JPH10310590A - シラシクロペンタジエン誘導体の多量体 - Google Patents
シラシクロペンタジエン誘導体の多量体Info
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- JPH10310590A JPH10310590A JP3544198A JP3544198A JPH10310590A JP H10310590 A JPH10310590 A JP H10310590A JP 3544198 A JP3544198 A JP 3544198A JP 3544198 A JP3544198 A JP 3544198A JP H10310590 A JPH10310590 A JP H10310590A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】機能性材料としてシラシクロペンタジエン誘導
体の多量体を用いる場合に、目的に適した化合物の選択
が容易となる。 【解決手段】繰り返し単位が新規なシラシクロペンタジ
エン誘導体である、一般式（１）で表される多量体。 【化１】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、置換もしくは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基またはシアノ基を示し、Ｒ2及び
Ｒ3は、置換もしくは無置換のアルキル基、アリール
基、またはヘテロ環基を示し、ｋは２から１００００の
整数を示すが、Ｒ1及びＲ4が、フェニル基の場合、ｋは
３から１００００の整数を示す］
体の多量体を用いる場合に、目的に適した化合物の選択
が容易となる。 【解決手段】繰り返し単位が新規なシラシクロペンタジ
エン誘導体である、一般式（１）で表される多量体。 【化１】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、置換もしくは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基またはシアノ基を示し、Ｒ2及び
Ｒ3は、置換もしくは無置換のアルキル基、アリール
基、またはヘテロ環基を示し、ｋは２から１００００の
整数を示すが、Ｒ1及びＲ4が、フェニル基の場合、ｋは
３から１００００の整数を示す］
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シラシクロペンタ
ジエン誘導体の多量体に関する。
ジエン誘導体の多量体に関する。
【０００２】
【従来の技術】π電子系有機化合物を光機能材料若しく
は電子機能材料に応用しようとする試みは、多種多彩で
多くの研究機関で行われている。これらの中で代表的な
化合物群の１つとして、基本構造にヘテロ５員環構造を
持つ１群のπ電子系有機化合物、例えば、チオフェンあ
るいはピロールなどが知られている。しかしながら、こ
れらの大部分のヘテロ５員環は電子供与性であるため、
その特徴から材料への応用に制限があった。このため、
電子受容性の化合物が求められていた。
は電子機能材料に応用しようとする試みは、多種多彩で
多くの研究機関で行われている。これらの中で代表的な
化合物群の１つとして、基本構造にヘテロ５員環構造を
持つ１群のπ電子系有機化合物、例えば、チオフェンあ
るいはピロールなどが知られている。しかしながら、こ
れらの大部分のヘテロ５員環は電子供与性であるため、
その特徴から材料への応用に制限があった。このため、
電子受容性の化合物が求められていた。
【０００３】最近、ヘテロ元素がケイ素であるシラシク
ロペンタジエン環が電子受容性を示すことが報告され、
種々の機能性材料への応用が予測されている。例えば、
特開平６−１００６６９号公報あるいは特開平６−１６
６７４６号公報に導電性ポリマーへの応用を意図した報
告が見られる。また、日本化学会第７０春季年会講演予
稿集II、７００ページ、２Ｄ１０２、日本化学会第７０
春季年会講演予稿集II、７０１ページ、２Ｄ１０３、日
本化学会第７１秋季年会講演予稿集、３２ページ、２Ｐ
１α２１及び日本化学会第７１秋季年会講演予稿集、３
２ページ、２Ｐ１α２２には、シラシクロペンタジエン
誘導体を有機ＥＬ素子に応用した例が報告されている。
ロペンタジエン環が電子受容性を示すことが報告され、
種々の機能性材料への応用が予測されている。例えば、
特開平６−１００６６９号公報あるいは特開平６−１６
６７４６号公報に導電性ポリマーへの応用を意図した報
告が見られる。また、日本化学会第７０春季年会講演予
稿集II、７００ページ、２Ｄ１０２、日本化学会第７０
春季年会講演予稿集II、７０１ページ、２Ｄ１０３、日
本化学会第７１秋季年会講演予稿集、３２ページ、２Ｐ
１α２１及び日本化学会第７１秋季年会講演予稿集、３
２ページ、２Ｐ１α２２には、シラシクロペンタジエン
誘導体を有機ＥＬ素子に応用した例が報告されている。
【０００４】この様な種々の機能性材料にシラシクロペ
ンタジエン誘導体を応用する場合、目的に応じて複数の
シラシクロペンタジエン環を導入することは、化合物の
性質をコントロールすることに繋がり、結果として機能
性材料の性能が向上するために、非常に重要な技術の１
つと考えられる。
ンタジエン誘導体を応用する場合、目的に応じて複数の
シラシクロペンタジエン環を導入することは、化合物の
性質をコントロールすることに繋がり、結果として機能
性材料の性能が向上するために、非常に重要な技術の１
つと考えられる。
【０００５】ところが、以前のシラシクロペンタジエン
環の多量体の合成法は、ケミカルレビュウ、９０巻、２
１５〜２６３ページ、１９９０年(Chem.Rev.,90,215-26
3(1990).)及びその参考文献、あるいはオルガノメタリ
ックス、１４巻、１０８９〜１０９１ページ、１９９５
年（Organometallics,14,1089-91(1995)）に記載されて
いるように特定のものに限定されており、種々の誘導体
を自由に合成することはできなかった。また、特開平７
−１７９４７７及び特開平７−３００４８９には、シラ
シクロペンタジエン環の２，５位に反応性の置換基を導
入し、シラシクロペンタジエン誘導体の多量体を合成す
る例が示されているが、２，５位のみに限定されている
事に加えて、２，５位に反応性の臭素が残り機能性材料
には不向きであった。
環の多量体の合成法は、ケミカルレビュウ、９０巻、２
１５〜２６３ページ、１９９０年(Chem.Rev.,90,215-26
3(1990).)及びその参考文献、あるいはオルガノメタリ
ックス、１４巻、１０８９〜１０９１ページ、１９９５
年（Organometallics,14,1089-91(1995)）に記載されて
いるように特定のものに限定されており、種々の誘導体
を自由に合成することはできなかった。また、特開平７
−１７９４７７及び特開平７−３００４８９には、シラ
シクロペンタジエン環の２，５位に反応性の置換基を導
入し、シラシクロペンタジエン誘導体の多量体を合成す
る例が示されているが、２，５位のみに限定されている
事に加えて、２，５位に反応性の臭素が残り機能性材料
には不向きであった。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】機能性材料としてシラ
シクロペンタジエン誘導体の多量体を用いる場合に、目
的に適した化合物の選択が可能となるように、新規なシ
ラシクロペンタジエンの誘導体およびその多量体を提供
すること。
シクロペンタジエン誘導体の多量体を用いる場合に、目
的に適した化合物の選択が可能となるように、新規なシ
ラシクロペンタジエンの誘導体およびその多量体を提供
すること。
【０００７】
【課題を解決するための手段】種々の機能性材料に繋が
る新規なシラシクロペンタジエン誘導体の多量体を見い
だすべく鋭意検討した結果、シラシクロペンタジエン環
のケイ素上で縮合した場合、上記問題点が解決されるこ
とを見いだし本発明を完成した。
る新規なシラシクロペンタジエン誘導体の多量体を見い
だすべく鋭意検討した結果、シラシクロペンタジエン環
のケイ素上で縮合した場合、上記問題点が解決されるこ
とを見いだし本発明を完成した。
【０００８】本発明は、下記［１］、［２］、［３］、
［４］、および［５］の各構成を有する。
［４］、および［５］の各構成を有する。
【０００９】[１]繰り返し単位がシラシクロペンタジエ
ン誘導体である下記一般式（１）で表される多量体。
ン誘導体である下記一般式（１）で表される多量体。
【００１０】
【化６】
【００１１】［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水
素、ハロゲン、置換あるいは無置換のアルキル基、パー
フルオロアルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環
基、アルケニル基、アルキニル基あるいはシアノ基を示
し、Ｒ2及びＲ3は、置換あるいは無置換のアルキル基、
アリール基あるいはヘテロ環基を示し、ｋは２から１０
０００の整数を示すが、Ｒ1及びＲ4が、フェニル基の場
合、ｋは３から１００００の整数を示す］
素、ハロゲン、置換あるいは無置換のアルキル基、パー
フルオロアルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環
基、アルケニル基、アルキニル基あるいはシアノ基を示
し、Ｒ2及びＲ3は、置換あるいは無置換のアルキル基、
アリール基あるいはヘテロ環基を示し、ｋは２から１０
０００の整数を示すが、Ｒ1及びＲ4が、フェニル基の場
合、ｋは３から１００００の整数を示す］
【００１２】[２]繰り返し単位がシラシクロペンタジエ
ン誘導体である下記一般式（２）で表される多量体。
ン誘導体である下記一般式（２）で表される多量体。
【００１３】
【化７】
【００１４】［式中、Ｒ1 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ8 、Ｒ9 、及びＲ
12は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、置換あるいは無
置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリル
基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニ
ル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ10 、
及びＲ11は、置換あるいは無置換のアルキル基、アリー
ル基あるいはヘテロ環基を示し、Ｘ1及びＹ1は、それぞ
れ独立に水素、ハロゲン、置換あるいは無置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、シリル基、アリール基、ヘテロ環
基、アルケニル基、アルキニル基あるいはアミノ基を示
し、ｍは０から８の整数を示すが、Ｒ1 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ8 、Ｒ
9 、及びＲ12がフェニル基の場合、ｍは１から８の整数を
示す］
12は、それぞれ独立に水素、ハロゲン、置換あるいは無
置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シリル
基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニ
ル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ10 、
及びＲ11は、置換あるいは無置換のアルキル基、アリー
ル基あるいはヘテロ環基を示し、Ｘ1及びＹ1は、それぞ
れ独立に水素、ハロゲン、置換あるいは無置換のアルキ
ル基、アルコキシ基、シリル基、アリール基、ヘテロ環
基、アルケニル基、アルキニル基あるいはアミノ基を示
し、ｍは０から８の整数を示すが、Ｒ1 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ8 、Ｒ
9 、及びＲ12がフェニル基の場合、ｍは１から８の整数を
示す］
【００１５】[３]繰り返し単位がシラシクロペンタジエ
ン誘導体である下記一般式（３）で表される多量体。
ン誘導体である下記一般式（３）で表される多量体。
【００１６】
【化８】
【００１７】［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水
素、置換あるいは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2及
びＲ3は、置換あるいは無置換のアルキル基、アリール
基あるいはヘテロ環基を示し、Ｘ1及びＹ1は、アルカリ
金属を示し、ｎは２から１００００の整数を示すが、Ｒ
1及びＲ4が、フェニル基の場合、ｎは３から１００００
の整数を示す］
素、置換あるいは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2及
びＲ3は、置換あるいは無置換のアルキル基、アリール
基あるいはヘテロ環基を示し、Ｘ1及びＹ1は、アルカリ
金属を示し、ｎは２から１００００の整数を示すが、Ｒ
1及びＲ4が、フェニル基の場合、ｎは３から１００００
の整数を示す］
【００１８】［４］下記一般式（４）で表されるシラシ
クロペンタジエン誘導体にアルカリ金属を反応させるこ
とを特徴とする繰り返し単位がシラシクロペンタジエン
誘導体である上記一般式（３）で表される多量体の製造
法。
クロペンタジエン誘導体にアルカリ金属を反応させるこ
とを特徴とする繰り返し単位がシラシクロペンタジエン
誘導体である上記一般式（３）で表される多量体の製造
法。
【化９】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、置換ある
いは無置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シ
リル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2及びＲ3は、置換
あるいは無置換のアルキル基、アリール基あるいはヘテ
ロ環基を示す］
いは無置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シ
リル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2及びＲ3は、置換
あるいは無置換のアルキル基、アリール基あるいはヘテ
ロ環基を示す］
【００１９】［５］上記一般式（３）で表される化合物
に、下記一般式（５）で表される化合物を反応させるこ
とを特徴とする請求項２記載の多量体の製造方法。
に、下記一般式（５）で表される化合物を反応させるこ
とを特徴とする請求項２記載の多量体の製造方法。
【００２０】
【化１０】
【００２１】［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水
素、置換あるいは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2及
びＲ3は、置換あるいは無置換のアルキル基、アリール
基あるいはヘテロ環基を示し、Ｘ1は、水素、置換ある
いは無置換のアルキル基、アルコキシ基、シリル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基あ
るいはアミノ基を示す］
素、置換あるいは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基あるいはシアノ基を示し、Ｒ2及
びＲ3は、置換あるいは無置換のアルキル基、アリール
基あるいはヘテロ環基を示し、Ｘ1は、水素、置換ある
いは無置換のアルキル基、アルコキシ基、シリル基、ア
リール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基あ
るいはアミノ基を示す］
【００２２】本発明の化合物の具体例を、化学式（６）
から化学式（１７）として列挙する。
から化学式（１７）として列挙する。
【００２３】
【化１１】
【００２４】
【化１２】
【００２５】
【化１３】
【００２６】
【化１４】
【００２７】本発明のシラシクロペンタジエン誘導体の
多量体は、本発明の製造法により例えば下記の様にして
得ることができる。すなわち、上記一般式（４）で表さ
れるシラシクロペンタジエン誘導体にアルカリ金属を反
応させることによって、上記一般式（１）で表される多
量体を得ることができる。
多量体は、本発明の製造法により例えば下記の様にして
得ることができる。すなわち、上記一般式（４）で表さ
れるシラシクロペンタジエン誘導体にアルカリ金属を反
応させることによって、上記一般式（１）で表される多
量体を得ることができる。
【００２８】ここで用いられるアルカリ金属としては、
例えば、リチウム、ナトリウムあるいはカリウムなどが
あげられる。溶媒としては、アルカリ金属に不活性なも
のなら特に制限はなく、通常、エーテルあるいはテトラ
ヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が用いられる。
添加するアルカリ金属の量は任意で、これを調整するこ
とによって重合の割合を調節できる。さらに、得られた
化合物を、通常知られている合成法により変換すること
によっても本発明のシラシクロペンタジエン誘導体の多
量体に誘導できる。この反応は、不活性ガス中で行うこ
とが好ましく、窒素あるいはアルゴンガスなどが使われ
る。反応温度は、特に制限はないが、通常、０℃〜室温
程度が好ましい。
例えば、リチウム、ナトリウムあるいはカリウムなどが
あげられる。溶媒としては、アルカリ金属に不活性なも
のなら特に制限はなく、通常、エーテルあるいはテトラ
ヒドロフランのようなエーテル系の溶媒が用いられる。
添加するアルカリ金属の量は任意で、これを調整するこ
とによって重合の割合を調節できる。さらに、得られた
化合物を、通常知られている合成法により変換すること
によっても本発明のシラシクロペンタジエン誘導体の多
量体に誘導できる。この反応は、不活性ガス中で行うこ
とが好ましく、窒素あるいはアルゴンガスなどが使われ
る。反応温度は、特に制限はないが、通常、０℃〜室温
程度が好ましい。
【００２９】これらの一連の反応には、特に反応時間に
制限はなく、反応が十分に進行している時点で反応を止
めればよい。ＮＭＲあるいはクロマトグラフィー等の一
般的な分析手段により反応を追跡し、最適の時点で反応
の終点を決定することができる。
制限はなく、反応が十分に進行している時点で反応を止
めればよい。ＮＭＲあるいはクロマトグラフィー等の一
般的な分析手段により反応を追跡し、最適の時点で反応
の終点を決定することができる。
【００３０】置換基の導入方法は、シラシクロペンタジ
エン環の形成前に導入しても良いし、シラシクロペンタ
ジエン環形成後に導入しても良い。
エン環の形成前に導入しても良いし、シラシクロペンタ
ジエン環形成後に導入しても良い。
【００３１】このようにして得られた本発明のシラシク
ロペンタジエン誘導体の多量体に付く置換基としては、
水素、フッ素あるいは塩素等のハロゲン、メチル基、エ
チル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、シクロ
ペンチル基、あるいはターシャリーブチル基のようなア
ルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基あるいはス
チリル基のようなアルケニル基、エチニル基、プロパギ
ル基あるいはフェニルアセチニル基のようなアルキニル
基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基あるい
はターシャリーブトキシ基のようなアルコキシ基、ビニ
ルオキシ基あるいはアリルオキシ基のようなアルケニル
オキシ基、エチニルオキシ基あるいはフェニルアセチル
オキシ基のようなアルキニルオキシ基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基あるいはピレニルオ
キシ基のようなアリールオキシ基、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメトキシ基あるいはペンタフルオロエ
トキシ基のようなパーフルオロ基、ジメチルアミノ基、
ジエチルアミノ基あるいはジフェニルアミノ基のような
アミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルターシャリー
ブチルシリル基、トリメトキシシリル基あるいはトリフ
ェニルシリル基のようなシリル基、フェニル基、ナフチ
ル基、アントラセニル基、ビフェニル基、トルイル基、
ピレニル基、ペリレニル基、アニシル基、ターフェニル
基あるいはフェナンスレニル基等のアリール基、ヒドロ
フリル基、ヒドロピレニル基、ジオキサニル基、チエニ
ル基、フリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル
基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、アクリジニル
基、キノリル基、キノキサロイル基、フェナンスロリル
基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、インドリ
ル基、シラシクロペンタジエニル基あるいはピリジル基
等のヘテロ環等があげられる。さらに、これらの置換基
がお互いに任意の場所で結合して環を形成していても良
い。
ロペンタジエン誘導体の多量体に付く置換基としては、
水素、フッ素あるいは塩素等のハロゲン、メチル基、エ
チル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、シクロ
ペンチル基、あるいはターシャリーブチル基のようなア
ルキル基、ビニル基、アリル基、ブテニル基あるいはス
チリル基のようなアルケニル基、エチニル基、プロパギ
ル基あるいはフェニルアセチニル基のようなアルキニル
基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基あるい
はターシャリーブトキシ基のようなアルコキシ基、ビニ
ルオキシ基あるいはアリルオキシ基のようなアルケニル
オキシ基、エチニルオキシ基あるいはフェニルアセチル
オキシ基のようなアルキニルオキシ基、フェノキシ基、
ナフトキシ基、ビフェニルオキシ基あるいはピレニルオ
キシ基のようなアリールオキシ基、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメトキシ基あるいはペンタフルオロエ
トキシ基のようなパーフルオロ基、ジメチルアミノ基、
ジエチルアミノ基あるいはジフェニルアミノ基のような
アミノ基、トリメチルシリル基、ジメチルターシャリー
ブチルシリル基、トリメトキシシリル基あるいはトリフ
ェニルシリル基のようなシリル基、フェニル基、ナフチ
ル基、アントラセニル基、ビフェニル基、トルイル基、
ピレニル基、ペリレニル基、アニシル基、ターフェニル
基あるいはフェナンスレニル基等のアリール基、ヒドロ
フリル基、ヒドロピレニル基、ジオキサニル基、チエニ
ル基、フリル基、オキサゾリル基、オキサジアゾリル
基、チアゾリル基、チアジアゾリル基、アクリジニル
基、キノリル基、キノキサロイル基、フェナンスロリル
基、ベンゾチエニル基、ベンゾチアゾリル基、インドリ
ル基、シラシクロペンタジエニル基あるいはピリジル基
等のヘテロ環等があげられる。さらに、これらの置換基
がお互いに任意の場所で結合して環を形成していても良
い。
【００３２】本発明のシラシクロペンタジエン誘導体の
多量体は、ケイ素上で直接となりのシラシクロペンタジ
エン環と結合されているために、シラシクロペンタジエ
ン環の特性ばかりでなく、ケイ素−ケイ素結合に特有の
性質も付与されるために、機能性材料等に有効である。
さらに、本発明の製造法によると、シラシクロペンタジ
エン環の２，５位にも種々の置換基が導入できるため、
広範な化合物が合成できる特徴を有する。
多量体は、ケイ素上で直接となりのシラシクロペンタジ
エン環と結合されているために、シラシクロペンタジエ
ン環の特性ばかりでなく、ケイ素−ケイ素結合に特有の
性質も付与されるために、機能性材料等に有効である。
さらに、本発明の製造法によると、シラシクロペンタジ
エン環の２，５位にも種々の置換基が導入できるため、
広範な化合物が合成できる特徴を有する。
【００３３】例えば、繰り返し単位がシラシクロペンタ
ジエン誘導体である下記一般式（１８）で表される多量
体において、ｋが６である下記化学式（１８）で表され
る環状化合物などが挙げられる。
ジエン誘導体である下記一般式（１８）で表される多量
体において、ｋが６である下記化学式（１８）で表され
る環状化合物などが挙げられる。
【００３４】
【化１５】
【００３５】
【実施例】以下に実施例にて本発明を具体的に説明する
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
が、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。
【００３６】（実施例１）上記化学式（７）表される化
合物の合成 アルゴン気流下、１，１’−ジクロロ−２，５−ジメチ
ル−３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン８９．
４ｍｇとリチウム９．４ｍｇの２ｍｌテトラヒドロフラ
ン（以下ＴＨＦと略記する。）溶液を１０℃で１０時間
撹拌した。その後、−７８℃で１−クロロ−１，２，５
−トリメチル−３，４−ジフェニルシラシクロペンタジ
エン１６８ｍｇの３ｍｌＴＨＦ溶液を滴下した。２時間
撹拌後、室温に戻し、反応溶液を濃縮した。これに水を
加え、エーテルにて抽出した。さらに、エーテル層を水
で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥し濃縮した。ヘキ
サンへの再沈殿により精製し、１０１ｍｇの３量体を得
た。収率は４６％で、融点は２１３〜２１５℃であっ
た。得られた化合物のＮＭＲによる測定結果を以下に示
す。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝0.60(s,6H), 1.95
(s,12H), 1.96(s,6H), 6.72-6.89(m,12H), 6.98-7.17
(m,18H).
合物の合成 アルゴン気流下、１，１’−ジクロロ−２，５−ジメチ
ル−３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン８９．
４ｍｇとリチウム９．４ｍｇの２ｍｌテトラヒドロフラ
ン（以下ＴＨＦと略記する。）溶液を１０℃で１０時間
撹拌した。その後、−７８℃で１−クロロ−１，２，５
−トリメチル−３，４−ジフェニルシラシクロペンタジ
エン１６８ｍｇの３ｍｌＴＨＦ溶液を滴下した。２時間
撹拌後、室温に戻し、反応溶液を濃縮した。これに水を
加え、エーテルにて抽出した。さらに、エーテル層を水
で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥し濃縮した。ヘキ
サンへの再沈殿により精製し、１０１ｍｇの３量体を得
た。収率は４６％で、融点は２１３〜２１５℃であっ
た。得られた化合物のＮＭＲによる測定結果を以下に示
す。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝0.60(s,6H), 1.95
(s,12H), 1.96(s,6H), 6.72-6.89(m,12H), 6.98-7.17
(m,18H).
【００３７】（実施例２）上記化学式（８）で表される
化合物の合成 窒素気流下、１，１’−ジクロロ−２，５−ジメチル−
３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン３４６ｍｇ
の８ｍｌＴＨＦ溶液に室温でナトリウム７２．２ｍｇを
添加した。３８時間撹拌後、−７８℃で１−クロロ−
１’，２，５−トリメチル−３，４−ジフェニルシラシ
クロペンタジエン４６６ｍｇの５ｍｌＴＨＦ溶液を滴下
した。３時間撹拌後、反応溶液を濃縮した。これに水を
加え、エーテルにて抽出した。さらに、エーテル層を水
で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥し濃縮した。ヘキ
サンを加え析出した沈殿をゲルパーミエイションクロマ
トグラフィーにより精製し、１０９ｍｇの４量体を得
た。収率は２０％で、融点は１５３〜１５５℃であっ
た。得られた化合物のＮＭＲによる測定結果を以下に示
す。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝0.63(s,6H), 1.90
(s,12H), 2.11(s,12H), 6.68-6.89(m,16H), 6.97-7.17
(m,24H).
化合物の合成 窒素気流下、１，１’−ジクロロ−２，５−ジメチル−
３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン３４６ｍｇ
の８ｍｌＴＨＦ溶液に室温でナトリウム７２．２ｍｇを
添加した。３８時間撹拌後、−７８℃で１−クロロ−
１’，２，５−トリメチル−３，４−ジフェニルシラシ
クロペンタジエン４６６ｍｇの５ｍｌＴＨＦ溶液を滴下
した。３時間撹拌後、反応溶液を濃縮した。これに水を
加え、エーテルにて抽出した。さらに、エーテル層を水
で洗浄後、硫酸マグネシウムにて乾燥し濃縮した。ヘキ
サンを加え析出した沈殿をゲルパーミエイションクロマ
トグラフィーにより精製し、１０９ｍｇの４量体を得
た。収率は２０％で、融点は１５３〜１５５℃であっ
た。得られた化合物のＮＭＲによる測定結果を以下に示
す。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝0.63(s,6H), 1.90
(s,12H), 2.11(s,12H), 6.68-6.89(m,16H), 6.97-7.17
(m,24H).
【００３８】（実施例３）上記化学式（６）で表される
化合物の合成 アルゴン気流下、１−クロロ−１，２，５−トリメチル
−３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン４６６ｍ
ｇとリチウム１０．４ｍｇの６ｍｌＴＨＦ溶液を室温で
１５時間撹拌した。その後、これに水を加え、ヘキサン
にて抽出した。さらに、ヘキサン層を水で洗浄後、硫酸
マグネシウムにて乾燥し濃縮した。濃縮物をゲルパーミ
エイションクロマトグラフィーにより精製し、１０８ｍ
ｇの２量体を得た。収率は２６％で、融点は１７８〜１
８０℃であった。得られた化合物のＮＭＲによる測定結
果を以下に示す。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝0.52
(s,6H), 1.90(s,12H), 6.71-6.86(m,8H), 6.94-7.15(m,
12H).
化合物の合成 アルゴン気流下、１−クロロ−１，２，５−トリメチル
−３，４−ジフェニルシラシクロペンタジエン４６６ｍ
ｇとリチウム１０．４ｍｇの６ｍｌＴＨＦ溶液を室温で
１５時間撹拌した。その後、これに水を加え、ヘキサン
にて抽出した。さらに、ヘキサン層を水で洗浄後、硫酸
マグネシウムにて乾燥し濃縮した。濃縮物をゲルパーミ
エイションクロマトグラフィーにより精製し、１０８ｍ
ｇの２量体を得た。収率は２６％で、融点は１７８〜１
８０℃であった。得られた化合物のＮＭＲによる測定結
果を以下に示す。1Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ3）δ＝0.52
(s,6H), 1.90(s,12H), 6.71-6.86(m,8H), 6.94-7.15(m,
12H).
【００３９】（実施例４）上記一般式（１８）で表され
る多量体、および上記化学式（１９）表される環状化合
物の合成 窒素気流下、１，１’−ジクロロ−２，５−ジメチル−
３，４−ビス（エチルフェニル）シラシクロペンタジエ
ン２２３ｍｇとリチウム８ｍｇの３ｍｌＴＨＦ溶液を−
２０℃で１０時間攪拌した。次いで、１００ｍｌのメタ
ノールに反応混合物を加え、沈殿物をろ過した。この沈
殿物を水およびメタノールで洗浄した。再度、沈殿物を
ＴＨＦに溶かし、１００ｍｌのイソプロパノールに滴下
し再沈殿させた。ろ過後、一般式（１８）で表される目
的の多量体１１０ｍｇを得た。この多量体の分子量はゲ
ルパーミエイションクロマトグラフィーから、Ｍｎ=４
６００、Ｍｗ=６４００であった。また、ろ液を濃縮
後、酢酸エチルにて再結晶を行った。化学式（１９）で
表される目的の環状化合物１４ｍｇを得た。得られた化
合物のＮＭＲによる測定結果を以下に示す。1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｌ3）δ＝1.14(t,36H), 2.12(s,36H), 2.53
(q,24H), 6.69(d,24H), 6.91(d,24H).
る多量体、および上記化学式（１９）表される環状化合
物の合成 窒素気流下、１，１’−ジクロロ−２，５−ジメチル−
３，４−ビス（エチルフェニル）シラシクロペンタジエ
ン２２３ｍｇとリチウム８ｍｇの３ｍｌＴＨＦ溶液を−
２０℃で１０時間攪拌した。次いで、１００ｍｌのメタ
ノールに反応混合物を加え、沈殿物をろ過した。この沈
殿物を水およびメタノールで洗浄した。再度、沈殿物を
ＴＨＦに溶かし、１００ｍｌのイソプロパノールに滴下
し再沈殿させた。ろ過後、一般式（１８）で表される目
的の多量体１１０ｍｇを得た。この多量体の分子量はゲ
ルパーミエイションクロマトグラフィーから、Ｍｎ=４
６００、Ｍｗ=６４００であった。また、ろ液を濃縮
後、酢酸エチルにて再結晶を行った。化学式（１９）で
表される目的の環状化合物１４ｍｇを得た。得られた化
合物のＮＭＲによる測定結果を以下に示す。1Ｈ−ＮＭ
Ｒ（ＣＤＣｌ3）δ＝1.14(t,36H), 2.12(s,36H), 2.53
(q,24H), 6.69(d,24H), 6.91(d,24H).
【００４０】
【発明の効果】本発明のシラシクロペンタジエン誘導体
の多量体は、ケイ素上で直接結合しているために、シラ
シクロペンタジエン環の持つ特性ばかりでなく、ケイ素
−ケイ素結合に由来する特性も有するために、非線形光
学材料、導電性材料、有機ＥＬ素子あるいは電子写真な
どの光電子機能材料あるいはその原料として有用であ
る。
の多量体は、ケイ素上で直接結合しているために、シラ
シクロペンタジエン環の持つ特性ばかりでなく、ケイ素
−ケイ素結合に由来する特性も有するために、非線形光
学材料、導電性材料、有機ＥＬ素子あるいは電子写真な
どの光電子機能材料あるいはその原料として有用であ
る。
Claims (5)
- 【請求項１】 繰り返し単位がシラシクロペンタジエン
誘導体である下記一般式（１）で表される多量体。 【化１】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、置換もしくは無置換のアルキル基、パーフルオロア
ルキル基、シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケ
ニル基、アルキニル基またはシアノ基を示し、Ｒ2及び
Ｒ3は、置換もしくは無置換のアルキル基、アリール
基、またはヘテロ環基を示し、ｋは２から１００００の
整数を示すが、Ｒ1及びＲ4が、フェニル基の場合、ｋは
３から１００００の整数を示す］ - 【請求項２】 繰り返し単位がシラシクロペンタジエン
誘導体である下記一般式（２）で表される多量体。 【化２】 ［式中、Ｒ1 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ8 、Ｒ9 、及びＲ12は、それぞれ独
立に水素、ハロゲン、置換もしくは無置換のアルキル
基、パーフルオロアルキル基、シリル基、アリール基、
ヘテロ環基、アルケニル基、アルキニル基またはシアノ
基を示し、Ｒ2 、Ｒ3 、Ｒ6 、Ｒ7 、Ｒ10 、及びＲ11は、置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基またはヘテロ環
基を示し、Ｘ1及びＹ1は、それぞれ独立に水素、ハロゲ
ン、置換もしくは無置換のアルキル基、アルコキシ基、
シリル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、ア
ルキニル基、アミノ基またはＸ1とＹ1が結合したものを
示し、ｍは０から８の整数を示すが、Ｒ1 、Ｒ4 、Ｒ5 、Ｒ8 、
Ｒ9 、及びＲ12が、フェニル基の場合、ｍは１から８の整
数を示す］ - 【請求項３】 繰り返し単位がシラシクロペンタジエン
誘導体である下記一般式（３）で表される多量体。 【化３】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、置換もし
くは無置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シ
リル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基またはシアノ基を示し、Ｒ2及びＲ3は、置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基、またはヘテロ
環基を示し、Ｘ1及びＹ1は、アルカリ金属を示し、ｎは
２から１００００の整数を示すが、Ｒ1及びＲ4が、フェ
ニル基の場合、ｎは３から１００００の整数を示す］ - 【請求項４】 下記一般式（４）で表されるシラシクロ
ペンタジエン誘導体にアルカリ金属を反応させることを
特徴とする繰り返し単位がシラシクロペンタジエン誘導
体である上記一般式（３）で表される多量体の製造方
法。 【化４】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、置換もし
くは無置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シ
リル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基、またはシアノ基を示し、Ｒ2及びＲ3は、置換
もしくは無置換のアルキル基、アリール基、またはヘテ
ロ環基を示す］ - 【請求項５】 上記一般式（３）で表される化合物に、
下記一般式（５）で表される化合物を反応させることを
特徴とする請求項２記載の多量体の製造方法。 【化５】 ［式中、Ｒ1及びＲ4は、それぞれ独立に水素、置換もし
くは無置換のアルキル基、パーフルオロアルキル基、シ
リル基、アリール基、ヘテロ環基、アルケニル基、アル
キニル基またはシアノ基を示し、Ｒ2及びＲ3は、置換も
しくは無置換のアルキル基、アリール基、またはヘテロ
環基を示し、Ｘ1は、水素、置換もしくは無置換のアル
キル基、アルコキシ基、シリル基、アリール基、ヘテロ
環基、アルケニル基、アルキニル基、またはアミノ基を
示す］
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03544198A JP4135205B2 (ja) | 1997-03-11 | 1998-02-02 | シラシクロペンタジエン誘導体の多量体 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-74501 | 1997-03-11 | ||
| JP7450197 | 1997-03-11 | ||
| JP03544198A JP4135205B2 (ja) | 1997-03-11 | 1998-02-02 | シラシクロペンタジエン誘導体の多量体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10310590A true JPH10310590A (ja) | 1998-11-24 |
| JP4135205B2 JP4135205B2 (ja) | 2008-08-20 |
Family
ID=26374428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03544198A Expired - Fee Related JP4135205B2 (ja) | 1997-03-11 | 1998-02-02 | シラシクロペンタジエン誘導体の多量体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4135205B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100837219B1 (ko) | 2006-07-31 | 2008-06-11 | 조선대학교산학협력단 | Ｌｅｄ용 전자발광소재 및 그의 발광효율 증진방법 |
-
1998
- 1998-02-02 JP JP03544198A patent/JP4135205B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100837219B1 (ko) | 2006-07-31 | 2008-06-11 | 조선대학교산학협력단 | Ｌｅｄ용 전자발광소재 및 그의 발광효율 증진방법 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4135205B2 (ja) | 2008-08-20 |
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