JPH11144297A - 受発光素子とこれを用いた光学ピックアップ及び光ディスク装置 - Google Patents

受発光素子とこれを用いた光学ピックアップ及び光ディスク装置

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JPH11144297A
JPH11144297A JP9310827A JP31082797A JPH11144297A JP H11144297 A JPH11144297 A JP H11144297A JP 9310827 A JP9310827 A JP 9310827A JP 31082797 A JP31082797 A JP 31082797A JP H11144297 A JPH11144297 A JP H11144297A
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JP9310827A
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Inventor
Hiroyuki Miyahara
宏之 宮原
Kazuhiko Nemoto
和彦 根本
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 小型軽量に且つ低コストで構成されると共
に、例えば波長や強度等の異なる二種類の光ディスクの
記録再生が正しく行われるようにした、受発光素子と、
これを使用した光学ピックアップ及び光ディスク装置を
提供すること。 【解決手段】 互いに二段に重ねて配設された二つの受
発光部30,40を含んでおり、各受発光部が、第一の
半導体基板上41,42に形成された受光素子35,3
6,45,46と、前記第一の半導体基板上に搭載され
た第二の半導体基板32,42上に形成された発光素子
33,43と、この発光素子から出射する光ビームを、
水平な所定方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り
光ビームを前記受光素子に導く光分岐手段34,44
と、を備えており、各受発光部の発光素子が、互いに異
なる種類の光ビームを出射するように、受発光素子21
を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、二種類の光ディス
クに対応して、回転する光ディスクの表面に対して、異
なる種類の光を照射して、戻り光を検出するための受発
光素子と、これを使用した光学ピックアップ及び光ディ
スク装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来、二種類の光ディスク、例えばコン
パクトディスク(CD)及び高密度光ディスクを再生す
るための光学ピックアップにおいては、CD−R(書き
込み可能なコンパクトディスク)の再生に関しても対応
するためには、例えば650nm及び780nmという
二つの波長を備えた二波長光学ピックアップが必要とさ
れている。このような二波長光学ピックアップは、例え
ば図14に示すように構成されている。
【0003】図14において、光学ピックアップ1は、
実際には二組の光学ピックアップから構成されており、
図示の場合、CD等の第一の種類の光ディスクD1の再
生用の第一の光学ピックアップ2は、例えば受発光素子
3,立上げミラー2a,対物レンズ2bから構成されて
おり、また高密度光ディスク等の第二の種類の光ディス
クD2の再生用の第二の光学ピックアップ4は、半導体
レーザ素子4a,グレーティング4b,ビームスプリッ
タ4c,コリメータレンズ4d,立上げミラー4e,対
物レンズ4f,マルチレンズ4g及び光検出器5から構
成されている。
【0004】先づ、第一の光学ピックアップ2において
は、対物レンズ2bは、凸レンズであって、受発光素子
3からの光ビームを、回転駆動される光ディスクD1の
信号記録面の所望のトラック上に結像させる。さらに、
対物レンズ2bは、図示しない二軸アクチュエータによ
って、二軸方向即ちフォーカシング方向及びトラッキン
グ方向に移動可能に支持されている。また、受発光素子
3は、CD用として公知の構成のものであって、発光素
子と受光素子を一体の光学ブロックとして、半導体パッ
ケージに封入したものであり、例えば図15及び図16
に示すように構成されている。図15及び図16におい
て、受発光素子3は、第一の半導体基板3a上に第二の
半導体基板3bが載置され、第二の半導体基板3b上に
レーザダイオードチップ3cが搭載されている。
【0005】レーザダイオードチップ3cの前方の第一
の半導体基板3a上には、レーザダイオードチップ3c
側に傾斜面(光路分岐面)を有した台形形状のプリズム
3dが配設されており、この光路分岐面3eには、ビー
ムスプリッタとしての半透過膜(図示せず)が形成され
ている。また、プリズム3dは、その上面に、全反射膜
(図示せず)が形成されており、その下面に、半透過膜
(図示せず)が形成されている。プリズム3dは、レー
ザダイオードチップ3cから出射した光ビームを、その
光路分岐面により上方に反射して、光ビームを外部に出
射する。この受発光素子3から出射された光ビームは、
図14に示すように、立上げミラー2aを介して対物レ
ンズ2bに入射し、対物レンズ2bにより第一の光ディ
スクD1(例えばCD)の信号記録面に収束合焦され
る。第一の光ディスクD1により反射された戻り光ビー
ムは、対物レンズ2b及び立上げミラー2aを介して受
発光素子3のプリズム3d内に入射し、プリズム3dの
底面及び上面で順次に反射されることにより、このプリ
ズム3dの底面の二ヶ所で、プリズム3dの下方に出射
するようになっている。そして、第一の半導体基板3a
の上面には、プリズム3dの底面の二ヶ所から出射した
光を受光する位置に、光検出器3f,3gが形成されて
いる。光検出器3f,3gは、図17に示すように、そ
の中央付近において縦方向に平行に延びる三本の分割ラ
インによって、それぞれ受光部a,b,c,d及び受光
部i,j,k,lに4分割されており、光ディスクD1
で読み取った情報信号を検出するとともに、各受光部
a,b,c,d,i,j,k,lからの検出信号Sa,
Sb,Sc,Sd,Si,Sj,Sk,Slに基づい
て、フォーカスエラー信号FE1及びトラッキングエラ
ー信号TE1が検出されるようになっている。
【0006】これに対して、第二の光学ピックアップ4
については、グレーティング4bは、回折格子であっ
て、半導体レーザ素子4aから入射する光ビームを、0
次光であるメインビームと、±1次光であるサイドビー
ムに分割するものである。ビームスプリッタ4cは、そ
の反射面が光軸に対して45度傾斜した状態で配設され
ており、半導体レーザ素子4aから出射した光ビームと
光ディスクD2の信号記録面からの戻り光を分離する。
即ち、半導体レーザ素子4aからの光ビームは、ビーム
スプリッタ4cの反射面で反射され、光ディスクD2か
らの戻り光は、ビームスプリッタ4cを透過する。対物
レンズ4fは、凸レンズであって、ビームスプリッタ4
cで反射され且つコリメータレンズ4dで平行光に変換
された光ビームを、回転駆動される光ディスクD2の信
号記録面の所望のトラック上に結像させる。さらに、対
物レンズ4fは、図示しない二軸アクチュエータによっ
て、二軸方向即ちフォーカシング方向及びトラッキング
方向に移動可能に支持されている。
【0007】光検出器5は、ビームスプリッタ4cを透
過しマルチレンズ4gを介して入射する戻り光ビームに
対して、それぞれ受光部を有するように構成されてい
る。
【0008】このような構成の光学ピックアップ4によ
れば、半導体レーザ素子4aから出射した光ビームは、
グレーティング4bによりメインビーム及び二つのサイ
ドビームに分割された後、ビームスプリッタ4cの反射
面で反射され、コリメータレンズ4dにより平行光に変
換された後、立上げミラー4e及び対物レンズ4fを介
して、第二の種類の光ディスクD2の信号記録面上のあ
る一点に結像される。光ディスクD2の信号記録面で反
射された戻り光ビームは、再び対物レンズ4f,立上げ
ミラー4eを介して、ビームスプリッタ4cに入射す
る。ここで、戻り光ビームは、ビームスプリッタ4cを
透過して、マルチレンズ4gを介して、光検出器5の受
光部に入射する。これにより、光検出器5の各受光部か
ら出力される検出信号に基づいて、光ディスクD2の信
号記録面に記録された情報の再生が行なわれると共に、
フォーカスエラー信号FE2及びトラッキングエラー信
号TE2が検出される。この場合、トラッキングエラー
信号TE2は、高密度光ディスクの場合、規格上ピット
深さが約λ/4であることから、プッシュプル信号がで
なくなってしまうため、所謂3ビーム法を使用して、サ
イドビームの受光部E,Fからの検出信号SE,SFに
基づいて、トラッキングエラー信号TEが検出されるよ
うになっている。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな構成の二波長光学ピックアップは、各種類の光ディ
スクに対して、それぞれ専用の光学ピックアップ2,4
が組み込まれることにより、構成されていることから、
対物レンズを含む光学系が二重に備えられることにな
る。従って、部品点数が多くなると共に、全体の大き
さ,重量が増大してしまうという問題があった。
【0010】本発明は、以上の点に鑑み、小型軽量に且
つ低コストで構成されると共に、例えば波長や強度等の
異なる二種類の光ディスクの記録再生が正しく行われる
ようにした、受発光素子と、これを使用した光学ピック
アップ及び光ディスク装置を提供することを目的として
いる。
【0011】
【課題を解決するための手段】上記目的は、請求項1の
発明によれば、本発明によれば、互いに複数段に重ねて
配設された二以上の受発光部を含んでおり、各受発光部
が、第一の半導体基板上に形成された受光素子と、前記
第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板上に
形成された発光素子と、この発光素子から出射する光ビ
ームを、上記第二の半導体基板の表面と平行する水平な
所定方向に導くと共に、当該所定方向からの戻り光ビー
ムを前記受光素子に導く光分岐手段とを備えており、各
受発光部の発光素子が、互いに異なる種類の光ビームを
出射する構成とした、受発光素子により、達成される。
【0012】上記構成によれば、第一の種類の光ディス
クを再生する場合、受発光素子の一方の受発光部の発光
素子から出射した光ビームが、光集束手段としての例え
ば対物レンズを介して、第一の種類の光ディスクの信号
記録面に合焦し、この光ディスクからの戻り光ビーム
は、再び対物レンズを介して、当該一方の受発光部の受
光素子に入射する。これにより、この受光素子からの検
出信号に基づいて、第一の種類の光ディスクの再生信号
とトラッキングエラー信号及びフォーカスエラー信号が
検出されることになる。また、第二の種類の光ディスク
を再生する場合も同様にして、受発光素子の他方の受発
光部の発光素子から出射した光ビームが、光集束手段と
しての例えば対物レンズを介して、第二の種類の光ディ
スクの信号記録面に合焦し、この光ディスクからの戻り
光ビームは、再び対物レンズを介して、当該他方の受発
光部の受光素子に入射する。これにより、この受光素子
からの検出信号に基づいて、第二の種類の光ディスクの
再生信号とトラッキングエラー信号及びフォーカスエラ
ー信号が検出されることになる。
【0013】この場合、何れの種類の光ディスクの場合
にも、その種類に対応した種類の光ビームを出射する受
発光部の発光素子からの光ビームを使用して、再生が行
なわれるので、二つの種類の光ディスクの再生が正確に
行われることになると共に、二つの種類の光ディスクの
再生のために、それぞれ対応する受発光素子が設けられ
ており、対物レンズが共通で使用される。
【0014】さらに、各受発光部は、それぞれ水平な所
定方向に光ビームを出射するように構成されているの
で、各受発光部からの光ビームが、他方の受発光部に対
して干渉するようなことはない。
【0015】各受発光部の発光素子が、互いに異なる波
長の光ビームを出射するようになっている場合には、一
方の受発光部によって、例えばCD,CD−R等の再生
が行なわれると共に、他方の受発光部によって、例えば
高密度光ディスク等の再生が行われることになる。
【0016】各受発光部の発光素子が、同じ波長帯で且
つ強度の異なる光ビームを出射するようになっている場
合には、低出力の発光素子を備えた受発光部によって、
例えばCD,CD−R等の再生が行われると共に、高出
力の発光素子を備えた受発光部によって、例えばCD−
Rの記録が行われる。この場合、高出力の発光素子は、
高出力専用に設計されることから、性能に優れ、プロセ
スマージンや特性マージンがとりやすく、さらに低出力
時の高周波重畳も不要となる。また、低出力の受発光素
子は、低出力専用に設計できるので、容易にノイズを低
減できる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図1乃至図13を参照しながら、詳細に説明する。
尚、以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例で
あるから、技術的に好ましい種々の限定が付されている
が、本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を
限定する旨の記載がない限り、これらの態様に限られる
ものではない。
【0018】図1は、本発明の実施形態による光学ピッ
クアップを組み込んだ光ディスク装置の構成を示してい
る。図1において、光ディスク装置10は、光ディスク
11を回転駆動する駆動手段としてのスピンドルモータ
12と、光学ピックアップ13を備えている。ここで、
スピンドルモータ12は、光ディスクドライブコントロ
ーラ14により駆動制御され、所定の回転数で回転され
る。光ディスク11は、複数の種類の光ディスクを選択
して、それぞれ再生できるようになっている。
【0019】また、光学ピックアップ13は、この回転
する光ディスク11の信号記録面に対して、光を照射し
て、信号の記録を行ない、またはこの信号記録面からの
戻り光を検出するために、信号復調器15に対して戻り
光に基づく再生信号を出力する。
【0020】これにより、信号復調器15にて復調され
た記録信号は、誤り訂正回路16を介して誤り訂正さ
れ、インターフェイス17を介して、外部コンピュータ
等に送出される。これにより、外部コンピュータ等は、
光ディスク11に記録された信号を再生信号として受け
取ることができるようになっている。
【0021】上記光学ピックアップ13には、例えば光
ディスク11上の所定の記録トラックまで、トラックジ
ャンプ等により移動させるためのヘッドアクセス制御部
18が接続されている。さらに、この移動された所定位
置において、光学ピックアップ13の光集束手段として
の対物レンズを保持する二軸アクチュエータに対して、
当該対物レンズをフォーカシング方向及びトラッキング
方向に移動させるためのサーボ回路19が接続されてい
る。
【0022】図2は、本発明による光学ピックアップの
一実施形態を示している。図2において、光学ピックア
ップ13は、二つの波長に対応した光学ピックアップで
あって、受発光素子21と、波長選択性絞り22と、光
集束手段としての対物レンズ23とを備えている。
【0023】上記受発光素子21は、二つの受発光部が
二段に重ねられていて、各受発光部が、発光素子のして
の半導体レーザ素子と、受光素子としての光検出器が一
体化されて構成されている。
【0024】上記波長選択性絞り22は、波長フィルタ
であって、受発光素子21からの780nmの波長の光
に対してのみ開口を制限して、NAを小さくすることに
より、球面収差を補正するものである。
【0025】光集束手段23は、光ディスクの信号記録
面に対して、光ビームを集束する機能を備えるものなら
ば、なんでも使用でき、光学レンズだけでなく、レンズ
機能を備えたホログラム素子等が利用できる。この実施
形態では、例えば、対物レンズ23は、凸レンズであっ
て、受発光素子21からの光ビームを、回転駆動される
光ディスクD1またはD2の信号記録面の所望のトラッ
ク上に結像させる。さらに、対物レンズ23は、図示し
ない二軸アクチュエータによって、二軸方向、即ちトラ
ッキング方向及びフォーカシング方向に移動可能に支持
されている。
【0026】ここで、上記受発光素子21について詳細
に説明する。受発光素子21は、図3乃至図5に示すよ
うに、二つの受発光部30,40が後述するように互い
に上下に重ねられることにより、構成されている。下方
の受発光部30は、受発光素子21のセラミック等から
成るパッケージ24の下部に収容されており、上方の受
発光部40は、このパッケージ24の上部に収容されて
いる。尚、これら二つの受発光部30,40は、次の点
で図15及び図16に示した従来の受発光素子3と異な
る。すなわち、特に下方の受発光部30からの光ビーム
が上方に出射すると、上方の受発光部40と干渉してし
まうことから、光ビームが水平に出射するように、構成
が変更されている。
【0027】図6及び図7は、受発光部30の第一の実
施形態を示している。受発光部30は、第一の半導体基
板31上に第二の半導体基板32が載置され、第二の半
導体基板32上に発光素子としての半導体レーザ素子3
3が搭載されている。半導体レーザ素子33の前方の第
一の半導体基板31上には、半導体レーザ素子33寄り
の内部に光路分岐面34aを備えた直方体状のプリズム
34が配設され、例えば透明樹脂接着剤により接合され
ている。この光路分岐面34aには、光分離膜としての
半透過膜34b(図10参照)が形成されている。ま
た、プリズム34は、図10に示すように、その上面
に、高反射膜34dが形成されていると共に、その下面
に、半透過膜34cが形成されており、さらに図10に
て左右の端面には、無反射膜34e,34fが形成され
ている。これにより、プリズム34は、半導体レーザ素
子33から出射した光ビームを、その光路分岐面34a
で透過させ、この光ビームを、無反射膜34fを備えた
端面から、第一及び第二の半導体基板31,32の表面
と平行な水平方向に外部に出射する。また、光ディスク
からの戻り光は、無反射膜34fを備えた端面から、プ
リズム34内に入射し、プリズム34の光路分岐面34
aで半透過膜34bにより反射された後、底面及び上面
で順次に反射されることにより、このプリズム34の底
面の二ヶ所で、プリズム34の下方に出射する。そし
て、第一の半導体基板31の上面には、プリズム34の
底面の二ヶ所から出射した光を受光する位置に、光検出
器35,36が形成されている。
【0028】光検出器35,36は、図8に示すよう
に、その中央付近において縦方向に平行に延びる三本の
分割ラインによって、それぞれ受光部a,b,c,d及
び受光部i,j,k,lに4分割されている。そして、
各受光部a,b,c,d及びi,j,k,lが、光ディ
スクで読み取った情報信号を検出するとともに、各受光
部a,b,c,d及びi,j,k,lからの検出信号S
a,Sb,Sc,Sd及びSi,Sj,Sk,Slに基
づいて、再生信号RF1,フォーカスエラー信号FE1
及びトラッキングエラー信号TE1が、
【数1】
【数2】
【数3】 により検出される。
【0029】また、光ディスクとして、例えばDVDと
呼ばれる高密度型の光ディスクに対応するためには、こ
のような光ディスクは記録ピットλ/4であるために、
上記プッシュプル方式のトラッキングエラー検出ができ
ない。このため、図9(a)に示すように分割した構成
の光検出器75,76を用いるようにする。これによ
り、再生信号RF2,フォーカスエラー信号FE2が、
【数4】
【数5】 により、検出できる。また、トラッキングエラー信号T
E2は、図9(b)に示すようにして、
【数6】 により検出することができる。
【0030】また、前記受発光部40も、上述した受発
光部30と同様に構成されているが、その発光素子であ
る半導体レーザ素子43は、受発光部30の半導体レー
ザ素子33とは異なる波長の光ビームを出射するように
構成されている。即ち、受発光部30の半導体レーザ素
子33は、例えば高密度光ディスク再生用として650
nmの波長の光を出射すると共に、受発光部40の半導
体レーザ素子43は、例えばCDや反射率の異なるCD
−R等の光ディスク再生用として780nmの波長の光
を出射するようになっている。
【0031】ここで、受発光素子21は、組立の際に
は、以下のようにして組み立てられる。即ち、図5に示
されているように、先づ半導体基板31上に組み立てら
れた受発光部30が、パッケージ24の底面付近にて接
着剤により接合される。そして、この受発光部30の接
点部(図示せず)が、ワイヤボンディング25によっ
て、パッケージ24の下部に設けられた接点部(図示せ
ず)に接続されることにより、受発光部30の配線作業
が行なわれる。その後、パッケージ24内の中段位置に
て、上記受発光部30に干渉しないように、金属,セラ
ミック,ガラス等から成る板部材26が接着剤等により
取り付けられる。かくして、この板部材26上に、半導
体基板41上に組み立てられた受発光部40が接着剤に
より接合される。そして、この受発光部40の接点部
(図示せず)が、ワイヤボンディング27によって、パ
ッケージ24の中段付近に設けられた接点部(図示せ
ず)に接続されることにより、受発光部40の配線作業
が行なわれる。最後に、パッケージ24の上端の開口部
が、カバー28により閉じられ、封止されることによ
り、受発光素子21が完成する。
【0032】本実施形態による光学ピックアップ13
は、以上のように構成されており、先づ高密度光ディス
クD1の再生を行なう場合について説明する。この場
合、受発光素子21の下方の受発光部30の半導体レー
ザ素子33が発光することになる。これにより、受発光
素子21の受発光部30からの650nmの波長の光ビ
ームは、波長選択性絞り22を透過し、対物レンズ23
を介して、光ディスクD1の信号記録面に合焦される。
【0033】この際、波長選択性絞り22は、650n
mの波長の光ビームに作用せず、光ビームは、波長選択
性絞り22をそのまま透過する。この場合、対物レンズ
23自体が、高密度光ディスク等のディスク基板厚が比
較的薄い光ディスク用に球面収差が補正されているの
で、光ビームは、光ディスクD1の信号記録面に正しく
結像することになる。光ディスクD1からの戻り光は、
再び対物レンズ23及び波長選択性絞り22を介して、
受発光素子21の受発光部30に進入し、その光検出器
35,36に入射する。これにより、光検出器35,3
6からの検出信号に基づいて、光ディスクD1に関する
再生信号RF1,フォーカスエラー信号FE1及びトラ
ッキングエラー信号TE1が検出され、光ディスクD1
の記録信号が正しく再生されることになる。
【0034】次に、例えばCDやCD−R等の光ディス
クD2を再生する場合には、受発光素子21の受発光部
40の半導体レーザ素子43が発光することになる。こ
れにより、受発光素子21の受発光部40からの780
nmの波長の光ビームは、波長選択性絞り22及び対物
レンズ23を介して、光ディスクD2に合焦する。この
際、受発光素子21の受発光部40からの780nmの
波長の光ビームは、波長選択性絞り22の作用を受け
て、開口が制限されることにより、NAが小さくされ
る。これにより、光ディスクD1に対して球面収差が補
正された対物レンズ23の球面収差が、この波長選択性
絞り22による開口の制限によって、光ディスクD2に
対して球面収差が補正されることになる。従って、光ビ
ームは、光ディスクD2の信号記録面に正しく結像する
ことになる。光ディスクD2からの戻り光は、再び対物
レンズ23及び波長選択性絞り22を介して、受発光素
子21の受発光部40に進入し、その光検出器45,4
6に入射する。これにより、光検出器45,46からの
検出信号に基づいて、光ディスクD2に関する再生信号
RF2,フォーカスエラー信号FE2及びトラッキング
エラー信号TE2が検出され、光ディスクD2の記録信
号が正しく再生されることになる。
【0035】したがって、本実施形態では、何れの種類
の光ディスクの場合にも、その種類に対応した種類の光
ビームを出射する受発光部の発光素子からの光ビームを
使用して、再生が行なわれるので、二つの種類の光ディ
スクの再生が正確に行われることになると共に、二つの
種類の光ディスクの再生のために、それぞれ対応する受
発光素子が設けられており、対物レンズが共通で使用さ
れることから、部品点数が少なく、コストが低減される
ことから、光学ピックアップそして光ディスク装置が全
体として小型且つ軽量に構成されることになる。さら
に、各受発光部は、それぞれ水平な所定方向に光ビーム
を出射するように構成されているので、各受発光部から
の光ビームが、他方の受発光部に対して干渉するような
ことはない。
【0036】図11は、本発明による受発光素子の第二
の実施形態を示している。図11において、受発光素子
50は、図3乃至図5に示した受発光素子21と同様
に、二つの受発光部を互いに重ねて構成されているが、
二つの受発光部は同じ構成であることから、図面には一
方の受発光部のみが示されている。
【0037】図11において、受発光部51は、第一の
半導体基板52上に第二の半導体基板53が載置され、
第二の半導体基板53上に発光素子としての半導体レー
ザ素子54が搭載されている。半導体レーザ素子54の
前方の第一の半導体基板52上には、半導体レーザ素子
54側に45度の傾斜角の傾斜面(光路分岐面)を有し
た台形形状のプリズム55が配設されており、この光路
分岐面55aには、ビームスプリッタとしての半透過膜
(図示せず)が形成されている。また、プリズム55
は、その上面に、全反射膜(図示せず)が形成されてお
り、その下面に、半透過膜(図示せず)が形成されてい
る。プリズム55は、半導体レーザ素子54から出射し
た光ビームを、その光路分岐面55aにより上方に反射
させる。
【0038】さらに、プリズム55の上には、光路折曲
げ部材としての第二のプリズム56が載置され、透明樹
脂接着剤等により接合されている。この第二のプリズム
56は、上記プリズム55と同じ構成であると共に、上
下反転して配置されており、プリズム55に対向して4
5度の傾斜角の反射面56aを備えている。これによ
り、第二のプリズム56は、プリズム55の光路分岐面
55aで上方に向かって反射された光ビームを、その反
射面56aにより、基板52の表面と平行な水平方向に
反射させる。
【0039】そして、この受発光部51から出射された
光ビームは、例えば対物レンズにより光ディスクの信号
記録面に収束合焦される。光ディスクにより反射された
戻り光ビームは、再び対物レンズを介して受発光素子5
0の受発光部51のプリズム56の反射面56aで反射
された後、プリズム55の光路分岐面55aからプリズ
ム55内に入射し、プリズム55の底面及び上面で順次
に反射されることにより、このプリズム55の底面の二
ヶ所で、プリズム55の下方に出射するようになってい
る。そして、第一の半導体基板52の上面には、プリズ
ム55の底面の二ヶ所から出射した光を受光する位置
に、光検出器57,58が形成されている。光検出器5
7,58は、図6に示した受発光部30と同様に、その
中央付近において縦方向に平行に延びる三本の分割ライ
ンによって、それぞれ4つの受光部に分割されており、
光ディスクで読み取った情報信号を検出するとともに、
各受光部からの検出信号に基づいて、フォーカスエラー
信号及びトラッキングエラー信号が検出されるようにな
っている。
【0040】ところで、他方の受発光部も、上述した一
方の受発光部51と同様に構成されていると共に、その
発光素子としての半導体レーザ素子は、受発光部51の
半導体レーザ素子54と異なる波長の光ビームを出射す
るように構成されている。一方の受発光部51の半導体
レーザ素子54は、例えば高密度光ディスク再生用とし
て650nmの波長の光を出射すると共に、他方の受発
光部の半導体レーザ素子は、例えばCDや反射率の異な
るCD−R等の光ディスク再生用として780nmの波
長の光を出射するようになっている。
【0041】このような構成の受発光素子50によれ
ば、図3乃至図5に示した受発光素子21と同様に、二
つの受発光部のうち、一方の受発光部51の半導体レー
ザ素子54が駆動されることにより、第一の波長の光ビ
ームが出射され、また他方の受発光部の半導体レーザ素
子が駆動されることにより、第二の波長の光ビームが出
射されることになる。したがって、この受発光素子50
も第一の実施形態と同様な作用効果を発揮することがで
きる。そして、この場合、受発光素子50の各受発光部
51は、図15に示した従来の受発光素子3に対して、
第二のプリズム56を追加するだけで、容易に構成され
ることになる。尚、上述した実施形態においては、プリ
ズム55により上方に向かって出射する光ビームを水平
方向に導くための光路折曲げ部材として、台形状の第二
のプリズム56を使用しているが、これに限らず、光ビ
ームの光路を折曲げるものであれば、他の光学要素、例
えば三角プリズムや反射鏡等も使用されることは明らか
である。
【0042】図12及び図13は、本発明による受発光
素子の第三の実施形態を示している。図12及び図13
において、受発光素子60は、図3乃至図5に示した受
発光素子21とほぼ同様の構成であるが、上方の受発光
部40が上下反転して構成されている点でのみ異なる構
成になっている。この場合、受発光素子60は、組立の
際には、以下のようにして組み立てられる。即ち、図1
3を参照して、先づ半導体基板31上に組み立てられた
受発光部30が、パッケージ24の底面付近にて接着剤
により接合される。そして、この受発光部30の接点部
(図示せず)が、ワイヤボンディング25によって、パ
ッケージ24の下部に設けられた接点部(図示せず)に
接続されることにより、受発光部30の配線作業が行な
われる。その後、金属,セラミック,ガラス等から成る
板部材29に対して、半導体基板41上に組み立てられ
た受発光部40が接着剤により接合される。そして、こ
の受発光部40の接点部(図示せず)が、ワイヤボンデ
ィング27によって、板部材29の表面に形成された接
点部(図示せず)に接続される。そして、この板部材2
9が、上下反転した状態で、パッケージ24の上端付近
に導電性接着剤29aにより取り付けられる。この際、
板部材29の表面に形成された電極部が、パッケージ2
4に形成された電極部に接触することにより、受発光部
40のパッケージ24に対する配線作業が行なわれる。
最後に、パッケージ24の上端の開口部が、カバー28
により閉じられ、封止されることにより、受発光素子6
0が完成する。
【0043】したがって、受発光素子60も第一の実施
形態と同様な作用効果を発揮するとともに、このような
構成の受発光素子60によれば、図3乃至図5に示した
受発光素子21と同様に作用すると共に、上方の受発光
部40が上下反転していることから、受発光部30,4
0の発光点の間隔が、図3乃至図5に示した受発光素子
21に比較して、より小さくなり、二つの受発光部3
0,40からの光ビームの光軸ずれが少なくなる。
【0044】上記実施形態においては、光ディスクとし
て、CDと高密度光ディスクの場合について説明した
が、これに限らず、他の種類の光ディスクを記録または
再生する場合にも、本発明を適用できることは明らかで
ある。
【0045】また、上述した実施形態においては、一方
の受発光部30,51は、例えば650nmの波長の光
ビームを出射し、他方の受発光部40は、例えば780
nmの波長の光ビームを出射するように構成されている
が、これに限らず、例えば双方の受発光素子が同じ波長
で且つ強度の異なる光ビームを出射するように構成され
ていても良い。例えば光学ピックアップ13において、
一方の受発光部30が780nmの波長であって、読取
り用の低出力低ノイズの光を出射する半導体レーザ素子
33を備えており、他方の受発光部40が780nmの
波長であって、書込み用の高効率高出力の光を出射する
半導体レーザ素子43を備えていてもよい。この場合、
例えば光磁気ディスクの記録時及び再生時に、光ビーム
を出射する受発光部30または40を切換え使用するこ
とにより、最適な強度の光ビームを使用することが可能
となると共に、各受発光部30,40の半導体レーザ素
子33,43がそれぞれ読取り専用,書込み専用として
設計されるので、性能に優れ且つ低コストの受発光素子
21が得られることになる。
【0046】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、小
型軽量に且つ低コストで構成されると共に、例えば波長
や強度等の異なる二種類の光ディスクの記録再生が正し
く行われるようにした、受発光素子と、これを使用した
光学ピックアップ及び光ディスク装置を提供することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による受発光素子を備えた光学ピックア
ップを組み込んだ光ディスク装置の構成を示すブロック
図である。
【図2】図1の光ディスク装置における光学ピックアッ
プの構成を示す概略側面図である。
【図3】図2の光学ピックアップにおける受発光素子の
第一の実施形態を示す概略斜視図である。
【図4】図3の受発光素子の構成を示す概略側面図であ
る。
【図5】図3の受発光素子の構成を示す概略正面図であ
る。
【図6】図3の受発光素子を構成する受発光部の構成を
示す拡大側面図である。
【図7】図6の受発光部の概略斜視図である。
【図8】図6の受発光部における光検出器の平面図であ
る。
【図9】図6の受光部の他の構成例を示す図であり、
(a)平面図(b)電気的構成図である。
【図10】図6の受発光部におけるプリズムの概略側面
図である。
【図11】本発明による受発光素子の第二の実施形態を
構成する受発光部の拡大側面図である。
【図12】本発明による受発光素子の第三の実施形態を
示す概略側面図である。
【図13】図12の受発光素子を示す概略正面図であ
る。
【図14】従来の二波長光学ピックアップの一例を示す
概略側面図である。
【図15】図14の二波長光学ピックアップにおける第
一の光学ピックアップの受発光素子の構成を示す拡大側
面図である。
【図16】図15の受発光素子の概略斜視図である。
【図17】図15の受発光素子の光検出器の構成を示す
平面図である。
【符号の説明】
10・・・光ディスク装置、11・・・光ディスク、1
2・・・スピンドルモータ、13・・・光学ピックアッ
プ、14・・・光ディスクドライブコントロータ、15
・・・信号復調器、16・・・誤り訂正回路、17・・
・インターフェイス、18・・・ヘッドアクセス制御
部、19・・・サーボ回路、21,50,60・・・受
発光素子、22・・・波長選択性絞り、23・・・対物
レンズ、24・・・パッケージ、25,27・・・ワイ
ヤボンディング、26,29・・・板部材、28・・・
カバー、30,40・・・受発光部、31,41,52
・・・第一の半導体基板、32,42,53・・・第二
の半導体基板、33,43,54・・・半導体レーザ素
子(発光素子)、34,44,55・・・プリズム、3
5,36,45,46,57,58・・・光検出器(受
光素子)、56・・・第二のプリズム(光路折曲げ手
段)。

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 互いに複数段に重ねて配設された二以上
    の受発光部を含んでおり、 各受発光部が、 第一の半導体基板上に形成された受光素子と、 前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板
    上に形成された発光素子と、 この発光素子から出射する光ビームを、上記第二の半導
    体基板の表面と平行する水平な所定方向に導くと共に、
    当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く
    光分岐手段とを備えており、 各受発光部の発光素子が、互いに異なる種類の光ビーム
    を出射する構成としたことを特徴とする受発光素子。
  2. 【請求項2】 各受発光部の発光素子が、互いに異なる
    波長の光ビームを出射することを特徴とする請求項1に
    記載の受発光素子。
  3. 【請求項3】 各受発光部の発光素子が、同じ波長帯で
    且つ強度の異なる光ビームを出射することを特徴とする
    請求項1に記載の受発光素子。
  4. 【請求項4】 上記光分岐手段が、各受発光部の発光素
    子からの光ビームを透過させると共に、当該所定方向か
    らの戻り光ビームを反射させる光分離膜を備えたビーム
    スプリッタであることを特徴とする請求項1に記載の受
    発光素子。
  5. 【請求項5】 上記光分岐手段が、 互いに平行な二面を有し、この二面と交差するように、
    各発光素子から出射された光ビームが入射する光路分岐
    面に形成された光ビームを分岐する光分離膜を有する、
    プリズムと、 このプリズムの上方に配設され、光路分岐面で反射され
    た光ビームを水平な所定方向に導くと共に、当該所定方
    向からの光ビームを上記プリズムの光路分岐面に導く光
    路折曲げ部材とを備えていることを特徴とする請求項1
    に記載の受発光素子。
  6. 【請求項6】 受発光素子と、 上記受発光素子の発光素子から出射された光ビームを光
    ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ
    光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを上記受発
    光素子の受光素子に入射させる光集束手段とを含んでお
    り、 上記受発光素子が、 互いに複数段に重ねて配設された二以上の受発光部を含
    んでおり、 各受発光部が、 第一の半導体基板上に形成された受光素子と、 前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板
    上に形成された発光素子と、 この発光素子から出射する光ビームを、上記第二の半導
    体基板の表面と平行する水平な所定方向に導くと共に、
    当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く
    光分岐手段とを備えており、 各受発光部の発光素子が、互いに異なる種類の光ビーム
    を出射する構成としたことを特徴とする光学ピックアッ
    プ。
  7. 【請求項7】 光ディスクを回転駆動する駆動手段と、 光ディスクに対して光集束手段を介して光を照射し、光
    ディスクからの信号記録面からの戻り光を検出する光学
    ピックアップと、 光集束手段を二軸方向に移動可能に支持する二軸アクチ
    ュエータと、 光学ピックアップからの検出信号に基づいて、再生信号
    を生成する信号処理回路と、 光学ピックアップからの検出信号に基づいて、対物レン
    ズを二軸方向に移動させるサーボ回路とを含んでおり、 上記光学ピックアップが、受発光素子と、 上記受発光素子の発光素子から出射された光ビームを光
    ディスクの信号記録面上に合焦するように照射し、且つ
    光ディスクの信号記録面からの戻り光ビームを上記受発
    光素子の受光素子に入射させる光集束手段とを含んでお
    り、 上記受発光素子が、 互いに複数段に重ねて配設された二以上の受発光部を含
    んでおり、 各受発光部が、 第一の半導体基板上に形成された受光素子と、 前記第一の半導体基板上に搭載された第二の半導体基板
    上に形成された発光素子と、 この発光素子から出射する光ビームを、上記第二の半導
    体基板の表面と平行する水平な所定方向に導くと共に、
    当該所定方向からの戻り光ビームを前記受光素子に導く
    光分岐手段とを備えており、 各受発光部の発光素子が、互いに異なる種類の光ビーム
    を出射する構成としたことを特徴とする光ディスク装
    置。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001291267A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光ピックアップ装置
US7457206B2 (en) 2005-02-28 2008-11-25 Hitachi, Ltd. Optical head, optical information storage apparatus, and their fabrication method

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JP2001291267A (ja) * 2000-04-06 2001-10-19 Sankyo Seiki Mfg Co Ltd 光ピックアップ装置
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