JP2011204651A - 電気接点の端子構造およびこれを備えた有接点スイッチ - Google Patents

Abstract

【課題】接点部の接触面を安定化させ、デバイスの信頼性を向上させることが可能な電気接点の端子構造およびこれを備えた有接点スイッチを提供する。
【解決手段】有接点スイッチ１は２つの端子（可動部１０Ａおよび固定部１０Ｂ）を有する。可動部１０Ａおよび固定部１０Ｂでは、それぞれ基板１１（支持基板１７）上に絶縁膜１２、下地層１３、密着層１４、電極１５がこの順に形成されている。電極１５は、Ａｕなどの金属母材中にＣＮＴなどの補強材が分散された複合材料層１５Ａと、複合材料層１５Ａの少なくとも一部を覆う金属膜１５Ｂとから構成されている。複合材料層１５Ａ上を金属膜１５Ｂによって覆うことにより、電極１５の表面の硬度を均質化し、可動部１０Ａおよび固定部１０Ｂの接触面を安定化する。
【選択図】図２

Description

本発明は、高周波（特にミリ波帯）を用いた高密度大容量通信に用いられる電子デバイス、発電または変電を行う電子デバイスなどに用いて好適な電気接点の端子構造およびこれを備えた有接点スイッチに関する。

高周波デバイスの接点には、電気的特性（低抵抗）と機械的特性（放熱性、高硬度）を両立した材料が望ましい。古くは合金開発によって望ましい材料が探索されてきた。例えば、有接点スイッチで一般的に用いられるＡｕ系接点を有するものは、金（Ａｕ）にニッケル（Ｎｉ）、パラジウム（Ｐｄ）、タングステン（Ｗ）などを添加したＡｕ合金が活用されている。合金化によって硬度の上昇、耐腐食性の向上および融点の上昇などの効果が得られ、接点としての耐久性が向上する。一方で、Ａｕ合金は純Ａｕと比較すると抵抗率の上昇および密着性の低下などの特性のトレードオフがあり、合金化では真の両立化は達成されない。

この問題を解決する方法として、例えば特許文献１では、基板上に硬度の異なる薄膜を３層以上積層した接点の端子構造が開示されている。表面から２層目の金属層をビッカース高度で２００以上の硬度を有する材料を用いて形成し、表面の金属層を２層目の金属層より柔らかい材料により形成する。硬い材料は端子全体の硬度を確保し、接点の磨耗耐性を向上させることによりデバイスの信頼性を向上させている。また柔らかい表面層は、接触面積を確保して接触の信頼性を向上させている。この方法では接点の硬度、耐久性および接触の信頼性は得られるが、各層に異なる材料を積層させるために各層間の密着性が低下するという問題があった。また、複数の材料を用いることが必須となるため、接点の低抵抗化および放熱特性を効率的に図ることは困難であった。

一方、９０年代にカーボンナノチューブ（ＣＮＴ）が実用化されると、このＣＮＴが電気接点材料の候補としても注目されるようになった。ＣＮＴは高い電気特性、機械特性を有しており、例えば特許文献２ではＣＮＴを用いた端子構造が開示されている。これは、基板上にＣＮＴを積層させたのちに、Ａｕ薄膜をＣＮＴの先端部に真空蒸着させることにより接点として用いる際のＣＮＴの欠点である硬度の高さを低減し、接点としての実用性を確保したものである。このように、ＣＮＴ自身を接点材料として用いることは原理的には可能であるが、ＣＮＴを積層する際のＣＮＴの直立性や並列性の制御、表面平坦性の制御、蒸着するＡｕとの密着性の確保および蒸着後のＡｕ表面の平坦性の確保など、製造上、種々の課題があった。

また、ＣＮＴを金属、例えば純Ａｕ中に分散させると、Ａｕに比べて低抵抗となり、また高熱伝導性および高硬度化が得られると報告されている。例えばＡｕにＣＮＴを分散させ、めっき法によって作られた配線が報告されている（高集積・複合ＭＥＭＳ製造技術開発プロジェクト、ＮＥＤＯ、２００７）。ＣＮＴの複合材料は、従来の合金がなしえなかった電気的特性と機械的特性との両立を実現する材料として期待されている。

特願２００１−３８６８１４号公報 特願２００４−３７０８５０号公報

前述のように電気接点における硬度は、接点部の継断時における磨耗および変形を防ぐためには高いほど良い。この点でＣＮＴの複合材料による特性変化は望ましい。しかしながら、接点部の硬度が上昇すると接触抵抗の増大を招くという問題がある。また、材料表面は完全に平坦ではないので、接触圧力と硬度との兼ね合いによって接触面積が増減する。接圧が等しければ、高硬度の接点材料では接触抵抗は上昇する。さらに分散材料の場合には分散密度の分布によって硬度にばらつきが生じる。すなわち、ＣＮＴの密度が高い領域ではより硬く、低い領域では母材金属の硬度に近く軟らかくなる。ＣＮＴを均一に分散させる技術は非常に難しく、製造後の分散材料表面にはこの硬度のばらつきが生じることが問題となっていた。表面高度にばらつきがあると、接点部の接触が不安定になる。このようなことから、従来のＣＮＴの分散材料を用いた接点ではデバイスの信頼性が低いという問題があった。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、接点部の接触面を安定化させ、デバイスの信頼性を向上させることが可能な電気接点の端子構造およびこれを備えた有接点スイッチを提供することにある。

本発明による電気接点の端子構造は、基板と、金属母材に補強材を分散して含むと共に、基板上に設けられた複合材料層と、複合材料層上の少なくとも接点部を覆う金属膜とを備えたものである。

本発明による有接点スイッチは、信号線路を有すると共に、信号線路に接続された固定電極と、固定電極と対をなす可動電極と、固定電極と前記可動電極とを接触または非接触のいずれかの状態に切り替える駆動部とを有するものであり、固定電極および可動電極の少なくとも一方の電気接点の端子構造を上記本発明の電気接点の端子構造としたものである。

本発明の電気接点の端子構造またはこれを備えた有接点スイッチでは、金属母材に補強材を分散させた複合材料層を設けることにより電気接点の強度が向上し、複合材料層上のうちの少なくとも一部を金属膜で覆うことにより接点表面の硬度が均質化する。

本発明の電気接点の端子構造またはこれを備えた有接点スイッチによれば、金属母材に補強材を分散させた複合材料層を設けると共に、この複合材料層上の少なくとも一部を金属膜で覆うようにしたので、電気接点の強度を向上させつつ、複合材料層上の接点表面の硬度を均質化することができる。従って、接点の接触が安定化し、有接点スイッチの信頼性を向上させることが可能となる。

本発明の第１の実施の形態に係る有接点スイッチを備えた静電アクチュエータの全体構成を表す平面図および断面図である。 図１に示した有接点スイッチの接点部の斜視図である。 図１に示した有接点スイッチの電気接点の端子構造を表す平面図および断面図である。 図１に示した有接点スイッチの製造方法の一例を表す断面図である。 第２の実施の形態に係る電気接点の端子構造を表す平面図および断面図である。 第３の実施の形態に係る電気接点の端子構造を表す平面図である。 第４の実施の形態に係る電気接点の端子構造を表す平面図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照しつつ説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
［第１の実施の形態］
ストライプ状電気接点の端子構造を備えたスイッチ
（１）全体構成
（２）製造方法
［第２の実施の形態］
円柱状電気接点の端子構造
［第３の実施の形態］
半球状電気接点の端子構造
［第４の実施の形態］
積層数を減らした円柱状電気接点の端子構造

［第１の実施の形態］
（全体構成）
図１（Ａ）は、ＭＥＭＳスイッチデバイスに含まれる静電アクチュエータ１００の平面構成を表したものである。この静電アクチュエータ１００には、有接点スイッチ１が含まれている。図１（Ｂ）はこの静電アクチュエータ１００の断面構成を表したものである。この静電アクチュエータ１００は、有接点スイッチ１を備えた接点部１０と、この接点部１０の接触、非接触の切り替えを制御する駆動部２０（２０Ａ，２０Ｂ）と、接点部１０および駆動部２０の可動側を支持するアンカー部２４（２４Ａ，２４Ｂ）とから構成されている。

接点部１０（有接点スイッチ１）は、図２に拡大して表したように２つの端子（可動部１０Ａおよび固定部１０Ｂ）を有している。可動部１０Ａは、支持基板１７上に絶縁膜１２、下地層１３、密着層１４および電極１５をこの順に積層して構成したものである。可動部１０Ａには、一方向に延在する突部１６Ａが設けられている。固定部１０Ｂは基板１１上に、可動部１０Ａと同様に、絶縁膜１２、下地層１３、密着層１４および電極１５がこの順に積層されたものである。この固定部１０Ｂには、可動部１０Ａの突部１６Ａに対して交差方向、例えば直交方向に延在するストライプ状の突部１６Ｂが設けられている。

以下に本実施の形態の有接点スイッチ１の構成について述べるが、可動部１０Ａと固定部１０Ｂは同一構成であるため、ここでは固定部１０Ｂを例に挙げて説明する。

図３（Ａ）は固定部１０Ｂの平面構成を表したものである。図３（Ｂ）は固定部１０Ｂを図３（Ａ）のＩ−Ｉ線における断面構成の一部を表したものである。

基板１１は固定部１０Ｂを支持するものであり、シリコン（Ｓｉ）の他、例えばシリコン・カーバイト（ＳｉＣ）、シリコン・ゲルマニウム（ＳｉＧｅ）およびシリコン・ゲルマニウム・カーボン（ＳｉＧｅＣ）などのＳｉ系基板が用いられる。基板１１としては、また、ガラス、樹脂およびプラスチックなどの非Ｓｉ系基板を用いてもよい。絶縁層１２は、電極１５を基板１１から電気的に分離するものであり、例えば、酸化ケイ素（ＳｉＯ₂）または窒化ケイ素（ＳｉＮ）などの絶縁性材料により形成される。

絶縁膜１２上の下地層１３は固定部１０Ｂの表面に可動部１０Ａとの接点となる突部１６Ｂを形成するためのものである。下地層１３は例えばＳｉＮなどの絶縁性材料によりストライプ状に形成したものである。このように固定部１０Ｂの表面に突部１６Ｂを形成することにより、可動部１０Ａの突部１６Ａとの接触の精度や信頼性が向上する。

密着層１４は絶縁膜１２と電極１５との密着性を確保するためのものであり、例えばＴｉ、ＷおよびＣｒなどが用いられる。

電極１５は複合材料層１５Ａを金属膜１５Ｂで被膜したものである。この複合材料層１５Ａは、金属を母材とし、これに電極１５の強度を向上させるための補強材を分散させたものである。複合材料層１５Ａの母材となる金属としては、ＡｕまたはＷ，Ｐｄ，Ｃｒ等を添加したＡｕ合金が用いられる。この他、銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），ロジウム（Ｒｈ）、白金（Ｐｔ）、あるいはそれらにＷ，Ｐｄ，Ｃｒ等を添加したＡｇ合金，Ｃｕ合金，Ｒｈ合金，Ｐｔ合金を用いてもよい。これらの金属または合金はいずれも汎用のメッキ工法が確立されており、後述する本実施の形態の製造方法における複合材料形成工程への展開が容易である。

補強材としては二重結合を有するカーボンポリマー系材料、具体的には、例えばＣＮＴ、フラーレンまたはグラフェンが用いられる。上記金属または合金を母材としてこのような補強材を均質に分散した状態で複合材料層１５Ａを形成することにより電極１５の強度が向上し、接点部１０の耐久性が向上する。母材に対する補強材の分散割合は、補強材の選択、最小単位のスケールへの依存性はあるが、数重量％分散させることで電極１５の硬度の向上が期待される。また、補強材の重量比の決定は複合材料層１５Ａの膜厚も合わせて考慮する必要がある。例えば、複合材料層１５Ａを薄膜化したい場合には補強材の重量比を上げ、逆に厚膜化したい場合には重量比を下げることで接点表面の硬度のバランスを得ることができる。また、膜厚の決定は同材料によって形成される線路の伝送信号のキャリア周波数と電力とを考慮する必要がある。例えば、周波数が高く、電力が小さいほど薄膜化が可能である。具体的には、キャリア周波数が数ＧＨｚの場合には２μｍの膜厚が必要であるが、ミリ波帯である６０ＧＨｚの場合には１μｍ以下の膜厚で信号品質を確保することができる。

なお、ＣＮＴまたはフラーレンを分散させた電極はめっきによって形成されるが、グラフェンを用いる場合にはＡｕやＡｕ合金中に埋め込んで形成する。また、この複合材料層１５Ａは、次に記述する金属膜１５Ｂと同一金属またはその合金を母材とすることが好ましい。同一金属またはその合金を用いることにより複合材料層１５Ａと金属膜１５Ｂとの密着性が向上し、さらに熱膨張係数が近いことにより膜剥がれなども起こりにくくなり、より信頼性が向上する。

金属膜１５Ｂは補強材を分散させたことによる複合材料層１５Ａの硬度のばらつきを低減するためのものであり、Ａｕ，Ａｇ，Ｃｕ，Ｒｕ，Ｐｔ等の金属、あるいはそれらにＷ，Ｐｄ，Ｃｒ等を添加した合金が用いられる。金属膜１５Ｂの厚みは、接触部の押し込み深さを目安に設計するが、押し込み深さと同程度の厚みがあればよい。この押し込み深さは、金属膜１５Ｂの硬度、複合材料層１５Ａの硬度、接点部面積および接点部加圧量から推定される。マイクロデバイスでは、約１０ｎｍが目安となる。金属膜１５Ｂは複合材料層１５Ａの全面を覆う必要はなく、少なくとも可動部１０Ａとの接触部に金属膜１５Ｂが形成されていればよく、接触部以外は複合材料層１５Ａが露出していてもよい。

（製造方法）
本実施の形態の有接点スイッチ１の固定部１０Ｂは、図４（Ａ）〜（Ｄ）のようにして製造することができる。

まず、図４（Ａ）に示したように、例えばＳｉ等の基板１１上に、例えば熱酸化によりＳｉＯ₂よりなる厚さ１０ｎｍの絶縁膜１２Ａを形成する。続いて、図４（Ｂ）に示したように、下地層１３として絶縁膜１２上に例えばプラズマＣＶＤ法により厚さ１００ｎｍの窒化シリコン（ＳｉＮｘ）膜を形成したのち、例えばフォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて所定の形状（ストライプ状）に絶縁膜１２Ａおよび下地層１３を加工する。次いで、図４（Ｃ）に示したように基板１１および下地層１３上に例えば、ＬＰ−ＣＶＤによりＳｉＯ₂よりなる厚さ１００ｎｍの絶縁膜１２Ｂを形成したのち、例えばスパッタリング法により厚さ２０ｎｍのＴｉよりなる密着層１４を形成する。

続いて、図４（Ｄ）に示したように電極１５を形成する。具体的には、例えば有機レジストを用いたリフトオフとメッキ法により複合材料層１５Ａを形成したのち、メタルマスクとスパッタによって金属層１５Ｂを形成することにより、図３に示した有接点スイッチ１が完成する。

次に、静電アクチュエータ１００のうちの接点部１０以外の構成について説明する。

静電アクチュエータ１００は、前述のように接点部１０と、その両脇に設けられた駆動部２０と、アンカー部２４とから構成されている。駆動部２０は、接点部１０の可動部１０Ａが形成された支持基板１７を中空に保持すると共に、駆動用可動電極２１Ａの一部をなす接点梁２３と、接点梁２３に対向する面の基板１１上に形成された駆動用固定電極２１Ｂとから構成されている。基板１１にはさらに接点梁２３を固定するアンカー部２４が形成されている。

この静電アクチュエータ１００では、外部電源（図示なし）の正極を駆動用可動電極２１Ａに、負極を駆動用固定電極２１Ｂにそれぞれ接続して電圧を印加すると、駆動用可動電極２１Ａと駆動用固定電極２１Ｂとの間に静電引力が発生する。この静電引力によって接点梁２３は基板１１側に引き込まれる。これにより接点部１０の可動部１０Ａと固定部１０Ｂとが接続される。また、外部電源から切り離されることにより、接点梁２３自身の弾性力によって可動部１０Ａと固定部１０Ｂとの間が離れる。信号線路（図示なし）は並列された固定部１０Ｂの電極１５の一方と他方とにそれぞれ接続されており、可動部１０Ａと固定部１０Ｂとが接続されているときに閉回路状態に、非接触時に開回路状態に制御される。

前述のように高周波デバイスの接点の電気的特性や放熱性、密着性、あるいは硬度および耐久性等の機械的特性などの間には互いにトレードオフの関係があり、これらの特性を両立して向上させることは困難であった。これらを解決する方法としてＣＮＴの複合材料を用いた接点が開発されているが、ＣＮＴを均一に分散させることが難しく、ＣＮＴの分散密度の違いから接点表面の硬度のばらつきが問題となっていた。

これに対して本実施の形態では、電極１５が、ＡｕまたはＡｕ合金に補強材としてＣＮＴを分散させた複合材料層１５Ａと、この複合材料層１５Ａ上の少なくとも一部を覆う金属膜１５Ａとにより構成されている。これにより電極１５の強度が向上すると共に、接点表面の硬度のばらつきが低減される。

このように本実施の形態の有接点スイッチ１では、基板１１上に補強材（ＣＮＴ）が分散された複合材料層１５Ａを形成し、この複合材料層１５Ａ上の少なくとも一部を金属膜１５Ｂによって被覆することにより電極１５を形成した。これにより、電極１５すなわち可動部１０Ａおよび固定部１０Ｂの接点の強度が向上すると共に、ＣＮＴを分散させたことによる接点表面の硬度のばらつきを均質化することが可能となる。よって、有接点スイッチ１の信頼性が向上する。

また、電極１５は構成する複合材料層１５Ａの母材と金属膜１５Ｂの材料に同一金属または同一金属を含む合金を用いるようにしたので、ＣＮＴの単独層と金属層の積層構造を有する従来の電極よりも抵抗が小さくなり、さらに熱伝導率も向上する。また、複合材料層１５Ａと金属膜１５Ｂとの密着性も向上する。すなわち、従来の接点において問題となっていた電気特性や機械特性などのトレードオフの関係が改善され、各特性の向上を両立させることが可能となる。

さらに、本実施の形態では、ＣＮＴを分散させたＡｕ溶液の調製以外は従来のＡｕめっき技術を広く応用できる。よって有接点スイッチ１は従来の手法によって容易に実現可能である。

以下、本発明の他の実施の形態を説明する。なお、第１の実施の形態と同一の構成要素については同一符号を付してその説明を適宜省略する。また、基本的な作用および効果については第１の実施の形態と同様である。

［第２の実施の形態］
図５（Ａ）は第２の実施の形態に係る有接点スイッチ２の固定部１０Ｂの平面構成を表したものである。図５（Ｂ）は固定部１０Ｂを図５（Ａ）のＩＩ−ＩＩ線における断面構成を表したものである。本実施の形態における有接点スイッチ２では、突部１６Ｃの形状が第１の実施の形態と異なるが、基板１１上に形成される絶縁膜１２、下地層１３、密着層１４および電極１５（複合材料層１５Ａ，金属層１５Ｂ）の層構造は第１の実施の形態と同様である。

有接点スイッチ２における突部１６Ｃは、例えば千鳥状に複数個（ここでは６個）配置されている。この突部１６Ｃの形状は円柱形状となっており、突部１６Ｃの全体が接点となっている。この突部１６Ｃは下地層１３を円柱状に加工することにより形成される。なお、突部１６Ｃは少なくとも３個以上形成し、突部１６Ｃの上面の中点を結ぶことで一義的に一つの面が定義されるように配置する。端的には、一直線上に配置しないことで実現される。

本実施の形態の有接点スイッチ２では、円柱状の突部１６Ｃを設け、千鳥状に配置するようにしたので、第１の実施の形態の効果に加えて、接触部が確実に定義されると共に、可動接点側の押し込みによる接点部の接触を確保できるという効果を奏する。よって、駆動部変位の非対称性、例えば可動接点電極のロールの影響が吸収され、これにより接点の開閉動作の信頼性が向上する。また、第１の実施の形態のストライプ状の突部１６Ｂと比較して、より小さな面積の接点対を形成することができるため、デバイスを小型化することも可能となる。

［第３の実施の形態］
図６（Ａ）は第３の実施の形態に係る有接点スイッチ３の固定部１０Ｂの平面構成を表したものである。図６（Ｂ）は固定部１０Ｂを図６（Ａ）のＩＩＩ−ＩＩＩ線における断面構成を表したものである。本実施の形態では、突部１６Ｄの形状が第１の実施の形態と異なるが、基板１１上に形成される絶縁膜１２、下地層１３、密着層１４、電極１５（複合材料層１５Ａ，金属層１５Ｂ）の層構造は第１の実施の形態と同様である。

有接点スイッチ３における突部１６Ｄの形状は半球形状であり、例えば千鳥状に複数個（ここでは６個）配置されている。この突部１６Ｄは下地層１３を半球状に加工することにより形成される。

このように本実施の形態の有接点スイッチ３においても、第２の実施の形態と同様の効果を得ることができる。更に、本実施の形態では、突部１６Ｄの形状がストライプ状や円柱状のようなエッジを有していない半球状であるので、可動接点１Ａと固定接点１Ｂとの角当たりが防止され、接点対の信頼性がさらに向上する。

［第４の実施の形態］
図７（Ａ）は第４の実施の形態に係る有接点スイッチ４の固定部１０Ｂの平面構成を表したものである。図７（Ｂ）は固定部１０Ｂを図７（Ａ）のＩＶ−ＩＶ線における断面構成を表している。本実施の形態の有接点スイッチ４では、上記実施の形態の下地層１３は省略されており、基板１１上には絶縁膜１２、密着層１４および電極１５（複合材料層１５Ａ，金属層１５Ｂ）がこの順に積層されている。突部１６Ｅは金属膜１５Ｂによって円柱状に形成されている。電極１５では突部１６Ｅ以外の表面は複合材料層１５Ａが露出している。

有接点スイッチ４における突部１６Ｅは、例えば千鳥状に複数個（ここでは６個）配置されており、第２の実施の形態の突部１６Ｃと同様に突部全体が接点となっている。本実施の形態では、上記他の実施の形態のように突部を形成するための下地層１３が不要であるため、電気接点の端子構造を形成するための工程数を減らすことが可能となる。但し、金属膜１５Ｂからなる突部１６Ｅの加工はエッチングによって行うため、複合材料層１５Ａと金属膜１５Ｂにはエッチングレートの差を有する材料を組み合わせて用いる必要がある。また、複合材料層１５Ａおよび金属膜１５Ｂの表面は凹凸の小さな平坦面とすることが望ましい。

このように本実施の形態の有接点スイッチ４では、電気接点の端子構造を形成するための工程数が短縮されるため、上記実施の形態と比較して製造コストを抑えることが可能となる。

以上、第１〜第４の実施の形態を挙げて本発明を説明したが、本発明は上記実施の形態に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態では電気接点の端子構造の構成を具体的に挙げて説明したが、他の層を更に備えていてもよい。

また、上記実施の形態では、可動部１０Ａを固定部１０Ｂと同様の構成および形状を有するものとしたが、これに限らない。例えば、複合材料層１５Ａが金属膜１５Ｂにより覆われた電極構造は可動部１０Ａまたは固定部１０Ｂのいずれか一方に適用するようにしてもよい。また、例えば可動部１０Ａ側の突部１６Ａは形成されていなくてもよい。但し、可動部１０Ａおよび固定部１０Ｂを上記実施の形態のように同様の構成および形状とすることにより、接点部の接触が最も安定化され、これを用いたデバイスの信頼性が向上する。

１，２，３，４…有接点スイッチ、１０…接点部、１０Ａ…可動部、１０Ｂ…固定部、１１…基板、１２，２２…絶縁膜、１３…下地層、１４…密着層、１５…電極、１５Ａ…複合材料層、１５Ｂ…金属膜、１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄ，１６Ｅ…突部、１７…支持基板、２０（２０Ａ，２０Ｂ）…駆動部、２１Ａ…駆動用可動電極、２１Ｂ…駆動用可動電極、２３…接点梁、２４（２４Ａ，２４Ｂ）…アンカー部、１００…静電アクチュエータ。

Claims (7)

1. 基板と、
   金属母材に補強材を分散して構成されると共に、前記基板上に設けられた複合材料層と、
   前記複合材料層上の少なくとも一部を覆う金属膜と
   を備えた電気接点の端子構造。
2. 前記補強材は二重結合を有するカーボンポリマー系材料である、請求項１に記載の電気接点の端子構造。
3. 前記カーボンポリマー系材料は、カーボンナノチューブ、グラフェンまたはフラーレンである、請求項２に記載の電気接点の端子構造。
4. 前記金属膜と前記金属母材とは同一金属またはその合金により形成されている、請求項１に記載の電気接点の端子構造。
5. 前記金属膜および前記金属母材は金または金合金により形成されている、請求項４に記載の電気接点の端子構造。
6. 前記基板と前記複合材料層との間に絶縁膜および密着層をこの順に有する、請求項１に記載の電気接点の端子構造。
7. 信号線路に接続された固定電極と、前記固定電極と対をなす可動電極と、前記固定電極と前記可動電極とを接触または非接触のいずれかの状態に切り替える駆動部とを有し、
   前記固定電極および前記可動電極の少なくとも一方の電気接点の端子構造は、
   基板と、
   金属母材に補強材を分散して構成されると共に、前記基板上に設けられた複合材料層と、
   前記複合材料層の少なくとも一部を覆う金属膜と
   を備えた有接点スイッチ。

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