TW412767B - Magnetic microswitch and method for the manufacture thereof - Google Patents
Magnetic microswitch and method for the manufacture thereof Download PDFInfo
- Publication number
- TW412767B TW412767B TW087104393A TW87104393A TW412767B TW 412767 B TW412767 B TW 412767B TW 087104393 A TW087104393 A TW 087104393A TW 87104393 A TW87104393 A TW 87104393A TW 412767 B TW412767 B TW 412767B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- strip
- magnetic field
- strips
- patent application
- scope
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/0036—Switches making use of microelectromechanical systems [MEMS]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H1/00—Contacts
- H01H1/50—Means for increasing contact pressure, preventing vibration of contacts, holding contacts together after engagement, or biasing contacts to the open position
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01H—ELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
- H01H36/00—Switches actuated by change of magnetic field or of electric field, e.g. by change of relative position of magnet and switch, by shielding
- H01H2036/0093—Micromechanical switches actuated by a change of the magnetic field
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Switches That Are Operated By Magnetic Or Electric Fields (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- Contacts (AREA)
- Micromachines (AREA)
Description
412767 A7 _ B7 五、發明説明(1 ) 發明領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本育) 本發明係關於一種片條微型開關,其特殊之結構可確 保可靠之操作’於磁場之影饗下,將二片條互相接觸在一 起以封閉電路,且當磁場被移除時,開啓該電路。 本發明亦有關於一種經由電鍍生長,而自基板製作該 種微型開關的方法》 習知技術之說明 一般而言,本發明係屬於已知之所謂的"桿式(STEM )"開關之領域中,且較廣義來講,係屬於、片條(STRIP )"開關之領域中,其可由外部之磁場所引動,該磁場係 平行於或垂直於該桿或片條。一種平行磁場桿式開關係一 般的代表一種簧片(reed )開關。該種簧片開關的標準設 計’由一圓柱形玻璃球狀體組成,該球狀體之每一末端由 一可撓磁性桿穿透,每一桿之自由末端,於一外部磁場的 影響下互相吸引,而開始朝向互相的移動,以關閉電路, 經濟部中央標隼局員工消費合作社印製 當該磁場移除時,經由該桿或片條的彈力,回復至其初始 位置。此種標準設計的小型化,係由單純的技術因素所限 制,因此,所獲致之最小的簧片開關,仍具有7 . 5 m m 之長度與1·5mm的直徑數量,而某些時候會具有可疑 的機械穩定性。 此一標準設計已引起在本發明之範疇內的多種改良, 一方面這些改良減少所需之空間,例如得以整體形成在一 微電子組件(例如,時計)內,另一方面,這些改良可使 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(2丨OX 297公釐).-4- 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 A7 _ B7 五、發明説明(2 ) 其磁性機械功能更爲可靠與有效。 有關於減少空間需求的解決方法,可參考美國專利號 碼5,430,421中的優點,其揭示了一種自基板電 鍍生長的製造方法,其得以成批的生產非常小的尺寸之片 條微型開關,典型的具有片條之裝置,具有大約5 0 0 //m的長度L,大約1 0 0 的厚度j_,及數十微米的 寬度1與空氣間隙玉_。於使用時,已觀查到自相同之批中 的某些微型開關(即在完全相同條件下生產的微型開關) ,不能達到確保得以可靠的操作之標準。經由電鍍生長形 成之懸置金屬結構之構造,可以充分精確的方式來控制其 幾何形狀與鐵磁材料澱積的厚度,但更重要的是I於電鍍 生長開始時,不允許有任何方式之殘留應力。在移除犧牲 層之後,給予該片條非常小的厚度,使得某些微型開關中 的片條仍維持在封閉的位置,或於一般施加磁場的影響之 下,該片條之間仍具有太大的空氣間隙,而無法到達封閉 的位置。 爲使克服前述之微型開關的磁性機械缺點,已進行了 硏究,將具有給予之彈性模數的材料製成之片條置於一給 予之磁場內,其構造參數可能可以減少或消除殘留應力, 而有利於二片條之間的偏轉與接觸壓力。 經由增加該片條之厚度^_,可減少殘留應力之影響, 且可獲致該二片條之互相的較佳定位關係,但亦因而增加 了剛性。爲使具有供封閉所必須之可撓性,該片條之長度 L必須增加,此點並不合於本發明之小型化的目標。 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4現格(2丨0>< 297公釐)-5 - ^^^^1 I ^^—^1 Im ^^^^1 1^1^1 ^^—^1-·· U3. *-β - - (#先閱讀背面之注意事項再填1¾本莨) 五、發明説明( A7 B7 置於一磁場內且具有非常小之空氣間隙1的裝置,其 ,匕爲該片條之長度,立 間隙內重疊的長度。 下,該接觸壓力大約爲 偏轉大約爲 爲其厚度, 在所有其他 與 b 2 / r : 經由增 加之L,會 本發明所企 該磁場之分 一方面1大 與L 3 / b r成比例的 且1爲該二片條在空氣 之參數均爲相等的情況 :成比例的。 加L及/或減少i,可 增加該微型開關之全體 圖達到之目的,且亦產 散的反效果。減少b亦 爲減少了接觸壓力,另 獲致較大的偏轉。以增 空間需求,其不能達成 生了在空氣間隙內增加 會具有不需要的效應, 方面,如前所述的, (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 使得該片條對於殘留應力更爲敏感 僅有減少重疊之上_的長度得以 壓力。但是,該丄_的値必須維持相 則磁場的分散效應,會比獲致之優 由前述之觀察中,可淸楚的看 並未針對由電鍍生長製成之微型開 ,提供一種令人滿意的解決方法。 同時的增加偏轉與接觸 等於數倍的厚度1,否 點更爲重要。 出習於此技者之知識1 關產生之磁性機械缺點 經濟部中央標準局負工消f合作社印製 發明之槪述 因此,本發明之一目的,係提出一種解決方式,其中 ,不需修正該微型開關之整體空間需求,至少一片條的原 始幾何外形,可在不需修正於末端所獲致之最大的力之下 ,得以增加該片條的可撓性。 本發明因而係有關於一種微型開關,自一基板上電鍍 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規栳(210X297公i ) 經濟部中央標準局貞工消費合作社印策 412767 A7 _ _iil 五、發明説明(4 ) 生長而製造,包含了長度爲L與L >及寬度爲_5_的二導電 片條,其個別之末端連接至電接頭機構,且每一片條個別 具有a . b與a · b >之橫剖面的遠端部分,該二片條重 疊部分超過長度i_且界定岀距離爲的空氣間隙|至少一 該片條係由磁性材料製成,且由經由一足部連接至基板的 一末端,一中間部分,與長度爲L。之遠端部分所組成,該 片條相關於該第二片條的遠端部分,係可撓於一不存在有 磁場的開啓位置,及經由磁場之影響下而使該二片條互相 接觸之封閉位置之間,該微型開關之特徵在於 > 該可撓片 條之中間部分所形成的整體之橫剖_面,係小於遠端部分之 橫剖面,以使具有較小之抗彎力,而致使該片條可具有至 少相等於左_的偏轉幅度,使可於一磁場的影響下相互接觸 ,且具有充分的回復力,使可於磁場不存在時朝向開啓位 置回復。 當該施加之磁場係平行於該片條時,該二片條係自相 同之磁性材料而由電鍍生長所製成。 經由將中間部分施加磁場至飽和,然後,可經由增加 該個別的遠端部分之厚度上_,b /,而增加在片條之間的 接觸壓力,使可以低阻力獲致複製的接觸,且仍致使該片 條可具有充分的偏轉。 依據一第一實施例,該可撓片條自固定至該足部之處 至其遠端部分,均具有一固定的厚度1,且形成此二末端 之間的接點之中間部分,形成一或更多的細頸,因此,該 中間部分之整體橫向橫剖面,係小於該遠端部分之橫剖面 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X 297公砬).J . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .
、1T 經濟部中央標準局負工消費合作社印製 412767 Λ7 B7 五、發明説明(5 ) ,因此,在無須增加其之空間需求下,可致使該片條具有 較大之可捷性。 這些細頸可在該片條中界定出一或更多的開口。在僅 有一細頸的情況下,該細頸較佳的佔據中央的位置,而於 該片條之邊緣上界定出二扇形缺口。該細頸在固定至該足 部的末端與該遠端部分之間,亦可具有可變化的橫剖面, 例如,形成實際上爲正方形或矩形的連續開口,其具有之 表面的値,自連接至該足部的點開始減少。 依據一第二實施例,該片條不具有開口,也不具有扇 形缺口,但其中間部分的厚度係小於遠端部分之厚度1, 而以某種型式形成該片條之厚度上的一凹口,該凹口可配 置在該片條之一或另一面上。 如前面指出的,該中間部分在該微型開關的磁性行爲 上,僅具有小的效應,特別是當該微型開關係被置於平行 該片條之長度的磁場內時。換言之,該作用區域是長度爲 L。的遠端部分。於此情況,當該第二片條連接至該基板時 ,因爲其長度L >係相等於L。,且其厚度上_“相等於可撓 片條之厚度上_,因而可有利的防止該磁場的任何分散之可 能。 當該微型開關係被置於垂直該片條之磁場內,且該第 二片條係連接至該基板時,該第二片條之長度L z可相等 於重疊長度1,形成之材料可以爲磁性或非磁性的,且其 厚度上可以大於該可撓片條之厚度卫 除了直接地連接至該基板,該第二片條亦可經由另一 本紙乐尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規梏(210Χ 297公漦)-8 - ---------W衣-- {請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
,1T 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 412767 Λ7 Β7 五、發明説明(6 ) 足部而連接至該基板。此一第二片條然後可以爲具有可撓 性的,且可以前述之方式之一來建構,不需具有與第一片 條相同之結構。 依據本發明之該微型開關,在無須修正整體空間需求 下,得以變化該片條之厚度値上_,上與空氣間隙之値 。厚度値i,上_ /的增加,會導致可撓性的減少,及該二 片條之互相的較佳之相關定位,致使減少該空氣間隙之値 圖形之簡要說明 本發明之其他特色與目的,由隨後之參照圖形的較佳 實施範例的說明(該範例係僅爲示範性之用,而非侷限) ,當可更加明白,其中: 圖1係一具有單一可撓片條之微型開關的第一實施範 例之透視圖,具有所有的特性長度之指示; 圖2至圖5係四個其他實施範例之透視圖,其中僅有 一片條爲可撓的; 圖6係第六實施範例的透視圖,其中,該二片條均係 爲可撓的; 圖7係沿著2 1之線VH — W取得之剖面圖,顯示在該 犧牲層被除去之前;及 圖8顯示沿著圖1之線Μ — ΥΠΙ取得之剖面圖,顯示在 該犧牲層被除去之前。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐)'9' ----------t— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
、1T 412767 A7 B7 五、發明説明(7 ) 主要元件對照表 1 片條 2 片條 3 末端 4 中間部分 5 遠端部分 6 正方形開口 6 a 矩形開口 6 b 矩彤開口 6 c 矩形開口 6 d 扇形缺口 6 e 扇形缺口 6 f 凹口 7 矩形開口 8 a 細頸 8 b 細頸 8 c 細頸 9 足部 9 a 第一層 9 b 第二層 I 0 基板 II 足部 12 電絕緣通路 12a 粘結層 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規档(210X 297公釐)-1〇 - .~ί .. ^^农 . : -1Τ - - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局—工消費合作社印製 412767 A? B7 五、發明説明(8 ) 12b 保護層 13 電絕緣通路 13a 粘著層 1 3 b 保護層 14 光阻蝕刻層 15 光阻蝕刻層 16 光阻蝕刻層 17 金屬包覆層 2 1 導體 2 2 導體 較佳實施例之詳細說明 圖1顯示一微型開關之第一實施範例,該微型開關係 已自其製造批中拆開。可自此微型開關中看出,其包含了 由一基扳10所支撐之二片條1,2,該微型開關係自該 基板而經由電鍍生長所製造,此將於後詳述。 經濟部中央標準局負工消费合作社印取 1 :; I 訂 - - {請先閱禎背面之注意事項再填寫本頁) 於此範例中,該微型開關係被配置以遭受平行於該片 條之磁場。形成該二片條之材料必須爲鐵磁性的材料,例 如,具有低的磁滯性之鐵鎳合金,得以在磁場移開之後, 可再複製形成開口。 每一該二片條均包含供連接至一電路的機構,未示於 圖中,槪略的以導體2 1與2 2所代表,習於此技者可完 美地設計其他的連接機構,特別是當該微型開關係與更複 雜之電子組件整體的應用時。該二片條具有實際上相同的 本紙張尺度適用中國國家標準((^5)六4規格(210/ 297公釐)-11 - 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 412767 A7 B7 _ __ 五、發明説明(9 ) 寬度a ,包含於5 0至1 5 Ojtim之間,例如爲1 〇 〇 #m,且其厚度係爲10#ni的量.片條1 ’經 由一足部9而連接至該基板1 0,其全體長度L包含於 300至900仁m之間,例如爲500#m»此一片條 1具有實際上相同長度的三個區域,但承擔不同的功 該片條之一末端3得以被連接至該足部9,該片條之剩餘 部份則懸置於該基板1 0之上方。另一末端5,長度爲L ° >代表了、遠端部分",可確保磁性作業。該中間部分4 經由允許可調整該片條1之可撓性,即爲在給予之磁場內 該遠端末端5的最大偏轉,而確保了機械作業。爲達此目 的,中間部分4的中央處包含了一正方型開口 6,在該片 條1的邊緣上,界定出二細頸8 a與8 b,將連接至足部 9的末端了連接至該遠端部分5。於此中間部分,整體的 橫剖面因而少於該遠端部分5之橫剖面a · b,使該具有 給予之彈性模數的材料製成之片條,具有更大的可撓性。 第二片條2,連接至該基板,具有厚度與長度L /, 且不具有任何特殊之結構。但是,其厚度較佳的實際 上與可撓片條1的厚度卫_爲相等的。該二片條以互相相關 的關係放置,依此,二片條重疊了 一長度,且於相對之 面之間,界定出在1 0至1 5 之間的空氣間隙1,例 如爲5 。二片條的重疊長度較佳的,相等於選用 給該片條之厚度1,之數倍,以使減磁場的分散效應 〇 依據其之最終使用,該微型開關可被密封於空氣或一 1 . ~I · . ~1— ϋ i rt 訂 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2lOX 297'i^ ) - 12 - 經濟部中央標_局員工消費合作社印製 A 7 B7 五、發明説明(1〇 ) 控制下的大氣中,例如,經由未示於圖中之一塑膠外罩機 構,粘著或熔接至該基板表面上,或組合於一合適的外殼 之內。 , 參照圖7與圖8,將簡要的說明經由自一基板1 〇電 鍍生長’而製造示於圖1中之微型開關的方法.本方法中 之至少一步驟係適用揭示於美國專利號碼5,4 3 0,4 2 1中的方法,將進一步的細部描述該參考方法。圖7中 顯示自其製造批中拆開之單一微型開關,於未除去該犧牲 層之前,通過一細頸8 a的縱向橫剖面。事實上,該基板 1 0僅爲一絕緣或半導體材料製成的晶圓之一部份,或覆 蓋有絕緣層之導電材料,得以在單一批中生產多倍的微型 開關。首先經由蒸氣堆積形成一粘結層1 2 a與1 3 a ( 例如鈦或鉻),然後’形成一保護層1 2 b與1. 3 b (例 如金)’以使經由已知之方法,蝕刻該表面而形成二電絕 緣通路1 2與1 3。然後1例如以自轉塗層技術,澱積連 續的厚光阻蝕刻層1 4,1 5與1 6,每一光阻蝕刻層均 經由一遮蔽件C未示於圖)的機構設計模型線路,以使允 許逐步的實施該電鍍生長。第一層1 4設計具有二開口, 以致使該片條2與足部9的第一層9 a電鍍生長。第二層 1 5設計具有單一的開口,以致使經由電鍍生長來獲致該 足部9的第二層9 b。在實施第三光阻蝕刻層1 6的澱積 之前’進行一新的雙層金屬包覆。此一第三層1 6被設計 遺留有一開口,該開口相對應於連接至該足部9的末端3 ,遠端部分5與細頸8 a及8 b可不需要電鍍生長,於圖 本紙張尺度適用中國囤家標率(CNS ) Λ4規格(21 Ox 297公沒〉 裝. 訂 (讀先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 41276^ A7 B7 五、發明説明(11 ) 8中更淸楚的顯示。於此範例中,所有的電鍍生長步驟, 均可以相同的鐵磁性材料來執行’例如’ 2 〇 一 8 0之鐵 鎳合金。在第一電鍍澱積之後與最後之電鍍澱積之前’以 金塗曾其面對之表面,當遭受一磁場時’可改善該片條的 電接觸。因而獲致之該微結構’於一或更多的步驟中’以 蝕刻劑除去該光阻與中間金屬包覆層1 7 ’以釋放該微型 開關。如所示的,所有的這些作業’係實施在一批的微型 開關上,該批微型開關可在未拆開之前係可被密封的’因 而,依據其最終之使用’可依其決定的配置方式而個自的 或成組的切割。 圖2顯示另一微型開關的範例’該微型開關可被置於 平行於片條的磁場內,且其中’再次的’僅有一可撓性片 條。該可撓性片條之中間部分’包含了二矩形開口 6 a與 6b,由三細頸8a ,8b與8c所界定。可由圖中看出 ,經由比較圖1與圖2,連接至該基板之第二片條2的長 度L = L。,該二片條具有相同之厚度b = b < ,但其値 係大於示於圖1中之厚度値,且具有相對的較小之空氣間 隙e的値。 示於圖3中之微型開關,係將要被置入垂直於該片條 之磁場內。如所示,連接至該基板的第二片條2,可被減 少至具有一長度L —的接觸突出,該長度L /至少相等於 二片條之重疊的長度I,且其厚度大於可撓片條之厚 度1。於此範例中,亦須要進行第一生長步驟,以形成具 有非磁性材料(例如爲金)的該足部之第一水平與該片條 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(210X 297公趋)-14 - I I I 扣衣 ,1T (請先間讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員Η消f合作社印製 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 412767 A7 __B? 五、發明説明(12 ) 2。該中間部分實際上包含了三個矩形且連續的開口 6 a ’ 6b與6c ,形成由三區域s ,m及1所形成之細頸 8 a與8 b所界定之單一開口,且該細頸之寬度自該足部 而增加。 於圖4中所顯示的微型開關,係將被置入平行於該片 條之磁場內,在其可撓片條的中間部分,包含了單一的細 頸8 c ’於該片條的邊緣上界定出扇形缺口 6 d與6 e。 於圖5中所示的微型開關,相關於連接至基板1 〇之 片條2的該移動片條之可撓性的增加,係經由將中間部分 4形成具有厚度而獲致,該厚度立/係小於遠端部分 5的厚度1。於所示範例中,此一組態係相對應於朝向該 基板而開啓之凹口 6 i a _爲使以電鍍生長來製造此一微結 構,當然的,必須實施額外的步驟來成該凹口 6 f。 於圖6中所示的微型開關,係將被置入平行於該片條 之磁場內,且其中,該二片條係互相可移動的關係。第一 片條1係經由一足部9而連接至該基板1 0 |且於其中間 部分包含了一開口 6。第二片條2經由足部1 1而連接至 基板1 0。於所示範例中,該第二片條的中間部分亦包含 了一矩形開口 7。此一部份亦可以爲前述之供片條1所使 甩的任何組態,或自其固定至足部1 1的末端至其遠端末 端,具有固定的橫剖面。爲使以電鍍生長來製造此一微結 構’當然的,必須實施額外的步驟以組成足部1 1 ,且在 以電鍍澱積來組成與生長該片條2與該足部9之額外的水 平之前,必須提供一額外的金屬包覆步驟。 i ·^衣 ! ί ί In ^ (諳先Μ讀背面之注意事項再填i:s4本頁) 本紙掁尺度適用中國國家榇準(CNS ) A4規楛(210X297公i ) - 15- 412767 A7 B7 五、發明説明(13 ) 在不離本發明之範疇內,習於本技藝者可以想像至少 性 撓 可 之 大。 更關 有開 具型 其微 使之 ’ 色 態特 組械 他機 其電 的磁 分的 部良 間改 中致 之獲 條而 片因 一 且 - —^^^1 il^i i^^i· -- · ^^^^1 - - 二-一 · Α^'V* (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規栝(2Ι0Χ 297公f ) - 16 -
Claims (1)
- 412767 A8 B8 C8 _ D8 六、申請專利範圍 (請先閱讀背面之注$項再填寫本頁) 1 .—種微型開關,自一基板上電鍍生長而製造,包 含了長度爲L與L /及寬度爲i的二導電片條,其個別之 末端連接至電接頭機構,且每一片條個別具有a·b與a • b >之橫剖面的遠端部分,該二片條重疊部分超過長度 1_且界定出距離爲1的空氣間隙,至少一該片條係由磁性 材料製成,且由經由一足部連接至基板的一末端* 一中間 部分,與長度爲L。之遠端部分所組成,該片條相關於該第 二片條的遠端部分,係可撓於一不存在有磁場的開啓位置 ’及經由磁場之影響下而使該二片條互相接觸之封閉位置 之間,其中,該可撓片條之押間涉j爭所形成的整體之谭剖 面,係小於遠端部分之橫剖面,以使具有較小的抗蠻力, 而致使該片條可具有至少相等於左_的偏轉幅度,使可於一 磁場的影響下互相接觸,且具有充分的回復力,使可於磁 場不存在時朝向開啓位置回復。 -2 _如申請專利範圍第1項之微型開關,其中,當該 磁場係以平行於該片條而施加時,該二片條係由磁性材料 製成。 經濟部中央樣準局員工消費合作社印製 3 ·如申請專利範圍第1項之微型開關,其中,該可 撓片條具有固定的厚度上_,且由至少一細頸形成之中間部 分’將該遠端部分連接至固定於該足部的末端。 4 如申請專利範圍第3項之微型開關,其中,該中 間部分包含置於該片條之邊緣上的二細頸,界定出單一的 實際上爲矩形或正方形的開口。 5 如申請專利範圍第3項之微型開關,其中,該中 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4规格(210Χ297公釐~~" 412767 A8 B8 C8 D8 t、申請專利範圍 施加之磁場係平行於該片條之縱向軸線時,該二片條具有 相同厚度b = b >的遠端部分。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之微型開關,其中, 在不需修正該微型開關之全體空間需求下,增加該片條的 厚度b > b > ,可%減少相關之空氣間隙i。 1 5 .—種生秦申請專利範圍第1項之微型開關 的方法,其中,包列之步驟: 一於一基板上形成絕緣通路: 一使按步驟來實施該電鍍生長而形成連續的厚光阻蝕 刻層; 一在形成一片條之每一步驟之前,於已獲致之結構的 全體表面上進行一中間的金屬包覆步驟;及 一藉由蝕刻劑來消除在一個或更多之步驟中,該光阻 蝕刻與中間金屬包覆層。 JK ^^^1 ^^^1 ^^^1 m n^— ^^^1 In * I - - - - 1 n^i ^itn --aJ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中夬標準局員工消費合作社印製 ^T9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐}
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CH00919/97A CH691559A5 (fr) | 1997-04-21 | 1997-04-21 | Micro-contacteur magnétique et son procédé de fabrication. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW412767B true TW412767B (en) | 2000-11-21 |
Family
ID=4198229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW087104393A TW412767B (en) | 1997-04-21 | 1998-03-24 | Magnetic microswitch and method for the manufacture thereof |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6040748A (zh) |
JP (1) | JP4205202B2 (zh) |
KR (1) | KR100507950B1 (zh) |
CN (1) | CN1119826C (zh) |
CH (1) | CH691559A5 (zh) |
TW (1) | TW412767B (zh) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5881943A (en) | 1994-06-17 | 1999-03-16 | Heartport, Inc. | Surgical anastomosis apparatus and method thereof |
US5732872A (en) | 1994-06-17 | 1998-03-31 | Heartport, Inc. | Surgical stapling instrument |
US6303986B1 (en) | 1998-07-29 | 2001-10-16 | Silicon Light Machines | Method of and apparatus for sealing an hermetic lid to a semiconductor die |
US6124650A (en) * | 1999-10-15 | 2000-09-26 | Lucent Technologies Inc. | Non-volatile MEMS micro-relays using magnetic actuators |
DE10004393C1 (de) * | 2000-02-02 | 2002-02-14 | Infineon Technologies Ag | Mikrorelais |
WO2002023566A2 (en) * | 2000-09-18 | 2002-03-21 | Meder Electronic | A lead-less surface mount reed relay |
US6768403B2 (en) * | 2002-03-12 | 2004-07-27 | Hrl Laboratories, Llc | Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type RF micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring |
WO2002073645A1 (en) * | 2001-03-12 | 2002-09-19 | Hrl Laboratories, Llc | Torsion spring for electro-mechanical switches and a cantilever-type rf micro-electromechanical switch incorporating the torsion spring |
US6707591B2 (en) | 2001-04-10 | 2004-03-16 | Silicon Light Machines | Angled illumination for a single order light modulator based projection system |
US20090163980A1 (en) * | 2007-12-21 | 2009-06-25 | Greatbatch Ltd. | Switch for turning off therapy delivery of an active implantable medical device during mri scans |
US6747781B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-06-08 | Silicon Light Machines, Inc. | Method, apparatus, and diffuser for reducing laser speckle |
US6782205B2 (en) | 2001-06-25 | 2004-08-24 | Silicon Light Machines | Method and apparatus for dynamic equalization in wavelength division multiplexing |
US6829092B2 (en) | 2001-08-15 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Blazed grating light valve |
US6930364B2 (en) * | 2001-09-13 | 2005-08-16 | Silicon Light Machines Corporation | Microelectronic mechanical system and methods |
US7301334B2 (en) * | 2001-09-17 | 2007-11-27 | Schneider Electric Industries Sas | Micro magnetic proximity sensor system |
US6800238B1 (en) | 2002-01-15 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | Method for domain patterning in low coercive field ferroelectrics |
US6767751B2 (en) * | 2002-05-28 | 2004-07-27 | Silicon Light Machines, Inc. | Integrated driver process flow |
US6728023B1 (en) | 2002-05-28 | 2004-04-27 | Silicon Light Machines | Optical device arrays with optimized image resolution |
US6822797B1 (en) | 2002-05-31 | 2004-11-23 | Silicon Light Machines, Inc. | Light modulator structure for producing high-contrast operation using zero-order light |
US6829258B1 (en) | 2002-06-26 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Rapidly tunable external cavity laser |
US6714337B1 (en) | 2002-06-28 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Method and device for modulating a light beam and having an improved gamma response |
US6813059B2 (en) | 2002-06-28 | 2004-11-02 | Silicon Light Machines, Inc. | Reduced formation of asperities in contact micro-structures |
US6801354B1 (en) | 2002-08-20 | 2004-10-05 | Silicon Light Machines, Inc. | 2-D diffraction grating for substantially eliminating polarization dependent losses |
US6712480B1 (en) | 2002-09-27 | 2004-03-30 | Silicon Light Machines | Controlled curvature of stressed micro-structures |
US6829077B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-12-07 | Silicon Light Machines, Inc. | Diffractive light modulator with dynamically rotatable diffraction plane |
US6806997B1 (en) | 2003-02-28 | 2004-10-19 | Silicon Light Machines, Inc. | Patterned diffractive light modulator ribbon for PDL reduction |
EP1533270A1 (fr) * | 2003-11-21 | 2005-05-25 | Asulab S.A. | Procédé de contrôle de l'herméticité d'une cavité close d'un composant micrométrique, et composant micrométrique pour sa mise en oeuvre |
ITVI20040182A1 (it) * | 2004-07-23 | 2004-10-23 | Lacroix Electronique Srl | Termostato con modi di funzionamento modificabili e metodo per modificare tali modi di funzionamento |
FR2883274B1 (fr) * | 2005-03-15 | 2007-06-22 | Schneider Electric Ind Sas | Microsysteme integrant un circuit magnetique reluctant |
US8665041B2 (en) * | 2008-03-20 | 2014-03-04 | Ht Microanalytical, Inc. | Integrated microminiature relay |
CN102067262B (zh) * | 2008-03-20 | 2013-11-27 | Ht微量分析有限公司 | 集成簧片开关 |
US8581679B2 (en) * | 2010-02-26 | 2013-11-12 | Stmicroelectronics Asia Pacific Pte. Ltd. | Switch with increased magnetic sensitivity |
KR101712628B1 (ko) * | 2010-05-03 | 2017-03-06 | 삼성전자 주식회사 | 가변 콘택을 포함한 반도체 소자 |
FR2970111B1 (fr) * | 2011-01-03 | 2013-01-11 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un micro-contacteur actionnable par un champ magnetique |
FR2970596B1 (fr) | 2011-01-19 | 2013-02-08 | Commissariat Energie Atomique | Contacteur et interrupteur |
US9972459B1 (en) | 2013-09-09 | 2018-05-15 | Apple Inc. | Tactile switch assembly in an electronic device |
US10109432B1 (en) * | 2014-06-16 | 2018-10-23 | Apple Inc. | Switch assemblies |
RU2629002C2 (ru) * | 2015-12-28 | 2017-08-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет" | Способ увеличения чувствительности магнитоуправляемых коммутаторов |
DE102016210485A1 (de) * | 2016-06-14 | 2017-12-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Elektromechanisches Schutzschaltgerät mit einer Überlastauslöseeinrichtung |
US10707032B1 (en) | 2016-12-02 | 2020-07-07 | Apple Inc. | Electronic device having travel-magnifying input/output structure |
CN111915997A (zh) * | 2020-08-19 | 2020-11-10 | 深圳市奥拓电子股份有限公司 | 一种具有触摸功能的cob显示模组及led显示屏 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4357585A (en) * | 1979-12-10 | 1982-11-02 | W. H. Brady Co. | Laminated magnetic switch |
US4570139A (en) * | 1984-12-14 | 1986-02-11 | Eaton Corporation | Thin-film magnetically operated micromechanical electric switching device |
DE3809597A1 (de) * | 1988-03-22 | 1989-10-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Mikromechanisches stellelement |
EP0602538B1 (fr) * | 1992-12-15 | 1997-06-04 | Asulab S.A. | Contacteur "reed" et procédé de fabrication de microstructures métalliques tridimensionnelles suspendues |
US5463233A (en) * | 1993-06-23 | 1995-10-31 | Alliedsignal Inc. | Micromachined thermal switch |
FR2721435B1 (fr) * | 1994-06-17 | 1996-08-02 | Asulab Sa | Microcontacteur magnétique et son procédé de fabrication. |
US5629918A (en) * | 1995-01-20 | 1997-05-13 | The Regents Of The University Of California | Electromagnetically actuated micromachined flap |
US5726480A (en) * | 1995-01-27 | 1998-03-10 | The Regents Of The University Of California | Etchants for use in micromachining of CMOS Microaccelerometers and microelectromechanical devices and method of making the same |
-
1997
- 1997-04-21 CH CH00919/97A patent/CH691559A5/fr not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-03-24 TW TW087104393A patent/TW412767B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-04-10 US US09/058,303 patent/US6040748A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-04-20 KR KR10-1998-0013978A patent/KR100507950B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-04-20 CN CN98107465A patent/CN1119826C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-21 JP JP11079698A patent/JP4205202B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR19980081539A (ko) | 1998-11-25 |
JP4205202B2 (ja) | 2009-01-07 |
US6040748A (en) | 2000-03-21 |
CN1198581A (zh) | 1998-11-11 |
CN1119826C (zh) | 2003-08-27 |
KR100507950B1 (ko) | 2005-11-08 |
CH691559A5 (fr) | 2001-08-15 |
JPH10321102A (ja) | 1998-12-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TW412767B (en) | Magnetic microswitch and method for the manufacture thereof | |
US4570139A (en) | Thin-film magnetically operated micromechanical electric switching device | |
TW501151B (en) | Photolithographically-patterned out-of-plane coil structures and method of making | |
KR20010075360A (ko) | 자기적 결합 접극자를 가진 누름 스위치 | |
Yang et al. | Comparison of Au and Au–Ni alloys as contact materials for MEMS switches | |
US20100015744A1 (en) | Micro-Electromechanical Device and Method of Making the Same | |
GB2095911A (en) | Electrical switch device | |
US20030223174A1 (en) | Spring loaded bi-stable MEMS switch | |
KR101745725B1 (ko) | 스위치 구조체 | |
KR20110031150A (ko) | 집적 리드 스위치 | |
Fullin et al. | A new basic technology for magnetic micro-actuators | |
WO1999050863A2 (en) | Fabricating and using a micromachined magnetostatic relay or switch | |
TW420814B (en) | Micro-relay | |
US9048047B2 (en) | Micro-reed switch with high current carrying capacity and manufacturing method thereof | |
Yoon et al. | A low contact resistance 4-terminal MEMS relay: theoretical analysis, design, and demonstration | |
US7256669B2 (en) | Method of preparing electrical contacts used in switches | |
US7102480B2 (en) | Printed circuit board integrated switch | |
Kim et al. | 4 W power MEMS relay with extremely low contact resistance: Theoretical analysis, design and demonstration | |
JP4292532B2 (ja) | 機構デバイスの製造方法、機構デバイスおよびマイクロリードスイッチ | |
CN107430962A (zh) | 用于减少热变形的机电系统基板附件 | |
JP4182417B2 (ja) | 機構デバイス | |
US7300815B2 (en) | Method for fabricating a gold contact on a microswitch | |
JP2875128B2 (ja) | 梁およびその製造方法 | |
JP2004335214A (ja) | 機構デバイス及びその製造方法 | |
JPH073552Y2 (ja) | 小型磁気スイッチ |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
GD4A | Issue of patent certificate for granted invention patent | ||
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |