JPH10303098A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH10303098A JPH10303098A JP10723697A JP10723697A JPH10303098A JP H10303098 A JPH10303098 A JP H10303098A JP 10723697 A JP10723697 A JP 10723697A JP 10723697 A JP10723697 A JP 10723697A JP H10303098 A JPH10303098 A JP H10303098A
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- JP
- Japan
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- photoresist
- aluminum
- insulating layer
- semiconductor substrate
- pattern
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- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 アルミパターンのコーナで弾くことなく、フ
ォトレジストを半導体基板の一面側全面にわたって均一
に塗布できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 複数の半導体素子１２が並設された半導
体基板１の一面１ａにアルミニウム層２を積層するアル
ミ層積層工程と、塗布されたフォトレジストを露光しア
ルミニウム層２の不要部分をエッチングし除去して、コ
ーナにアール部を設けるとともに一面１ａ側へ突出した
アルミパターン３を形成するアルミパターン形成工程
と、絶縁層４が積層された一面１ａ側に液状のフォトレ
ジスト５を滴下し、回転する半導体基板１に発生した遠
心力によってフォトレジスト５を延伸させて塗布するフ
ォトレジスト塗布工程と、塗布されたフォトレジスト５
を露光し絶縁層４の不要部分をエッチングし除去して絶
縁層パターン４１を形成する絶縁層パターン形成工程
と、有する構成にしてある。
ォトレジストを半導体基板の一面側全面にわたって均一
に塗布できる半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 複数の半導体素子１２が並設された半導
体基板１の一面１ａにアルミニウム層２を積層するアル
ミ層積層工程と、塗布されたフォトレジストを露光しア
ルミニウム層２の不要部分をエッチングし除去して、コ
ーナにアール部を設けるとともに一面１ａ側へ突出した
アルミパターン３を形成するアルミパターン形成工程
と、絶縁層４が積層された一面１ａ側に液状のフォトレ
ジスト５を滴下し、回転する半導体基板１に発生した遠
心力によってフォトレジスト５を延伸させて塗布するフ
ォトレジスト塗布工程と、塗布されたフォトレジスト５
を露光し絶縁層４の不要部分をエッチングし除去して絶
縁層パターン４１を形成する絶縁層パターン形成工程
と、有する構成にしてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、複数の半導体装置
が半導体基板の基板面に形成される半導体装置の製造方
法に関するものである。
が半導体基板の基板面に形成される半導体装置の製造方
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種の半導体装置の製造方法と
して、図４乃至図７に示す構成の製造方法が存在する。
この製造方法は、先ずアルミ層積層工程において、略円
形状に形成されて複数の半導体素子Ａ1が並設されると
ともに、絶縁膜Ａ2を設けた半導体基板Ａの一面Ａ3に、
アルミニウム層Ｂを積層する（ａ，ｂ）。
して、図４乃至図７に示す構成の製造方法が存在する。
この製造方法は、先ずアルミ層積層工程において、略円
形状に形成されて複数の半導体素子Ａ1が並設されると
ともに、絶縁膜Ａ2を設けた半導体基板Ａの一面Ａ3に、
アルミニウム層Ｂを積層する（ａ，ｂ）。
【０００３】次いで、アルミパターン形成工程におい
て、塗布されたフォトレジストを露光しアルミニウム層
Ｂの不要部分をエッチングし除去して、第１コーナＣ1
を有して一面Ａ3側へ突出したアルミパターンＣを形成
する（ｃ）。
て、塗布されたフォトレジストを露光しアルミニウム層
Ｂの不要部分をエッチングし除去して、第１コーナＣ1
を有して一面Ａ3側へ突出したアルミパターンＣを形成
する（ｃ）。
【０００４】次いで、フォトレジスト塗布工程におい
て、絶縁層Ｄを一面Ａ3側に積層し、一面側中心部に液
状のフォトレジストＥを滴下し、回転する半導体基板Ａ
に発生した遠心力によってそのフォトレジストＥを延伸
させて塗布する（ｄ）。
て、絶縁層Ｄを一面Ａ3側に積層し、一面側中心部に液
状のフォトレジストＥを滴下し、回転する半導体基板Ａ
に発生した遠心力によってそのフォトレジストＥを延伸
させて塗布する（ｄ）。
【０００５】次いで、絶縁層パターン形成工程におい
て、塗布されたフォトレジストＥを露光し、絶縁層Ｄの
不要部分をエッチングし除去して絶縁層パターンＤ1を
形成して、半導体素子を外囲したスクライブラインＡ4
を設け、複数個が半導体基板Ａに並設された半導体装置
を形成する（ｅ）。
て、塗布されたフォトレジストＥを露光し、絶縁層Ｄの
不要部分をエッチングし除去して絶縁層パターンＤ1を
形成して、半導体素子を外囲したスクライブラインＡ4
を設け、複数個が半導体基板Ａに並設された半導体装置
を形成する（ｅ）。
【０００６】さらに詳しくは、アルミパターンＣは、ス
クライブラインＡ4に沿った状態で半導体素子を外囲す
るよう形成されるとともに、半導体素子Ａ1と接続した
電極パッドＣ2を形成する。また、半導体基板Ａはスク
ライブラインＡ4に沿って切断されて、各半導体素子Ａ
１が分離される。ここで、第１コーナＣ1がスクライブ
ラインＡ4に沿ったアルミパターンＣの２片の交点で形
成されるとともに、第２コーナＣ21が電極パッドＣ2の
四隅で形成される。その両コーナＣ1，Ｃ21は設計の容
易さから直角に形成されて、一面Ａ3側へ突出した段差
が鋭利な構造となっている。
クライブラインＡ4に沿った状態で半導体素子を外囲す
るよう形成されるとともに、半導体素子Ａ1と接続した
電極パッドＣ2を形成する。また、半導体基板Ａはスク
ライブラインＡ4に沿って切断されて、各半導体素子Ａ
１が分離される。ここで、第１コーナＣ1がスクライブ
ラインＡ4に沿ったアルミパターンＣの２片の交点で形
成されるとともに、第２コーナＣ21が電極パッドＣ2の
四隅で形成される。その両コーナＣ1，Ｃ21は設計の容
易さから直角に形成されて、一面Ａ3側へ突出した段差
が鋭利な構造となっている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来の半導体
装置の製造方法では、フォトレジストＥを露光しアルミ
ニウム層Ｂ及び絶縁層Ｄの不要部分を除去して、所定の
アルミパターンＣ及び絶縁層パターンＤ1を半導体基板
Ａに形成できる。
装置の製造方法では、フォトレジストＥを露光しアルミ
ニウム層Ｂ及び絶縁層Ｄの不要部分を除去して、所定の
アルミパターンＣ及び絶縁層パターンＤ1を半導体基板
Ａに形成できる。
【０００８】しかしながら、第１コーナＣ1及び第２コ
ーナＣ21は直角に形成されて段差が鋭利な構造となって
いるので、フォトレジスト塗布工程において、図７に示
すように、その両コーナＣ1，Ｃ21で液状のフォトレジ
ストＥが弾かれて、半導体基板Ａはレジストの塗布され
ない未塗布領域Ａ4が一面Ａ3側に生じるという問題があ
った。したがって、未塗布領域Ａ4を発生しないよう、
多量のフォトレジストを必要としていた本発明は、上記
問題点に鑑みてなしたもので、その目的とするところ
は、アルミパターンのコーナで弾くことなく、フォトレ
ジストを半導体基板の一面側全面にわたって均一に塗布
できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
ーナＣ21は直角に形成されて段差が鋭利な構造となって
いるので、フォトレジスト塗布工程において、図７に示
すように、その両コーナＣ1，Ｃ21で液状のフォトレジ
ストＥが弾かれて、半導体基板Ａはレジストの塗布され
ない未塗布領域Ａ4が一面Ａ3側に生じるという問題があ
った。したがって、未塗布領域Ａ4を発生しないよう、
多量のフォトレジストを必要としていた本発明は、上記
問題点に鑑みてなしたもので、その目的とするところ
は、アルミパターンのコーナで弾くことなく、フォトレ
ジストを半導体基板の一面側全面にわたって均一に塗布
できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記した課題を解決する
ために、請求項１記載の半導体装置の製造方法は、複数
の半導体素子が並設された半導体基板の一面に、アルミ
ニウム層を積層するアルミ層積層工程と、塗布されたフ
ォトレジストを露光しアルミニウム層の不要部分をエッ
チングし除去して、コーナにアール部を設けるとともに
一面側へ突出したアルミパターンを形成するアルミパタ
ーン形成工程と、アルミニウム層を絶縁する絶縁層を一
面側へ積層し、その一面側へ液状のフォトレジストを滴
下し、回転する半導体基板に発生した遠心力によってフ
ォトレジストを延伸させて塗布するフォトレジスト塗布
工程と、塗布されたフォトレジストを露光し絶縁層の不
要部分をエッチングし除去して、絶縁層パターンを形成
する絶縁層パターン形成工程と有する構成にしてある。
ために、請求項１記載の半導体装置の製造方法は、複数
の半導体素子が並設された半導体基板の一面に、アルミ
ニウム層を積層するアルミ層積層工程と、塗布されたフ
ォトレジストを露光しアルミニウム層の不要部分をエッ
チングし除去して、コーナにアール部を設けるとともに
一面側へ突出したアルミパターンを形成するアルミパタ
ーン形成工程と、アルミニウム層を絶縁する絶縁層を一
面側へ積層し、その一面側へ液状のフォトレジストを滴
下し、回転する半導体基板に発生した遠心力によってフ
ォトレジストを延伸させて塗布するフォトレジスト塗布
工程と、塗布されたフォトレジストを露光し絶縁層の不
要部分をエッチングし除去して、絶縁層パターンを形成
する絶縁層パターン形成工程と有する構成にしてある。
【００１０】請求項２記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１記載の製造方法において、前記半導体基板は前
記一面が露出して各前記半導体素子に分離するスクライ
ブラインが設けられたものであって、線状パターンを形
成する前記アルミパターンは、スクライブラインに沿っ
た２片の交点で形成される前記コーナに前記アール部が
設けられた構成にしてある。
請求項１記載の製造方法において、前記半導体基板は前
記一面が露出して各前記半導体素子に分離するスクライ
ブラインが設けられたものであって、線状パターンを形
成する前記アルミパターンは、スクライブラインに沿っ
た２片の交点で形成される前記コーナに前記アール部が
設けられた構成にしてある。
【００１１】請求項３記載の半導体装置の製造方法は、
請求項１又は請求項２記載の製造方法において、前記各
半導体素子と接続された電極パッドを形成する前記アル
ミパターンは、その電極パッドの前記コーナに前記アー
ル部が設けられた構成にしてある。
請求項１又は請求項２記載の製造方法において、前記各
半導体素子と接続された電極パッドを形成する前記アル
ミパターンは、その電極パッドの前記コーナに前記アー
ル部が設けられた構成にしてある。
【００１２】
【発明の実施の形態】本発明の一実施形態を図１乃至図
３に基づいて以下に説明する。
３に基づいて以下に説明する。
【００１３】先ずアルミ層積層工程において、切り欠き
部を設けて略円形状に形成された半導体基板１に絶縁膜
１１を形成し（ａ）、複数の半導体素子１２が並設され
た半導体基板１の一面１ａにアルミニウム層２を積層す
る（ｂ）。
部を設けて略円形状に形成された半導体基板１に絶縁膜
１１を形成し（ａ）、複数の半導体素子１２が並設され
た半導体基板１の一面１ａにアルミニウム層２を積層す
る（ｂ）。
【００１４】次いで、アルミパターン形成工程におい
て、フォトレジストを塗布し、塗布されたフォトレジス
トを後述するアール部を有して所定パターンが設定され
たフォトマスクを介して露光する。そして、アルミニウ
ム層２の不要部分をエッチングし除去して、一面１ａ側
へ突出したアルミパターン３を形成する。
て、フォトレジストを塗布し、塗布されたフォトレジス
トを後述するアール部を有して所定パターンが設定され
たフォトマスクを介して露光する。そして、アルミニウ
ム層２の不要部分をエッチングし除去して、一面１ａ側
へ突出したアルミパターン３を形成する。
【００１５】ここで、アルミパターン３は、半導体素子
１２を外囲するよう線状に形成された線状パターン３１
と、半導体素子１２と接続した２個の電極パッド３２と
を形成する。線状パターン３１及び電極パッド３２はア
ール部が各コーナに設けられて、第１アール部３１ａが
線状パターン３１の２片の交点で形成されるコーナに、
第２アール部３２ａが電極パッド３２の四隅のコーナに
それぞれ形成される（ｃ）。
１２を外囲するよう線状に形成された線状パターン３１
と、半導体素子１２と接続した２個の電極パッド３２と
を形成する。線状パターン３１及び電極パッド３２はア
ール部が各コーナに設けられて、第１アール部３１ａが
線状パターン３１の２片の交点で形成されるコーナに、
第２アール部３２ａが電極パッド３２の四隅のコーナに
それぞれ形成される（ｃ）。
【００１６】次いで、フォトレジスト塗布工程におい
て、アルミニウム層２を絶縁する絶縁層４を一面１ａ側
に積層し、その一面１ａ側中心部に液状の光感光性樹脂
からなるフォトレジスト５を滴下し、回転する半導体基
板１に発生した遠心力によってそのフォトレジスト５を
延伸させて一面１ａ側へ塗布する。
て、アルミニウム層２を絶縁する絶縁層４を一面１ａ側
に積層し、その一面１ａ側中心部に液状の光感光性樹脂
からなるフォトレジスト５を滴下し、回転する半導体基
板１に発生した遠心力によってそのフォトレジスト５を
延伸させて一面１ａ側へ塗布する。
【００１７】ここで、第１アール部３１ａ及び第２アー
ル部３２ａが、線状パターン３１及び電極パッド３２の
コーナにそれぞれ設けられているので、フォトレジスト
５が弾かれることなく、半導体基板１の一面１ａ側全面
にわたって均一に塗布される（ｄ）。
ル部３２ａが、線状パターン３１及び電極パッド３２の
コーナにそれぞれ設けられているので、フォトレジスト
５が弾かれることなく、半導体基板１の一面１ａ側全面
にわたって均一に塗布される（ｄ）。
【００１８】次いで、絶縁層パターン形成工程におい
て、塗布されたフォトレジスト５を所定パターンが設定
されたフォトマスクを介して露光し、絶縁層４の不要部
分をエッチングし除去し、さらにフォトレジスト５を除
去して、絶縁層パターン４１を形成する。絶縁層４が除
去されて半導体基板１の一面１ａが露出したスクライブ
ライン１３が形成されて、半導体素子１２を外囲する。
このようにして、半導体装置が形成され複数個が半導体
基板１に並設される。ここで、線状パターン３１は、第
１アール部３１ａがスクライブライン１３に沿った２片
の交点で形成されたコーナに設けられる（ｅ）。
て、塗布されたフォトレジスト５を所定パターンが設定
されたフォトマスクを介して露光し、絶縁層４の不要部
分をエッチングし除去し、さらにフォトレジスト５を除
去して、絶縁層パターン４１を形成する。絶縁層４が除
去されて半導体基板１の一面１ａが露出したスクライブ
ライン１３が形成されて、半導体素子１２を外囲する。
このようにして、半導体装置が形成され複数個が半導体
基板１に並設される。ここで、線状パターン３１は、第
１アール部３１ａがスクライブライン１３に沿った２片
の交点で形成されたコーナに設けられる（ｅ）。
【００１９】最後に、半導体基板１はスクライブライン
１３に沿って切断されて、各半導体素子１２が分離され
る。
１３に沿って切断されて、各半導体素子１２が分離され
る。
【００２０】かかる一実施形態の半導体装置の製造方法
にあっては、上記したように、アルミパターン形成工程
で、第１アール部３１ａ及び第２アール部３２ａが、線
状パターン３１及び電極パッド３２を形成するアルミパ
ターン３の各コーナにそれぞれ設けられから、次のフォ
トレジスト塗布工程で、回転する半導体基板１の一面１
ａ側中心部に滴下された液状のフォトレジスト５が、半
導体基板１に発生した遠心力によって延伸し、一面１ａ
側へ突出したアルミパターン３のコーナで弾くことなく
全面にわたって均一に塗布されて、未塗布領域を発生し
ないよう多量のフォトレジスト５が必要であった従来と
異なって、フォトレジスト量を削減して半導体装置を量
産することができる。
にあっては、上記したように、アルミパターン形成工程
で、第１アール部３１ａ及び第２アール部３２ａが、線
状パターン３１及び電極パッド３２を形成するアルミパ
ターン３の各コーナにそれぞれ設けられから、次のフォ
トレジスト塗布工程で、回転する半導体基板１の一面１
ａ側中心部に滴下された液状のフォトレジスト５が、半
導体基板１に発生した遠心力によって延伸し、一面１ａ
側へ突出したアルミパターン３のコーナで弾くことなく
全面にわたって均一に塗布されて、未塗布領域を発生し
ないよう多量のフォトレジスト５が必要であった従来と
異なって、フォトレジスト量を削減して半導体装置を量
産することができる。
【００２１】また、フォトレジスト塗布工程で未塗布領
域が発生したとき、従来必要であったフォトレジスト５
を再塗布する再塗布工程が不要になって、半導体装置の
製造時間を短縮化することができる。
域が発生したとき、従来必要であったフォトレジスト５
を再塗布する再塗布工程が不要になって、半導体装置の
製造時間を短縮化することができる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の半導体装置の製造方法は、アル
ミパターン形成工程でアール部がアルミパターンのコー
ナに設けられたから、次のフォトレジスト塗布工程で、
回転する半導体基板の一面側に滴下された液状のフォト
レジストが、半導体基板に発生した遠心力によって延伸
し、一面側へ突出したアルミパターンのコーナで弾くこ
となく全面にわたって均一に塗布されて、未塗布領域を
発生しないよう多量のフォトレジストが必要であった従
来と異なって、フォトレジスト量を削減して半導体装置
を量産することができる。
ミパターン形成工程でアール部がアルミパターンのコー
ナに設けられたから、次のフォトレジスト塗布工程で、
回転する半導体基板の一面側に滴下された液状のフォト
レジストが、半導体基板に発生した遠心力によって延伸
し、一面側へ突出したアルミパターンのコーナで弾くこ
となく全面にわたって均一に塗布されて、未塗布領域を
発生しないよう多量のフォトレジストが必要であった従
来と異なって、フォトレジスト量を削減して半導体装置
を量産することができる。
【００２３】また、フォトレジスト塗布工程で未塗布領
域が発生したとき、従来必要であったフォトレジストを
再塗布する再塗布工程が不要になって、半導体装置の製
造時間を短縮化することができる。
域が発生したとき、従来必要であったフォトレジストを
再塗布する再塗布工程が不要になって、半導体装置の製
造時間を短縮化することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す製造工程図である。
【図２】同上のアルミパターン形成工程後の半導体基板
の平面図である。
の平面図である。
【図３】同上のアルミパターン形成工程後の半導体素子
の平面図である。
の平面図である。
【図４】従来例を示す製造工程図である。
【図５】同上のアルミパターン形成工程後の半導体基板
の平面図である。
の平面図である。
【図６】同上のアルミパターン形成工程後の半導体素子
の平面図である。
の平面図である。
【図７】同上のフォトレジスト塗布工程における半導体
基板の平面図である。
基板の平面図である。
１ 半導体基板 １ａ 一面 １１ 絶縁膜 １２ 半導体素子 １３ スクライブライン ２ アルミニウム層 ３ アルミパターン ３１ 線状パターン ３１ａ 第１アール部（アール部） ３２ 電極パッド ３２ａ 第２アール部（アール部） ４ 絶縁層 ４１ 絶縁層パターン ５ フォトレジスト
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１０年７月１４日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００８】しかしながら、第１コーナＣ1及び第２コ
ーナＣ21は直角に形成されて段差が鋭利な構造となって
いるので、フォトレジスト塗布工程において、図７に示
すように、その両コーナＣ1，Ｃ21で液状のフォトレジ
ストＥが弾かれて、半導体基板Ａはレジストの塗布され
ない未塗布領域Ａ4が一面Ａ3側に生じるという問題があ
った。したがって、未塗布領域Ａ5を発生しないよう、
多量のフォトレジストを必要としていた 本発明は、上
記問題点に鑑みてなしたもので、その目的とするところ
は、アルミパターンのコーナで弾くことなく、フォトレ
ジストを半導体基板の一面側全面にわたって均一に塗布
できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
ーナＣ21は直角に形成されて段差が鋭利な構造となって
いるので、フォトレジスト塗布工程において、図７に示
すように、その両コーナＣ1，Ｃ21で液状のフォトレジ
ストＥが弾かれて、半導体基板Ａはレジストの塗布され
ない未塗布領域Ａ4が一面Ａ3側に生じるという問題があ
った。したがって、未塗布領域Ａ5を発生しないよう、
多量のフォトレジストを必要としていた 本発明は、上
記問題点に鑑みてなしたもので、その目的とするところ
は、アルミパターンのコーナで弾くことなく、フォトレ
ジストを半導体基板の一面側全面にわたって均一に塗布
できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図７
【補正方法】変更
【補正内容】
【図７】
Claims (3)
- 【請求項１】 複数の半導体素子が並設された半導体基
板の一面に、アルミニウム層を積層するアルミ層積層工
程と、 塗布されたフォトレジストを露光しアルミニウム層の不
要部分をエッチングし除去して、コーナにアール部を設
けるとともに一面側へ突出したアルミパターンを形成す
るアルミパターン形成工程と、 アルミニウム層を絶縁する絶縁層を一面側へ積層し、そ
の一面側へ液状のフォトレジストを滴下し、回転する半
導体基板に発生した遠心力によってフォトレジストを延
伸させて塗布するフォトレジスト塗布工程と、 塗布されたフォトレジストを露光し絶縁層の不要部分を
エッチングし除去して、絶縁層パターンを形成する絶縁
層パターン形成工程と、有することを特徴とする半導体
装置の製造方法。 - 【請求項２】 前記半導体基板は、前記一面が露出して
各前記半導体素子に分離するスクライブラインが設けら
れたものであって、線状パターンを形成する前記アルミ
パターンは、スクライブラインに沿った２片の交点で形
成される前記コーナに前記アール部が設けられたことを
特徴とする請求項１記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記各半導体素子と接続された電極パッ
ドを形成する前記アルミパターンは、その電極パッドの
前記コーナに前記アール部が設けられたことを特徴とす
る請求項１又は請求項２記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10723697A JPH10303098A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10723697A JPH10303098A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10303098A true JPH10303098A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14453946
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10723697A Withdrawn JPH10303098A (ja) | 1997-04-24 | 1997-04-24 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10303098A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7790555B2 (en) | 2006-05-29 | 2010-09-07 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device manufacturing method with spin-coating of photoresist material |
-
1997
- 1997-04-24 JP JP10723697A patent/JPH10303098A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7790555B2 (en) | 2006-05-29 | 2010-09-07 | Seiko Instruments Inc. | Semiconductor device manufacturing method with spin-coating of photoresist material |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20041202 |