JPS61281528A - フオトレジストのパタ−ン形成方法 - Google Patents
フオトレジストのパタ−ン形成方法Info
- Publication number
- JPS61281528A JPS61281528A JP60123568A JP12356885A JPS61281528A JP S61281528 A JPS61281528 A JP S61281528A JP 60123568 A JP60123568 A JP 60123568A JP 12356885 A JP12356885 A JP 12356885A JP S61281528 A JPS61281528 A JP S61281528A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoresist
- pattern
- mask
- substrate
- corner
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はフォトレジストのパターン特に微細パターン
を形成するための方法に関するものである。
を形成するための方法に関するものである。
従来フォトレジストを用いた微細パターン形成において
要求されてきた技術は、所定のパターンを何するマスク
を正確に７オトレジスト上に転写することであった。し
かし、折年の電子デバイス技術の発達によって微細パタ
ーン形成技術の適用範囲は飛躍的に拡大してきている。
要求されてきた技術は、所定のパターンを何するマスク
を正確に７オトレジスト上に転写することであった。し
かし、折年の電子デバイス技術の発達によって微細パタ
ーン形成技術の適用範囲は飛躍的に拡大してきている。
液晶平面ディスプレイ、密着型イメージセンサ４大型基
板、大型マス、りを用いる代表的な１デバイスである。
板、大型マス、りを用いる代表的な１デバイスである。
７前記のような電子デバイス
は、ＬＳＩ、などと異なり、大型基板を使用しても、で
きあがる製品の数は一つであるため、パターン転写の際
に要求される技術は、高度なものとなる。しかし、大型
マスクを用ｉて大型基板にパターンを転写、しても第８
図の従来のレジストパターンを示す平面図のようにコー
ナーのレジストパターン＋１１に〈ｉ込みｆｌ）が発生
したり、必ずしも良好なパターンを得ることが、できな
い。前記に示したようなレジストパターンによってエツ
チングされた下地パターンは、半導体を用いるデバイス
にとって致命的な欠陥につながる可能性もある。
は、ＬＳＩ、などと異なり、大型基板を使用しても、で
きあがる製品の数は一つであるため、パターン転写の際
に要求される技術は、高度なものとなる。しかし、大型
マスクを用ｉて大型基板にパターンを転写、しても第８
図の従来のレジストパターンを示す平面図のようにコー
ナーのレジストパターン＋１１に〈ｉ込みｆｌ）が発生
したり、必ずしも良好なパターンを得ることが、できな
い。前記に示したようなレジストパターンによってエツ
チングされた下地パターンは、半導体を用いるデバイス
にとって致命的な欠陥につながる可能性もある。
なお、大型基板とけ直径がｇｏ（至）以上かつ、基板の
うねりが６０〜１００μｍのものを示す。
うねりが６０〜１００μｍのものを示す。
フオトレジス）１大型基板上に形成した後、所定パター
ンに光照射し、これを現像して所定ノリーンを形成する
時に、第８図に示すよ□うなパターンのくい込み等がレ
ジストのコーナ一部に発生するという問題点があった。
ンに光照射し、これを現像して所定ノリーンを形成する
時に、第８図に示すよ□うなパターンのくい込み等がレ
ジストのコーナ一部に発生するという問題点があった。
これは光照射装置やフォトレジストへの光照射量によっ
て生じる現象であり、光の回折現象によるものと考えら
れる。
て生じる現象であり、光の回折現象によるものと考えら
れる。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、パターンコーナ一部のくい込みのない角のとれた
フォトレジストのパターン形成方法゛を提供することを
目的とする。
ので、パターンコーナ一部のくい込みのない角のとれた
フォトレジストのパターン形成方法゛を提供することを
目的とする。
仁の発明のフォトレジストのパターン形成方法は、基板
に７オトレジストを塗布する工程、円弧状又は鈍角状の
角部を有する所定パターンのマスクを用いて上記フォト
レジストを上Ｅ所定パターンに露光する工程、及び露光
した上記フォトレジストを現像する工程を施すものであ
る。
に７オトレジストを塗布する工程、円弧状又は鈍角状の
角部を有する所定パターンのマスクを用いて上記フォト
レジストを上Ｅ所定パターンに露光する工程、及び露光
した上記フォトレジストを現像する工程を施すものであ
る。
この発明における所定パターンのマスクの角部を′円弧
状又は鈍角状にしているので、光の回折現象を軽減でき
、フォトレジストのパターンコーナ一部のくい込みを防
止できる。
状又は鈍角状にしているので、光の回折現象を軽減でき
、フォトレジストのパターンコーナ一部のくい込みを防
止できる。
１ず、シリコンクエバ、ステンレス板、アルミニウム板
または銅板などの大型基板の上にフォトレジストにスピ
ン塗布などの通常の方法により塗布し、形成する。次に
このフォトレジストに超高圧水銀灯などケ用いて所定の
パターンを光照射する。この際、第２図のこの発明の実
施例に係わるマスクパターンの平面図に示すように所定
パターンの角部分をあらかじめ円弧状又は鈍角に形成し
であるマスクを用−て行なう。
または銅板などの大型基板の上にフォトレジストにスピ
ン塗布などの通常の方法により塗布し、形成する。次に
このフォトレジストに超高圧水銀灯などケ用いて所定の
パターンを光照射する。この際、第２図のこの発明の実
施例に係わるマスクパターンの平面図に示すように所定
パターンの角部分をあらかじめ円弧状又は鈍角に形成し
であるマスクを用−て行なう。
１２１ハマスクパターンである。
その後、露光後のフォトレジストを現像処理し、現像処
理したフォトレジストにリンス処理を施してフォトレジ
ストに含有されてｉる現像液全除去する。現像処理及び
リンス処理は浸漬法。
理したフォトレジストにリンス処理を施してフォトレジ
ストに含有されてｉる現像液全除去する。現像処理及び
リンス処理は浸漬法。
スプレー法などの公知の現像方法またはリンス方法を用
いてよく、これらの方法を組み合わせて行なってもよい
・ 第１図は上記のようにして得られたこの発明の一実施例
によるフォトレジストパターンｌｆ示す平面図でパター
ン角部にくい込みのない角のとれた良好なフォトレジス
トパターン・（１）が得うれた。
いてよく、これらの方法を組み合わせて行なってもよい
・ 第１図は上記のようにして得られたこの発明の一実施例
によるフォトレジストパターンｌｆ示す平面図でパター
ン角部にくい込みのない角のとれた良好なフォトレジス
トパターン・（１）が得うれた。
以上のように、この発明によれば、基板にフォトレジス
トヲ塗布する工程、円弧状又は鈍角状の角部を有する所
定パターンのマスクラ用イて上記フォトレジストヲ上記
所定パターンに露光する工程、及び露光した上記フォト
レジスト′ｆｒ現像する工程を施すことによシ、パター
ンコーナ一部のくい込みのない角のとれたフォトレジス
トのパターンを形成することができる。
トヲ塗布する工程、円弧状又は鈍角状の角部を有する所
定パターンのマスクラ用イて上記フォトレジストヲ上記
所定パターンに露光する工程、及び露光した上記フォト
レジスト′ｆｒ現像する工程を施すことによシ、パター
ンコーナ一部のくい込みのない角のとれたフォトレジス
トのパターンを形成することができる。
第１図はこの発明の一実施例により得られたフォトレジ
ストパターンを示す平面図、第８図はこの発明の一実施
例に係わるマスクパターンを示す平面図、第８図は従来
法により得られたフォトレジストパターンを示す平面図
である。 図におｉて、…はフォトレジストパターン、（！１はマ
スクパターン、１Ｂ１ｔｆパターンのくい込みである。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。゛
ストパターンを示す平面図、第８図はこの発明の一実施
例に係わるマスクパターンを示す平面図、第８図は従来
法により得られたフォトレジストパターンを示す平面図
である。 図におｉて、…はフォトレジストパターン、（！１はマ
スクパターン、１Ｂ１ｔｆパターンのくい込みである。 なお１図中、同一符号は同−又は相当部分を示す。゛
Claims (1)
- 基板にフォトレジストを塗布する工程、円弧状又は鈍角
状の角部を有する所定パターンのマスクを用いて上記フ
ォトレジストを上記所定パターンに露光する工程、及び
露光した上記フォトレジストを現像する工程を施すフォ
トレジストのパターン形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123568A JPS61281528A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | フオトレジストのパタ−ン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123568A JPS61281528A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | フオトレジストのパタ−ン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281528A true JPS61281528A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14863797
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123568A Pending JPS61281528A (ja) | 1985-06-06 | 1985-06-06 | フオトレジストのパタ−ン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281528A (ja) |
-
1985
- 1985-06-06 JP JP60123568A patent/JPS61281528A/ja active Pending
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