JPH10321102A - 磁気マイクロスイッチおよびその製造方法 - Google Patents

磁気マイクロスイッチおよびその製造方法

Info

Publication number
JPH10321102A
JPH10321102A JP10110796A JP11079698A JPH10321102A JP H10321102 A JPH10321102 A JP H10321102A JP 10110796 A JP10110796 A JP 10110796A JP 11079698 A JP11079698 A JP 11079698A JP H10321102 A JPH10321102 A JP H10321102A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
strip
microswitch
magnetic field
strips
microswitch according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10110796A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4205202B2 (ja
Inventor
Geisa Francois
ゲイサ フランソワ
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Asulab AG
Original Assignee
Asulab AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asulab AG filed Critical Asulab AG
Publication of JPH10321102A publication Critical patent/JPH10321102A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4205202B2 publication Critical patent/JP4205202B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H1/00—Contacts
    • H01H1/50—Means for increasing contact pressure, preventing vibration of contacts, holding contacts together after engagement, or biasing contacts to the open position
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H36/00—Switches actuated by change of magnetic field or of electric field, e.g. by change of relative position of magnet and switch, by shielding
    • H01H2036/0093—Micromechanical switches actuated by a change of the magnetic field

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
  • Manufacture Of Switches (AREA)
  • Contacts (AREA)
  • Micromachines (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 マイクロスイッチ全体のスペース的な要件を
変えずに、少なくとも１個の帯片のそのままの幾何的配
置により該帯片の可撓性を増大し、これを、上記帯片の
端部にて得られる最大力を変更することなく行う。 【解決手段】 重複部分が距離e の空隙を形成する末端
部5,5'を各々含む２個の帯片1,2 を含み；磁性材料によ
り形成された上記少なくとも一方の帯片1 は、脚部9 を
介して基材に取付けられた一端3 と、中間部4 と、長さ
L 0 の末端部5 とを有し；該帯片1 は他方の帯片2 に関
して可撓性を有する。可撓帯片1 の中間部4 の断面積は
末端部5 よりも小さく形成されることにより小さな曲げ
抵抗を有し、これにより該帯片は磁界の影響の下では接
触を行うべく少なくともe に等しい大きさだけ撓曲し得
ると共に磁界が無いときには開成位置に向けての十分な
戻り力を有し得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁界の影響による
二つの帯片の結合による電気回路の閉成と、磁界が除去
されたときの上記回路の開成との両操作を信頼性を以て
確実に行う特定構造を有する帯片式マイクロスイッチに
関する。本発明はまた、斯かるマイクロスイッチを、基
材から直流成長(galvanic growth) により製造する方法
にも関している。
【０００２】
【従来の技術と発明が解決しようとする課題】更に概略
的に述べると、本発明は所謂る“ステム" スイッチの公
知分野に関しており、広範囲な意味においては、ステム
もしくは帯片に対して平行的なもしくは直交的なものと
され得る外部磁界により起動され得る“帯片" に関して
いる。平行磁界によるステムスイッチは、一般的にリー
ドスイッチと称される。斯かるリードスイッチの基本的
設計態様は、その各端部が磁化可能な可撓ステムにより
貫通された円筒状ガラスバルブを備えて成り、また、各
ステムの自由端は、電気回路を閉成せんとする外部磁界
の影響の下では、相互に向けたそれらの初期運動により
相互に吸引される一方、磁界が除去されたときにはステ
ムもしくは帯片の弾性力によりそれらの初期位置に復帰
し得るものとされている。この基本的設計態様を小型化
する上では必然的に、純粋な技術的要因による制限があ
ることから、一般的に入手し得る最小のリードスイッチ
は依然として、7.5 mm程度の長さと1.5 mm程度の径を有
すると共に、機械的に安定しないこともある。
【０００３】この基本的設計態様は多くの改良を生じせ
しめたが、発明の範囲に関し、一方では、時計などの小
型電子アセンブリへの例えば一体化を許容する為のスペ
ース要件を減少させるもの、および、他方では、それら
の磁気機械的性能の信頼性および効率を一層高めるも
の、が挙げられる。スペース要件を減少する為の解決策
に関して米国特許第5,430,421 号に言及すると、該米国
特許は、極小寸の帯片マイクロスイッチのバッチ製造を
許容すべく、基材からの直流成長による製造方法を開示
しており、この帯片マイクロスイッチは典型的には、長
さL が約500 μm 、厚みa が100 μm 、かつ、幅b およ
び空隙e が数十ミクロンである帯片を備えたデバイスで
ある。しかし乍ら、同じバッチ、すなわち、厳密に同一
の条件で製造されたマイクロスイッチの幾つかのもの
が、信頼作動の保証を許容する基準を満足しないことが
観察された。直流成長による垂下式金属構造を形成すれ
ば、幾何的配置(geometry)、特に、強磁性材料の析出厚
みを十分な精度で制御し得るが、残留応力を制御でき
ず、これは公知の如く直流成長の開始時点で一層重要な
ものであり、一定の手法で予測すべきものである。ま
た、帯片の厚みは極小であることから、犠牲層の除去後
においては必然的に幾つかのマイクロスイッチが依然と
して閉成位置にあったり、逆に、大き過ぎる空隙を有し
ており、後者に関しては、磁界を通常的に付与して閉成
位置に付勢せねばならない。
【０００４】一方、上述したマイクロスイッチの磁気／
機械的な欠点を克服する為に、所定の弾性率を有する材
料で形成されると共に所定の磁界内に載置される帯片に
関して研究が行われたが、それは、撓みと、２個の帯片
間の接触圧力とを助長する一方で残留応力を減少もしく
は除去すべく変化させ得るのはどの構造パラメータであ
るか、に関するものであった。
【０００５】帯片の厚みb を大きくすれば、残留応力の
影響は減少されると共に、２個の帯片の相互位置関係は
改善されるが、それらの剛性も増大してしまう。従っ
て、閉成の為に必要な可撓性を備えせしめる為には帯片
の長さL を増大せねばならないが、小型化を行うという
発明の目的を満足するものではない。ここで、磁界内に
載置されると共に極めて小寸の空隙e を有するデバイス
では、帯片の長さをL 、その厚みをb 、空隙e 内への２
個の帯片の重なり合い長さ即ち重複長さをr とすれば、
撓みは略々L 3 /br に比例する。また、他のパラメータ
が全て同じであれば、接触圧力は略々b 2 /r2 に比例す
る。
【０００６】L を増大し、かつ／または、b を減少する
ことにより、大きな撓みが得られる。然るに、L を増大
するとマイクロスイッチの全体的スペース要件は増大
し、これは発明の企図目的に合致するものでなく、空隙
内における磁界の分散が大きくなるという逆効果も生じ
てしまう。また、b を減少すると、一方では接触圧力を
相当に低下させ、他方では、上述の如く、帯片が残留応
力の影響を一層受けやすくなる、という不都合な影響が
生じてしまう。
【０００７】重複長さr のみを減少すると、撓みおよび
接触圧力を同時に増大することができる。しかし乍ら、
r の値は実質的に厚みb の数倍に等しい様に維持せねば
ならず、さもなければ、得られる利点よりも磁界の分散
効果の方が大きくなってしまう。従って、上記の考察か
らは、直流成長により形成されるマイクロスイッチの磁
気機械的欠点に対する満足の行く解決策を提供すること
は当業者の知識では行えないことが明らかである。
【０００８】故に本発明の課題は、マイクロスイッチの
全体的スペース要件を変更することなく、少なくとも１
個の帯片のそのままの幾何的配置により該帯片の可撓性
を増大し、これを、上記帯片の端部にて得られる最大力
を変更することなく行う、という解決策を提供するにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】従って、本発明は、夫々
の端部により電気接続手段に接続されるとともに、各
々、長さr に亙る重複部分が距離e の空隙を画成する断
面積が夫々a ・b およびa ・b'である末端部を含み、か
つ、長さがL およびL'で幅がa である２個の導電帯片を
含み；上記帯片の少なくとも一方は、磁気材料から形成
されると共に、脚部を介して基材に取付けられた一端
と、中間部と、長さがL 0 の末端部とを備え；該帯片は
第２帯片の末端部に関し、磁界が無いときの開成位置
と、２個の帯片が磁界の影響の下で相互に接触する閉成
位置との間で撓曲可能である；基材から直流成長により
形成された磁気マイクロスイッチでにおいて、可撓帯片
の上記中間部の断面積は末端部よりも小さく形成される
ことにより小さな曲げ抵抗を有し、これにより該帯片
は、磁界の影響の下では接触を行うべく少なくともe に
等しい大きさだけ撓曲し得ると共に、磁界が無いときに
は開成位置に向けての十分な戻り力を有し得る、ことを
特徴とする磁気マイクロスイッチ、を提供する。
【００１０】磁界が帯片に対して平行に付与される場
合、２個の帯片は同一の磁性材料から直流成長により形
成される。中間部を飽和させるべく磁界を付与すること
により、末端部の夫々の厚みb 、b'の増大で帯片間の接
触圧力を増大して低い抵抗による接触を再現する一方、
帯片に十分な撓みを持たせ得ることが可能となる。
【００１１】第１実施態様に依れば、可撓帯片は脚部に
対するそれの固着端部からそれの末端部にかけて一定の
厚みb を有し、かつ、これらの２個の端部の接合部を形
成する中間部には１個以上の峡部が形成されて該中間部
の合計横断面積は末端部の断面積よりも小さくなり、従
って、必要とされるスペース要件を増大することなく帯
片が一層大きな可撓性を有し得る様になる。
【００１２】これらの峡部は、１個以上の開口を帯片に
画成し得る。峡部が唯一個である場合、帯片の各縁部に
２個の凹所を形成すべく峡部は中央位置を占有するのが
好適である。また、各峡部は、脚部に固着された端部と
末端部との間で変化する断面積を有し、例えば、取付点
から末端部に向けて面積が減少する実質的に正方形もし
くは矩形の連続的な開口を形成しても良い。
【００１３】第二の実施態様によれば、帯片は開口も凹
所も有さないが、その中間部は末端部の厚みb よりも小
さな厚みを有し、帯片の厚み方向におけるノッチを適宜
な手法で形成しており、このノッチは帯片の両面の一方
もしくは他方に配置され得るものである。既述の如く、
中間部はマイクロスイッチの磁気的挙動に関しては僅か
な効果しか有しておらず、特に、マイクロスイッチが帯
片の丈に平行な磁界内に載置されたときにそうである。
換言すると、有効領域は長さL 0 の末端部である。この
場合、第２帯片が基材に取付けられるとき、その長さL'
をL 0 に等しくすると共にその厚みb'を可撓帯片の厚み
b に等しいものとして、可能な限り磁界の分散を回避す
れば好適である。
【００１４】帯片に直交する磁界内にマイクロスイッチ
が載置されると共に第２帯片が基材に取付けられる場合
には、第２帯片の長さL'は重複長さr に等しくするだけ
で十分であり、それを形成する材料は磁性もしくは非磁
性とし、且つ、その厚みb'は可撓帯片の厚みb よりも大
きくすることができる。基材に直接的に取付ける代わり
に、第２帯片は更なる脚部を介して上記基材に取付けて
も良い。そのときにこの第２帯片は撓曲可能であると共
に、既述の手法のいずれかに従って構成されるが、必ず
しも第１帯片と同一の構造とする必要は無い。
【００１５】本発明に係るマイクロスイッチはまた、全
体的スペース要件を変更すること無く、各帯片の厚みb
、b'および空隙の値e の変更を許容するものである。b
、b'を増大すると可撓性が減少するが、相関的に２個
の帯片の相対位置関係は改善されることから空隙値e を
減少することができる。本発明の他の特徴および利点
は、添付図面を参照して行われる例示的で非限定的な実
施例の詳細な説明により明らかとなろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】図１は、その製造バッチから取り
外されたマイクロスイッチの第１実施例を示している。
該スイッチは、基材10により支持された２個の帯片1 、
2 を含んでいるが、これは、以下に説明する直流成長に
より形成されることは理解されよう。この実施例では、
帯片に平行な磁界に晒されるべくマイクロスイッチが配
置される。２個の帯片を形成する材料は、例えば低い磁
気ヒステリシスを有するニッケル／鉄合金などの強磁性
材料とし、磁界が除去されたときの再現的な開成を可能
とせねばならない。２個の帯片の各々は、不図示の電気
回路に対しては、導体21および22により概略的に示され
る接続手段を含んでいるが、当業者であれば、特に、上
記マイクロスイッチが更に複雑な電子回路に一体化され
るときには他の接続手段を完璧に設計し得よう。２個の
帯片は、50μm 乃至150 μm の間の例えば100 μm とさ
れた実質的に同一の幅a 、および、10μm 程度の厚みb
、b'を有している。脚部9 を介して基材10に取付けら
れた帯片1 は全長L を有するが、これは典型的には300
μm 乃至900 μm であり、例えば500 μm である。この
帯片1 は、実質的に同一の長さを有しながらも異なる機
能を達成する３個の領域を含んでいる。帯片の一端3 は
脚部9 への取付けを許容すると共に、帯片の残りの部分
は基材10上方に張出されている。“末端部" として示さ
れた長さがL 0 の他端5 は、磁気的作用を確かなものと
する。中間部4 は、帯片1 の可撓性、すなわち、所定磁
界内における他端5 の最大撓みの調節を許容することに
より、機械的作用を確かなものとする。この目的の為
に、中間部4 はその中心にて矩形開口6 を含むが、これ
は、脚部9 に取付けられた端部3 を末端部5 に接続する
２個の峡部8a、8bを帯片1 の縁部に形成するものであ
る。従って、この中間部における合計断面積は他端部5
の断面積a ・b よりも小さく、所定の弾性率を有する材
料に関しては一層大きな可撓性を帯片に与えるものであ
る。基材に取付けられた第２帯片2 は、厚みb'、長さL'
を有するが、格別の構造化は行われていない。但し、そ
の厚みb'は可撓帯片1 の厚みb と実質的に同一であれば
好適である。上記の２個の帯片は相互に関し、長さr に
亙り重複し即ち重なり合い、10μm 乃至15μm たとえば
5 μm の空隙e をそれらの対向表面間に画成する如く位
置せしめられる。２個の帯片の重複長さr は、帯片に対
して選択された厚みb 、b'の数倍に等しいものとし、磁
界の分散効果を減少するのが好適である。
【００１７】その最終的な用途に依り、上記マイクロス
イッチは空気中もしくは制御された雰囲気中に密閉収納
され得るが、それは例えば、基材表面に接着もしくは溶
着された不図示のプラスチックハウジング、または、適
宜なケース内への組付けにより、行われる。次に図７お
よび図８を参照し、図１に示されたマイクロスイッチを
基材10から直流成長により作成する方法を簡単に記述す
る。この方法は本質的に、上記米国特許第5,430,421 号
に開示された方法の少なくともひとつの段階に適合する
段階を含んでおり、これに関しては更に詳細に言及す
る。図７は、犠牲層を除去する前にその製造バッチから
取り外された単一個のマイクロスイッチの峡部8aを通る
長手断面を示している。実際、基材10は単に、絶縁材料
もしくは半導体材料、または、絶縁材料により被覆され
た導体材料からなるウェハの一部であるに過ぎず、単一
回のバッチにおける複数のマイクロスイッチの製造を許
容している。析出は先ず蒸着などにより例えばチタンも
しくはクロムの接着層12a および13a から行い、次に、
例えば金などの保護層12b および13b を析出させ、公知
の方法により表面を食刻することにより、電気的に絶縁
された２つの経路12および13を形成する。次に、例えば
スピンコーティング方法などにより、厚寸のフォトレジ
スト層14、15および16が順次に析出されるが、フォトレ
ジスト層の各々は、段階的に直流成長を許容する開口を
配置すべく（不図示の）マスクによりパターン形成され
る。第１層14は、脚部9 の第１レベル9aと帯片2 との直
流成長を許容する２個の開口によりパターン化される。
第２層15は、脚部9 の第２レベル9bが直流成長により得
られることを許容する単一の開口によりパターン化され
る。フォトレジストの第３層16の析出を行う前に、新た
な二重金属被覆17を行う。この第３層16は、脚部9 に取
付けられた端部3 、末端部5 および峡部8a、8bにより対
応画成される開口であって、直流成長が行われない開口
を残すべくパターン化されているが、これは図８に更に
明確に現われている。この例においては、直流成長の全
ての段階は、例えば20-80 の鉄- ニッケル合金などの同
一の強磁性材料により実行され得る。帯片が磁界に晒さ
れたときのそれらの電気的接続を改善することも可能で
あり、それは、例えば第１の直流析出後であって最後の
直流析出の前にそれらの対向表面を金により被覆するこ
とで行われる。これにより得られる微小構造は次に一段
階もしくは数段階に亙り食刻剤に晒され、フォトレジス
トおよび中間金属被覆層17が除去され、マイクロスイッ
チが出現する。既に示した様に、これらの操作の全ては
マイクロスイッチのバッチに対して行われるものであ
り、マイクロスイッチの最終用途に依り決定される配置
構成に従って個々にもしくはまとめて切断して取り外さ
れる前に、密閉収納され得るものである。
【００１８】図２は帯片に平行な磁界内への載置を意図
した別のマイクロスイッチの例を示しており、ここでも
可撓帯片は一個のみである。可撓帯片の中間部4 は３個
の峡部8a、8bおよび8cにより形成された２個の矩形開口
6aおよび6bを含んでいる。図１および図２を比較すれば
理解される如く、基材に取付けられた第２帯片2 の長さ
L'=L0 であり、２個の帯片は同一の厚みb=b'を有してい
るが、これらの厚みは図１に示されたものより大きく、
これと対応して空隙e は小さな値を有している。
【００１９】図３に示されたマイクロスイッチは、帯片
に直交的な磁界内への載置が意図されている。図示され
る様に、基材に取付けられた第２帯片2 は、少なくとも
２個の帯片の重複長さr に等しい長さL'と、可撓帯片の
厚みb より大きな厚みb'とを有する接触隆起部に減寸さ
れ得る。この例においては、脚部の第１レベルと帯片2
とを形成する第１成長段階を、例えば金などの非磁性材
料で実施することも可能である。また、中間部は、実質
的に矩形の３個の隣接開口6a、6bおよび6cを含み、脚部
から離れる方向に幅が増加する３個の領域s 、m および
l により形成される峡部8aおよび8bにより帯片の各縁で
画成される単一の開口を形成している。
【００２０】図４において、帯片と平行な磁界内に載置
されることが意図されたマイクロスイッチは、その可撓
帯片の中間部に、該帯片の縁部に凹所6dおよび6eを形成
する単一の峡部8cを含んでいる。図５に示されたマイク
ロスイッチにおいては、基材10に取付けられた帯片2 に
関する可動帯片の可撓性は、中間部4 の厚みb"を、末端
部5 の厚みb よりも小さくすることで達成されている。
図示された実施例におけるこの形態は、基材に対向する
ノッチ6fに依るものである。この微小構造を直流成長に
より形成する為には、ノッチ6fを形成する為の付加的段
階を行う必要があることは勿論である。
【００２１】図６は、帯片に平行な磁界に載置されるこ
とが意図されたマイクロスイッチを示しており、２個の
帯片は相互に対して移動可能とされている。第１の帯片
1 は脚部9 を介して基材10に取付けられると共に、その
中間部分に開口6 を含んでいる。第２の帯片2 は、脚部
11を介して基材10に取付けられている。図示された実施
例においては、この第２帯片もまた中間部に矩形開口7
を含んでいる。この中間部は、帯片1 に関して上述した
形状のいずれとしても良く、または、脚部11に固着され
たそれの端部からそれの末端に向けて全体的に一定の断
面を有しても良い。この微小構造を直流成長により形成
する為には、帯片2 および脚部9 の付加レベルを直流析
出により形成かつ成長させる前に、脚部11を形成する付
加的段階を実施すると共に付加的な金属被覆段階を行う
必要があることは勿論である。
【００２２】当業者であれば、本発明の範囲から逸脱す
ること無しに、大きな可撓性を有する少なくとも一個の
中間部の他の形態を想起することにより、改善された磁
気機械的特徴を有するマイクロスイッチを実現し得るこ
とは自明であろう。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、マイクロスイッチの全
体的スペース要件を変更することなく、少なくとも１個
の帯片のそのままの幾何的配置により該帯片の可撓性を
増大し、これを、上記帯片の端部にて得られる最大力を
変更することなく行うことが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】単一の可撓帯片を有するマイクロスイッチの第
１実施例の全ての特性長さを示している斜視図である。
【図２】１個の帯片のみが可撓性を有する、第２実施例
の斜視図である。
【図３】１個の帯片のみが可撓性を有する、第３実施例
の斜視図である。
【図４】１個の帯片のみが可撓性を有する、第４実施例
の斜視図である。
【図５】１個の帯片のみが可撓性を有する、第５実施例
の斜視図である。
【図６】２個の帯片が可撓性を有する、第６実施例の斜
視図である。
【図７】犠牲層を除去する前の、図１のVII −VII 線に
沿った断面図である。
【図８】犠牲層を除去する前の、図１のVIII−VIII線に
沿った断面図である。
【符号の説明】
1 、2 …帯片 3 …一端 4 …中間部 5 …末端部 6 …矩形開口 7 …矩形開口 9 …脚部 10…基材 11…脚部 17…金属被覆層 21、22…導体

Claims (15)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ２個の導電性帯片(1,2) を含み、基材(1
    0)から直流成長により形成される磁気マイクロスイッチ
    であって、 導電性帯片(1,2) は、それぞれの端部(3,3')が電気接続
    手段(21,22) に接続され、長さr に亙る重複部分が距離
    e の空隙を画成する断面積が夫々a ・b およびa ・b'で
    ある末端部(5,5')を含み、長さがL およびL'で幅がa で
    あり、 少なくとも一方の帯片(1) は、磁気材料から形成され、
    脚部(9) を介して基材(10)に取付けられた一端(3) と、
    中間部(4) と、長さがL 0 の末端部(5) とを具え、他方
    の帯片(2) の末端部に対して、磁界が無いときの開成位
    置と、２個の帯片が磁界の影響の下で相互に接触する閉
    成位置との間で撓曲可能であるようなものにおいて、 この可撓性を有する帯片(1) の中間部(4) の断面積は、
    末端部(5) よりも小さく形成されることにより、より小
    さな曲げ抵抗を有し、該帯片は、磁界の影響の下では接
    触を行うべく少なくともe に等しい大きさだけ撓曲し得
    ると共に、磁界が無いときには開成位置に向けての十分
    な戻り力を有し得ることを特徴とするマイクロスイッ
    チ。
  2. 【請求項２】 付与される磁界が前記２つの帯片(1,2)
    に平行であるとき、これらの帯片(1,2) は磁性材料から
    形成されることを特徴とする請求項１記載のマイクロス
    イッチ。
  3. 【請求項３】 可撓性帯片(1) は一定の厚みb を有し、 中間部(4) は、脚部(9) に固着された端部(3) に対して
    前記末端部(5) を接続する少なくとも１個の峡部(8a,8
    b,8c)により形成されることを特徴とする請求項１記載
    のマイクロスイッチ。
  4. 【請求項４】 中間部は、帯片の縁部に位置せしめられ
    て実質的に矩形もしくは正方形の開口(6) を形成する２
    個の峡部(8a,8b) を含むことを特徴とする請求項３記載
    のマイクロスイッチ。
  5. 【請求項５】 中間部は、帯片の丈に平行に延伸して実
    質的に矩形もしくは正方形の複数個の開口(6a,6b) を形
    成する２個より多い峡部(8a,8b,8c)を含むことを特徴と
    する請求項３記載のマイクロスイッチ。
  6. 【請求項６】 帯片の縁部に位置せしめられた２個の峡
    部(8a,8b) の断面積は、脚部への取付領域から末端部に
    向けて減少し、これにより、実質的に矩形もしくは正方
    形であり且つ連続する複数個の開口(6a,6b,6c)を形成す
    ることを特徴とする請求項４記載のマイクロスイッチ。
  7. 【請求項７】 中間部(4) は、帯片の縁部の各々に凹所
    (6d,6e) を画成する単一の中央峡部(8c)を含むことを特
    徴とする請求項１記載のマイクロスイッチ。
  8. 【請求項８】 中間部(4) の厚みは、末端部(5) の厚み
    b よりも小さいことを特徴とする請求項１記載のマイク
    ロスイッチ。
  9. 【請求項９】 帯片(1,2) の長手軸心に平行に磁界が付
    与される場合、他方の帯片(2) は、基材に取付けられる
    と共に、一定の断面積と、実質的にL 0 に等しい長さL'
    とを有することを特徴とする請求項１記載のマイクロス
    イッチ。
  10. 【請求項１０】 帯片(1,2) の長手軸心に直交して磁界
    が付与される場合、他方の帯片(2) は、基材に取付けら
    れると共に、一定の断面積と、実質的にr に等しい長さ
    L'とを有することを特徴とする請求項１記載のマイクロ
    スイッチ。
  11. 【請求項１１】 ２個の帯片(1,2) の各々は、脚部(9,1
    1)を介して基材に取付けられることを特徴とする請求項
    １記載のマイクロスイッチ。
  12. 【請求項１２】 各帯片の中間部は、小さな曲げ抵抗を
    有すべく形成されることを特徴とする請求項１１記載の
    マイクロスイッチ。
  13. 【請求項１３】 帯片(1,2) の長手軸心に平行に磁界が
    付与される場合、２個の帯片(1,2) は、同一の厚みb=b'
    を有することを特徴とする請求項１記載のマイクロスイ
    ッチ。
  14. 【請求項１４】 帯片(1,2) に対する厚みb 、b'の増加
    により、マイクロスイッチ全体のスペース的な要件を変
    えることなく空隙e が相対的に減少され得ることを特徴
    とする請求項１３記載のマイクロスイッチ。
  15. 【請求項１５】 電気的に絶縁された２個の経路(12,1
    3) を基材(10)上に形成するステップと、 厚寸のフォトレジストの連続層(14,15,16)を形成し、直
    流成長が段階的に行われ得るようにするステップと、 帯片を形成する各ステップの前に、既に得られた構造の
    全体表面の中間的金属被覆(17)を行うステップと、 １以上のステップにおいてフォトレジストおよび中間的
    金属被覆を除去するステップ、 とを含むことを特徴とする、請求項１記載のマイクロス
    イッチを製造する方法。
JP11079698A 1997-04-21 1998-04-21 磁気マイクロスイッチおよびその製造方法 Expired - Fee Related JP4205202B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CH00919/97A CH691559A5 (fr) 1997-04-21 1997-04-21 Micro-contacteur magnétique et son procédé de fabrication.
CH19970919/97 1997-04-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10321102A true JPH10321102A (ja) 1998-12-04
JP4205202B2 JP4205202B2 (ja) 2009-01-07

Family

ID=4198229

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11079698A Expired - Fee Related JP4205202B2 (ja) 1997-04-21 1998-04-21 磁気マイクロスイッチおよびその製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (1) US6040748A (ja)
JP (1) JP4205202B2 (ja)
KR (1) KR100507950B1 (ja)
CN (1) CN1119826C (ja)
CH (1) CH691559A5 (ja)
TW (1) TW412767B (ja)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5732872A (en) * 1994-06-17 1998-03-31 Heartport, Inc. Surgical stapling instrument
US5881943A (en) 1994-06-17 1999-03-16 Heartport, Inc. Surgical anastomosis apparatus and method thereof
US6303986B1 (en) 1998-07-29 2001-10-16 Silicon Light Machines Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die
US6124650A (en) * 1999-10-15 2000-09-26 Lucent Technologies Inc. Non-volatile MEMS micro-relays using magnetic actuators
DE10004393C1 (de) * 2000-02-02 2002-02-14 Infineon Technologies Ag Mikrorelais
AU2001292721A1 (en) * 2000-09-18 2002-03-26 Meder Electronic A lead-less surface mount reed relay
US6768403B2 (en) 2002-03-12 2004-07-27 Hrl Laboratories, Llc Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type RF micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring
EP1374267A1 (en) * 2001-03-12 2004-01-02 HRL Laboratories Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type rf micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring
US6707591B2 (en) 2001-04-10 2004-03-16 Silicon Light Machines Angled illumination for a single order light modulator based projection system
US20090163980A1 (en) * 2007-12-21 2009-06-25 Greatbatch Ltd. Switch for turning off therapy delivery of an active implantable medical device during mri scans
US6747781B2 (en) 2001-06-25 2004-06-08 Silicon Light Machines, Inc. Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle
US6782205B2 (en) 2001-06-25 2004-08-24 Silicon Light Machines Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing
US6829092B2 (en) 2001-08-15 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Blazed grating light valve
US6930364B2 (en) * 2001-09-13 2005-08-16 Silicon Light Machines Corporation Microelectronic mechanical system and methods
US7301334B2 (en) * 2001-09-17 2007-11-27 Schneider Electric Industries Sas Micro magnetic proximity sensor system
US6800238B1 (en) 2002-01-15 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics
US6728023B1 (en) 2002-05-28 2004-04-27 Silicon Light Machines Optical device arrays with optimized image resolution
US6767751B2 (en) * 2002-05-28 2004-07-27 Silicon Light Machines, Inc. Integrated driver process flow
US6822797B1 (en) 2002-05-31 2004-11-23 Silicon Light Machines, Inc. Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light
US6829258B1 (en) 2002-06-26 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Rapidly tunable external cavity laser
US6714337B1 (en) 2002-06-28 2004-03-30 Silicon Light Machines Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response
US6813059B2 (en) 2002-06-28 2004-11-02 Silicon Light Machines, Inc. Reduced formation of asperities in contact micro-structures
US6801354B1 (en) 2002-08-20 2004-10-05 Silicon Light Machines, Inc. 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses
US6712480B1 (en) 2002-09-27 2004-03-30 Silicon Light Machines Controlled curvature of stressed micro-structures
US6806997B1 (en) 2003-02-28 2004-10-19 Silicon Light Machines, Inc. Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction
US6829077B1 (en) 2003-02-28 2004-12-07 Silicon Light Machines, Inc. Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane
EP1533270A1 (fr) * 2003-11-21 2005-05-25 Asulab S.A. Procédé de contrôle de l'herméticité d'une cavité close d'un composant micrométrique, et composant micrométrique pour sa mise en oeuvre
ITVI20040182A1 (it) * 2004-07-23 2004-10-23 Lacroix Electronique Srl Termostato con modi di funzionamento modificabili e metodo per modificare tali modi di funzionamento
FR2883274B1 (fr) * 2005-03-15 2007-06-22 Schneider Electric Ind Sas Microsysteme integrant un circuit magnetique reluctant
JP2011517016A (ja) * 2008-03-20 2011-05-26 エイチティー マイクロアナレティカル インク． 統合型リードスイッチ
US8665041B2 (en) * 2008-03-20 2014-03-04 Ht Microanalytical, Inc. Integrated microminiature relay
US8581679B2 (en) * 2010-02-26 2013-11-12 Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. Switch with increased magnetic sensitivity
KR101712628B1 (ko) * 2010-05-03 2017-03-06 삼성전자 주식회사 가변 콘택을 포함한 반도체 소자
FR2970111B1 (fr) * 2011-01-03 2013-01-11 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication d'un micro-contacteur actionnable par un champ magnetique
FR2970596B1 (fr) 2011-01-19 2013-02-08 Commissariat Energie Atomique Contacteur et interrupteur
US9972459B1 (en) 2013-09-09 2018-05-15 Apple Inc. Tactile switch assembly in an electronic device
US10109432B1 (en) * 2014-06-16 2018-10-23 Apple Inc. Switch assemblies
RU2629002C2 (ru) * 2015-12-28 2017-08-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" Способ увеличения чувствительности магнитоуправляемых коммутаторов
DE102016210485A1 (de) * 2016-06-14 2017-12-14 Siemens Aktiengesellschaft Elektromechanisches Schutzschaltgerät mit einer Überlastauslöseeinrichtung
US10707032B1 (en) 2016-12-02 2020-07-07 Apple Inc. Electronic device having travel-magnifying input/output structure
CN111915997A (zh) * 2020-08-19 2020-11-10 深圳市奥拓电子股份有限公司 一种具有触摸功能的cob显示模组及led显示屏

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4357585A (en) * 1979-12-10 1982-11-02 W. H. Brady Co. Laminated magnetic switch
US4570139A (en) * 1984-12-14 1986-02-11 Eaton Corporation Thin-film magnetically operated micromechanical electric switching device
DE3809597A1 (de) * 1988-03-22 1989-10-05 Fraunhofer Ges Forschung Mikromechanisches stellelement
DE69311277T2 (de) * 1992-12-15 1998-01-15 Asulab Sa Schutzrohrschalter und Herstellungsverfahren für aufgehängte dreidimensionale metallische Mikrostrukturen
US5463233A (en) * 1993-06-23 1995-10-31 Alliedsignal Inc. Micromachined thermal switch
FR2721435B1 (fr) * 1994-06-17 1996-08-02 Asulab Sa Microcontacteur magnétique et son procédé de fabrication.
US5629918A (en) * 1995-01-20 1997-05-13 The Regents Of The University Of California Electromagnetically actuated micromachined flap
US5726480A (en) * 1995-01-27 1998-03-10 The Regents Of The University Of California Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same

Also Published As

Publication number Publication date
CH691559A5 (fr) 2001-08-15
KR100507950B1 (ko) 2005-11-08
CN1198581A (zh) 1998-11-11
US6040748A (en) 2000-03-21
KR19980081539A (ko) 1998-11-25
TW412767B (en) 2000-11-21
JP4205202B2 (ja) 2009-01-07
CN1119826C (zh) 2003-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH10321102A (ja) 磁気マイクロスイッチおよびその製造方法
US7242066B2 (en) Manufacturing method of a microelectromechanical switch
US20100015744A1 (en) Micro-Electromechanical Device and Method of Making the Same
JPH07161274A (ja) シリコン超小形リレー
CN107128868B (zh) 微机电系统和制造微机电系统的方法
KR20110031150A (ko) 집적 리드 스위치
US7075393B2 (en) Micromachined relay with inorganic insulation
JP4182861B2 (ja) 接点開閉器および接点開閉器を備えた装置
US20030043003A1 (en) Magnetically latching microrelay
US7300815B2 (en) Method for fabricating a gold contact on a microswitch
JP4174761B2 (ja) 機構デバイスの製造方法及び機構デバイス
JP4105048B2 (ja) マイクロスイッチ及びその製造方法
JPH073552Y2 (ja) 小型磁気スイッチ
JP2012038661A (ja) Ｍｅｍｓスイッチおよびｍｅｍｓスイッチの製造方法
JP2011204651A (ja) 電気接点の端子構造およびこれを備えた有接点スイッチ
JPH02148637A (ja) 磁気応動スイッチ
JP2007250434A (ja) マイクロマシンスイッチ及びその製造方法
CN111261348A (zh) 一种薄膜电阻器结构及制备方法
JP2008300335A (ja) 機構デバイスの製造方法及び機構デバイス
WO2019226732A1 (en) Magnetically activated switch having magnetostrictive material
JP2008119756A (ja) マイクロマシンの製造方法
JP2001143423A (ja) フレクシャ
JPH0371731B2 (ja)
JP2001043786A (ja) 電磁リレー及びその製造方法
JP2003222805A (ja) 光スイッチ

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20050222

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20070703

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20071003

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080108

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20080403

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20080408

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080708

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080916

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20081016

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111024

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121024

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131024

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees