０は、更
に、ビームスプリッタ１３の側方に、ビームスプリッタ
１３側より順に配設された凹レンズ１７、偏光成分分離
光学素子２０および光検出器３０を備えている。光磁気
ピックアップ１０は、更に、対物レンズ１５をフォーカ
ス方向Ｆおよびトラッキング方向Ｔに駆動可能なアクチ
ュエータ１９を備えている。光磁気ピックアップ１０
は、図示しないガイドに沿って光磁気ディスク４０の半
径方向に移動可能に支持された図示しないベース部材を
備え、対物レンズ１５を除く光磁気ピックアップ１０の
各構成部品は、このベース部材に対して固定されてい
る。

【００３１】半導体レーザ１１は、半導体の再結合発光
を利用した発光素子であり、図１において符号１８で偏
光方向を示したように、ビームスプリッタ１３に対して
Ｐ偏光となる直線偏光のレーザ光を出射するようになっ
ている。回折素子１２は、本発明における光分割手段に
対応し、半導体レーザ３１からの光を回折して、０次回
折光と、トラッキングエラー信号検出用のサイドビーム
となる±１次回折光の３本の回折光を発生させるように
なっている。

【００３２】ビームスプリッタ１３は、本発明における
光路分離手段に対応する。ビームスプリッタ１３は、一
対の光学プリズムとこれらの光学プリズム間に蒸着やス
パッタリングによって形成された誘電体多層膜よりなる
偏光分離膜１３ａとによって構成されている。偏光分離
膜１３ａは、半導体レーザ１１からの光の光軸に対して
４５°傾けられて配置されている。偏光分離膜１３ａ
は、Ｐ偏光成分に対する透過率がＳ偏光成分に対する透
過率よりも大きく、且つＳ偏光成分に対する反射率がＰ
偏光成分に対する反射率よりも大きく、半導体レーザ１
１から出射された光の光路と光磁気ディスク４０からの
戻り光の光路とを分離するようになっている。

【００３３】コリメータレンズ１４は、ビームスプリッ
タ１３からの光を平行光束にするようになっている。対
物レンズ１５は、本発明における集光手段に対応し、コ
リメータレンズ１４からの光を集光して、信号記録面の
所望のトラック上で収束するように光磁気ディスク４０
に照射するようになっている。対物レンズ１５は、例え
ばガラスやプラスチックによって形成されている。光磁
気ディスク４０からの戻り光は、対物レンズ１５および
コリメータレンズ１４を順に通過した後、ビームスプリ
ッタ１３に入射し、偏光分離膜１３ａで一部が反射され
て、凹レンズ１７、偏光成分分離光学素子２０を順に通
過して光検出器３０に入射するようになっている。

【００３４】凹レンズ１７は、戻り光の光学系の倍率を
大きくし、ビームスプリッタ１３からの各光ビームの光
検出器３０上での分離を容易にしている。

【００３５】なお、図１において、半導体レーザ１１か
ら対物レンズ１５に到る光の光軸方向をｘ軸（半導体レ
ーザ１１側が正）、ビームスプリッタ１３から光検出器
３０側へ進む光の光軸方向をｚ軸（ビームスプリッタ１
３側が正）、ｘ軸およびｚ軸に垂直な方向（紙面に垂直
な方向）をｙ軸（紙面手前側が正）とする。

【００３６】図２は、図１における偏光成分分離光学素
子２０の構成を示す説明図である。なお、この図は、図
１における偏光成分分離光学素子２０を、（ｘ，ｙ）＝
（−１，−１）の方向に見た図である。偏光成分分離光
学素子２０は、入射光の光軸に対して傾けられて配置さ
れる透明な略平行平板状の光学部材２１と、この光学部
材２１の入射側の面に設けられ、光学部材２１に対する
入射光の反射を防止する第１の反射防止手段としての反
射防止膜２２と、光学部材２１の出射側の面に設けら
れ、反射防止膜２２を通過した光を偏光方向が互いに直
交する２つの偏光成分の光に分離する偏光分離手段とし
ての偏光分離膜２３と、光学部材２１の入射側の面に設
けられ、偏光分離膜２３によって反射された光を更に反
射して、光学部材２１の出射側の面より出射させる反射
手段としての反射膜２４と、光学部材２１の出射側の面
に設けられ、反射膜２４によって反射され、光学部材２
１の出射側の面より出射される光の反射を防止する第２
の反射防止手段としての反射防止膜２５とを備えてい
る。光学部材２１は、例えばガラス材によって形成され
る。

【００３７】反射防止膜２２，２５は、例えば誘電体多
層膜によって形成されている。偏光分離膜２３は、例え
ば誘電体多層膜によって形成され、Ｐ偏光成分に対する
透過率がＳ偏光成分に対する透過率よりも大きく、且つ
Ｓ偏光成分に対する反射率がＰ偏光成分に対する反射率
よりも大きく、好ましくは、Ｐ偏光成分を略全光量透過
し、Ｓ偏光成分を略全光量反射させるようになってい
る。反射膜２４は、例えば誘電体多層膜や金属膜によっ
て形成され、少なくともＳ偏光成分を高い反射率で反射
するようになっている。

【００３８】光学部材２１を傾ける方向は、分離される
Ｐ偏光成分とＳ偏光成分の強度が略等量になる方向、す
なわち、半導体レーザ１１の出射光の偏光方向が図１に
おいて符号１８で示した方向であるとすると、光学部材
２１の平面の法線ベクトルの向きが、図１に示したｘｙ
ｚ座標系においてｘ成分の大きさとｙ成分の大きさが等
しくなる方向である。なお、光学部材２１の平面の法線
ベクトルのｚ成分の大きさは、偏光成分分離光学素子２
０によって付与したい非点収差量や、各膜２２〜２５が
所望の特性を得ることのできるような光の入射角度によ
って適宜に決定される。

【００３９】ここで、図２に示した偏光成分分離光学素
子２０の作用について説明する。偏光成分分離光学素子
２０に対する入射光（凹レンズ１７の出射光）２６は、
反射防止膜２２を略全光量透過し、光学部材２１内を通
過して、偏光分離膜２３に達する。この光のうち、Ｐ偏
光成分の光２７は、偏光分離膜２３を略全光量透過し、
光検出器３０に達する。偏光分離膜２３に達した光のう
ち、Ｓ偏光成分の光２８は、偏光分離膜２３で略全光量
反射され、光学部材２１内を通過して、反射膜２４に達
し、略全光量反射され、再度、光学部材２１内を通過し
て、反射防止膜２５に達し、この反射防止膜２５を略全
光量透過して、光検出器３０に達する。

【００４０】また、偏光成分分離光学素子２０は、入射
光の光軸に対して傾けられて配置された略平行平板状の
光学部材２１を有しているので、この偏光成分分離光学
素子２０を通過した光には、所定の非点収差が付与され
る。Ｓ偏光成分の光２８に付与される非点収差量は、Ｐ
偏光成分の光２７に付与される非点収差量の３倍とな
る。

【００４１】光検出器３０は、フォーカスエラー信号、
トラッキングエラー信号、光磁気再生信号およびピット
信号を検出するための複数の受光部を有している。図３
は、光検出器３０における受光部の配置を示す説明図で
ある。なお、図３は、ｘ軸の正の方向を右方向、ｘ軸の
負の方向を左方向、ｙ軸の正の方向を上方向、ｙ軸の負
の方向を下方向として表している。この図に示したよう
に、光検出器３０は、矩形例えば正方形を上下の中心線
および左右の中心線によって４分割した形状をなす４つ
の受光部３０ｉａ，３０ｉｂ，３０ｉｃ，３０ｉｄと、
この受光部３０ｉａ〜３０ｉｄの上下に配置された受光
部３０ｆ₁ ，３０ｅ₁ と、受光部３０ｉａ〜３０ｉｄの
右側に配置された受光部３０ｆ₂ と、受光部３０ｅ₁ の
右側に配置された受光部３０ｊと、この受光部３０ｊの
下側に配置された受光部３０ｅ₂とを有している。

【００４２】光磁気ディスク４０からの戻り光のうち、
回折素子１２からの０次回折光に対応する光は、偏光成
分分離光学素子２０によってＰ偏光成分の光２７とＳ偏
光成分の光２８とに分離され、それぞれ、光検出器３０
の受光部３０ｉａ〜３０ｉｄと受光部３０ｊとに入射す
るようになっている。また、光磁気ディスク４０からの
戻り光のうち、回折素子１２からの±１次回折光に対応
する光は、それぞれ偏光成分分離光学素子２０によって
Ｐ偏光成分の光２７とＳ偏光成分の光２８とに分離さ
れ、光検出器３０の受光部３０ｅ₁ ，３０ｅ₂ 、３０ｆ
₁ ，３０ｆ₂ に入射するようになっている。

【００４３】光磁気再生信号ＭＳは、光検出器３０の受
光部３０ｉａ〜３０ｉｄの出力の和と受光部３０ｊの出
力との差によって求められるようになっている。フォー
カスエラー信号ＦＥは、受光部３０ｉａ〜３０ｉｄの各
出力を用いた演算によって、非点収差法に基づいて求め
られるようになっている。トラッキングエラー信号ＴＥ
は、光検出器３０の受光部３０ｅ₁ ，３０ｅ₂ の出力の
和と受光部３０ｆ₁ ，３０ｆ₂ の出力の和との差によっ
て、３ビーム法に基づいて求められるようになってい
る。ピット信号ＰＳは、光検出器３０の受光部３０ｉａ
〜３０ｉｄと受光部３０ｊの出力の和によって求められ
るようになっている。

【００４４】ここで、各受光部３０ｉａ〜３０ｉｄ，３
０ｊ，３０ｅ₁ ，３０ｅ₂ ，３０ｆ₁ ，３０ｆ₂ の各出
力信号を、ｉａ〜ｉｄ，ｊ，ｅ₁ ，ｅ₂ ，ｆ₁ ，ｆ₂ と
表すと、フォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラ
ー信号ＴＥ、光磁気再生信号ＭＳおよびピット信号ＰＳ
は、それぞれ次の式（７）〜（１０）によって求められ
る。

【００４５】 ＦＥ＝（ｉａ＋ｉｃ）−（ｉｂ＋ｉｄ） …（７） ＴＥ＝（ｅ₁ ＋ｅ₂ ）−（ｆ₁ ＋ｆ₂ ） …（８） ＭＳ＝（ｉａ＋ｉｂ＋ｉｃ＋ｉｄ）−ｊ …（９） ＰＳ＝（ｉａ＋ｉｂ＋ｉｃ＋ｉｄ）＋ｊ …（１０）

【００４６】図１における偏光成分分離光学素子２０と
光検出器３０は、一体化してもよい。図４は、偏光成分
分離光学素子２０と光検出器３０を一体化して構成した
本実施の形態に係る光磁気信号検出器の構成例を示す側
面図である。この光磁気信号検出器３１は、基板部３２
と、この基板部３２の一方の面に接合されたパッケージ
部３３と、基板部３２の一方の面側に設けられた複数の
出力ピン３４とを備えている。基板部３２の一方の面上
には、光検出器３０が設けられている。パッケージ部３
３は、略円筒形状をなし、且つ先端部に、偏光成分分離
光学素子２０の光学部材２１の傾きに対応するように傾
けられた斜面３３ａが形成された形状になっている。偏
光成分分離光学素子２０は、パッケージ部３３の斜面３
３ａ上に貼り付けられて固定されている。なお、斜面３
３ａでは、少なくとも偏光成分分離光学素子２０の出射
光が通過する部分に透孔が形成されている。出力ピン３
４は、光検出器３０に接続されている。基板部３２およ
びパッケージ部３３は、例えば金属やプラスチック等に
よって形成される。

【００４７】次に、図１に示した光磁気ピックアップ１
０全体の作用について説明する。半導体レーザ１１から
出射された記録用または再生用のレーザ光は、回折素子
１２によって３本の光ビームに分離され、ビームスプリ
ッタ１３に入射し、光量の一部が偏光分離膜１３ａを透
過し、コリメータレンズ１４によって平行光束とされ、
対物レンズ１５によって集光され、信号記録面の所望の
トラック上で収束するように光磁気ディスク４０に照射
される。なお、半導体レーザ３１の出力は、記録時には
記録用の高出力に設定され、再生時には再生用の低出力
に設定される。

【００４８】光磁気ディスク４０からの戻り光は、対物
レンズ１５およびコリメータレンズ１４を順に通過した
後、ビームスプリッタ１３に入射し、偏光分離膜１３ａ
で一部が反射されて、凹レンズ１７を通過した後、偏光
成分分離光学素子２０によってＰ偏光成分の光２７とＳ
偏光成分の光２８とに分離され、光検出器３０に入射す
る。そして、この光検出器３０の出力信号に基づいて、
フォーカスエラー信号、トラッキングエラー信号、光磁
気再生信号およびピット信号が検出される。なお、再生
時には、光磁気ディスク４０に照射された光は、カー効
果により、光磁気ディスク４０の信号記録面における磁
化方向に応じて異なる方向に偏光方向が回転されて反射
され、戻り光となる。

【００４９】図５は、図１に示した光磁気ピックアップ
１０を有する本実施の形態に係る光磁気信号記録再生装
置としての光磁気ディスク装置の構成を示すブロック図
である。この光磁気ディスク装置５０は、光磁気ピック
アップ１０の他に、光磁気ディスク４０を回転駆動する
ためのスピンドルモータ５１と、光磁気ピックアップ１
０を光磁気ディスク４０の半径方向に駆動するための送
りモータ５２と、光磁気ピックアップ１０のアクチュエ
ータ１９、スピンドルモータ５１および送りモータ５２
を制御するサーボ制御回路５３とを備えている。

【００５０】光磁気ディスク装置５０は、更に、光磁気
ディスク４０を挟んで光磁気ピックアップ１０と対向す
る位置に配設され、光磁気ディスク４０に所定の磁界を
印加するための記録磁気ヘッド５４と、この記録磁気ヘ
ッド５４を駆動するためのヘッド駆動回路５５と、光磁
気ピックアップ１０およびヘッド駆動回路５５に接続さ
れた信号変復調・エラー訂正部５６と、この信号変復調
・エラー訂正部５６に接続された作業用のＲＡＭ（ラン
ダム・アクセス・メモリ）５７と、サーボ回路５３およ
び信号変復調・エラー訂正部５６を制御するシステムコ
ントローラ５８とを備えている。信号変復調・エラー訂
正部５６は、外部より入力した信号を光磁気ディスク４
０に記録するために変調する信号変調部と、光磁気ディ
スク４０より再生した信号を復調する信号復調部と、光
磁気ディスク４０に記録する信号に対してエラー訂正コ
ードを付加すると共に、このエラー訂正コードを用いて
光磁気ディスク４０より再生した信号のエラー訂正を行
うエラー訂正部とを有している。

【００５１】光磁気ディスク装置５０は、例えばデータ
ストレージ用であれば、更に、信号変復調・エラー訂正
部５６と外部コンピュータ６１とを接続するためのイン
タフェース６２を備え、例えばオーディオ用であれば、
更に、オーディオ信号の入出力を行うオーディオ入出力
部６３と、信号変復調・エラー訂正部５６の出力信号を
ディジタル−アナログ（以下、Ｄ／Ａと記す。）変換し
てオーディオ入出力部６３に送ると共にオーディオ入出
力部６３で入力したオーディオ信号をアナログ−ディジ
タル（以下、Ａ／Ｄと記す。）変換して信号変復調・エ
ラー訂正部５６に送るＤ／Ａ・Ａ／Ｄ変換部６４とを備
えている。

【００５２】なお、図５に示した光磁気ディスク装置５
０は、光磁気ディスク４０以外の他の種類の光ディスク
を用いて、情報の記録や再生を行うことも可能になって
おり、例えば、コンパクトディスク（ＣＤ）等の再生専
用の光ディスクを用いて情報の再生を行うことも可能で
ある。

【００５３】次に、光磁気ディスク装置５０の作用につ
いて説明する。スピンドルモータ５１は、システムコン
トローラ５８およびサーボ制御回路５３によって制御さ
れて、所定の回転数で回転する。

【００５４】記録時には、光磁気ピックアップ１０によ
って記録用の高出力のレーザ光が光磁気ディスク４０の
信号記録面に照射される。また、記録時には、インタフ
ェース６２やオーディオ入出力部６３を介して外部より
入力された信号は、信号変復調・エラー訂正部５６の信
号変調部によって光磁気ディスク４０に記録するために
変調され、更にエラー訂正部によってエラー訂正コード
が付加される。この信号に基づいて、ヘッド駆動回路５
５が駆動され、磁界変調方式によって、光磁気ディスク
４０の信号記録面に情報が記録される。

【００５５】一方、再生時には、光磁気ピックアップ１
０によって、再生用の低出力のレーザ光を光磁気ディス
ク４０の信号記録面に照射し、戻り光を検出することに
よって情報を再生する。光磁気ピックアップ１０より出
力される光磁気再生信号は、信号変復調・エラー訂正部
５６のエラー訂正部によってエラー訂正処理が施される
と共に、信号復調部によって復調され、インタフェース
６２を介して外部コンピュータ６１に送られたり、Ｄ／
Ａ・Ａ／Ｄ変換部６４によってＤ／Ａ変換されてオーデ
ィオ入出力部６３より出力されたりする。

【００５６】以上説明したように、本実施の形態に係る
偏光成分分離光学素子２０は、光磁気ディスク４０から
の戻り光を複数の偏光成分に分離する光学素子である
が、入手および加工な容易な板状のガラス材を用い、且
つ板状のガラス材を略そのまま使用して作製することが
でき、加工性に優れ、且つ安価に製造可能である。ま
た、本実施の形態に係る光磁気信号検出器３１、光磁気
ピックアップ１０および光磁気ディスク装置５０によれ
ば、光磁気ディスク４０からの戻り光を複数の偏光成分
に分離する光学素子として、ガラス等の等方性媒質に比
べて製造、入手が困難で且つ加工が煩雑な結晶材料を用
い、しかも２枚の結晶材料を光学軸を所定の方向になる
ように斜めに加工し、貼り合わせ、研磨することによっ
て作製されるウォラストンプリズムを使用せずに、上述
のように加工性に優れ、安価に製造可能な偏光成分分離
光学素子２０を使用しているので、容易に且つ安価に製
造可能となる。

【００５７】また、本実施の形態に係る偏光成分分離光
学素子２０は、フォーカスエラー信号検出用の非点収差
を発生させる機能も有するので、この偏光成分分離光学
素子２０を用いた本実施の形態に係る光磁気ピックアッ
プ１０および光磁気ディスク装置５０によれば、片面を
シリンドリカル面に、片面を凹面に加工する必要のある
マルチレンズが不要となり、図１６に示したような従来
の光磁気ピックアップにおける３ビームウォラストンプ
リズムとマルチレンズが、上述のように加工性に優れ、
安価に製造可能な偏光成分分離光学素子２０と単なる凹
レンズ１７に置き換えられ、より一層、容易に且つ安価
に製造可能となる。

【００５８】また、本実施の形態に係る光磁気信号検出
器３１によれば、偏光成分分離光学素子２０と光検出器
３０とが一体化されているので、偏光成分分離光学素子
２０と光検出器３０との位置関係の経時変化や環境によ
る変化が起きにくくなると共に、光磁気ピックアップと
しての調整が容易になる等が効果を奏する。また、偏光
成分分離光学素子２０および光検出器３０を、独立した
一体の素子として取り扱うことができ、取り扱いが簡便
になる。

【００５９】なお、図１では、ビームスプリッタ１３の
側方に、ビームスプリッタ１３側より順に、凹レンズ１
７と偏光成分分離光学素子２０を配置した構成とした
が、これは、偏光成分分離光学素子２０における各膜２
２〜２５に入射する光の入射角範囲を狭くすること、お
よび偏光成分分離光学素子２０を光検出器３０の近くに
配置することにより光検出器３０の面積を小さくするこ
とを意図してのものである。しかし、他の制約によっ
て、凹レンズ１７と偏光成分分離光学素子２０の配置を
逆にしても構わない。

【００６０】また、図４には、偏光成分分離光学素子２
０と光検出器３０とを、パッケージ部３３を介して一体
化した光磁気信号検出器３１を示したが、偏光成分分離
光学素子２０と光検出器３０に、それぞれ、互いに接合
するための接合部を設け、偏光成分分離光学素子２０と
光検出器３０とを直接接合して一体化してもよい。

【００６１】なお、本実施の形態に係る光磁気ピックア
ップ１０では、光検出器３０が４分割の受光部３０ｉａ
〜３０ｉｄを有しているので、この受光部３０ｉａ〜３
０ｉｄを用いて、位相差法に基づいて、トラッキングエ
ラー信号を検出することも可能である。この場合、トラ
ッキングエラー信号は、信号（ｉａ＋ｉｃ）と信号（ｉ
ｂ＋ｉｄ）の位相差より求められる。

【００６２】また、本実施の形態では、図２に示した偏
光成分分離光学素子２０において、偏光分離膜２３を透
過したＰ偏光成分の光２７を用いて、非点収差法に基づ
いてフォーカスエラー信号を得るようにしたが、光学系
の構成上必要とされる非点収差量等に応じて、偏光成分
分離光学素子２０において、偏光分離膜２３および反射
膜２４で２回反射されて出射されるＳ偏光成分の光２８
を用いて、非点収差法に基づいてフォーカスエラー信号
を得るようにしてもよい。この場合、光学部材２１の厚
みおよび傾きが同じであれば、Ｐ偏光成分の光２７を用
いる場合に比べて、３倍の非点収差量が得られる。

【００６３】図６は、上述のように、Ｓ偏光成分の光２
８を用いてフォーカスエラー信号を得る場合における光
検出器３０の受光部の配置を示す説明図である。この場
合における光検出器３０では、図３における受光部３０
ｉａ〜３０ｉｄの代わりに１つの受光部３０ｉが設けら
れ、図３における受光部３０ｊの代わりに４つの受光部
３０ｊａ〜３０ｊｄが設けられている。４つの受光部３
０ｊａ〜３０ｊｄは、矩形例えば正方形を上下の中心線
および左右の中心線によって４分割した形状をなしてい
る。

【００６４】ここで、各受光部３０ｉ，３０ｊａ〜３０
ｊｄ，３０ｅ₁ ，３０ｅ₂ ，３０ｆ₁ ，３０ｆ₂ の各出
力信号を、ｉ，ｊａ〜ｊｄ，ｅ₁ ，ｅ₂ ，ｆ₁ ，ｆ₂ と
表すと、フォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキングエラ
ー信号ＴＥ、光磁気再生信号ＭＳおよびピット信号ＰＳ
は、それぞれ次の式（１１）〜（１４）によって求めら
れる。

【００６５】 ＦＥ＝（ｊａ＋ｊｃ）−（ｊｂ＋ｊｄ） …（１１） ＴＥ＝（ｅ₁ ＋ｅ₂ ）−（ｆ₁ ＋ｆ₂ ） …（１２） ＭＳ＝ｉ−（ｊａ＋ｊｂ＋ｊｃ＋ｊｄ） …（１３） ＰＳ＝ｉ＋（ｊａ＋ｊｂ＋ｊｃ＋ｊｄ） …（１４）

【００６６】Ｓ偏光成分の光２８を用いてフォーカスエ
ラー信号を得るようにした場合には、Ｓ偏光成分の光２
８において所望の非点量が得られるように光学部材２１
の厚みおよび傾きを設定する。この場合、Ｐ偏光成分の
光２７において発生する非点収差量は、Ｓ偏光成分の光
２８の３分の１になるので、Ｐ偏光成分の光２７の歪み
を小さくすることができる。また、光学部材２１の厚み
を小さくすることができるので、Ｐ偏光成分の光２７と
Ｓ偏光成分の光２８の間隔を小さくでき、その結果、光
検出器３０における受光部の間隔を小さくでき、光検出
器３０の大きさを小さくすることが可能となる。

【００６７】図７は、本発明の第２の実施の形態に係る
光磁気ピックアップの構成を示す説明図である。この光
磁気ピックアップ７０は、半導体レーザ，光検出器，回
折素子およびホログラム素子が一体化されたホログラム
レーザ素子７１と、光磁気ディスク４０に対向するよう
に配置される対物レンズ１５と、ホログラムレーザ素子
７１と対物レンズ１５との間に、ホログラムレーザ素子
７１側より順に配設されたビームスプリッタ１３、コリ
メータレンズ１４を備えている。光磁気ピックアップ７
０は、更に、ビームスプリッタ１３の側方に、ビームス
プリッタ１３側より順に配設された凹レンズ１７、偏光
成分分離光学素子２０および光検出器７２を備えてい
る。光磁気ピックアップ７０は、更に、対物レンズ１５
をフォーカス方向Ｆおよびトラッキング方向Ｔに駆動可
能なアクチュエータ１９を備えている。光磁気ピックア
ップ１０は、図示しないガイドに沿って光磁気ディスク
４０の半径方向に移動可能に支持された図示しないベー
ス部材を備え、対物レンズ１５を除く光磁気ピックアッ
プ７０の各構成部品は、このベース部材に対して固定さ
れている。

【００６８】図８は、図７におけるホログラムレーザ素
子７１を一部切り欠いて示す斜視図である。ホログラム
レーザ素子７１は、基板部７３と、この基板部７３上に
設けられ、水平方向にレーザ光を出射する半導体レーザ
７４と、この半導体レーザ７４の出射光を反射すると共
に回折する回折素子７５と、この回折素子７５からの光
および光磁気ディスク４０からの戻り光が入射される本
発明における光路分離手段に対応するホログラム素子７
６と、このホログラム素子７６によって回折される戻り
光を検出する光検出器７７とを備え、これらが一体化さ
れている。なお、本実施の形態に係る光磁気ピックアッ
プ７０では、光路分離手段として、ビームスプリッタ１
３とホログラム素子７６の二つが設けられていることに
なる。

【００６９】半導体レーザ７４は、ビームスプリッタ１
３に対してＰ偏光となる直線偏光のレーザ光を出射する
ようになっている。回折素子７５は、半導体レーザ７４
からの光を回折して、０次回折光と±１次回折光の３本
の回折光を発生させるようになっている。回折素子７５
からの光は、ホログラム素子７６を通過して、ビームス
プリッタ１３に入射するようになっている。

【００７０】光磁気ディスク４０からの戻り光は、対物
レンズ１５およびコリメータレンズ１４を順に通過した
後、ビームスプリッタ１３に入射し、偏光分離膜１３ａ
で一部が透過し、一部が反射されるようになっている。
偏光分離膜１３ａを透過した光は、ホログラムレーザ素
子７１内のホログラム素子７６によって、半円状の２つ
の光ビームに分割され、且つ各光ビームが互いに異なる
方向に向けて出射される。この２つの光ビームは、回折
素子７５を通らずに光検出器７７に入射するようになっ
ている。半円状の１つの光ビームは、光検出器７７にお
ける２分割の受光部７７ａ，７７ｂに対して、光ビーム
の直線部分が受光部７７ａ，７７ｂの分割線と一致する
ように入射し、この２分割の受光部７７ａ，７７ｂの出
力信号の差により、フーコ法に基づいてフォーカスエラ
ー信ＦＥが検出されるようになっている。

【００７１】戻り光のうち、偏光分離膜１３ａで反射さ
れた光は、凹レンズ１７、偏光成分分離光学素子２０を
順に通過して光検出器７０に入射するようになってい
る。偏光成分分離光学素子２０の構成および配置は、第
１の実施の形態と同様である。

【００７２】光検出器７２は、トラッキングエラー信号
および光磁気再生信号を検出するための複数の受光部を
有している。図９は、光検出器７２における受光部の配
置を示す説明図である。なお、図９は、ｘ軸の正の方向
を右方向、ｘ軸の負の方向を左方向、ｙ軸の正の方向を
上方向、ｙ軸の負の方向を下方向として表している。こ
の図に示したように、光検出器７２は、矩形例えば正方
形を左右の中心線によって２分割した形状をなす２つの
受光部７２ｉａ，７２ｉｂと、この受光部７２ｉａ，７
２ｉｂの上下に配置された受光部７２ｆ₁ ，７２ｅ
₁ と、受光部７２ｉａ，７２ｉｂの右側に配置された受
光部７２ｆ₂ と、受光部７２ｅ₁ の右側に配置され、矩
形例えば正方形を上下の中心線によって２分割した形状
をなす２つの受光部７２ｊａ，７２ｊｂと、この受光部
７２ｊａ，７２ｊｂの下側に配置された受光部７２ｅ₂
とを有している。

【００７３】図２に示したように、光磁気ディスク４０
からの戻り光のうち、回折素子７５からの０次回折光に
対応する光は、偏光成分分離光学素子２０によってＰ偏
光成分の光２７とＳ偏光成分の光２８とに分離され、そ
れぞれ、光検出器７２の受光部７２ｉａ，７２ｉｂと受
光部７２ｊａ，７２ｊｂとに入射するようになってい
る。また、光磁気ディスク４０からの戻り光のうち、回
折素子７５からの±１次回折光に対応する光は、それぞ
れ偏光成分分離光学素子２０によってＰ偏光成分の光２
７とＳ偏光成分の光２８とに分離され、光検出器７２の
受光部７２ｅ₁ ，７２ｅ₂ 、７２ｆ₁ ，７２ｆ₂ に入射
するようになっている。

【００７４】光磁気再生信号ＭＳは、光検出器７２の受
光部７２ｉａ，７２ｉｂの出力の和と受光部７２ｊａ，
７２ｊｂの出力の和との差によって求められるようにな
っている。トラッキングエラー信号ＴＥは、光検出器７
２の受光部７２ｅ₁ ，７２ｅ₂ の出力の和と受光部７２
ｆ₁ ，７２ｆ₂ の出力の和との差によって、３ビーム法
に基づいて求められるようになっている。また、アドレ
ス信号ＡＤは、光検出器７２の受光部７２ｉａ，７２ｉ
ｂの出力の差によって求められるようになっている。

【００７５】ここで、各受光部７２ｉａ，７２ｉｂ，７
２ｊａ，７２ｊｂ，７２ｅ₁ ，７２ｅ₂ ，７２ｆ₁ ，７
２ｆ₂ の各出力信号を、ｉａ，ｉｂ，ｊａ，ｊｂ，
ｅ₁ ，ｅ₂ ，ｆ₁ ，ｆ₂ と表すと、トラッキングエラー
信号ＴＥ、光磁気再生信号ＭＳおよびアドレス信号ＡＤ
は、それぞれ次の式（１５）〜（１７）によって求めら
れる。

【００７６】 ＴＥ＝（ｅ₁ ＋ｅ₂ ）−（ｆ₁ ＋ｆ₂ ） …（１５） ＭＳ＝（ｉａ＋ｉｂ）−（ｊａ＋ｊｂ） …（１６） ＡＤ＝ｉａ−ｉｂ …（１７）

【００７７】次に、図７に示した光磁気ピックアップ７
０の作用について説明する。ホログラムレーザ素子７１
内の半導体レーザ７４から出射されたレーザ光は、回折
素子７５によって３本の光ビームに分離され、ホログラ
ム素子７６を通過して、ビームスプリッタ１３に入射
し、光量の一部が偏光分離膜１３ａを透過し、コリメー
タレンズ１４によって平行光束とされ、対物レンズ１５
によって集光され、信号記録面の所望のトラック上で収
束するように光磁気ディスク４０に照射される。なお、
半導体レーザ７４の出力は、記録時には記録用の高出力
に設定され、再生時には再生用の低出力に設定される。

【００７８】光磁気ディスク４０からの戻り光は、対物
レンズ１５およびコリメータレンズ１４を順に通過した
後、ビームスプリッタ１３に入射し、偏光分離膜１３ａ
で一部が透過し、一部が反射される。偏光分離膜１３ａ
を透過した光は、ホログラムレーザ素子７１内のホログ
ラム素子７６によって半円状の２つの光ビームに分割さ
れ、そのうちの１つの光ビームが、ホログラムレーザ素
子７１内の光検出器７７における２分割の受光部７７
ａ，７７ｂに入射し、この２分割の受光部７７ａ，７７
ｂの出力信号により、フーコ法に基づいてフォーカスエ
ラー信号が検出される。

【００７９】戻り光のうち、偏光分離膜１３ａで反射さ
れた光は、凹レンズ１７を通過した後、偏光成分分離光
学素子２０によってＰ偏光成分の光２７とＳ偏光成分の
光２８とに分離され、光検出器７２に入射する。そし
て、この光検出器７２の出力信号に基づいて、トラッキ
ングエラー信号、光磁気再生信号およびアドレス信号が
検出される。

【００８０】本実施の形態に係る光磁気ピックアップに
よれば、図１８に示したような従来の光磁気ピックアッ
プにおけるウォラストンプリズムが、加工性に優れ、安
価に製造可能な偏光成分分離光学素子２０に置き換えら
れ、容易に且つ安価に製造可能となる。

【００８１】なお、本実施の形態における光磁気ディス
ク装置の構成は、図５と同様である。本実施の形態にお
けるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形
態と同様である。

【００８２】図１０は、本発明の第３の実施の形態に係
る光磁気ピックアップの構成を示す説明図である。この
光磁気ピックアップ８０は、第１の実施の形態に係る光
磁気ピックアップ１０において、半導体レーザ１１と回
折素子１２との間の光路中に凸レンズ８１を設け、コリ
メータレンズ１４および凹レンズ１７を除いた構成にな
っている。また、対物レンズ１５は、平行光を集束させ
るタイプのものから、やや発散している光を集束させる
タイプのものに変更されている。

【００８３】凸レンズ８１は、本発明における広がり角
変換手段に対応し、半導体レーザ１１より出射され、ビ
ームスプリッタ１３に入射する光の広がり角を小さくな
るように変換する機能、言い換えると、半導体レーザ１
１より出射され、ビームスプリッタ１３に入射する光の
開口数（以下、ＮＡと記す。）を小さくなるように変換
する機能を有している。この凸レンズ８１により、半導
体レーザ１１の出射光の光学倍率（対物レンズ１５前後
のＮＡの比）も変換される。

【００８４】本実施の形態では、往路で凸レンズ８１に
よってビームスプリッタ１３を通過する光のＮＡが小さ
くなるように変換されているので、ビームスプリッタ１
３の偏光分離膜１３ａで反射された戻り光のＮＡが小さ
くなるため、凹レンズ１７が不要になっている。

【００８５】本実施の形態に係る光磁気ピックアップ８
０によれば、第１の実施の形態に係る光磁気ピックアッ
プ１０に比べて、部品点数を削減することができ、材料
コスト、加工コストを低減することができる。特に、本
実施の形態において廃止したコリメータレンズは、その
光学収差に対する要求から、通常、２枚のガラス材の貼
り合わせによって作製されており、このコリメータレン
ズの廃止による材料コスト、加工コストの低減効果は大
きい。

【００８６】また、本実施の形態に係る光磁気ピックア
ップ８０によれば、第１の実施の形態に係る光磁気ピッ
クアップ１０に比べて、ビームスプリッタ１３に入射す
る光の入射角範囲が小さくなるので、偏光分離膜１３ａ
の設計上有利になる。

【００８７】なお、本実施の形態における光磁気ディス
ク装置の構成は、図５と同様である。本実施の形態にお
けるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形
態と同様である。

【００８８】図１１は、本発明の第４の実施の形態に係
る光磁気ピックアップの構成を示す説明図である。この
光磁気ピックアップ９０は、第３の実施の形態に係る光
磁気ピックアップ８０において、ビームスプリッタ１３
を、略平行平板状のビームスプリッタプレート９１に置
き換えた構成になっている。

【００８９】ビームスプリッタプレート９１は、半導体
レーザ１１側からの入射光の光軸に対して傾けられて配
置される透明な略平行平板状の光学部材９１ａと、この
光学部材９１ａの半導体レーザ１１側からの光の入射側
の面に設けられ、光学部材９１ａに対する入射光の反射
を防止する反射防止膜９１ｂと、光学部材９１ａの半導
体レーザ１１側からの光の出射側の面に設けられた光学
薄膜よりなる分離膜９１ｃとを備えている。分離膜９１
ｃは、半透過膜または偏光分離膜であり、偏光分離膜で
ある方が望ましい。この場合の偏光分離膜は、例えば誘
電体多層膜によって形成されている。

【００９０】本実施の形態に係る光磁気ピックアップ９
０では、凸レンズ８１によって、ビームスプリッタプレ
ート９１に対する入射光のＮＡが小さくなるように（例
えば、ＮＡ＝０．０４５程度に）変換されているので、
光学部材９１を透過する際に発生する非点収差は大きく
なく、光磁気ディスク４０によって発生する非点収差等
との関係において、適正な範囲内に設定可能である。

【００９１】本実施の形態に係る光磁気ピックアップ９
０によれば、２つの三角柱プリズムを貼り合わせて作製
されるビームスプリッタの代わりに、加工が容易で且つ
小型、軽量のビームスプリッタプレート９１を用いたの
で、ビームスプリッタを用いる場合に比べて、光路分離
手段を小型化でき、また、加工上の煩雑さを大幅に軽減
できると共に加工コストを低減することができ、光磁気
ピックアップ９０の小型化、軽量化が可能になる。

【００９２】なお、本実施の形態における光磁気ディス
ク装置の構成は、図５と同様である。本実施の形態にお
けるその他の構成、作用および効果は、第３の実施の形
態と同様である。

【００９３】図１２は、本発明の第５の実施の形態に係
る偏光成分分離光学素子を含む光磁気ピックアップの構
成を示す説明図である。この光磁気ピックアップ１１０
は、第１の実施の形態に係る光磁気ピックアップ１０に
おいて、偏光成分分離光学素子２０を偏光成分分離光学
素子１２０に置き換え、光検出器３０を光検出器１３０
に置き換えた構成になっている。

【００９４】図１３は、図１２における偏光成分分離光
学素子１２０の構成を示す説明図である。なお、この図
は、図１２における偏光成分分離光学素子１２０を、
（ｘ，ｙ）＝（−１，−１）の方向に見た図である。偏
光成分分離光学素子１２０は、入射光の光軸に対して傾
けられて配置される透明な略平行平板状の光学部材１２
１と、この光学部材１２１の入射側の面に設けられ、光
学部材１２１に対する入射光の反射を防止する第１の反
射防止手段としての反射防止膜１２２と、光学部材１２
１の出射側の面に設けられ、反射防止膜１２２を通過し
た光の光量の一部を透過させ、光量の一部を反射する半
透過膜１２３と、光学部材１２１の入射側の面に設けら
れ、半透過膜１２３によって反射された光を、高い反射
率で反射する高反射膜１２４と、光学部材１２１の出射
側の面に設けられ、高反射膜１２４によって反射された
光を偏光方向が互いに直交する２つの偏光成分の光に分
離する偏光分離手段としての偏光分離膜１２５と、光学
部材１２１の入射側の面に設けられ、偏光分離膜１２５
によって反射された光を更に反射して、光学部材１２１
の出射側の面より出射させる反射手段としての反射膜１
２６と、光学部材１２１の出射側の面に設けられ、反射
膜１２６によって反射され、光学部材１２１の出射側の
面より出射される光の反射を防止する第２の反射防止手
段としての反射防止膜１２７とを備えている。光学部材
１２１は、例えばガラス材によって形成されている。

【００９５】反射防止膜１２２，１２７は、例えば誘電
体多層膜によって形成されている。反射膜１２４は、例
えば誘電体多層膜や金属膜によって形成されている。偏
光分離膜１２５は、例えば誘電体多層膜によって形成さ
れ、Ｐ偏光成分に対する透過率がＳ偏光成分に対する透
過率よりも大きく、且つＳ偏光成分に対する反射率がＰ
偏光成分に対する反射率よりも大きく、好ましくは、Ｐ
偏光成分を略全光量透過し、Ｓ偏光成分を略全光量反射
させるようになっている。反射膜１２６は、例えば誘電
体多層膜や金属膜によって形成され、少なくともＳ偏光
成分を高い反射率で反射するようになっている。

【００９６】光学部材１２１を傾ける方向は、分離され
るＰ偏光成分とＳ偏光成分の強度が略等量になる方向、
すなわち、半導体レーザ１１の出射光の偏光方向が図１
２において符号１８で示した方向であるとすると、光学
部材１２１の平面の法線ベクトルの向きが、図１２に示
したｘｙｚ座標系においてｘ成分の大きさとｙ成分の大
きさが等しくなる方向である。なお、光学部材１２１の
平面の法線ベクトルのｚ成分の大きさは、偏光成分分離
光学素子１２０によって付与したい非点収差量や、各膜
１２２〜１２７が所望の特性を得ることのできるような
光の入射角度によって適宜に決定される。

【００９７】ここで、図１３に示した偏光成分分離光学
素子１２０の作用について説明する。偏光成分分離光学
素子１２０に対する入射光（凹レンズ１７の出射光）１
４１は、反射防止膜１２２を略全光量透過し、光学部材
１２１内を通過して、半透過膜１２３に達し、光量の一
部が透過し、光量の一部が反射される。半透過膜１２３
を透過した光は、偏光成分の割合が入射光１４１と略同
等の光１４２として、光検出器１３０に達する。半透過
膜１２３で反射された光は、光学部材１２１内を通過し
て、反射膜１２４に達し、略全光量反射され、再度、光
学部材１２１内を通過して、偏光分離膜１２５に達す
る。この光のうち、Ｐ偏光成分の光１４３は、偏光分離
膜１２５を略全光量透過し、光検出器１３０に達する。
偏光分離膜１２５に達した光のうち、Ｓ偏光成分の光１
４４は、偏光分離膜１２５で略全光量反射され、光学部
材１２１内を通過して、反射膜１２６に達し、略全光量
反射され、再度、光学部材１２１内を通過して、反射防
止膜１２７に達し、この反射防止膜１２７を略全光量透
過して、光検出器１３０に達する。

【００９８】また、偏光成分分離光学素子１２０は、入
射光の光軸に対して傾けられて配置された略平行平板状
の光学部材１２１を有しているので、この偏光成分分離
光学素子１２０を通過した光には、所定の非点収差が付
与される。Ｐ偏光成分の光１４３に付与される非点収差
量は、偏光成分の割合が入射光１４１と略同等の光１４
２に付与される非点収差量の３倍となり、Ｓ偏光成分の
光１４４に付与される非点収差量は、光１４２に付与さ
れる非点収差量の５倍となる。

【００９９】光検出器１３０は、フォーカスエラー信
号、トラッキングエラー信号、光磁気再生信号およびピ
ット信号を検出するための複数の受光部を有している。
図１４は、光検出器１３０における受光部の配置を示す
説明図である。なお、図１４は、ｘ軸の正の方向を右方
向、ｘ軸の負の方向を左方向、ｙ軸の正の方向を上方
向、ｙ軸の負の方向を下方向として表している。この図
に示したように、光検出器１３０は、矩形例えば正方形
を上下の中心線および左右の中心線によって４分割した
形状をなす４つの受光部１３０ａ，１３０ｂ，１３０
ｃ，１３０ｄと、この受光部１３０ａ〜１３０ｄの上下
に配置された受光部１３０ｆ₁ ，１３０ｅ₁ と、受光部
１３０ａ〜１３０ｄの右側に配置された受光部１３０ｆ
₂ と、受光部１３０ｅ₁ の右側に配置された受光部１３
０ｉと、この受光部１３０ｉの下側に配置された受光部
１３０ｅ₂ と、受光部１３０ｉ，１３０ｅ₂ の右側に配
置された受光部１３０ｆ₃ と、この受光部１３０ｆ₃ の
下側に配置された受光部１３０ｊと、この受光部１３０
ｊの下側に配置された受光部１３０ｅ₃ とを有してい
る。

【０１００】光磁気ディスク４０からの戻り光のうち、
回折素子１２からの０次回折光に対応する光は、偏光成
分分離光学素子１２０によって、偏光成分の割合が入射
光１４１と略同等の光１４２と、Ｐ偏光成分の光１４３
と、Ｓ偏光成分の光１４４とに分離され、それぞれ、光
検出器１３０の受光部１３０ａ〜１３０ｄと受光部１３
０ｉと受光部１３０ｊとに入射するようになっている。
また、光磁気ディスク４０からの戻り光のうち、回折素
子１２からの±１次回折光に対応する光は、それぞれ偏
光成分分離光学素子１２０によって、偏光成分の割合が
入射光１４１と略同等の光１４２と、Ｐ偏光成分の光１
４３と、Ｓ偏光成分の光１４４とに分離され、光検出器
１３０の受光部１３０ｅ₁ ，１３０ｅ₂ ，１３０ｅ₃ 、
１３０ｆ₁ ，１３０ｆ₂ ，１３０ｆ₃ に入射するように
なっている。

【０１０１】光磁気再生信号ＭＳは、光検出器１３０の
受光部１３０ｉと受光部１３０ｊの出力の差によって求
められるようになっている。フォーカスエラー信号ＦＥ
は、受光部１３０ａ〜１３０ｄの各出力を用いた演算に
よって、非点収差法に基づいて求められるようになって
いる。トラッキングエラー信号ＴＥは、光検出器１３０
の受光部１３０ｅ₁ ，１３０ｅ₂ ，１３０ｅ₃ の出力の
和と受光部１３０ｆ₁，１３０ｆ₂ ，１３０ｆ₃ の出力
の和との差によって、３ビーム法に基づいて求められる
ようになっている。ピット信号ＰＳは、光検出器１３０
の受光部１３０ｉと受光部１３０ｊの出力の和によって
求められるようになっている。

【０１０２】ここで、各受光部１３０ａ〜１３０ｄ，１
３０ｉ，１３０ｊ，１３０ｅ₁ ，１３０ｅ₂ ，１３０ｅ
₃ ，１３０ｆ₁ ，１３０ｆ₂ ，１３０ｆ₃ の各出力信号
を、ａ〜ｄ，ｉ，ｊ，ｅ₁ ，ｅ₂ ，ｅ₃ ，ｆ₁ ，ｆ₂ ，
ｆ₃ と表すと、フォーカスエラー信号ＦＥ、トラッキン
グエラー信号ＴＥ、光磁気再生信号ＭＳおよびピット信
号ＰＳは、それぞれ次の式（１８）〜（２１）によって
求められる。

【０１０３】 ＦＥ＝（ａ＋ｃ）−（ｂ＋ｄ） …（１８） ＴＥ＝（ｅ₁ ＋ｅ₂ ＋ｅ₃ ）−（ｆ₁ ＋ｆ₂ ＋ｆ₃ ） …（１９） ＭＳ＝ｉ−ｊ …（２０） ＰＳ＝ｉ＋ｊ …（２１）

【０１０４】なお、トラッキングエラー信号ＴＥは、ｅ
₁ −ｆ₁ によって求めてもよい。

【０１０５】本実施の形態に係る光磁気ピックアップ１
１０によれば、偏光成分分離光学素子１２０によって、
光磁気ディスク４０からの戻り光を、偏光成分の割合が
入射光１４１と略同等の光１４２と、Ｐ偏光成分の光１
４３と、Ｓ偏光成分の光１４４とに分離し、偏光成分の
割合が入射光１４１と略同等の光１４２を用いてフォー
カスエラー信号を検出するようにしたので、光磁気ディ
スク４０の複屈折等のフォーカスエラー信号に対する影
響を除去することが可能となる。

【０１０６】なお、本実施の形態における光磁気ディス
ク装置の構成は、図５と同様である。本実施の形態にお
けるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形
態と同様である。

【０１０７】図１５は、本発明の第６の実施の形態に係
る偏光成分分離光学素子を含む光磁気ピックアップの構
成を示す説明図である。この光磁気ピックアップ１５０
は、第１の実施の形態に係る光磁気ピックアップ１０に
おいて、半導体レーザ１１，回折格子１２と、凹レンズ
１７，偏光成分分離光学素子２０，光検出器３０との配
置を逆にした構成になっている。

【０１０８】すなわち、本実施の形態に係る光磁気ピッ
クアップ１５０では、半導体レーザ１１から出射された
光は、回折素子１２によって３本の光ビームに分離さ
れ、ビームスプリッタ１３に入射し、光量の一部が偏光
分離膜１３ａで反射され、コリメータレンズ１４によっ
て平行光束とされ、対物レンズ１５によって集光され、
信号記録面の所望のトラック上で収束するように光磁気
ディスク４０に照射される。光磁気ディスク４０からの
戻り光は、対物レンズ１５およびコリメータレンズ１４
を順に通過した後、ビームスプリッタ１３に入射し、一
部が偏光分離膜１３ａを透過し、凹レンズ１７を通過し
た後、偏光成分分離光学素子２０によってＰ偏光成分の
光２７とＳ偏光成分の光２８とに分離され、光検出器３
０に入射する。

【０１０９】なお、本実施の形態に係る光磁気ピックア
ップ１５０では、半導体レーザ１１の出射光の偏光方向
を、図１５において符号１５１で示したように紙面に垂
直な方向とし、トラッキング方向Ｔも紙面に垂直な方向
とするのが望ましい。

【０１１０】なお、本実施の形態における光磁気ディス
ク装置の構成は、図５と同様である。本実施の形態にお
けるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形
態と同様である。

【０１１１】なお、本発明は上記各実施の形態に限定さ
れず、例えば、第２ないし第６の実施の形態において
も、偏光成分分離光学素子と光検出器とを一体化して光
磁気信号検出器を構成してもよい。

【０１１２】また、偏光成分分離光学素子２０，１２０
において、反射防止膜２２，２５，１２２，１２７は、
光の利用効率が向上するので設けることが望ましいが、
必ずしも必要なものではない。

【０１１３】

【発明の効果】以上説明したように請求項１または２記
載の偏光成分分離光学素子によれば、入射光の光軸に対
して傾けられて配置される透明な板状の光学部材と、こ
の光学部材の出射側の面に設けられた偏光分離手段と、
光学部材の入射側の面に設けられ、偏光分離手段によっ
て反射された光を更に反射して、光学部材の出射側の面
より出射させる反射手段とを備えた構成としたので、入
射光を複数の偏光成分に分離する光学素子を、加工性に
優れ、安価に製造可能な素子で実現することができると
いう効果を奏する。

【０１１４】また、請求項２記載の偏光成分分離光学素
子によれば、光学部材の入射側の面に設けられ、光学部
材に対する入射光の反射を防止する第１の反射防止手段
と、光学部材の出射側の面に設けられ、反射手段によっ
て反射され、光学部材の出射側の面より出射される光の
反射を防止する第２の反射防止手段とを備えたので、更
に、光の利用効率を向上させることができるという効果
を奏する。

【０１１５】請求項３記載の光磁気信号検出器、請求項
４ないし１０のいずれかに記載の光磁気ピックアップま
たは請求項１１記載の光磁気信号記録再生装置によれ
ば、光磁気記録媒体からの戻り光を複数の偏光成分に分
離する光学素子として、上記の光学部材と偏光分離手段
と反射手段とを備えた偏光成分分離光学素子を用いたの
で、容易に且つ安価に製造可能となるという効果を奏す
る。

【０１１６】また、請求項９または１０記載の光磁気ピ
ックアップによれば、光源と少なくとも一つの光路分離
手段との間に設けられ、光路分離手段に入射する光の広
がり角を小さくなるように変換する広がり角変換手段を
備えたので、更に、コリメータレンズ等の部品の削減が
可能となるという効果を奏する。

【０１１７】また、請求項１０記載の光磁気ピックアッ
プによれば、広がり角変換手段によって広がり角が変換
された光が入射する光路分離手段を、入射する光の光軸
に対して傾けられて配置された透明な板状部材と、この
板状部材の少なくとも一面に設けられた光学薄膜とを有
する構成としたので、更に、光路分離手段の小型化、光
路分離手段の加工上の煩雑さの軽減および加工コストの
低減が可能となり、光磁気ピックアップの小型化、軽量
化が可能となるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気ピック
アップの構成を示す説明図である。

【図２】図１における偏光成分分離光学素子の構成を示
す説明図である。

【図３】図１における光検出器の受光部の配置を示す説
明図である。

【図４】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気信号検
出器の構成例を示す側面図である。

【図５】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気ディス
ク装置の構成を示すブロック図である。

【図６】本発明の第１の実施の形態に係る光磁気ピック
アップの変形例における光検出器の受光部の配置を示す
説明図である。

【図７】本発明の第２の実施の形態に係る光磁気ピック
アップの構成を示す説明図である。

【図８】図７におけるホログラムレーザ素子を一部切り
欠いて示す斜視図である。

【図９】図７における光検出器の受光部の配置を示す説
明図である。

【図１０】本発明の第３の実施の形態に係る光磁気ピッ
クアップの構成を示す説明図である。

【図１１】本発明の第４の実施の形態に係る光磁気ピッ
クアップの構成を示す説明図である。

【図１２】本発明の第５の実施の形態に係る光磁気ピッ
クアップの構成を示す説明図である。

【図１３】図１２における偏光成分分離光学素子の構成
を示す説明図である。

【図１４】図１２における光検出器の受光部の配置を示
す説明図である。

【図１５】本発明の第６の実施の形態に係る光磁気ピッ
クアップの構成を示す説明図である。

【図１６】従来の光磁気ピックアップの構成の一例を示
す説明図である

【図１７】図１６における光検出器の受光部の配置を示
す説明図である。

【図１８】従来の光磁気ピックアップの構成の他の例を
示す説明図である

【図１９】図１８における光検出器の受光部の配置を示
す説明図である。

【符号の説明】

１１…半導体レーザ、１２…回折素子、１３…ビームス
プリッタ、１４…コリメータレンズ、１５…対物レン
ズ、１７…凹レンズ、２０…偏光成分分離光学素子、３
０…光検出器、４０…光磁気ディスク、５０…光磁気デ
ィスク装置。

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 入射光の光軸に対して傾けられて配置さ
   れる透明な板状の光学部材と、 この光学部材の出射側の面に設けられ、互いに偏光方向
   が直交する第１の偏光成分と第２の偏光成分のうち、第
   １の偏光成分に対する透過率が第２の偏光成分に対する
   透過率よりも大きく、且つ第２の偏光成分に対する反射
   率が第１の偏光成分に対する反射率よりも大きく、前記
   光学部材に対する入射光を主に第１の偏光成分を含む透
   過光と主に第２の偏光成分を含む反射光とに分離する偏
   光分離手段と、 前記光学部材の入射側の面に設けられ、前記偏光分離手
   段によって反射された光を更に反射して、前記光学部材
   の出射側の面より出射させる反射手段とを備えたことを
   特徴とする偏光成分分離光学素子。
2. 【請求項２】 前記光学部材の入射側の面に設けられ、
   前記光学部材に対する入射光の反射を防止する第１の反
   射防止手段と、前記光学部材の出射側の面に設けられ、
   前記反射手段によって反射され、前記光学部材の出射側
   の面より出射される光の反射を防止する第２の反射防止
   手段とを備えたことを特徴とする請求項１記載の偏光成
   分分離光学素子。
3. 【請求項３】 光磁気記録媒体からの戻り光を複数の偏
   光成分に分離するための偏光成分分離光学素子と、この
   偏光成分分離光学素子によって分離された各光を検出す
   る光検出器とを備え、これらが一体化された光磁気信号
   検出器であって、 前記偏光成分分離光学素子は、 入射光の光軸に対して傾けられて配置される透明な板状
   の光学部材と、 この光学部材の出射側の面に設けられ、互いに偏光方向
   が直交する第１の偏光成分と第２の偏光成分のうち、第
   １の偏光成分に対する透過率が第２の偏光成分に対する
   透過率よりも大きく、且つ第２の偏光成分に対する反射
   率が第１の偏光成分に対する反射率よりも大きく、前記
   光学部材に対する入射光を主に第１の偏光成分を含む透
   過光と主に第２の偏光成分を含む反射光とに分離する偏
   光分離手段と、 前記光学部材の入射側の面に設けられ、前記偏光分離手
   段によって反射された光を更に反射して、前記光学部材
   の出射側の面より出射させる反射手段とを有することを
   特徴とする光磁気信号検出器。
4. 【請求項４】 光磁気記録媒体に対して少なくとも再生
   用の光を照射すると共に前記光磁気記録媒体からの戻り
   光を検出する光磁気ピックアップであって、 前記光磁気記録媒体に照射する光を出射する光源と、 この光源から出射された光を集光して前記光磁気記録媒
   体に照射する集光手段と、 前記光源と前記集光手段との間に少なくとも一つ設けら
   れ、前記光源から出射された光の光路と前記光情報記録
   媒体からの戻り光の光路とを分離するための光路分離手
   段と、 この光路分離手段によって分離された戻り光を複数の偏
   光成分に分離するための偏光成分分離光学素子と、 この偏光成分分離光学素子によって分離された各光を検
   出する光検出器とを備え、 前記偏光成分分離光学素子は、入射光の光軸に対して傾
   けられて配置される透明な板状の光学部材と、この光学
   部材の出射側の面に設けられ、互いに偏光方向が直交す
   る第１の偏光成分と第２の偏光成分のうち、第１の偏光
   成分に対する透過率が第２の偏光成分に対する透過率よ
   りも大きく、且つ第２の偏光成分に対する反射率が第１
   の偏光成分に対する反射率よりも大きく、前記光学部材
   に対する入射光を主に第１の偏光成分を含む透過光と主
   に第２の偏光成分を含む反射光とに分離する偏光分離手
   段と、前記光学部材の入射側の面に設けられ、前記偏光
   分離手段によって反射された光を更に反射して、前記光
   学部材の出射側の面より出射させる反射手段とを有する
   ことを特徴とする光磁気ピックアップ。
5. 【請求項５】 前記光源と前記光路分離手段との間に設
   けられ、前記光源から出射された光を複数の光に分割す
   る光分割手段を備えたことを特徴とする請求項４記載の
   光磁気ピックアップ。
6. 【請求項６】 前記光路分離手段は、一つだけ設けられ
   ていることを特徴とする請求項４記載の光磁気ピックア
   ップ。
7. 【請求項７】 前記光路分離手段は、二つ設けられてい
   ることを特徴とする請求項４記載の光磁気ピックアッ
   プ。
8. 【請求項８】 前記光検出器は、矩形を上下の中心線お
   よび左右の中心線によって４分割した形状をなす４つの
   受光部を有することを特徴とする請求項４記載の光磁気
   ピックアップ。
9. 【請求項９】 前記光源と少なくとも一つの光路分離手
   段との間に設けられ、光路分離手段に入射する光の広が
   り角を小さくなるように変換する広がり角変換手段を備
   えたことを特徴とする請求項４記載の光磁気ピックアッ
   プ。
10. 【請求項１０】 前記広がり角変換手段によって広がり
    角が変換された光が入射する光路分離手段は、入射する
    光の光軸に対して傾けられて配置された透明な板状部材
    と、この板状部材の少なくとも一面に設けられた光学薄
    膜とを有することを特徴とする請求項９記載の光磁気ピ
    ックアップ。
11. 【請求項１１】 光磁気記録媒体に対して少なくとも再
    生用の光を照射すると共に前記光磁気記録媒体からの戻
    り光を検出する光磁気ピックアップを備え、この光磁気
    ピックアップを制御して、前記光磁気記録媒体への情報
    の記録と前記光磁気記録媒体からの情報の再生のうちの
    少なくとも情報の再生を行う光磁気信号記録再生装置で
    あって、 前記光磁気ピックアップは、 前記光磁気記録媒体に照射する光を出射する光源と、 この光源から出射された光を集光して前記光磁気記録媒
    体に照射する集光手段と、 前記光源と前記集光手段との間に少なくとも一つ設けら
    れ、前記光源から出射された光の光路と前記光情報記録
    媒体からの戻り光の光路とを分離するための光路分離手
    段と、 この光路分離手段によって分離された戻り光を複数の偏
    光成分に分離するための偏光成分分離光学素子と、 この偏光成分分離光学素子によって分離された各光を検
    出する光検出器とを備え、 前記偏光成分分離光学素子は、入射光の光軸に対して傾
    けられて配置される透明な板状の光学部材と、この光学
    部材の出射側の面に設けられ、互いに偏光方向が直交す
    る第１の偏光成分と第２の偏光成分のうち、第１の偏光
    成分に対する透過率が第２の偏光成分に対する透過率よ
    りも大きく、且つ第２の偏光成分に対する反射率が第１
    の偏光成分に対する反射率よりも大きく、前記光学部材
    に対する入射光を主に第１の偏光成分を含む透過光と主
    に第２の偏光成分を含む反射光とに分離する偏光分離手
    段と、前記光学部材の入射側の面に設けられ、前記偏光
    分離手段によって反射された光を更に反射して、前記光
    学部材の出射側の面より出射させる反射手段とを有する
    ことを特徴とする光磁気信号記録再生装置。