JPH10330307A - 芳香族アルデヒド類の製造方法 - Google Patents
芳香族アルデヒド類の製造方法Info
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- JPH10330307A JPH10330307A JP13663397A JP13663397A JPH10330307A JP H10330307 A JPH10330307 A JP H10330307A JP 13663397 A JP13663397 A JP 13663397A JP 13663397 A JP13663397 A JP 13663397A JP H10330307 A JPH10330307 A JP H10330307A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C45/00—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds
- C07C45/49—Preparation of compounds having >C = O groups bound only to carbon or hydrogen atoms; Preparation of chelates of such compounds by reaction with carbon monoxide
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の方法では、芳香族アルデヒド類を製造
するに際し、長時間高温で反応させる必要があり、また
一酸化炭素と水素は８０〜９０気圧程度導入する等、か
なり厳しい反応条件で行う必要があり、触媒活性が低い
ため経済性が極めて低いという問題があった。 【解決手段】 触媒及び塩基の存在下、ハロゲン化芳香
族化合物、一酸化炭素及び水素より芳香族アルデヒドを
製造する方法において、ハロゲン化芳香族化合物として
下記構造式（１） 【化１】 で示される臭素化芳香族化合物及び／又はヨウ素化芳香
族化合物（例えば、ブロモベンゼン）を用い、触媒とし
てパラジウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホス
フィンからなる化合物を用いる。
するに際し、長時間高温で反応させる必要があり、また
一酸化炭素と水素は８０〜９０気圧程度導入する等、か
なり厳しい反応条件で行う必要があり、触媒活性が低い
ため経済性が極めて低いという問題があった。 【解決手段】 触媒及び塩基の存在下、ハロゲン化芳香
族化合物、一酸化炭素及び水素より芳香族アルデヒドを
製造する方法において、ハロゲン化芳香族化合物として
下記構造式（１） 【化１】 で示される臭素化芳香族化合物及び／又はヨウ素化芳香
族化合物（例えば、ブロモベンゼン）を用い、触媒とし
てパラジウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホス
フィンからなる化合物を用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は芳香族アルデヒド類
を製造する方法に関する。
を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、米国特許３９６０９３２号明細
書には、臭素化又はヨウ素化された、芳香族化合物、ビ
ニル系化合物又は複素環化合物と一酸化炭素及び水素と
を、５０〜１７５℃の温度、１〜２００気圧で、パラジ
ウム−ホスフィン錯体触媒を用いて反応させる方法が開
示されている。
書には、臭素化又はヨウ素化された、芳香族化合物、ビ
ニル系化合物又は複素環化合物と一酸化炭素及び水素と
を、５０〜１７５℃の温度、１〜２００気圧で、パラジ
ウム−ホスフィン錯体触媒を用いて反応させる方法が開
示されている。
【０００３】米国特許３９６０９３２号明細書において
ホスフィンとはＰＲ3又はＰ（ＯＲ）3で表される化合物
であり、リンに結合した置換基Ｒとしてはアルキル基、
シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基等多種例
示されているが、実施例において具体的に使用されてい
るホスフィンはほとんどがトリフェニルホスフィンであ
り、僅かにトリｐ−トリルホスフィン、トリフェノキシ
ホスフィンが見られる程度である。
ホスフィンとはＰＲ3又はＰ（ＯＲ）3で表される化合物
であり、リンに結合した置換基Ｒとしてはアルキル基、
シクロアルキル基、アリール基、アルコキシ基等多種例
示されているが、実施例において具体的に使用されてい
るホスフィンはほとんどがトリフェニルホスフィンであ
り、僅かにトリｐ−トリルホスフィン、トリフェノキシ
ホスフィンが見られる程度である。
【０００４】また、その他の臭素化芳香族化合物又はヨ
ウ素化芳香族化合物を原料にした芳香族アルデヒド合成
に関する研究例としては、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．１０５、７１７５（１９８３）、Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．４９、４００９（１９８４）、Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０８、４５２（１９８６）、
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５３、６２４（１９８８）等が
あるが、これらの文献においても配位子としてはトリフ
ェニルホスフィンを用いている。
ウ素化芳香族化合物を原料にした芳香族アルデヒド合成
に関する研究例としては、例えば、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅ
ｍ．Ｓｏｃ．１０５、７１７５（１９８３）、Ｊ．Ｏｒ
ｇ．Ｃｈｅｍ．４９、４００９（１９８４）、Ｊ．Ａ
ｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．１０８、４５２（１９８６）、
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．５３、６２４（１９８８）等が
あるが、これらの文献においても配位子としてはトリフ
ェニルホスフィンを用いている。
【０００５】さらに、その他のホスフィン配位子の研究
例としては、例えば、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊ
ｐｎ．６７、２３２９（１９９４）があり、それによれ
ば、高活性を示すホスフィン配位子としてトリｐ−クロ
ロフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
ｐ−トリルホスフィンが挙げられており、置換基の１つ
をアルキル基に変えたジフェニルイソプロピルホスフィ
ンは低活性であると記載されている。
例としては、例えば、Ｂｕｌｌ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｊ
ｐｎ．６７、２３２９（１９９４）があり、それによれ
ば、高活性を示すホスフィン配位子としてトリｐ−クロ
ロフェニルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリ
ｐ−トリルホスフィンが挙げられており、置換基の１つ
をアルキル基に変えたジフェニルイソプロピルホスフィ
ンは低活性であると記載されている。
【０００６】また、特公平５−３２３７７号公報にはハ
ロフェノール類のヒドロカルボニル化に、脂肪族ホスフ
ィンを使用することが記載されており、具体的には、そ
の実施例において、トリエチルホスフィンやトリシクロ
ヘキシルホスフィンが開示されている。
ロフェノール類のヒドロカルボニル化に、脂肪族ホスフ
ィンを使用することが記載されており、具体的には、そ
の実施例において、トリエチルホスフィンやトリシクロ
ヘキシルホスフィンが開示されている。
【０００７】しかしながら、トリエチルホスフィンやト
リシクロヘキシルホスフィンは、本発明の芳香族アルデ
ヒド類の製造方法に使用した場合には、トリフェニルホ
スフィンよりも低い活性しか示さず、本系には適用でき
ないという問題があった。
リシクロヘキシルホスフィンは、本発明の芳香族アルデ
ヒド類の製造方法に使用した場合には、トリフェニルホ
スフィンよりも低い活性しか示さず、本系には適用でき
ないという問題があった。
【０００８】このようにホスフィン配位子としてはトリ
フェニルホスフィンを代表としたフェニル基が最も高活
性を示し、アルキル基は低活性であると従来考えられて
きた。
フェニルホスフィンを代表としたフェニル基が最も高活
性を示し、アルキル基は低活性であると従来考えられて
きた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の方
法では、芳香族アルデヒド類を製造するに際し、長時間
高温で反応させる必要があり、また一酸化炭素と水素は
８０〜９０気圧程度導入する等、かなり厳しい反応条件
で行う必要があり、触媒活性が低いために経済性が極め
て低くなるという問題があった。
法では、芳香族アルデヒド類を製造するに際し、長時間
高温で反応させる必要があり、また一酸化炭素と水素は
８０〜９０気圧程度導入する等、かなり厳しい反応条件
で行う必要があり、触媒活性が低いために経済性が極め
て低くなるという問題があった。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは芳香族アル
デヒド類の製造方法について鋭意検討を重ねた結果、原
料として特定のハロゲン化芳香族化合物を用い、触媒と
してパラジウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホ
スフィンからなる化合物を用いることにより、従来より
も穏和な反応条件で効率よく芳香族アルデヒド類の製造
が可能になることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
デヒド類の製造方法について鋭意検討を重ねた結果、原
料として特定のハロゲン化芳香族化合物を用い、触媒と
してパラジウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホ
スフィンからなる化合物を用いることにより、従来より
も穏和な反応条件で効率よく芳香族アルデヒド類の製造
が可能になることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。
【００１１】すなわち本発明は、触媒及び塩基の存在
下、ハロゲン化芳香族化合物、一酸化炭素及び水素より
芳香族アルデヒドを製造する方法において、ハロゲン化
芳香族化合物として下記構造式（１）
下、ハロゲン化芳香族化合物、一酸化炭素及び水素より
芳香族アルデヒドを製造する方法において、ハロゲン化
芳香族化合物として下記構造式（１）
【００１２】
【化２】
【００１３】（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表し、ｎ１
は１又は２を表す。ｎ１が２の場合にはＸは互いに同一
でも異なっていてもよい。ＹはＣＨ又はＮを表す。Ｒは
フッ素、塩素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、カルボニル基、エステル基、ニト
リル基又はホルミル基を表し、ｎ２は１〜３の範囲の整
数を表す。ｎ２が２以上の場合にはＲは互いに同一でも
異なっていてもよい。またＲは隣接炭素原子に結合し、
それらの炭素原子とともに炭化水素環又は複素環を形成
していてもよい。）で示される臭素化芳香族化合物及び
／又はヨウ素化芳香族化合物を用い、触媒としてパラジ
ウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンか
らなる化合物を用いることを特徴とする芳香族アルデヒ
ドの製造方法である。
は１又は２を表す。ｎ１が２の場合にはＸは互いに同一
でも異なっていてもよい。ＹはＣＨ又はＮを表す。Ｒは
フッ素、塩素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、カルボニル基、エステル基、ニト
リル基又はホルミル基を表し、ｎ２は１〜３の範囲の整
数を表す。ｎ２が２以上の場合にはＲは互いに同一でも
異なっていてもよい。またＲは隣接炭素原子に結合し、
それらの炭素原子とともに炭化水素環又は複素環を形成
していてもよい。）で示される臭素化芳香族化合物及び
／又はヨウ素化芳香族化合物を用い、触媒としてパラジ
ウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンか
らなる化合物を用いることを特徴とする芳香族アルデヒ
ドの製造方法である。
【００１４】本発明者らが上記課題を解決するため、ホ
スフィンについて検討したところ、置換基によって活性
が大きく異なることを見出し、従来検討されてきたトリ
フェニルホスフィンに代表されるフェニル基置換のホス
フィンよりも低活性な配位子と考えられてきたアルキル
基置換のホスフィンに属するトリｔｅｒｔ−ブチルホス
フィンを使用した場合に、従来のトリフェニルホスフィ
ン配位子に代表されるフェニル基置換のホスフィンを凌
駕するほどの高活性を示すことを見出した。
スフィンについて検討したところ、置換基によって活性
が大きく異なることを見出し、従来検討されてきたトリ
フェニルホスフィンに代表されるフェニル基置換のホス
フィンよりも低活性な配位子と考えられてきたアルキル
基置換のホスフィンに属するトリｔｅｒｔ−ブチルホス
フィンを使用した場合に、従来のトリフェニルホスフィ
ン配位子に代表されるフェニル基置換のホスフィンを凌
駕するほどの高活性を示すことを見出した。
【００１５】しかしながら、特公平５−３２３７７号に
開示されているようなハロフェノール類には有効な脂肪
族ホスフィンであっても、第１級アルキル基置換のトリ
ｎ−ブチルホスフィンや第２級アルキル基置換のトリイ
ソプロピルホスフィン、シクロアルキル基置換のシクロ
ヘキシルホスフィン等は、従来のトリフェニルホスフィ
ンよりも低活性であり、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィ
ンを使用した場合にこのような高活性を示すことは全く
予想し得ないことであった。
開示されているようなハロフェノール類には有効な脂肪
族ホスフィンであっても、第１級アルキル基置換のトリ
ｎ−ブチルホスフィンや第２級アルキル基置換のトリイ
ソプロピルホスフィン、シクロアルキル基置換のシクロ
ヘキシルホスフィン等は、従来のトリフェニルホスフィ
ンよりも低活性であり、トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィ
ンを使用した場合にこのような高活性を示すことは全く
予想し得ないことであった。
【００１６】以下本発明をさらに詳細に説明する。
【００１７】本発明において、触媒としてはパラジウム
金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンからな
る化合物を用いる。
金属化合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンからな
る化合物を用いる。
【００１８】パラジウム金属化合物としては、公知の金
属化合物が使用でき、特に限定するものではないが、例
えば、ヘキサクロロパラジウム酸ナトリウム四水和物、
ヘキサクロロパラジウム酸カリウム等の４価のパラジウ
ム化合物類、塩化パラジウム、臭化パラジウム、酢酸パ
ラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ジクロロ
ビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジクロロビス（ア
セトニトリル）パラジウム、ジクロロテトラアンミンパ
ラジウム、ジクロロ（シクロオクター１、５ージエン）
パラジウム、パラジウムトリフルオロアセテート、ビス
トリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド錯体等の
２価のパラジウム化合物類、トリス（ジベンジリデンア
セトン）二パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムクロロホルム錯体、テトラキストリフ
ェニルホスフィンパラジウム錯体等の０価のパラジウム
化合物類が挙げられる。これらのうち、塩化パラジウ
ム、酢酸パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムが好適なものとして例示される。
属化合物が使用でき、特に限定するものではないが、例
えば、ヘキサクロロパラジウム酸ナトリウム四水和物、
ヘキサクロロパラジウム酸カリウム等の４価のパラジウ
ム化合物類、塩化パラジウム、臭化パラジウム、酢酸パ
ラジウム、パラジウムアセチルアセトナート、ジクロロ
ビス（ベンゾニトリル）パラジウム、ジクロロビス（ア
セトニトリル）パラジウム、ジクロロテトラアンミンパ
ラジウム、ジクロロ（シクロオクター１、５ージエン）
パラジウム、パラジウムトリフルオロアセテート、ビス
トリフェニルホスフィンパラジウムジクロリド錯体等の
２価のパラジウム化合物類、トリス（ジベンジリデンア
セトン）二パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムクロロホルム錯体、テトラキストリフ
ェニルホスフィンパラジウム錯体等の０価のパラジウム
化合物類が挙げられる。これらのうち、塩化パラジウ
ム、酢酸パラジウム、トリス（ジベンジリデンアセト
ン）二パラジウムが好適なものとして例示される。
【００１９】パラジウム金属化合物の使用量は、原料で
ある臭素化芳香族化合物及び／又はヨウ素化芳香族化合
物に対して原子比で０．００００１〜０．１であるが、
好適には０．００００５〜０．０５である。
ある臭素化芳香族化合物及び／又はヨウ素化芳香族化合
物に対して原子比で０．００００１〜０．１であるが、
好適には０．００００５〜０．０５である。
【００２０】トリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンの使用量
は、パラジウム原子に対してモル比で２〜１００００で
あり、好適には２〜１００である。
は、パラジウム原子に対してモル比で２〜１００００で
あり、好適には２〜１００である。
【００２１】パラジウム金属化合物とトリｔｅｒｔ−ブ
チルホスフィンはいかなる形態をとっていてもよいが、
それらが金属錯体を形成していることが好ましい。
チルホスフィンはいかなる形態をとっていてもよいが、
それらが金属錯体を形成していることが好ましい。
【００２２】本発明において使用される原料は臭素化芳
香族化合物及び／又はヨウ素化芳香族化合物であり、下
記構造式（１）で示される。
香族化合物及び／又はヨウ素化芳香族化合物であり、下
記構造式（１）で示される。
【００２３】
【化３】
【００２４】（式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表し、ｎ１
は１又は２を表す。ｎ１が２の場合にはＸは互いに同一
でも異なっていてもよい。ＹはＣＨ又はＮを表す。Ｒは
フッ素、塩素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、カルボニル基、エステル基、ニト
リル基又はホルミル基を表し、ｎ２は１〜３の範囲の整
数を表す。ｎ２が２以上の場合にはＲは互いに同一でも
異なっていてもよい。またＲは隣接炭素原子に結合し、
それらの炭素原子とともに炭化水素環又は複素環を形成
していてもよい。） Ｒがフッ素及び／又は塩素の例としては、具体的には、
フルオロブロモベンゼン、ジフルオロブロモベンゼン、
クロロブロモベンゼン、ジクロロブロモベンゼン、フル
オロクロロブロモベンエン、フルオロヨードベンゼン、
ジフルオロヨードベンゼン、クロロヨードベンゼン、ジ
クロロヨードベンゼン、フルオロクロロヨードベンエン
等が挙げられる。
は１又は２を表す。ｎ１が２の場合にはＸは互いに同一
でも異なっていてもよい。ＹはＣＨ又はＮを表す。Ｒは
フッ素、塩素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコ
キシ基、アリール基、カルボニル基、エステル基、ニト
リル基又はホルミル基を表し、ｎ２は１〜３の範囲の整
数を表す。ｎ２が２以上の場合にはＲは互いに同一でも
異なっていてもよい。またＲは隣接炭素原子に結合し、
それらの炭素原子とともに炭化水素環又は複素環を形成
していてもよい。） Ｒがフッ素及び／又は塩素の例としては、具体的には、
フルオロブロモベンゼン、ジフルオロブロモベンゼン、
クロロブロモベンゼン、ジクロロブロモベンゼン、フル
オロクロロブロモベンエン、フルオロヨードベンゼン、
ジフルオロヨードベンゼン、クロロヨードベンゼン、ジ
クロロヨードベンゼン、フルオロクロロヨードベンエン
等が挙げられる。
【００２５】Ｒがアルキル基の例としては、具体的に
は、ブロモトルエン、ブロモキシレン、トリメチルブロ
モベンゼン、エチルブロモベンゼン、メチルエチルブロ
モベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼン、２ーエ
チルヘキシルブロモベンゼン、トリフルオロメチルブロ
モベンゼン、トリクロロメチルブロモベンゼン、ジフル
オロクロロメチルブロモベンゼン等が挙げられる。
は、ブロモトルエン、ブロモキシレン、トリメチルブロ
モベンゼン、エチルブロモベンゼン、メチルエチルブロ
モベンゼン、ｔｅｒｔ−ブチルブロモベンゼン、２ーエ
チルヘキシルブロモベンゼン、トリフルオロメチルブロ
モベンゼン、トリクロロメチルブロモベンゼン、ジフル
オロクロロメチルブロモベンゼン等が挙げられる。
【００２６】Ｒがシクロアルキル基の例としては、具体
的には、シクロペンチルブロモベンゼン、シクロヘキシ
ルブロモベンゼン、シクロオクチルブロモベンゼン、シ
クロペンチルヨードベンゼン、シクロヘキシルヨードベ
ンゼン、シクロオクチルヨードベンゼン等が挙げられ
る。
的には、シクロペンチルブロモベンゼン、シクロヘキシ
ルブロモベンゼン、シクロオクチルブロモベンゼン、シ
クロペンチルヨードベンゼン、シクロヘキシルヨードベ
ンゼン、シクロオクチルヨードベンゼン等が挙げられ
る。
【００２７】Ｒがアルコキシ基の例としては、具体的に
は、ブロモアニソール、ジメトキシブロモベンゼン、ト
リメトキシブロモベンゼン、エトキシブロモベンゼン、
メトキシエトキシブロモベンゼン、プロポキシブロモベ
ンゼン、エトキシペントキシブロモベンゼン、ジフルオ
ロメトキシブロモベンゼン、トリフルオロメトキシブロ
モベンゼン、メチルメルカプトブロモベンゼン、フェノ
キシブロモベンゼン、ベンゾキシブロモベンゼン、フェ
ノキシフルオロブロモベンゼン、ヨードアニソール、ジ
メトキシヨードベンゼン、トリメトキシヨードベンゼ
ン、エトキシヨードベンゼン、メトキシエトキシヨード
ベンゼン、プロポキシヨードベンゼン、エトキシペント
キシヨードベンゼン、ジフルオロメトキシヨードベンゼ
ン、トリフルオロメトキシヨードベンゼン、メチルメル
カプトヨードベンゼン、フェノキシヨードベンゼン、ベ
ンゾキシヨードベンゼン、フェノキシフルオロヨードベ
ンゼン等が挙げられる。
は、ブロモアニソール、ジメトキシブロモベンゼン、ト
リメトキシブロモベンゼン、エトキシブロモベンゼン、
メトキシエトキシブロモベンゼン、プロポキシブロモベ
ンゼン、エトキシペントキシブロモベンゼン、ジフルオ
ロメトキシブロモベンゼン、トリフルオロメトキシブロ
モベンゼン、メチルメルカプトブロモベンゼン、フェノ
キシブロモベンゼン、ベンゾキシブロモベンゼン、フェ
ノキシフルオロブロモベンゼン、ヨードアニソール、ジ
メトキシヨードベンゼン、トリメトキシヨードベンゼ
ン、エトキシヨードベンゼン、メトキシエトキシヨード
ベンゼン、プロポキシヨードベンゼン、エトキシペント
キシヨードベンゼン、ジフルオロメトキシヨードベンゼ
ン、トリフルオロメトキシヨードベンゼン、メチルメル
カプトヨードベンゼン、フェノキシヨードベンゼン、ベ
ンゾキシヨードベンゼン、フェノキシフルオロヨードベ
ンゼン等が挙げられる。
【００２８】Ｒがアリール基の例としては、具体的に
は、ブロモビフェニル、トルイルブロモベンゼン、キシ
リルブロモベンゼン、メトキシフェニルブロモベンゼ
ン、ヨードビフェニル、トルイルヨードベンゼン、キシ
リルヨードベンゼン、メトキシフェニルヨードベンゼン
等が挙げられる。
は、ブロモビフェニル、トルイルブロモベンゼン、キシ
リルブロモベンゼン、メトキシフェニルブロモベンゼ
ン、ヨードビフェニル、トルイルヨードベンゼン、キシ
リルヨードベンゼン、メトキシフェニルヨードベンゼン
等が挙げられる。
【００２９】Ｒがカルボニル基の例としては、具体的に
は、アセトブロモベンゼン、プロポキソブロモベンゼ
ン、ブチロキソブロモベンゼン、アセトヨードベンゼ
ン、プロポキソヨードベンゼン、ブチロキソヨードベン
ゼン等があげられる。
は、アセトブロモベンゼン、プロポキソブロモベンゼ
ン、ブチロキソブロモベンゼン、アセトヨードベンゼ
ン、プロポキソヨードベンゼン、ブチロキソヨードベン
ゼン等があげられる。
【００３０】Ｒがエステル基の例としては、具体的に
は、ブロモフェニルアセテート、ブロモフェニルプロピ
オネート、ブロモフェニルブチレート、ブロモ安息香酸
メチル、ブロモ安息香酸エチル、ブロモ安息香酸ブチ
ル、ブロモフタル酸ジメチル、ヨードフェニルアセテー
ト、ヨードフェニルプロピオネート、ヨードフェニルブ
チレート、ヨード安息香酸メチル、ヨード安息香酸エチ
ル、ヨード安息香酸ブチル、ヨードフタル酸ジメチル等
が挙げられる。
は、ブロモフェニルアセテート、ブロモフェニルプロピ
オネート、ブロモフェニルブチレート、ブロモ安息香酸
メチル、ブロモ安息香酸エチル、ブロモ安息香酸ブチ
ル、ブロモフタル酸ジメチル、ヨードフェニルアセテー
ト、ヨードフェニルプロピオネート、ヨードフェニルブ
チレート、ヨード安息香酸メチル、ヨード安息香酸エチ
ル、ヨード安息香酸ブチル、ヨードフタル酸ジメチル等
が挙げられる。
【００３１】Ｒがニトリル基の例としては、具体的に
は、シアノブロモベンゼン、シアノヨードベンゼン等が
挙げられる。
は、シアノブロモベンゼン、シアノヨードベンゼン等が
挙げられる。
【００３２】Ｒがホルミル基の例としては、具体的に
は、ホルミルブロモベンゼン、ホルミルヨードベンゼン
等が挙げられる。
は、ホルミルブロモベンゼン、ホルミルヨードベンゼン
等が挙げられる。
【００３３】Ｒが炭化水素環又は複素環を形成した例と
しては、具体的には、ブロモナフタレン、メチルブロモ
ナフタレン、メチレンジオキシブロモベンゼン、エチレ
ンジオキシブロモベンゼン、ヨードナフタレン、メチル
ヨードナフタレン、メチレンジオキシヨードベンゼン、
エチレンジオキシヨードベンゼン等が挙げられる。
しては、具体的には、ブロモナフタレン、メチルブロモ
ナフタレン、メチレンジオキシブロモベンゼン、エチレ
ンジオキシブロモベンゼン、ヨードナフタレン、メチル
ヨードナフタレン、メチレンジオキシヨードベンゼン、
エチレンジオキシヨードベンゼン等が挙げられる。
【００３４】Ｙが窒素の例としては、具体的には、ブロ
モピリジン、ブロモピコリン、ヨードピリジン、ヨード
ピコリン等が挙げられる。
モピリジン、ブロモピコリン、ヨードピリジン、ヨード
ピコリン等が挙げられる。
【００３５】本発明において塩基としては第３級アミン
が使用される。使用される第３級アミンは公知のものが
使用でき、特に限定するものではないが、例えば、下記
一般式（２） ＮＲ1Ｒ2Ｒ3 （２） （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は各々独立して１〜２０個の炭
素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基又はアリ
ル基を表す。）で示される第３級アミンが挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3としては、好適には１〜１０個の炭素原
子を有するアルキル基、５〜１０個の炭素原子を有する
シクロアルキル基であり、具体的にはトリエチルアミ
ン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、
トリシクロヘキシルアミン、メチルジブチルアミン、メ
チルジシクロヘキシルアミン、エチルジイソプロピルア
ミン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリン、テトラメ
チルエチレンジアミン等が例示できる。
が使用される。使用される第３級アミンは公知のものが
使用でき、特に限定するものではないが、例えば、下記
一般式（２） ＮＲ1Ｒ2Ｒ3 （２） （式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3は各々独立して１〜２０個の炭
素原子を有するアルキル基、シクロアルキル基又はアリ
ル基を表す。）で示される第３級アミンが挙げられる。
Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3としては、好適には１〜１０個の炭素原
子を有するアルキル基、５〜１０個の炭素原子を有する
シクロアルキル基であり、具体的にはトリエチルアミ
ン、トリｎ−プロピルアミン、トリｎ−ブチルアミン、
トリシクロヘキシルアミン、メチルジブチルアミン、メ
チルジシクロヘキシルアミン、エチルジイソプロピルア
ミン、ジメチルアニリン、ジエチルアニリン、テトラメ
チルエチレンジアミン等が例示できる。
【００３６】また、複素環式の第３級アミン、例えば、
ピリジン、ピコリン、トリエチレンジアミン、１，８−
ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデ−７−セン等も使
用することができる。
ピリジン、ピコリン、トリエチレンジアミン、１，８−
ジアザビシクロ［５．４．０］ウンデ−７−セン等も使
用することができる。
【００３７】塩基の量は反応により放出される酸を中和
するため用いられるので、中和が可能な量であればよ
く、好適には上記構造式（１）中のＸ（臭素又はヨウ
素）の化学量論量の１〜１０倍である。
するため用いられるので、中和が可能な量であればよ
く、好適には上記構造式（１）中のＸ（臭素又はヨウ
素）の化学量論量の１〜１０倍である。
【００３８】本発明において、必要であれば反応条件下
において不活性な溶媒を使用してもよい。使用される溶
媒としては飽和脂肪族又は脂環式炭化水素又は芳香族炭
化水素、エステル類、エーテル類を例示できる。具体的
にはヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、
キシレン、ジブチルフタレート、テトラヒドラフラン、
ジオキサンを例示できる。
において不活性な溶媒を使用してもよい。使用される溶
媒としては飽和脂肪族又は脂環式炭化水素又は芳香族炭
化水素、エステル類、エーテル類を例示できる。具体的
にはヘキサン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、
キシレン、ジブチルフタレート、テトラヒドラフラン、
ジオキサンを例示できる。
【００３９】本発明の方法は液相で実施する。適当な場
合には触媒は金属錯体として固定化して使用してもよ
い。固定化する方法は公知の方法を用いることができ
る。本反応条件下において不活性な無機担体、有機高分
子体、イオン交換樹脂等を支持体として使用し、配位子
交換等の公知の方法で結合させ、固定化する方法が知ら
れている。
合には触媒は金属錯体として固定化して使用してもよ
い。固定化する方法は公知の方法を用いることができ
る。本反応条件下において不活性な無機担体、有機高分
子体、イオン交換樹脂等を支持体として使用し、配位子
交換等の公知の方法で結合させ、固定化する方法が知ら
れている。
【００４０】本発明の方法を実施する際の反応温度は５
０〜１７０℃の範囲内で行うことができ、好適には１０
０〜１５０℃である。
０〜１７０℃の範囲内で行うことができ、好適には１０
０〜１５０℃である。
【００４１】使用する一酸化炭素と水素の圧力は全圧で
１〜５０気圧の範囲で行うことができ、好適には１〜４
０気圧である。一酸化炭素と水素の容積比は広い範囲で
設定することができ、一般的には一酸化炭素／水素の容
積比で０．１〜１０であり、好適には０．１〜２であ
る。
１〜５０気圧の範囲で行うことができ、好適には１〜４
０気圧である。一酸化炭素と水素の容積比は広い範囲で
設定することができ、一般的には一酸化炭素／水素の容
積比で０．１〜１０であり、好適には０．１〜２であ
る。
【００４２】本発明の方法は公知の操作方法が利用で
き、例えば連続式、バッチ式で実施することができる。
き、例えば連続式、バッチ式で実施することができる。
【００４３】本発明の方法をさらに明瞭にするため、反
応操作を以下に具体的に述べるが、この操作方法に限定
するものではない。
応操作を以下に具体的に述べるが、この操作方法に限定
するものではない。
【００４４】臭素化芳香族化合物、塩基、錯体触媒、及
び適当な場合には溶媒をオートクレーブ中に導入する。
これらはあらかじめ混合してから導入してもよく、別々
に導入してもよい。次にオートクレーブ中に一酸化炭素
と水素を所定量導入する。一酸化炭素と水素は反応条件
下の温度において設定圧となるように一括導入しておい
てもよく、設定温度まで加熱した後に設定圧まで導入し
てもよい。設定温度まで加熱した後に設定圧まで導入す
る場合、設定温度まで液相を保つ程度の圧力をあらかじ
め導入しておくことが好ましい。
び適当な場合には溶媒をオートクレーブ中に導入する。
これらはあらかじめ混合してから導入してもよく、別々
に導入してもよい。次にオートクレーブ中に一酸化炭素
と水素を所定量導入する。一酸化炭素と水素は反応条件
下の温度において設定圧となるように一括導入しておい
てもよく、設定温度まで加熱した後に設定圧まで導入し
てもよい。設定温度まで加熱した後に設定圧まで導入す
る場合、設定温度まで液相を保つ程度の圧力をあらかじ
め導入しておくことが好ましい。
【００４５】反応期間中、反応の進行とともに一酸化炭
素及び水素が消費されるが、一酸化炭素及び水素を反応
開始時において反応に十分な量及び圧力で導入した場
合、オートクレーブを密閉して消費量を補充せず反応さ
せることができる。又は反応に必要な量の如何に関わら
ず、外部のガス容器と接続して消費分を補充することに
よって反応圧力を一定に保つことも可能である。また、
反応の全期間を通じて又は一定期間のみ一酸化炭素及び
水素を流通させて設定圧を保持しながら反応させること
も可能である。
素及び水素が消費されるが、一酸化炭素及び水素を反応
開始時において反応に十分な量及び圧力で導入した場
合、オートクレーブを密閉して消費量を補充せず反応さ
せることができる。又は反応に必要な量の如何に関わら
ず、外部のガス容器と接続して消費分を補充することに
よって反応圧力を一定に保つことも可能である。また、
反応の全期間を通じて又は一定期間のみ一酸化炭素及び
水素を流通させて設定圧を保持しながら反応させること
も可能である。
【００４６】反応の終了後、オートクレーブを冷却、反
応物質から分離して芳香族アルデヒドを得る。一般的な
分離方法として、以下の方法を例示できる。冷却した反
応物質を濾過して臭素（ヨウ素化芳香族化合物を使用し
た場合にはヨウ素）のアンモニウム塩を分離した後、濾
液を蒸留して目的の芳香族アルデヒドを得る。芳香族ア
ルデヒドを分離した後、残液中の触媒は新しい操作で再
使用するため、再循環に供することも可能である。
応物質から分離して芳香族アルデヒドを得る。一般的な
分離方法として、以下の方法を例示できる。冷却した反
応物質を濾過して臭素（ヨウ素化芳香族化合物を使用し
た場合にはヨウ素）のアンモニウム塩を分離した後、濾
液を蒸留して目的の芳香族アルデヒドを得る。芳香族ア
ルデヒドを分離した後、残液中の触媒は新しい操作で再
使用するため、再循環に供することも可能である。
【００４７】
【発明の効果】本発明の方法に従えば芳香族アルデヒド
類を経済的に製造することが可能になり工業的に極めて
有用である。
類を経済的に製造することが可能になり工業的に極めて
有用である。
【００４８】
【実施例】本発明を次の例で具体的に説明するが、本発
明はこれら実施例によって何ら限定されるものではな
い。
明はこれら実施例によって何ら限定されるものではな
い。
【００４９】実施例１ 窒素雰囲気下、酢酸パラジウム０．０６８ｇ（０．３ｍ
ｍｏｌ）とトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．２４ｇ
（１．２ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶解した。ブ
ロモベンゼン１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン１．５２ｇ（１５ｍｍｏｌ）及びトルエン２０ｍ
ｌを採取し、先に調製した触媒溶液を添加した。この様
にして調製した原料溶液を２００ｍｌのステンレス製オ
ートクレーブに注入した。オートクレーブ内に一酸化炭
素を６気圧導入し、置換した。この操作を３回繰り返し
た。一酸化炭素を１０気圧導入した後、水素を１０気圧
導入した。系内を密閉し、２５０ｒｐｍで攪拌しながら
１１０℃まで加熱した。１１０℃において全圧２３．６
気圧を示した。５ｈｒ反応させた後、氷水で５℃まで急
冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析によりブロモベンゼ
ンは１００％転化し、ベンズアルデヒド収率９３％を得
た。
ｍｏｌ）とトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．２４ｇ
（１．２ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶解した。ブ
ロモベンゼン１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン１．５２ｇ（１５ｍｍｏｌ）及びトルエン２０ｍ
ｌを採取し、先に調製した触媒溶液を添加した。この様
にして調製した原料溶液を２００ｍｌのステンレス製オ
ートクレーブに注入した。オートクレーブ内に一酸化炭
素を６気圧導入し、置換した。この操作を３回繰り返し
た。一酸化炭素を１０気圧導入した後、水素を１０気圧
導入した。系内を密閉し、２５０ｒｐｍで攪拌しながら
１１０℃まで加熱した。１１０℃において全圧２３．６
気圧を示した。５ｈｒ反応させた後、氷水で５℃まで急
冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析によりブロモベンゼ
ンは１００％転化し、ベンズアルデヒド収率９３％を得
た。
【００５０】実施例２ ブロモベンゼンを４−フルオロブロモベンゼンに変え、
反応温度を１２０℃にした以外は実施例１と同様に反応
を行った。１２０℃において全圧２３．９気圧を示し
た。８ｈｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応
液を収集した。ＧＣ分析により４−フルオロブロモベン
ゼンは１００％転化し、４−フルオロベンズアルデヒド
収率８８％を得た。
反応温度を１２０℃にした以外は実施例１と同様に反応
を行った。１２０℃において全圧２３．９気圧を示し
た。８ｈｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応
液を収集した。ＧＣ分析により４−フルオロブロモベン
ゼンは１００％転化し、４−フルオロベンズアルデヒド
収率８８％を得た。
【００５１】実施例３ ブロモベンゼンを４−ブロモトルエンに変え、反応温度
を１３０℃にした以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１３０℃において全圧２４．２気圧を示した。８ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析により４−ブロモトルエンは１００％転
化し、４−トルアルデヒド収率９０％を得た。
を１３０℃にした以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１３０℃において全圧２４．２気圧を示した。８ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析により４−ブロモトルエンは１００％転
化し、４−トルアルデヒド収率９０％を得た。
【００５２】実施例４ ブロモベンゼンを４−ブロモアニソールに変え、反応温
度を１３０℃にした以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１２０℃において全圧２４．２気圧を示した。７ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析により４−ブロモアニソールは１００％
転化し、４−アニスアルデヒド収率８５％を得た。
度を１３０℃にした以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１２０℃において全圧２４．２気圧を示した。７ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析により４−ブロモアニソールは１００％
転化し、４−アニスアルデヒド収率８５％を得た。
【００５３】実施例５ ブロモベンゼンを２−ブロモトルエンに変え、反応温度
を１３０℃にした以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１３０℃において全圧２４．２気圧を示した。６ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析により２−ブロモトルエンは１００％転
化し、２−トルアルデヒド収率８９％を得た。
を１３０℃にした以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１３０℃において全圧２４．２気圧を示した。６ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析により２−ブロモトルエンは１００％転
化し、２−トルアルデヒド収率８９％を得た。
【００５４】実施例６ ブロモベンゼンを４−ブロモベンズアルデヒドに変えた
以外は実施例１と同様に反応を行った。１１０℃におい
て全圧２３．６気圧を示した。４ｈｒ反応させた後、氷
水で５℃まで急冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析によ
り４−ブロモベンズアルデヒドは１００％転化し、テレ
フタルアルデヒド収率８７％を得た。
以外は実施例１と同様に反応を行った。１１０℃におい
て全圧２３．６気圧を示した。４ｈｒ反応させた後、氷
水で５℃まで急冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析によ
り４−ブロモベンズアルデヒドは１００％転化し、テレ
フタルアルデヒド収率８７％を得た。
【００５５】実施例７ ブロモベンゼンを４−トリフルオロメチルブロモベンゼ
ンに変えた以外は実施例１と同様に反応を行った。１１
０℃において全圧２３．６気圧を示した。４ｈｒ反応さ
せた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集した。Ｇ
Ｃ分析により４−トリフルオロメチルブロモベンゼンは
１００％転化し、４−トリフルオロメチルベンズアルデ
ヒド収率８５％を得た。
ンに変えた以外は実施例１と同様に反応を行った。１１
０℃において全圧２３．６気圧を示した。４ｈｒ反応さ
せた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集した。Ｇ
Ｃ分析により４−トリフルオロメチルブロモベンゼンは
１００％転化し、４−トリフルオロメチルベンズアルデ
ヒド収率８５％を得た。
【００５６】実施例８ ブロモベンゼンを３−ブロモピリジンに変えた以外は実
施例１と同様に反応を行った。１１０℃において全圧２
３．６気圧を示した。５ｈｒ反応させた後、氷水で５℃
まで急冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析により３−ブ
ロモピリジンは１００％転化し、３−ホルミルピリジン
収率８０％を得た。
施例１と同様に反応を行った。１１０℃において全圧２
３．６気圧を示した。５ｈｒ反応させた後、氷水で５℃
まで急冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析により３−ブ
ロモピリジンは１００％転化し、３−ホルミルピリジン
収率８０％を得た。
【００５７】実施例９ 酢酸パラジウムをトリス（ジベンジリデンアセトン）二
パラジウムに変えた以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１１０℃において全圧２３．６気圧を示した。５ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析によりブロモベンゼンは１００％転化
し、ベンズアルデヒド収率９５％を得た。
パラジウムに変えた以外は実施例１と同様に反応を行っ
た。１１０℃において全圧２３．６気圧を示した。５ｈ
ｒ反応させた後、氷水で５℃まで急冷し、反応液を収集
した。ＧＣ分析によりブロモベンゼンは１００％転化
し、ベンズアルデヒド収率９５％を得た。
【００５８】実施例１０ 窒素雰囲気下、酢酸パラジウム０．０６８ｇ（０．３ｍ
ｍｏｌ）とトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．２４ｇ
（１．２ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶解した。ブ
ロモベンゼン１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン１．５２ｇ（１５ｍｍｏｌ）及びトルエン２０ｍ
ｌを採取し、先に調製した触媒溶液を添加した。この様
にして調製した原料溶液を２００ｍｌのステンレス製オ
ートクレーブに注入した。オートクレーブ内に一酸化炭
素を６気圧導入し、置換した。この操作を３回繰り返し
た。一酸化炭素を１０気圧導入した後、水素を２０気圧
導入した。系内を密閉し、２５０ｒｐｍで攪拌しながら
１１０℃まで加熱した。１１０℃において全圧３５．４
気圧を示した。５ｈｒ反応させた後、氷水で５℃まで急
冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析によりブロモベンゼ
ンは１００％転化し、ベンズアルデヒド収率９０％を得
た。
ｍｏｌ）とトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィン０．２４ｇ
（１．２ｍｍｏｌ）をトルエン１０ｍｌに溶解した。ブ
ロモベンゼン１．５６ｇ（１０ｍｍｏｌ）、トリエチル
アミン１．５２ｇ（１５ｍｍｏｌ）及びトルエン２０ｍ
ｌを採取し、先に調製した触媒溶液を添加した。この様
にして調製した原料溶液を２００ｍｌのステンレス製オ
ートクレーブに注入した。オートクレーブ内に一酸化炭
素を６気圧導入し、置換した。この操作を３回繰り返し
た。一酸化炭素を１０気圧導入した後、水素を２０気圧
導入した。系内を密閉し、２５０ｒｐｍで攪拌しながら
１１０℃まで加熱した。１１０℃において全圧３５．４
気圧を示した。５ｈｒ反応させた後、氷水で５℃まで急
冷し、反応液を収集した。ＧＣ分析によりブロモベンゼ
ンは１００％転化し、ベンズアルデヒド収率９０％を得
た。
【００５９】比較例１〜比較例６ 錯体触媒を表２に示す配位子を使用して調製した以外は
実施例１０と同様の条件で反応を行った。その時の転化
率とアルデヒド収率を表１にあわせて示す。
実施例１０と同様の条件で反応を行った。その時の転化
率とアルデヒド収率を表１にあわせて示す。
【００６０】
【表１】
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 47/575 Ｃ０７Ｃ 47/575 67/313 67/313 69/76 69/76 Ｚ 253/30 253/30 255/56 255/56 Ｃ０７Ｄ 213/48 Ｃ０７Ｄ 213/48 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (3)
- 【請求項１】 触媒及び塩基の存在下、ハロゲン化芳香
族化合物、一酸化炭素及び水素より芳香族アルデヒドを
製造する方法において、ハロゲン化芳香族化合物として
下記構造式（１） 【化１】 （式中、Ｘは臭素又はヨウ素を表し、ｎ１は１又は２を
表す。ｎ１が２の場合にはＸは互いに同一でも異なって
いてもよい。ＹはＣＨ又はＮを表す。Ｒはフッ素、塩
素、アルキル基、シクロアルキル基、アルコキシ基、ア
リール基、カルボニル基、エステル基、ニトリル基又は
ホルミル基を表し、ｎ２は１〜３の範囲の整数を表す。
ｎ２が２以上の場合にはＲは互いに同一でも異なってい
てもよい。またＲは隣接炭素原子に結合し、それらの炭
素原子とともに炭化水素環又は複素環を形成していても
よい。）で示される臭素化芳香族化合物及び／又はヨウ
素化芳香族化合物を用い、触媒としてパラジウム金属化
合物及びトリｔｅｒｔ−ブチルホスフィンからなる化合
物を用いることを特徴とする芳香族アルデヒドの製造方
法。 - 【請求項２】 パラジウム金属化合物及びトリｔｅｒｔ
−ブチルホスフィンからなる化合物が、パラジウム−ト
リｔｅｒｔ−ブチルホスフィン錯体であることを特徴と
する請求項１に記載の芳香族アルデヒドの製造方法。 - 【請求項３】 ハロゲン化芳香族化合物が、臭素化芳香
族化合物であることを特徴とする請求項１又は請求項２
に記載の芳香族アルデヒドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13663397A JPH10330307A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 芳香族アルデヒド類の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13663397A JPH10330307A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 芳香族アルデヒド類の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10330307A true JPH10330307A (ja) | 1998-12-15 |
Family
ID=15179878
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13663397A Pending JPH10330307A (ja) | 1997-05-27 | 1997-05-27 | 芳香族アルデヒド類の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10330307A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001170490A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-26 | Tosoh Corp | クロスカップリング反応用触媒及びそれを用いた芳香族アリル誘導体の製造方法 |
| WO2006103148A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Degussa Gmbh | Process for the preparation of aromatic aldehydes |
| WO2013135552A2 (de) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Evonik Industries Ag | Phosphinite und amidophosphinite als liganden in katalytischen reaktionen |
-
1997
- 1997-05-27 JP JP13663397A patent/JPH10330307A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001170490A (ja) * | 1999-12-17 | 2001-06-26 | Tosoh Corp | クロスカップリング反応用触媒及びそれを用いた芳香族アリル誘導体の製造方法 |
| JP4524506B2 (ja) * | 1999-12-17 | 2010-08-18 | 東ソー株式会社 | クロスカップリング反応用触媒及びそれを用いた芳香族アリル誘導体の製造方法 |
| WO2006103148A1 (en) * | 2005-03-30 | 2006-10-05 | Degussa Gmbh | Process for the preparation of aromatic aldehydes |
| JP2008534547A (ja) * | 2005-03-30 | 2008-08-28 | エボニック デグサ ゲーエムベーハー | 芳香族アルデヒドの製造方法 |
| US7531697B2 (en) | 2005-03-30 | 2009-05-12 | Degussa Gmbh | Process for the preparation of aromatic aldehydes |
| WO2013135552A2 (de) | 2012-03-13 | 2013-09-19 | Evonik Industries Ag | Phosphinite und amidophosphinite als liganden in katalytischen reaktionen |
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