JPH10294341A

JPH10294341A - 実装方法及びその装置及び異方性導電材及びテープ・キャリア・パッケージ

Info

Publication number: JPH10294341A
Application number: JP9100010A
Authority: JP
Inventors: Tetsuya Yamamoto; 哲也山本
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1997-04-17
Filing date: 1997-04-17
Publication date: 1998-11-04

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、例えばプリンタヘッドなどにおいて
ＴＣＰなどの半導体装置を圧電基板に実装する実装方法
に関する。【解決手段】本発明の実装方法は、圧電基板上に形成さ
れた第１の電極に、薄膜状の異方性導電材を介して、電
子部品を搭載する可撓性基板に形成された第２の電極
を、前記可撓性基板側からツールにより加熱加圧するこ
とにより接続する実装方法において、前記ツールが前記
圧電基板に当接するときの速度は、前記ツールの前記圧
電基板への当接により誘起された起電力が前記電子部品
の破壊電圧以下となる速度に調整するものである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばプリンタヘ
ッドなどにおいてＴＣＰ（ＴａｐｅＣａｒｒｉｅｒ
Ｐａｃｋａｇｅ：テープ・キャリア・パッケージ）など
の半導体装置を圧電基板に実装する実装方法及びその装
置及び異方性導電材及びテープ・キャリア・パッケージ
に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、プリンタヘッド製造において
は、図１３に示すように、圧電基板５１にＴＣＰ５２を
異方性導電膜（ＡＣＦ：ＡｎｉｓｏｔｒｏｐｉｃＣｏ
ｎｄｕｃｔｉｖｅＦｉｌｍ）５３を介して、実装ヘッ
ドである加熱加圧ツール５４により実装している。すな
わち、圧電基板５１の電極５１ａ上に異方性導電膜５３
を貼り付け、その上からＴＣＰ５２の電極５２ａを位置
決合わせし、ＴＣＰ５２を仮固定するために、圧縮空気
をエアシリンダに注入し、加熱加圧ツール５４を下降さ
せてテープ部材５２ｔを介して間接的に加熱加圧しなが
ら、仮圧着を行う。その後、位置ずれが無いことを確認
した後、異方性導電膜５３を完全に硬化させるために、
再度、加熱加圧ツール５４を下降させて、加熱加圧し本
圧着する。なお、この場合、異方性導電膜５３の代わり
に、異方性導電ペースト（ＡＣＦ：Ａｎｉｓｏｔｒｏｐ
ｉｃＣｏｎｄｕｃｔｉｖｅＰａｓｔｅ）又はクリー
ムはんだを塗布してもよい。

【０００３】図１４（ａ）は、従来使用している加熱加
圧ツール５４を示すもので、電流は、下向きの矢印５７
方向から加熱加圧ツール５４を通過し、上向きの矢印５
８方向に流れる。その時、断面積が小さく抵抗が大きく
なっている加熱部５９付近で発熱して、その熱がＴＣＰ
５２を介して異方性導電膜５３に伝わり、異方性導電膜
５３が硬化する。図１２（ｂ）は、図１４（ａ）のＸ−
Ｘ線断面図を示すものであるが、加熱加圧ツール５４の
長手方向の中央部６０と両端部６１との形状は同一かつ
材質も同一となっている。

【０００４】また、図１３において、加熱加圧により圧
電基板５１の電極５１ａとＴＣＰ５２の電極５２ａの両
方に導電粒子６０が食い込み、異方性導電膜５３（又は
異方性導電ペースト）の接着剤６１が電極５１ａと電極
５２ａとの間に充填して硬化する。これにより、圧電基
板５１の電極５１ａとＴＣＰ５２の電極５２ａは、導電
粒子６０を介して導通し、他方、導電粒子６０が介在し
ない部位は、接着剤５３により電気的に絶縁される。

【０００５】さらに、図１５は、従来使用しているＴＣ
Ｐ５２を示している（この図においては、電極の本数を
実際のものよりも大幅に減らしてある。）。このような
ＴＣＰ５２は、圧電基板５１と圧電基板ではない例えば
ガラスエポキシ樹脂などを素材とする回路基板６２を橋
絡するように実装する。ここで、圧電基板５１には、Ｏ
電位（グランド）にするための電極（グランド線）５１
ｂと、グランド線でない電極５１ａとが形成されてい
る。一方、回路基板６２にも、Ｏ電位（グランド）にす
るための電極（グランド線）６２ｂと、グランド線でな
い電極６２ａとが形成されている。これら、圧電基板５
１の電極５１ａ，５１ｂは、ＴＣＰ５２の電極５２ａ，
５２ｂに対して位置合わせされた後、異方性導電膜５３
を介して接続される。また、回路基板６２の電極６２
ａ，６２ｂも、ＴＣＰ５２の電極５２ａ，５２ｂに対し
て位置合わせされた後、クリームはんだを介して接続さ
れる。このとき、電極（グランド線）５１ｂ及び電極
（グランド線）６２ｂは、他の電極５２ａ，６２ａと同
様にＴＣＰ５２の半導体チップ６３に電気的に接続され
ている。

【０００６】しかしながら、圧電基板５１にＴＣＰ５２
を異方性導電膜５３を介して実装する場合において、仮
圧着時及び本圧着時に、加熱加圧ツール５４が下降して
ＴＣＰ５２を加圧するとき、同時に圧電基板５１も加圧
され、起電力が誘起される。その結果、発生した起電力
は、加熱加圧ツール５４の下降速度に比例して上昇す
る。そのため起電力が高すぎると、実装している半導体
チップ６３が破壊される問題を生じている。

【０００７】さらに、従来のように、加熱加圧ツール５
４の長手方向の中央部６０と両端部６１との形状が同一
かつ材質も同一となっている加熱加圧ツール５４を用い
て、テープ部材５２ｔを介して間接的に加熱加圧しなが
ら圧着する方法では、加熱加圧ツール５４の中央部６０
が当接している部分の異方性導電膜５３の温度に比べて
加熱加圧ツール５４の両端部６１が当接している部分の
異方性導電膜５３の温度が約２０゜Ｃ以上低くなり、両
端部６１では異方性導電膜５３に十分熱が伝わらず、未
硬化になることがあり、長期的な信頼性低下の原因とな
っていた。また、両端部６１の温度を異方性導電膜５３
が硬化する温度になるように電流量を上げると、中央部
６０の温度も上がるため、ＴＣＰ５２の伸び量も大きく
なり、両端部６１では圧電基板５１の電極５１ａとＴＣ
Ｐ５２の電極５２ａのズレを生じる原因となる。

【０００８】さらに、回路基板６２の電極６２ａをＴＣ
Ｐ５２の電極５２ａに直接クリームはんだを介して直接
加熱加圧（圧着）して実装する場合においては、加熱加
圧ツール５４をＴＣＰ５２の電極５２ａに直接接触させ
て加熱加圧すると、加熱加圧ツール５４の長手方向の中
央部６０のはんだ６０ａの温度に比べて両端部６１のは
んだ６１ａの温度が約２０゜Ｃ以上低くなり、両端部６
１ではんだ６１ａに十分熱が伝わらず、未はんだ付けと
なることがあり、長期信頼性の点で問題となっている。
逆に、両端部６１のはんだ６１ａの温度をはんだ６１ａ
が溶融する温度になるように、温度を上げると、中央部
６０の温度も上がるため、中央部６０付近の温度も上が
るため、回路基板６２が焼け付く不具合を生じる。

【０００９】さらに、異方性導電膜５３により圧電基板
５１の電極５１ａとＴＣＰ５２の電極５２ａを接続する
場合、導電粒子６０は、機械的に電極５１ａと電極５２
ａとに接続しているので、はんだ接続に比べて接続抵抗
が高く電気的に不安定となり、かつ電流容量も低くなる
難点を有している。また、圧電基板５１の電極５１ａと
ＴＣＰ５２の電極５２ａとの間には、接着剤７０が充填
され硬化しているので、高温高湿の雰囲気に晒される
と、接着剤７０が膨潤して、電極５１ａと導電粒子６０
との機械的接続、及び、電極５２ａと導電粒子６０との
機械的接続が弱くなり、そのため高温高湿の雰囲気に晒
される以前に比べ、接続抵抗が高くなるとともに、電流
容量も低くなる。

【００１０】さらにまた、従来使用しているＴＣＰ５２
は、電極５２ａ，６２ａ並びに電極（グランド線）５１
ｂ及び電極（グランド線）６２ｂが、いずれも半導体チ
ップ６３に電気的に接続されているので、半導体チップ
６３の接続部の面積が大きくなる結果、半導体チップ６
３自体のサイズが大きくなるので、ＴＣＰ５２の単価が
高くなる。また、電極（グランド線）５１ｂ及び電極
（グランド線）６２ｂにノイズや異常電圧が入り、それ
が、半導体チップ６３に入って、半導体の特性を害する
虞を生じる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
技術では、リードＡ先端の曲り量が大きくなると、隣の
電極パッドＣに接続され接続不良となる不具合を生じて
いる。とくに、現在のＱＦＰでは、０．３ｍｍピッチを
目標として開発が進められているため、リードＡの幅も
当然小さくなり、リードＡは、より曲りやすくなる傾向
を呈しているため、上述した問題は、重要性を増しつつ
ある。

【００１２】他方、このような不具合を回避するため、
実装方法Ｄの幅を小さくしてリードＡ先端に実装方法Ｄ
がないようにすると、今度は直接リードＡの先端と隣の
電極パッドＣが接触してしまう。本発明は、上記事情を
勘案してなされたもので、上記課題を解決することので
きる実装方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】請求項１の実装方法は、
圧電基板上に形成された第１の電極に、薄膜状の接続部
材を介して、電子部品を搭載する配線基板に形成された
第２の電極を、前記配線基板側からツールにより接続す
る実装方法において、前記ツールが前記配線基板及び前
記接続部材を介して前記圧電基板に当接するときの速度
は、前記ツールの前記圧電基板への当接により誘起され
た起電力が前記電子部品の破壊電圧未満となる速度に設
定する。

【００１４】請求項２の実装方法は、請求項１におい
て、前記ツールの前記圧電基板に対する速度は、前記ツ
ールが前記圧電基板に当接する直前に前記起電力が前記
破壊電圧未満となる速度に減速する。

【００１５】請求項３の実装方法は、請求項１におい
て、テープ・キャリア・パッケージである。請求項４の
実装方法は、請求項１において、接続部材は、異方性導
電膜又は異方性導電ペーストである。

【００１６】請求項１乃至請求項４の実装方法は、電子
部品の破壊を防止することができるので、実装製品の品
質及び歩留りの向上に寄与することができる。請求項５
の実装装置は、圧電基板上に形成された第１の電極に、
薄膜状の接続部材を介して、電子部品を搭載する配線基
板に形成された第２の電極を、前記配線基板側から加熱
加圧することにより接続する実装装置において、前記圧
電基板を載置するテーブル部と、前記テーブル部に載置
されている圧電基板に対して前記配線基板を前記接続部
材を介して加熱加圧するツール部と、前記ツール部の作
動を制御するボンディング制御部とを具備し、前記ボン
ディング制御部は、前記ツールが前記配線基板及び前記
接続部材を介して前記圧電基板に当接するときの速度
を、前記ツールの前記圧電基板への当接により誘起され
た起電力が前記電子部品の破壊電圧未満となる速度に調
整する。

【００１７】請求項６の実装装置は、請求項５におい
て、前記ツール部は、前記配線基板及び前記接続部材を
介して前記圧電基板を加熱加圧する加熱加圧ツールと、
前記加熱加圧ツールを着脱自在に保持するチャックと、
前記チャックを保持して昇降駆動する駆動機構と、前記
加熱加圧ツールと前記圧電基板との距離を計測する測距
手段とを具備する。

【００１８】請求項７の実装装置は、請求項６におい
て、前記測距手段は、前記チャックの下端部に設けられ
たレーザ変位計である。請求項８の実装装置は、請求項
６において、前記駆動機構はモータを具備し、前記測距
手段は、前記モータの回転数に基づいて前記加熱加圧ツ
ールと前記圧電基板との距離を計測する。

【００１９】請求項９の実装装置は、請求項５におい
て、前記ボンディング制御部は、前記測距手段における
前記加熱加圧ツールと前記圧電基板との距離計測結果に
基づいて、前記加熱加圧ツールツールが前記圧電基板に
当接する直前に前記起電力が前記破壊電圧以下となる速
度に減速させる。

【００２０】請求項１０の実装装置は、請求項５におい
て、前記ツール部は、前記加熱加圧ツールによる前記配
線基板及び前記接続部材を介しての前記圧電基板に対す
る加圧力を検出する加圧力検出器を具備している。

【００２１】請求項１１の実装装置は、請求項５におい
て、前記ボンディング制御部は、前記加圧力検出器にお
ける加圧力検出結果に基づいて、前記加熱加圧ツールの
前記配線基板及び前記接続部材を介しての前記圧電基板
に対する加圧力及び加圧時間を制御する。

【００２２】請求項５乃至請求項１１の実装装置は、電
子部品の破壊を防止することができるので、実装製品の
品質及び歩留りの向上に寄与することができる。請求項
１２の実装装置は、請求項５において、前記加熱加圧ツ
ールは、前記配線基板に直接当接する棒状の当接体と、
前記当接体の長手方向に直交する方向に通電する一対の
通電板とを有し、前記当接体の厚さは、長手方向両端部
から長手方向中央部にいくにつれ漸次小さく設けられて
いる。

【００２３】請求項１３の実装装置は、請求項５におい
て、前記加熱加圧ツールは、前記配線基板に直接当接す
る棒状の当接体と、前記当接体の長手方向に直交する方
向に通電する一対の通電板とを有し、前記当接体の電気
抵抗は、長手方向両端部よりも長手方向中央部が大きく
設けられている。

【００２４】請求項１２及び請求項１３の実装装置は、
加熱加圧ツールが、当接体の両端部が当接している異方
性導電体の温度と、当接体の中央部が当接している異方
性導電体の温度差が小さくなる構造を有しているので、
実装の信頼性向上に寄与することが可能となる。

【００２５】請求項１４の異方性導電材は、合成樹脂か
らなる接着剤と、前記接着剤中に分散保持された導電粒
子とを具備し、前記導電粒子の少なくとも一部は、前記
接着剤の硬化温度よりも融点が低い金属からなる。

【００２６】請求項１５の異方性導電材は、請求項１４
において、前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い金属
は、前記接着剤の硬化温度よりも融点が高い金属からな
る粒子に被着されている。

【００２７】請求項１６の異方性導電材は、請求項１４
において、前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い金属
は、合成樹脂からなる粒子に被着されている。請求項１
７の異方性導電材は、請求項１４において、前記接着剤
の硬化温度よりも融点が低い金属は、鉛を含まない。

【００２８】請求項１８の異方性導電材は、請求項１４
において、異方性導電膜又は異方性導電ペーストであ
る。請求項１４乃至請求項１８の異方性導電材は、加熱
加圧ツールによる加圧加熱にともない導電粒子の少なく
とも一部が溶融する構造となっているので、溶融した導
電粒子が、配線に金属結合してろう接するとともに、接
着剤は、配線間及びベース板と圧電基板との間に隙間な
く充填して熱硬化する結果、実装の信頼性向上に寄与す
ることが可能となる。

【００２９】請求項１９のテープ・キャリア・パッケー
ジは、可撓性のベース板と、前記ベース板上に形成され
た配線と、前記ベース板の中央部に接着された半導体チ
ップとを具備し、前記配線の一部は、前記半導体チップ
に接続され、且つ、前記配線の他部は、前記半導体チッ
プに接続されていないグランド配線をなす。

【００３０】請求項２０のテープ・キャリア・パッケー
ジは、請求項１９において、前記ベース板の両端部は、
前記配線を介して、各別に回路基板に接続される。請求
項２１のテープ・キャリア・パッケージは、請求項１９
において、前記ベース板の前記回路基板に対する接続領
域には位置合わせ用のマークが設けられている。

【００３１】請求項１９乃至請求項２１のテープ・キャ
リア・パッケージは、グランド配線が、半導体チップを
経由することなく、直接、回路基板間を電気的に接続し
ているので、その分だけ半導体チップを小さくすること
が可能となり、製造単価を下げることが可能となるとと
もに、グランド配線に入ったノイズや電圧により、半導
体の性能の低下と半導体自体の破壊を防止することがで
きる。

【００３２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
を参照して詳述する。図１は、この一実施形態の実装装
置を示している。この実装装置は、圧電基板１を載置し
て位置決めするテーブル部２と、このテーブル部２の上
方に配設され圧電基板１に対してＴＣＰ３を異方性導電
膜４を介して加熱加圧する加熱加圧ツール５を有するツ
ール部６と、このツール部６及びテーブル部２の作動を
制御するボンディング制御部７とを有している。

【００３３】しかして、ツール部４は、加熱加圧ツール
５と、この加熱加圧ツール５を着脱自在に保持するチャ
ック８と、このチャック８を保持して昇降駆動する駆動
機構９と、チャック８の下端部に設けられ加熱加圧ツー
ル５と圧電基板１との距離を計測する測距手段としての
レーザ変位計８ａとを有している。そして、加熱加圧ツ
ール５は、実際にＴＣＰ３を加熱加圧する横断面がコの
字状をなす当接部５ａ（図２参照）と、この当接部５ａ
を支持するとともに加熱電流を当接部５ａを通電させる
支持部５ｂと、この支持部５ｂに連結されたチャック８
に把持される把持部３ｃと、支持部５ｂを介して当接部
５ａに直流電流を通電させる加熱電源５ｃとを有してい
る。上記加熱加圧ツール５の当接部５ａは、図２に示す
ように、互いに平行に対向する一対の通電板１０と、こ
れら通電板１０をその先端部分にて橋絡しＴＣＰ３に直
接当接する棒状の当接体１１とを有している。上記通電
板１０の形状は例えば縦３０ｍｍ，横２ｍｍ及び厚さ１
ｍｍの矩形状をなし、当接体１１の幅（長手方向に直
交）方向に通電するものである。また、当接体１１の厚
さは、図２に示すように、両端部から中央部にいくにつ
れ漸次小さくなるように設けられている。すなわち、当
接体１１の縦断面形状は、当接面側でない反対側の背面
部側が弧状をなすように形成されている。一方、加熱加
圧ツール５の支持部５ｂは、通電板１０に各別に連設さ
れた矩形状をなす一対の連設板１２を有している。これ
ら連設板１２は、通電板１０に対する連設部にて、テー
パ状に厚みが減少している。

【００３４】さらに、チャック８は、その下端部におい
て加熱加圧ツール５の支持部５ｂを挾圧・保持するとと
もに、上端部において電気的絶縁材を介して駆動機構９
に連結されている。そして、チャック８は、前記加熱電
源５ｃに電気的に接続され、その下端部を介して連設板
１２及び当接部５ａに直流電流を通電するようになって
いる。

【００３５】しかして、駆動機構９は、空気圧シリンダ
１３と、この空気圧シリンダ１３により昇降駆動される
作動杆１４と、空気圧シリンダ１３内に圧縮空気を導入
かつ導出する空気案内管１５と、前記空気案内管１５を
介して空気圧シリンダ１３に圧縮空気を供給する圧縮空
気源１６と、圧縮空気源１６から供給される圧縮空気の
空気圧シリンダ１３への注入速度を制御して作動杆１４
の昇降速度を制御するスピード制御器１７と、空気案内
管１５の中途に設けられ当接部５ａによる加圧力を検出
する加圧力検出器１８とを有している。

【００３６】さらに、ボンディング制御部７には、後述
する実装プロセスを実現するための操作プログラムが格
納されていて、レーザ変位計８ａからの出力信号ＳＤ及
び加圧力検出器１８からの出力信号ＳＰに基づいて、加
熱加圧ツール５の昇降及び加圧時間を制御するものであ
る。

【００３７】つぎに、上記構成の実装装置を用いて、こ
の一実施形態の実装方法について述べる。図３は、この
実施形態の実装方法にて圧電基板１上に異方性導電膜４
を介して実装されるＴＣＰ３を示している。このＴＣＰ
３は、透光性のポリイミド樹脂を素材とする例えば厚さ
７５μｍのベース板２０と、このベース板２０上に被着
形成された例えば銅などからなる配線２１と、ベース板
２０の中央部に接着され前記配線２１の一部が放射状に
延出された半導体チップ２２とを有している。前記ベー
ス板２０は、例えば縦４０ｍｍ及び横３０ｍｍの矩形状
をなしている。そして、前記配線２１は、半導体チップ
２２から延出された信号配線２３と、半導体チップ２２
には電気的に接続されていないグランド配線２４とから
なっている。そして、信号配線２３は、ベース板２０の
一端部に延出され異方性導電膜５３を介して圧電基板５
１に圧着接続される第１の信号配線２３ａと、ベース板
２０の他端部に延出されはんだを介して例えばエポキシ
樹脂などからなる回路基板３１に接続される第２の信号
配線２３ｂとからなっている。なお、図３においては、
第１の信号配線２３ａ及び第２の信号配線２３ｂの数
は、５本以内であるが、実際には、５０本以上である
（リード・ピッチは０．５ｍｍ〜０．６ｍｍ）。前記第
１の信号配線２３ａは、ベース板２０の一端部の先端か
ら例えば１０ｍｍ手前まで延出されている。したがっ
て、ベース板２０の一端部には、第１の信号配線２３ａ
が存在しないブランク領域２５ができている。一方、前
記第２の信号配線２３ｂは、ベース板２０の他端部から
例えば１０ｍｍ突出していて、突出した部分が回路基板
３１にはんだ付けされるようになっている。さらに、グ
ランド配線２４は、ベース板２０の左側部を横切るよう
に配設されている。そして、このグランド配線２４の一
端部は、ブランク領域２５にてＬ字状に折曲されてい
る。さらに、折曲したグランド配線２４の中途部から
は、第１の分岐配線２４ａが平行に配設された多数の第
１の信号配線２３ａの間隙に延出している。また、折曲
したグランド配線２４の中途部からは、平行な複数の第
２の分岐配線２４ｂがベース板２０の一端部の端縁面ま
で延出されている。しかして、これら分岐配線２４ｂの
両側部には、一対の位置合わせマーク２４ｃが、分岐配
線２４ｂと同一材料により連設されている。そして、ブ
ランク領域２５にあるグランド配線２４は、他の電極と
の接触（ショート）を防止するために、ソルダレジスト
（図示せず。）が塗布されている。また、このグランド
配線２４の他端部は、第２の信号配線２３ｂと同様に、
ベース板２０の他端部から例えば１５ｍｍ突出してい
て、突出した部分が回路基板３１にはんだ付けされるよ
うになっている。しかして、グランド配線２４及び第２
の信号配線２３ｂの突端部には、これらを横切るように
ベース板２０と同材質のキーパー・バー３２が取付けら
れ、隣接するリード接触を防止するようにしている。

【００３８】なお、グランド配線２４は、ベース板２０
の右側部を横切るように配設してもよい。さらに、圧電
基板１上にあらかじめ配設される異方性導電膜４は、図
４に示すように、エポキシ樹脂系の接着剤３１と、この
接着剤３１中に分散保持された導電粒子３２とを有して
いる。この導電粒子３２は、その融点が、接着剤３１の
硬化温度（１８０゜Ｃ付近）以下であるＳｎ−Ｂｉ（錫
−ビスマス）系の低融点金属からなっている。

【００３９】上記導電粒子３２の材質としては、Ｓｎ−
Ｂｉ系に限定されることはない。たとえば、図５に示す
ように、融点が、接着剤３１の硬化温度（１８０゜Ｃ付
近）以上であるＮｉ（ニッケル）に、融点が接着剤３１
の硬化温度（１８０゜Ｃ付近）以下であるＳｎ−Ｂｉ系
の低融点金属がめっきされているものでもよい。この場
合、Ｎｉの代わりに、金（１Ａｕ）、又はエポキシ樹脂
系、アクリル樹脂系等のプラスチックを用いてもよい。

【００４０】なお、低融点金属としては、Ｓｎ−Ｂｉ系
に限定されることはなく、例えばＳｎ−Ｉｎ（錫−イン
ジウム）系合金を用いてもよい。さて、まず圧電基板１
をテーブル部２上に位置決めする。この圧電基板１上に
は、図２に示すように、予め例えば銅などからなる配線
１ａが所定の回路パターンに形成されている。そして、
配線１ａのＴＣＰ３の接続領域１ｂには、異方性導電膜
４が被着されている。つぎに、ＴＣＰ３を図示せぬ搬送
・位置決め機構により圧電基板１上に位置決めし、第１
の信号配線２３ａが、異方性導電膜４を介して、対応す
る配線１ａ上になるようにする。この位置決めは、分
岐配線２４ｂの両端部に設けられた一対の位置合わせマ
ーク２４ｃを、圧電基板５１の配線１ａに設けられた位
置合わせマーク１ｃに重ね合わせることにより行う。

【００４１】つぎに、ボンディング制御部７からは、あ
らかじめ設定されているプログラムに従って駆動機構９
のスピード制御器１７に制御信号ＳＣが印加される。こ
れに伴って、スピード制御器１７にては、下降速度Ｖ１
で作動杆１４が下降するように、圧縮空気を圧縮空気源
１６から空気圧シリンダ１３に注入する。これにともな
って、加熱加圧ツール５は、圧電基板１に向かって接近
する（図６，ステップＳ１）。このとき、レーザ変位計
８ａからは加熱加圧ツール５と圧電基板１との距離Ｄを
示す信号ＳＤがボンディング制御部７に入力する。しか
して、ボンディング制御部７にては、この信号ＳＤが示
す距離Ｄが予め設定されているＤ０（例えば１０ｍｍ）
になったとき、スピード制御器１７に制御信号ＳＣを印
加し、下降速度Ｖ２で作動杆１４が下降するように、注
入している圧縮空気の圧力を減圧する（図６，ステップ
Ｓ２）。ここで、下降速度Ｖ１は、例えば６０ｍｍ／
秒、及び、下降速度Ｖ２は、例えば１０ｍｍ／秒であ
る。すなわち、下降速度Ｖ２は、下降速度Ｖ１のほぼ６
分の１のように微速で下降する。このように減速した状
態で加熱加圧ツール５の当接体１１をＴＣＰ３に当接さ
せる（図６，ステップＳ３）。

【００４２】すると、当接体１１のＴＣＰ３の当接に伴
って、圧電基板１は、異方性導電膜４を介して加熱加圧
ツール５により例えば２．５×１０⁶ Ｐａの力を受け
る。その結果、圧電基板１には、圧電効果により起電力
が誘起される。しかし、このとき発生した起電力の大き
さが、半導体チップ２２の破壊電圧よりも小さくなるよ
うに予め設定されているので、半導体チップ２２の破壊
を防止することができる。

【００４３】この場合の誘起起電力の調整は、加熱加圧
ツール５の下降速度Ｖ２の調節により行う。ちなみに、
図７は、加熱加圧ツール５の下降速度Ｖ２と圧電基板１
に発生した起電力Ｅとの関係を実験的に求めたものであ
るが、この図６において、加熱加圧ツール５の下降速度
Ｖ２が、破壊電圧Ｅ０に対応する下降速度Ｖ２０未満と
なるように設定する。すなわち、加熱加圧ツール５の下
降速度Ｖ２と圧電基板１に発生した起電力Ｅとの間に
は、次式＜１＞の関係があることが知られている。

【００４４】Ｖ２＝ａＥ＋ｂ ………＜１＞
ここで、ａ，ｂは、各種加熱加圧条件により決定される
定数である。この式＜１＞は、加熱加圧ツール５の下降
速度Ｖ２と圧電基板１に発生した起電力Ｅとが正比例関
係を有することを示している。すなわち、加熱加圧ツー
ル５の下降速度Ｖ２が増大するにつれ、速度増大量に比
例して起電力Ｅも増加する。逆に、加熱加圧ツール５の
下降速度Ｖ２を減少させると、速度減少量に比例して発
生する起電力Ｅも増加する。そこで、前述のように、加
熱加圧ツール５の下降速度Ｖ２を、図７における下降速
度Ｖ２０未満となるように設定することにより、加熱加
圧ツール５の当接による圧電基板１に発生した起電力Ｅ
を破壊電圧Ｅ０とならないようにすることが可能とな
る。

【００４５】しかして、加熱加圧ツール５を、ＴＣＰ３
及び異方性導電膜４を介して、圧電基板１に当接して数
秒保持することにより仮圧着を行う（図６，ステップＳ
４）。しかして、加熱加圧ツール５を上昇させる（図
６，ステップＳ５）。そして、図示せぬ自動認識機構に
より、ＴＣＰ３の圧電基板１に対する位置ずれの有無を
判定し、位置ずれが無い場合は、再び加熱加圧ツール５
を前と同一の条件で下降させ、加熱加圧ツール５の当接
体１１をＴＣＰ３に当接させる（図６，ステップＳ
６）。一方、位置ずれを発見した場合は、位置ずれを修
正した後、ステップＳ６に戻る（図６，ステップＳ
７）。

【００４６】一方、加熱加圧ツール５がＴＣＰ３を異方
性導電膜４を介して圧電基板１に対して加熱加圧する
際、加圧力検出器１８からは、加熱加圧ツール５の加圧
力Ｐを示す信号ＳＰがボンディング制御部７に出力され
ている。そこで、ボンディング制御部７にては、信号Ｓ
Ｐが示す加熱加圧ツール５の加圧力Ｐが予め設定されて
いる設定加圧力Ｐ０（例えば３．９２×１０⁶ Ｐａ）と
なったか否か判定し（図６，ステップＳ８）、加圧力Ｐ
が設定加圧力Ｐ０になっていないとき、加熱加圧ツール
５による加圧を継続する（図６，ステップＳ９）。一
方、加圧力Ｐが設定加圧力Ｐ０になったとき、当接部５
ａに、加熱電源５ｃから連設板１を介して例えば２０Ａ
の直流電流が通電し、電気抵抗熱により、例えば１８０
゜Ｃに加熱する（図６，ステップＳ１０）。そして、設
定加圧力Ｐ０となったときを計時起点として例えば２０
秒経過後に、スピード制御器１７に制御信号ＳＤを印加
し、上昇速度Ｖ３で作動杆１４が上昇するように、圧縮
空気の流れの方向及び圧力の大きさを切り換える（図
６，ステップ１１）。その結果、作動杆１４が速度Ｖ３
で上昇し、加熱加圧ツール５はＴＣＰ３から離間する。

【００４７】さて、前記加熱加圧ツール５によりＴＣＰ
３を異方性導電膜４を介して圧電基板１に対して加熱加
圧する場合、前述したように、加熱加圧ツール５の当接
部５ａは、互いに平行に対向する一対の通電板１０と、
これら通電板１０をその先端部分にて橋絡しＴＣＰ３に
直接当接する当接体１１とを有し、且つ、当接体１１の
縦断面形状は、当接面側でない反対側の背面部側が弧状
をなすように形成されている。したがって、通電板１０
を介して通電した場合、当接体１１の両端部の横断面積
は、中央部の横断面積よりも大きい。したがって、当接
体１１の両端部の抵抗は、中央部の抵抗よりも小さくな
る。その結果、電流は、抵抗の高い中央部よりも、抵抗
の小さい両端部を優先的に流れる（図２における電流の
流れ及び大きさを示す矢印ＩＡ，ＩＢ参照。これらの電
流ＩＡ，ＩＢは、当接体１１を経由して一方の通電板１
０から他方の通電板１０に流れる。つまり、電流は当接
体１１の幅方向に流れる。）。そのため、発熱量は、中
央部よりも両端部の方が高くなり、温度もこれに比例し
て上昇する。しかし、両端部の放熱は、中央部の放熱よ
りも大きいので、ＴＣＰ３を介して異方性導電膜４に伝
達する熱量の差は小さくなり、当接体１１の両端部が当
接している異方性導電膜４の温度と、当接体１１の中央
部が当接している異方性導電膜４の温度の差は２０゜Ｃ
以内となる。そのため、ＴＣＰ３が熱膨張により伸びる
前に、まず当接体１１の両端部が当接している異方性導
電膜４が硬化し、その後、当接体１１の中央部が当接し
ている異方性導電膜４が硬化する。このためＴＣＰ３が
熱膨張による伸びを抑制して、異方性導電膜４を硬化さ
せることが可能となる。

【００４８】なお、この場合、互いに平行に対向する一
対の通電板１０と、これら通電板１０をその先端部分に
て橋絡しＴＣＰ３に直接当接する当接体１１とからなる
加熱加圧ツール５において、当接体１１を、図８及び図
９に示すように、材質が例えばモリブデン（Ｍｏ）など
の金属からなる両端部１１ａと、これら両端部１１ａ間
に挾設され、材質が例えばスーパーインバーなどの両端
部１１ａよりも高抵抗の中央部１１ｂとからなってい
る。この場合も、前述した加熱加圧ツール５と同様の作
用効果を奏することができる。

【００４９】かくして、圧電基板１に対する異方性導電
膜４を介してのＴＣＰ３の接着作業が終了するが、この
場合、異方性導電膜４は、エポキシ樹脂系の接着剤３１
と、この接着剤３１中に分散保持された導電粒子３２と
を有しており、導電粒子３２は、その融点が、接着剤３
１の硬化温度（１８０゜Ｃ付近）以下であるＳｎ−Ｂｉ
（錫−ビスマス）系の低融点金属からなっている。よっ
て、図１０に示すように、加熱加圧ツール５により加圧
を開始すると、圧電基板１の配線１ａとＴＣＰ３の配線
２１の両方に導電粒子３２が食い込む。さらに、加熱加
圧ツール５の加圧が目標値に達し、１８０゜Ｃ付近で加
熱すると、例えば銅からなる配線１ａ，２１に食い込ん
だＳｎ−Ｂｉ（錫−ビスマス）系の低融点金属からなる
導電粒子３２が溶融して、溶融した導電粒子３２が、配
線１ａ，２１の両者に金属結合して、両者は確実にろう
接される。一方、エポキシ樹脂系の接着剤３１は、配線
１ａ，２１間及びベース板２０と圧電基板１との間に隙
間なく充填して熱硬化する。これにより、導電粒子３２
を介してろう接された圧電基板１の配線１ａとＴＣＰ３
の配線２１とは確実に電気的に導通状態となるととも
に、配線１ａ，２１に隣接する部位は、熱硬化した接着
剤３１により完全に絶縁状態となる。

【００５０】この場合、導電粒子３２として、接着剤３
１の硬化温度（１８０゜Ｃ付近）以上である粒状のＮｉ
（ニッケル）に、融点が接着剤３１の硬化温度（１８０
゜Ｃ付近）以下であるＳｎ−Ｂｉ系の低融点金属がめっ
きされているものを用いた場合も、Ｎｉに被着している
Ｓｎ−Ｂｉ系の低融点金属が溶融することにより、前述
したと同様の作用効果を奏することができる。

【００５１】また、Ｎｉの代わりに、金（Ａｕ）、又は
エポキシ樹脂系、アクリル樹脂系等のプラスチックを用
い、このプラスチック上に融点が接着剤３１の硬化温度
（１８０゜Ｃ付近）以下であるＳｎ−Ｂｉ系の低融点金
属がめっきされているものを用いた場合も、前述したと
同様の作用効果を奏することができる。

【００５２】しかして、作動杆１４が速度Ｖ３で上昇
し、加熱加圧ツール５はＴＣＰ３から離間した後、ＴＣ
Ｐ３が異方性導電膜４を介して接続された圧電基板１を
図示せぬ搬送手段により別に設けたテーブル部２ａ上に
載置されている例えばガラスエポキシ樹脂などからなる
回路基板３１の電極３１ａ上に形成されたはんだ６１上
に、前記第２の信号配線２３ｂ及び前記グランド配線２
４を位置決めされるように移載する。なお、はんだ６１
は、クリームはんだを印刷したものでもよいし、めっき
はんだを用いてもよい。ついで、図１１に示すように、
前記加熱加圧ツール５により、圧電基板１に対すると同
様にして、第２の信号配線２３ｂ及び前記グランド配線
２４を電極をなすはんだ６１に対して加圧加熱する。こ
場合も、前と同様に、当接体１１の両端部の抵抗は、中
央部の抵抗よりも小さくなる。その結果、電流は、抵抗
の高い中央部よりも、抵抗の小さい両端部を優先的に流
れる。そのため、発熱量は、中央部よりも両端部の方が
高くなり、温度もこれに比例して上昇する。しかし、両
端部の放熱は、中央部の放熱よりも大きいので、ＴＣＰ
３の第２の信号配線２３ｂ及びグランド配線２４を介し
てはんだ６１に伝達する熱量の差は、加熱加圧ツール５
の両端部と中央部とではほとんど差異はない。その結
果、当接体１１の両端部位置に対応するはんだ６１の温
度と、当接体１１の中央部位置に対応するはんだ６１の
温度は、両者ほぼ等しくなり、ＴＣＰ３の第２の信号配
線２３ｂ及びグランド配線２４は、すべて同一のはんだ
付け条件により対応する各電極に接続される。

【００５３】かくして、両端に圧電基板１と回路基板３
１とが接続されたＴＣＰ３においては、その配線２１
は、半導体チップ２２から延出された信号配線２３と、
半導体チップ２２には電気的に接続されていないグラン
ド配線２４とからなっている。すなわち、グランド配線
２４は、半導体チップ２２を経由することなく、直接、
圧電基板１と回路基板３１との間を電気的に接続してい
るので、その分だけ半導体チップ２２の小さくすること
が可能となり、ＴＣＰ単価を下げることが可能となる。
また、グランド配線２４に入ったノイズや電圧により、
半導体の性能の低下と半導体自体の破壊を防止すること
ができる。

【００５４】以上のように、本実施態様の実装方法は、
ＴＣＰ３を異方性導電膜４を介して圧電基板１に実装す
る際に、少なくとも加熱加圧ツール５がＴＣＰ３に当接
する直前において、この加熱加圧ツール５の当接により
圧電基板１において誘起される起電力がＴＣＰ３の半導
体チップ２２の破壊電圧よりも小さくなるように、加熱
加圧ツール５の下降速度を調整するようにするもので、
半導体チップ２２の破壊を防止することができるので、
実装製品の品質及び歩留りの向上に寄与することができ
る。

【００５５】また、本実施態様の実装装置は、レーザ変
位計８ａからの出力信号ＳＤに基づいて加熱加圧ツール
５と圧電基板１との距離を算出し、この算出結果に基づ
いて、加熱加圧ツール５がＴＣＰ３に当接する直前にお
いて、この加熱加圧ツール５の当接により圧電基板１に
おいて誘起される起電力がＴＣＰ３の半導体チップ２２
の破壊電圧よりも小さくなるように、加熱加圧ツール５
の下降速度を調整するようにするもので、半導体チップ
２２の破壊を防止することができるので、実装製品の品
質及び歩留りの向上に寄与することができる。

【００５６】さらに、本実施態様の実装装置は、加圧力
検出器１８からの出力信号ＳＰに基づいて、加熱加圧ツ
ール５による異方性導電膜４の加圧力及び加圧時間を厳
密に制御しているので、圧電基板１に対するＴＣＰ３の
実装の信頼性が飛躍的に高まる。

【００５７】さらに、本実施態様の実装装置の一部をな
す加熱加圧ツール５は、当接体１１の両端部が当接して
いる異方性導電膜４の温度と、当接体１１の中央部が当
接している異方性導電膜４の温度差が小さくなる構造を
有しているので、ＴＣＰ３が熱膨張により伸びる前に、
まず当接体１１の両端部が当接している異方性導電膜４
が硬化し、その後、当接体１１の中央部が当接している
異方性導電膜４が硬化する。このためＴＣＰ３が熱膨張
による伸びを抑制して、異方性導電膜４を硬化させるこ
とが可能となるので、実装の信頼性向上に寄与すること
が可能となる。

【００５８】さらにまた、本実施態様における異方性導
電膜４は、加熱加圧ツール５による加圧加熱にともない
導電粒子３２の少なくとも一部が溶融する構造となって
いるので、溶融した導電粒子３２が、配線１ａ，２１の
両者に金属結合して、両者は確実にろう接されるととも
に、エポキシ樹脂系の接着剤３１は、配線１ａ，２１間
及びベース板２０と圧電基板１との間に隙間なく充填し
て熱硬化する。その結果、実装の信頼性向上に寄与する
ことが可能となる。

【００５９】さらに、本実施態様における、両端に圧電
基板１と回路基板３１とが接続されたＴＣＰ３は、グラ
ンド配線２４が、半導体チップ２２を経由することな
く、直接、圧電基板１と回路基板３１との間を電気的に
接続しているので、その分だけ半導体チップ２２を小さ
くすることが可能となり、ＴＣＰ単価を下げることが可
能となるとともに、グランド配線２４に入ったノイズや
電圧により、半導体の性能の低下と半導体自体の破壊を
防止することができる。

【００６０】なお、上記実施態様においては、駆動機構
９は空気圧方式を採用しているがこれに限定されるもの
ではなく、例えば図１２に示すように、電動モータ９１
により、加熱加圧ツール５を昇降させるようにしてもよ
い。この場合、加熱加圧ツール５の下降速度の制御は、
電動モータ９１の回転速度に基づいて行う。また、この
場合、下降速度を減速する位置の検出も、電動モータ９
１の回転数の計測に基づいて行うようにしてもよい。こ
の場合、加圧力検出器１８としては、例えば電動モータ
９１の回転軸に連結されたトルクメータなどをもちいる
とよい。

【００６１】さらに、上記実施態様において、異方性導
電膜４の代わりに異方性導電ペーストを用いるようにし
てもよい。さらに、上記実施態様において、加熱加圧ツ
ール５と圧電基板１との距離Ｄを検出するレーザ変位計
８ａの代わりに、例えば作動トランスなど他の距離計を
用いるようにしてもよい。

【００６２】

【発明の効果】請求項１の実装方法は、圧電基板上に形
成された第１の電極に、薄膜状の接続部材を介して、電
子部品を搭載する配線基板に形成された第２の電極を、
前記配線基板側からツールにより接続する実装方法にお
いて、前記ツールが前記配線基板及び前記接続部材を介
して前記圧電基板に当接するときの速度は、前記ツール
の前記圧電基板への当接により誘起された起電力が前記
電子部品の破壊電圧未満となる速度に調整する。

【００６３】請求項２の実装方法は、請求項１におい
て、前記ツールの前記圧電基板に対する速度は、前記ツ
ールが前記圧電基板に当接する直前に前記起電力が前記
破壊電圧未満となる速度に減速する。

【００６４】請求項３の実装方法は、請求項１におい
て、テープ・キャリア・パッケージである。請求項４の
実装方法は、請求項１において、接続部材は、異方性導
電膜又は異方性導電ペーストである。

【００６５】請求項１乃至請求項４の実装方法は、電子
部品の破壊を防止することができるので、実装製品の品
質及び歩留りの向上に寄与することができる。請求項５
の実装装置は、圧電基板上に形成された第１の電極に、
薄膜状の接続部材を介して、電子部品を搭載する配線基
板に形成された第２の電極を、前記配線基板側から加熱
加圧することにより接続する実装装置において、前記圧
電基板を載置するテーブル部と、前記テーブル部に載置
されている圧電基板に対して前記配線基板を前記接続部
材を介して加熱加圧するツール部と、前記ツール部の作
動を制御するボンディング制御部とを具備し、前記ボン
ディング制御部は、前記ツールが前記配線基板及び前記
接続部材を介して前記圧電基板に当接するときの速度
を、前記ツールの前記圧電基板への当接により誘起され
た起電力が前記電子部品の破壊電圧未満となる速度に調
整する。

【００６６】請求項６の実装装置は、請求項５におい
て、前記ツール部は、前記配線基板及び前記接続部材を
介して前記圧電基板を加熱加圧する加熱加圧ツールと、
前記加熱加圧ツールを着脱自在に保持するチャックと、
前記チャックを保持して昇降駆動する駆動機構と、前記
加熱加圧ツールと前記圧電基板との距離を計測する測距
手段とを具備する。

【００６７】請求項７の実装装置は、請求項６におい
て、前記測距手段は、前記チャックの下端部に設けられ
たレーザ変位計である。請求項８の実装装置は、請求項
６において、前記駆動機構はモータを具備し、前記測距
手段は、前記モータの回転数に基づいて前記加熱加圧ツ
ールと前記圧電基板との距離を計測する。

【００６８】請求項９の実装装置は、請求項５におい
て、前記ボンディング制御部は、前記測距手段における
前記加熱加圧ツールと前記圧電基板との距離計測結果に
基づいて、前記加熱加圧ツールツールが前記圧電基板に
当接する直前に前記起電力が前記破壊電圧未満となる速
度に減速させる。

【００６９】請求項１０の実装装置は、請求項５におい
て、前記ツール部は、前記加熱加圧ツールによる前記配
線基板及び前記接続部材を介しての前記圧電基板に対す
る加圧力を検出する加圧力検出器を具備している。

【００７０】請求項１１の実装装置は、請求項５におい
て、前記ボンディング制御部は、前記加圧力検出器にお
ける加圧力検出結果に基づいて、前記加熱加圧ツールの
前記配線基板及び前記接続部材を介しての前記圧電基板
に対する加圧力及び加圧時間を制御する。

【００７１】請求項５乃至請求項１１の実装装置は、電
子部品の破壊を防止することができるので、実装製品の
品質及び歩留りの向上に寄与することができる。請求項
１２の実装装置は、請求項５において、前記加熱加圧ツ
ールは、前記配線基板に直接当接する棒状の当接体と、
前記当接体の長手方向に直交する方向に通電する一対の
通電板とを有し、前記当接体の厚さは、長手方向両端部
から長手方向中央部にいくにつれ漸次小さく設けられて
いる。

【００７２】請求項１３の実装装置は、請求項５におい
て、前記加熱加圧ツールは、前記配線基板に直接当接す
る棒状の当接体と、前記当接体の長手方向に直交する方
向に通電する一対の通電板とを有し、前記当接体の電気
抵抗は、長手方向両端部よりも長手方向中央部が大きく
設けられている。

【００７３】請求項１２及び請求項１３の実装装置は、
加熱加圧ツールが、当接体の両端部が当接している異方
性導電体の温度と、当接体の中央部が当接している異方
性導電体の温度差が小さくなる構造を有しているので、
テープ・キャリア・パッケージが熱膨張により伸びる前
に、まず当接体の両端部が当接している異方性導電体が
硬化し、その後、当接体の中央部が当接している異方性
導電体が硬化する。このためテープ・キャリア・パッケ
ージが熱膨張による伸びを抑制して、異方性導電体を硬
化させることが可能となるので、実装の信頼性向上に寄
与することが可能となる。

【００７４】請求項１４の異方性導電材は、合成樹脂か
らなる接着剤と、前記接着剤中に分散保持された導電粒
子とを具備し、前記導電粒子の少なくとも一部は、前記
接着剤の硬化温度よりも融点が低い金属からなる。

【００７５】請求項１５の異方性導電材は、請求項１４
において、前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い金属
は、前記接着剤の硬化温度よりも融点が高い金属からな
る粒子に被着されている。

【００７６】請求項１６の異方性導電材は、請求項１４
において、前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い金属
は、合成樹脂からなる粒子に被着されている。請求項１
７の異方性導電材は、請求項１４において、前記接着剤
の硬化温度よりも融点が低い金属は、鉛を含まない。

【００７７】請求項１８の異方性導電材は、請求項１４
において、異方性導電膜又は異方性導電ペーストであ
る。請求項１４乃至請求項１８の異方性導電材は、加熱
加圧ツールによる加圧加熱にともない導電粒子の少なく
とも一部が溶融する構造となっているので、溶融した導
電粒子が、配線に金属結合してろう接するとともに、接
着剤は、配線間及びベース板と圧電基板との間に隙間な
く充填して熱硬化する結果、実装の信頼性向上に寄与す
ることが可能となる。

【００７８】請求項１９のテープ・キャリア・パッケー
ジは、可撓性のベース板と、前記ベース板上に形成され
た配線と、前記ベース板の中央部に接着された半導体チ
ップとを具備し、前記配線の一部は、前記半導体チップ
に接続され、且つ、前記配線の他部は、前記半導体チッ
プに接続されていないグランド配線をなす。

【００７９】請求項２０のテープ・キャリア・パッケー
ジは、請求項１９において、前記ベース板の両端部は、
前記配線を介して、各別に回路基板に接続される。請求
項２１のテープ・キャリア・パッケージは、請求項１９
において、前記ベース板の前記回路基板に対する接続領
域には位置合わせ用のマークが設けられている。

【００８０】請求項１９乃至請求項２１のテープ・キャ
リア・パッケージは、グランド配線が、半導体チップを
経由することなく、直接、回路基板間を電気的に接続し
ているので、その分だけ半導体チップを小さくすること
が可能となり、製造単価を下げることが可能となるとと
もに、グランド配線に入ったノイズや電圧により、半導
体の性能の低下と半導体自体の破壊を防止することがで
きる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態の実装装置の全体構成図で
ある。

【図２】本発明の一実施形態の実装装置のツール部の要
部拡大図である。

【図３】本発明の一実施形態の実装装置による実装を示
す説明図である。

【図４】本発明の一実施形態の実装装置にて使用される
異方性導電膜を示す要部拡大断面図である。

【図５】本発明の一実施形態の実装装置にて使用される
異方性導電膜の変形例を示す要部拡大断面図である。

【図６】本発明の一実施形態の実装方法を示すフローチ
ャートである。

【図７】本発明の一実施形態の実装方法における加熱加
圧ツールの下降条件を求めるためのグラフである。

【図８】本発明の一実施形態の実装装置のツール部の変
形例を示す要部拡大図である。

【図９】図８のＶＩＩＩ−ＶＩＩＩ線に沿う矢視断面図
である。

【図１０】本発明の一実施形態の実装方法による実装状
態を示す要部拡大断面図である。

【図１１】本発明の一実施形態の実装方法の説明図であ
る。

【図１２】本発明の他の実施形態の実装装置の全体構成
図である。

【図１３】従来の実装方法の説明図である。

【図１４】従来の加熱加圧ツールを示す図である。

【図１５】従来の実装方法により実装されるＴＣＰを示
す平面図である。

【符号の説明】

１：圧電基板，３：ＴＣＰ，４：異方性導電膜，５：加
熱加圧ツール，６：ツール部，７：ボンディング制御
部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】圧電基板上に形成された第１の電極に、薄
膜状の接続部材を介して、電子部品を搭載する配線基板
に形成された第２の電極を、前記配線基板側からツール
により接続する実装方法において、前記ツールが前記配
線基板及び前記接続部材を介して前記圧電基板に当接す
るときの速度は、前記ツールの前記圧電基板への当接に
より誘起された起電力が前記電子部品の破壊電圧未満と
なる速度に設定することを特徴とする実装方法。
【請求項２】前記ツールの前記圧電基板に対する速度
は、前記ツールが前記圧電基板に当接する直前に前記起
電力が前記破壊電圧未満となる速度に減速することを特
徴とする請求項１記載の実装方法。
【請求項３】前記配線基板は、テープ・キャリア・パッ
ケージであることを特徴とする請求項１記載の実装方
法。
【請求項４】接続部材は、異方性導電膜又は異方性導電
ペーストであることを特徴とする請求項１記載の実装方
法。
【請求項５】圧電基板上に形成された第１の電極に、薄
膜状の接続部材を介して、電子部品を搭載する配線基板
に形成された第２の電極を、前記配線基板側から加熱加
圧することにより接続する実装装置において、前記圧電
基板を載置するテーブル部と、前記テーブル部に載置さ
れている圧電基板に対して前記配線基板を前記接続部材
を介して接続するツール部と、前記ツール部の作動を制
御するボンディング制御部とを具備し、前記ボンディン
グ制御部は、前記ツールが前記配線基板及び前記接続部
材を介して前記圧電基板に当接するときの速度を、前記
ツールの前記圧電基板への当接により誘起された起電力
が前記電子部品の破壊電圧未満となる速度に調整するこ
とを特徴とする実装装置。
【請求項６】前記ツール部は、前記配線基板及び前記接
続部材を介して前記圧電基板を加熱加圧する加熱加圧ツ
ールと、前記加熱加圧ツールを着脱自在に保持するチャ
ックと、前記チャックを保持して昇降駆動する駆動機構
と、前記加熱加圧ツールと前記圧電基板との距離を計測
する測距手段とを具備することを特徴とする請求項５記
載の実装装置。
【請求項７】前記測距手段は、前記チャックの下端部に
設けられたレーザ変位計であることを特徴とする請求項
６記載の実装装置。
【請求項８】前記駆動機構はモータを具備し、前記測距
手段は、前記モータの回転数に基づいて前記加熱加圧ツ
ールと前記圧電基板との距離を計測することを特徴とす
る請求項６記載の実装装置。
【請求項９】前記ボンディング制御部は、前記測距手段
における前記加熱加圧ツールと前記圧電基板との距離計
測結果に基づいて、前記加熱加圧ツールツールが前記圧
電基板に当接する直前に前記起電力が前記破壊電圧未満
となる速度に減速させることを特徴とする請求項５記載
の実装装置。
【請求項１０】前記ツール部は、前記加熱加圧ツールに
よる前記配線基板及び前記接続部材を介しての前記圧電
基板に対する加圧力を検出する加圧力検出器を具備して
いることを特徴とする請求項５記載の実装装置。
【請求項１１】前記ボンディング制御部は、前記加圧力
検出器における加圧力検出結果に基づいて、前記加熱加
圧ツールの前記配線基板及び前記接続部材を介しての前
記圧電基板に対する加圧力及び加圧時間を制御すること
を特徴とする請求項５記載の実装装置。
【請求項１２】前記加熱加圧ツールは、前記配線基板に
直接当接する棒状の当接体と、前記当接体の長手方向に
直交する方向に通電する一対の通電板とを有し、前記当
接体の厚さは、長手方向両端部から長手方向中央部にい
くにつれ漸次小さく設けられていることを特徴とする請
求項５記載の実装装置。
【請求項１３】前記加熱加圧ツールは、前記配線基板に
直接当接する棒状の当接体と、前記当接体の長手方向に
直交する方向に通電する一対の通電板とを有し、前記当
接体の電気抵抗は、長手方向両端部よりも長手方向中央
部が大きく設けられていることを特徴とする請求項５記
載の実装装置。
【請求項１４】合成樹脂からなる接着剤と、前記接着剤
中に分散保持された導電粒子とを具備し、前記導電粒子
の少なくとも一部は、前記接着剤の硬化温度よりも融点
が低い金属からなることを特徴とすることを特徴とする
異方性導電材。
【請求項１５】前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い
金属は、前記接着剤の硬化温度よりも融点が高い金属か
らなる粒子に被着されていることを特徴とする請求項１
４記載の異方性導電材。
【請求項１６】前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い
金属は、合成樹脂からなる粒子に被着されていることを
特徴とする請求項１４記載の異方性導電材。
【請求項１７】前記接着剤の硬化温度よりも融点が低い
金属は、鉛を含まないことを特徴とする請求項１４記載
の異方性導電材。
【請求項１８】異方性導電膜又は異方性導電ペーストで
あることを特徴とする請求項１４記載の異方性導電材。
【請求項１９】可撓性のベース板と、前記ベース板上に
形成された配線と、前記ベース板の中央部に接着された
半導体チップとを具備し、前記配線の一部は、前記半導
体チップに接続され、且つ、前記配線の他部は、前記半
導体チップに接続されていないグランド配線をなすこと
を特徴とするテープ・キャリア・パッケージ。
【請求項２０】前記ベース板の両端部は、前記配線を介
して、各別に回路基板に接続されることを特徴とする請
求項１９記載のテープ・キャリア・パッケージ。
【請求項２１】前記ベース板の前記回路基板に対する接
続領域には位置合わせ用のマークが設けられていること
を特徴とする請求項１９記載のテープ・キャリア・パッ
ケージ。