JPH10337658A - 機械化学的研磨装置用の基板検出機構を有するキャリヤヘッド - Google Patents
機械化学的研磨装置用の基板検出機構を有するキャリヤヘッドInfo
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- JPH10337658A JPH10337658A JP14302598A JP14302598A JPH10337658A JP H10337658 A JPH10337658 A JP H10337658A JP 14302598 A JP14302598 A JP 14302598A JP 14302598 A JP14302598 A JP 14302598A JP H10337658 A JPH10337658 A JP H10337658A
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Abstract
でき、装置がスラリによる汚染に対してキャリヤヘッド
の内部を暴露することなく操作できるCMP装置を提供
する。 【解決手段】 機械化学的研磨装置用キャリヤヘッドは
基板検知機構を含む。キャリヤヘッドはベースと、ベー
スに連結されてチャンバを画成する可撓部材とを含む。
可撓部材の下面は基板受入面を提供する。基板検知機構
は、チャンバの圧力を測定してそれを表す出力信号を発
生させるセンサと、出力信号に応じて、基板が基板受入
面に取り付けられているか否かを示すように構成された
プロセッサとを含む。
Description
機械化学的研磨に関し、より詳細には機械化学的研磨装
置のキャリヤヘッド内の基板の存在を検出するための方
法と装置に関する。
は絶縁層の順次堆積によって、基板、特にシリコンウェ
ーハ上に形成される。各層が堆積された後、その層はエ
ッチングされて回路特徴部(feature)が形成される。
一連の層が順次に堆積、エッチングされるにつれて、基
板の外面又は最上面、すなわち基板の露出面は次第に非
平面状になる。従って、基板表面は、実質的に平面状の
層表面を提供するために定期的に平担化される。
担化の一方法である。この平担化方法は通常、基板をキ
ャリヤ又は研磨パッドに取り付ける必要がある。次に、
基板の露出面を回転研磨パッドに接触させる。キャリヤ
は制御可能な荷重、すなわち圧力を基板に与えて、基板
を研磨パッドに押し付ける。更に、キャリヤを回転させ
て、基板の表面全体に相対速度を分布させてもよい。研
磨材と少なくとも一つの化学反応剤とを含む研磨スラリ
を研磨パッド上に散布して、パッドと基板の間の境界面
に研磨性化学溶液を供給することもできる。
研磨パッドから取り外すために、キャリヤヘッドが使用
される。基板はキャリヤヘッドの下側に真空チャックさ
れる。キャリヤヘッドが後退すると、基板が持ち上げら
れて研磨パッドから外される。
一つの問題は、基板がキャリヤヘッドによって持ち上げ
られない場合があることである。例えば、基板を研磨パ
ッドに拘束する表面張力が、基板をキャリヤヘッドに拘
束する力よりも大きい場合は、キャリヤヘッドが後退し
ても基板は研磨パッド上に残るだろう。また、不良基板
が研磨中に破壊した場合は、キャリヤヘッドは破壊した
基板を研磨パッドから取り外せないかもしれない。
は、キャリヤヘッドへの基板の取付けが失敗して、基板
がキャリヤヘッドから離脱する恐れがあることである。
これは、例えば基板が、真空チャックとの組合せではな
く、表面張力だけでキャリヤヘッドに取り付けられた場
合に発生するだろう。
最早、基板を装着していないことが分からないかもしれ
ない。CMP装置は、基板がキャリヤヘッドに最早存在
しなくなっても動作を継続する。これはスループットを
減少させるだろう。更に、遊動基板(loose substrate)
、すなわちキャリヤヘッドに取り付けられていない基
板は、CMP装置の可動部品にあちこち突き当たって、
基板や研磨パッドを破損したり、他の基板を損傷させる
ような破片を残すかもしれない。
リヤヘッド内に存在するか否かを決定するのが難しいこ
とである。基板はキャリヤヘッドの下に配置されている
ので、基板がキャリヤヘッド内に存在して正しく取り付
けられているか否かを目視点検で判断するのは困難であ
る。更に、光学的検出技術は、スラリの存在によって妨
害される。
ースを含む。ベースは、基板受入面として働く底面を有
している。多数のチャネルがベースを貫通して基板受入
面まで延びている。ポンプ又は真空源が真空をチャネル
に供給できるようになっている。空気がチャネルから排
気されると、基板はキャリヤヘッドの底面に真空チャッ
クされる。キャリヤヘッドのチャネルと真空源との間の
圧力ラインに圧力センサを接続してもよい。基板がキャ
リヤヘッドの下側にうまく真空チャックされなかった場
合は、チャネルが開いて、空気その他の流体がチャネル
内に漏洩する。他方、基板がキャリヤヘッドの下側にう
まく真空チャックされた場合は、チャネルはシールされ
て空気はチャネル内に漏洩しない。従って、圧力センサ
は、基板がキャリヤヘッドの下側にうまく真空チャック
されると、基板がキャリヤヘッドに正しく取り付けられ
ないときに比べて、より高い真空、すなわちより低い圧
力を測定することになる。
在を検出するこの方法にはいくつもの問題がある。腐食
性のスラリがチャネル内に吸い込まれて、キャリヤヘッ
ドを汚染するかもしれない。更に、基板が研磨パッドか
ら持ち上げられたか否かを判断するための限界圧力を、
実験的に決めなければならない。
確実に検知できるCMP装置を提供することが有益だろ
う。また、上記装置が、スラリによる汚染に対してキャ
リヤヘッドの内部を暴露することなく操作できれば有益
であろう。
械化学的研磨装置用キャリヤヘッドに向けられる。キャ
リヤヘッドは、ベースと、ベースに連結されてチャンバ
を画成する可撓部材とを含む。可撓部材の下面は基板受
入面を提供する。基板受入面とチャンバの間に、可撓部
材の開口部が存在している。
開口部は、基板が基板受入面に取り付けられた場合に基
板が開口部を塞ぐように構成してもよい。流体がチャン
バに強制供給されるかそこから排出され且つ基板が基板
受入面に取り付けられている場合に、チャンバ圧力は、
基板が基板受入面に取り付けられていなければ生じるで
あろう第2圧力とは異なる第1圧力に到達する。キャリ
ヤヘッドは、チャンバに接続された真空源、チャンバの
圧力を測定してそれを表す出力信号を発生させるセン
サ、及びその出力信号に応じて、基板が基板受入面に取
り付けられているか否かを示すように構成されたプロセ
ッサ、を含むアセンブリの一部でもよい。プロセッサ
は、チャンバの圧力が限界圧力より大きい場合は基板が
基板受入面に取り付けられていることを示すように構成
してもよい。
ベースに連結されてチャンバを画成する可撓部材、チャ
ンバを環境大気に接続するベース内の第1通路、及びチ
ャンバを駆動シャフト内の通路に接続するベース内の第
2通路を含む。可撓部材の下面は基板受入面を提供す
る。
は、流体がチャンバから減圧排出され且つ基板が基板受
入面に取り付けられていない場合に、可撓部材が内方に
撓んで第2通路を塞ぐことによって、第2通路の圧力が
基板が基板受入面に取り付けられていなければ生じるで
あろう第2圧力より低い第1圧力に低下するように配置
してもよい。キャリヤヘッドは、流体が第1通路を介し
てチャンバから流出しないように第1通路内に逆止弁を
含んでもよい。キャリヤヘッドは、第1通路を横切る機
械的に作動可能なバルブを含んでもよく、バルブは、流
体がチャンバから減圧排出され且つ基板が基板受入面に
取り付けられていない場合に、可撓部材が内方に撓んで
バルブを作動させるように構成される。
ス、ベースに連結されて第1チャンバを画成する可撓部
材、ベース内の第2チャンバ、及び第1チャンバと第2
チャンバ間の通路を横切るバルブを含む。第1可撓部材
の下面は基板受入面を提供する。
は、流体がチャンバから減圧排出され且つ基板が基板受
入面に取り付けられていない場合に、可撓部材が撓んで
バルブを作動させることによって、第2チャンバの圧力
が基板が基板受入面に取り付けられていれば生じるであ
ろう第2圧力と異なる、例えばそれより低い第1圧力に
達するように構成してもよい。第2可撓部材は第2チャ
ンバを画成してもよい。第2可撓部材は第1可撓部材の
上に配置され、第1可撓部材の上向きの動きが第2可撓
部材に力を作用させる。第2チャンバを加圧するために
圧力源を第2チャンバに接続してもよい。圧力センサ
は、第1時点と第2時点で第2チャンバの圧力を測定し
てそれらを表す出力信号を発生させ、その出力信号に応
じて、基板がキャリヤヘッドに取り付けられているか否
かを示すようにプロセッサを構成してもよい。第2バル
ブが圧力源を第2チャンバから隔離してもよい。
結されて第1チャンバを画成する第1可撓部材、ベース
に連結されて第2チャンバを画成している第2可撓部
材、及びチャンバをドライブシャフト内の通路に接続し
ているベース内の通路、を含むキャリヤヘッドに向けら
れている。第1可撓部材は第2可撓部材に力を作用させ
る。ベース内の通路は、流体がチャンバから減圧排出さ
れ且つ基板が基板受入面に取り付けられていない場合
に、可撓部材が内方に撓んで第2通路を塞ぐことによっ
て、第2可撓部材に対する第1の力は基板が基板受入面
に取り付けられていれば生じるであろう第2の力とは異
なるように配置される。
は、基板が存在するか、キャリヤヘッドに正しく取り付
けられているかを検出するためのセンサを含む。キャリ
ヤヘッドの内部はスラリに暴露されない。センサは、基
板が真空によらずに表面張力によってキャリヤヘッド上
に保持されるか否かを検出できる。
請求項を含む下記の説明から明らかになる。
学的研磨(CMP)装置20によって一つ以上の基板1
0が研磨される。CMP装置20の完全な説明は、係属
中の Perlov他による米国特許出願第08/549,336号明細
書、1995年10月27日出願、発明の名称「機械化
学的研磨用の連続処理装置」(本発明の譲受人に譲渡さ
れたもの)に記載されており、その内容は全体として本
明細書に援用されている。
23が取り付けられた下部マシンベース22と、取り外
し可能な上部外側カバー(図示せず)とを含む。テーブ
ルトップ23は一連の研磨ステーション25a、25
b、25c及び移送ステーション27を支持している。
移送ステーション27は、3つの研磨ステーション25
a、25b、25cと共にほぼ正方形の配置を形成して
もよい。移送ステーション27は、ローディング装置
(図示せず)からの個々の基板10の受取り、基板の洗
浄、キャリヤヘッドへの基板のローディング(以下に説
明)、キャリヤヘッドからの基板の受取り、基板の再洗
浄、及び最後に、ローディング装置への基板の戻し、と
いった多数の機能を果たしている。
に研磨パッド32が置かれる回転可能なプラテン30を
含む。基板10が直径8インチ(200mm)の円板の
場合は、プラテン30と研磨パッド32の直径は約20
インチになる。プラテン30は、プラテン駆動シャフト
(図示せず)によってプラテン駆動モータ(これも図示
せず)に連結された回転可能プレートでもよい。大抵の
研磨プロセスでは、駆動モータはプラテン30を約30
〜200rpmで回転させるが、それより低いか高い回
転速度を使用してもよい。
に関連パッド調整装置40を含む。各パッド調整装置4
0は、独立して回転する調整ヘッド44と、関連洗浄容
器46とを保持する回転可能アームを有する。調整装置
は、研磨パッドがその回転中にパッドに押し付けられた
基板を効果的に研磨するように研磨パッドの状態を維持
している。
水)、研磨粒子(例えば、酸化物研磨用の二酸化珪
素)、及び化学反応性触媒(例えば、酸化物研磨用の水
酸化カリウム)を含むスラリ50が、スラリ/リンス兼
用アームによって研磨パッド32の表面に供給される。
研磨パッド32全体を覆って湿らせるだけの充分なスラ
リが供給される。スラリ/リンスアーム52は各種スプ
レーノズル(図示せず)を含み、このノズルが、各研磨
サイクルと調整サイクルの終わりに、研磨パッド32の
高圧リンスを可能にする。
55bを、隣接する研磨ステーション25a、25b、
25cの間に配置してもよい。洗浄ステーションは、基
板が研磨ステーションからステーションへと通過する間
に基板をリンスする。
el)60が、下部マシンベース22の上方に配置されて
いる。カラセル60はセンターポスト62で支持され、
そのポストを中心として、ベース22内に配置されたカ
ラセルモータアセンブリによってカラセル軸64周りに
回転する。センターポスト62はカラセル支持プレート
66とカバー68とを支持している。マルチヘッドカラ
セル60は、4つのキャリヤヘッド装置70a、70
b、70c、70dを含む。キャリヤヘッド装置のうち
3つが基板を受け取って保持し、それらを研磨ステーシ
ョン25a〜25cのプラテン30上の研磨パッド32
に押し付けて研磨する。キャリヤヘッド装置のうちの1
つは、移送ステーション27から基板を受け取ると共
に、そのステーションに基板を引き渡す。
は、カラセル軸64の周りに等角度間隔で、カラセル支
持プレート66に取り付けられている。センターポスト
62によって、カラセルモータはカラセル支持プレート
66を回転させると共に、キャリヤヘッド装置70a〜
70dと、それらに取り付けられた基板とをカラセル軸
64の周りに旋回させることができる。
研磨又はキャリヤヘッド100を含む。各キャリヤヘッ
ド100は、それ自体の軸のまわりに独立に回転し、カ
ラセル支持プレート66に形成された半径方向スロット
72内で独立に横方向に揺動する。キャリヤ駆動シャフ
ト74は、キャリヤヘッド回転モータ76をキャリヤヘ
ッド100(カバー68の1/4を取り外して図示)に
連結している。各ヘッド毎に一つずつのキャリヤ駆動シ
ャフトとモータが設けられている。
ている)について説明すると、カラセル支持プレート6
6は、4つのキャリヤヘッド装置70a〜70dを支持
している。カラセル支持プレートは、通常は半径方向に
90゜の間隔で延びる4つの半径方向スロット72を含
む。半径方向スロット72は閉鎖端(図示)でも、開放
端でもよい。支持プレートの上面は、4つの溝付キャリ
ヤヘッド支持スライド80を支持している。各スライド
80は、半径方向スロット72の一つに沿って配置され
て、カラセル支持プレート66に対して半径方向経路に
沿って自由に移動する。2つのリニアベアリングアセン
ブリが、各半径方向スロット72に取り付けられて各ス
ライド80を支持している。
ングアセンブリは、カラセル支持プレート66に固定さ
れたレール82と、レールを掴むためにスライド80に
固定された2つのハンド83(その内の一つだけを図3
に示す)とを含む。2つのベアリング84が各ハンド8
3をレール82から分離して、それらの間の自由で円滑
な動きを提供する。かくして、リニアベアリングアセン
ブリによって、スライド80は半径方向スロット72に
沿って自由に移動できる。
アリングストッパ85は、スライド80が偶発的にレー
ルの端から外れないようにする。各スライド80のアー
ムの一方はスライドの末端近くに固定された、図示され
ないねじ付受容キャビティ又はナットを含む。ねじ付キ
ャビティ又はナットは、カラセル支持プレート66に取
り付けられたスライド式半径方向揺動モータ87によっ
て駆動されるウォームギヤの親ねじ86を受け入れる。
モータ87が親ねじ86を回転させると、スライド80
が半径方向に移動する。4つのモータ87は独立して作
動可能で、カラセル支持プレート66の半径方向スロッ
ト72に沿って4つのスライドを独立して移動させる。
れぞれキャリヤヘッド100、キャリヤ駆動シャフト7
4、キャリヤモータ76、及び囲み用非回転シャフトハ
ウジング78を含み、4つのスライドのそれぞれに固定
されている。駆動シャフトハウジング78は、ペアーセ
ットの下部リングベアリング88と1セットの上部リン
グベアリング89とによって、駆動シャフトを保持す
る。
3本以上の流体ライン92a、92b、92cを、駆動
シャフト74内の3本以上のチャネル94a、94b、
94cにそれぞれ接続している。3つの真空又は圧力
源、例えばポンプ、ベンチュリ、圧力調整器等(以下、
集合的に単に「ポンプ」と呼ぶ)93a、93b、93
cを、流体ライン92a、92b、92cにそれぞれ接
続してもよい。3個の圧力センサ又は圧力計96a、9
6b、96cを、流体ライン92a、92b、92cに
それぞれ接続してもよい。調整可能バルブ98a、98
b、98cを、圧力計96a、96b、96cとポンプ
93a、93b、93cの間の流体ラインを横切ってそ
れぞれ接続してもよい。ポンプ93a〜93c、圧力計
96a〜96c、及びバルブ98a〜98cを汎用ディ
ジタルコンピュータ99に適切に接続してもよい。コン
ピュータ99がポンプ93a〜93cを作動させて、以
下に更に詳しく説明するように、キャリヤヘッド100
を空気圧駆動して、基板をキャリヤヘッドの底部に真空
チャックすることもできる。更に、コンピュータ99は
バルブ98a〜98cを作動させると共に圧力計96a
〜96cをモニタして、以下に更に詳しく説明するよう
に、キャリヤヘッド内の基板の存在を検知することもで
きる。下記のキャリヤヘッドの様々な実施形態では、ポ
ンプは同一流体ラインに接続されているが、ポンプの目
的と機能は変化する場合がある。
3つ、例えばキャリヤヘッド装置70a〜70cのキャ
リヤヘッドが、それぞれの研磨ステーション25a〜2
5cの上方に配置される。キャリヤヘッド100が基板
を降下させて研磨パッド32と接触させ、スラリ50は
基板又はウェーハの機械化学的研磨用媒体として働く。
磨パッドに接して保持して、力を基板の裏面全体に均等
に分配する。キャリヤヘッドは駆動シャフトから基板に
トルクも伝達して、研磨中に基板がキャリヤヘッドの下
から脱落しないようにする。
100はハウジング102、ベース104、ジンバル機
構106、負荷機構(loading mechanism) 108、保持
リング110、及び基板バッキングアセンブリ112を
含む。類似のキャリヤヘッドの更に詳細な説明は、係属
中のZuniga他による米国特許出願第08/745,670号明細
書、1996年11月8日出願、発明の名称「機械化学
的研磨装置用の可撓膜を持つキャリヤヘッド」(本発明
の譲受人に譲渡されている)に記載され、その内容は全
体として本明細書に援用されている。
結され、研磨パッドの表面に実質上垂直な回転軸107
を中心として、駆動シャフトと共に回転する。負荷機構
108はハウジング102とベース104の間に配置さ
れて、荷重すなわち下向圧力をベース104に加える。
研磨パッド32に対するベース104の垂直方向位置も
負荷機構108によって制御される。ベース104と基
板バッキングアセンブリ112の間に配置されたチャン
バ290の加圧が、ベースへの上向の力と、基板バッキ
ングアセンブリへの下向きの力を発生させる。基板バッ
キングアセンブリへの下向の力が基板を研磨パッドに押
し付ける。
構造114、支持構造114とベース104の間に連結
された屈曲部(flexure) 116、及び支持構造114に
連結された可撓膜(flexible membrane) 118を含む。
可撓膜118は支持構造114の下に延びて、基板用の
取付け面274を提供している。これらの各要素につい
て以下に更に詳しく説明する。
い形状に対応するように、形がほぼ円形である。ハウジ
ングは、環状ハウジングプレート120と、ほぼ円筒形
のハウジングハブ122とを含む。ハウジングハブ12
2は上部ハブ部分124と下部ハブ部分126とを含ん
でもよい。下部ハブ部分の直径は、上部ハブ部分の直径
より小さいであろう。ハウジングプレート120は下部
ハブ部分126を囲み、上部ハブ部分122にボルト1
28によって固定されている。
ハウジングプレート120の上面123に取り付けても
よい。以下に説明するように、クッションは、ベース1
04の下向の移動を制限するソフトストッパとして働
く。
置されたほぼリング状の物体である。ベース104の下
面150は環状凹部154を含む。通路156がベース
104の上面152を環状凹部154に接続してもよ
い。取付け具174を通路152に挿入してもよく、可
撓チューブ(図示せず)により、取付け具133を取付
け具174に接続してもよい。ベース104は、アルミ
ニウム、ステンレス鋼、又はFRP等の硬質材料で形成
してもよい。
に取り付けてよい。ブラダ160は膜162とクランプ
リング166とを含んでもよい。膜162は、突出端1
64を有するシリコンゴム等の可撓材料の薄い環状シー
トでよい。クランプリング166は、T形断面を有しウ
イング167を含む環状の物体でよい。等角度間隔の複
数のタップ穴がクランプリングの上面に配置されてい
る。穴は、クランプリングをベースに固定するためのボ
ルト又はねじを保持する。ブラダ160を組み立てるに
は、膜162の突出端164をクランプリング166の
ウイング167の上に嵌める。アセンブリ全体が環状凹
所154内に配置される。クランプリング166はねじ
168(図4には図示されないが、1本を図6(A)の
断面図の左側に示す)によってベース104に固定され
る。クランプリング166はベース104に対して膜1
62をシールして容積170を画成する。垂直通路17
2はクランプリング166を貫通して延びて、ベース1
04内の通路152に整合される。Oリング178を使
って通路156と通路172の間の接続部をシールして
もよい。
92b、回転継手90、駆動シャフト74内のチャネル
94b、ハウジング102内の通路132、可撓チュー
ブ(図示せず)、ベース104内の通路152、及びク
ランプリング166内の通路172を介して、ブラダ1
60に接続してもよい。ポンプ93bが流体、例えば空
気等の気体を容積170内に強制供給すると、ブラダ1
60は下方に膨張する。他方、ポンプ93bが体積17
0から流体を減圧排出すると、ブラダ160は収縮す
る。以下に説明するように、ブラダ160を使用して、
支持構造114と可撓膜118とに下向圧力を加えるこ
とができる。
ドの表面と実質的に平行を維持するように、ハウジング
102に関してベース104が動くようにする。ジンバ
ル機構106はジンバルロッド180と屈曲リング (fl
exure ring) 182とを含む。ジンバルロッド180の
上端は、円筒形ブッシング142を貫通する通路188
に嵌まる。ジンバルロッド188の下端は環状フランジ
184を含み、例えばねじ187によって屈曲リング1
82の内側部分に固定される。屈曲リング182の外側
部分は、例えばねじ185(図4には図示されないが、
1本を図6(A)の断面図の左側に示す)によってベー
ス104に固定される。ジンバルロッド180は、ベー
ス104がハウジング102に対して垂直方向に動ける
ように、通路188に沿って垂直にスライドできる。し
かしながら、ジンバルロッド180は、ハウジング10
2に対するベースの横方向の動きをすべて阻止する。
ド180の中心軸に沿って形成された垂直通路196を
含んでもよい。通路196はハウジングハブ122の上
面134をチャンバ290に接続する。Oリング198
をブッシュ142の凹部にセットして、ジンバルロッド
180とブッシュ142間のシールを提供してもよい。
垂直方向位置は負荷機構108によって制御される。負
荷機構はハウジング102とベース104の間に配置さ
れたチャンバ200を含む。チャンバ200は、ハウジ
ング102に対してベース104をシールすることによ
って形成される。シールはダイヤフラム202、内部ク
ランプリング204、及び外部クランプリング206を
含む。厚さ60milのシリコンシートで形成されたダ
イヤフラム202は、ほぼリング状で、平らな中央セク
ションと突出端とを有する。
ヤフラム202をハウジング102にシールする。内部
クランプリング204は、ベース104に、例えばボル
ト218によって固定され、ダイヤフラム202の内部
端をハウジング102に対してしっかり保持する。
ヤフラム202をベース104にシールする。外部クラ
ンプリング206はベース104に、例えばボルト(図
示せず)によって固定され、ダイヤフラム202の外部
端をベース104の上面に対して保持する。かくして、
ハウジング102とベース104の間の空間がシールさ
れて、チャンバ200が形成される。
92a、回転継手90、駆動シャフト74内のチャネル
94a、及びハウジング102内の通路130を介し
て、チャンバ200に接続してもよい。流体、例えば空
気等の気体がポンプでチャンバ200に供給されると共
にチャンバから排出されて、ベース104に加わる荷重
を制御する。ポンプ93aが流体をチャンバ200に供
給すると、チャンバの容積が増加してベース104は下
方に押される。他方、ポンプ93aが流体をチャンバ2
00から排出すると、チャンバ200の体積が減少して
ベース104は上方に引き上げられる。
102の上に延びる内方突出フランジ216を含む。チ
ャンバ200が加圧されてベース104が下方に動く
と、外部クランプリング206の内方突出フランジ21
6がクッション121に当接して、キャリヤヘッドの伸
び過ぎを防止する。内方突出フランジ216はシールド
としても役立ち、スラリがキャリヤヘッド内のダイヤフ
ラム202等のコンポーネントを汚染しないようにす
る。
に固定してもよい。保持リング110は、実質的に平ら
な底面230を有するほぼ環状のリングである。流体が
チャンバ200に供給されてベース104が下向きに押
されると、保持リング110も下向きに押されて荷重を
研磨パッド32に加える。保持リング110の内面23
2は、可撓膜118の取付け面274に関連して、基板
受入凹部234を画成する。保持リング110は、基板
が受入凹部から外れることを防ぎ、基板からベースへ横
方向荷重を伝達する。
チック又はセラミック材料から製作してもよい。保持リ
ング110を、例えばボルト240(この断面図では一
つだけ示す)によってベース104に固定してもよい。
104の下に配置される。基板バッキングアセンブリ1
12は、支持構造114、屈曲部116、及び可撓膜1
18を含む。可撓膜118は支持構造114に連結され
ると共にその下に延びる。
環状下部クランプ280、及び環状上部クランプ282
を含む。支持プレート250はほぼ円板状の硬質部材で
よい。支持プレート250はほぼ平面状の下面256を
有し、その外縁部に下方突出リップ258を持つ。複数
の開口部260が支持プレート250の中を垂直に延び
て、下面256を上面254に連絡する。環状溝262
を、支持プレートの縁の近くの上面254に形成しても
よい。支持プレート250はアルミニウム又はステンレ
ス鋼で形成される。
撓性の弾性材料で形成された円形シートである。膜11
8は突出外端部270を有してもよい。膜118の部分
272は、リップ258の位置で支持リング250の下
部コーナーを回り、支持プレートの外側円筒面268の
まわりを上方に延びると共に上面254に沿って内方に
延びている。膜118の突出端270を溝262に嵌め
てもよい。可撓膜118の端部は、下部クランプ280
と支持リング250の間にクランプされる。小開口部又
は複数の開口部を膜118のほぼ中央部に形成してもよ
い。開口部は直径約1〜10ミリメートルで、下記のよ
うに、基板の存在を検知するために使用される。
る。屈曲部116は垂直方向に撓みやすく、半径方向と
接線方向には可撓性でも、硬質部材でもよい。屈曲部1
16の材料は、ショアAスケールで30とショアDスケ
ールで70との間のデュロメータ硬度を持つように選択
される。屈曲部116の材料はネオプレン等のゴム、N
YLON(商標)やNOMEX(商標) 等の弾性体被
覆繊維(elastomeric-coated fabric) 、プラスチック、
又はガラス繊維等の複合材料でよい。
16、ベース104、及びジンバル機構106の間の空
間がチャンバ290を画成している。ジンバルロッド1
80を貫通する通路196は、チャンバ290をハウジ
ング102の上面に連絡している。ポンプ93c(図3
参照)を、流体ライン92c、回転継手90、駆動シャ
フト74内のチャネル94c、及びジンバルロッド18
0内の通路196を介して、チャンバ290に接続して
もよい。ポンプ93cが流体、例えば空気等の気体をチ
ャンバ290内に強制供給すると、チャンバの容積が増
加して、可撓膜118は下方に押し下げられる。他方、
ポンプ93cが流体チャンバ290から空気を減圧排気
すると、チャンバの容積は減少して膜が上方に押し上げ
られる。気体の方が圧縮性が大きいので、液体よりもむ
しろ気体を使用する方が有利である。
供する。研磨中、基板10は、その裏面が取付け面に接
触した状態で、基板受入凹部234内に配置される。基
板の端部は可撓膜118を介して支持リング114の盛
上ったリップ258に接触してもよい。
よって、可撓膜118の中央部が内方に曲げられてリッ
プ258の上に引っ張られる。基板の裏面が取付け面2
74に接して配置された場合は、リップ258の上の可
撓膜の延長部が基板と可撓膜の間で低圧ポケット278
を作り出す(図5(A)と図6(A)参照)。この低圧
ポケットが基板をキャリヤヘッドに真空チャックする。
置は下記のように動作されるであろう。基板10は、そ
の裏面を可撓膜118の取付け面274に当接させた状
態で、基板受入凹部234にローディングされる。ポン
プ93bが流体をブラダ160に供給する。これによっ
て、ブラダ160が膨張して支持構造114を下方に押
し下げる。支持構造114の下向きの動きによってリッ
プ258が可撓膜118の端部を基板10の端部に押し
付け、基板の端部で流体密のシールを作り出す。次にポ
ンプ93cがチャンバ290を減圧排出して、先に記載
したように、可撓膜118と基板10の裏面の間に低圧
ポケットを作り出す。最後に、ポンプ93aが流体をチ
ャンバ200から排出して、ベース104と基板バッキ
ングアセンブリ112を持ち上げ、基板10を研磨パッ
ドから離すか、移送ステーションから取り外す。カラセ
ル60は次に、例えばキャリヤヘッドを研磨ステーショ
ンまで回転させる。ポンプ93aは次に流体をチャンバ
200に強制供給して、基板10を研磨パッドの上に降
ろす。ポンプ93bは、ブラダ160が最早、支持構造
114と可撓膜118とに下向圧力を加えないように、
容積170を減圧排気する。最後に、ポンプ93cは気
体をチャンバ290に供給して、研磨ステップのために
基板10に下向の荷重を加える。
ッド100に正しく取り付けられているか否かを検出で
きる。CMP装置が基板は存在しないかキャリヤヘッド
に正しく取り付けられていない旨検出した場合は、オペ
レータは警告を受け、研磨作業が自動的に停止される。
板をうまくチャックしたか否かを次のように検知する。
ポンプ93cがチャンバ290を減圧排気して可撓膜1
18と基板10の裏面の間に低圧ポケット278を作り
出した後、圧力計96cを使ってチャンバ290の圧力
を測定する。
290の圧力は最初Pa1である。次に、ポンプ93cは
Ta0の時点でチャンバ290の減圧排気を開始する。一
方、基板がキャリヤヘッドに正しく取り付けられている
場合は、基板10が開口部276を塞いで、ポンプ93
aはチャンバ290をうまく減圧排気する。従って、チ
ャンバ290の圧力は圧力Pa2に低下する。基板が存在
しないかキャリヤヘッドに正しく取り付けられていない
場合は、開口部276が塞がれないので、周囲大気から
の空気がチャンバ290内に漏洩する。従って、ポンプ
93cはチャンバ290の完全な減圧排気ができないの
で、チャンバ290の圧力は圧力Pa2よりも大きな圧力
Pa3までしか低下しない。圧力Pa1、Pa2、Pa3の正確
な値は、ポンプ93cの効率と開口部276及びチャン
バ290のサイズに左右され、実験的に決定される。圧
力計96cは、ポンプが作動した後のTa1の時点でライ
ン92c、従ってチャンバ290の圧力を測定する。コ
ンピュータ99のプログラムを、圧力計96cで測定し
た圧力と、圧力Pa2、Pa3の間にある限界圧力PaTとを
比較するように作成してもよい。適切な限界圧力PaTは
実験的に決定される。圧力計96cで測定した圧力が限
界圧力PaTより低い場合は、基板がキャリヤヘッドにチ
ャックされて研磨プロセスが進行できるものと想定され
る。他方、圧力計96cで測定した圧力が限界圧力PaT
より高い場合は、基板が存在しないかキャリヤヘッドに
適切に取り付けられていないことを示す。
別の実施形態では、機能や動作が修正された要素を1と
又は2つのダッシュの付いた(primed)参照番号を使っ
て示す。更に、下記の実施形態では、圧力センサ96a
〜96cは流体ライン92a〜92cにそれぞれ接続さ
れたままだが、圧力センサの目的や機能は変化する場合
がある。
ヘッド100’の可撓膜118’は開口部を含まない。
その代わりキャリヤヘッド100’は、チャンバ290
と環境大気の間にベント300を含む。
成された通路302、ベース104’に形成された通路
304、及び外部クランプリング206’に形成された
通路306を含む。ベント300は、チャンバ290か
らの流体の流出を防ぐための逆止弁308を含んでもよ
い。逆止弁308がベース104’と外部クランプリン
グ206’の間に配置される。研磨の間、ポンプ93c
がチャンバ290を加圧すると、通路304の空気圧力
が逆止弁308を閉じる。これによって、確実にチャン
バ290の圧力が一定に維持される。
口ポート322の下に位置する大きな中央開口部320
を含んでもよい。以下に説明するように、可撓膜11
8’が開口部320によって上方に撓んで入口ポート3
22を閉じる。更に、スペーサ(図示せず)を屈曲リン
グ182の底面に取り付けてもよい。スペーサは支持プ
レート250と屈曲リング182の間の直接の接触を防
止して、流体が通路302から入口ポート322に流れ
るための隙間を提供する。
装置は、基板がキャリヤヘッドにうまくチャックされた
か否かを次のように検知する。基板は、その裏面が取付
け面274に接触するように、基板受入凹部234にロ
ーディングされる。ポンプ93cはチャンバ290を減
圧排気して、可撓膜118’と基板10の間に低圧ポケ
ット278を作り出す。圧力計96cはチャンバ290
の圧力を測定して、基板がキャリヤヘッドにうまく真空
チャックされたか否かを決定する。
空チャックされた場合は、可撓膜118’は低圧ポケッ
トによって基板10にごく接近した状態に保たれる。従
って、ポンプ93cがチャンバ290を減圧排気しよう
とすると、空気はベント300を介してチャンバ290
に流入する。図5(B)に示すように、基板が存在しな
いかキャリヤヘッドに正しく取り付けられていない場合
は、膜118’は、開口部320の中を撓んで、ジンバ
ルロッド180の下面324に接して引っ張られて通路
196の入口ポート322を閉じる。
290の圧力は最初Pb1である。ポンプ93cはTb0の
時点でチャンバ290の減圧排気を開始する。基板がキ
ャリヤヘッドに正しく取り付けられている場合は、圧力
計96cで測定された圧力は圧力Pb1からPb2 に低下
する。基板が存在しないかキャリヤヘッドに不適切に取
り付けられている場合は、圧力計96cで測定された圧
力は圧力Pb1からPb3に低下する。空気は、基板が存在
する場合は、ベント300を介してチャンバ290内に
漏洩するので、圧力Pb2はPb3より大きくなる。
93cの作動後のTb1の時点で圧力計96cで測定した
圧力と限界圧力PaTとを比較するように、作成してもよ
い。圧力計96cで測定された圧力が限界圧力PbTより
大きい場合は、基板がキャリヤヘッドにチャックされて
研磨プロセスが正常に継続できるものと想定される。他
方、圧力計96cで測定した圧力が限界圧力PbTより小
さい場合は、これは基板が存在しないかキャリヤヘッド
に正しく取り付けられていないことを示す。圧力Pb1、
Pb2、Pb3、PbTはポンプ93cの効率、チャンバ29
0の寸法と形状、及びベント300の寸法と形状に依存
し、実験的に決定される。
ためには、膜118’は入口ポート322を塞ぐだけ充
分に撓む必要がある。膜118’の撓みは、開口部32
0の直径、膜118’の撓みに必要な距離、膜118’
の弾性係数と厚さ、及びチャンバ290の真空レベルに
依存する。開口部320は、直径約1.25インチ、支
持プレート250の底面256と屈曲リング182の底
面間の距離は約120〜140mil、膜118’は、
1/32インチの厚さと、ショアAスケールで約40〜
45のデュロメータ硬度を有し、チャンバ290の真空
レベルは開口部が塞がれたときは水銀柱約22〜24イ
ンチ(inHg)、開口部が塞がれていないときは約1
0〜15inHgでよい。
ヘッド100’を含むCMP装置を作動する別の方法で
は、基板がキャリヤヘッドにうまくチャックされたか否
かを決定するために、容積170の圧力が測定される。
この代替方法を使用する場合は、キャリヤヘッド10
0’はベント300を必要としない。容積170の圧力
は最初Pc1であって、バルブ98bは、容積170を圧
力調整器93bからシールするために閉じている。ポン
プ93cがチャンバ290を減圧排気して可撓膜118
と基板10の裏面間に低圧ポケット278を作り出した
後、圧力計96bを使って容積170の圧力を測定す
る。ポンプ93cがチャンバ290を減圧排気すると、
支持構造114は上方に引き上げられる。これによっ
て、環状上部リング282が膜162を上方に押し上げ
て、ブラダ160の容積を縮小させる。
く取り付けられている場合は、容積170の圧力はPc2
に上昇する。他方、基板が存在しないかキャリヤヘッド
に不適切に取り付けられている場合は、膜118’は開
口部320の中を撓んで、通路196の入口ポート32
2を閉じる。従って、一部の流体がチャンバ290に捕
捉されるので、チャンバ290はそれ程低い圧力に達し
ない。支持構造114はそれ程上方に引き上げられない
ので、ブラダはそれ程圧縮されず、圧力計96bで測定
された圧力はPc2より低いPc3までしか上昇しない。圧
力計96bで測定された圧力が限界圧力PcTより大きい
場合は、基板がキャリヤヘッドにチャックされていて研
磨プロセスは正常に継続できるものと想定される。他
方、圧力計96bで測定された圧力が限界圧力PcTより
小さい場合は、基板が存在しないかキャリヤヘッドに正
しく取り付けられていないことを示す。
形態では、機械作動バルブ350がチャンバ290と容
積170の間に配置される。バルブ350は、取付け具
174とブラダ160間の通路156”を横切って形成
されたチャンバ366内に少なくとも部分的に配置され
る。バルブ350はバルブステム352とバルブプレス
プレート356とを含む。バルブステム352は、屈曲
リング182”内の、チャンバ366とチャンバ290
間の開口部354とを通って延びている。バルブプレス
プレート356はバルブステム352の下端に連結され
て、屈曲リング182”の下面360の浅い凹所358
にはまっている。3つのチャネル362(図6(A)の
断面図では一つだけを示す)が開口部354とバルブス
テム352を囲んで屈曲リング182”内に形成され
て、チャンバ290をチャンバ366に連絡する。バル
ブ350は、屈曲リング182”の上のチャンバ366
内に配置された環状フランジ364を含んでもよい。環
状フランジ364と屈曲リング182”間のバルブステ
ム352の周りにOリング368を配置してもよい。更
に、スプリング370を環状フランジ364とチャンバ
366の天井372間に配置してもよい。スプリング3
70は、バルブ350が閉じるようにバルブステム35
2を下向きに偏倚する。更に詳細には、Oリング368
は、環状フランジ364と屈曲リング182”間で圧縮
されてチャネル362をチャンバ366からシールする
ので、チャンバ366をチャンバ290から隔離する。
しかしながら、バルブステム352が上方に押し上げら
れると(図6(B)に示す)、Oリング368は最早圧
縮されないので、流体がOリングのまわりで漏洩するだ
ろう。従って、バルブ350が開いて、チャンバ366
とチャンバ290はチャネル362を介して流体的に連
通することになる。
レート356の直下に位置するほぼ円形の開口部374
を含んでもよい。以下に説明するように、可撓膜11
8”が開口部374の中を上方に撓んでバルブ350を
開く。
は、基板がキャリヤヘッドにうまく真空チャックされた
か否かを次のように検知する。基板は、その裏面が取付
け面274に接するように、基板受入凹部234内に配
置される。ポンプ93bはブラダ160を膨張させて、
可撓膜118”と基板10の間にシールを形成する。次
に、バルブ98bが閉じてブラダ160をポンプ93b
から絶縁する。容積170の圧力の第1測定が圧力計9
6bによって行なわれる。ポンプ93cはチャンバ29
0を減圧排気して、可撓膜と基板の間に低圧ポケット2
78を作り出す。次に、容積170の圧力の第2測定が
圧力計96bによって行なわれる。第1と第2の圧力測
定を比較して、基板がキャリヤヘッドにうまく真空チャ
ックされたか否かを決定する。
空チャックされた場合は、可撓膜118”は低圧ポケッ
ト278によって基板10にごく接近した状態に保た
れ、バルブ350はその閉位置のままである。他方、図
6(B)に示すように、基板が存在しないかキャリヤヘ
ッドに不適切に取り付けられている場合は、チャンバ2
90が減圧排気されると可撓膜118”は上方に撓む。
かくして、可撓膜がバルブプレスプレート356に接触
してバルブ350を開くので、チャンバ290をチャン
バ366に流体的に連絡する。これが、チャンバ290
を通る、容積170からの流体の抜き取りと、ポンプ9
3cによる減圧排気とを許す。
0の圧力は最初Pd1である。第1の圧力測定は、ポンプ
93cがチャンバ290の減圧排気を開始する前のTd1
の時点で行なわれる。チャンバ290がTd1の時点で減
圧排気されると、支持構造114は上方に引き上げられ
る。これによって、環状上部リング282が膜162を
上方に押し上げる。これがブラダ160の容積を縮小さ
せる。第2の圧力測定はチャンバ290が減圧排気され
た後のTd2の時点で行なわれる。
じたままなので、ブラダの容積の縮小が、圧力計96b
でPd1と測定された容積170の圧力を増加させる。他
方、基板が存在しない場合は、バルブ350が開いて流
体は容積170から排出されるので、圧力計93bで測
定された圧力はPd3に低下する。従って、第2測定圧力
が第1測定圧力より大きい場合は基板はキャリヤヘッド
によってうまくチャックされているが、第2測定圧力が
第1測定圧力より小さい場合は基板はキャリヤヘッドに
よってうまくチャックされていない。
圧力測定値を記憶してその値を比較し、それによって基
板がキャリヤヘッドにうまく真空チャックされたか否か
を決定するように、作成してもよい。
には、膜118”は、バルブ350を作動させるだけ充
分に撓む必要がある。キャリヤヘッド100’に関して
検討した要因に加えて、バルブ350を作動させるため
の膜118”の能力は、バルブプレスプレート356の
直径と、バルブステム352に対するスプリング370
の下向荷重とに依存する。開口部374は直径約1.0
〜1.5インチ、スプリング370は約2〜3ポンドの
下向荷重を加え、バルブプレスプレート356は支持プ
レート250の底面256の間の距離で、屈曲リング1
82の底面は約80〜100mil、チャンバ290の
真空レベルは約10〜15inHgでよい。
ヘッド100”を含むCMP装置を運転する別の方法で
は、ポンプ93cがチャンバ290を減圧排気すると
き、バルブ98bは開いたままである。容積170の圧
力は最初Pe1である。第1の圧力測定は、ポンプ93c
がチャンバ290の減圧排気を開始する前のTe1の時点
で行なわれる。第2の圧力測定は、ポンプ93cがチャ
ンバ290の減圧排気を開始した後のTe2の時点で行な
われる。基板が存在する場合は、バルブ350は閉じた
ままで、圧力調整器93bは容積170の圧力をPe1に
維持する。他方、基板が存在しない場合はバルブ350
は開いている。圧力調整器93bは、流体が排出される
と容積170の圧力を維持できなくなって、容積170
の圧力はPe2に低下する。従って、第2測定圧力が第1
測定圧力より小さい場合は、基板はキャリヤヘッドによ
ってうまくチャックされていないが、第2測定圧力が第
1測定圧力に等しい場合は、基板はキャリヤヘッドに正
しく取り付けられている。
を提供する。まず、キャリヤヘッド100”は、大気に
対して漏れや開口部の存在しない密封した装置である。
従って、スラリがキャリヤヘッドの内部を汚染すること
は困難である。更に、キャリヤヘッド100”は、基板
がキャリヤヘッドに真空チャックされたか否かを決定す
る絶対的な方法を提供する。すなわち、容積170の圧
力が増加する場合は、基板がキャリヤヘッドに正しく取
り付けられているのに対して、容積170の圧力が減少
する場合は、基板が存在しないかキャリヤヘッドに正し
く取り付けられていない。限界圧力を決定するために実
験の必要がない。更に、バルブ350はスプリング37
0によって閉じるように付勢されているので、バルブが
開くのは、チャンバ290が真空状態であり且つ基板が
存在しないかキャリヤヘッドに不適切に取り付けられて
いる場合だけである。従って、ウェーハセンサ機構は、
チャンバ290と容積170の圧力又は真空状態のシー
ケンスには敏感でない。
は、機械作動バルブ350が、チャンバ290と周囲大
気間と接続して通路380に配置されている。バルブ3
50はチャンバ366’内に少なくとも部分的に配置さ
れて、通路380を横切って形成され、バルブステム3
52、バルブプレスプレート356、及び環状フランジ
364を含む。バルブ350はその閉位置で、チャンバ
366’をチャンバ290から隔離する。しかしなが
ら、バルブステム352が上方に押し上げられた場合
(図6(B)に示す)は、Oリング368は最早圧縮さ
れず、流体がOリングのまわりで漏洩するだろう。従っ
て、バルブ350が開いて、チャンバ290は通路38
0を介して周囲大気と流体的に連通することになる。
置は、基板がキャリヤヘッドにうまく真空チャックされ
たか否かを次のように検知する。図8(F)について説
明すると、チャンバ290の圧力は最初Pf1である。次
に、ポンプ93cはTf0の時点でチャンバ290の減圧
排気を開始する。基板が存在する場合は、バルブ350
は閉じたままで、圧力計96cで測定されたチャンバ2
90の圧力はPf2に低下する。他方、基板が存在しない
場合はバルブは開いている。従って、ポンプ93cはチ
ャンバ290を完全には減圧排気できないので、チャン
バ290の圧力はPf2より大きな圧力Pf3までしか低下
しない。コンピュータ99のプログラムを、圧力計96
cで測定された圧力と、圧力Pf2とPf3の間の限界圧力
PfTとを比較することによって、基板が存在してキャリ
ヤヘッド正しく取り付けられているか否かを決定するよ
うに、作成してもよい。
ッドが基板をうまくチャックしたか否かを検出できる。
更に、いずれの実施形態でも、圧力計を使ってキャリヤ
ヘッド内の基板の存在を連続的にモニタできる。圧力計
96cや96bが、例えば基板を研磨ステーション間又
は研磨ステーションと移送ステーション間で運搬中にチ
ャンバ290や容積170の圧力の変化を検出した場合
は、基板がキャリヤヘッドから離脱していることを示
す。この状況では、作業は中止されて問題が修正され
る。
に基板がキャリヤヘッドから外れることである。例え
ば、保持リングが偶発的に研磨パッドから持ち上がった
場合は、研磨パッドからの摩擦力は基板をキャリヤヘッ
ドの下から引き離す。
置は、研磨中、基板がキャリヤヘッドの真下に正しく位
置するか否かを検知できる。キャリヤヘッド100がこ
のように使用される場合は、可撓膜118の外周近くに
いくつもの開口部278を配置すると有利である。ポン
プ93cがチャンバ290を加圧して基板10に荷重を
加えると、圧力計96cを使ってチャンバ290の圧力
が測定される。図8(G)について説明すると、チャン
バ290の圧力は最初Pg1である。基板がキャリヤヘッ
ドの真下に正しく配置される場合は、基板が開口部27
8を塞ぐので、チャンバ290の圧力は一定のままであ
る。しかしながら、基板が外れた場合は開口部278が
塞がれないので、チャンバ290からの流体は開口部を
通って環境大気に漏洩する。従って、チャンバ290の
圧力はPg2に低下する。
説明した。しかしながら、本発明は、図示した或いは説
明した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範
囲は添付の特許請求項によって定義される。
ハウジングは取り外されている図である。
であり、一部はCMP装置に使用される圧力調整器の概
略図である。
キャリヤヘッドの断面略図である。
有するキャリヤヘッドの断面略図であり、(B)は、基
板が取り付けられていない状態の(A)のキャリヤヘッ
ドの図である。
接続するバルブを有するキャリヤヘッドの断面略図であ
り、(B)は、基板が取り付けられていない状態の
(A)のキャリヤヘッドの図である。
バルブを有するキャリヤヘッドの断面略図である。
ったCMP装置における時間の関数としての圧力を示す
グラフであり、(B)と(C)は、図5(A)のキャリ
ヤヘッドを使ったCMP装置における時間の関数として
の圧力を示すグラフであり、(D)と(E)は、図6
(A)のキャリヤヘッドを使ったCMP装置における時
間の関数としての圧力を示すグラフであり、(F)は、
図7のキャリヤヘッドを使ったCMP装置における時間
の関数としての圧力を示すグラフである。
ス、60…カラセル、70a,70b,70c ,70d…
キャリヤヘッド装置、92a,92b,92c…流体ラ
イン、94a,94b,94c…チャネル、100…キ
ャリヤヘッド、96a,96b,96c…圧力計、98
a,98b,98c…バルブ、118…可撓膜、182
…屈曲リング、278…低圧ポケット、290…チャン
バ。
Claims (28)
- 【請求項1】 ベースと、 下面が基板受入面を提供している、前記ベースに連結さ
れてチャンバを画成する可撓部材と、 前記基板受入面と前記チャンバとの間の、前記可撓部材
の開口部と、を備える機械化学的研磨装置用キャリヤヘ
ッド。 - 【請求項2】 前記開口部が、基板が前記基板受入面に
取り付けられている場合に、前記基板によって前記開口
部が塞がれるように構成されている請求項1に記載のキ
ャリヤヘッド。 - 【請求項3】 流体が前記チャンバから減圧排気され且
つ基板が前記基板受入面に取り付けられている場合に、
前記チャンバの圧力が前記基板が前記基板受入面に取り
付けられていなければ生じるであろう第2圧力より小さ
い第1圧力まで低下する請求項2に記載のキャリヤヘッ
ド。 - 【請求項4】 流体が前記チャンバに強制供給され且つ
基板が前記基板受入面に取り付けられている場合に、前
記チャンバの圧力が前記基板が前記基板受入面に取り付
けられていなければ生じるであろう第2圧力より大きい
第1圧力まで上昇する請求項2に記載のキャリヤヘッ
ド。 - 【請求項5】 前記開口部の直径が約1〜10ミリメー
トルの間である請求項1に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項6】 前記開口部が前記基板受入面のほぼ中心
部に配置された請求項1に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項7】 前記開口部が前記基板受入面の外周近傍
に配置された請求項1に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項8】 ベース、前記ベースに連結されてチャン
バを画成する可撓部材、基板受入面を提供する前記可撓
部材の下面、及び前記基板受入面と前記チャンバの間の
前記可撓部材内の開口部を含むキャリヤヘッドであっ
て、前記開口部は、流体が前記チャンバから減圧排気さ
れ且つ基板が前記基板受入面に取り付けられている場合
に、前記基板によって前記開口部が塞がれることによっ
て、前記チャンバの圧力は前記基板が前記基板受入面に
取り付けられていなければ生じるであろう第2圧力より
小さい第1圧力まで低下するように構成されたキャリヤ
ヘッドと、 前記チャンバに接続されて前記チャンバから流体を減圧
排気する真空源と、 前記チャンバの圧力を測定して該圧力を表す出力信号を
発生させるセンサと、 前記出力信号に応じて、前記基板が前記基板受入面に取
り付けられているか否かを示すように構成されたプロセ
ッサと、を備えた機械化学的研磨装置用アセンブリ。 - 【請求項9】 前記プロセッサが、前記チャンバの圧力
が限界圧力より大きい場合に前記基板が前記基板受入面
に取り付けられていることを示すように構成されている
請求項8に記載のアセンブリ。 - 【請求項10】 ベースと、 前記ベースに連結されてチャンバを画成する可撓部材で
あって、前記可撓部材の下面が基板受入面を提供してい
る可撓部材と、 前記チャンバを環境大気に接続している前記ベース内の
第1通路と、 前記チャンバを駆動シャフト内の通路に接続している前
記ベース内の第2通路と、を備えた機械化学的研磨装置
用キャリヤヘッド。 - 【請求項11】 前記第2通路が、流体が前記チャンバ
から減圧排気され且つ基板が前記受入面に取り付けられ
ていない場合に、前記可撓部材が内方に撓んで前記第2
通路を塞ぐことによって、前記第2通路の圧力が前記基
板が前記基板受入面に取り付けられていれば生じるであ
ろう第2圧力より小さい第1圧力まで低下するように配
置されている請求項10に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項12】 前記第1通路を通る前記チャンバから
の流体の流出を防ぐための、前記第1通路内の逆止弁を
更に備えた請求項10に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項13】 前記第1通路を横切る機械作動バルブ
を更に備え、前記バルブは、流体が前記チャンバから減
圧排気され且つ基板が前記基板受入面に取り付けられて
いない場合に、前記可撓部材が内方に撓んで前記バルブ
を作動させるように構成された請求項10に記載のキャ
リヤヘッド。 - 【請求項14】 屈曲部によって前記ベースに連結され
た複数の開口部を含む支持プレートを更に備え、前記可
撓部材が前記開口部の一つの中を内方に撓んで前記第2
通路を塞ぐようになっている請求項10に記載のキャリ
ヤヘッド。 - 【請求項15】 ベース、前記ベースに連結されてチャ
ンバを画成する可撓部材、基板受入面を提供する前記可
撓部材の下面、前記チャンバを環境大気に接続している
前記ベース内の第1通路、及び前記チャンバを駆動シャ
フト内の通路に接続している前記ベース内の第2通路、
を含むキャリヤヘッドであって、前記第1と第2の通路
は、流体が前記チャンバから減圧排気され且つ基板が前
記基板受入面に取り付けられていない場合に、前記可撓
部材が内方に撓んで前記第2通路を塞ぐことによって、
前記第2通路の圧力は前記基板が前記基板受入面に取り
付けられていれば生じるであろう第2圧力より小さい第
1圧力まで低下するように配置さたキャリヤヘッドと、 前記チャンバに接続されて前記チャンバから流体を減圧
排気する真空源と、 前記第2通路の圧力を測定してそれを表す出力信号を発
生させるセンサと、 前記出力信号に応じて、前記基板が前記基板受入面に取
り付けられているか否かを示すように構成されたプロセ
ッサと、を備えた機械化学的研磨装置用アセンブリ。 - 【請求項16】 前記プロセッサが、前記第2通路の圧
力が限界圧力より小さい場合に、前記基板が前記キャリ
ヤヘッドに取り付けられていないことを示すように構成
された請求項15に記載のアセンブリ。 - 【請求項17】 ベースと、 下面が基板受入面を提供している、前記ベースに連結さ
れて第1チャンバを画成する第1可撓部材と、 前記ベース内の第2チャンバと、 前記第1チャンバと前記第2チャンバの間の通路を横切
るバルブと、を備えた機械化学的研磨装置用キャリヤヘ
ッド。 - 【請求項18】 前記バルブが、流体が前記第1チャン
バから減圧排気され且つ基板が前記受入面に取り付けら
れていない場合に、前記可撓部材が撓んで前記バルブを
作動させることによって、前記第2チャンバの圧力は前
記基板が前記基板受入面に取り付けられていれば生じる
であろう第2圧力とは異なる第1圧力に達するように構
成された請求項17に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項19】 前記第1圧力が前記第2圧力より小さ
い請求項17に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項20】 前記第2チャンバが、前記第1可撓部
材の上に配置された第2可撓部材によって画成されてい
る請求項17に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項21】 前記第1可撓部材の上向きの動きが前
記第2可撓部材に対して力を作用させた請求項20に記
載のキャリヤヘッド。 - 【請求項22】 前記バルブが、前記バルブを閉じるよ
うに偏倚するスプリングを含む請求項17に記載のキャ
リヤヘッド。 - 【請求項23】 前記バルブが、前記バルブを開くよう
に作動可能な、前記ベースの下に配置された圧力プレー
トを含む請求項17に記載のキャリヤヘッド。 - 【請求項24】 ベース、前記ベースに連結されて第1
チャンバを画成する第1可撓部材、基板受入面を提供す
る前記第1可撓部材の下面、前記ベースに連結されて第
2チャンバを画成する第2可撓部材、及び前記第1チャ
ンバを前記第2チャンバに接続するバルブ、を含むキャ
リヤヘッドであって、前記バルブが、流体が前記第1チ
ャンバから減圧排気され且つ基板が前記基板受入面に取
り付けられていない場合に、前記可撓部材が撓んで前記
バルブを作動させることによって、前記第2チャンバの
圧力は前記基板が前記基板受入面に取り付けられていれ
ば生じるであろう第2圧力より小さい第1圧力に達する
ように構成されたキャリヤヘッドと、 前記第1チャンバに接続されて前記第1チャンバを減圧
排気する真空源と、 前記第2チャンバに接続されて前記第2チャンバを加圧
する圧力源と、 前記第2チャンバの圧力を第1時点と第2時点で測定し
てそれらを表す出力信号を発生させる圧力センサと、 前記出力信号に応じて、前記第1圧力が前記第2圧力よ
い小さいか否かを決定することによって前記基板が前記
キャリヤヘッドに取り付けられているか否かを示すよう
に構成されたプロセッサと、を備える機械化学的研磨装
置用アセンブリ。 - 【請求項25】 第1時点で測定される圧力は前記第1
チャンバの減圧排気に先立って測定され、第2時点で測
定される圧力は前記第1チャンバの減圧排気の後で測定
される請求項24に記載のアセンブリ。 - 【請求項26】 前記圧力源を前記第2チャンバから隔
離する第2バルブを更に備えた請求項24に記載のアセ
ンブリ。 - 【請求項27】 前記プロセッサは、前記第2圧力が前
記第1圧力より大きい場合に、前記基板が前記キャリヤ
ヘッドに取り付けられていることを示すように構成され
た請求項24に記載のアセンブリ。 - 【請求項28】 ベースと、 下面が基板受入面を提供している、前記ベースに連結さ
れて第1チャンバを画成する第1可撓部材と、 前記第1可撓部材の上向きの動きが力を作用させる、前
記ベースに連結されて第2チャンバを画成している第2
可撓部材と、 前記チャンバを駆動シャフト内の通路に接続している前
記ベース内の通路と、を備え、 前記ベース内の前記通路が、流体が前記チャンバから減
圧排気され且つ基板が前記基板受入面に取り付けられて
いない場合に、前記可撓部材が内方に撓んで前記第2通
路を塞ぐことによって、前記第2可撓部材に対する第1
力が、前記基板が前記基板受入面に取り付けられていれ
ば生じるであろう第2力とは異なるように配置された機
械化学的研磨装置用キャリヤヘッド。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/862,350 US5957751A (en) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US08/862350 | 1997-05-23 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10337658A true JPH10337658A (ja) | 1998-12-22 |
JP3326109B2 JP3326109B2 (ja) | 2002-09-17 |
Family
ID=25338293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14302598A Expired - Lifetime JP3326109B2 (ja) | 1997-05-23 | 1998-05-25 | 機械化学的研磨装置用の基板検出機構を有するキャリヤヘッド |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (6) | US5957751A (ja) |
EP (1) | EP0879678B1 (ja) |
JP (1) | JP3326109B2 (ja) |
KR (1) | KR100366919B1 (ja) |
DE (1) | DE69807780T2 (ja) |
SG (1) | SG71109A1 (ja) |
TW (1) | TW431938B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000323445A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-24 | Applied Materials Inc | 基板センサを有するキャリアヘッド |
JP2000354960A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-12-26 | Applied Materials Inc | 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド |
JP2001244225A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-09-07 | Applied Materials Inc | 基板検出器をもつキャリヤヘッド |
JP2002120150A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-04-23 | Applied Materials Inc | 化学機械ポリッシャ用の改善されたダイヤフラム |
JP2004516644A (ja) * | 2000-07-25 | 2004-06-03 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 可撓性膜を有するマルチチャンバキャリヤヘッド |
KR100636455B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-10-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기계적 연마를 위한 제어가능한 압력 및 부하 영역을갖는 캐리어 헤드 |
KR100757885B1 (ko) * | 2000-05-30 | 2007-09-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 연마장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
KR100876381B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2008-12-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 고정 장치 및 기판 폴리싱 장치 |
JP2012076157A (ja) * | 2010-09-30 | 2012-04-19 | Ebara Corp | 研磨装置および方法 |
Families Citing this family (102)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
JP3705670B2 (ja) | 1997-02-19 | 2005-10-12 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング装置及び方法 |
US5957751A (en) * | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US6191038B1 (en) * | 1997-09-02 | 2001-02-20 | Matsushita Electronics Corporation | Apparatus and method for chemical/mechanical polishing |
DE19755975A1 (de) * | 1997-12-16 | 1999-06-17 | Wolters Peter Werkzeugmasch | Halter für flache Werkstücke, insbesondere Halbleiterwafer |
US6200199B1 (en) * | 1998-03-31 | 2001-03-13 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
JPH11285966A (ja) * | 1998-04-02 | 1999-10-19 | Speedfam-Ipec Co Ltd | キャリア及びcmp装置 |
FR2778129B1 (fr) | 1998-05-04 | 2000-07-21 | St Microelectronics Sa | Disque support de membrane d'une machine de polissage et procede de fonctionnement d'une telle machine |
US6251215B1 (en) | 1998-06-03 | 2001-06-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
US6159079A (en) * | 1998-09-08 | 2000-12-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing a substrate |
US6277014B1 (en) | 1998-10-09 | 2001-08-21 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for chemical mechanical polishing |
US6244942B1 (en) * | 1998-10-09 | 2001-06-12 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and adjustable edge pressure |
US6132298A (en) * | 1998-11-25 | 2000-10-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with edge control for chemical mechanical polishing |
US6136710A (en) * | 1998-10-19 | 2000-10-24 | Chartered Semiconductor Manufacturing, Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved substrate carrier head and method of use |
US6358129B2 (en) * | 1998-11-11 | 2002-03-19 | Micron Technology, Inc. | Backing members and planarizing machines for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies, and methods of making and using such backing members |
US6165058A (en) * | 1998-12-09 | 2000-12-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
US6422927B1 (en) | 1998-12-30 | 2002-07-23 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable pressure and loading area for chemical mechanical polishing |
US6162116A (en) * | 1999-01-23 | 2000-12-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for chemical mechanical polishing |
US6227955B1 (en) * | 1999-04-20 | 2001-05-08 | Micron Technology, Inc. | Carrier heads, planarizing machines and methods for mechanical or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies |
US6431968B1 (en) | 1999-04-22 | 2002-08-13 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a compressible film |
KR100335485B1 (ko) * | 1999-07-02 | 2002-05-04 | 윤종용 | 화학적-기계적 폴리싱 장치 및 방법 |
JP2001018169A (ja) | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Ebara Corp | 研磨装置 |
JP2001018161A (ja) * | 1999-07-07 | 2001-01-23 | Ebara Corp | 研磨装置 |
US6358121B1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-03-19 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane and an edge load ring |
SG86415A1 (en) * | 1999-07-09 | 2002-02-19 | Applied Materials Inc | Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system |
US6776692B1 (en) | 1999-07-09 | 2004-08-17 | Applied Materials Inc. | Closed-loop control of wafer polishing in a chemical mechanical polishing system |
US6855043B1 (en) | 1999-07-09 | 2005-02-15 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a modified flexible membrane |
US6494774B1 (en) | 1999-07-09 | 2002-12-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressure transfer mechanism |
US6241593B1 (en) * | 1999-07-09 | 2001-06-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with pressurizable bladder |
EP1080841A3 (en) * | 1999-09-02 | 2001-07-11 | Mitsubishi Materials Corporation | Carrier head, polishing apparatus using the carrier head, and method for sensing polished surface state |
US6386947B2 (en) | 2000-02-29 | 2002-05-14 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for detecting wafer slipouts |
US6450868B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-09-17 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with multi-part flexible membrane |
US6361419B1 (en) | 2000-03-27 | 2002-03-26 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with controllable edge pressure |
JP2003533359A (ja) * | 2000-05-12 | 2003-11-11 | マルチプレーナーテクノロジーズ インコーポレーテッド | 独立のリテーナリングと多領域圧力制御とを備えた空気圧ダイアフラムヘッドおよび該空気圧ダイアフラムヘッドを用いた方法 |
US6602114B1 (en) * | 2000-05-19 | 2003-08-05 | Applied Materials Inc. | Multilayer retaining ring for chemical mechanical polishing |
US6436832B1 (en) | 2000-05-23 | 2002-08-20 | Applied Materials, Inc | Method to reduce polish initiation time in a polish process |
JP2001334458A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-04 | Ebara Corp | ポリッシング方法 |
US6722965B2 (en) * | 2000-07-11 | 2004-04-20 | Applied Materials Inc. | Carrier head with flexible membranes to provide controllable pressure and loading area |
US7198561B2 (en) * | 2000-07-25 | 2007-04-03 | Applied Materials, Inc. | Flexible membrane for multi-chamber carrier head |
US20040005842A1 (en) * | 2000-07-25 | 2004-01-08 | Chen Hung Chih | Carrier head with flexible membrane |
US6592429B1 (en) * | 2000-07-28 | 2003-07-15 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method and apparatus for controlling wafer uniformity in a chemical mechanical polishing tool using carrier head signatures |
US6471571B2 (en) | 2000-08-23 | 2002-10-29 | Rodel Holdings, Inc. | Substrate supporting carrier pad |
US6527625B1 (en) * | 2000-08-31 | 2003-03-04 | Multi-Planar Technologies, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus and method having a soft backed polishing head |
CN1461251A (zh) | 2000-11-21 | 2003-12-10 | Memc电子材料有限公司 | 半导体晶片,抛光装置和方法 |
US6652362B2 (en) * | 2000-11-23 | 2003-11-25 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Apparatus for polishing a semiconductor wafer and method therefor |
US6544103B1 (en) * | 2000-11-28 | 2003-04-08 | Speedfam-Ipec Corporation | Method to determine optimum geometry of a multizone carrier |
DE10059345A1 (de) * | 2000-11-29 | 2002-06-13 | Infineon Technologies Ag | Halbleitersubstrathalter für chemisch-mechanisches Polieren |
JP3922887B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2007-05-30 | 株式会社荏原製作所 | ドレッサ及びポリッシング装置 |
KR100437456B1 (ko) * | 2001-05-31 | 2004-06-23 | 삼성전자주식회사 | 화학적 기계적 평탄화 기계의 폴리싱 헤드 및 그것을이용한 폴리싱방법 |
US6769973B2 (en) * | 2001-05-31 | 2004-08-03 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Polishing head of chemical mechanical polishing apparatus and polishing method using the same |
KR100470227B1 (ko) * | 2001-06-07 | 2005-02-05 | 두산디앤디 주식회사 | 화학기계적 연마장치의 캐리어 헤드 |
US6568991B2 (en) * | 2001-08-28 | 2003-05-27 | Speedfam-Ipec Corporation | Method and apparatus for sensing a wafer in a carrier |
KR100421445B1 (ko) | 2001-09-28 | 2004-03-09 | 삼성전자주식회사 | 연마 헤드 조립 방법 및 연마 헤드 조립 시의 공기 누설검사장치 |
US6712673B2 (en) | 2001-10-04 | 2004-03-30 | Memc Electronic Materials, Inc. | Polishing apparatus, polishing head and method |
US6739958B2 (en) | 2002-03-19 | 2004-05-25 | Applied Materials Inc. | Carrier head with a vibration reduction feature for a chemical mechanical polishing system |
US20030199112A1 (en) | 2002-03-22 | 2003-10-23 | Applied Materials, Inc. | Copper wiring module control |
JP3920720B2 (ja) * | 2002-03-29 | 2007-05-30 | 株式会社荏原製作所 | 基板受渡し方法、基板受渡し機構及び基板研磨装置 |
TWI238754B (en) * | 2002-11-07 | 2005-09-01 | Ebara Tech Inc | Vertically adjustable chemical mechanical polishing head having a pivot mechanism and method for use thereof |
TWI246952B (en) | 2002-11-22 | 2006-01-11 | Applied Materials Inc | Methods and apparatus for polishing control |
JP2004193289A (ja) * | 2002-12-10 | 2004-07-08 | Ebara Corp | ポリッシング方法 |
US7089782B2 (en) * | 2003-01-09 | 2006-08-15 | Applied Materials, Inc. | Polishing head test station |
US7001245B2 (en) * | 2003-03-07 | 2006-02-21 | Applied Materials Inc. | Substrate carrier with a textured membrane |
JP4718107B2 (ja) * | 2003-05-20 | 2011-07-06 | 株式会社荏原製作所 | 基板保持装置及び研磨装置 |
US6887138B2 (en) * | 2003-06-20 | 2005-05-03 | Freescale Semiconductor, Inc. | Chemical mechanical polish (CMP) conditioning-disk holder |
US6905392B2 (en) * | 2003-06-30 | 2005-06-14 | Freescale Semiconductor, Inc. | Polishing system having a carrier head with substrate presence sensing |
US20050126708A1 (en) * | 2003-12-10 | 2005-06-16 | Applied Materials, Inc. | Retaining ring with slurry transport grooves |
KR100586018B1 (ko) * | 2004-02-09 | 2006-06-01 | 삼성전자주식회사 | 연마 헤드용 플렉서블 멤브레인 및 이를 포함하는 연마 장치 |
US8037896B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Mks Instruments, Inc. | Pressure regulation in remote zones |
US6986359B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-01-17 | Mks Instruments, Inc. | System and method for controlling pressure in remote zones |
US7255771B2 (en) | 2004-03-26 | 2007-08-14 | Applied Materials, Inc. | Multiple zone carrier head with flexible membrane |
JP4583207B2 (ja) * | 2004-03-31 | 2010-11-17 | 不二越機械工業株式会社 | 研磨装置 |
US7201642B2 (en) * | 2004-06-17 | 2007-04-10 | Systems On Silicon Manufacturing Co. Pte. Ltd. | Process for producing improved membranes |
US7101272B2 (en) * | 2005-01-15 | 2006-09-05 | Applied Materials, Inc. | Carrier head for thermal drift compensation |
WO2007018391A1 (en) * | 2005-08-05 | 2007-02-15 | Seung-Hun Bae | Chemical mechanical polishing apparatus |
KR101199149B1 (ko) * | 2006-02-24 | 2012-11-12 | 강준모 | 화학기계적 연마용 캐리어 및 플렉서블 멤브레인 |
US7418982B2 (en) * | 2006-05-17 | 2008-09-02 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Substrate carrier and facility interface and apparatus including same |
US7750657B2 (en) | 2007-03-15 | 2010-07-06 | Applied Materials Inc. | Polishing head testing with movable pedestal |
JP5248127B2 (ja) * | 2008-01-30 | 2013-07-31 | 株式会社荏原製作所 | 研磨方法及び研磨装置 |
CN103252711B (zh) * | 2008-03-25 | 2016-06-29 | 应用材料公司 | 改良的承载头薄膜 |
US8636561B2 (en) * | 2008-08-29 | 2014-01-28 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Polishing head and polishing apparatus |
US20100091094A1 (en) * | 2008-10-14 | 2010-04-15 | Marek Sekowski | Mechanism for Directing a Three-Dimensional Camera System |
US10160093B2 (en) | 2008-12-12 | 2018-12-25 | Applied Materials, Inc. | Carrier head membrane roughness to control polishing rate |
CN101972988B (zh) * | 2010-06-28 | 2012-05-16 | 清华大学 | 一种抛光垫修整头 |
JP6017396B2 (ja) * | 2012-12-18 | 2016-11-02 | 東京エレクトロン株式会社 | 薄膜形成方法および薄膜形成装置 |
KR101387921B1 (ko) * | 2013-01-02 | 2014-04-29 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마 장치의 캐리어 헤드용 멤브레인 및 이를 구비한 캐리어 헤드 |
KR101583816B1 (ko) * | 2013-12-23 | 2016-01-08 | 주식회사 케이씨텍 | 화학 기계적 연마장치용 캐리어 헤드 및 화학 기계적 연마 장치의 제어 방법 |
US9434045B2 (en) * | 2014-05-05 | 2016-09-06 | Macronix International Co., Ltd. | Planarization device and planarization method using the same |
KR102173323B1 (ko) | 2014-06-23 | 2020-11-04 | 삼성전자주식회사 | 캐리어 헤드, 화학적 기계식 연마 장치 및 웨이퍼 연마 방법 |
US9610672B2 (en) * | 2014-06-27 | 2017-04-04 | Applied Materials, Inc. | Configurable pressure design for multizone chemical mechanical planarization polishing head |
SG10201606197XA (en) * | 2015-08-18 | 2017-03-30 | Ebara Corp | Substrate adsorption method, substrate holding apparatus, substrate polishing apparatus, elastic film, substrate adsorption determination method for substrate holding apparatus, and pressure control method for substrate holding apparatus |
US20190061098A1 (en) * | 2016-04-01 | 2019-02-28 | Joon Mo Kang | Carrier head for chemical mechanical polishing apparatus comprising substrate receiving member |
KR101786484B1 (ko) * | 2016-06-13 | 2017-10-18 | 주식회사 케이씨텍 | 연마 장치용 연마 헤드 및 그 제어 방법 |
US10930535B2 (en) * | 2016-12-02 | 2021-02-23 | Applied Materials, Inc. | RFID part authentication and tracking of processing components |
JP6757696B2 (ja) * | 2017-04-21 | 2020-09-23 | 株式会社荏原製作所 | 漏れ検査方法、およびこの漏れ検査方法を実行するためのプログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体 |
CN108466118B (zh) * | 2018-03-14 | 2019-11-05 | 郑州工程技术学院 | 一种基于物联网的数控加工管理系统和方法 |
CN113382825A (zh) | 2019-02-14 | 2021-09-10 | 崇硕科技公司 | 基板载具头和加工系统 |
CN110142689B (zh) * | 2019-04-17 | 2021-09-14 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆装载支架、晶圆装载系统及晶圆装片方法 |
US11623320B2 (en) * | 2019-08-21 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head with membrane position control |
US11724355B2 (en) | 2020-09-30 | 2023-08-15 | Applied Materials, Inc. | Substrate polish edge uniformity control with secondary fluid dispense |
JP7518175B2 (ja) | 2020-10-13 | 2024-07-17 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 接点延長部又は調節可能な止め具を有する基板研磨装置 |
US11623321B2 (en) | 2020-10-14 | 2023-04-11 | Applied Materials, Inc. | Polishing head retaining ring tilting moment control |
CN113649945B (zh) * | 2021-10-20 | 2022-04-15 | 杭州众硅电子科技有限公司 | 一种晶圆抛光装置 |
Family Cites Families (35)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4141180A (en) * | 1977-09-21 | 1979-02-27 | Kayex Corporation | Polishing apparatus |
US4373991A (en) * | 1982-01-28 | 1983-02-15 | Western Electric Company, Inc. | Methods and apparatus for polishing a semiconductor wafer |
FR2558095B1 (fr) * | 1984-03-14 | 1988-04-08 | Ribard Pierre | Perfectionnements apportes aux tetes de travail des machines de polissage et analogues |
JPS6125768A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-04 | Nec Corp | 平面研摩装置の被加工物保持機構 |
NL8503217A (nl) * | 1985-11-22 | 1987-06-16 | Hoogovens Groep Bv | Preparaathouder. |
JPS63300858A (ja) * | 1987-05-29 | 1988-12-08 | Hitachi Ltd | 空気軸受式ワ−クホルダ |
JPS63114870A (ja) * | 1987-10-22 | 1988-05-19 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | ウェハの真空吸着方法 |
US4918869A (en) * | 1987-10-28 | 1990-04-24 | Fujikoshi Machinery Corporation | Method for lapping a wafer material and an apparatus therefor |
JPH01216768A (ja) * | 1988-02-25 | 1989-08-30 | Showa Denko Kk | 半導体基板の研磨方法及びその装置 |
JPH079896B2 (ja) * | 1988-10-06 | 1995-02-01 | 信越半導体株式会社 | 研磨装置 |
JPH02224263A (ja) * | 1989-02-27 | 1990-09-06 | Hitachi Ltd | 半導体チップの冷却装置 |
JPH0569310A (ja) * | 1991-04-23 | 1993-03-23 | Mitsubishi Materials Corp | ウエーハの鏡面研磨装置 |
US5230184A (en) * | 1991-07-05 | 1993-07-27 | Motorola, Inc. | Distributed polishing head |
US5193316A (en) * | 1991-10-29 | 1993-03-16 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor wafer polishing using a hydrostatic medium |
US5205082A (en) * | 1991-12-20 | 1993-04-27 | Cybeq Systems, Inc. | Wafer polisher head having floating retainer ring |
US5498199A (en) * | 1992-06-15 | 1996-03-12 | Speedfam Corporation | Wafer polishing method and apparatus |
EP0911115B1 (en) * | 1992-09-24 | 2003-11-26 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
JP3370112B2 (ja) * | 1992-10-12 | 2003-01-27 | 不二越機械工業株式会社 | ウエハーの研磨装置 |
US5443416A (en) * | 1993-09-09 | 1995-08-22 | Cybeq Systems Incorporated | Rotary union for coupling fluids in a wafer polishing apparatus |
US5584746A (en) * | 1993-10-18 | 1996-12-17 | Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. | Method of polishing semiconductor wafers and apparatus therefor |
US5624299A (en) * | 1993-12-27 | 1997-04-29 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved carrier and method of use |
US5643053A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-01 | Applied Materials, Inc. | Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control |
US5449316A (en) * | 1994-01-05 | 1995-09-12 | Strasbaugh; Alan | Wafer carrier for film planarization |
US5423716A (en) * | 1994-01-05 | 1995-06-13 | Strasbaugh; Alan | Wafer-handling apparatus having a resilient membrane which holds wafer when a vacuum is applied |
US5423558A (en) * | 1994-03-24 | 1995-06-13 | Ipec/Westech Systems, Inc. | Semiconductor wafer carrier and method |
JP2616735B2 (ja) * | 1995-01-25 | 1997-06-04 | 日本電気株式会社 | ウェハの研磨方法およびその装置 |
JP3158934B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2001-04-23 | 三菱マテリアル株式会社 | ウェーハ研磨装置 |
TW348279B (en) * | 1995-04-10 | 1998-12-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Substrate grinding method |
US5681215A (en) * | 1995-10-27 | 1997-10-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
US5762544A (en) * | 1995-10-27 | 1998-06-09 | Applied Materials, Inc. | Carrier head design for a chemical mechanical polishing apparatus |
JP3663728B2 (ja) * | 1996-03-28 | 2005-06-22 | 信越半導体株式会社 | 薄板の研磨機 |
US6183354B1 (en) | 1996-11-08 | 2001-02-06 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a flexible membrane for a chemical mechanical polishing system |
US5851140A (en) * | 1997-02-13 | 1998-12-22 | Integrated Process Equipment Corp. | Semiconductor wafer polishing apparatus with a flexible carrier plate |
US5957751A (en) | 1997-05-23 | 1999-09-28 | Applied Materials, Inc. | Carrier head with a substrate detection mechanism for a chemical mechanical polishing system |
US5961169A (en) | 1998-07-27 | 1999-10-05 | Strasbaugh | Apparatus for sensing the presence of a wafer |
-
1997
- 1997-05-23 US US08/862,350 patent/US5957751A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-03-17 TW TW087103969A patent/TW431938B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-17 SG SG1998000873A patent/SG71109A1/en unknown
- 1998-05-22 KR KR10-1998-0018438A patent/KR100366919B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-05-22 EP EP98109369A patent/EP0879678B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-22 DE DE69807780T patent/DE69807780T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-25 JP JP14302598A patent/JP3326109B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-18 US US09/314,462 patent/US6093082A/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-08-05 US US09/369,663 patent/US6244932B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2000
- 2000-06-16 US US09/595,500 patent/US6343973B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-11-19 US US09/989,498 patent/US6517415B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-02-10 US US10/364,081 patent/US6705924B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100636455B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2006-10-18 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 화학 기계적 연마를 위한 제어가능한 압력 및 부하 영역을갖는 캐리어 헤드 |
JP2000323445A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-11-24 | Applied Materials Inc | 基板センサを有するキャリアヘッド |
JP2000354960A (ja) * | 1999-04-22 | 2000-12-26 | Applied Materials Inc | 基板をケミカルメカニカルポリシングするためのキャリヤヘッド |
JP2001244225A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-09-07 | Applied Materials Inc | 基板検出器をもつキャリヤヘッド |
JP4641345B2 (ja) * | 1999-11-17 | 2011-03-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 基板検出器をもつキャリヤヘッド |
KR100757885B1 (ko) * | 2000-05-30 | 2007-09-11 | 가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼 | 연마장치 및 이를 이용한 반도체 소자 제조방법 |
JP2002120150A (ja) * | 2000-07-14 | 2002-04-23 | Applied Materials Inc | 化学機械ポリッシャ用の改善されたダイヤフラム |
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KR100876381B1 (ko) * | 2000-07-31 | 2008-12-29 | 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 | 기판 고정 장치 및 기판 폴리싱 장치 |
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