JPH10308118A

JPH10308118A - 導電性ペースト、それを用いたセラミックス構造物及びその製造方法

Info

Publication number: JPH10308118A
Application number: JP11852297A
Authority: JP
Inventors: Tatsuji Sano; 達二佐野
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1997-05-08
Filing date: 1997-05-08
Publication date: 1998-11-17
Anticipated expiration: 2017-05-08
Also published as: JP3862042B2

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、導体とセラミックスとが同時焼成さ
れ一体化したインダクタ、コンデンサ、共振器、回路配
線基板等のセラミックス構造物に関し、特に焼成時に内
部導体の空孔及びクラックの発生を抑える導体ペース
ト、セラミックス構造物及びその製造方法を提供するも
のである。【解決手段】銀又は銀を主成分とする粉末と焼結抑制剤
とを有機ビヒクルに分散してなる導電性ペーストにおい
て、上記銀又は銀を主成分とする粉末はその平均粒径が
１．１μｍ〜１３μｍであり、標準偏差が平均粒径の３
０％以下であることを特徴とする導電性ペースト。ま
た、上記平均粒径であって、０．７μｍ未満の微粒子の
含有率が２０％未満であることを特徴とする導電性ペー
スト。更には前記導電性ペーストとセラミックス材料と
を同時焼成したセラミックス構造体である。特に、セラ
ミックス材料が鉛系ペロブスカイト型誘電体である場合
に顕著な効果がある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、導体とセラミック
スが同時焼成され一体化したインダクタ、コンデンサ、
共振器、回路配線基板等のセラミックス構造物に関し、
特に焼成時に内部導体の空孔及びクラックの発生を抑え
る導体ペースト、セラミックス構造物及びその製造方法
に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、電気機器の小型化、高性能化を目
的として、セラミックスと導体とを一体化してなるイン
ダクタ、コンデンサ、共振器、回路配線基板等が開発さ
れている。そして、導体は安価なこと及び抵抗率が低い
こと等から銀又は銀を主成分とする金属が多く用いられ
ている。

【０００３】これらの電子部品は、導体とセラミックス
を同時焼成することにより得られる。即ち、セラミック
ス粉末と有機ビヒクルとを混合して得られたセラミック
スペーストをシート法、印刷法等の手段でグリーン成形
体を作製し、該グリーン成形体に導体粉末と有機ビヒク
ルとを混合して得られた導体ペーストを印刷し、積層、
圧着、切断後、焼成し、外部電極等を形成することによ
り作製される。

【０００４】ここで、上記のように銀又は銀を主成分と
する金属とセラミックスとを同時焼成するためには、セ
ラミックス材料は少なくとも銀の融点付近以下、即ち９
６０℃以下で焼結できる必要がある。このようなセラミ
ックス材料には鉛系ペロプスカイト型誘電体又はガラス
セラミックス等が用いられ、例えば、移動体通信等の高
周波領域で使用される共振器には、誘電率が高く信頼性
も高いことから、鉛、タングステン、ニオブ等を含む鉛
系ペロプスカイト型誘電体が用いられている。

【０００５】ところで、通常、銀又は銀を主成分とする
金属とセラミックスとを同時焼成する場合に以下の問題
が生ずる。

【０００６】第一に、通常は導体を構成するべく焼成前
の金属は、各々の粒子の大きさ、即ち表面活性が異なる
ために、その焼結の進行が不均一となり、焼結後の導体
中に空孔（開孔及び閉孔）を生じる。これは、導体の抵
抗を上げることになり、高周波で使用されるようなフィ
ルタ等のＱ値を下げることになる。また、リフローはん
だ付け時にポッピング現象を引き起こし、信頼性、電気
特性等に影響することとなる。

【０００７】第二に、銀又は銀を主成分とする金属とセ
ラミックスとは焼結に伴う体積収縮又は線膨張係数が異
なるので、昇温又は降温過程においてこれらの界面に発
生する応力によりクラックや剥離（デラミネーション）
が発生する。これは、信頼性、電気特性、歩留まり等に
影響し、場合によっては上記と同様にリフローはんだ付
け時にポッピング現象を引き起こすこととなる。

【０００８】ここでポッピング現象とは、製造時のメッ
キ工程において素子をメッキ液に浸漬するときに空孔や
クラックに侵入したメッキ液が、ハンダリフロー炉に通
炉することにより沸騰し部品が破裂する現象をいう。

【０００９】従来は、以上のような問題を解決するため
に、導体材料の平均粒径を制御したり、導体材料に焼結
抑制剤を添加する等の試みがなされてきた。例えば、特
開平７−８５７２０号公報には、ガラス成分を含有する
アルミナ等のセラミックス製回路基板における配線形成
用導体ペーストとして平均粒径３μｍ以上の銀粒子及び
焼成により無機酸化物を生成するレジネートを含有する
導体ペーストについての記載がある。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ように銀又は銀を主成分とする導体は、従来のように導
体材料の平均粒径を制御したり焼結抑制剤を添加して
も、同時焼成するセラミックス材料の構成元素によって
は、上記問題を解決できないものも多数存在する。例え
ば、上記に示したような鉛系ペロブスカイト型の誘電体
である。

【００１１】そこで本発明は、銀又銀を主成分とする導
体とセラミックスとを同時焼成し一体化したインダク
タ、コンデンサ、共振器、回路配線基板等のセラミック
ス構造物、特に鉛系ペロブスカイト型誘電体と一体化し
たセラミックス構造物において、焼成時に導体の空孔及
びクラックの発生を抑える導体ペースト、セラミックス
構造物及びその製造方法を提供するものである。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明者は、焼結抑制剤
を含む導体材料とセラミックス材料とを同時焼成した場
合の相互の反応及び導体材料の粒径等ついての鋭意研究
を重ねた結果、平均粒径等の制御及び焼結抑制剤の選択
等により上記問題が解決できることを見いだし、この知
見に基づいて本発明をなすに至った。

【００１３】ここで、焼結抑制剤を含む導体材料とセラ
ミックス材料とを同時焼成した場合の相互の反応につい
て明らかにする。

【００１４】一般的に焼結抑制剤の効果の発現機構は、
特開平７−１７６２０９号公報に示されるような、いわ
ゆる、ピンニング効果によるものと考えられる。かかる
ピンニング効果とは、銀に対する固溶度が極めて小さい
又は融点の高い金属が銀焼結体に析出し、銀がセラミッ
クス中へ拡散するのを抑えると同時に、銀の粒成長を抑
えることにより焼結温度を高温側にシフトさせることで
ある。そしてこの効果により導体の体積収縮が少なく、
空孔及びクラックの発生を抑えることができる。

【００１５】ところが、例えばＰｂ、Ｗ、Ｎｂ、Ｇｅ等
の酸化物を含む鉛系ペロブスカイト型のセラミックス材
料と焼結抑制剤を添加した銀又は銀を主成分とする金属
とを同時焼成した場合に、以下の理由によりその添加効
果が低下する。

【００１６】まず、J.Mater.res.Vol.10,No.11(1995)p2
933には、ＰｂＯはＡｇと共融化合物を形成し８２５℃
の共融点を持ち、それ以上の温度ではＰｂＯとＡｇとか
らなる液相が存在することを報告している。

【００１７】また、Ｗの酸化物が酸素の存在下で昇温さ
れるとき、Ａｇとの間で約６０５℃付近に融点を持つＡ
ｇＷＯ₄を生じることは古くから知られている。

【００１８】更に、酸化ニオブ又は酸化ゲルマニウム
（hexagonal）がＡｇ粉末と共に昇温するとＡｇが４０
０℃付近から酸化していくことを突き止めた。

【００１９】そして、金属銀との間でこのような反応を
示す金属酸化物、つまり、９６０℃以下の比較的低い温
度で銀との間に共融点を有する金属酸化物、３００℃以
上の温度でも金属銀表面を酸化する金属酸化物又は３０
０℃以上の温度でも金属銀表面を酸化して、かつ当該酸
化銀と低温で溶融する金属酸化物が存在すると、たとえ
焼結抑制剤が存在しても、上記のような反応が始まる温
度以上では焼結抑制剤の効果が十分に得られない。

【００２０】つまり、金属表面に析出した焼結抑制効果
のある金属が上記反応の際に押しのけられたり、共融化
合物等に取り込まれることにより焼結抑制剤として作用
することができず、金属銀粉末同士が直接に接触しやす
くなり、金属粉のネック形成がはじまり焼結開始温度が
低温側にシフトすると考えられる。

【００２１】本発明者は以上のことに鑑み、平均粒径等
の制御及び焼結抑制剤の選択等により上記問題が解決で
きることを見いだした。

【００２２】具体的には、上記課題は下記（１）〜
（９）の構成により解決できる。

【００２３】（１）銀又は銀を主成分とする粉末と焼結
抑制剤とを有機ビヒクルに分散してなる導電性ペースト
において、上記銀又は銀を主成分とする粉末はその平均
粒径が１．１μｍ〜１３μｍであり、標準偏差が平均粒
径の３０％以下であることを特徴とする導電性ペース
ト。

【００２４】（２）銀又は銀を主成分とする粉末と焼結
抑制剤とを有機ビヒクルに分散してなる導電性ペースト
において、上記銀又は銀を主成分とする粉末はその平均
粒径が１．１μｍ〜１３μｍであり、０．７μｍ未満の
微粒子の含有率が２０％未満であることを特徴とする導
電性ペースト。

【００２５】（３）上記導電性ペーストにおいて、上記
焼結抑制剤がアルミニウムを含む有機金属錯体であるこ
とを特徴とする（１）又は（２）の何れかに記載の導電
性ペースト。

【００２６】（４）導体とセラミックスとを有するセラ
ミックス構造物において、該導体は（１）〜（３）の何
れかに記載の導体ペーストを用いて形成してなることを
特徴とするセラミックス構造物。

【００２７】（５）上記のセラミックス構造物におい
て、上記セラミックスは９６０℃以下で銀と共融する金
属酸化物を含むことを特徴とする（４）に記載のセラミ
ックス構造物。

【００２８】（６）上記のセラミックス構造物におい
て、上記セラミックスは３００℃〜９６０℃で金属銀を
酸化する金属酸化物を含むことを特徴とする（４）又は
（５）の何れかに記載のセラミックス構造物。

【００２９】（７）上記のセラミックス構造物におい
て、上記セラミックスは３００℃〜９６０℃で金属銀を
酸化し、酸化した銀と９６０℃以下で共融する金属酸化
物を含むことを特徴とする（４）〜（６）の何れかに記
載のセラミックス構造物。

【００３０】（８）（４）に記載のセラミックス構造物
において、上記セラミックスは鉛、ニオブ、タングステ
ンのうち少なくとも一種類の金属酸化物を含むことを特
徴とするセラミックス構造物。

【００３１】（９）上記導体ペーストと上記セラミック
スとを９６０℃以下で同時焼成したことを特徴とする
（４）〜（８）に記載のセラミックス構造物の製造方
法。

【００３２】

【発明の実施の形態】

（導体ペースト）本発明に係る導体ペーストは、銀又は
銀を主成分とする粉末と焼結抑制剤とを有機ビヒクルに
分散してなるものであり、銀又は銀を主成分とする粉末
はその平均粒径が１．１μｍ〜１３μｍ、好ましくは
１．３〜７μｍであり、標準偏差が３０％以下、好まし
くは２０％以下である。平均粒径が小さすぎると金属粒
子表面の活性が大きい粒子が増えるために、焼結が不規
則に進行して導体中の空孔が多くなるからである。ま
た、平均粒径が小さくなると粒子の表面積が大きくなる
ことから、ペースト化の際に必要とする有機バインダの
量が多くなり焼成時の収縮が大きくなる問題も生じる。
一方、平均粒径が大きすぎるとスクリーン印刷時の作業
性が悪くなる。

【００３３】また、標準偏差は小さいほど各金属粒子表
面の活性のばらつきが少なくなり、焼結が均一に進み空
孔の発生を抑えることができる。

【００３４】従って、微小粒子の割合が少ないほど空孔
の発生を抑えることができるため、銀又は銀を主成分と
する粉末の平均粒径を１．１μｍ〜１３μｍ、好ましく
は１．３〜７μｍにして、更に０．７μｍ以下の微粒子
の含有率を２０％未満、好ましくは１０％以下、更に好
ましくは３％以下としても空孔の発生を抑えることがで
きる。

【００３５】上記銀を主成分とする粉末は、銀を主体に
する金属であれば特に制限はないが、例えば、銀−パラ
ジウム、銀−金、銀−白金、銀−銅等の金属粉末を使用
することができる。導体の比抵抗を低く抑えたい場合は
銀の割合を９０ｗｔ％以上とすることが好ましい。

【００３６】焼結抑制剤は、その焼成過程において、上
記問題となるセラミックス材料の金属酸化物が焼成時に
導体中に拡散する温度よりも低温領域において焼結を抑
制する効果があり、例えば、ロジウム等の貴金属類の微
粉、シリカ、チタニア、ジルコニア、アルミナ等の各種
酸化物の微粉、昇温時にこれら貴金属類や各種酸化物を
形成する有機金属錯体等が挙げられる。

【００３７】ここで有機金属錯体とは、有機化合物が中
心金属に配位して結合したものである。有機化合物とし
ては単座配位子や多座配位子がある。直接金属に配位す
る有機化合物の部位としては、Ｏ、Ｓ、Ｎ又はＰ等が一
般的である。例えば、金属キレート、金属レジネート、
アルコレート、カップリング剤等種々のものが種々の名
前で存在している。

【００３８】以上のような通常用いられている焼結抑制
剤であれば何れも使用することができるが、少量でも効
果が高いという点では、貴金属類や酸化物の微粉より有
機金属錯体が好ましく、中でもコストや効果の点からア
ルミニウム系の有機金属錯体を用いることがより好まし
い。

【００３９】焼結抑制剤の含有量は、種々の条件、例え
ば導体材料の粒径、導体材料の比表面積、セラミックス
の組成、熱処理方法、また有機金属錯体を用いる場合は
配位子の種類等により適宜決定すればよいが、金属酸化
物の微粉や熱処理により金属酸化物を形成する有機金属
錯体を用いる場合には、導体の比抵抗に影響するために
少ないほど好ましい。例えば、アルミニウム系の有機金
属錯体の場合は熱処理により生成するＡｌ₂Ｏ₃換算で
０．００５ｗｔ％〜７ｗｔ％、好ましくは０．０１５ｗ
ｔ％〜２ｗｔ％程度である。この含有量が少なすぎると
添加効果が現れない。一方、含有量が多すぎると上記の
ように導体の比抵抗が大きくなり、また有機金属錯体は
その配位子の占める体積の割合が大きいために、その含
有量が多いと熱処理後の導体の縮率が大きくなりクラッ
ク等を発生させやすくなる。

【００４０】本発明に係る導体ペーストの製造方法は、
一般的な製造方法により作製される。即ち、上記粒径に
制御された銀又は銀を主成分とする金属粉末に所定量の
上記焼結抑制剤と所定量の有機ビヒクルとを加えて、三
本ロールミル、ボールミル等により混練する。

【００４１】ここで、有機ビヒクルは有機バインダ及び
溶剤を含有し、有機バインダは、例えばアクリル樹脂、
エチルセルロース、ブチラール樹脂等の公知のものはい
ずれも使用可能でありその含有量は１〜１０ｗｔ％程度
である。溶剤は、例えばテルピネオール、ブチルカルビ
トール、ケロシン等公知のものは何れも使用でき、その
含有量は２２〜５５ｗｔ％程度である。また、必要に応
じて上記の他に総計１０ｗｔ％程度以下の範囲で添加剤
として、例えばソルビタン脂肪酸エステル、グリセリン
脂肪酸エステル等の分散剤や、例えばジオクチルフタレ
ート、ジブチルフタレート、ジブチルフタリルグリコー
ル酸ブチル等の可塑剤等を添加してもよい。但し、本発
明に係る導体ペーストはガラスフリットを含まない。ガ
ラスフリットが存在すると焼成時にセラミックス材料か
ら拡散した成分が当該ガラスフリットと反応して、より
融点の低いガラスとなり、ガラスの粘度が著しく低くな
り導体とセラミックスの間やセラミックス中に移動して
導体中に空孔を形成しやすくなると同時に、移動した低
融点のガラスが異相を形成することにより電気的又は機
械的特性を著しく劣化させるためである。

【００４２】（セラミックス材料）上記本発明に係る導
体ペーストと同時焼成するセラミックス材料は、一般に
銀の融点以下で焼成できるセラミックス材料であれば特
に限定はない。例えば、鉛系ペロプスカイト型誘電体、
ガラスセラミックス等が挙げられる。

【００４３】しかしながら本発明に係る導体ペースト
は、特に従来の導体ペーストではクラックや導体中の空
孔の発生を抑えることが困難であっ鉛系ペロプスカイト
型誘電体をセラミックス材料として用いた場合でもクラ
ックや導体中の空孔の発生を抑えることができる。更に
は、上記のようにＰｂ、Ｗ、Ｎｂ、Ｇｅを含む場合、換
言すれば、９６０℃以下で銀と共融する金属酸化物、６
００℃〜９６０℃で金属銀を酸化する金属酸化物又は６
００℃〜９６０℃で金属銀を酸化し、酸化した銀と９６
０℃以下で共融する金属酸化物のうち何れかを含むセラ
ミックス材料の場合に顕著な効果が現れる。

【００４４】（製造方法）本発明に係るセラミックス構
造物の製造方法について、積層型誘電体共振器を例に挙
げて詳説する。

【００４５】セラミックス粉末を、例えば磁器製のボー
ルミルポット等を用いて有機ビヒクル等と混合する。こ
の混合方法は通常用いられる方法であればどのような方
法でも良く、十分混合して各成分が均一に分散されれば
よい。更に、用いる有機ビヒクル等についても、通常用
いられるものであれば特に限定はなく、例えば有機バイ
ンダーとしては、アクリル系樹脂、ポリビニルブチラー
ル（ＰＶＢ）、エチルセルロースなどを単独または２種
類以上を、通常セラミックス粉末１００重量部に対して
７〜２０重量部程度添加すればよい。

【００４６】また、溶剤としては例えばメタノール、エ
タノール、プロパノール、ブタノール等のアルコール
類、トルエン、キシレン、メチルエチルケトン、アセト
ン等を単独または２種類以上を、通常セラミックス粉末
１００重量部に対して４０〜６０重量部程度添加すれば
よい。

【００４７】また、可塑剤としては例えばジエチルフタ
レート（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジ
オクチルフタレート（ＤＯＰ）、ｎ−ブチルフタリルｎ
−ブチルグリコラート（ＢＰＢＧ）などを単独または２
種類以上を、通常セラミックス粉末１００重量部に対し
て３〜７重量部程度添加すればよい。

【００４８】その他、通常このような目的で用いられる
有機ビヒクル等の添加物に制限はなく、必要に応じて使
用することができる。

【００４９】このようにして有機ビヒクル等とともにボ
ールミル等により均一に混合したセラミックス粉末のス
ラリーを、目的に応じて所定の厚さをもつグリーンシー
トに成形する。更に、成形したグリーンシートに上記導
体ペーストを用いて、所定の形状に電極を形成した上で
所定の電極構成となるように積層し、所定の大きさに切
断する。グリーンシート成形法、回路の形成方法及び積
層方法については特に制限はなく、通常用いられる方法
であればどのような方法でも良く、例えばドクターブレ
ード法等によりグリーンシートを成形し、スクリーン印
刷法等により電極を成形して圧着して積層すればよい。

【００５０】つづいて、上記積層体は、５００℃〜７０
０℃、３〜８時間程度で脱脂し、８００℃〜９６０℃程
度の温度で通常１５分〜５時間程度焼成すればよい。焼
成温度がこの範囲より高すぎると、導体材料が拡散し、
低すぎると得られた基板の焼結密度が低くなり好ましく
ない。

【００５１】更に、焼成後の積層体はその表面に電極ペ
ーストを塗布又は印刷し焼き付けることにより外部電極
（接地電極及び信号電極）が形成され、必要に応じてメ
ッキが施される。

【００５２】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示す。

【００５３】実施例としては、セラミックス構造物の例
として図１に示すような積層型誘電体共振器（トリプレ
ート型共振器）を作製して評価を行った。

【００５４】（試料）導体ペーストは表１に示す試料Ｎ
ｏ．１〜８の金属粉末原料に焼結抑制剤として有機金属
錯体（商品名：プレンアクトＡＬ−Ｍ（味の素ｋｋ
製））を所定量加え、更にアクリル系樹脂及びα−テル
ピネオールを所望量加えて作製した。

【００５５】ここで、金属粉末原料の平均粒径及び０．
７μｍ未満の微粒子の割合は走査型電子顕微鏡（ＳＥ
Ｍ）から画像解析ファイルシステムＩＰ−１０００（旭
化成製）を用いて求めた。

【００５６】また、導体ペーストの粘度は印刷性に影響
し、この粘度は金属粉末原料の平均粒径等により変化す
るために、アクリル樹脂及びα−テルピネオールの添加
量は当該導体ペーストが最適粘度となるように調整して
添加した。

【００５７】セラミックス材料としては、Ｐｂ_0.47Ｃａ
_0.53Ｗ_0.07Ｆｅ_0.53Ｎｂ_0.40Ｏ₃からなる複合ペロブス
カイト１００重量部にＰｂ₅Ｇｅ₃Ｏ₁₁を３重量部を添加
してなる誘電体を用いて、この粉末にアクリル系樹脂及
び溶剤を加え混合しスラリーを作製しドクターブレード
法により１１５μｍ程度のセラミックスグリーンシート
を得た。

【００５８】ついで、上記セラミックスグリーンシート
上に上記導体ペーストを所定の形状にスクリーン印刷法
により印刷して、図１に示すトリプレート型の共振器と
なるように所定の枚数のセラミックスグリーンシート及
び導体が印刷されたセラミックスグリーンシートを積層
し圧着し切断してグリーンチップ体を得た。そして、当
該グリーンチップ体を６００℃、５時間、大気中で脱脂
して、その後９３０℃、３時間、大気中で焼成し４．１
ｍｍ×３．３ｍｍ×１．５ｍｍの焼結体を得た。

【００５９】また、比較例として導体ペーストに用いる
金属粉末の０．７μｍ以下の粒子の割合が２０％（試料
Ｎｏ．９）及び９５％（試料Ｎｏ．１０）の焼結体（セ
ラミックス構造物）も作製した。なお表1に示すように
金属材料の平均粒径が１３．３μｍ（試料Ｎｏ．１１）
の導線性ペーストも作製したが、印刷が困難であり、焼
成後にクラック等が発生した。

【００６０】（評価及び結果）上記焼結体を側面方向か
ら研磨して導体を露出させエッチングによって導体層の
状態を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）により観察して、断
面積中の空孔の割合から導体の緻密性を評価した。更
に、図１に示すように上記焼結体の外面にＡｇペースト
を印刷し焼き付けることにより接地電極を形成し（一端
面以外はメタライズされている）マイクロストリップラ
インの共振器を作製して無負荷Ｑ値を測定した。測定は
λ／４波長共振器法で約１．９ＧＨｚのＴＥＭモードの
共振周波数におけるＱ値をインピーダンスアナライザ
（ヒューレット・パッカード社製）より測定して求め
た。

【００６１】表１に評価結果を示す。

【００６２】

【表１】

【００６３】これより、本発明に係る導体ペースト又は
セラミックス構造体の効果は明らかである。

【００６４】すなわち、本発明に係る導体ペーストを用
いた積層型誘電体共振器は、内部導体の緻密性が高く
（換言すれば空孔が少なく）共振器の無負荷Ｑ値も高く
良好な電気特性の素子が得られた。また、導体の緻密性
が高いことより信頼性が高く、リフローハンダ付け時の
ポッピング現象が発生しにくいことが示唆される。

【００６５】特に、金属粉末の平均粒径が１．３〜７μ
ｍであって、標準偏差が２０％以下又は金属粉末中の
０．７μｍ以下の粒子の割合が３ｗｔ％以下のものが、
導体の緻密性及び共振器の無負荷Ｑ値について良好な結
果が得られた。

【００６６】ここで、試料Ｎｏ．１〜１０のものは焼成
後のクラック、デラミネーションは発生しなかった。ま
た、試料Ｎｏ．１１のものは上記のように焼成後にクラ
ックが発生したために、導体の緻密性及び共振器の無負
荷Ｑ値は評価できなかった。

【００６７】本実施例においては積層型誘電体共振器に
ついて示したが、上記のように銀又は銀を主成分とする
金属と反応するような金属酸化物を含むセラミックスと
同時焼成するものであれば、例えば、インダクタ、コン
デンサ、回路配線基板等の電子部品に限らずさまざまな
ものに用いても同様に空孔、クラック等の発生が抑えら
れることは言うまでもない。

【００６８】一例を挙げるなら、鉛等を含むセラミック
ス材料を用いた場合銀又は銀を主成分とする導体材料と
セラミックスを同時焼成場合に顕著な効果があることか
ら、鉛系の超伝導体等にも用いることができる。

【００６９】

【発明の効果】本発明に係る導体ペースト、それを用い
たセラミックス構造物及びその製造方法は、銀又銀を主
成分とする導体とセラミックスとを同時焼成し一体化す
る場合に内部導体の空孔及びクラックの発生を抑えるこ
とができ、リフローハンダ付け時のポッピング現象の発
生を抑えることができる。また、信頼性、電気的諸特性
の良好な素子を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】積層型誘電体共振器（トリプレート型共振器）
の斜視図である。

【符号の説明】

１；内部導体２；セラミックス３；接地電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】銀又は銀を主成分とする粉末と焼結抑制剤
とを有機ビヒクルに分散してなる導電性ペーストにおい
て、上記銀又は銀を主成分とする粉末はその平均粒径が
１．１μｍ〜１３μｍであり、標準偏差が平均粒径の３
０％以下であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】銀又は銀を主成分とする粉末と焼結抑制剤
とを有機ビヒクルに分散してなる導電性ペーストにおい
て、上記銀又は銀を主成分とする粉末はその平均粒径が
１．１μｍ〜１３μｍであり、０．７μｍ未満の微粒子
の含有率が２０％未満であることを特徴とする導電性ペ
ースト。
【請求項３】上記導電性ペーストにおいて、上記焼結抑
制剤がアルミニウムを含む有機金属錯体であることを特
徴とする請求項１又は２の何れかに記載の導電性ペース
ト。
【請求項４】導体とセラミックスとを有するセラミック
ス構造物において、該導体は請求項１〜３の何れかに記
載の導体ペーストを用いて形成してなることを特徴とす
るセラミックス構造物。
【請求項５】上記のセラミックス構造物において、上記
セラミックスは９６０℃以下で銀と共融する金属酸化物
を含むことを特徴とする請求項４に記載のセラミックス
構造物。
【請求項６】上記のセラミックス構造物において、上記
セラミックスは３００℃〜９６０℃で金属銀を酸化する
金属酸化物を含むことを特徴とする請求項４又は５の何
れかに記載のセラミックス構造物。
【請求項７】上記のセラミックス構造物において、上記
セラミックスは３００℃〜９６０℃で金属銀を酸化し、
酸化した銀と９６０℃以下で共融する金属酸化物を含む
ことを特徴とする請求項４〜６の何れかに記載のセラミ
ックス構造物。
【請求項８】請求項４に記載のセラミックス構造物にお
いて、上記セラミックスは鉛、ニオブ、タングステンの
うち少なくとも一種類の金属酸化物を含むことを特徴と
するセラミックス構造物。
【請求項９】上記導体ペーストと上記セラミックスとを
９６０℃以下で同時焼成したことを特徴とする請求項４
〜８に記載のセラミックス構造物の製造方法。