JPH1032463A - 弾性表面波多重モードフィルタ - Google Patents
弾性表面波多重モードフィルタInfo
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- JPH1032463A JPH1032463A JP9005675A JP567597A JPH1032463A JP H1032463 A JPH1032463 A JP H1032463A JP 9005675 A JP9005675 A JP 9005675A JP 567597 A JP567597 A JP 567597A JP H1032463 A JPH1032463 A JP H1032463A
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Classifications
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/46—Filters
- H03H9/64—Filters using surface acoustic waves
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- H03H9/6433—Coupled resonator filters
- H03H9/6479—Capacitively coupled SAW resonator filters
-
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- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 この発明は、弾性表面波多重モードフィルタ
であって、０．１％程度の比帯域幅を確保し、さらに通
過帯域外のスプリアスを抑制することを課題とする。 【解決手段】 弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な方
向に近接配置された２つの弾性表面波共振器と、２つの
弾性表面波共振器を音響的に結合させる結合部から構成
され、前記弾性表面波共振器が、圧電基板上に、弾性表
面波を励振する励振部と電気信号を入力する信号端子部
とからなるＩＤＴと、弾性表面波の伝搬方向と平行であ
ってＩＤＴの両側に近接して配置され、かつ励振部と信
号端子部とを有する反射器とからなり、結合部を伝搬す
る弾性表面波の速度を、インターデジタルトランスデュ
ーサの励振部を伝搬する弾性表面波の速度よりも大きい
範囲内でそれに近づけたことを特徴とする。
であって、０．１％程度の比帯域幅を確保し、さらに通
過帯域外のスプリアスを抑制することを課題とする。 【解決手段】 弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な方
向に近接配置された２つの弾性表面波共振器と、２つの
弾性表面波共振器を音響的に結合させる結合部から構成
され、前記弾性表面波共振器が、圧電基板上に、弾性表
面波を励振する励振部と電気信号を入力する信号端子部
とからなるＩＤＴと、弾性表面波の伝搬方向と平行であ
ってＩＤＴの両側に近接して配置され、かつ励振部と信
号端子部とを有する反射器とからなり、結合部を伝搬す
る弾性表面波の速度を、インターデジタルトランスデュ
ーサの励振部を伝搬する弾性表面波の速度よりも大きい
範囲内でそれに近づけたことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、弾性表面波フィ
ルタに関し、特に、インターディジタルトランスデュー
サ（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）を利用した弾
性表面波共振器を、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直
な方向に配置した、横結合型多重モードフィルタに関す
る。
ルタに関し、特に、インターディジタルトランスデュー
サ（ＩＤＴ：Inter Digital Transducer）を利用した弾
性表面波共振器を、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直
な方向に配置した、横結合型多重モードフィルタに関す
る。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】近年、
弾性表面波フィルタは、低背で急峻なフィルタ特性を実
現でき、かつ小型であるため、携帯電話等の移動通信端
末に利用されている。また、弾性表面波フィルタのうち
横結合型多重モードフィルタは狭帯域フィルタとして適
した特性を備えており、特に水晶基板を用いた場合、温
度安定性に優れ、かつ比帯域幅０．０５％程度の狭帯域
なフィルタが実現されている。さらに、横結合型多重モ
ードフィルタは、通過帯域外のスプリアスも少ないた
め、携帯電話等のＩＦフィルタとして広く用いられてい
る。
弾性表面波フィルタは、低背で急峻なフィルタ特性を実
現でき、かつ小型であるため、携帯電話等の移動通信端
末に利用されている。また、弾性表面波フィルタのうち
横結合型多重モードフィルタは狭帯域フィルタとして適
した特性を備えており、特に水晶基板を用いた場合、温
度安定性に優れ、かつ比帯域幅０．０５％程度の狭帯域
なフィルタが実現されている。さらに、横結合型多重モ
ードフィルタは、通過帯域外のスプリアスも少ないた
め、携帯電話等のＩＦフィルタとして広く用いられてい
る。
【０００３】しかし、近年サービスが開始されたＰＨＳ
等のデジタルコードレス電話をはじめとする移動通信端
末は、システムのデジタル化に伴って、比帯域幅が０．
１％程度で、良好な温度特性を持つフィルタが要求され
ている。この比帯域幅が０．１％程度のフィルタを実現
するためには、従来用いられている手段として、２つの
ものが考えられる。
等のデジタルコードレス電話をはじめとする移動通信端
末は、システムのデジタル化に伴って、比帯域幅が０．
１％程度で、良好な温度特性を持つフィルタが要求され
ている。この比帯域幅が０．１％程度のフィルタを実現
するためには、従来用いられている手段として、２つの
ものが考えられる。
【０００４】１つは、温度特性が良好かつ電気機械結合
係数の大きな圧電基板を用いる手段であり、他の１つ
は、水晶基板を用いて横結合型多重モードフィルタ以外
の複雑なフィルタ構成とする手段、例えば特開平６−２
３２６８７号公報に記載されたような複合縦共振モード
結合型のフィルタを用いることである。前記要求仕様を
実現できるような温度特性が良好かつ電気機械結合係数
が大きな基板は現状Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7しかない。しかし、Ｌ
ｉ2Ｂ4Ｏ7は弾性表面波に対する２次の温度係数は水晶
基板よりも大きく、かつ水で腐食されやすいという性質
があるため、フィルタを製造するプロセスが難しいとい
う問題がある。
係数の大きな圧電基板を用いる手段であり、他の１つ
は、水晶基板を用いて横結合型多重モードフィルタ以外
の複雑なフィルタ構成とする手段、例えば特開平６−２
３２６８７号公報に記載されたような複合縦共振モード
結合型のフィルタを用いることである。前記要求仕様を
実現できるような温度特性が良好かつ電気機械結合係数
が大きな基板は現状Ｌｉ2Ｂ4Ｏ7しかない。しかし、Ｌ
ｉ2Ｂ4Ｏ7は弾性表面波に対する２次の温度係数は水晶
基板よりも大きく、かつ水で腐食されやすいという性質
があるため、フィルタを製造するプロセスが難しいとい
う問題がある。
【０００５】また、前記特開平６−２３２６８７号公報
に記載された複合縦共振モード結合型のフィルタでは、
２つのＩＤＴとその両側にある反射器から構成されるた
め、フィルタサイズが大きくなると共に、通過帯域外に
ノイズの原因となる不要なスプリアスがかなり多く発生
するという問題がある。
に記載された複合縦共振モード結合型のフィルタでは、
２つのＩＤＴとその両側にある反射器から構成されるた
め、フィルタサイズが大きくなると共に、通過帯域外に
ノイズの原因となる不要なスプリアスがかなり多く発生
するという問題がある。
【０００６】そこで、この発明は、以上のような事情を
考慮してなされたものであり、簡単な構成で比帯域幅を
０．１％程度とすること、さらに通過帯域外のスプリア
スの少ないフィルタを実現することを目的として、横結
合型の弾性表面波多重モードフィルタを提供するもので
ある。また、横結合型の弾性表面波多重モードフィルタ
の各構成部分を伝搬する弾性表面波の速度関係を調整す
ることによって、帯域幅の拡大と共に、スプリアスの抑
制をすることを目的とする。
考慮してなされたものであり、簡単な構成で比帯域幅を
０．１％程度とすること、さらに通過帯域外のスプリア
スの少ないフィルタを実現することを目的として、横結
合型の弾性表面波多重モードフィルタを提供するもので
ある。また、横結合型の弾性表面波多重モードフィルタ
の各構成部分を伝搬する弾性表面波の速度関係を調整す
ることによって、帯域幅の拡大と共に、スプリアスの抑
制をすることを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】この発明は、圧電基板上
に、弾性表面波を励振する励振部と電気信号を入力する
信号端子部とからなるインターデジタルトランスデュー
サと、弾性表面波の伝搬方向と平行であってインターデ
ジタルトランスデューサの両側に近接して配置され、か
つ励振部と信号端子部とを有する反射器とからなる弾性
表面波共振器を、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な
方向に２つ近接配置し、結合部によって２つの弾性表面
波共振器を音響的に結合させる弾性表面波多重モードフ
ィルタであって、結合部を伝搬する弾性表面波の速度
を、インターデジタルトランスデューサの励振部を伝搬
する弾性表面波の速度よりも大きい範囲内でそれに近づ
けたことを特徴とする弾性表面波多重モードフィルタを
提供するものである。
に、弾性表面波を励振する励振部と電気信号を入力する
信号端子部とからなるインターデジタルトランスデュー
サと、弾性表面波の伝搬方向と平行であってインターデ
ジタルトランスデューサの両側に近接して配置され、か
つ励振部と信号端子部とを有する反射器とからなる弾性
表面波共振器を、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な
方向に２つ近接配置し、結合部によって２つの弾性表面
波共振器を音響的に結合させる弾性表面波多重モードフ
ィルタであって、結合部を伝搬する弾性表面波の速度
を、インターデジタルトランスデューサの励振部を伝搬
する弾性表面波の速度よりも大きい範囲内でそれに近づ
けたことを特徴とする弾性表面波多重モードフィルタを
提供するものである。
【０００８】また、前記結合部を弾性表面波の伝搬方向
に並んだ複数個のスリットを有する金属電極で構成すれ
ば、ＰＨＳ等のＩＦフィルタに好適な比帯域幅０．１％
程度を有する弾性表面波多重モードフィルタを得ること
ができる。また、前記インターデジタルトランスデュー
サの信号端子部の一部を、弾性表面波の伝搬方向に並ん
だ複数個のスリットを有する金属電極とすることで、さ
らに高周波測スプリアスの抑制された弾性表面波多重モ
ードフィルタを得ることができる。
に並んだ複数個のスリットを有する金属電極で構成すれ
ば、ＰＨＳ等のＩＦフィルタに好適な比帯域幅０．１％
程度を有する弾性表面波多重モードフィルタを得ること
ができる。また、前記インターデジタルトランスデュー
サの信号端子部の一部を、弾性表面波の伝搬方向に並ん
だ複数個のスリットを有する金属電極とすることで、さ
らに高周波測スプリアスの抑制された弾性表面波多重モ
ードフィルタを得ることができる。
【０００９】前記したインターデジタルトランスデュー
サ（以下ＩＤＴと呼ぶ）は前記したように励振部と信号
端子部とから構成される。励振部及び信号端子部はアル
ミニウムＡｌ，金Ａｕ，銅Ｃｕ，チタンＴｉなどの金属
材料を用いることが多い。ＩＤＴの励振部は、通常用い
られるＩＤＴと同様に一定間隔で配置された複数個の電
極指から構成される。
サ（以下ＩＤＴと呼ぶ）は前記したように励振部と信号
端子部とから構成される。励振部及び信号端子部はアル
ミニウムＡｌ，金Ａｕ，銅Ｃｕ，チタンＴｉなどの金属
材料を用いることが多い。ＩＤＴの励振部は、通常用い
られるＩＤＴと同様に一定間隔で配置された複数個の電
極指から構成される。
【００１０】電極指は、信号端子部に電気的に接続され
たすだれ状の電極と、前記結合部に電気的に接続された
すだれ状の電極であって、これらのすだれ状の電極が交
互に一定間隔で配置されることによって表面弾性波を励
振する励振部が構成される。前記電極指の幅と、電極指
と電極指の間隔は同一長さとしてもよく、たとえば３．
２μｍとすることができる。
たすだれ状の電極と、前記結合部に電気的に接続された
すだれ状の電極であって、これらのすだれ状の電極が交
互に一定間隔で配置されることによって表面弾性波を励
振する励振部が構成される。前記電極指の幅と、電極指
と電極指の間隔は同一長さとしてもよく、たとえば３．
２μｍとすることができる。
【００１１】また、前記結合部も、励振部及び信号端子
部と同様な金属材料（Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ等）を用
いることができるが、励振部と異なる金属材料を用いて
もよい。たとえば励振部にＡｌ，結合部及び信号端子部
にＡｕを用いてもよい。結合部のスリットとは、表面弾
性波の伝搬方向について一定の幅を持ち、その伝搬方向
とは垂直な方向に細長い格子形状の空間であって、その
スリットの部分は、圧電基板がむき出しとなっている部
分をいう。
部と同様な金属材料（Ａｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ等）を用
いることができるが、励振部と異なる金属材料を用いて
もよい。たとえば励振部にＡｌ，結合部及び信号端子部
にＡｕを用いてもよい。結合部のスリットとは、表面弾
性波の伝搬方向について一定の幅を持ち、その伝搬方向
とは垂直な方向に細長い格子形状の空間であって、その
スリットの部分は、圧電基板がむき出しとなっている部
分をいう。
【００１２】また、フィルタの性能上この結合部の各ス
リットは、表面弾性波の伝搬方向に一定の幅でかつ一定
間隔で配列されていることが好ましい。なお、信号端子
部において形成されるスリットもこの結合部と同様の構
造としてもよい。
リットは、表面弾性波の伝搬方向に一定の幅でかつ一定
間隔で配列されていることが好ましい。なお、信号端子
部において形成されるスリットもこの結合部と同様の構
造としてもよい。
【００１３】さらに、この発明の弾性表面波多重モード
フィルタは、インターデジタルトランスデューサの励振
部が一定間隔で配置された複数個の電極指から構成さ
れ、前記結合部のスリットの幅ｂとスリット間隔ａとの
比ａ／ｂが、前記電極指の幅ｄと間隔ｃとの比ｄ／ｃよ
りも大きいように構成してもよい。たとえばｃ＝ｄ＝
３．２μｍに対して、ａ＝４．８μｍ，ｂ＝１．６μｍ
程度とすることができる。
フィルタは、インターデジタルトランスデューサの励振
部が一定間隔で配置された複数個の電極指から構成さ
れ、前記結合部のスリットの幅ｂとスリット間隔ａとの
比ａ／ｂが、前記電極指の幅ｄと間隔ｃとの比ｄ／ｃよ
りも大きいように構成してもよい。たとえばｃ＝ｄ＝
３．２μｍに対して、ａ＝４．８μｍ，ｂ＝１．６μｍ
程度とすることができる。
【００１４】また、前記結合部は、互いに電気的に絶縁
されて接地された２つの電極部と、この２つの電極部に
挟まれた空間に電気的に絶縁され弾性表面波の伝搬方向
に配列された複数個の浮き電極とから構成してもよい。
ここで、結合部を構成する２つの電極部と浮き電極と
は、前記した結合部と同様の金属材料（Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ等）を用いることができる。また、浮き電極
は、前記した結合部のスリットと同様な構造とすること
ができる。すなわち、浮き電極は、表面弾性波の伝搬方
向について一定の幅を持ち、その伝搬方向とは垂直な方
向に細長い一定形状とし、表面弾性波の伝搬方向に一定
間隔で配列されるようにしてもよい。
されて接地された２つの電極部と、この２つの電極部に
挟まれた空間に電気的に絶縁され弾性表面波の伝搬方向
に配列された複数個の浮き電極とから構成してもよい。
ここで、結合部を構成する２つの電極部と浮き電極と
は、前記した結合部と同様の金属材料（Ａｌ，Ａｕ，Ｃ
ｕ，Ｔｉ等）を用いることができる。また、浮き電極
は、前記した結合部のスリットと同様な構造とすること
ができる。すなわち、浮き電極は、表面弾性波の伝搬方
向について一定の幅を持ち、その伝搬方向とは垂直な方
向に細長い一定形状とし、表面弾性波の伝搬方向に一定
間隔で配列されるようにしてもよい。
【００１５】さらに、浮き電極を持つ弾性表面波多重モ
ードフィルタにおいて、インターデジタルトランスデュ
ーサの励振部が、一定間隔で配置された複数個の電極指
から構成され、前記浮き電極の幅ｅと浮き電極の間隔ｆ
との比ｅ／ｆが、前記電極指の幅ｄと間隔ｃとの比ｄ／
ｃよりも大きいように構成してもよい。
ードフィルタにおいて、インターデジタルトランスデュ
ーサの励振部が、一定間隔で配置された複数個の電極指
から構成され、前記浮き電極の幅ｅと浮き電極の間隔ｆ
との比ｅ／ｆが、前記電極指の幅ｄと間隔ｃとの比ｄ／
ｃよりも大きいように構成してもよい。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、図面に示す実施の形態に基
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。
づいてこの発明を詳述する。なお、これによってこの発
明が限定されるものではない。
【００１７】第１実施例 図１に、この発明の弾性表面波多重モードフィルタの第
１実施例の構成図を示す。図１において、四角形状１は
圧電基板を示している。この圧電基板は２．０mm×５．
０mm程度の大きさである。この発明の弾性表面波多重モ
ードフィルタは、いわゆる横結合型の分類に属するフィ
ルタであり、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬方向に対
して垂直な方向に２つの弾性表面波共振器を配置したも
のである。
１実施例の構成図を示す。図１において、四角形状１は
圧電基板を示している。この圧電基板は２．０mm×５．
０mm程度の大きさである。この発明の弾性表面波多重モ
ードフィルタは、いわゆる横結合型の分類に属するフィ
ルタであり、圧電基板上に、弾性表面波の伝搬方向に対
して垂直な方向に２つの弾性表面波共振器を配置したも
のである。
【００１８】１つの弾性表面波共振器は、中央に配置し
たインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）２ａ
と、紙面に対して左右方向、すなわち弾性表面波の伝搬
方向と同じ方向であって、ＩＤＴ２ａの両側に近接して
配置された反射器３ａ及び４ａとから構成される。同様
に、もう一つの弾性表面波共振器は、１つのＩＤＴ ２
ｂと、その両側の反射器３ｂ及び４ｂとから構成され
る。
たインターデジタルトランスデューサ（ＩＤＴ）２ａ
と、紙面に対して左右方向、すなわち弾性表面波の伝搬
方向と同じ方向であって、ＩＤＴ２ａの両側に近接して
配置された反射器３ａ及び４ａとから構成される。同様
に、もう一つの弾性表面波共振器は、１つのＩＤＴ ２
ｂと、その両側の反射器３ｂ及び４ｂとから構成され
る。
【００１９】ここで、ＩＤＴ（２ａ，２ｂ）は、紙面の
上方から下方へと延びたすだれ状電極（または電極指と
も呼ぶ）と、下方から上方へ延びたすだれ状電極を交互
に一定間隔で配置した「励振部」５３，５４と、紙面の
上方から下方へと延びたすだれ状電極を電気的に接続し
紙面の左右方向に細長い形状の「信号端子部」５１，５
２とから構成される。励振部は、紙面の左右方向に弾性
表面波を励振する部分である。
上方から下方へと延びたすだれ状電極（または電極指と
も呼ぶ）と、下方から上方へ延びたすだれ状電極を交互
に一定間隔で配置した「励振部」５３，５４と、紙面の
上方から下方へと延びたすだれ状電極を電気的に接続し
紙面の左右方向に細長い形状の「信号端子部」５１，５
２とから構成される。励振部は、紙面の左右方向に弾性
表面波を励振する部分である。
【００２０】反射器３ａ，４ａ，３ｂ，４ｂは、ＩＤＴ
と同様に、格子部３１と端子部３２とから構成される。
「格子部」３１はＩＤＴの「励振部」５３，５４に対応
し、「端子部」３２はＩＤＴの「信号端子部」５１，５
２に対応する。反射器の格子部３１は、端子部３２で電
気的に接続され紙面の上下方向に延びた等長の細長い電
極から構成される。反射器の端子部３２はＩＤＴの信号
端子部５１と同様の形状でよい。なお、一方のＩＤＴの
信号端子部は、実際に電気信号が入力される端子であ
り、他方のＩＤＴの信号端子部は励振された弾性表面波
から得られる電気信号を出力する端子である。
と同様に、格子部３１と端子部３２とから構成される。
「格子部」３１はＩＤＴの「励振部」５３，５４に対応
し、「端子部」３２はＩＤＴの「信号端子部」５１，５
２に対応する。反射器の格子部３１は、端子部３２で電
気的に接続され紙面の上下方向に延びた等長の細長い電
極から構成される。反射器の端子部３２はＩＤＴの信号
端子部５１と同様の形状でよい。なお、一方のＩＤＴの
信号端子部は、実際に電気信号が入力される端子であ
り、他方のＩＤＴの信号端子部は励振された弾性表面波
から得られる電気信号を出力する端子である。
【００２１】ＩＤＴの信号端子部５１，５２及び反射器
の端子部３２は「信号側バスバー」とも呼ぶ。このよう
な２つの弾性表面波共振器は、金属電極によって形成さ
れる結合部５によって音響的に結合される。この結合部
５のことを「共通バスバー」と呼ぶ。
の端子部３２は「信号側バスバー」とも呼ぶ。このよう
な２つの弾性表面波共振器は、金属電極によって形成さ
れる結合部５によって音響的に結合される。この結合部
５のことを「共通バスバー」と呼ぶ。
【００２２】図１においては、共通バスバー５は、２つ
の弾性表面波共振器の間にあって、ＩＤＴの励振部５
３，５４及び反射器の格子部３１の金属電極と電気的に
接続され、金属ストリップのグレーテイング構造となっ
ている。ここでグレーティング構造とは、共通バスバー
５の中央部付近に、紙面の上下方向に一定幅の細長いス
リットを等間隔で設けたものであり、金属電極が格子形
状になっている。共通バスバー５の上下方向の一端は、
どちらも励振部５３，５４の各電極に電気的に接続され
る。共通バスバー５の上下方向の幅は、ＩＤＴの電極周
期の数倍程度あればよい。スリットは、金属電極のない
空間であって、下の圧電基板がむき出しになっている。
なお、スリットの間隔は必ずしも一定でなくても良い。
の弾性表面波共振器の間にあって、ＩＤＴの励振部５
３，５４及び反射器の格子部３１の金属電極と電気的に
接続され、金属ストリップのグレーテイング構造となっ
ている。ここでグレーティング構造とは、共通バスバー
５の中央部付近に、紙面の上下方向に一定幅の細長いス
リットを等間隔で設けたものであり、金属電極が格子形
状になっている。共通バスバー５の上下方向の一端は、
どちらも励振部５３，５４の各電極に電気的に接続され
る。共通バスバー５の上下方向の幅は、ＩＤＴの電極周
期の数倍程度あればよい。スリットは、金属電極のない
空間であって、下の圧電基板がむき出しになっている。
なお、スリットの間隔は必ずしも一定でなくても良い。
【００２３】紙面の左右方向について、スリットの幅及
びスリット間の金属電極の幅は、ＩＤＴの励振部のすだ
れ電極と同様にどちらも３．２μｍとすることができ
る。ただし、後述する理由により金属電極の幅ａをスリ
ット幅ｂよりも大きくした方がよい。あるいは、金属電
極の幅ａとスリットの幅ｂの比ａ／ｂを、ＩＤＴのすだ
れ電極の幅ｄとすだれ電極の間隔ｃの比ｄ／ｃよりも大
きくした方がよい。たとえば、金属電極の幅ａを４．８
μｍ、スリット幅ｂを１．６μｍとすることが好まし
い。
びスリット間の金属電極の幅は、ＩＤＴの励振部のすだ
れ電極と同様にどちらも３．２μｍとすることができ
る。ただし、後述する理由により金属電極の幅ａをスリ
ット幅ｂよりも大きくした方がよい。あるいは、金属電
極の幅ａとスリットの幅ｂの比ａ／ｂを、ＩＤＴのすだ
れ電極の幅ｄとすだれ電極の間隔ｃの比ｄ／ｃよりも大
きくした方がよい。たとえば、金属電極の幅ａを４．８
μｍ、スリット幅ｂを１．６μｍとすることが好まし
い。
【００２４】ここで、圧電基板は金属電極に電気信号を
印加したときに、その表面に弾性表面波を発生できる材
料であればよく、従来から用いられているようなＬｉ2
Ｂ4Ｏ 7を利用してもよいが、温度安定性に優れた水晶を
用いることが好ましい。
印加したときに、その表面に弾性表面波を発生できる材
料であればよく、従来から用いられているようなＬｉ2
Ｂ4Ｏ 7を利用してもよいが、温度安定性に優れた水晶を
用いることが好ましい。
【００２５】また、水晶を用いた圧電基板の中でも、Ｓ
Ｔカット水晶，ＡＴカット水晶等の回転Ｙカット水晶を
用いることがフィルタの性能上好ましい。また、弾性表
面波共振器の各構成部分は、金属材料が用いられるが、
比較的比重の大きな金属を用いるのがフィルタの帯域特
性の点で有利であり、たとえばＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ
等を用いることができる。特に、この中で導電性，耐腐
食性の点でＡｌを用いることが好ましい。
Ｔカット水晶，ＡＴカット水晶等の回転Ｙカット水晶を
用いることがフィルタの性能上好ましい。また、弾性表
面波共振器の各構成部分は、金属材料が用いられるが、
比較的比重の大きな金属を用いるのがフィルタの帯域特
性の点で有利であり、たとえばＡｌ，Ａｕ，Ｃｕ，Ｔｉ
等を用いることができる。特に、この中で導電性，耐腐
食性の点でＡｌを用いることが好ましい。
【００２６】上記のような図１に示した横結合型の弾性
表面波多重モードフィルタでは、上方の弾性表面波共振
器の信号端子部（信号側バスバー）に電気信号が入力さ
れると、励振部２ａのすだれ電極上において紙面に左右
方向の弾性表面波が励振される。そして、音響的結合に
よって、下方の弾性表面波共振器の励振部２ｂ上のすだ
れ電極上で紙面に左右方向に弾性表面波が励振され、下
方の信号端子部（信号側バスバー）から電気信号として
出力される。
表面波多重モードフィルタでは、上方の弾性表面波共振
器の信号端子部（信号側バスバー）に電気信号が入力さ
れると、励振部２ａのすだれ電極上において紙面に左右
方向の弾性表面波が励振される。そして、音響的結合に
よって、下方の弾性表面波共振器の励振部２ｂ上のすだ
れ電極上で紙面に左右方向に弾性表面波が励振され、下
方の信号端子部（信号側バスバー）から電気信号として
出力される。
【００２７】この発明の第１実施例においては、上記の
ように「結合部」をグレーティング構造にすることを特
徴とする。そして、結合部をグレーティング（格子形
状）構造にすることによって、結合部を伝搬する弾性表
面波の伝搬速度が均一な金属膜の場合より遅くなり、そ
の結果ＩＤＴのすだれ電極部の領域と結合部の領域を伝
搬する弾性表面波の伝搬速度差を小さくできるので、２
つの弾性表面波共振器間の音響的結合が強くなり、通過
帯域幅を拡大して要求される所望の比帯域幅を持ったフ
ィルタを作成することができる。
ように「結合部」をグレーティング構造にすることを特
徴とする。そして、結合部をグレーティング（格子形
状）構造にすることによって、結合部を伝搬する弾性表
面波の伝搬速度が均一な金属膜の場合より遅くなり、そ
の結果ＩＤＴのすだれ電極部の領域と結合部の領域を伝
搬する弾性表面波の伝搬速度差を小さくできるので、２
つの弾性表面波共振器間の音響的結合が強くなり、通過
帯域幅を拡大して要求される所望の比帯域幅を持ったフ
ィルタを作成することができる。
【００２８】以下に横結合型の多重モードフィルタの動
作原理について述べる。図３に、横結合型多重モードフ
ィルタの一部を示す。図１と同様に、２つの弾性表面波
共振器（信号側バスバー５１と励振部５３，信号側バス
バー５２と励振部５４）と結合部（共通バスバー）５５
とから構成される。ここで、図１とは異なり、結合部
（共通バスバー）５５を均一な金属電極として図示して
いる。
作原理について述べる。図３に、横結合型多重モードフ
ィルタの一部を示す。図１と同様に、２つの弾性表面波
共振器（信号側バスバー５１と励振部５３，信号側バス
バー５２と励振部５４）と結合部（共通バスバー）５５
とから構成される。ここで、図１とは異なり、結合部
（共通バスバー）５５を均一な金属電極として図示して
いる。
【００２９】２つの弾性表面波共振器を並列に近接させ
て配置した場合、これら各共振器間で音響的結合が生じ
る。この結果、図３に示したように２つ共振モードφ
ａ，φｂが励振される。これら２つの共振モードはそれ
ぞれ異なった共振周波数ｆａおよびｆｂを有し、ｆａと
ｆｂの差が横モード結合型共振器フィルタの通過帯域幅
を決定する。ｆａ，ｆｂは各共振器内の振動のエネルギ
ーの閉じ込め具合、および共振器同志の結合の度合いに
依存する。
て配置した場合、これら各共振器間で音響的結合が生じ
る。この結果、図３に示したように２つ共振モードφ
ａ，φｂが励振される。これら２つの共振モードはそれ
ぞれ異なった共振周波数ｆａおよびｆｂを有し、ｆａと
ｆｂの差が横モード結合型共振器フィルタの通過帯域幅
を決定する。ｆａ，ｆｂは各共振器内の振動のエネルギ
ーの閉じ込め具合、および共振器同志の結合の度合いに
依存する。
【００３０】図３の右側はｆａ，ｆｂを求めるために、
弾性表面波伝搬速度の違いにより横結合型多重モードフ
ィルタをモデル化したものである。ここで、励振部５
３，５４、結合部５５，および信号側バスバー５１，５
２の弾性表面波伝搬速度をそれぞれＶｉｄｔ，Ｖｇａ
ｐ，Ｖｂｕｓとする。このとき、弾性表面波のエネルギ
ーが励振部５３，５４に閉じ込められるには、これら３
つの速度の大小関係が次式を満たさねばならない。 Ｖｉｄｔ＜Ｖｂｕｓ，Ｖｇａｐ （１） ここで弾性表面波の振動エネルギーのモードをスカラー
ポテンシャルφａ，φｂで近似すると、φａ，φｂは次
式を満足することが知られている。
弾性表面波伝搬速度の違いにより横結合型多重モードフ
ィルタをモデル化したものである。ここで、励振部５
３，５４、結合部５５，および信号側バスバー５１，５
２の弾性表面波伝搬速度をそれぞれＶｉｄｔ，Ｖｇａ
ｐ，Ｖｂｕｓとする。このとき、弾性表面波のエネルギ
ーが励振部５３，５４に閉じ込められるには、これら３
つの速度の大小関係が次式を満たさねばならない。 Ｖｉｄｔ＜Ｖｂｕｓ，Ｖｇａｐ （１） ここで弾性表面波の振動エネルギーのモードをスカラー
ポテンシャルφａ，φｂで近似すると、φａ，φｂは次
式を満足することが知られている。
【００３１】
【数１】 ここでφａ，φｂの伝搬速度をそれぞれＶａ，Ｖｂとす
ると、Ｖａ，Ｖｂは次式を満足する値をとる。
ると、Ｖａ，Ｖｂは次式を満足する値をとる。
【００３２】
【数２】
【００３３】Ｖａ，Ｖｂが決まれば各共振モードに対す
る共振周波数ｆａ，ｆｂが決定し、その差（ｆａ−ｆ
ｂ）から通過帯域幅が決定される。以上から、フィルタ
の通過帯域幅は励振部の幅、結合部の幅および信号側バ
スバー領域の弾性表面波伝搬速度、また、励振部の幅お
よび結合部の幅の寸法に依存することがわかる。まず、
結合部の幅の弾性表面波伝搬速度Ｖｇａｐに対するＶ
ａ，Ｖｂの変化を図４に示す。この結果から、結合部の
幅が一定のとき、Ｖｇａｐを遅くすることで通過帯域幅
が拡大できることがわかる。実際にＶｇａｐを遅くする
には、図１のように結合部をグレーディング構造とすれ
ばよい。
る共振周波数ｆａ，ｆｂが決定し、その差（ｆａ−ｆ
ｂ）から通過帯域幅が決定される。以上から、フィルタ
の通過帯域幅は励振部の幅、結合部の幅および信号側バ
スバー領域の弾性表面波伝搬速度、また、励振部の幅お
よび結合部の幅の寸法に依存することがわかる。まず、
結合部の幅の弾性表面波伝搬速度Ｖｇａｐに対するＶ
ａ，Ｖｂの変化を図４に示す。この結果から、結合部の
幅が一定のとき、Ｖｇａｐを遅くすることで通過帯域幅
が拡大できることがわかる。実際にＶｇａｐを遅くする
には、図１のように結合部をグレーディング構造とすれ
ばよい。
【００３４】図１における結合部の構成は、図５に示す
ようにＩＤＴの非交差部６１、均一な金属電極膜部６
２、およびグレーティング部６３に分けられる。このた
め、結合部の弾性表面波の伝搬速度はこの３つの部分の
伝搬速度の平均的な値と考えられる。ここで、スリット
を有するグレーティング下を伝搬する弾性表面波の速度
は、均一な金属電極膜下を伝搬する弾性表面波の速度よ
り遅いという性質をもつ。したがって、このように結合
部の一部を金属ストリップのグレーティング構造とする
ことで通過帯域幅を拡大できる。
ようにＩＤＴの非交差部６１、均一な金属電極膜部６
２、およびグレーティング部６３に分けられる。このた
め、結合部の弾性表面波の伝搬速度はこの３つの部分の
伝搬速度の平均的な値と考えられる。ここで、スリット
を有するグレーティング下を伝搬する弾性表面波の速度
は、均一な金属電極膜下を伝搬する弾性表面波の速度よ
り遅いという性質をもつ。したがって、このように結合
部の一部を金属ストリップのグレーティング構造とする
ことで通過帯域幅を拡大できる。
【００３５】また、金属電極膜の面積が大きくなるた
め、弾性表面波の伝搬速度は、グレーティングの線幅が
太い程遅くなる。したがって、グレーティング線幅は太
いほど通過帯域幅を広げることができる。ここで、グレ
ーティング線幅がＩＤＴの励振部５３の線幅より太くな
ると、ＩＤＴのグレーティング部６３を伝搬する弾性表
面波の伝搬速度は、ＩＤＴの励振部５３より遅くなり、
モードの閉じ込めが無くなると考えられる。しかし、前
述のようにＩＤＴの結合部５５の弾性表面波の伝搬速度
は３つの部分の平均的な値となるため、モードの閉じ込
めが生じる。
め、弾性表面波の伝搬速度は、グレーティングの線幅が
太い程遅くなる。したがって、グレーティング線幅は太
いほど通過帯域幅を広げることができる。ここで、グレ
ーティング線幅がＩＤＴの励振部５３の線幅より太くな
ると、ＩＤＴのグレーティング部６３を伝搬する弾性表
面波の伝搬速度は、ＩＤＴの励振部５３より遅くなり、
モードの閉じ込めが無くなると考えられる。しかし、前
述のようにＩＤＴの結合部５５の弾性表面波の伝搬速度
は３つの部分の平均的な値となるため、モードの閉じ込
めが生じる。
【００３６】第１実施例の具体例として、次のような中
心周波数２４５ＭＨｚの横結合型多重モードフィルタを
作成した。 圧電基板：ＳＴカット水晶 ＩＤＴの電極周期 λ：１２．８μｍ ＩＤＴのすだれ電極の線幅ｄ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の間隔ｃ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の膜厚：０．１５μｍ ＩＤＴの電極対数：２００対 反射器の電極対数：２００対 ＩＤＴの励振部の幅Ｗ：７λ 結合部の幅Ｇ：１．８λ 共通バスバーの金属電極幅ａ：４．８μｍ 共通バスバーのスリット幅ｂ：１．６μｍ ＩＤＴ及び金属電極の材料：Ａｌ
心周波数２４５ＭＨｚの横結合型多重モードフィルタを
作成した。 圧電基板：ＳＴカット水晶 ＩＤＴの電極周期 λ：１２．８μｍ ＩＤＴのすだれ電極の線幅ｄ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の間隔ｃ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の膜厚：０．１５μｍ ＩＤＴの電極対数：２００対 反射器の電極対数：２００対 ＩＤＴの励振部の幅Ｗ：７λ 結合部の幅Ｇ：１．８λ 共通バスバーの金属電極幅ａ：４．８μｍ 共通バスバーのスリット幅ｂ：１．６μｍ ＩＤＴ及び金属電極の材料：Ａｌ
【００３７】図１０（ａ）に、この発明の第１実施例の
フィルタの帯域通過特性を示す。また、図１０（ｂ）
に、共通バスバーをすべて均一な金属電極膜で形成した
場合の帯域通過特性を示す。ここで、ＩＤＴの励振部を
伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｉｄｔ＝３１４３ｍ／
ｓ，図１０（ａ）におけるグレーティング構造の共通バ
スバーでの伝搬速度＝３１４８ｍ／ｓ，図１０（ｂ）に
おける均一金属電極膜の共通バスバーでの伝搬速度＝３
１５６ｍ／ｓである。
フィルタの帯域通過特性を示す。また、図１０（ｂ）
に、共通バスバーをすべて均一な金属電極膜で形成した
場合の帯域通過特性を示す。ここで、ＩＤＴの励振部を
伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｉｄｔ＝３１４３ｍ／
ｓ，図１０（ａ）におけるグレーティング構造の共通バ
スバーでの伝搬速度＝３１４８ｍ／ｓ，図１０（ｂ）に
おける均一金属電極膜の共通バスバーでの伝搬速度＝３
１５６ｍ／ｓである。
【００３８】図１０（ａ）において、通過帯域幅は３０
０ＫＨｚであり、図１０（ｂ）において、通過帯域幅は
２３０ＫＨｚとなっている。したがって、結合部（共通
バスバー）をグレーティング構造とすることで、約１．
３倍の通過帯域幅が得られることがわかる。また、比帯
域幅（３００ＫＨｚ／２４５ＭＨｚ）も約０．１２％と
なり、ＰＨＳ等のデジタルコードレス電話の要求仕様を
満たす。
０ＫＨｚであり、図１０（ｂ）において、通過帯域幅は
２３０ＫＨｚとなっている。したがって、結合部（共通
バスバー）をグレーティング構造とすることで、約１．
３倍の通過帯域幅が得られることがわかる。また、比帯
域幅（３００ＫＨｚ／２４５ＭＨｚ）も約０．１２％と
なり、ＰＨＳ等のデジタルコードレス電話の要求仕様を
満たす。
【００３９】なお、図４によれば、結合部の速度Ｖｇａ
ｐを遅くしていっても、結合部の幅Ｇが１０λ（λはＩ
ＤＴの周期）以上となると、比通過帯域幅は０．０１％
以下となり、実用上使えない。したがって、結合部の幅
Ｇは１０λ以下とすることが好ましい。
ｐを遅くしていっても、結合部の幅Ｇが１０λ（λはＩ
ＤＴの周期）以上となると、比通過帯域幅は０．０１％
以下となり、実用上使えない。したがって、結合部の幅
Ｇは１０λ以下とすることが好ましい。
【００４０】次に、結合部，励振部及び信号端子部を伝
搬する弾性表面波の大小関係について述べる。
搬する弾性表面波の大小関係について述べる。
【００４１】ここでは、図５に示したような結合部を備
えたＩＤＴ２０を考える。すなわち、ＩＤＴの結合部５
５は、「ＩＤＴの非交差部６１」，「均一な金属電極膜
部６２」及び「グレーティング部６３」から構成され
る。圧電基板にＳＴカット水晶を用い、ＩＤＴ２０の各
部分の電極材料に膜厚０．３６μｍ程度のＡｌを用いる
ことにする。
えたＩＤＴ２０を考える。すなわち、ＩＤＴの結合部５
５は、「ＩＤＴの非交差部６１」，「均一な金属電極膜
部６２」及び「グレーティング部６３」から構成され
る。圧電基板にＳＴカット水晶を用い、ＩＤＴ２０の各
部分の電極材料に膜厚０．３６μｍ程度のＡｌを用いる
ことにする。
【００４２】また、図５に示した「ＩＤＴの非交差部６
１」の幅ｐ＝２．４４５μｍ，「均一な金属電極膜部６
２」の幅ｑ＝１．２５２μｍ，「グレーティング部６
３」の幅ｒ＝３．６３５μｍ，ＩＤＴの励振部５３の線
幅を電極周期の１／２周期の５０％，グレーティング部
６３の線幅を１／２周期の６０％とする。
１」の幅ｐ＝２．４４５μｍ，「均一な金属電極膜部６
２」の幅ｑ＝１．２５２μｍ，「グレーティング部６
３」の幅ｒ＝３．６３５μｍ，ＩＤＴの励振部５３の線
幅を電極周期の１／２周期の５０％，グレーティング部
６３の線幅を１／２周期の６０％とする。
【００４３】この場合、均一な金属電極膜下を伝搬する
弾性表面波の伝搬速度（Ｖｍｅｔａｌ）は約３１４９ｍ
／ｓ，励振部５３を伝搬する弾性表面波の伝搬速度（Ｖ
ｉｄｔ）は約３０９２ｍ／である。また、図５におい
て、信号端子部５１は均一な金属電極膜であるので、信
号端子部５１を伝搬する弾性表面波の伝搬速度（Ｖｂｕ
ｓ）はＶｍｅｔａｌと等しく、約３１４９ｍ／ｓであ
る。
弾性表面波の伝搬速度（Ｖｍｅｔａｌ）は約３１４９ｍ
／ｓ，励振部５３を伝搬する弾性表面波の伝搬速度（Ｖ
ｉｄｔ）は約３０９２ｍ／である。また、図５におい
て、信号端子部５１は均一な金属電極膜であるので、信
号端子部５１を伝搬する弾性表面波の伝搬速度（Ｖｂｕ
ｓ）はＶｍｅｔａｌと等しく、約３１４９ｍ／ｓであ
る。
【００４４】一方、結合部５５は、前記したように３つ
の部分６１，６２，６３から構成されるので、結合部５
５を伝搬する弾性表面波の伝搬速度は実測できない。た
だし、以下のように計算すれば、結合部５５を伝搬する
弾性表面波の伝搬速度を推定できる。
の部分６１，６２，６３から構成されるので、結合部５
５を伝搬する弾性表面波の伝搬速度は実測できない。た
だし、以下のように計算すれば、結合部５５を伝搬する
弾性表面波の伝搬速度を推定できる。
【００４５】結合部の各部における弾性表面波の伝搬速
度は次のようになる。「ＩＤＴの非交差部６１」では３
１０４ｍ／ｓ，「均一な金属電極膜部６２」では３１４
９ｍ／ｓ，「グレーティング部６３」では３０８７ｍ／
ｓである。これらの各部の伝搬速度と前記した各部の幅
とから、結合部全体としての速度（Ｖｇａｐ）は次のよ
うに求められる。
度は次のようになる。「ＩＤＴの非交差部６１」では３
１０４ｍ／ｓ，「均一な金属電極膜部６２」では３１４
９ｍ／ｓ，「グレーティング部６３」では３０８７ｍ／
ｓである。これらの各部の伝搬速度と前記した各部の幅
とから、結合部全体としての速度（Ｖｇａｐ）は次のよ
うに求められる。
【００４６】Ｖｇａｐ＝（３１０４×２．４４５×２＋
３１４９×１．２５２×２＋３０８７×３．６３５）／
（２．４４５×２＋１．２５２×２＋３．６３５）＝３
１０９ｍ／ｓ すなわち、上記の場合、Ｖｍｅｔａｌ＝Ｖｂｕｓ＞Ｖｇ
ａｐ＞Ｖｉｄｔという関係が成立する。
３１４９×１．２５２×２＋３０８７×３．６３５）／
（２．４４５×２＋１．２５２×２＋３．６３５）＝３
１０９ｍ／ｓ すなわち、上記の場合、Ｖｍｅｔａｌ＝Ｖｂｕｓ＞Ｖｇ
ａｐ＞Ｖｉｄｔという関係が成立する。
【００４７】また、図５の結合部５５のうち、ＩＤＴの
非交差部６１を除いた部分を、「アース端子部５６」と
呼ぶ。すなわち、アース端子部５６は、「均一な金属電
極膜部６２」と、「グレーティング部６３」とからな
る。このアース端子部５６を伝搬する弾性表面波の伝搬
速度をＶｃｏｍｍｏｎとすると、Ｖｃｏｍｍｏｎは、次
式のように求められる。
非交差部６１を除いた部分を、「アース端子部５６」と
呼ぶ。すなわち、アース端子部５６は、「均一な金属電
極膜部６２」と、「グレーティング部６３」とからな
る。このアース端子部５６を伝搬する弾性表面波の伝搬
速度をＶｃｏｍｍｏｎとすると、Ｖｃｏｍｍｏｎは、次
式のように求められる。
【００４８】Ｖｃｏｍｍｏｎ＝（３１４９×１．２５２
×２＋３０８７×３．６３５）／（１．２５２×２＋
３．６３５）＝３１１２ ｍ／ｓ すなわち、信号端子部５１の伝搬速度Ｖｂｕｓ（＝３１
４９ｍ／ｓ）とアース端子部５６の伝搬速度Ｖｃｏｍｍ
ｏｎとの間では、Ｖｂｕｓ＞Ｖｃｏｍｍｏｎという関係
が成立する。この場合、図１９に示すように、図１０
（ａ）と同様の通過帯域特性が得られ、従来に比べて帯
域幅は約１９％拡大できた。なお、結合部を均一な金属
電極膜としていた従来の構成では、Ｖｍｅｔａｌ＝Ｖｂ
ｕｓ＝Ｖｇａｐ＞Ｖｉｄｔという関係が成立していた。
×２＋３０８７×３．６３５）／（１．２５２×２＋
３．６３５）＝３１１２ ｍ／ｓ すなわち、信号端子部５１の伝搬速度Ｖｂｕｓ（＝３１
４９ｍ／ｓ）とアース端子部５６の伝搬速度Ｖｃｏｍｍ
ｏｎとの間では、Ｖｂｕｓ＞Ｖｃｏｍｍｏｎという関係
が成立する。この場合、図１９に示すように、図１０
（ａ）と同様の通過帯域特性が得られ、従来に比べて帯
域幅は約１９％拡大できた。なお、結合部を均一な金属
電極膜としていた従来の構成では、Ｖｍｅｔａｌ＝Ｖｂ
ｕｓ＝Ｖｇａｐ＞Ｖｉｄｔという関係が成立していた。
【００４９】次に、上記構成に加えて、信号端子部５１
をグレーティング構造とした場合を考える。たとえば、
信号端子部５１が金属電極の線幅を３０％としたグレー
ティング構造を備えた場合には、Ｖｂｕｓ＝３１０１ｍ
／ｓとなった。したがって、Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｇａｐ＞
Ｖｂｕｓ＞Ｖｉｄｔという関係が成立する。この場合、
通過帯域の高周波側においてスプリアスのレベルをかな
り抑圧できた。
をグレーティング構造とした場合を考える。たとえば、
信号端子部５１が金属電極の線幅を３０％としたグレー
ティング構造を備えた場合には、Ｖｂｕｓ＝３１０１ｍ
／ｓとなった。したがって、Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｇａｐ＞
Ｖｂｕｓ＞Ｖｉｄｔという関係が成立する。この場合、
通過帯域の高周波側においてスプリアスのレベルをかな
り抑圧できた。
【００５０】次に、図５に示した結合部のグレーティン
グ部６３の金属電極の線幅を５μｍとし、信号端子部５
１の線幅を２０％のグレーティングとした場合を考え
る。このとき、Ｖｂｕｓ及びＶｇａｐはいずれも約３１
０６ｍ／ｓとなり、Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｂｕｓ＝Ｖｇａｐ
＞Ｖｉｄｔという関係が成立する。この場合は、通過帯
域幅は２３％拡大され、同時にスプリアスのレベルもか
なり抑圧できた。
グ部６３の金属電極の線幅を５μｍとし、信号端子部５
１の線幅を２０％のグレーティングとした場合を考え
る。このとき、Ｖｂｕｓ及びＶｇａｐはいずれも約３１
０６ｍ／ｓとなり、Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｂｕｓ＝Ｖｇａｐ
＞Ｖｉｄｔという関係が成立する。この場合は、通過帯
域幅は２３％拡大され、同時にスプリアスのレベルもか
なり抑圧できた。
【００５１】また、図５において、結合部のグレーティ
ング部６３の金属電極の線幅を７μｍに大きくし、信号
端子部５１の線幅を２０％のグレーティングとした場合
を考える。このとき、Ｖｇａｐは約３１０４ｍ／ｓとな
り、Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｂｕｓ＞Ｖｇａｐ＞Ｖｉｄｔとい
う関係が成立する。したがってこの場合も上記と同時に
通過帯域幅の拡大（１１％拡大）とスプリアスレベルの
抑圧をすることができた。
ング部６３の金属電極の線幅を７μｍに大きくし、信号
端子部５１の線幅を２０％のグレーティングとした場合
を考える。このとき、Ｖｇａｐは約３１０４ｍ／ｓとな
り、Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｂｕｓ＞Ｖｇａｐ＞Ｖｉｄｔとい
う関係が成立する。したがってこの場合も上記と同時に
通過帯域幅の拡大（１１％拡大）とスプリアスレベルの
抑圧をすることができた。
【００５２】第２実施例 図２に、この発明の弾性表面波多重モードフィルタの第
２実施例を示す。図１と同様に、励振部と信号端子部と
からなるＩＤＴ（９ａ，９ｂ）と反射器（１０ａ，１１
ａ，１０ｂ，１１ｂ）とから構成され、結合部１２によ
って２つの弾性表面波共振器が音響的に結合されてい
る。特にこの実施例では、ＩＤＴの信号端子部（信号側
バスバー）１３ａ，１３ｂ及び反射器の端子部３２の一
部も金属ストリップのグレーティング構造としたことを
特徴とする。
２実施例を示す。図１と同様に、励振部と信号端子部と
からなるＩＤＴ（９ａ，９ｂ）と反射器（１０ａ，１１
ａ，１０ｂ，１１ｂ）とから構成され、結合部１２によ
って２つの弾性表面波共振器が音響的に結合されてい
る。特にこの実施例では、ＩＤＴの信号端子部（信号側
バスバー）１３ａ，１３ｂ及び反射器の端子部３２の一
部も金属ストリップのグレーティング構造としたことを
特徴とする。
【００５３】一般に、通過帯域外のスプリアスの存在は
通過帯域外の減衰特性に悪影響を及ぼす。したがってス
プリアスをできるだけ抑制することが望まれるが、図２
のような構成をとることによって、高周波側のスプリア
スについて改善ができる。この結果、０．１％程度の比
帯域幅を有し、さらにスプリアスの抑制されたフィルタ
が得られる。
通過帯域外の減衰特性に悪影響を及ぼす。したがってス
プリアスをできるだけ抑制することが望まれるが、図２
のような構成をとることによって、高周波側のスプリア
スについて改善ができる。この結果、０．１％程度の比
帯域幅を有し、さらにスプリアスの抑制されたフィルタ
が得られる。
【００５４】この高周波側のスプリアスに影響を及ぼす
要因となる弾性表面波の伝搬速度とＩＤＴの励振部の幅
について以下に説明する。図６に、横結合型多重モード
フィルタを構成する１つの弾性表面波共振器の一般的な
例を示す。図６の右側に示すように、信号側バスバー５
１，５２と励振部５３の領域をモデル化すると、弾性表
面波の振動エネルギーは励振部に閉じ込められる。この
とき、閉じ込められるモードの数は励振部の幅Ｗにより
決定され、たとえば図６の左側に示したφ0（基本モー
ド），φ1（高次モード）ができる。ここで、励振部の
幅Ｗを広くすればするほどこのモードの数が増えること
が知られている。
要因となる弾性表面波の伝搬速度とＩＤＴの励振部の幅
について以下に説明する。図６に、横結合型多重モード
フィルタを構成する１つの弾性表面波共振器の一般的な
例を示す。図６の右側に示すように、信号側バスバー５
１，５２と励振部５３の領域をモデル化すると、弾性表
面波の振動エネルギーは励振部に閉じ込められる。この
とき、閉じ込められるモードの数は励振部の幅Ｗにより
決定され、たとえば図６の左側に示したφ0（基本モー
ド），φ1（高次モード）ができる。ここで、励振部の
幅Ｗを広くすればするほどこのモードの数が増えること
が知られている。
【００５５】図７，図８，図９に、励振部の幅Ｗと弾性
表面波のモードの関係を示す。各図において、横軸はＩ
ＤＴの電極周期λで規格化した励振部の幅であり、縦軸
は各モードの弾性表面波の伝搬速度の逆数である。ま
た、図７，図８，図９において、信号側バスバーを伝搬
する弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓは、それぞれ３１５
６ｍ／ｓ，３１５２ｍ／ｓ，３１４８ｍ／ｓである。い
ずれの図も励振部の幅を広げると、高次のモードの弾性
表面波が現れてくるのがわかる。この高次モードが高周
波側のスプリアスとなってフィルタに悪影響を及ぼす。
表面波のモードの関係を示す。各図において、横軸はＩ
ＤＴの電極周期λで規格化した励振部の幅であり、縦軸
は各モードの弾性表面波の伝搬速度の逆数である。ま
た、図７，図８，図９において、信号側バスバーを伝搬
する弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓは、それぞれ３１５
６ｍ／ｓ，３１５２ｍ／ｓ，３１４８ｍ／ｓである。い
ずれの図も励振部の幅を広げると、高次のモードの弾性
表面波が現れてくるのがわかる。この高次モードが高周
波側のスプリアスとなってフィルタに悪影響を及ぼす。
【００５６】図７，図８，図９を比較すると、伝搬速度
Ｖｂｕｓを遅くすれば、高次モードが出現する励振部の
幅が大きいことがわかる。すなわち、端子側バスバー領
域を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓが遅いほ
ど、規格化した励振部の幅が大きくても高次モードが出
現しにくいため、励振部の幅の設計自由度が大きいと言
える。
Ｖｂｕｓを遅くすれば、高次モードが出現する励振部の
幅が大きいことがわかる。すなわち、端子側バスバー領
域を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓが遅いほ
ど、規格化した励振部の幅が大きくても高次モードが出
現しにくいため、励振部の幅の設計自由度が大きいと言
える。
【００５７】一方、励振部の幅が小さい場合には、入出
力間の電気的アイソレーションが悪く、フィルタの通過
帯域外の減衰特性が劣化する。したがって、端子側バス
バー領域を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓを遅
くすることによって、励振部の幅を大きくしても、高周
波スプリアスを抑制することができる。
力間の電気的アイソレーションが悪く、フィルタの通過
帯域外の減衰特性が劣化する。したがって、端子側バス
バー領域を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓを遅
くすることによって、励振部の幅を大きくしても、高周
波スプリアスを抑制することができる。
【００５８】ただし、前記したように弾性表面波の振動
エネルギーを励振部内に閉じ込めるために、伝搬速度Ｖ
ｂｕｓは、励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｉ
ｄｔよりも速くなければならない。そこで図２に示した
ように信号側バスバー１３ａ，１３ｂをグレーティング
構造にすることによって、信号側バスバーが図１に示し
たような均一な金属膜で形成されている場合に比べてそ
の信号側バスバー領域の弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓ
を遅くし、さらに、励振部５３，５４を伝搬する弾性表
面波の伝搬速度Ｖｉｄｔよりもわずかに速くする。
エネルギーを励振部内に閉じ込めるために、伝搬速度Ｖ
ｂｕｓは、励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｉ
ｄｔよりも速くなければならない。そこで図２に示した
ように信号側バスバー１３ａ，１３ｂをグレーティング
構造にすることによって、信号側バスバーが図１に示し
たような均一な金属膜で形成されている場合に比べてそ
の信号側バスバー領域の弾性表面波の伝搬速度Ｖｂｕｓ
を遅くし、さらに、励振部５３，５４を伝搬する弾性表
面波の伝搬速度Ｖｉｄｔよりもわずかに速くする。
【００５９】このようにすれば信号側バスバーを伝搬す
る弾性表面波の伝搬速度とＩＤＴの励振部を伝搬する弾
性表面波の伝搬速度との差が小さくなり、共振モードの
閉じ込めが弱くなる。そして共振モードの閉じ込めが弱
くなることで、不要な高次の横モードの弾性表面波の励
起が発生しにくくなり、結果として通過帯域外の高周波
側のスプリアスが抑制されることになる。
る弾性表面波の伝搬速度とＩＤＴの励振部を伝搬する弾
性表面波の伝搬速度との差が小さくなり、共振モードの
閉じ込めが弱くなる。そして共振モードの閉じ込めが弱
くなることで、不要な高次の横モードの弾性表面波の励
起が発生しにくくなり、結果として通過帯域外の高周波
側のスプリアスが抑制されることになる。
【００６０】ここで、第２実施例の具体例として、次の
ような中心周波数２４５ＭＨｚの横結合型多重モードフ
ィルタを作成した。 圧電基板：ＳＴカット水晶 ＩＤＴの電極周期：１２．８μｍ ＩＤＴのすだれ電極の線幅ｄ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の間隔ｃ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の膜厚：０．１５μｍ ＩＤＴの電極対数：２００対 反射器の電極対数：２００対 ＩＤＴの励振部の幅Ｗ：１０λ 結合部の幅Ｇ：１．８λ 共通バスバーの金属電極幅ａ：４．８μｍ 共通バスバーのスリット幅ｂ：１．６μｍ 信号側バスバーの金属電極幅ｇ：２．８μｍ 信号側バスバーのスリット幅ｈ：３．６μｍ ＩＤＴ及び金属電極の材料：Ａｌ
ような中心周波数２４５ＭＨｚの横結合型多重モードフ
ィルタを作成した。 圧電基板：ＳＴカット水晶 ＩＤＴの電極周期：１２．８μｍ ＩＤＴのすだれ電極の線幅ｄ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の間隔ｃ：３．２μｍ ＩＤＴのすだれ電極の膜厚：０．１５μｍ ＩＤＴの電極対数：２００対 反射器の電極対数：２００対 ＩＤＴの励振部の幅Ｗ：１０λ 結合部の幅Ｇ：１．８λ 共通バスバーの金属電極幅ａ：４．８μｍ 共通バスバーのスリット幅ｂ：１．６μｍ 信号側バスバーの金属電極幅ｇ：２．８μｍ 信号側バスバーのスリット幅ｈ：３．６μｍ ＩＤＴ及び金属電極の材料：Ａｌ
【００６１】図１１（ａ）に、この発明の第２実施例の
フィルタの帯域通過特性を示す。また、図１１（ｂ）
に、信号側バスバーの部分をすべて均一な金属電極膜で
形成した場合の帯域通過特性を示す。ここで、ＩＤＴの
励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｉｄｔ＝３１
４３ｍ／ｓ，図１１（ａ）におけるグレーティング構造
の信号側バスバーでの伝搬速度＝３１４８ｍ／ｓ，図１
１（ｂ）における均一金属電極膜の信号側バスバーでの
伝搬速度＝３１５６ｍ／ｓである。
フィルタの帯域通過特性を示す。また、図１１（ｂ）
に、信号側バスバーの部分をすべて均一な金属電極膜で
形成した場合の帯域通過特性を示す。ここで、ＩＤＴの
励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度Ｖｉｄｔ＝３１
４３ｍ／ｓ，図１１（ａ）におけるグレーティング構造
の信号側バスバーでの伝搬速度＝３１４８ｍ／ｓ，図１
１（ｂ）における均一金属電極膜の信号側バスバーでの
伝搬速度＝３１５６ｍ／ｓである。
【００６２】図１１（ａ）と図１１（ｂ）を比較する
と、この発明の図２のようなグレーティング構造を採用
することによって、通過帯域の高周波側においてスプリ
アスの発生が減少していることがわかる。また、従来用
いられているＩＤＴの励振部の幅は７λ程度であった
が、この具体例のように励振部の幅を１０λに広げても
スプリアスのレベルには悪影響を及ぼしていない。
と、この発明の図２のようなグレーティング構造を採用
することによって、通過帯域の高周波側においてスプリ
アスの発生が減少していることがわかる。また、従来用
いられているＩＤＴの励振部の幅は７λ程度であった
が、この具体例のように励振部の幅を１０λに広げても
スプリアスのレベルには悪影響を及ぼしていない。
【００６３】なお、この具体例では、信号側バスバーの
金属電極幅ｇ（２．８μｍ）を、ＩＤＴのすだれ電極の
線幅ｄ（３．２μｍ）よりも細くしている。これは、図
２のように信号側バスバー領域のほとんどすべてがグレ
ーティング構造となっていることに起因する。すなわ
ち、信号側バスバー領域の弾性表面波の伝搬速度は、グ
レーティング構造の直下を伝搬する弾性表面波の伝搬速
度とほぼ等しくなるため、ＩＤＴのすだれ状電極の幅と
信号側バスバー領域のグレーティングの線幅が等しい場
合には、モードの閉じ込めが生じない。そこで、信号側
バスバー領域の弾性表面波の伝搬速度をＩＤＴの励振部
よりも速くする必要があるため、前記したように、信号
側バスバーの金属電極幅をＩＤＴすだれ電極の線幅より
も細くしている。また、信号側バスバーの金属電極幅ｇ
とスリット幅ｈとの比（ｇ／ｈ）を、ＩＤＴのすだれ電
極の線幅ｄと間隔ｃとの比（ｄ／ｃ）よりも小さくして
も同様の効果が得られる。この実施例では、ｇ／ｈ＝
２．８／３．６＝０．７８，ｄ／ｃ＝３．２／３．２＝
１．０である。
金属電極幅ｇ（２．８μｍ）を、ＩＤＴのすだれ電極の
線幅ｄ（３．２μｍ）よりも細くしている。これは、図
２のように信号側バスバー領域のほとんどすべてがグレ
ーティング構造となっていることに起因する。すなわ
ち、信号側バスバー領域の弾性表面波の伝搬速度は、グ
レーティング構造の直下を伝搬する弾性表面波の伝搬速
度とほぼ等しくなるため、ＩＤＴのすだれ状電極の幅と
信号側バスバー領域のグレーティングの線幅が等しい場
合には、モードの閉じ込めが生じない。そこで、信号側
バスバー領域の弾性表面波の伝搬速度をＩＤＴの励振部
よりも速くする必要があるため、前記したように、信号
側バスバーの金属電極幅をＩＤＴすだれ電極の線幅より
も細くしている。また、信号側バスバーの金属電極幅ｇ
とスリット幅ｈとの比（ｇ／ｈ）を、ＩＤＴのすだれ電
極の線幅ｄと間隔ｃとの比（ｄ／ｃ）よりも小さくして
も同様の効果が得られる。この実施例では、ｇ／ｈ＝
２．８／３．６＝０．７８，ｄ／ｃ＝３．２／３．２＝
１．０である。
【００６４】なお、水晶基板を用いた場合、励振部の幅
Ｗは２０λ以下が好ましい。図７等によれば、励振部の
幅を広くすると、高次モードによる不要スプリアスが生
じる。ここで、１つの高次モードによるスプリアスであ
れば、励振部の幅を微調することにより、発生する周波
数位置を制御でき問題は生じにくい。したがって２次の
モードによるスプリアスが生じない範囲で励振部の幅を
設計すべきである。また、設計の自由度や入出力の電気
的アイソレーションを考えると、励振部の幅の範囲は広
い方がよいので、図９に示したように、共通バスバーの
伝搬速度を遅くし、かつ励振部の幅Ｗを２０λ以下にす
る方が好ましいことがわかる。
Ｗは２０λ以下が好ましい。図７等によれば、励振部の
幅を広くすると、高次モードによる不要スプリアスが生
じる。ここで、１つの高次モードによるスプリアスであ
れば、励振部の幅を微調することにより、発生する周波
数位置を制御でき問題は生じにくい。したがって２次の
モードによるスプリアスが生じない範囲で励振部の幅を
設計すべきである。また、設計の自由度や入出力の電気
的アイソレーションを考えると、励振部の幅の範囲は広
い方がよいので、図９に示したように、共通バスバーの
伝搬速度を遅くし、かつ励振部の幅Ｗを２０λ以下にす
る方が好ましいことがわかる。
【００６５】第３実施例 図１に示した第１実施例では、結合部（共通バスバー）
５に金属ストリップのグレーティング構造を導入するこ
とで結合部における弾性表面波の伝搬速度を遅くさせる
実施例を示した。また、図２に示した第２実施例では、
信号側バスバー１３ａ，１３ｂにも同様のグレーティン
グ構造を導入することで信号側バスバーにおける弾性表
面波の伝搬速度も遅くさせる実施例を示した。そして、
第１実施例では、比帯域幅が改善され、第２実施例で
は、スプリアスの発生も抑えられることを示した。
５に金属ストリップのグレーティング構造を導入するこ
とで結合部における弾性表面波の伝搬速度を遅くさせる
実施例を示した。また、図２に示した第２実施例では、
信号側バスバー１３ａ，１３ｂにも同様のグレーティン
グ構造を導入することで信号側バスバーにおける弾性表
面波の伝搬速度も遅くさせる実施例を示した。そして、
第１実施例では、比帯域幅が改善され、第２実施例で
は、スプリアスの発生も抑えられることを示した。
【００６６】この他に、結合部又は信号側バスバーにお
ける金属電極に質量付加を与えることによっても、結合
部又は信号側バスバーの弾性表面波の伝搬速度を遅くさ
せることができる。図１２（ａ）に結合部５５および信
号側バスバーの金属電極の膜厚を、すだれ電極等の他の
部分の膜厚よりも厚くした実施例，図１２（ｂ）に結合
部５５の金属電極の膜厚を厚くした実施例を示す。たと
えば図１２（ａ）の場合、ＩＤＴのすだれ電極の膜厚を
０．２μｍ，結合部５５および信号側バスバーの膜厚を
０．４μｍとする。また図１２（ｂ）の場合、すだれ電
極および信号側バスバーの膜厚０．２μｍ、結合部５５
の膜厚を０．４μｍとする。これによって、結合部及び
／又は信号側バスバーにおける弾性表面波の伝搬速度を
８ｍ／ｓ程度遅くすることができる。
ける金属電極に質量付加を与えることによっても、結合
部又は信号側バスバーの弾性表面波の伝搬速度を遅くさ
せることができる。図１２（ａ）に結合部５５および信
号側バスバーの金属電極の膜厚を、すだれ電極等の他の
部分の膜厚よりも厚くした実施例，図１２（ｂ）に結合
部５５の金属電極の膜厚を厚くした実施例を示す。たと
えば図１２（ａ）の場合、ＩＤＴのすだれ電極の膜厚を
０．２μｍ，結合部５５および信号側バスバーの膜厚を
０．４μｍとする。また図１２（ｂ）の場合、すだれ電
極および信号側バスバーの膜厚０．２μｍ、結合部５５
の膜厚を０．４μｍとする。これによって、結合部及び
／又は信号側バスバーにおける弾性表面波の伝搬速度を
８ｍ／ｓ程度遅くすることができる。
【００６７】図１３（ａ）に、信号側バスバーおよび結
合部５５の金属電極膜の上に絶縁膜を層荷した実施例，
図１３（ｂ）に結合部５５の金属電極膜の上に絶縁膜を
層荷した実施例を示す。絶縁膜としては、たとえばＳｉ
Ｏ2，ＳｉＮ等を用いればよく、絶縁膜の膜厚は０．１
μｍ程度とすればよい。このように絶縁膜を金属電極膜
の上に層荷することによっても、その質量負荷効果によ
り、結合部５５又は信号側バスバーにおける弾性表面波
の伝搬速度を遅くすることができる。
合部５５の金属電極膜の上に絶縁膜を層荷した実施例，
図１３（ｂ）に結合部５５の金属電極膜の上に絶縁膜を
層荷した実施例を示す。絶縁膜としては、たとえばＳｉ
Ｏ2，ＳｉＮ等を用いればよく、絶縁膜の膜厚は０．１
μｍ程度とすればよい。このように絶縁膜を金属電極膜
の上に層荷することによっても、その質量負荷効果によ
り、結合部５５又は信号側バスバーにおける弾性表面波
の伝搬速度を遅くすることができる。
【００６８】さらに絶縁膜の層荷構造を、図１４
（ａ），図１４（ｂ）のようにしてもよい。すなわち、
ＩＤＴ２０及び反射器のすべての金属電極膜の上に、絶
縁膜を０．１μｍ程度の厚みで層荷し、さらに結合部５
５および信号側バスバーの金属電極膜の部分の上にの
み、または結合部５５の金属電極膜の部分の上にのみ、
さらに絶縁膜を０．１μｍ程度層荷してもよい。このよ
うにすれば図１３の絶縁膜の層荷方法に比べて、金属膜
全体が絶縁膜に被われることになり、金属膜の腐食を起
こしにくくできる。
（ａ），図１４（ｂ）のようにしてもよい。すなわち、
ＩＤＴ２０及び反射器のすべての金属電極膜の上に、絶
縁膜を０．１μｍ程度の厚みで層荷し、さらに結合部５
５および信号側バスバーの金属電極膜の部分の上にの
み、または結合部５５の金属電極膜の部分の上にのみ、
さらに絶縁膜を０．１μｍ程度層荷してもよい。このよ
うにすれば図１３の絶縁膜の層荷方法に比べて、金属膜
全体が絶縁膜に被われることになり、金属膜の腐食を起
こしにくくできる。
【００６９】また、上記実施例のように、質量負荷効果
により、弾性表面波の伝搬速度を遅くするために、結合
部及び／又は端子側バスバーの金属材料をＩＤＴのすだ
れ電極の金属材料と異なるものを用いてもよい。たとえ
ば、ＩＤＴのすだれ電極の金属材料にＡｌを用いた場
合、結合部５５又は端子側バスバーの金属材料としてＡ
ｌよりも比重の大きなＣｕ，Ａｕ，Ａｌ−Ｃｕ合金等を
用いることができる。なお，第１実施例のように結合部
を金属ストリップのグレーディング構造とし、かつ、こ
の第３実施例で示したように金属電極に質量付加を与え
た構造をさらに備えるようにしてもよい。さらに、第２
実施例の構成に対して、第３実施例の質量付加構造をさ
らに備えるようにしてもよい。
により、弾性表面波の伝搬速度を遅くするために、結合
部及び／又は端子側バスバーの金属材料をＩＤＴのすだ
れ電極の金属材料と異なるものを用いてもよい。たとえ
ば、ＩＤＴのすだれ電極の金属材料にＡｌを用いた場
合、結合部５５又は端子側バスバーの金属材料としてＡ
ｌよりも比重の大きなＣｕ，Ａｕ，Ａｌ−Ｃｕ合金等を
用いることができる。なお，第１実施例のように結合部
を金属ストリップのグレーディング構造とし、かつ、こ
の第３実施例で示したように金属電極に質量付加を与え
た構造をさらに備えるようにしてもよい。さらに、第２
実施例の構成に対して、第３実施例の質量付加構造をさ
らに備えるようにしてもよい。
【００７０】第４実施例 図１５に、この発明の第１実施例で説明した横結合型多
重モードフィルタを２段に縦続接続した実施例を示す。
同図において、ＩＤＴ２０の中央部付近に均一な金属電
極膜５９を設け、互いのＩＤＴの信号側バスバー５２を
接続している。また、各結合部５５は弾性表面波の伝搬
方向と平行な方向に延長され、反射器の外側に外部回路
と接続するための入出力端子用電極（ａ１，ａ２，ａ
４，ｂ１，ｂ３，ｂ４）が設けられる。ここで、図に示
すように、一方の入出力端子用電極ａ２，ｂ３は別々に
接地する。ここで、接続する均一な金属電極膜５９は幅
２００μｍ，長さ５００μｍ程度とする。
重モードフィルタを２段に縦続接続した実施例を示す。
同図において、ＩＤＴ２０の中央部付近に均一な金属電
極膜５９を設け、互いのＩＤＴの信号側バスバー５２を
接続している。また、各結合部５５は弾性表面波の伝搬
方向と平行な方向に延長され、反射器の外側に外部回路
と接続するための入出力端子用電極（ａ１，ａ２，ａ
４，ｂ１，ｂ３，ｂ４）が設けられる。ここで、図に示
すように、一方の入出力端子用電極ａ２，ｂ３は別々に
接地する。ここで、接続する均一な金属電極膜５９は幅
２００μｍ，長さ５００μｍ程度とする。
【００７１】また、図１６にこの第４実施例の通過帯域
特性を示す。図１６によれば、２段接続したことによっ
て、通過帯域外のスプリアス抑圧度がさらに向上したこ
とがわかり、実用上好ましいフィルタ特性と言える。な
お、ここでは２段接続した実施例を図示したが、３段以
上の多段接続した構成としてもよい。また、図２０に示
すように、結合部５５は、ＩＤＴの励振部と電気的に分
離された浮き電極を持つパターンとしてもよい。
特性を示す。図１６によれば、２段接続したことによっ
て、通過帯域外のスプリアス抑圧度がさらに向上したこ
とがわかり、実用上好ましいフィルタ特性と言える。な
お、ここでは２段接続した実施例を図示したが、３段以
上の多段接続した構成としてもよい。また、図２０に示
すように、結合部５５は、ＩＤＴの励振部と電気的に分
離された浮き電極を持つパターンとしてもよい。
【００７２】第５実施例 ここでは、圧電基板にＡＴカット水晶を用いた実施例を
示す。ＡＴカット（３６°回転Ｙカット）水晶基板上に
中心周波数２４８ＭＨｚの横結合型多重モードフィルタ
を作製した。ＩＤＴの電極周期１２．６μｍ，電極膜厚
０．３μｍ，ＩＤＴ対数２００対、反射器１５０対であ
り、励振部の幅７λ、結合部の幅１．８λである。ま
た、共通バスバーはグレーティング構造にしている。
示す。ＡＴカット（３６°回転Ｙカット）水晶基板上に
中心周波数２４８ＭＨｚの横結合型多重モードフィルタ
を作製した。ＩＤＴの電極周期１２．６μｍ，電極膜厚
０．３μｍ，ＩＤＴ対数２００対、反射器１５０対であ
り、励振部の幅７λ、結合部の幅１．８λである。ま
た、共通バスバーはグレーティング構造にしている。
【００７３】以上の設計条件の横結合型多重モードフィ
ルタを２段に縦続接続したときの通過特性を図１７
（ａ）に示す。比較のために、ＳＴカット（４２°回転
Ｙカット）水晶基板上に同条件で作製した横結合型多重
モードフィルタの特性を図１７（ｂ）に示す。通過帯域
幅はいずれの場合も２４０ｋＨｚであり、共通バスバー
をグレーテイングにしたときの帯域幅拡大効果は、ＳＴ
カット水晶基板に限らず得られることがわかる。
ルタを２段に縦続接続したときの通過特性を図１７
（ａ）に示す。比較のために、ＳＴカット（４２°回転
Ｙカット）水晶基板上に同条件で作製した横結合型多重
モードフィルタの特性を図１７（ｂ）に示す。通過帯域
幅はいずれの場合も２４０ｋＨｚであり、共通バスバー
をグレーテイングにしたときの帯域幅拡大効果は、ＳＴ
カット水晶基板に限らず得られることがわかる。
【００７４】第６実施例 図１８に、この発明の第６実施例の構成図を示す。図１
とは、結合部の構成が異なる。すなわち、図に示すよう
に、結合部５５を互いに電気的に絶縁された２つの電極
部５７と、この２つの電極部５７に挟まれた空間に電気
的に絶縁され、弾性表面波の伝搬方向に配列された複数
個の浮き電極５８とから構成している。
とは、結合部の構成が異なる。すなわち、図に示すよう
に、結合部５５を互いに電気的に絶縁された２つの電極
部５７と、この２つの電極部５７に挟まれた空間に電気
的に絶縁され、弾性表面波の伝搬方向に配列された複数
個の浮き電極５８とから構成している。
【００７５】たとえば、２つの電極部５７の幅を３．２
μｍ，電極部５７と浮き電極５８の間隔を１０μｍ，浮
き電極の左右方向の幅（ｅ）を４．８μｍ，浮き電極の
左右方向の間隔（ｆ）を１．６μｍ，浮き電極の上下方
向の長さを４．４μｍとする。この場合にも、第１実施
例と同様な比帯域幅が０．１２％程度の弾性表面波多重
モードフィルタが得られる。また、浮き電極の幅（ｅ）
／浮き電極の間隔（ｆ）の値を、ＩＤＴのすだれ電極の
幅（ｄ）／間隔（ｃ）の値よりも大きくした方が、比帯
域幅の改善の点で有効である。
μｍ，電極部５７と浮き電極５８の間隔を１０μｍ，浮
き電極の左右方向の幅（ｅ）を４．８μｍ，浮き電極の
左右方向の間隔（ｆ）を１．６μｍ，浮き電極の上下方
向の長さを４．４μｍとする。この場合にも、第１実施
例と同様な比帯域幅が０．１２％程度の弾性表面波多重
モードフィルタが得られる。また、浮き電極の幅（ｅ）
／浮き電極の間隔（ｆ）の値を、ＩＤＴのすだれ電極の
幅（ｄ）／間隔（ｃ）の値よりも大きくした方が、比帯
域幅の改善の点で有効である。
【００７６】また、結合部５５は、図２１又は図２２に
示すような構成としてもよい。図２１は、結合部５５を
インターディジタルパターンとしたものであり、図２２
は、結合部５５をくし形パターンとしたものである。さ
らに、横結合型の弾性表面波フィルタを多段接続させた
構成において、図２１又は図２２に示すように、結合部
５５を電気的に分離した形状とすることもできる。この
場合には、電極部５７を入力用電極と出力用電極として
それぞれ独立に接地させれば、阻止域の減衰量を増加さ
せることができ、フィルタ特性を改善することができ
る。
示すような構成としてもよい。図２１は、結合部５５を
インターディジタルパターンとしたものであり、図２２
は、結合部５５をくし形パターンとしたものである。さ
らに、横結合型の弾性表面波フィルタを多段接続させた
構成において、図２１又は図２２に示すように、結合部
５５を電気的に分離した形状とすることもできる。この
場合には、電極部５７を入力用電極と出力用電極として
それぞれ独立に接地させれば、阻止域の減衰量を増加さ
せることができ、フィルタ特性を改善することができ
る。
【００７７】図２３、図２４は、それぞれ結合部５５を
浮き電極パターン、及びインターディジタルパターンと
し、２段接続した横結合型多重モードフィルタの一例を
示したものである。図２３、図２４において、第１弾性
表面波多重モードフィルタ１００と第２弾性表面波多重
モードフィルタ１１０とが、金属電極膜（ｂ２，ａ３）
によって２段接続されている。第１及び第２の弾性表面
波多重モードフィルタ１００，１０１は、それぞれ第１
及び第２弾性表面波共振器（１０１，１０２）、及び第
３及び第４弾性表面波共振器（１１１，１１２）とから
構成される。さらに、各弾性表面波共振器（１０１，１
０２，１１１，１１２）は、それぞれ、ＩＤＴ１２１と
反射器（１２２，１２３）とから構成される。
浮き電極パターン、及びインターディジタルパターンと
し、２段接続した横結合型多重モードフィルタの一例を
示したものである。図２３、図２４において、第１弾性
表面波多重モードフィルタ１００と第２弾性表面波多重
モードフィルタ１１０とが、金属電極膜（ｂ２，ａ３）
によって２段接続されている。第１及び第２の弾性表面
波多重モードフィルタ１００，１０１は、それぞれ第１
及び第２弾性表面波共振器（１０１，１０２）、及び第
３及び第４弾性表面波共振器（１１１，１１２）とから
構成される。さらに、各弾性表面波共振器（１０１，１
０２，１１１，１１２）は、それぞれ、ＩＤＴ１２１と
反射器（１２２，１２３）とから構成される。
【００７８】図２３において、各結合部５５の一部が弾
性表面波の伝搬方向に平行な方向に延長され、その結合
部５５に対応する反射器１２２，１２３を外側から囲む
ように形成されている。この延長された部分（ａ２，ａ
４，ｂ１，ｂ３）は外部回路との入出力用端子となる。
なお、図２３のａ１，ｂ４も入出力用端子である。図２
４においては、図２３で示したように延長された結合部
５５が、さらにＩＤＴ１２１をも囲むように延長されて
電気的に接続された構成を示している。図２３、２４の
ような構成を用いれば、ｂ１あるいはａ４をＧＮＤ端子
もしくは信号端子とすることで、不平衡，平衡型フィル
タとすることが可能である。
性表面波の伝搬方向に平行な方向に延長され、その結合
部５５に対応する反射器１２２，１２３を外側から囲む
ように形成されている。この延長された部分（ａ２，ａ
４，ｂ１，ｂ３）は外部回路との入出力用端子となる。
なお、図２３のａ１，ｂ４も入出力用端子である。図２
４においては、図２３で示したように延長された結合部
５５が、さらにＩＤＴ１２１をも囲むように延長されて
電気的に接続された構成を示している。図２３、２４の
ような構成を用いれば、ｂ１あるいはａ４をＧＮＤ端子
もしくは信号端子とすることで、不平衡，平衡型フィル
タとすることが可能である。
【００７９】
【発明の効果】この発明によれば、フィルタ構成に横結
合型の構成を用いて、通過帯域幅を広げて比帯域幅を
０．１％程度とし、さらに通過帯域外のスプリアスの少
ない小型の弾性表面波多重モードフィルタを実現するこ
とができる。
合型の構成を用いて、通過帯域幅を広げて比帯域幅を
０．１％程度とし、さらに通過帯域外のスプリアスの少
ない小型の弾性表面波多重モードフィルタを実現するこ
とができる。
【図１】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの第
１実施例の構成図である。
１実施例の構成図である。
【図２】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの第
２実施例の構成図である。
２実施例の構成図である。
【図３】横結合型多重モードフィルタの原理説明図であ
る。
る。
【図４】結合部の幅と通過帯域幅との関係図である。
【図５】この発明の第１実施例の結合部の構成図であ
る。
る。
【図６】弾性表面波共振器の一般的な構成図である。
【図７】この発明において、励振部の幅と弾性表面波の
モードとの関係図である。
モードとの関係図である。
【図８】この発明において、励振部の幅と弾性表面波の
モードとの関係図である。
モードとの関係図である。
【図９】この発明において、励振部の幅と弾性表面波の
モードとの関係図である。
モードとの関係図である。
【図１０】この発明の第１実施例におけるフィルタの帯
域通過特性図である。
域通過特性図である。
【図１１】この発明の第２実施例におけるフィルタの帯
域通過特性図である。
域通過特性図である。
【図１２】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの
第３実施例の構成図である。
第３実施例の構成図である。
【図１３】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの
第３実施例の構成図である。
第３実施例の構成図である。
【図１４】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの
第３実施例の構成図である。
第３実施例の構成図である。
【図１５】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの
第４実施例の構成図である。
第４実施例の構成図である。
【図１６】この発明の第４実施例におけるフィルタの帯
域通過特性図である。
域通過特性図である。
【図１７】この発明の第５実施例におけるフィルタの帯
域通過特性図である。
域通過特性図である。
【図１８】この発明の弾性表面波多重モードフィルタの
第６実施例の構成図である。
第６実施例の構成図である。
【図１９】この発明の第１実施例におけるフィルタの別
の帯域通過特性図である。
の帯域通過特性図である。
【図２０】この発明の第４実施例の変形例を示した構成
図である。
図である。
【図２１】この発明の弾性表面波多重モードフィルタに
おいて、結合部の形状をインターディジタルパターンと
した構成図である。
おいて、結合部の形状をインターディジタルパターンと
した構成図である。
【図２２】この発明の弾性表面波多重モードフィルタに
おいて、結合部の形状をくし形パターンとした構成図で
ある。
おいて、結合部の形状をくし形パターンとした構成図で
ある。
【図２３】この発明の２段接続した横結合型多重モード
フィルタの一実施例の構成図である。
フィルタの一実施例の構成図である。
【図２４】この発明の２段接続した横結合型多重モード
フィルタの一実施例の構成図である。
フィルタの一実施例の構成図である。
１ 圧電基板 ２ａ，２ｂ インターデジタルトランスデューサ（ＩＤ
Ｔ） ３ａ，３ｂ 反射器 ４ａ，４ｂ 反射器 ５ 結合部（共通バスバー） ６ａ，６ｂ 励振部の幅 ８ 圧電基板 ９ａ，９ｂ ＩＤＴ １０ａ，１０ｂ 反射器 １１ａ，１１ｂ 反射器 １２ 結合部（共通バスバー） １３ａ，１３ｂ 信号端子部（信号側バスバー） １４ａ，１４ｂ 励振部の幅 ２０ ＩＤＴ ３１ 格子部 ３２ 端子部 Ｗ 励振部の幅 Ｇ 結合部の幅 ５１，５２ 信号端子部（信号側バスバー） ５３，５４ 励振部 ５５ 結合部 ５６ アース端子部 ５７ 電極部 ５８ 浮き電極 ６１ ＩＤＴの非交差部ｐ ６２ 均一な金属電極膜部ｑ ６３ グレーティング部ｒ
Ｔ） ３ａ，３ｂ 反射器 ４ａ，４ｂ 反射器 ５ 結合部（共通バスバー） ６ａ，６ｂ 励振部の幅 ８ 圧電基板 ９ａ，９ｂ ＩＤＴ １０ａ，１０ｂ 反射器 １１ａ，１１ｂ 反射器 １２ 結合部（共通バスバー） １３ａ，１３ｂ 信号端子部（信号側バスバー） １４ａ，１４ｂ 励振部の幅 ２０ ＩＤＴ ３１ 格子部 ３２ 端子部 Ｗ 励振部の幅 Ｇ 結合部の幅 ５１，５２ 信号端子部（信号側バスバー） ５３，５４ 励振部 ５５ 結合部 ５６ アース端子部 ５７ 電極部 ５８ 浮き電極 ６１ ＩＤＴの非交差部ｐ ６２ 均一な金属電極膜部ｑ ６３ グレーティング部ｒ
Claims (22)
- 【請求項１】 圧電基板上に、弾性表面波を励振する励
振部と電気信号を入力する信号端子部とからなるインタ
ーデジタルトランスデューサと、 弾性表面波の伝搬方向と平行であってインターデジタル
トランスデューサの両側に近接して配置され、かつ励振
部と信号端子部とを有する反射器とからなる弾性表面波
共振器を、弾性表面波の伝搬方向に対して垂直な方向に
２つ近接配置し、結合部によって２つの弾性表面波共振
器を音響的に結合させる弾性表面波多重モードフィルタ
であって、 結合部を伝搬する弾性表面波の速度を、インターデジタ
ルトランスデューサの励振部を伝搬する弾性表面波の速
度よりも大きい範囲内でそれに近づけたことを特徴とす
る弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項２】 前記結合部が、弾性表面波の伝搬方向に
並んだ複数個のスリットを有する金属電極からなること
を特徴とする請求項１記載の弾性表面波多重モードフィ
ルタ。 - 【請求項３】 インターデジタルトランスデューサの励
振部が一定間隔で配置された複数個の電極指から構成さ
れ、 結合部を伝搬する弾性表面波の速度がインターデジタル
トランスデューサの励振部を伝搬する弾性表面波の速度
よりもわずかに速くなるように、前記結合部のスリット
の幅ｂとスリット間隔ａとの比ａ／ｂを、前記電極指の
幅ｄと間隔ｃとの比ｄ／ｃよりも大きくしたことを特徴
とする請求項２記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項４】 前記結合部が、互いに電気的に絶縁され
て接地された２つの電極部と、この２つの電極部に挟ま
れた空間に電気的に絶縁され弾性表面波の伝搬方向に配
列された複数個の浮き電極とから構成されることを特徴
とする請求項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項５】 インターデジタルトランスデューサの励
振部が、一定間隔で配置された複数個の電極指から構成
され、 結合部を伝搬する弾性表面波の速度がインターデジタル
トランスデューサの励振部を伝搬する弾性表面波の速度
よりもわずかに速くなるように、前記浮き電極の幅ｅと
浮き電極の間隔ｆとの比ｅ／ｆが、前記電極指の幅ｄと
間隔ｃとの比ｄ／ｃよりも大きくしたことを特徴とする
請求項４記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項６】 前記結合部が、質量付加材を積層した金
属電極からなることを特徴とする請求項１記載の弾性表
面波多重モードフィルタ。 - 【請求項７】 インターデジタルトランスデューサの信
号端子部を伝搬する弾性表面波の速度を、結合部を伝搬
する弾性表面波の速度に等しくするか、それ以下の近い
値にしたことを特徴とする請求項１記載の弾性表面波多
重モードフィルタ。 - 【請求項８】 前記信号端子部が、弾性表面波の伝搬方
向に並んだ複数個のスリットを有する金属電極からなる
ことを特徴とする請求項７記載の弾性表面波多重モード
フィルタ。 - 【請求項９】 インターデジタルトランスデューサの励
振部が、一定間隔で配置された複数個の電極指から構成
され、前記信号端子部のスリット幅ｈとスリット間隔ｇ
との比ｇ／ｈが、前記電極指の幅ｄと間隔ｃとの比ｄ／
ｃよりも小さくしたことを特徴とする請求項８記載の弾
性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項１０】 信号端子部が、質量付加材を積層した
金属電極からなることを特徴とする請求項７記載の弾性
表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項１１】 前記圧電基板が回転Ｙカット水晶であ
ることを特徴とする請求項１記載の弾性表面波多重モー
ドフィルタ。 - 【請求項１２】 励振する弾性表面波の比帯域幅が０．
０６％から０．１２％であることを特徴とする請求項１
１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項１３】 前記結合部の形状が、インターディジ
タルパターンまたはくし形パターンであることを特徴と
する請求項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項１４】 前記請求項１記載の弾性表面波多重モ
ードフィルタを複数個備え、それぞれのインターディジ
タルトランスデューサの信号端子部を介して電気的に多
段接続したことを特徴とする横結合型多重モードフィル
タ。 - 【請求項１５】 前記弾性表面波多重モードフィルタの
それぞれの結合部の形状が、インターディジタルパター
ン、くし形パターンまたは絶縁された浮き電極を有する
パターンであることを特徴とする請求項１４記載の横結
合型多重モードフィルタ。 - 【請求項１６】 前記各弾性表面波多重モードフィルタ
の結合部が電気的に絶縁して形成され、結合部の一部
が、弾性表面波の伝搬方向に対して平行な方向に延長さ
れ、各結合部と電気的に接続された反射器を囲むように
それぞれ形成されたことを特徴とする請求項１４又は１
５に記載した横結合型多重モードフィルタ。 - 【請求項１７】 前記結合部の一部が、さらに、それぞ
れのインターディジタルトランスデューサの信号端子部
をも囲むように形成されたことを特徴とする請求項１６
記載の横結合型多重モードフィルタ。 - 【請求項１８】 前記結合部、信号端子部及び励振部を
伝搬する弾性表面波が、次式 Ｖｍｅｔａｌ＝Ｖｂｕｓ＞Ｖｇａｐ≧Ｖｉｄｔ （式中、Ｖｂｕｓ：信号端子部を伝搬する弾性表面波の
伝搬速度， Ｖｇａｐ：結合部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｉｄｔ：励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｍｅｔａｌ：インタディジタルトランスデューサと同
じ材料および膜厚で形成された均一な金属膜下を伝搬す
る弾性表面波の伝搬速度） の関係を満たす伝搬速度を有することを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項１９】 前記結合部、信号端子部及び励振部を
伝搬する弾性表面波が、次式 Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｂｕｓ＞Ｖｇａｐ≧Ｖｉｄｔ （式中、Ｖｂｕｓ：信号端子部を伝搬する弾性表面波の
伝搬速度， Ｖｇａｐ：結合部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｉｄｔ：励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｍｅｔａｌ：インタディジタルトランスデューサと同
じ材料および膜厚で形成された均一な金属膜下を伝搬す
る弾性表面波の伝搬速度） の関係を満たす伝搬速度を有することを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項２０】 前記結合部、信号端子部及び励振部を
伝搬する弾性表面波が、次式 Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｂｕｓ＝Ｖｇａｐ＞Ｖｉｄｔ （式中、Ｖｂｕｓ：信号端子部を伝搬する弾性表面波の
伝搬速度， Ｖｇａｐ：結合部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｉｄｔ：励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｍｅｔａｌ：インタディジタルトランスデューサと同
じ材料および膜厚で形成された均一な金属膜下を伝搬す
る弾性表面波の伝搬速度） の関係を満たす伝搬速度を有することを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項２１】 前記結合部、信号端子部及び励振部を
伝搬する弾性表面波が、次式 Ｖｍｅｔａｌ＞Ｖｇａｐ＞Ｖｂｕｓ＞Ｖｉｄｔ （式中、Ｖｂｕｓ：信号端子部を伝搬する弾性表面波の
伝搬速度， Ｖｇａｐ：結合部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｉｄｔ：励振部を伝搬する弾性表面波の伝搬速度， Ｖｍｅｔａｌ：インタディジタルトランスデューサと同
じ材料および膜厚で形成された均一な金属膜下を伝搬す
る弾性表面波の伝搬速度） の関係を満たす伝搬速度を有することを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。 - 【請求項２２】 前記結合部が、弾性表面波の伝搬方向
に延びた均一な金属電極膜と弾性表面波の伝搬方向に並
んだ複数個のスリットからなるアース端子部から構成さ
れ、前記信号端子部及び前記アース端子部を伝搬する弾
性表面波が、次式 Ｖｂｕｓ＞Ｖｃｏｍｍｏｎ （式中、Ｖｂｕｓ：信号端子部を伝搬する弾性表面波の
伝搬速度、 Ｖｃｏｍｍｏｎ：アース端子部を伝搬する弾性表面波の
伝搬速度） の関係を満たす伝搬速度を有することを特徴とする請求
項１記載の弾性表面波多重モードフィルタ。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP00567597A JP3226472B2 (ja) | 1996-05-14 | 1997-01-16 | 弾性表面波多重モードフィルタ |
| US08/831,332 US6121860A (en) | 1996-05-14 | 1997-03-31 | Multimode surface acoustic wave filter with a coupling section not being a uniform metal film |
| DE19714085A DE19714085C2 (de) | 1996-05-14 | 1997-04-07 | Akustisches Multimode-Oberflächenwellenfilter |
| KR1019970013901A KR100290204B1 (ko) | 1996-05-14 | 1997-04-16 | 탄성표면파다중모드필터 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-119122 | 1996-05-14 | ||
| JP11912296 | 1996-05-14 | ||
| JP00567597A JP3226472B2 (ja) | 1996-05-14 | 1997-01-16 | 弾性表面波多重モードフィルタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1032463A true JPH1032463A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3226472B2 JP3226472B2 (ja) | 2001-11-05 |
Family
ID=26339652
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP00567597A Expired - Fee Related JP3226472B2 (ja) | 1996-05-14 | 1997-01-16 | 弾性表面波多重モードフィルタ |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6121860A (ja) |
| JP (1) | JP3226472B2 (ja) |
| KR (1) | KR100290204B1 (ja) |
| DE (1) | DE19714085C2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5946128A (en) * | 1997-08-15 | 1999-08-31 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of Commerce | Grating assisted acousto-optic tunable filter and method |
| US6384698B1 (en) | 1999-04-28 | 2002-05-07 | Seiko Epson Corporation | Transverse double mode saw filter |
| WO2003090354A1 (en) * | 2002-04-19 | 2003-10-30 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave apparatus |
| JP2004328196A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性表面波デバイス |
| US6946931B2 (en) | 2001-12-21 | 2005-09-20 | Fujitsu Limited | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave filter |
| KR100606702B1 (ko) * | 2000-01-04 | 2006-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 도파관 표면탄성파 필터 |
| JP2007068107A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-15 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子及び通信装置 |
| JP2007507130A (ja) * | 2003-07-10 | 2007-03-22 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | 横方向のモードが抑制される音波により動作する変換器 |
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