JPH1029836A - 石英ガラス発泡体の製造方法 - Google Patents
石英ガラス発泡体の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明は、均一な気泡径を有し、任意の発泡密
度の石英ガラス発泡体を製造する方法を提供すること。 【解決手段】アンモニア雰囲気中で加熱処理して得たア
ンモニア化非晶質シリカ母材を１４００〜１９００℃の
加熱雰囲気中で加熱発泡する石英ガラス発泡体の製造方
法において、前記加熱雰囲気の圧力を加熱開始から発泡
までを大気圧に維持し、発泡後は減圧状態とすることを
特徴とする石英ガラス発泡体の製造方法。
度の石英ガラス発泡体を製造する方法を提供すること。 【解決手段】アンモニア雰囲気中で加熱処理して得たア
ンモニア化非晶質シリカ母材を１４００〜１９００℃の
加熱雰囲気中で加熱発泡する石英ガラス発泡体の製造方
法において、前記加熱雰囲気の圧力を加熱開始から発泡
までを大気圧に維持し、発泡後は減圧状態とすることを
特徴とする石英ガラス発泡体の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、石英ガラス発泡体の製
造方法、さらに詳しくは均一な気泡直径を有し緻密な石
英ガラス発泡体の製造方法に関する。
造方法、さらに詳しくは均一な気泡直径を有し緻密な石
英ガラス発泡体の製造方法に関する。
【０００２】
【従来技術】従来、石英ガラス発泡体は、軽量で、断熱
性が高い上に、低熱膨張性であるところから炉の保温断
熱構造材や軽量反射鏡の基体等に幅広く使用されてき
た。前記石英ガラス発泡体の製造方法としては、石英粉
もしくはガラス粉にカーボン粉や窒化珪素などの発泡剤
を添加混合し、それを発泡させる製造方法やアンモニア
化非晶質シリカ母材を１３５０〜１７００℃に加熱発泡
させる製造方法等（特開平１−３０８８４６号公報、特
開平５−３４５６３６号公報等）がある。前記発泡剤を
添加する製造方法では気泡径や見掛け密度の制御が困難
で、構造材料となるような緻密な石英ガラス発泡体の製
造が困難であった。そこで前記発泡時に１０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2以下の圧力を掛け気泡径や見掛け密度を制御する方
法が特開平７−１６５４３４号公報で提案されたが、高
圧を必要とするところから、加熱炉の構築費用が増大し
製造コストを高いものにしていた。
性が高い上に、低熱膨張性であるところから炉の保温断
熱構造材や軽量反射鏡の基体等に幅広く使用されてき
た。前記石英ガラス発泡体の製造方法としては、石英粉
もしくはガラス粉にカーボン粉や窒化珪素などの発泡剤
を添加混合し、それを発泡させる製造方法やアンモニア
化非晶質シリカ母材を１３５０〜１７００℃に加熱発泡
させる製造方法等（特開平１−３０８８４６号公報、特
開平５−３４５６３６号公報等）がある。前記発泡剤を
添加する製造方法では気泡径や見掛け密度の制御が困難
で、構造材料となるような緻密な石英ガラス発泡体の製
造が困難であった。そこで前記発泡時に１０ｋｇｆ／ｃ
ｍ2以下の圧力を掛け気泡径や見掛け密度を制御する方
法が特開平７−１６５４３４号公報で提案されたが、高
圧を必要とするところから、加熱炉の構築費用が増大し
製造コストを高いものにしていた。
【０００３】また、上記アンモニア化した非晶質シリカ
母材を発泡させる製造方法では発泡密度の制御を、原料
であるシリカ粉の粒度、発泡温度、発泡時間、アンモニ
ア化度等で行うが、発泡体のサイズが大きくなると見掛
け密度及び気泡径の制御が困難となり所望の発泡密度が
得られても均一な気泡直径を有する発泡体が製造できな
いといった欠点があった。そのためアンモニア化した非
晶質シリカ母材の発泡時に圧力をかける製造方法が特開
平５−１７１８０号公報で提案されたが、アンモニア化
した非晶質シリカ母材は、圧力をかけると発泡時に大き
く収縮し、石英ガラスの密度に近い発泡体となり軽量性
という利点が損なわれる欠点があった。
母材を発泡させる製造方法では発泡密度の制御を、原料
であるシリカ粉の粒度、発泡温度、発泡時間、アンモニ
ア化度等で行うが、発泡体のサイズが大きくなると見掛
け密度及び気泡径の制御が困難となり所望の発泡密度が
得られても均一な気泡直径を有する発泡体が製造できな
いといった欠点があった。そのためアンモニア化した非
晶質シリカ母材の発泡時に圧力をかける製造方法が特開
平５−１７１８０号公報で提案されたが、アンモニア化
した非晶質シリカ母材は、圧力をかけると発泡時に大き
く収縮し、石英ガラスの密度に近い発泡体となり軽量性
という利点が損なわれる欠点があった。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】こうした現状に鑑み、
本発明者等は、鋭意研究を続けた結果、アンモニア化さ
れた非晶質シリカ母材を加熱発泡するに当り加熱開始か
ら発泡時までを大気圧雰囲気とする一方、発泡後は徐々
に減圧状態とすることで発泡密度の制御が容易にでき、
均一な気泡径を有する石英ガラス発泡体が製造できるこ
とを見出し、本発明を完成したものである。すなわち、
本発明者等は、鋭意研究を続けた結果、アンモニア化さ
れた非晶質シリカ母材を加熱発泡するに当り加熱開始か
ら発泡時までを大気圧雰囲気とする一方、発泡後は徐々
に減圧状態とすることで発泡密度の制御が容易にでき、
均一な気泡径を有する石英ガラス発泡体が製造できるこ
とを見出し、本発明を完成したものである。すなわち、
【０００５】本発明は、均一な気泡径を有する緻密な石
英ガラス発泡体の製造方法を提供することを目的とす
る。
英ガラス発泡体の製造方法を提供することを目的とす
る。
【０００６】また、本発明は、任意の気泡径と見掛け密
度を有する石英ガラス発泡体を容易に製造できる方法を
提供することを目的とする。
度を有する石英ガラス発泡体を容易に製造できる方法を
提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明は、アンモニア雰囲気中で加熱処理して得たアンモニ
ア化非晶質シリカ母材を１４００〜１９００℃の加熱雰
囲気中で加熱発泡する石英ガラス発泡体の製造方法にお
いて、前記加熱雰囲気の圧力を加熱開始から発泡までを
大気圧に維持し、発泡後は減圧状態とすることを特徴と
する石英ガラス発泡体の製造方法に係る。
明は、アンモニア雰囲気中で加熱処理して得たアンモニ
ア化非晶質シリカ母材を１４００〜１９００℃の加熱雰
囲気中で加熱発泡する石英ガラス発泡体の製造方法にお
いて、前記加熱雰囲気の圧力を加熱開始から発泡までを
大気圧に維持し、発泡後は減圧状態とすることを特徴と
する石英ガラス発泡体の製造方法に係る。
【０００８】上記製造方法で使用される非晶質シリカ母
材としては、精製し高純度のＳｉ（ＣＨ3）Ｃｌ3、Ｓｉ
Ｃｌ4等の珪素化合物を酸素、水素とともに加水分解用
バーナーに供給し、酸水素火炎で加水分解して得たすす
状シリカ微粒子をターゲット上に堆積させる方法、或は
アルコキシシランをアルコール溶媒中で酸及び／又は塩
基性触媒の存在下で加水分解し、それを加温条件下でゲ
ル化したのち、乾燥し、焼成ガラス化して得たガラス粉
末をポリビニルアルコール、カルボキシルメチルセルロ
ース、メチルセルロース等の結合剤を用いて母材に成形
する方法等で製造され、ＢＥＴ法で測定した比表面積が
４ｍ2／ｇ以上、ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以上の非晶
質のシリカ母材が使用される。前記非晶質シリカ母材の
比表面積が４ｍ2／ｇ未満では十分な水酸基の置換除去
が進まず、耐熱性が低下するばかりでなく、アンモニア
の置換、吸着による導入量が減少し良好な気泡の形成が
できず、また、ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ未満ではアン
モニアの取り込み量が少なく同じように良好な気泡の形
成ができない。
材としては、精製し高純度のＳｉ（ＣＨ3）Ｃｌ3、Ｓｉ
Ｃｌ4等の珪素化合物を酸素、水素とともに加水分解用
バーナーに供給し、酸水素火炎で加水分解して得たすす
状シリカ微粒子をターゲット上に堆積させる方法、或は
アルコキシシランをアルコール溶媒中で酸及び／又は塩
基性触媒の存在下で加水分解し、それを加温条件下でゲ
ル化したのち、乾燥し、焼成ガラス化して得たガラス粉
末をポリビニルアルコール、カルボキシルメチルセルロ
ース、メチルセルロース等の結合剤を用いて母材に成形
する方法等で製造され、ＢＥＴ法で測定した比表面積が
４ｍ2／ｇ以上、ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以上の非晶
質のシリカ母材が使用される。前記非晶質シリカ母材の
比表面積が４ｍ2／ｇ未満では十分な水酸基の置換除去
が進まず、耐熱性が低下するばかりでなく、アンモニア
の置換、吸着による導入量が減少し良好な気泡の形成が
できず、また、ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ未満ではアン
モニアの取り込み量が少なく同じように良好な気泡の形
成ができない。
【０００９】本発明の製造方法では、上記非晶質シリカ
母材をアンモニア雰囲気中で８００〜１３００℃に加熱
し、アンモニア化された非晶質シリカ母材を得、それを
加熱開始から取り込まれたアンモニアガスが離脱し発泡
するまでを、１ｋｇｆ／ｃｍ2の大気圧下で１４００〜
１９００℃の範囲の温度で加熱し、見掛け密度０．９ｇ
／ｃｍ3以上、好ましくは１〜１．４ｇ／ｃｍ3、気泡径
が３０〜１００μｍで構成された緻密な独立気泡群から
なる発泡体に成形する。次いで加熱温度を前記温度に維
持しながら雰囲気圧力を徐々に減圧状態に変え、形成さ
れている気泡径を増大させ石英ガラス発泡体とする。前
記減圧状態の真空度を任意に変えることで気泡径を任意
の大きさにできるので、例えば構造材のように機械的強
度の高い発泡体が必要な場合には、減圧度を低く押えて
発泡させ、反対に断熱材のように軽量性が重視される発
泡体が必要な場合には、減圧度を大きくして発泡させれ
ばよい。前記雰囲気圧力による発泡体の見掛け密度変化
を図１に示す。図１において横軸は雰囲気圧力（Ｔｏｒ
ｒ）、縦軸は見掛け密度（ｇ／ｃｍ3）を示すが、同図
から明らかなように真空度が高くなる程見掛け密度が小
さくなることがわかる。前記製造方法においてアンモニ
ア化温度が８００℃未満ではアンモニア化速度が遅く工
業的でなく、また温度が１３００℃を超えると、取り込
まれたアンモニアが発泡前に開放され低発泡となり好ま
しくない。また、減圧状態は徐々に行うのがよく、急激
な減圧では気泡径にバラツキが生じて好ましくない。
母材をアンモニア雰囲気中で８００〜１３００℃に加熱
し、アンモニア化された非晶質シリカ母材を得、それを
加熱開始から取り込まれたアンモニアガスが離脱し発泡
するまでを、１ｋｇｆ／ｃｍ2の大気圧下で１４００〜
１９００℃の範囲の温度で加熱し、見掛け密度０．９ｇ
／ｃｍ3以上、好ましくは１〜１．４ｇ／ｃｍ3、気泡径
が３０〜１００μｍで構成された緻密な独立気泡群から
なる発泡体に成形する。次いで加熱温度を前記温度に維
持しながら雰囲気圧力を徐々に減圧状態に変え、形成さ
れている気泡径を増大させ石英ガラス発泡体とする。前
記減圧状態の真空度を任意に変えることで気泡径を任意
の大きさにできるので、例えば構造材のように機械的強
度の高い発泡体が必要な場合には、減圧度を低く押えて
発泡させ、反対に断熱材のように軽量性が重視される発
泡体が必要な場合には、減圧度を大きくして発泡させれ
ばよい。前記雰囲気圧力による発泡体の見掛け密度変化
を図１に示す。図１において横軸は雰囲気圧力（Ｔｏｒ
ｒ）、縦軸は見掛け密度（ｇ／ｃｍ3）を示すが、同図
から明らかなように真空度が高くなる程見掛け密度が小
さくなることがわかる。前記製造方法においてアンモニ
ア化温度が８００℃未満ではアンモニア化速度が遅く工
業的でなく、また温度が１３００℃を超えると、取り込
まれたアンモニアが発泡前に開放され低発泡となり好ま
しくない。また、減圧状態は徐々に行うのがよく、急激
な減圧では気泡径にバラツキが生じて好ましくない。
【００１０】上述のとおり本発明では、高圧を特に必要
とすることなく均一な気泡径を有し、任意の見掛け密度
を有する発泡体を単に発泡時の雰囲気圧力を変えること
で製造でき、その製造コストを低く押さえることができ
工業的価値の高い石英ガラス発泡体の製造方法である。
とすることなく均一な気泡径を有し、任意の見掛け密度
を有する発泡体を単に発泡時の雰囲気圧力を変えること
で製造でき、その製造コストを低く押さえることができ
工業的価値の高い石英ガラス発泡体の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の態様】次に具体例に基づいて本発明を詳
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
細に説明するが、本発明はそれにより限定されるもので
はない。
【００１２】
実施例１ 四塩化珪素を酸水素火炎中で加水分解するＣＶＤ法によ
り、すす状シリカ微粒子をターゲット上に堆積させて非
晶質シリカ母材を製造した。前記非晶質シリカ母材をタ
ーゲットから抜き取り粉砕してフレーク状石英ガラス粉
にし比表面積をＢＥＴ法で測定したところ、４８ｍ2／
ｇであった。また、ＯＨ基濃度を赤外線吸光分光法で測
定したところ１１００ｐｐｍであった。前記石英ガラス
粉を石英ガラスの容器（内径４００ｍｍ×深さ３００ｍ
ｍ）の中に入れ、アンモニアガスを窒素ガス０．５Ｎｍ
3／ｈをキャリアガスとして、０．２Ｎｍ3／ｈ流しなが
ら電気炉にて８５０℃、５時間加熱保持した。アンモニ
ア化された石英ガラス粉を石英ガラス容器から取り出
し、内径３００ｍｍ、深さ４５０ｍｍのグラファイト製
容器中に移し、抵抗加熱式減圧炉に入れた。炉内雰囲気
を最初に１×１０-2Ｔｏｒｒまで減圧し石英ガラス粉に
含まれる気体を除去し、次いで不活性ガスである窒素ガ
スで置換し炉内雰囲気を大気圧とし、該圧力の状態で１
７８０℃で３０分間加熱保持し発泡させた。加熱温度を
前記温度に保持しつつ炉内雰囲気を大気圧から３８０Ｔ
ｏｒｒまで徐々に減圧し、さらに３０分間加熱保持し、
常温まで１０時間掛けて降温させた。得られた石英ガラ
ス発泡体は外径３００ｍｍ、高さ１４０ｍｍ、見掛け密
度０．７５ｇ／ｃｍ3、気泡平均径２１０μｍ、最大気
泡径３２０μｍであった。前記石英ガラス発泡体の断面
を観察したところ、空洞の発生はなく、独立気泡が均一
に分散していた。
り、すす状シリカ微粒子をターゲット上に堆積させて非
晶質シリカ母材を製造した。前記非晶質シリカ母材をタ
ーゲットから抜き取り粉砕してフレーク状石英ガラス粉
にし比表面積をＢＥＴ法で測定したところ、４８ｍ2／
ｇであった。また、ＯＨ基濃度を赤外線吸光分光法で測
定したところ１１００ｐｐｍであった。前記石英ガラス
粉を石英ガラスの容器（内径４００ｍｍ×深さ３００ｍ
ｍ）の中に入れ、アンモニアガスを窒素ガス０．５Ｎｍ
3／ｈをキャリアガスとして、０．２Ｎｍ3／ｈ流しなが
ら電気炉にて８５０℃、５時間加熱保持した。アンモニ
ア化された石英ガラス粉を石英ガラス容器から取り出
し、内径３００ｍｍ、深さ４５０ｍｍのグラファイト製
容器中に移し、抵抗加熱式減圧炉に入れた。炉内雰囲気
を最初に１×１０-2Ｔｏｒｒまで減圧し石英ガラス粉に
含まれる気体を除去し、次いで不活性ガスである窒素ガ
スで置換し炉内雰囲気を大気圧とし、該圧力の状態で１
７８０℃で３０分間加熱保持し発泡させた。加熱温度を
前記温度に保持しつつ炉内雰囲気を大気圧から３８０Ｔ
ｏｒｒまで徐々に減圧し、さらに３０分間加熱保持し、
常温まで１０時間掛けて降温させた。得られた石英ガラ
ス発泡体は外径３００ｍｍ、高さ１４０ｍｍ、見掛け密
度０．７５ｇ／ｃｍ3、気泡平均径２１０μｍ、最大気
泡径３２０μｍであった。前記石英ガラス発泡体の断面
を観察したところ、空洞の発生はなく、独立気泡が均一
に分散していた。
【００１３】実施例２ 実施例１と同様に、四塩化珪素を酸水素火炎中で加水分
解するＣＶＤ法により、得た非晶質シリカ粉をアンモニ
ア化したのち、内径６００ｍｍ、深さ３００ｍｍのグラ
ファイト製容器内に入れ、窒素ガスで置換して大気圧雰
囲気とし、１７８０℃で３０分加熱保持し発泡させた。
次いで前記１７８０℃の加熱温度に維持しつつ大気圧か
ら５０Ｔｏｒｒまで徐々に減圧し、さらに３０分間加熱
保持し、常温まで１０時間掛けて降温させた。得られた
石英ガラス発泡体は外径６００ｍｍ、高さ１００ｍｍ、
見掛け密度０．３５ｇ／ｃｍ3、気泡平均径７３０μ
ｍ、最大気泡径１２００μｍであった。石英ガラス発泡
体を切断しその断面を観察したが、空洞の発生がなく、
独立気泡が均一に分散していた。
解するＣＶＤ法により、得た非晶質シリカ粉をアンモニ
ア化したのち、内径６００ｍｍ、深さ３００ｍｍのグラ
ファイト製容器内に入れ、窒素ガスで置換して大気圧雰
囲気とし、１７８０℃で３０分加熱保持し発泡させた。
次いで前記１７８０℃の加熱温度に維持しつつ大気圧か
ら５０Ｔｏｒｒまで徐々に減圧し、さらに３０分間加熱
保持し、常温まで１０時間掛けて降温させた。得られた
石英ガラス発泡体は外径６００ｍｍ、高さ１００ｍｍ、
見掛け密度０．３５ｇ／ｃｍ3、気泡平均径７３０μ
ｍ、最大気泡径１２００μｍであった。石英ガラス発泡
体を切断しその断面を観察したが、空洞の発生がなく、
独立気泡が均一に分散していた。
【００１４】実施例３ 真空度を１９０Ｔｏｒｒとした以外、実施例１と同様に
して石英ガラス発泡体を製造した。得られた石英ガラス
発泡体の見掛け密度は０．４３ｇ／ｃｍ3、気泡平均径
は５６０μｍ、最大気泡径は８００μｍであった。石英
ガラス発泡体の断面を観察したが、空洞の発生がなく、
独立気泡が均一に分散していた。
して石英ガラス発泡体を製造した。得られた石英ガラス
発泡体の見掛け密度は０．４３ｇ／ｃｍ3、気泡平均径
は５６０μｍ、最大気泡径は８００μｍであった。石英
ガラス発泡体の断面を観察したが、空洞の発生がなく、
独立気泡が均一に分散していた。
【００１５】実施例４ 真空度を７６０Ｔｏｒｒとした以外、実施例１と同様に
して石英ガラス発泡体を製造した。得られた石英ガラス
発泡体の見掛け密度は１．２２ｇ／ｃｍ3、気泡平均径
は１００μｍ、最大気泡径は１５０μｍであった。石英
ガラス発泡体の断面を観察したが、空洞の発生がなく、
独立気泡が均一に分散していた。
して石英ガラス発泡体を製造した。得られた石英ガラス
発泡体の見掛け密度は１．２２ｇ／ｃｍ3、気泡平均径
は１００μｍ、最大気泡径は１５０μｍであった。石英
ガラス発泡体の断面を観察したが、空洞の発生がなく、
独立気泡が均一に分散していた。
【００１６】比較例１ 実施例１と同様に、四塩化珪素を酸水素火炎中で加水分
解するＣＶＤ法により得た非晶質シリカ粉をアンモニア
化したのち、内径６００ｍｍ、深さ４５０ｍｍのグラフ
ァイト製容器内に入れ、炉内圧力を１×１０-2Ｔｏｒｒ
まで減圧し、その真空度下で１７００℃に６０分加熱保
持し発泡させ、常温まで１０時間掛けて降温させた。得
られた石英ガラス発泡体は、外径３００ｍｍ、高さ１０
０ｍｍ、見掛け密度０．５３ｇ／ｃｍ3、気泡平均径６
２０μｍ、最大気泡径２００００μｍであった。前記石
英ガラス発泡体を切断しその断面を観察したところ、極
在的に大きな空洞があり、気泡径にも大きなバラツキが
あった。
解するＣＶＤ法により得た非晶質シリカ粉をアンモニア
化したのち、内径６００ｍｍ、深さ４５０ｍｍのグラフ
ァイト製容器内に入れ、炉内圧力を１×１０-2Ｔｏｒｒ
まで減圧し、その真空度下で１７００℃に６０分加熱保
持し発泡させ、常温まで１０時間掛けて降温させた。得
られた石英ガラス発泡体は、外径３００ｍｍ、高さ１０
０ｍｍ、見掛け密度０．５３ｇ／ｃｍ3、気泡平均径６
２０μｍ、最大気泡径２００００μｍであった。前記石
英ガラス発泡体を切断しその断面を観察したところ、極
在的に大きな空洞があり、気泡径にも大きなバラツキが
あった。
【００１７】比較例２ 実施例１と同様に、四塩化珪素を酸水素火炎中で加水分
解するＣＶＤ法により得た非晶質シリカ粉をアンモニア
化したのち、それを内径６００ｍｍ、深さ３００ｍｍの
グラファイト製容器内に入れ、炉内圧力を１×１０-2Ｔ
ｏｒｒまで減圧し、その真空下で１７００℃に１２０分
加熱保持し発泡させ、常温まで１０時間掛けて降温させ
た。得られた石英ガラス発泡体は、外径６００ｍｍ、高
さ１００ｍｍ、見掛け密度０．３５ｇ／ｃｍ3、気泡平
均径９００μｍ、最大気泡径４００００μｍであった。
前記石英ガラス発泡体の断面を観察したところ、内部に
多数の空洞があり、また空洞同志が連なっていた。
解するＣＶＤ法により得た非晶質シリカ粉をアンモニア
化したのち、それを内径６００ｍｍ、深さ３００ｍｍの
グラファイト製容器内に入れ、炉内圧力を１×１０-2Ｔ
ｏｒｒまで減圧し、その真空下で１７００℃に１２０分
加熱保持し発泡させ、常温まで１０時間掛けて降温させ
た。得られた石英ガラス発泡体は、外径６００ｍｍ、高
さ１００ｍｍ、見掛け密度０．３５ｇ／ｃｍ3、気泡平
均径９００μｍ、最大気泡径４００００μｍであった。
前記石英ガラス発泡体の断面を観察したところ、内部に
多数の空洞があり、また空洞同志が連なっていた。
【００１８】
【発明の効果】本発明の製造方法では、均一な気泡径を
有する独立気泡が分散した任意の発泡密度の石英ガラス
発泡体が製造できる。前記製造方法は高圧用の加熱炉等
を必要とせず生産コストが安く、しかも使用原料を高純
度とすることで高純度の発泡体が製造でき、その工業的
価値は大きいものがある。
有する独立気泡が分散した任意の発泡密度の石英ガラス
発泡体が製造できる。前記製造方法は高圧用の加熱炉等
を必要とせず生産コストが安く、しかも使用原料を高純
度とすることで高純度の発泡体が製造でき、その工業的
価値は大きいものがある。
【図１】雰囲気圧力と見掛け密度との関係を示すグラフ
である。
である。
Claims (5)
- 【請求項１】アンモニア雰囲気中で加熱処理して得たア
ンモニア化非晶質シリカ母材を１４００〜１９００℃の
加熱雰囲気中で加熱発泡する石英ガラス発泡体の製造方
法において、前記加熱雰囲気の圧力を加熱開始から発泡
までを大気圧に維持し、発泡後は減圧状態とすることを
特徴とする石英ガラス発泡体の製造方法。 - 【請求項２】非晶質シリカ母材中の金属不純物が１００
ｐｐｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の石英
ガラス発泡体の製造方法。 - 【請求項３】非晶質シリカ母材の比表面積が４ｍ2／ｇ
以上、ＯＨ基濃度が１００ｐｐｍ以上であることを特徴
とする請求項１記載の石英ガラス発泡体の製造方法。 - 【請求項４】減圧状態が真空度１Ｔｏｒｒから７６０Ｔ
ｏｒｒの範囲で選ばれることを特徴とする請求項１記載
の石英ガラス発泡体の製造方法。 - 【請求項５】アンモニア化非晶質シリカ母材を気泡直径
４０〜１３００μｍ、見掛け密度０．３ｇ／ｃｍ3〜
１．４ｇ／ｃｍ3の石英ガラス発泡体に発泡することを
特徴とする請求項１記載の石英ガラス発泡体の製造方
法。
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|---|---|---|---|
| JP20282096A JP3883233B2 (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 石英ガラス発泡体の製造方法 |
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|---|---|---|---|
| JP20282096A JP3883233B2 (ja) | 1996-07-15 | 1996-07-15 | 石英ガラス発泡体の製造方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH1029836A true JPH1029836A (ja) | 1998-02-03 |
| JP3883233B2 JP3883233B2 (ja) | 2007-02-21 |
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| JP (1) | JP3883233B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1164113A1 (en) * | 2000-06-12 | 2001-12-19 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of laser machining glass substrate and method of fabricating high-frequency circuit |
| EP1246325A2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-02 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser working dielectric substrate and method for working same and semiconductor package and method for manufacturing same |
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| WO2021172232A1 (ja) * | 2020-02-28 | 2021-09-02 | Ａｇｃ株式会社 | シリカガラス、シリカガラスを用いた高周波デバイス、およびシリカガラスの製造方法 |
| WO2022215663A1 (ja) * | 2021-04-07 | 2022-10-13 | Ａｇｃ株式会社 | シリカガラス部材およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-07-15 JP JP20282096A patent/JP3883233B2/ja not_active Expired - Fee Related
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