JPH10327294A - 画像読み取り装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 解像度の異なる読み取りを同一装置で行うよ
うにすること。 【解決手段】 本発明の画像読み取り装置１は、画情報
を読み取り電気信号に変換するため一のピッチＰ１で配
列された複数の受光部１１を備えている第１センサ１０
と、画情報を読み取り電気信号に変換するため一のピッ
チＰ１と異なる他のピッチＰ２で配列された複数の受光
部２１を備えている第２センサ２０とを備えており、第
１センサ１０または第２センサ２０を用いることで解像
度の異なる画情報の読み取りを行うことができるように
なる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、画情報を受光部で
読み取り、電気信号に変換する画像読み取り装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】複写機やスキャナ等の画像入力装置に
は、原稿の画情報を取り込んで電気信号に変換する画像
読み取り装置が設けられている。また、この画像読み取
り装置は、画情報を読み取る複数の受光部を備えたセン
サ（リニアセンサ等）と、光信号である画情報をセンサ
上に結像させる光学系とを備えている。

【０００３】画像読み取り装置のセンサとしては、読み
取り対象となる原稿の大きさやサンプリング密度に対応
した画素数（受光部の数）のものが用意されている。例
えば、最大Ａ３（ＪＩＳ規格）サイズの原稿を４００ｓ
ｐｉ（sampling par inch ）のサンプリング密度で読み
取る装置では、約５０００画素のリニアセンサが必要と
なる。

【０００４】また、より高い解像度が必要な場合、例え
ば、この２倍の８００ｓｐｉのサンプリング密度でＡ３
サイズの原稿を読み取る装置を実現しようとすると、約
１００００画素のリニアセンサが必要となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】このように高解像度で
原稿の読み取りを行う場合には、その解像度に応じた画
素数のセンサが必要となるが、一般に高解像度での読み
取り作業は通常の解像度での読み取り作業に比べて頻度
が少なく、画像読み取り装置も作業頻度の多い通常の解
像度に合わせたセンサを用いることで必要以上に装置の
コストが上がらないようにしている。

【０００６】しかし、頻度は少ないものの高解像度で原
稿を読み取りたい場合もある。これに対応するため、高
解像度での読み取りを行える画像読み取り装置をもう１
台用意することも考えられるが、頻度の少ない作業を行
うために高価な画像読み取り装置を別個用意するのは得
策でない。

【０００７】そこで、高解像度に対応した読み取りを原
稿面の一部に限定してではあるが行うため、１本のリニ
アセンサに対して結像系を２種類用意し、必要に応じて
機械的に切り換える画像読み取り装置が考えられている
（特開平５−５６２１７号公報、特開平５−１３６９４
６号公報、特開平６−９８０９９号公報、特開平６−３
０３３９２号公報参照）。

【０００８】しかし、２種類の結像系を機械的に切り換
える装置では通常解像度用、高解像度用各々２種類のレ
ンズが必要となり、装置の大型化や複雑化を招くととも
に、高精度の切り換え機構が必要となってしまう。

【０００９】また、画素数の多いセンサ（多画素セン
サ）を用いて画像読み取り装置を構成した場合には、１
つの多画素センサによって高解像度の読み取りと通常解
像度の読み取りとを兼ねることが可能となるが、画素数
が多いほど読み取り速度が低下し、高精細でなくてもよ
い原稿の読み取りでも必要以上に時間がかかり、生産性
の低下を招くことになる。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された画像読み取り装置である。す
なわち、本発明の画像読み取り装置は、画情報を読み取
り電気信号に変換するため一のピッチで配列された複数
の受光部を備えている一の光電変換素子と、画情報を読
み取り電気信号に変換するため一のピッチと異なる他の
ピッチで配列された複数の受光部を備えている他の光電
変換素子とを備えている。

【００１１】本発明では、各々受光部のピッチが異なる
一の光電変換素子と他の光電変換素子とを備えているこ
とから、一つの装置で解像度の異なる画情報の読み取り
を行うことができるようになる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の画像読み取り装
置における実施の形態を図に基づいて説明する。図１は
本発明の画像読み取り装置における第１実施形態を説明
する図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大
図である。

【００１３】すなわち、第１実施形態における画像読み
取り装置１は、所定のピッチＰ１で配列された複数の受
光部１１を備えている第１センサ１０と、ピッチＰ１よ
り小さいピッチＰ２で配列された複数の受光部２１を備
えている第２センサ２０と、第１センサ１０と第２セン
サ２０とを近接させた状態で基台３０上に実装するパッ
ケージ４０とを備えた構成となっている。

【００１４】第１センサ１０と第２センサ２０とは別個
のチップ部品として形成されており、基台３０上で距離
Ｄ１だけ開けて略平行に配置されている。

【００１５】第１センサ１０では原稿の文字画像等を読
み取れる程度の解像度（通常の解像度）で読み取り、各
受光部１１で電気信号に変換して出力している。一方、
第２センサ２０の受光部２１では原稿の写真画像等を読
み取れる程度の解像度（高い解像度）で読み取り、各受
光部２１で電気信号に変換して出力している。

【００１６】このような画像読み取り装置１を複写機や
スキャナ等の画像入力装置に適用することで、１台の画
像入力装置を用いて通常の解像度と高い解像度との両方
で画像の読み取りを行うことができるようになる。すな
わち、通常の解像度で読み取りを行う場合には第１セン
サ１０を用いて読み取るようにし、高い解像度で読み取
りを行う場合には第２センサ２０を用いて読み取るよう
にすればよい。

【００１７】また、この第１センサ１０と第２センサ２
０とが基台３０上において近接した状態で配置されてい
ることから、異なる解像度での読み取りを行う場合にも
同じ光学系を用いて各解像度で画像を読み取ることがで
きる。これにより、読み取り解像度を切り換える場合で
も光学系の切り換えを行う必要がなくなり、装置の簡素
化できるようになる。

【００１８】図２は第２実施形態を説明する図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大図である。
第２実施形態における画像読み取り装置１では、第１セ
ンサ１０と第２センサ２０とが同一の基板３１上に一体
的に形成されている点に特徴がある。

【００１９】第１センサ１０はピッチＰ１で配列された
複数の受光部１１を備えており、第２センサ１０はピッ
チＰ１より小さいピッチＰ２で配列された複数の受光部
２１を備えている。また、同一の基板３１上に形成され
た第１センサ１０と第２センサ２０とは距離Ｄ２だけ開
けて略平行に配置されている。

【００２０】第２実施形態では、同一の基板３１上に第
１センサ１０と第２センサ２０とを形成していることか
ら、同一プロセスにて第１センサ１０および第２センサ
２０を製造することができ、例えばフォトリソグラフィ
ー技術によってその距離Ｄ２を第１実施形態における距
離Ｄ１より小さくすることができるとともに、第１セン
サ１０と第２センサ２０との位置関係を正確に設定でき
るようになる。

【００２１】図３は画素ピッチおよび画素列長の例を示
す図である。すなわち、例１では、サンプリング密度が
４００ｓｐｉと６００ｓｐｉとに対応したものであり、
４００ｓｐｉに対応する第１センサの画素ピッチＰ１が
１４μｍ、画素列長が７０ｍｍ、６００ｓｐｉに対応す
る第２センサの画素ピッチＰ２が９．３３μｍ、画素列
長が４６．６７ｍｍとなっている。

【００２２】また、例２では、サンプリング密度が４０
０ｓｐｉと８００ｓｐｉとに対応したものであり、４０
０ｓｐｉに対応する第１センサの画素ピッチＰ１が１４
μｍ、画素列長が７０ｍｍ、８００ｓｐｉに対応する第
２センサの画素ピッチＰ２が７μｍ、画素列長が３５ｍ
ｍとなっている。

【００２３】いずれの例でもサンプリング密度の高い方
に対応した第２センサの画素長列がサンプリング密度の
低い方に対応した第１センサの画素長列より短くなって
おり、高精細の読み取りを行うセンサを備える場合の装
置のコストアップを抑制できるようになっている。

【００２４】なお、高精細読み取り時にも高速で読み取
りたいがその代わりに読み取り幅は多少狭くてもよいと
いう場合には、サンプリング密度の高い方に対応した第
２センサの長さを読み取り幅に応じて短くして、受光部
数を減らすようにしてもよい。

【００２５】また、第１センサおよび第２センサにおけ
る受光部数を同一にしておくことで、各センサでの読み
取りデータ数を同じにすることができ、その出力データ
を取り扱う際に容易となる。

【００２６】図４は第３実施形態を説明する図で、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大図である。
この画像読み取り装置１は、カラー画像を取り込むため
のものであり、第１センサ１０がＲ（赤）に対応したピ
ッチＰ１で配列される受光部１１ｒと、Ｇ（緑）に対応
したピッチＰ１で配列される受光部１１ｇと、Ｂ（青）
に対応したピッチＰ１で配列される受光部１１ｂとの３
列で構成され、第２センサ２０がＲ（赤）に対応したピ
ッチＰ２で配列される受光部２１ｒと、Ｇ（緑）に対応
したピッチＰ２で配列される受光部２１ｇと、Ｂ（青）
に対応したピッチＰ２で配列される受光部２１ｂとの３
列で構成されている。

【００２７】また、第１センサ１０と第２センサ２０と
は同一の基板３１上に距離ｄ１だけ離れて配置され、第
１センサ１０の各列は距離ｄ２、第２センサ２０の各列
は距離ｄ３だけ離れて形成され、同一パッケージ４０内
に収納されている。この第１センサ１０および第２セン
サ２０の各列における画素ピッチや画素列長は図３に示
す例と同様であり、各例において各々対応する色の画像
を取り込むようにしている。

【００２８】これにより、第１センサ１０において通常
の解像度（例えば、４００ｓｐｉ）でカラー画像を読み
取り、第２センサ２０において高い解像度（例えば、６
００ｓｐｉ）でカラー画像を読み取ることができるよう
になる。また、第１センサ１０および第２センサ２０が
近接して配置されていることで、同一の光学系にて解像
度の異なるカラー画像の取り込みを行うことができるよ
うになる。

【００２９】図５は第４実施形態を説明する図であり、
（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）の一部拡大図である。
第４実施形態における画像読み取り装置１は、第３実施
形態と同様、カラー画像を取り込むためのものである
が、第１センサ１０がＲ（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）と
対応した受光部１１ｒ、１１ｇ、１１ｂをピッチＰ１で
順に配列した構成となっており、第２センサ２０がＲ
（赤）、Ｇ（緑）、Ｂ（青）と対応した受光部２１ｒ、
２１ｇ、２１ｂをピッチＰ２で順に配列した構成となっ
ている点で相違する。

【００３０】この画像読み取り装置１では、ＲＧＢ点順
次で受光部１１ｒ、１１ｇ、１１ｂが並ぶ第１センサ１
０と、ＲＧＢ点順次で受光部２１ｒ、２１ｇ、２１ｂが
並ぶ第２センサ２０とが距離ｄ１だけ離れて同じ基板３
１上に形成されており、同一パッケージ４０内に収納さ
れている。

【００３１】このような画像読み取り装置１により、第
１センサ１０において通常の解像度（例えば、４００ｓ
ｐｉ）でカラー画像を読み取り、第２センサ２０におい
て高い解像度（例えば、６００ｓｐｉ）でカラー画像を
読み取ることができる。また、第１センサ１０および第
２センサ２０が近接して配置されていることで、同一の
光学系にて解像度の異なるカラー画像の取り込みを行う
ことができるようになる。

【００３２】なお、上記実施形態の他、第３実施形態で
説明した３ラインカラーセンサを第１センサ１０または
第２センサ２０とし、第４実施形態で説明した点順次セ
ンサを第２センサ２０または第１センサ１０として組み
合わせてもよい。

【００３３】図６は上記説明した各実施形態における第
１センサ１０および第２センサ２０の配置を説明する図
であり、（ａ）は各センサの中央位置を揃えるように配
置する例、（ｂ）は各センサの端部を揃えるように配置
する例を示している。

【００３４】例えば、図６（ａ）に示すように、第１セ
ンサ１０と第２センサ２０と受光部の並びにおける中央
位置を揃えるようにして画像読み取り装置１を構成した
場合には、図７に示すように、原稿面の全面を通常読み
取り時の読み取り範囲として、光軸を中心とした中央領
域に高精細読み取り時の読み取り範囲を設けることがで
きる。

【００３５】すなわち、第１センサ１０と第２センサ２
０とがその中央位置を揃えて配置されている場合には、
通常（例えば、４００ｓｐｉ）の解像度での画像読み取
りを第１センサ１０で行う際には、レンズを介して原稿
面の全面がその読み取り範囲となり、高い（例えば８０
０ｓｐｉ）の解像度での画像読み取りを第２センサ２０
で行う際には、レンズを介して光軸を中心とした原稿面
の中央領域がその読み取り範囲となる。

【００３６】このように高い解像度で画像の読み取りを
行う際に光軸を中央とした原稿面の中央領域を読み取り
範囲とすることで、レンズのＭＴＦ特性が良好で色ずれ
の少ないレンズの光軸付近を使用でき、高い解像度で取
り込みを行う場合でも良好な画質を得ることができるよ
うになる。

【００３７】図８はプラテン上での読み取り範囲を示す
図であり、図６（ａ）に示すような第１センサ１０と第
２センサ２０とが中央位置を揃えて配置されている画像
読み取り装置１を用いる場合には、プラテンの中央領域
が高精細読み取り時の読み取り範囲となる（図中ハッチ
ング部分参照）。

【００３８】また、図６（ｂ）に示すように、第１セン
サ１０と第２センサ２０との受光部の並びにおける端部
を揃えるようにして画像読み取り装置１を構成した場合
には、図９に示すように、原稿面の全面を通常読み取り
時の読み取り範囲として、原稿面の光軸位置から一方の
端部にかけての領域に高精細読み取り時の読み取り範囲
を設けることができる。

【００３９】すなわち、第１センサ１０と第２センサ２
０とがその端部を揃えて配置されている場合には、通常
（例えば、４００ｓｐｉ）の解像度での画像読み取りを
第１センサ１０で行う際には、レンズを介して原稿面の
全面がその読み取り範囲となり、高い（例えば８００ｓ
ｐｉ）の解像度での画像読み取りを第２センサ２０で行
う際には、レンズを介して光軸から一方の端部にかけて
の原稿面領域がその読み取り範囲となる。

【００４０】この高精細読み取り時の読み取り範囲の基
準位置である原稿面の一方の端部をプラテンレジ位置に
合わせるようにすることで、高精細読み取りを行い際の
原稿の位置合わせを容易にすることができる。

【００４１】図１０はプラテン上での読み取り範囲を示
す図であり、図６（ｂ）に示すような第１センサ１０と
第２センサ２０とがその端部を揃えるように配置されて
いる画像読み取り装置１を用いる場合には、プラテンの
例えば上側半分の領域が高精細読み取り時の読み取り範
囲となる（図中ハッチング部分参照）。

【００４２】これにより、高精細読み取りを行う際、原
稿ガイドのプラテンレジ位置に原稿を突き当てるように
してセットすれば、高精細読み取り時の読み取り範囲に
確実に原稿を載置できるようになる。

【００４３】次に、このような第１センサ１０および第
２センサ２０を備えた画像読み取り装置１を用いて原稿
画像の読み取りを行う場合の走査について説明する。図
１１は読み取り走査を説明する図である。

【００４４】走査系としては、主としてプラテンガラス
ＰＧの下方に配置され走査速度Ｖｐで移動するフルレー
トキャリッジＦＣと、フルレートキャリッジＦＣの走査
速度Ｖｐの半分の走査速度Ｖｐ／２で移動するハーフレ
ートキャリッジＨＣとを備えている。

【００４５】フルレートキャリッジＦＣは、プラテンガ
ラスＰＧ上の第１センサ読み取り位置および第２センサ
読み取り位置で読み取った画情報（光信号）を反射させ
るミラーを備えており、速度Ｖｐで走査しながら反射し
た光信号をハーフレートキャリッジＨＣへ伝えている。

【００４６】また、ハーフレートキャリッジＨＣは、フ
ルレートキャリッジＦＣで反射した光信号を反射させる
ミラーを備えており、速度Ｖｐ／２で走査しながら反射
した光信号をレンズを介して第１センサ１０および第２
センサ２０へ伝えている。

【００４７】本実施形態の画像読み取り装置１では、先
に説明したように第１センサ１０と第２センサ２０とが
近接して配置されているが、その間にはわずかな間隔が
ある。したがって、このような画像読み取り装置１によ
り解像度の異なる画像を同一の走査系で取り組む場合、
プラテンガラスＰＧ上では第１センサ１０と第２センサ
２０との間隔およびレンズ系の倍率に応じた読み取り位
置のずれが生じることになる。

【００４８】そこで、本実施形態では、図１２（ａ）、
（ｂ）に示すように読み取り開始位置を各々のセンサに
応じて合わせるようにしている。すなわち、図１２
（ａ）に示すように、第１センサを用いる場合にはレジ
ガイドの端部に第１センサ読み取り位置が合うようフル
レートキャリッジＦＣの位置を制御し、図１２（ｂ）に
示すように、第２センサを用いる場合にはレジガイドの
端部に第２センサ読み取り位置が合うようフルレートキ
ャリッジＦＣの位置を制御している。

【００４９】これによって画像読み取り装置において第
１センサと第２センサとで配置位置にずれがあっても読
み取り開始位置を合わせることができ、的確な走査を行
うことができるようになる。

【００５０】また、本実施形態では、第１センサと第２
センサとのサンプリング密度の違いおよび読み取り原稿
サイズに応じて読み取り速度（走査速度）を変えるよう
制御している。

【００５１】図１３は読み取り速度を説明する図であ
り、（ａ）は第１センサ（４００ｓｐｉ）で読み取った
場合の原稿側の画素サイズ、（ｂ）は第２センサ（６０
０ｓｐｉ）で読み取った場合の原稿側の画素サイズを示
している。

【００５２】すなわち、第１センサで読み取った場合、
原稿側での１画素の大きさは一辺Ｐ１’（例えば６３．
５μｍ）の正方形領域となる。一方、第２センサで読み
取った場合、原稿側での１画素の大きさは一辺Ｐ２’
（例えば、４２．３μｍ）の正方形領域となる。この場
合、画素サイズの一辺の大きさは、Ｐ２’＝（２／３）
×Ｐ１’となる。

【００５３】ここで、読み取り原稿の幅を一定とする場
合では、第２センサでの読み取り画素数Ｎ２＝（３／
２）×第１センサでの読み取り画素数Ｎ１となるので、
同じ読み取りビデオレートの場合、第２センサでの読み
取り走査速度を第１センサでの読み取り走査速度の（２
／３）×（２／３）＝４／９倍にすることになる。

【００５４】また、画素サイズが第２センサでは第１セ
ンサに比べて（２／３）² ＝４／９倍（チャネルストッ
パの分は考慮しない）となるので、Ｓ／Ｎの劣化を回避
するために１ライン当たりの読み取り露光時間を９／４
倍する必要がある。このため、第２センサでの読み取り
走査速度を第１センサでの読み取り走査速度の４／９倍
にする必要がある。

【００５５】その結果、両者を合わせると、読み取り原
稿の幅を一致させる場合には第２センサの読み取り走査
速度を第１センサの読み取り走査速度の（２／３）⁴ 倍
すなわちサンプリング密度の比の４乗に反比例する速度
にすればよいことになる。

【００５６】つまり、４００／６００ｓｐｉなら速度比
は５．０６：１になる。このため、高精細読み取り時に
も高速で読み取りたいがその代わりに読み取り幅は多少
狭くてもよいという場合には、サンプリング密度の高い
方に対応した第２センサの長さを読み取り幅に応じて短
くして、受光部数を減らすようにしてもよい。

【００５７】例えば、第１センサ（４００ｓｐｉ）での
読み取りに対して読み取り原稿の幅を２／３にして第２
センサ（６００ｓｐｉ）で読み取る場合、第１センサで
の読み取り画素数Ｎ１＝第２センサでの読み取り画素数
Ｎ２となることから、第２センサでの読み取り走査速度
を第１センサの読み取り走査速度の（２／３）³ 倍すな
わちサンプリング密度の比の３乗に反比例する速度（速
度比は３．３８：１）にすればよいことになる。

【００５８】さらに、第１センサ（４００ｓｐｉ）での
読み取りに対して読み取り原稿の幅を４／９にして第２
センサ（６００ｓｐｉ）で読み取る場合、第２センサで
の読み取り画素数Ｎ２＝（２／３）×第１センサでの読
み取り画素数Ｎ１となることから、第２センサでの読み
取り走査速度を第１センサの読み取り走査速度の（２／
３）² 倍すなわちサンプリング密度の比の２乗に反比例
する速度（速度比は２．２５：１）にすればよいことに
なる。

【００５９】このように、第２センサでの読み取り走査
速度を、その読み取り範囲および第１センサとのサンプ
リング密度の比に応じて制御することにより、高精細読
み取りを行う場合にもＳ／Ｎを劣化させることなく的確
な走査速度で読み取りを行うことが可能となる。

【００６０】なお、本実施形態では主として第１センサ
１０および第２センサ２０の２つのセンサを同一パッケ
ージ４０内に収納した画像読み取り装置１の例を説明し
たが、本発明はこれに限定されず、画素ピッチの異なる
３つ以上のセンサを同一パッケージ４０内に収納して構
成したものであってもよい。

【００６１】また、主として第１センサ１０と第２セン
サ２０との画素列長が異なる場合を示して説明したが、
同じ画素列長のものを配置してもよい。さらに、高精細
読み取り時にも高速で読み取りたいがその代わりに読み
取り幅は多少狭くてもよいという場合には、サンプリン
グ密度の高い方に対応した第２センサ２０の長さを読み
取り幅に応じて短くして、受光部数を減らすようにして
もよい。

【００６２】また、第１センサ１０および第２センサ２
０における受光部数を同一にしておくことで、各センサ
での読み取りデータ数を同じにすることができ、その出
力データを取り扱う際に容易となる。

【００６３】また、上記実施形態において示したサンプ
リング密度や画素ピッチ、画素列長は一例であり、これ
に限定されることはない。

【００６４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の画像読み
取り装置によれば次のような効果がある。すなわち、本
発明では同一パッケージ内に各々受光部のピッチが異な
る一の光電変換素子と他の光電変換素子とが収納されて
いることから、１台の画像入力装置で異なる解像度の読
み取りを行うことが可能となる。また、一の光電変換素
子と他の光電変換素子とが近接して配置されていること
で異なる解像度の読み取りでも同一の光学系を用いるこ
とができ、画像入力装置の小型化および簡素化を図るこ
とが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 第１実施形態を説明する図である。

【図２】 第２実施形態を説明する図である。

【図３】 画素ピッチと画素列長の例を示す図である。

【図４】 第３実施形態を説明する図である。

【図５】 第４実施形態を説明する図である。

【図６】 センサの配置を説明する図である。

【図７】 読み取り範囲を説明する図（その１）であ
る。

【図８】 プラテン上での読み取り範囲を示す図（その
１）である。

【図９】 読み取り範囲を説明する図（その２）であ
る。

【図１０】 プラテン上での読み取り範囲を示す図（そ
の２）である。

【図１１】 読み取り走査を説明する図である。

【図１２】 読み取り開始位置を説明する図である。

【図１３】 読み取り速度を説明する図である。

【符号の説明】

１ 画像読み取り装置 １０ 第１センサ １１ 受光部 ２０ 第２センサ ２１ 受光部 ３０ 基台 ３１ 基板 ４０ パッケージ

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画情報を読み取り電気信号に変換するた
   め一のピッチで配列された複数の受光部を備えている一
   の光電変換素子と、 画情報を読み取り電気信号に変換するため前記一のピッ
   チと異なる他のピッチで配列された複数の受光部を備え
   ている他の光電変換素子とを備えていることを特徴とす
   る画像読み取り装置。
2. 【請求項２】 前記一の光電変換素子と前記他の光電変
   換素子とが同一基板上に形成されていることを特徴とす
   る請求項１記載の画像読み取り装置。
3. 【請求項３】 前記一の光電変換素子と前記他の光電変
   換素子とが、各々の受光部の並びにおける中央を揃えて
   配置されていることを特徴とする請求項１記載の画像読
   み取り装置。
4. 【請求項４】 前記一の光電変換素子と前記他の光電変
   換素子とが、各々の受光部の並びにおける端部を揃えて
   配置されていることを特徴とする請求項１記載の画像読
   み取り装置。
5. 【請求項５】 前記一の光電変換素子と前記他の光電変
   換素子との配置における間隔に応じて前記画情報の読み
   取りの際の読み取り開始位置を制御する位置制御手段を
   備えていることを特徴とする請求項１記載の画像読み取
   り装置。
6. 【請求項６】 前記画情報の読み取りにおいて、前記一
   の光電変換素子および前記他の光電変換素子のうちいず
   れを使用するかに応じて読み取り速度を制御する速度制
   御手段を備えていることを特徴とする請求項１記載の画
   像読み取り装置。