JP4292532B2 - 機構デバイスの製造方法、機構デバイスおよびマイクロリードスイッチ - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、マイクロマシン技術を用いて、片持ち梁構造を有する機構デバイスを製造するための技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】
従来より、この種の片持ち梁構造は例えばリードスイッチに利用されている。
図１２は従来のリードスイッチの構造を示す概略断面図である。
リードスイッチ５００は、金、ロジウムなどの接点材がリード先端部にメッキされた一対のリード片５０１をガラス管５０２内で、ある空隙を持たせ対向させ、該リード片５０１をガラス管５０２内に不活性ガスととも封入した構造を有している。リード片５０１は磁性材料で構成され、プレス加工によって扁平状に成形されており、その一端がガラス管５０２の封着部分に支持されて片持ち梁構造を成している。
【０００３】
このように構成されたリードスイッチ５００は、リードスイッチ５００を動作させるのに十分な磁力（例ではマグネット５０３の接近）が付加されると、その磁力が磁性材料で構成されたリード片５０１に作用して両リード片５０１が互いに引き寄せられて接触し、前記磁力が消去されると、リード片５０１自身の弾性によって非接触に戻ることにより開閉動作を行うようになっている。ここでは常開タイプリードスイッチについて述べたが、接点の構造により、常閉タイプリードスイッチ、切り換え型リードスイッチなどもある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記構成のリードスイッチ５００では、リード片５０１のプレス寸法的な限界やガラス管封着部長さの確保などの製造上の問題により、サイズ的に限界があり、現状ではガラス管長５ｍｍ程度が量産できる最小のサイズとされており、更なる小型化を行うことが困難であるという問題があった。
【０００５】
本発明は上記課題を解決するためになされたもので、マイクロマシン技術を用いることにより小型に構成でき、また、スイッチやセンサなどに応用してこれらの小型化にも貢献できる片持ち梁構造を有する機構デバイスの製造方法、機構デバイス、マイクロリードスイッチ及び静電駆動型スイッチを提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る機構デバイスの製造方法は、基板上に第１の磁性層を形成し、第１の磁性層の表面全体を覆うように第１の導電層を形成して第１の磁性層と第１の導電層とを含む下部電極を形成する下部電極形成工程と、基板、下部電極上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、基板および犠牲層上に、基板上面に底面が接触する基部と、基部に支持され、外部磁界が与えられた際に、下部電極との電気的接触を確保できる梁部とを有し、金で構成された片持ち梁状の構造層を形成する構造層形成工程と、構造層の梁部上の一部に、外部磁界によって第１の磁性層とともに磁化する第２の磁性層を含む磁性体部を形成する磁性体部形成工程と、犠牲層と、下部電極および基部を除く銅箔とを除去する最終エッチング工程とを有し、第１の磁性層、第１の導電層、犠牲層、構造層および第２の磁性層のそれぞれは、フォトレジスト膜をパターニングして開口パターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、開口パターン部分に電解メッキにより所定の層を積層する電解メッキ工程と、フォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去工程とによって完成されたものであり、電解メッキ工程は、各開口パターン部分のうち、第１の磁性層、犠牲層、および第２の磁性層に対応する開口パターンには、第１の電解メッキにより所定の層を積層し、第１の導電層および構造層に対応する開口パターンには、第２の電解メッキにより所定の層を積層する工程であるものである。
【０００７】
本発明においては、フォトリソグラフィ法と電解メッキ法を用いて、片持ち梁構造を有する機構デバイスを製造する。
【０００８】
【発明の実施の形態】
図１は本発明の一実施の形態の片持ち梁構造を有する機構デバイスの断面図で、ここではマイクロリードスイッチとしての機構デバイスの断面図を示している。なお、本明細書において機構デバイスとは、少なくとも片持ち梁構造を有するものであり、以下に詳述するその他の構成を備えることにより構成された図１に示したようなマイクロリードスイッチも機構デバイスに含まれることとする。
【０００９】
機構デバイス（図１では具体的にはマイクロリードスイッチ）１００は、基板１と、下部電極２と、上部電極３とを備えている。
【００１０】
基板１は、ガラスエポキシ樹脂で構成された絶縁基板１１上に、導電性材料としての銅箔１２が貼着されたいわゆるプリント基板で、銅箔１２は不要な部分が除去されて配線パターン化されており、その配線パターン上に下部電極２、上部電極３が電気的に接続されている。
【００１１】
下部電極２は、磁性層としてのニッケル層２１の表面全体を導電層２２で覆った構成を有している。ニッケル層２１および導電層２２はそれぞれ以下に詳述する半導体プロセス（フォトリソグラフィ法）および電解メッキ法を用いて形成されており、導電層２２は金（接点材料）で構成されている。ここで、金は、腐食に強いことから、金でニッケル層２１を覆うことによりニッケル層２１の酸化を防止でき、また、導電層２２自身の酸化も防止できて、接触抵抗の上昇が防止されて初期の導電性を維持でき、接点性能の安定化を図ることが可能となっている。また、この導電層２２を構成する材料には、本発明の機構デバイス（マイクロリードスイッチ）１００の製造時の最終工程（後述する）におけるウェットエッチングの際に、ニッケル層２１が浸食されないように保護する役割も必要とされていることから、その面からも、最終工程のウェットエッチングで用いるエッチング液（ここでは塩化第二鉄）に対して耐エッチング性を有する金が用いられている。
【００１２】
上部電極３は、フォトリソグラフィ法および電解メッキ法を用いてそれぞれ形成された片持ち梁構造部３１と、磁性体部３２とを有している。片持ち梁構造部３１は、銅箔１２上にその底面が接触する基部３１ａと、該基部３１ａに支持された梁部３１ｂとで構成され、耐エッチング性を有する導電性材料である金（接点材料）で構成されている。ここで、接点材料として金を用いることにより、上述したように接点性能安定化を図ることが可能となる。また、金は硬度が低く柔軟性のある材料であることから、片持ち梁構造部３１を金で構成することにより、以下に詳述するが、梁部３１ｂを磁力によって下部電極２側に引き寄せる際に、微少な磁力でも動作することが可能となり、よって、高感度のマイクロリードスイッチ１００を構成することが可能となる。
【００１３】
磁性体部３２は、磁性層としてのニッケル層３２ａの表面全体を耐エッチング層３２ｂで覆った構成となっている。このニッケル層３２ａおよび耐エッチング層３２ｂはそれぞれフォトリソグラフィ法および電解メッキ法を用いて形成されており、該耐エッチング層３２ｂは金で構成されている。耐エッチング層３２ｂに金を用いることにより、上述したようにニッケル層３２ａの酸化を防止でき、また、マイクロリードスイッチ１００の製造時の最終工程（後述する）におけるウェットエッチングに際し、ニッケル層３２ａがエッチングされないように保護することができる。
【００１４】
このように構成された上部電極３は、下部電極２との電気的接触が成されるように、梁部３１ｂが磁力によって下方に撓んだ場合に、梁部３１ｂの先端部が下部電極２と接するような配置および寸法で基板１上に形成されている。
【００１５】
なお、本実施形態においてマイクロリードスイッチ１００としての機構デバイスの各部の寸法は以下の通りである。すなわち、基板１は、長さ２ｃｍ，幅１．５ｃｍで、銅箔部分の厚みが９μｍ、下部電極２の長さ，幅，厚みはそれぞれ１３００μｍ，９００μｍ，１１μｍ（この厚みは銅箔の厚み９μｍを含むもので、その他の内訳はニッケル層２１の厚み１μｍ、導電層２２の厚み１μｍ）、片持ち梁構造部３１の梁部３１ｂの長さ，幅，厚みはそれぞれ１０００μｍ，１５０μｍ，１μｍ、基部３１ａの長さ，幅，厚みはそれぞれ１０００μｍ，８００μｍ，１０μｍ（この厚みは銅箔の厚み９μｍを含むもので、金で構成されている部分が１μｍである）。磁性体部３２の長さ，幅，厚みはそれぞれ７００μｍ，６０μｍ，１２μｍ（ニッケル層３２ａの厚み１０μｍ、耐エッチング層３２ｂの厚み２μｍ）である。
【００１６】
図２は、図１に示す機構デバイスのマイクロリードスイッチとしての動作説明図である。
図２において、４１は、梁部３１ｂとの磁性間距離を十分狭くするために下部電極２の真下に設置された電磁石である。この電磁石４１に電圧を印加することにより磁界４２が発生し、この磁界４２によって上部電極３のニッケル層３２ａ及び下部電極２のニッケル層２１が磁化して上部電極３側のニッケル層３２ａ及び下部電極２側のニッケル層２１間に磁気吸引力が生じる。これにより、上部電極３の梁部３１ｂが下部電極２側に引き寄せられ、梁部３１ｂの先端部が下部電極２に接触してスイッチＯＮする。そして、電磁石４１への電圧の印加を停止すると、磁界４２が消滅し、ニッケルは残留磁化率が低いことから、磁界４２の消滅によってニッケル層３２ａ、２１間の磁気吸引力も消滅する。すると、梁部３１ｂは自身の弾性力によって非接触に戻りスイッチＯＦＦとなる。上記の寸法で構成した本実施の形態のマイクロリードスイッチ１００では、電磁石４１から７ｍＴ（テスラメータにより測定）の磁力でスイッチとして動作することが確認された。以下にその実験結果を示す。
【００１７】
図３は、コイル波形に対するマイクロリードスイッチの動作波形を示す図である。
ここでは、電磁石４１に１００Ｖの電圧を印加し、図示しないトランジスタを使用してゲートに図示しない発信機から信号（１０Ｈｚ）を入力して磁界４２をＯＮ、ＯＦＦさせたときのマイクロリードスイッチ１００の動作波形を示している。なお、マイクロリードスイッチ１００には１Ｖの電圧を印加している。図３より、磁界４２のＯＮ・ＯＦＦにより、マイクロリードスイッチ１００も同様の時間でＯＮ・ＯＦＦしていることが示されている。この実験により、マイクロリードスイッチ１００としての動作が確認できた。
【００１８】
次に、図１に示した機構デバイスの製造方法について説明する。本発明は、マイクロマシン技術を用いて製造することに特徴を有するものであり、マイクロマシン技術には、ＩＣ、ＬＳＩなどの製作で用いられる半導体プロセス（フォトリソグラフィ法）および電解メッキ法を使用する。以下、その製造方法について詳細に説明する。
【００１９】
図４〜図６は、それぞれ本発明の一実施の形態の機構デバイスの製造方法の説明図である。以下、各図を順に説明する。
【００２０】
図４（ａ）〜（ｆ）は下部電極の製造過程を示す図である。
まず、（ａ）基板１の表面にフォトレジスト膜５１を塗布し、フォトレジスト膜５１をマスクアライナーで露光し、現像液で現像して、フォトレジスト膜５１に下部電極２のニッケル層形成用の開口パターン６１を形成する（フォトリソグラフィ工程）。そして、（ｂ）この開口パターン６１部分に電解メッキ装置によりニッケル２１を積層して（電解メッキ工程）、（ｃ）フォトレジスト膜５１を除去して（フォトレジスト膜除去工程）基板１上にニッケル層２１を形成する。
【００２１】
ついで、（ｄ）基板１の表面にフォトレジスト膜５２を塗布し、フォトレジスト膜５２をマスクアライナーで露光し、現像液で現像して、フォトレジスト膜５２に下部電極２（図１参照）の導電層形成用の開口パターン６２を形成する。そして、（ｅ）この開口パターン６２部分に電解メッキ装置により金２２を積層し、（ｆ）フォトレジスト膜５２を除去して、ニッケル層２１の表面全体を金２２で覆った下部電極２を形成する。
【００２２】
図５及び図６は上部電極の製造過程を示す図である。
まず、図５（ａ）下部電極２を含む基板１上にフォトレジスト膜５３を塗布し、フォトレジスト膜５３をマスクアライナーで露光し、現像液で現像して、フォトレジスト膜５３に犠牲層形成用の開口パターン６３を形成する（フォトリソグラフィ工程）。そして、（ｂ）この開口パターン６３部分に電解メッキ装置によりニッケル７１を積層して（電解メッキ工程）、（ｃ）フォトレジスト膜５３を除去して（フォトレジスト膜除去工程）、基板１および下部電極２上に犠牲層７１を形成する。
【００２３】
ついで、同様に（ｄ）下部電極２および犠牲層７１を含む基板１上にフォトレジスト膜５４を塗布し、フォトレジスト膜５４をマスクアライナーで露光し、現像液で現像して、フォトレジスト膜５４に片持ち梁状の構造層（図１参照）を構成する構造層形成用の開口パターン６４を形成する（フォトリソグラフィ工程）。そして、（ｅ）この開口パターン６４部分に電解メッキ装置により金３１を積層して（電解メッキ工程）、（ｆ）フォトレジスト膜５４を除去して（フォトレジスト膜除去工程）、基板１および犠牲層７１上に構造層３１を形成する。
【００２４】
そして、図６（ａ）下部電極２、犠牲層７１および構造層３１を含む基板１上にフォトレジスト膜５５を塗布し、フォトレジスト膜５５をマスクアライナーで露光し、現像液で現像して、フォトレジスト膜５５に上部電極３（図１参照）の磁性層形成用の開口パターン６５を形成する（フォトリソグラフィ工程）。そして、（ｂ）この開口パターン６５部分に電解メッキ装置によりニッケル３２ａを積層して（電解メッキ工程）、（ｃ）フォトレジスト膜５５を除去して（フォトレジスト膜除去工程）、基板１上にニッケル層３２ａを形成する。
【００２５】
ついで、（ｄ）下部電極２、犠牲層７１、構造層３１およびニッケル層３２ａを含む基板１上にフォトレジスト膜５６を塗布し、フォトレジスト膜５６をマスクアライナーで露光し、現像液で現像して、フォトレジスト膜５６に耐エッチング層形成用の開口パターン６６を形成する（フォトリソグラフィ工程）。そして、（ｅ）この開口パターン６６部分に電解メッキ装置により金３２ｂを積層して（電解メッキ工程）、（ｆ）フォトレジスト膜５６を除去して（フォトレジスト膜除去工程）基板１上にニッケル層３２ａの表面全体を金３２ｂで覆った構成の磁性体部３２を形成する。
【００２６】
そして、最終工程として塩化第二鉄をエッチング液として用いてウェットエッチングを行うことにより、犠牲層７１と、基板１において不要な銅箔１２部分とが選択的に除去される。その結果、図１に示したようなマイクロリードスイッチ１００が製作される。
【００２７】
以上のように本実施の形態によれば、半導体プロセス（フォトリソグラフィ法）、電解メッキ法といったマイクロマシン技術を用いることにより、数ミクロン単位まで小型に構成できる片持ち梁構造を有する機構デバイスを得ることが可能となる。
【００２８】
また、この機構デバイスにおいて、片持ち梁構造部３１に磁性体部３２を形成すると共に、基板１上に磁性層を有する下部電極２を形成することで、図３の実験結果に示したように、磁力によって動作するマイクロリードスイッチ１００を構成することができる。また、このマイクロリードスイッチ１００の製造は、上述したようにマイクロマシン技術を用いていることから、従来のリードスイッチよりも小型に構成することができる。
【００２９】
また、片持ち梁構造部３１を金で構成しているため、上述したように微少な磁力にでも動作することのできる感度の高いマイクロリードスイッチ１００を構成できる。
【００３０】
また、従来のリードスイッチに比べてリード片の加工などが必要無く、半導体プロセス（フォトリソグラフィ）と電解メッキだけで製造できるため、基板１上での製作が可能となり、よって、マイクロ単位まで設計値を小さくすることで一基板上に複数（数十個、数百個など）の機構デバイスを製作することができ、大量生産も可能となる。
【００３１】
また、この大量生産に際し、上記のフォトリソグラフィ工程において、基板１上に所定層用の開口パターンを適宜離間して複数形成し、各開口パターン部分に電解メッキを行い、その後、フォトレジスト膜を除去して所定層を形成する作業を繰り返すことにより、複数の機構デバイスを同時に製作でき、製造時間を短時間化することが可能となる。このように、集積化し、大量生産することで生産コスト削減にも寄与できる。
【００３２】
また、マイクロリードスイッチ１００の製造に際し、化学的蒸着（CVD：Chemical Vapor Deposition）や物理的蒸着（PVD：Physical Vapor Deposition）（スパッタリング法、蒸着法）など、時間のかかる製造プロセスがないため、製造時間を短縮できる。
【００３３】
ところで、現在、マイクロマシンの製作はシリコン基板上で行われるのが一般的であるが、本発明の片持ち梁構造を備えた機構デバイス（マイクロリードスイッチ）１００は、プリント基板上で製作するため、基板材料の面でも、シリコン基板に比べてコスト削減が期待できる。
【００３４】
また、プリント基板は、シリコン基板を用いる場合に必要となる電気炉熱酸化法による絶縁層（酸化膜）の形成工程が不要であるため、製造コストを低減でき、またこの絶縁層の形成は時間の掛かるプロセスであることから、このプロセスが不要となることにより製造時間短縮にも寄与できる。
【００３５】
なお、本実施の形態では、片持ち梁構造を有する機構デバイスにおいて、片持ち梁構造部３１に磁性体部３２を形成すると共に、基板１上に磁性層を有する下部電極２を形成することでマイクロリードスイッチ１００を構成する場合について説明してきたが、本発明はこれに限定されるものではなく、片持ち梁構造を有する機構デバイスは、以下のような各種スイッチや、各種センサにも利用できる。
【００３６】
＜応用例１＞
図７は、片持ち梁構造を有する機構デバイスを利用した静電駆動型スイッチの断面図である。なお、図７において図１と同一部分には同一符号を付し、説明を省略する。
図７において、８１は基板１上に形成された吸引電極、８２は基板１上において吸引電極８１から離間し、且つ吸引電極８１よりも上面が若干高く形成された下部電極である。また、片持ち梁構造部３１は、梁部３１ｂが前記吸引電極８１および前記下部電極８２の上方に位置するように基板１上に形成されている。なお、図７（ａ）は下部電極８２を外側に、（ｂ）は下部電極８２を内側に形成した場合を示している。なお、吸引電極８１および下部電極８２はそれぞれその上面が基板１に平行に形成されている。
【００３７】
以上の構成（ａ）（ｂ）それぞれの静電駆動型スイッチ２００において、片持ち梁構造部３１と、吸引電極８１との間に電圧を印加すると、静電引力が発生し、梁部３１ｂが吸引電極８１側に引き寄せられて梁部３１ｂの先端部が下部電極８２に接触してスイッチＯＮし、電圧印加を停止すると、静電引力が消滅して梁部３１ｂの弾性力により非接触に戻りスイッチＯＦＦとなる。このように、片持ち梁構造を有する機構デバイスは静電駆動型スイッチにも適用できる。
【００３８】
＜応用例２＞
図８は、図７の構成を光センサーとして利用した場合を示す図である。
図８において、９１はレーザ光、９２は複数の受光素子がマトリックス状に配置された受光面である。光センサー３００は、静電駆動型スイッチ２００の梁部３１ｂにレーザ光９１を照射し、その反射光を受光面９２で受光する動作を行う。ここで、静電引力を利用して梁部３１ｂを撓ませ、その状態でレーザ光を梁部３１ｂに向けて照射すると、撓ませない場合と比較して反射角が変化し、よって光路が変化して受光面９２において反射光を受光する受光素子が変化する。この仕組みを利用して光センサー３００として利用するものである。このように光センサー３００として利用する場合の梁部３１ｂには、上述したように導電性、耐エッチング性を有することに加えて、反射率の高い材料で構成されるのが好ましい。なお、ここでは、図７に示した静電駆動型スイッチ２００を光センサー３００に適用した場合を例示したが、図１の構成を適用してももちろんよい。
【００３９】
＜応用例３＞
図９は、図１の構成を衝撃センサとして利用した場合を示す図である。
図９において、９３はマグネットで、このマグネット９３が何らかの衝撃によりマイクロリードスイッチ１００側に接近すると、マイクロリードスイッチ１００に磁界が通過する。これにより、上部電極３の梁部３１ｂが下部電極２側に引き寄せられ、梁部３１ｂの先端部が下部電極２に接触してスイッチＯＮする。そして、マグネット９３が離間すると、マイクロリードスイッチ１００に磁束が通過しなくなるため、梁部３１ｂは自身の弾性力によって非接触に戻りスイッチＯＦＦとなる。このように、マイクロリードスイッチ１００を衝撃センサ４００としても利用できる。なお、梁部３１ｂの先端部が、マグネット９３が離間した状態において下部電極２に接触したノーマリＯＮ、下部電極２から離間したノーマリＯＦＦの何れの形態でも利用できる。
【００４０】
このように構成された衝撃センサ４００は、マイクロマシンのため、狭い場所にも配置でき、また、小さな衝撃でも動作することのできる高感度なものとなる。なお、図９に示したマグネット９３の配置位置は一例であり、マイクロリードスイッチ１００を動作させることが可能な場所であれば、マイクロリードスイッチ１００の上でも横でも良く、設置場所は特に制限はない。
【００４１】
なお、基板１上にフォトリソグラフィ工程と、電解メッキ工程と、フォトレジスト膜除去工程とを行って所望の層を形成することを繰り返すことによって、上述の片持ち梁構造以外にも、図１０に示すような両持ち梁構造や、図１１に示すような２重片持ち梁構造も製作できる。ここで、図１１は、下部電極９４に対向する上部電極９５を両持ち梁構造とした場合、図１２は下部電極９６および上部電極９７のそれぞれを片持ち梁構造に構成し、それぞれの梁部９８の先端部分がオーバーラップするように僅かに離間して対向配置した２重片持ち梁構造とした場合を示したものである。
【００４２】
【発明の効果】
以上詳述したように本発明によれば、フォトリソグラフィ法と電解メッキ法を用いて、片持ち梁構造を有する小型の機構デバイスを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態の片持ち梁構造を有する機構デバイスの断面図である。
【図２】図１に示す機構デバイスのマイクロリードスイッチとしての動作説明図である。
【図３】コイル波形に対するマイクロリードスイッチの動作波形を示す図である。
【図４】下部電極の製造過程を示す図である。
【図５】上部電極の製造過程を示す図（その１）である。
【図６】上部電極の製造過程を示す図（その２）である。
【図７】機構デバイスを利用した静電駆動型スイッチの断面図である。
【図８】図７の構成を光センサーとして利用した場合を示す図である。
【図９】図１の構成を衝撃センサとして利用した場合を示す図である。
【図１０】両持ち梁構造を示す図である。
【図１１】２重片持ち梁構造を示す図である。
【図１２】従来のリードスイッチの構造を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ 基板
２ 下部電極
３ 上部電極
１１ 絶縁基板
１２ 銅箔
２１ ニッケル層（第１の磁性層）
２２ 導電層（第１の導電層）
３１ 片持ち梁構造部（構造層）
３１ａ 基部
３１ｂ 梁部
３２ 磁性体部
３２ａ ニッケル層（第２の磁性層）
３２ｂ 耐エッチング層
４２ 磁界
５１〜５６ フォトレジスト膜
６１〜６６ 開口パターン
７１ 犠牲層
８１ 吸引電極
８２ 下部電極
１００ 機構デバイス
２００ 静電駆動型スイッチ

Claims (9)

1. 基板上に第１の磁性層を形成し、該第１の磁性層の表面全体を覆うように第１の導電層を形成して前記第１の磁性層と前記第１の導電層とを含む下部電極を形成する下部電極形成工程と、
   前記基板、前記下部電極上に犠牲層を形成する犠牲層形成工程と、
   前記基板および前記犠牲層上に、前記基板上面に底面が接触する基部と、該基部に支持され、外部磁界が与えられた際に、前記下部電極との電気的接触を確保できる梁部とを有し、金で構成された片持ち梁状の構造層を形成する構造層形成工程と、
   前記構造層の前記梁部上の一部に、外部磁界によって前記第１の磁性層とともに磁化する第２の磁性層を含む磁性体部を形成する磁性体部形成工程と、
   前記犠牲層と、前記下部電極および前記基部を除く銅箔とを除去する最終エッチング工程とを有し、
   前記第１の磁性層、前記第１の導電層、前記犠牲層、前記構造層および前記第２の磁性層のそれぞれは、
   フォトレジスト膜をパターニングして開口パターンを形成するフォトリソグラフィ工程と、該開口パターン部分に電解メッキにより所定の層を積層する電解メッキ工程と、前記フォトレジスト膜を除去するフォトレジスト膜除去工程とによって完成されたものであり、
   前記電解メッキ工程は、前記各開口パターン部分のうち、前記第１の磁性層、前記犠牲層、および前記第２の磁性層に対応する開口パターンには、第１の電解メッキにより所定の層を積層し、前記第１の導電層および前記構造層に対応する開口パターンには、第２の電解メッキにより所定の層を積層する工程であることを特徴とする機構デバイスの製造方法。
2. 前記第２の磁性層の表面全体を覆う耐エッチング層を形成する工程を更に含み、前記第１の導電層、前記構造層および前記耐エッチング層のそれぞれは、前記犠牲層を除去する際の最終エッチングに用いるエッチング液に対して耐エッチング性を有する材料で構成され、前記犠牲層の除去は、ウェットエッチングにより行うことを特徴とする請求項１記載の機構デバイスの製造方法。
3. 前記耐エッチング性を有する材料は金であることを特徴とする請求項２記載の機構デバイスの製造方法。
4. 前記第１の磁性層及び前記第２の磁性層のそれぞれをニッケルで構成したことを特徴とする請求項１乃至請求項３の何れかに記載の機構デバイスの製造方法。
5. 前記基板は、絶縁基板上に導電層で配線パターンが設けられた構成であり、前記犠牲層をエッチングにより除去する際、前記犠牲層の底面に接触した前記基板の導電層部分を含む不要な導電層部分も除去されること特徴とする請求項１乃至請求項４の何れかに記載の機構デバイスの製造方法。
6. 前記絶縁基板はガラスエポキシ樹脂で構成され、前記導電層は銅箔で構成されてなることを特徴とする請求項５記載の機構デバイスの製造方法。
7. 前記基板上に複数の機構デバイスを同時に形成することを特徴とする請求項１乃至請求項６の何れかに記載の機構デバイスの製造方法。
8. 請求項１乃至請求項７の何れかに記載の機構デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とする機構デバイス。
9. 請求項１乃至請求項６の何れかに記載の機構デバイスの製造方法によって製造されたことを特徴とするマイクロリードスイッチ。

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