JP2612536B2 - 半導体の製造方法 - Google Patents
半導体の製造方法Info
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- H01L2224/92122—Sequential connecting processes the first connecting process involving a bump connector
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Landscapes
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体の製造方法に関す
る。
る。
【０００２】
【従来技術とその問題点】半導体の製造に際し、フリッ
プチップの実装は、フリップチップ素子の電極と、基板
の電極とをバンプを介して接続固定することにより行な
われ、基板と、該基板上に搭載された素子との間には、
バンプにもとづく隙間が生ずる。この隙間内には、熱サ
イクル寿命の向上を目的として、封止樹脂が充填され
る。
プチップの実装は、フリップチップ素子の電極と、基板
の電極とをバンプを介して接続固定することにより行な
われ、基板と、該基板上に搭載された素子との間には、
バンプにもとづく隙間が生ずる。この隙間内には、熱サ
イクル寿命の向上を目的として、封止樹脂が充填され
る。
【０００３】従来、このような樹脂封止方法として、図
３に概略的に示すように、基板１上に搭載されたフリッ
プチップ素子２の側部にディスペンサよりの吐出で所定
量の液状封止樹脂３を供給した後、該樹脂３を、基板１
と素子２との間に生ずるバンプ４にもとづく隙間５内に
毛細管現象を利用してしみ込ませ充填しているが、これ
は次の通りの問題点があった。
３に概略的に示すように、基板１上に搭載されたフリッ
プチップ素子２の側部にディスペンサよりの吐出で所定
量の液状封止樹脂３を供給した後、該樹脂３を、基板１
と素子２との間に生ずるバンプ４にもとづく隙間５内に
毛細管現象を利用してしみ込ませ充填しているが、これ
は次の通りの問題点があった。
【０００４】イ） 隙間５内に封止樹脂３がしみ込んで
完全に充填されるまでにかなりの放置時間を必要とし、
実装工程中、最も時間のかかる工程となっており、生産
効率の低下を招いている。
完全に充填されるまでにかなりの放置時間を必要とし、
実装工程中、最も時間のかかる工程となっており、生産
効率の低下を招いている。
【０００５】ロ） 隙間５内に充填された封止樹脂３中
に気泡が含まれ易く信頼性に問題がある。
に気泡が含まれ易く信頼性に問題がある。
【０００６】ハ） 封止樹脂３の粘度が高いと隙間５内
に入りにくいので、おのずと樹脂に配合されるフイラー
量も制限され、信頼性の高い樹脂配合がむずかしい。
に入りにくいので、おのずと樹脂に配合されるフイラー
量も制限され、信頼性の高い樹脂配合がむずかしい。
【０００７】ニ） 封止樹脂の粘度を下げないとしみ込
みにくいので基板を予熱する必要があり、面倒である。
みにくいので基板を予熱する必要があり、面倒である。
【０００８】ホ） ０．０５ｍｍ以下の隙間に対して
は、封止樹脂がしみ込んで行かない。
は、封止樹脂がしみ込んで行かない。
【０００９】本発明は、このような従来の問題点を一層
することを目的としてなされたものである。
することを目的としてなされたものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、基板上にフリ
ップチップ素子をバンプを介して接続固定した状態で搭
載した後に、上記基板と素子との間に生ずるバンプにも
とづく隙間内に液状封止樹脂を充填する半導体の製造方
法に於いて、上記基板の上記素子が搭載される位置の略
々中央部に予め貫通孔を形成しておき、該貫通孔を通じ
て上記隙間内を予め減圧状態に保持した状態で上記封止
樹脂を上記素子の周側部の全周に孔版印刷手段を適用し
て転写供給することにより、該封止樹脂を転写供給後直
ちに上記隙間内に強制的に吸引充填することを特徴とす
る半導体の製造方法に係る。
ップチップ素子をバンプを介して接続固定した状態で搭
載した後に、上記基板と素子との間に生ずるバンプにも
とづく隙間内に液状封止樹脂を充填する半導体の製造方
法に於いて、上記基板の上記素子が搭載される位置の略
々中央部に予め貫通孔を形成しておき、該貫通孔を通じ
て上記隙間内を予め減圧状態に保持した状態で上記封止
樹脂を上記素子の周側部の全周に孔版印刷手段を適用し
て転写供給することにより、該封止樹脂を転写供給後直
ちに上記隙間内に強制的に吸引充填することを特徴とす
る半導体の製造方法に係る。
【００１１】
【実施例】以下に本発明製造方法を添附図面にもとづき
説明すると、次の通りである。
説明すると、次の通りである。
【００１２】図１は本発明製造方法の１実施状況を概略
的に示す模式図であり、樹脂封止に供される半導体装置
Ａは、基板１と、該基板１上にバンプ４を介し接続固定
された状態で搭載されたフリップチップ素子２とから構
成され、基板１と素子２との間には、バンプ４にもとづ
く隙間５が生じている。このような半導体装置Ａは常法
に従い製造される。
的に示す模式図であり、樹脂封止に供される半導体装置
Ａは、基板１と、該基板１上にバンプ４を介し接続固定
された状態で搭載されたフリップチップ素子２とから構
成され、基板１と素子２との間には、バンプ４にもとづ
く隙間５が生じている。このような半導体装置Ａは常法
に従い製造される。
【００１３】本発明製造方法によれば、上記基板１の素
子２が搭載される位置の中央部に、配線に支障を来さな
いように予め貫通孔６が形成されている。貫通孔６とし
ては、基板１に表裏の配線を接続するスルーホールが形
成されている場合は、該スルーホールを貫通孔６として
利用してもよい。
子２が搭載される位置の中央部に、配線に支障を来さな
いように予め貫通孔６が形成されている。貫通孔６とし
ては、基板１に表裏の配線を接続するスルーホールが形
成されている場合は、該スルーホールを貫通孔６として
利用してもよい。
【００１４】貫通孔６の直径としては、これがあまり小
さいと吸引減圧の効果が不充分となり、またあまり大き
いと配線の面で支障を招く虞れがあるので、０．０２〜
３．０ｍｍ程度の範囲内から適宜選択決定される。
さいと吸引減圧の効果が不充分となり、またあまり大き
いと配線の面で支障を招く虞れがあるので、０．０２〜
３．０ｍｍ程度の範囲内から適宜選択決定される。
【００１５】尚バンプ４としては、ハンダ、金などの金
属バンプ、電導性樹脂バンプなどを例示できるが、その
他導電性接着剤、異方性導電膜などを構成要素として含
むようなバンプであってもよい。
属バンプ、電導性樹脂バンプなどを例示できるが、その
他導電性接着剤、異方性導電膜などを構成要素として含
むようなバンプであってもよい。
【００１６】ベース基板としては、特に限定されず公知
のものがいずれも使用できる。例えばアルミナセラミッ
ク基板、ガラスセラミック基板などの無機質基板、ガラ
ス−エポキシ基板、アラミド−エポキシ基板、紙−フェ
ノール基板などの有機質基板、アルミ基板、鉄基板など
の金属基板である。
のものがいずれも使用できる。例えばアルミナセラミッ
ク基板、ガラスセラミック基板などの無機質基板、ガラ
ス−エポキシ基板、アラミド−エポキシ基板、紙−フェ
ノール基板などの有機質基板、アルミ基板、鉄基板など
の金属基板である。
【００１７】半導体装置Ａはテーブル７の多孔部７ａ上
に載置されこの状態で、素子２下方の間隙５内は、真空
発生装置８の作動をして多孔部７ａ及び貫通孔６を通じ
吸引され、減圧状態におかれる。
に載置されこの状態で、素子２下方の間隙５内は、真空
発生装置８の作動をして多孔部７ａ及び貫通孔６を通じ
吸引され、減圧状態におかれる。
【００１８】このように、 間隙５内を予め減圧状態に
保持した状態で液状封止樹脂が、スキージ９の作動をし
てメタルマスク１０を通じ、上記素子の周側部のまわり
の全体に転写供給される。この転写供給後の状態が図２
の左側に概略的に示されている。この転写供給は周側部
に加え素子２の上面側の全面を被覆するように行っても
よい。
保持した状態で液状封止樹脂が、スキージ９の作動をし
てメタルマスク１０を通じ、上記素子の周側部のまわり
の全体に転写供給される。この転写供給後の状態が図２
の左側に概略的に示されている。この転写供給は周側部
に加え素子２の上面側の全面を被覆するように行っても
よい。
【００１９】上記素子２の周側部に転写供給された液状
封止樹脂３は隙間５内が予め減圧に保持されているの
で、転写供給後、直ちに上記隙間５内に強制的に吸引充
填され、例えば下記の実験例に示すように１０秒程度の
短時間で樹脂封止を終えることが出来る。充填終了後の
状態が図２の右側に概略的に示されている。
封止樹脂３は隙間５内が予め減圧に保持されているの
で、転写供給後、直ちに上記隙間５内に強制的に吸引充
填され、例えば下記の実験例に示すように１０秒程度の
短時間で樹脂封止を終えることが出来る。充填終了後の
状態が図２の右側に概略的に示されている。
【００２０】この種用途に使用される液状封止樹脂は公
知であり、公知の各種の液状封止樹脂を用い得る。
知であり、公知の各種の液状封止樹脂を用い得る。
【００２１】本発明において、樹脂封止は、通常の空気
雰囲気中はもとより、不活性ガスの雰囲気中で実施する
ことができる。
雰囲気中はもとより、不活性ガスの雰囲気中で実施する
ことができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明製造方法によれば、次の通りの効
果が得られる。
果が得られる。
【００２３】隙間５内は予め減圧状態に保持されている
ので、液状封止樹脂３は転写供給後直ちに上記隙間５内
に強制的に吸引充填されることになり、樹脂封止に要す
る時間を従来法の例えば５〜１５分程度から例えば１０
秒程度にまで短縮できる。
ので、液状封止樹脂３は転写供給後直ちに上記隙間５内
に強制的に吸引充填されることになり、樹脂封止に要す
る時間を従来法の例えば５〜１５分程度から例えば１０
秒程度にまで短縮できる。
【００２４】 減圧吸引方式であるので、封止樹脂中
に気泡が含まれることがなくなり、樹脂封止の信頼性を
向上できる。
に気泡が含まれることがなくなり、樹脂封止の信頼性を
向上できる。
【００２５】 減圧吸引方式であるので、液状封止樹
脂の粘度は吸引が可能な範囲であれば多少高くとも特に
問題はなく、信頼性の高い樹脂配合が可能になる。
脂の粘度は吸引が可能な範囲であれば多少高くとも特に
問題はなく、信頼性の高い樹脂配合が可能になる。
【００２６】 減圧吸引方式であるので、基板を予熱
する必要がなくなる。
する必要がなくなる。
【００２７】 減圧吸引方式であるので、０．０５ｍ
ｍ以下のような小さな隙間に対しても支障なく封止樹脂
を充填できる。
ｍ以下のような小さな隙間に対しても支障なく封止樹脂
を充填できる。
【００２８】
【実験例】以下に本発明の実験例１，２を上げ、比較例
１，２と比較すると、表１，２の通りである。
１，２と比較すると、表１，２の通りである。
【００２９】
【実験例】実験例１ フリップチップが搭載される位置の中央に直径０．３ｍ
ｍの貫通穴をあけた厚さ０．５ｍｍのガラスセラミック
基板上に厚さ０．４ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリッ
プチップを高さ５０μｍのハンダバンプで接続されたも
のを、フリップチップ封止用の樹脂〔ＮＦ−５００Ｚ−
１（商品名、日本レック（株）製、粘度４０ポイズ）〕
を用い、本発明法に従い図１にもとづき印刷によって封
止した。尚、ハンダバンプに基づく５０μmの隙間内
は、真空発生装置の作動をして予め減圧（１０torr程
度）に保持した。
ｍの貫通穴をあけた厚さ０．５ｍｍのガラスセラミック
基板上に厚さ０．４ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリッ
プチップを高さ５０μｍのハンダバンプで接続されたも
のを、フリップチップ封止用の樹脂〔ＮＦ−５００Ｚ−
１（商品名、日本レック（株）製、粘度４０ポイズ）〕
を用い、本発明法に従い図１にもとづき印刷によって封
止した。尚、ハンダバンプに基づく５０μmの隙間内
は、真空発生装置の作動をして予め減圧（１０torr程
度）に保持した。
【００３０】実験例２ フリップチップが搭載される位置の中央に直径０．３ｍ
ｍの貫通穴をあけた厚さ０．５ｍｍのガラスセラミック
基板上に厚さ０．４ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリッ
プチップを高さ５０μｍのハンダバンプで接続されたも
のを、フリップチップ封止用の樹脂〔ＮＦ−５００Ｚ−
２（商品名、日本レック（株）製、粘度１２０ポイ
ズ）〕を用い、本発明法に従い実験例１と同条件で印刷
によって封止した。
ｍの貫通穴をあけた厚さ０．５ｍｍのガラスセラミック
基板上に厚さ０．４ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリッ
プチップを高さ５０μｍのハンダバンプで接続されたも
のを、フリップチップ封止用の樹脂〔ＮＦ−５００Ｚ−
２（商品名、日本レック（株）製、粘度１２０ポイ
ズ）〕を用い、本発明法に従い実験例１と同条件で印刷
によって封止した。
【００３１】比較例１ 厚さ０．５ｍｍのガラスセラミック基板上に厚さ０．４
ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリップチップを高さ５０
μｍのハンダバンプで接続されたものをフリップチップ
封止用の樹脂、ＮＦ−５００Ｚ−１（商品名、日本レッ
ク（株）製、粘度４０ポイズ）でディスペンサーによっ
てチップの側面に吐出し図３にもとづき封止した。
ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリップチップを高さ５０
μｍのハンダバンプで接続されたものをフリップチップ
封止用の樹脂、ＮＦ−５００Ｚ−１（商品名、日本レッ
ク（株）製、粘度４０ポイズ）でディスペンサーによっ
てチップの側面に吐出し図３にもとづき封止した。
【００３２】比較例２ 厚さ０．５ｍｍのガラスセラミック基板上に厚さ０．４
ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリップチップを高さ５０
μｍのハンダバンプで接続されたものをフリップチップ
封止用の樹脂、ＮＦ−５００Ｚ−２（商品名、日本レッ
ク（株）製、粘度１２０ポイズ）でディスペンサーによ
ってチップの側面に吐出し図３にもとづき封止した。
ｍｍ×１２ｍｍ×１２ｍｍのフリップチップを高さ５０
μｍのハンダバンプで接続されたものをフリップチップ
封止用の樹脂、ＮＦ−５００Ｚ−２（商品名、日本レッ
ク（株）製、粘度１２０ポイズ）でディスペンサーによ
ってチップの側面に吐出し図３にもとづき封止した。
【００３３】
【００３４】
【表１】
【図１】 本発明製造方法の１実施状況を概略的に示す
模式図である。
模式図である。
【図２】 液状封止樹脂の吸引充填状況を示す説明図で
ある。
ある。
【図３】 従来法の説明図である。
１ 基板 ２ フリップチップ素子 ３ 液状封止樹脂 ４ バンプ ５ 隙間 ６ 貫通孔 ７ テーブル ８ 真空発生装置 ９ スキージ 10 メタルマスク
Claims (1)
- 【請求項１】 基板上にフリップチップ素子をバンプを
介して接続固定した状態で搭載した後に、上記基板と素
子との間に生ずるバンプにもとづく隙間内に液状封止樹
脂を充填する半導体の製造方法に於いて、上記基板の上
記素子が搭載される位置の略々中央部に予め貫通孔を形
成しておき、該貫通孔を通じて上記隙間内を予め減圧状
態に保持した状態で上記封止樹脂を上記素子の周側部の
全周に孔版印刷手段を適用して転写供給することによ
り、該封止樹脂を転写供給後直ちに上記隙間内に強制的
に吸引充填することを特徴とする半導体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5274480A JP2612536B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 半導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5274480A JP2612536B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 半導体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07130794A JPH07130794A (ja) | 1995-05-19 |
| JP2612536B2 true JP2612536B2 (ja) | 1997-05-21 |
Family
ID=17542283
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5274480A Expired - Lifetime JP2612536B2 (ja) | 1993-11-02 | 1993-11-02 | 半導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2612536B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL1011949C2 (nl) * | 1999-05-03 | 2000-11-06 | Fico Bv | Werkwijze voor het op een drager met doorvoer plaatsen van een elektronische component, drager met doorvoer en mal voor het uitvoeren van de werkwijze. |
| US6483190B1 (en) | 1999-10-20 | 2002-11-19 | Fujitsu Limited | Semiconductor chip element, semiconductor chip element mounting structure, semiconductor chip element mounting device and mounting method |
| JPWO2009044863A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2011-02-10 | 株式会社フジクラ | モジュール、配線板、及びモジュールの製造方法 |
| JP5355376B2 (ja) * | 2009-12-21 | 2013-11-27 | キヤノン株式会社 | 液体噴射記録ヘッド及びその製造方法 |
| JP2014027095A (ja) * | 2012-07-26 | 2014-02-06 | Denso Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| CN107567186B (zh) * | 2017-08-28 | 2020-04-24 | 维沃移动通信有限公司 | 一种贴装方法和电路板 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3081632U (ja) * | 2001-05-09 | 2001-11-16 | ヒキタ工業株式会社 | 医療感染性排水処理装置 |
-
1993
- 1993-11-02 JP JP5274480A patent/JP2612536B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH07130794A (ja) | 1995-05-19 |
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