JPH10322016A - バンプの形成方法 - Google Patents
バンプの形成方法Info
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- JPH10322016A JPH10322016A JP12664597A JP12664597A JPH10322016A JP H10322016 A JPH10322016 A JP H10322016A JP 12664597 A JP12664597 A JP 12664597A JP 12664597 A JP12664597 A JP 12664597A JP H10322016 A JPH10322016 A JP H10322016A
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
- H05K3/3468—Applying molten solder
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
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- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 フラックスを使用することなく、十分な高さ
と体積を有するバンプを簡単にパッド上に形成すること
を可能とするバンプの形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 基板６のパッド７をプラズマクリーニン
グ装置でクリーニングし、パッド７のぬれ性を向上させ
ることにより、フラックスの使用を不要にする。容器１
１に溶融金属１０を表面張力により盛り上がらせて貯溜
する。基板６のプラズマクリーニング済のパッド７を溶
融金属１０液面１５に浸漬して上昇させる。すると溶融
金属１０ａはパッド７に付着し、バンプが形成される。
と体積を有するバンプを簡単にパッド上に形成すること
を可能とするバンプの形成方法を提供することを目的と
する。 【解決手段】 基板６のパッド７をプラズマクリーニン
グ装置でクリーニングし、パッド７のぬれ性を向上させ
ることにより、フラックスの使用を不要にする。容器１
１に溶融金属１０を表面張力により盛り上がらせて貯溜
する。基板６のプラズマクリーニング済のパッド７を溶
融金属１０液面１５に浸漬して上昇させる。すると溶融
金属１０ａはパッド７に付着し、バンプが形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ワークの表面のパ
ッドに、フラックスを使用せずにバンプを形成するため
のバンプの形成方法に関するものである。
ッドに、フラックスを使用せずにバンプを形成するため
のバンプの形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】基板やチップなどのワークのパッド上
に、半球状の突出電極であるバンプを形成することが行
われる。バンプを形成する方法としては、従来より様々
な方法が提案されているが、その１つとして溶融金属を
用いる方法が知られている（例えば特開平４−３５４１
３５号）。
に、半球状の突出電極であるバンプを形成することが行
われる。バンプを形成する方法としては、従来より様々
な方法が提案されているが、その１つとして溶融金属を
用いる方法が知られている（例えば特開平４−３５４１
３５号）。
【０００３】この方法は、溶融ハンダなどの溶融金属が
貯溜されたチャンバを基板のパッドに近接させ、その状
態でチャンバ内の溶融金属を加圧することによりチャン
バの下面の微小開孔から溶融金属をパッド上に吐出し、
次いで上記近接状態を維持したまま加圧を中止して大気
圧に戻すか、若しくはチャンバ内を積極的に負圧状態に
した後、チャンバと基板を分離することにより、パッド
上に半球状のバンプを形成するものである。
貯溜されたチャンバを基板のパッドに近接させ、その状
態でチャンバ内の溶融金属を加圧することによりチャン
バの下面の微小開孔から溶融金属をパッド上に吐出し、
次いで上記近接状態を維持したまま加圧を中止して大気
圧に戻すか、若しくはチャンバ内を積極的に負圧状態に
した後、チャンバと基板を分離することにより、パッド
上に半球状のバンプを形成するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
方法では、溶融金属のぬれ性を向上させるためにパッド
上に予めフラックスを塗布する必要がある。しかしなが
ら近年は、主として環境上の問題からフラックスの使用
は取り止めることが社会的に要望されている。
方法では、溶融金属のぬれ性を向上させるためにパッド
上に予めフラックスを塗布する必要がある。しかしなが
ら近年は、主として環境上の問題からフラックスの使用
は取り止めることが社会的に要望されている。
【０００５】また上記従来方法では、チャンバを基板の
パッドに近接させた状態を維持したままで、微小開孔か
ら吐出された溶融金属でバンプを形成していたため、十
分な高さと体積を有するバンプを形成しにくいものであ
った。因みに、バンプは、電気的接続の信頼性を確保す
るために、十分な高さと体積を有するものが好ましい。
パッドに近接させた状態を維持したままで、微小開孔か
ら吐出された溶融金属でバンプを形成していたため、十
分な高さと体積を有するバンプを形成しにくいものであ
った。因みに、バンプは、電気的接続の信頼性を確保す
るために、十分な高さと体積を有するものが好ましい。
【０００６】したがって本発明は、叙上の点に鑑み、フ
ラックスを使用することなく、十分な高さと体積を有す
るバンプを簡単に形成することができるバンプの形成方
法を提供することを目的とする。
ラックスを使用することなく、十分な高さと体積を有す
るバンプを簡単に形成することができるバンプの形成方
法を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の本発明の
バンプの形成方法は、ワークの表面のパッドをプラズマ
クリーニング装置でクリーニングした後、容器に貯溜さ
れた溶融金属の液面にフラックスレスの前記パッドを浸
漬し、次いで液面から相対的に上昇させることによりパ
ッドの表面に溶融金属を付着させるようにした。
バンプの形成方法は、ワークの表面のパッドをプラズマ
クリーニング装置でクリーニングした後、容器に貯溜さ
れた溶融金属の液面にフラックスレスの前記パッドを浸
漬し、次いで液面から相対的に上昇させることによりパ
ッドの表面に溶融金属を付着させるようにした。
【０００８】請求項２記載の本発明のバンプの形成方法
は、前記溶融金属の液面を表面張力により容器から盛り
上がらせ、その状態で前記パッドを液面に浸漬するよう
にした。
は、前記溶融金属の液面を表面張力により容器から盛り
上がらせ、その状態で前記パッドを液面に浸漬するよう
にした。
【０００９】請求項３記載の本発明のバンプの形成方法
は、ワークの表面のパッドをプラズマクリーニング装置
でクリーニングした後、溶融金属が貯溜された容器の下
面をワークの表面のフラックスレスのパッドに接近さ
せ、その状態で容器内の溶融金属に圧力を加えることに
より容器の下面の孔部からパッド上に溶融金属を吐出
し、次いで前記圧力を小さくすることにより溶融金属の
孔部からの吐出を停止させ、前記容器を前記ワークから
相対的に上昇させることによりパッドの表面に溶融金属
を付着させるようにした。
は、ワークの表面のパッドをプラズマクリーニング装置
でクリーニングした後、溶融金属が貯溜された容器の下
面をワークの表面のフラックスレスのパッドに接近さ
せ、その状態で容器内の溶融金属に圧力を加えることに
より容器の下面の孔部からパッド上に溶融金属を吐出
し、次いで前記圧力を小さくすることにより溶融金属の
孔部からの吐出を停止させ、前記容器を前記ワークから
相対的に上昇させることによりパッドの表面に溶融金属
を付着させるようにした。
【００１０】請求項４記載の本発明のバンプの形成方法
は、請求項３の発明において、前記孔部の大きさを前記
パッドの大きさよりも小さくした。
は、請求項３の発明において、前記孔部の大きさを前記
パッドの大きさよりも小さくした。
【００１１】
【発明の実施の形態】請求項１の発明によれば、パッド
の表面を予めプラズマクリーニングすることによりパッ
ド表面のぬれ性を向上でき、したがってフラックスレス
で溶融金属を十分に付着させて十分な高さと体積を有す
るパッドを形成できる。また容器の大きさをパッドの配
置に合わせて設計することにより、ワークが基板であっ
て実装済の電子部品が存在していても、パッドのみを溶
融金属に浸漬してバンプを形成することができる。
の表面を予めプラズマクリーニングすることによりパッ
ド表面のぬれ性を向上でき、したがってフラックスレス
で溶融金属を十分に付着させて十分な高さと体積を有す
るパッドを形成できる。また容器の大きさをパッドの配
置に合わせて設計することにより、ワークが基板であっ
て実装済の電子部品が存在していても、パッドのみを溶
融金属に浸漬してバンプを形成することができる。
【００１２】また請求項２の発明によれば、溶融槽から
表面張力により盛り上がった溶融金属の液面にパッドを
浸漬してバンプを形成するようにしているので、パッド
に溶融金属を付着させやすい。
表面張力により盛り上がった溶融金属の液面にパッドを
浸漬してバンプを形成するようにしているので、パッド
に溶融金属を付着させやすい。
【００１３】請求項３の発明によれば、上述したパッド
のプラズマクリーニング効果が得られる他、溶融金属に
加える圧力を小さくして容器をワークから相対的に上昇
させることにより、より十分な高さと体積を有するバン
プを形成できる。
のプラズマクリーニング効果が得られる他、溶融金属に
加える圧力を小さくして容器をワークから相対的に上昇
させることにより、より十分な高さと体積を有するバン
プを形成できる。
【００１４】請求項４の発明によれば、孔部の大きさを
パッドの大きさよりも小さくすることにより、パッドに
対する溶融金属の付着力を孔部への付着力よりも大きく
し、これにより容器をワークから相対的に上昇させたと
きには、容器の底面とパッドの間に存在する溶融金属を
確実にパッド側に付着させてパッド上にバンプを形成す
ることができる。
パッドの大きさよりも小さくすることにより、パッドに
対する溶融金属の付着力を孔部への付着力よりも大きく
し、これにより容器をワークから相対的に上昇させたと
きには、容器の底面とパッドの間に存在する溶融金属を
確実にパッド側に付着させてパッド上にバンプを形成す
ることができる。
【００１５】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１のプラズマクリーニング装置の構造図、図２は同
バンプ形成装置の断面図、図３は同バンプの形成工程図
である。
形態１のプラズマクリーニング装置の構造図、図２は同
バンプ形成装置の断面図、図３は同バンプの形成工程図
である。
【００１６】まず、図１を参照してプラズマクリーニン
グ装置の構造を説明する。なおプラズマクリーニング装
置は、例えば特開平７−１３５９１号公報などに記載さ
れたものと同様のものである。図１において、１はチャ
ンバであり、その内部には第１電極２と第２電極３が設
けられている。第１電極２はチャンバ１の下部にあって
高周波高圧電源４に接続されている。第２電極３は第１
電極２の上方にあって、アース部５にアースされてい
る。第１電極２上には基板６が搭載されている。基板６
の表面にはパッド７が形成されている。８は真空ポンプ
であって、チャンバ１内を真空吸引する。９はガス供給
部であって、アルゴンガスなどのプラズマ発生用ガスを
チャンバ１内に供給する。
グ装置の構造を説明する。なおプラズマクリーニング装
置は、例えば特開平７−１３５９１号公報などに記載さ
れたものと同様のものである。図１において、１はチャ
ンバであり、その内部には第１電極２と第２電極３が設
けられている。第１電極２はチャンバ１の下部にあって
高周波高圧電源４に接続されている。第２電極３は第１
電極２の上方にあって、アース部５にアースされてい
る。第１電極２上には基板６が搭載されている。基板６
の表面にはパッド７が形成されている。８は真空ポンプ
であって、チャンバ１内を真空吸引する。９はガス供給
部であって、アルゴンガスなどのプラズマ発生用ガスを
チャンバ１内に供給する。
【００１７】次に、プラズマクリーニングの動作を説明
する。真空ポンプ８でチャンバ１内を真空吸引するとと
もに、ガス供給部９からチャンバ１内にガスを供給す
る。次に第１電極２に高周波の高圧電圧を印加すると、
チャンバ１内にプラズマが発生する。これにより生じた
イオンは基板６の表面に衝突してパッド７の表面をわず
かにエッチングし、この表面をクリーニングする。パッ
ド７の表面をプラズマクリーニングすると、半田などの
溶融金属のぬれ性が著しく向上する。
する。真空ポンプ８でチャンバ１内を真空吸引するとと
もに、ガス供給部９からチャンバ１内にガスを供給す
る。次に第１電極２に高周波の高圧電圧を印加すると、
チャンバ１内にプラズマが発生する。これにより生じた
イオンは基板６の表面に衝突してパッド７の表面をわず
かにエッチングし、この表面をクリーニングする。パッ
ド７の表面をプラズマクリーニングすると、半田などの
溶融金属のぬれ性が著しく向上する。
【００１８】次に、図２を参照してバンプ形成装置を説
明する。１１は溶融槽としての容器であり、ヒータ１２
と熱電対１３を備えている。熱電対１３は、温度コント
ローラ１４を介してヒータ１２に接続されており、熱電
対１３の測温結果にしたがってヒータ１２の駆動を制御
する。
明する。１１は溶融槽としての容器であり、ヒータ１２
と熱電対１３を備えている。熱電対１３は、温度コント
ローラ１４を介してヒータ１２に接続されており、熱電
対１３の測温結果にしたがってヒータ１２の駆動を制御
する。
【００１９】容器１１の内部には、溶融半田などの溶融
金属１０が貯溜されている。溶融金属１０は容器１１に
満杯に貯溜されており、その液面１５は表面張力により
容器１１の上端面よりもわずかに盛り上がっている。バ
ンプ形成対象物である基板６には、前工程でパッド７よ
りも背の高い電子部品Ｐが予め実装されている。このパ
ッド７は、図１に示すプラズマクリーニング装置により
予めプラズマクリーニングされている。容器１１のサイ
ズは、パッド７の配置もしくは予め基板６に実装されて
いる電子部品Ｐの位置に基づいて決められており、容器
１１と電子部品Ｐとが干渉することなくパッド７に溶融
金属１０を付着させることができる。
金属１０が貯溜されている。溶融金属１０は容器１１に
満杯に貯溜されており、その液面１５は表面張力により
容器１１の上端面よりもわずかに盛り上がっている。バ
ンプ形成対象物である基板６には、前工程でパッド７よ
りも背の高い電子部品Ｐが予め実装されている。このパ
ッド７は、図１に示すプラズマクリーニング装置により
予めプラズマクリーニングされている。容器１１のサイ
ズは、パッド７の配置もしくは予め基板６に実装されて
いる電子部品Ｐの位置に基づいて決められており、容器
１１と電子部品Ｐとが干渉することなくパッド７に溶融
金属１０を付着させることができる。
【００２０】次に、図３を参照してバンプの形成方法を
説明する。まず図３（ａ）に示すように、基板６をフェ
ースダウンで容器１１に対向させる。Ｈは、容器１１の
上端面からの液面１５の盛り上がり高さである。次に基
板６を下降させてパッド７を溶融金属１０の液面１５に
浸漬し（図３（ｂ））、次いで基板６を上昇させる（図
３（ｃ））。するとパッド７の表面には溶融金属１０ａ
が半球状に付着する。この溶融金属１０ａが冷却されて
硬化すると、バンプになる。
説明する。まず図３（ａ）に示すように、基板６をフェ
ースダウンで容器１１に対向させる。Ｈは、容器１１の
上端面からの液面１５の盛り上がり高さである。次に基
板６を下降させてパッド７を溶融金属１０の液面１５に
浸漬し（図３（ｂ））、次いで基板６を上昇させる（図
３（ｃ））。するとパッド７の表面には溶融金属１０ａ
が半球状に付着する。この溶融金属１０ａが冷却されて
硬化すると、バンプになる。
【００２１】上記方法によれば、パッド７はプラズマク
リーニングを施してそのぬれ性を向上させているので、
フラックスレスでも溶融金属１０ａを十分に付着させて
十分な高さと体積を有するバンプを形成できる。また図
３（ｂ）に示すようにパッド７を溶融金属１０に浸漬す
る場合、背の高い電子部品Ｐは容器１１の外部にあるの
で、この実装済の電子部品Ｐは浸漬動作の障害物になら
ない。
リーニングを施してそのぬれ性を向上させているので、
フラックスレスでも溶融金属１０ａを十分に付着させて
十分な高さと体積を有するバンプを形成できる。また図
３（ｂ）に示すようにパッド７を溶融金属１０に浸漬す
る場合、背の高い電子部品Ｐは容器１１の外部にあるの
で、この実装済の電子部品Ｐは浸漬動作の障害物になら
ない。
【００２２】また図３（ｃ）に示すように、基板６を容
器１１から上昇させるときに、溶融金属１０ａはパッド
７にぶら下がるように付着するが、この上昇速度の大き
さを変えることにより、溶融金属１０ａの付着量すなわ
ちバンプの大きさを若干調整することもできる。なお溶
融金属１０の液面１５は必ずしも盛り上がらせる必要は
ないが、盛り上がらせた方が溶融金属１０をパッド７に
付着させやすい。また容器１１の底部に溶融金属を供給
して盛り上がった液面上の酸化膜を容器１１の外に流出
させればより安定したバンプ形成ができる。
器１１から上昇させるときに、溶融金属１０ａはパッド
７にぶら下がるように付着するが、この上昇速度の大き
さを変えることにより、溶融金属１０ａの付着量すなわ
ちバンプの大きさを若干調整することもできる。なお溶
融金属１０の液面１５は必ずしも盛り上がらせる必要は
ないが、盛り上がらせた方が溶融金属１０をパッド７に
付着させやすい。また容器１１の底部に溶融金属を供給
して盛り上がった液面上の酸化膜を容器１１の外に流出
させればより安定したバンプ形成ができる。
【００２３】（実施の形態２）図４は、本発明の実施の
形態２のバンプ形成装置の断面図、図５は同バンプの形
成工程図である。まず、図４を参照してバンプ形成装置
を説明する。
形態２のバンプ形成装置の断面図、図５は同バンプの形
成工程図である。まず、図４を参照してバンプ形成装置
を説明する。
【００２４】２０は容器であり、溶融金属１０が貯溜さ
れている。この容器２０も、ヒータ１２、熱電対１３、
温度コントローラ１４を備えている。容器２０の下面に
はマスクプレート２１が装着されている。マスクプレー
ト２１には、基板のパッドに対応する孔部２２が多数形
成されている。２３は加圧装置であって、パイプ２４を
通じて溶融金属１０に気体圧を付与する。
れている。この容器２０も、ヒータ１２、熱電対１３、
温度コントローラ１４を備えている。容器２０の下面に
はマスクプレート２１が装着されている。マスクプレー
ト２１には、基板のパッドに対応する孔部２２が多数形
成されている。２３は加圧装置であって、パイプ２４を
通じて溶融金属１０に気体圧を付与する。
【００２５】このバンプ形成装置は上記のような構成よ
り成り、次に図５を参照してバンプの形成方法を説明す
る。まず、図５（ａ）に示すようにマスクプレート２１
の孔部２２を基板６のパッド７に位置合わせする。次に
容器２０を下降させて孔部２２をパッド７に接近させ、
その状態で容器２０内の溶融金属１０を加圧する（図５
（ｂ））。すると容器２０内の溶融金属１０は孔部２２
から吐出され、パッド７に付着する。このときの加圧力
Ｐ１はかなり大きく、したがって吐出された溶融金属１
０ａは扁平に押し広がるようにしてパッド７上に付着す
る。なおこのパッド７も、図１に示すプラズマクリーニ
ング装置によりプラズマクリーニングされており、した
がって本方法もフラックスレスである。次に容器２０内
の圧力をＰ１からＰ２に減少させ、溶融金属１０がこれ
以上吐出されるのを停止する（図５（ｃ））。
り成り、次に図５を参照してバンプの形成方法を説明す
る。まず、図５（ａ）に示すようにマスクプレート２１
の孔部２２を基板６のパッド７に位置合わせする。次に
容器２０を下降させて孔部２２をパッド７に接近させ、
その状態で容器２０内の溶融金属１０を加圧する（図５
（ｂ））。すると容器２０内の溶融金属１０は孔部２２
から吐出され、パッド７に付着する。このときの加圧力
Ｐ１はかなり大きく、したがって吐出された溶融金属１
０ａは扁平に押し広がるようにしてパッド７上に付着す
る。なおこのパッド７も、図１に示すプラズマクリーニ
ング装置によりプラズマクリーニングされており、した
がって本方法もフラックスレスである。次に容器２０内
の圧力をＰ１からＰ２に減少させ、溶融金属１０がこれ
以上吐出されるのを停止する（図５（ｃ））。
【００２６】次に容器２０を上昇させて、孔部２２と基
板６の間隔をｈ１からｈ２に増大させると、孔部２２か
ら吐出された溶融金属１０ａと溶融金属１０を分離させ
ることができる（図５（ｄ））。その結果、溶融金属１
０ａはパッド７側に転写され、次いで冷却硬化すること
によりバンプは完成する。
板６の間隔をｈ１からｈ２に増大させると、孔部２２か
ら吐出された溶融金属１０ａと溶融金属１０を分離させ
ることができる（図５（ｄ））。その結果、溶融金属１
０ａはパッド７側に転写され、次いで冷却硬化すること
によりバンプは完成する。
【００２７】次に、孔部２２とパッド７の大きさについ
て説明する。図５（ｃ），（ｄ）に示すように、容器２
０を上昇させることにより、孔部２２から吐出された溶
融金属１０ａをパッド７に転写するが、この場合、孔部
２２側の溶融金属１０ａの付着力がパッド７の付着力よ
りも大きいと、溶融金属１０ａはパッド７に転写され
ず、孔部２２に付着したままとなる（図５（ｄ）におい
て、鎖線で示す溶融金属１０ａを参照）。このような不
都合を解消するためには、パッド７の溶融金属１０ａに
対する付着力を孔部２２の付着力よりも大きくしておか
ねばならない。そこで孔部２２の大きさをパッド７の大
きさよりも小さくすることにより、上記不都合を解消し
ている。
て説明する。図５（ｃ），（ｄ）に示すように、容器２
０を上昇させることにより、孔部２２から吐出された溶
融金属１０ａをパッド７に転写するが、この場合、孔部
２２側の溶融金属１０ａの付着力がパッド７の付着力よ
りも大きいと、溶融金属１０ａはパッド７に転写され
ず、孔部２２に付着したままとなる（図５（ｄ）におい
て、鎖線で示す溶融金属１０ａを参照）。このような不
都合を解消するためには、パッド７の溶融金属１０ａに
対する付着力を孔部２２の付着力よりも大きくしておか
ねばならない。そこで孔部２２の大きさをパッド７の大
きさよりも小さくすることにより、上記不都合を解消し
ている。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように各発明によれば、フ
ラックスを使用することなく、十分な高さと体積を有す
るバンプを形成することができる。また容器の大きさを
パッドの配置に合わせて設計することにより、ワークが
基板であって実装済の電子部品が存在していても、パッ
ドのみを溶融金属に浸漬してバンプを形成することがで
きる。また請求項２の発明によれば、溶融槽から表面張
力により盛り上がった溶融金属の液面にパッドを浸漬し
てバンプを形成するようにしているので、パッドに溶融
金属をより付着させやすい。また請求項４の発明によれ
ば、孔部の大きさをパッドの大きさよりも小さくするこ
とにより、パッドに対する溶融金属の付着力を孔部への
付着力よりも大きくし、これにより容器をワークから相
対的に上昇させたときには、容器の底面とパッドの間に
存在する溶融金属を確実にパッド側に付着させてパッド
上にバンプを形成することができる。
ラックスを使用することなく、十分な高さと体積を有す
るバンプを形成することができる。また容器の大きさを
パッドの配置に合わせて設計することにより、ワークが
基板であって実装済の電子部品が存在していても、パッ
ドのみを溶融金属に浸漬してバンプを形成することがで
きる。また請求項２の発明によれば、溶融槽から表面張
力により盛り上がった溶融金属の液面にパッドを浸漬し
てバンプを形成するようにしているので、パッドに溶融
金属をより付着させやすい。また請求項４の発明によれ
ば、孔部の大きさをパッドの大きさよりも小さくするこ
とにより、パッドに対する溶融金属の付着力を孔部への
付着力よりも大きくし、これにより容器をワークから相
対的に上昇させたときには、容器の底面とパッドの間に
存在する溶融金属を確実にパッド側に付着させてパッド
上にバンプを形成することができる。
【図１】本発明の実施の形態１のプラズマクリーニング
装置の構造図
装置の構造図
【図２】本発明の実施の形態１のバンプ形成装置の断面
図
図
【図３】本発明の実施の形態１のバンプの形成工程図
【図４】本発明の実施の形態２のバンプ形成装置の断面
図
図
【図５】本発明の実施の形態２のバンプの形成工程図
６ 基板 ７ パッド １０，１０ａ 溶融金属 １１ 容器 １５ 液面 ２０ 容器 ２２ 孔部 Ｐ 電子部品
Claims (4)
- 【請求項１】ワークの表面のパッドをプラズマクリーニ
ング装置でクリーニングした後、容器に貯溜された溶融
金属の液面にフラックスレスの前記パッドを浸漬し、次
いで液面から相対的に上昇させることによりパッドの表
面に溶融金属を付着させることを特徴とするバンプの形
成方法。 - 【請求項２】前記溶融金属の液面を表面張力により容器
から盛り上がらせ、その状態で前記パッドを液面に浸漬
することを特徴とする請求項１記載のバンプの形成方
法。 - 【請求項３】ワークの表面のパッドをプラズマクリーニ
ング装置でクリーニングした後、溶融金属が貯溜された
容器の下面をワークの表面のフラックスレスのパッドに
接近させ、その状態で容器内の溶融金属に圧力を加える
ことにより容器の下面の孔部からパッド上に溶融金属を
吐出し、次いで前記圧力を小さくすることにより溶融金
属の孔部からの吐出を停止させ、前記容器を前記ワーク
から相対的に上昇させることによりパッドの表面に溶融
金属を付着させることを特徴とするバンプの形成方法。 - 【請求項４】前記孔部の大きさを前記パッドの大きさよ
りも小さくしたことを特徴とする請求項３記載のバンプ
の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12664597A JPH10322016A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | バンプの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12664597A JPH10322016A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | バンプの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10322016A true JPH10322016A (ja) | 1998-12-04 |
Family
ID=14940336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12664597A Pending JPH10322016A (ja) | 1997-05-16 | 1997-05-16 | バンプの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10322016A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192964A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Denso Corp | 半導体チップの実装方法 |
| CN105282989A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-01-27 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 一种开窗式软硬结合板的制作方法 |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP12664597A patent/JPH10322016A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008192964A (ja) * | 2007-02-07 | 2008-08-21 | Denso Corp | 半導体チップの実装方法 |
| CN105282989A (zh) * | 2015-10-14 | 2016-01-27 | 深圳崇达多层线路板有限公司 | 一种开窗式软硬结合板的制作方法 |
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