JPH10291212A - 半導体インゴットのスライス装置 - Google Patents

半導体インゴットのスライス装置

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JPH10291212A
JPH10291212A JP9116135A JP11613597A JPH10291212A JP H10291212 A JPH10291212 A JP H10291212A JP 9116135 A JP9116135 A JP 9116135A JP 11613597 A JP11613597 A JP 11613597A JP H10291212 A JPH10291212 A JP H10291212A
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公平 外山
Kazuya Tomii
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体インゴットのスライス装置において、
半導体インゴットとワイヤとの切削面でのスラリー切れ
を無くし、スラリー切れに起因したうねりの発生を抑制
する。 【解決手段】 複数のローラ2,3間に螺旋巻されたワ
イヤ5に半導体インゴットbを押圧し、該ワイヤ5と半
導体インゴットbとの切削面13に対して切削材を含む
スラリーを供給しながらワイヤ5を走行させてウエーハ
のスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装置
において、上記半導体インゴットbとワイヤ5との切削
面13を臨んだインゴットへのワイヤ入射位置側にスラ
リーを供給する第1スラリー供給手段14と、上記第1
スラリー供給手段14よりインゴットから離れる方向の
ワイヤ5の走行方向上流側位置でスラリーを供給する第
2スラリー供給手段15とを備えたことを特徴とし、こ
れにより半導体インゴットの切込みに対するスラリーの
供給形態の改善により、スラリー切れによるうねり発生
を抑制する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は単結晶インゴットそ
の他の半導体インゴットのスライス装置に係り、特に、
走行するワイヤと半導体インゴットとの切削面にスラリ
ーを供給しながらワイヤに単結晶インゴットを押し付け
てスライスする半導体インゴットのスライス装置に関す
る。
【0002】
【従来の技術】例えば単結晶インゴットのスライス装置
としては、図10(a),(b)に示されるように、内
周端面にダイヤモンドが電着された内周刃aに対して単
結晶インゴットのワークbを軸直角方向へ移動させてス
ライスする内周刃スライサーcによりスライス切断する
ものと、図11に示すように、ワイヤdに切削材、研磨
剤の砥粒を含むスラリー(切削液)を供給しながらこの
ワイヤdに単結晶インゴットのワークbを押し付けて砥
粒のラッピング作用によりウェーハを切出す半導体イン
ゴットのワイヤソーeとがある。
【0003】前者の内周刃スライサーcは、後者の半導
体インゴットのスライス装置eと比べて高精度にスライ
スすることができるが、構造上、ウェーハを一枚ずつ切
り出していかなくてはならないので量産性が低いという
問題があり、また、強度上内周刃aの歯厚を後者のワイ
ヤソーeのワイヤdの線径よりも薄くすることができな
いため、スライス時に於ける材料のロスが多いという問
題がある。一方、ワイヤソーeは、多数のワイヤdにワ
ークbを押し付けてスライスする構成のため一度に多数
のウェーハをスライス切断を行うことができる利点を有
し、また、内周刃スライサーcと比べて材料のロスが少
ないという利点を有しているが、場合によってはスライ
ス面にうねりが出て、スライス及びラップ工程を含めた
所要時間が内周刃スライサーcを使用した場合よりも長
くなってしまうという問題がある。このため、8インチ
(200mm)クラスまでのインゴットスライスには、
主として内周刃スライサーcが用いられていた。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、単結晶インゴ
ットの引き上げ技術の目ざましい進歩により、インゴッ
トの引き上げサイズが、今後、短期間のうちに8インチ
から12インチ、16インチ更には20インチ以上に推
移していくことを考えれば、上記内周刃スライサーcの
単なるスケールアップでは、加工時間、加工コストの両
面で対応しきれないものと懸念される。このため半導体
インゴットのスライス装置の弱点であるうねりの問題を
改善し、利点である量産性を最大限に活用することが望
まれる。
【0005】そこで、直径200mm及び直径300m
mの単結晶インゴットのワークを、ワイヤソーでスライ
スし、うねりの状態と、その発生メカニズムについて検
討した。なお、ワイヤソーには、図12に示すように、
ローラ外周面にワイヤdの嵌め込み溝(図示せず)を所
定の螺旋ピッチで形成したヘッドローラf及びテールロ
ーラgを互いに適宜間隔隔て配設し、これらローラf,
g間ほぼ中央下方に、同じくワイヤdの嵌め込み溝を形
成した駆動ローラhを配置し、これらローラf,g,h
の外側から各嵌め込み溝に、ワイヤdとして線経0.0
8〜0.25mm程度の特殊ピアノ線を螺旋状に巻付け
た。また、ワイヤdに上記スラリーを供給するノズルi
には、そのノズル部jがワイヤdの各巻付部に対してそ
れぞれスラリーを供給し得る長さに形成したものを一対
用い、これらノズルiをヘッドローラf、テールローラ
gの上方を横断するように配置した。
【0006】そして、駆動ローラhには、これを正・逆
に切り換えてワイヤdを往復走行させる駆動装置(図示
せず)を取付け、このワイヤdにスラリーを供給しなが
ら走行させ、ワーク送り装置kでワイヤdにワークbを
押し付けてウェーハを切出した。この結果、直径200
mmの半導体インゴットでは実用上問題となるほどのう
ねりは見られなかったが、直径300mmのインゴット
(ワーク)では、うねりが大きく、ワイヤとシリコンと
が直接こすれたような痕跡が見られた。
【0007】図13(a)に前記ワークのスライス状態
を、図13(b)に直径300mmの半導体インゴット
に生じたうねりを示す。図13(a)において、xはワ
ークb切り込み開始点Sからスライス完了点Eまでの切
り込み切り込み深さを表し、図13(b)においてS−
Eはうねりの方向と大きさを測るための基準面で、図1
3のスライス区間S−Eに対応している。また、図13
(b)において、yはうねりの大きさ(μm)を表し、
(+)は凸側のうねりを、(−)は凹側のうねりを表
す。なお、うねり、即ち凹凸の測定には接触式の粗さ測
定装置(Perthen社製 Pertometer又は小坂粗さ計)を使
用した。
【0008】図13(b)に示したように、うねりy
は、最初の切り始め点Sでは小さく、切り込み長さに比
例して大きくなり、ワークb中心を通る最大切り込み点
において最大となる傾向がある。理論上、摩擦は抗力に
比例しても切削面積に比例しないことを考えれば、うね
りの発生及びその程度はスラリー切れ、つまりは、切り
込みに対してのスラリーの供給不良(飲み込みの悪さ)
が起因しているものと考えられる。従って、半導体イン
ゴット直径が直径300mm以上でも切り込み全体に絶
え間なくスラリーを供給してワイヤと半導体インゴット
との切削面にスラリーを供給することができれば、スラ
リー切れに起因するうねりを小さく抑制できるものと考
えられる。なお、うねりの形態には、図13(b)の結
果の他、図13(c)のように凹側と凸側の両方向に生
じる形態や、また、図13(d)に示すように凹側のみ
に生じる形態も考えられる。
【0009】本発明の目的は、半導体インゴットとワイ
ヤとの切削面に切断に対して充分な量のスラリーを供給
して、スラーリー切れによるうねりの発生を抑制するこ
とにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明は以下の構成によ
り達成される。請求項1記載の発明は、複数のローラ間
に張設されたワイヤ列に半導体インゴットを押圧し、該
ワイヤ列に切削材を含むスラリーを供給しながら、ワイ
ヤを走行させてウエーハのスライス切断を行う半導体イ
ンゴットのスライス装置において、上記インゴットのワ
イヤ入射位置近傍にスラリーが供給されるように配設し
た第1スラリー供給手段と、該第1スラリー供給手段よ
りワイヤ走行方向上流側で且つ最初のローラの張設位置
までに位置するワイヤ面にスラリーを供給する第2スラ
リー供給手段とを備えたことを特徴とする。
【0011】この場合請求項2記載のように、前記第1
スラリー供給手段と第2スラリー供給手段の夫々のスラ
リー供給方向がワイヤを挟んでその両側よりワイヤに向
けて位置させることによりワイヤの上下両側より均等に
スラリーが供給されて前記発明の効果を一層円滑に達成
され、更に好ましくは請求項3記載のように、前記第1
スラリー供給手段のスラリー供給方向がワイヤのインゴ
ット切削面を臨む側であり、第2スラリー供給手段のス
ラリー供給方向がインゴットのワイヤを押圧する側に位
置されることにより切削面によるスラリーの冷却ととも
に、切削面へのスラリーの供給が十分なされて好まし
い。尚、前記ワイヤは一般に往復走行させてウエーハの
スライス切断を行う場合が多い。
【0012】この場合は後記実施形態に詳述し且つ請求
項4〜5にクレーム化されているように、前記ワイヤ往
復方向のインゴット両側近傍に第1スラリー供給手段、
ワイヤ往復方向に沿って前記第1スラリー供給手段より
インゴットから離れる方向に夫々第2スラリー供給手段
を配設した事を特徴とし、より具体的には前記インゴッ
トを挟んでその両側に夫々第1及び第2のスラリー供給
手段を配設するとともに、第1スラリー供給手段は、ワ
イヤ入射位置近傍に夫々スラリーが供給されるように配
設され、第2スラリー供給手段は、前記インゴット両側
に配設した夫々の第1スラリー供給手段より最初のロー
ラの張設位置までに位置するワイヤ面にスラリーを供給
するよう配設したものである。
【0013】即ち、具体的に本発明を説明すると、本発
明は、半導体インゴットの切出し開始から完了するま
で、半導体インゴットとワイヤとの切削面に対するスラ
リーの供給を可能とし、さらに、半導体インゴット対し
てワイヤのインゴット入射位置にスラリーを供給してス
ラリーをワイヤに絡み付かせることによって、ワイヤと
半導体インゴットとの切削面に対するスラリーの不足を
無くし、スラリー切れに起因するうねりの発生を防止す
る。従って、切出し品質の高いウェーハを多数切出すこ
とができ、コストダウンを達成することができる。請求
項6記載の発明は、前記発明において、上記第1及び第
2スラリー供給手段を上記各ワイヤにスラリーを供給す
るためのノズル孔を複数有する管体で構成し、これらノ
ズル孔の口径を各ワイヤに対するスラリー供給量が互い
に等しくなるように設定したことを特徴とする。
【0014】すなわち、本発明は、一つの管体に各ワイ
ヤにスラリーを供給するノズル孔を設けただけでは、管
路抵抗に起因してノズル孔毎にそれぞれ供給量が異なっ
てしまうことに鑑み、各ノズル孔の口径の設定に対して
管路抵抗を考慮したものである。従って上記ワイヤの走
行方向上流部及びワイヤと半導体インゴットとの切削面
に供給するスラリー量を一定値に維持でき、スラリー供
給不足によるうねりの発生を防止することができる。
【0015】請求項7記載の発明は、前記発明におい
て、上記スラリー搬送管を外管で二重管的に覆うと共
に、該外管の上記ノズル孔との対面部に上記ノズル孔を
結ぶ方向に延び且つ、ノズル孔より管軸両外側に延びた
スリットを形成し、該スリットの幅を上記最小口径のノ
ズル孔より幅狭に設定したことを特徴とする。この発明
は、外管内を一種のバッファとして機能させ、長さ方向
において均一なスラリーの供給を可能とし、スラリー供
給の信頼性を改善する。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の好
適な実施の形態を例示的に詳しく説明する。だだし、こ
の実施の形態に記載されている構成部品の寸法、材質、
形状、その相対位置などは特に特定的な記載がない限り
は、この発明の範囲をそれのみに限定する趣旨ではな
く、単なる説明例に過ぎない。
【0017】図1乃至図6は本発明の一実施形態を示
し、図1は本実施形態に係るワイヤソーの基本構成を示
す構成図、図2は本実施形態に係るワイヤソーの構成を
示す斜視図、図3はスラリー供給ノズルの構造を示す要
部詳細断面図、図4は図3のIV−IV線断面矢視図、
図5はスラリー供給ノズル内部に形成されたスラリー分
配口の口径と圧力及び流量との関係を示す図、図6は本
実施形態に係るワイヤソーを構成するローラの構造を示
す一部破断側断面図、図7はスラリー供給ノズルに対す
るスラリーの供給系統とスラリー戻り系統を示す図であ
る。である。
【0018】まず、本実施形態に係る半導体単結晶イン
ゴットのスライス装置の基本構成を図2に基づいて説明
する。図2に示すように、スライス装置であるワイヤソ
ー1の上部には互いに間隔を隔ててヘッドローラ2とテ
ールローラ3とが配設され、これらヘッドローラ2及び
テールローラ3の下方ほぼ中央には駆動ローラ4が配設
され、これらローラ2,3,4に対して1本のワイヤ5
が所定螺旋ピッチ(ウェーハの厚さ+切り代)で巻付け
られている。このワイヤ5は、切削材を含むスラリー
(切削液)と協同して半導体インゴット(ワーク)bか
らウェーハを切出すため、硬質、高張力線材(例えば、
線経0.08〜0.25mmの特殊ピアノ線等)からな
り、上記ヘッドローラ2,テールローラ3及び駆動ロー
ラ4外周に形成された所定螺旋ピッチ(ウェーハの厚さ
+切り代)の嵌め込み溝(図示せず)に一定張力で嵌め
込まれて、滑りなく駆動されるようになっている。ま
た、ワイヤ5を駆動するためのローラ駆動装置6は、上
記駆動ローラ4に取付けられ、ワイヤ5を前後に往復動
させるための制御装置(図示せず)の制御によりワイヤ
5を往復移動させるようになっている。なお、上記ヘッ
ドローラ2,テールローラ3及び駆動ローラ4は、本実
施形態にあっては、図6に示すよう鋳鉄等の芯金8に樹
脂等の円筒材9を圧入して形成され、ベアリング9を介
して上記ワイヤソー1の本体フレーム10に支持される
ようになっている。
【0019】さて、図2に示すように半導体インゴット
bの送り出しとスラリーの供給とについて詳述すれば、
ヘッドローラ2、テールローラ3のほぼ中央上方には半
導体インゴットbを下降させてワイヤ5に押圧するワー
ク送り装置12が配設され、また、図1に示すように、
ヘッドローラ2とテールローラ3の間でかつ、上記イン
ゴット(ワーク)bの移動域A(下降域)を挟む両外側
Bで且つ移動域A寄りに、ワークbとワイヤ5との切削
面13へ向けてスラリーを供給すべく第1スラリー供給
ノズル(第1スラリー供給手段)14が設けられ、ヘッ
ドローラ2及びテールローラ3の上方に、それぞれ各ワ
イヤ5にスラリーを供給すべく第2スラリー供給ノズル
(第2スラリー供給手段)15が設けられている。上記
第1及び第2スラリー供給ノズル14,15は、図3及
び図4に示す如く、スラリー搬送管16を外管17内に
収容した二重管構造となっていて、内部のスラリー搬送
管16には、上記ワイヤ5の螺旋ピッチと同じ間隔Pを
隔ててノズル孔18が複数(多数)形成されている。
【0020】これらノズル孔18は、スラリー供給元
(すなわち、第1及び第2スラリー供給ノズル14,1
5の軸方向中央部であって、図7に示す第1及び第2ス
ラリー供給パイプ19,20との接続部)から遠ざかる
に従って(図3においては左側に進むに連れて)その口
径d1,d2,d3,…,dn-1,dnが順次大きくなるように設
定されていて(d1<d2<d3<…<dn-1<dn)、各
ノズル孔18からのスラリー供給量がヘッドローラ2,
テールローラ3の軸方向において均一に保たれるように
なっている。そして外管17のノズル孔18との対面部
には、最小口径d1の上記ノズル孔18よりも幅狭い
(B<d1)スリット21が、これらノズル孔18を結
ぶ線に沿い且つ、両端のノズル孔18より適宜外側まで
延びて形成されていて、外管17内を一種のバッファと
して機能させ、ワイヤ5とワークbとの切削面(ワーク
入射部)13及びワークb対してワイヤ5の往復走行方
向上流側のローラ2、3張設位置までのワイヤ面に上下
両側より絶え間なくスラリーを供給できるようになって
いる。
【0021】なお、スラリーの供給系統及びリターン系
統について図7に基づいて説明すれば、スラリー供給系
統は、スラリー供給タンク26と第1及び第2スラリー
供給ノズル14、15のスラリー搬送管16とをそれぞ
れ個別に連通する第1及び第2スラリー供給管19,2
0と、これらにそれぞれ介設された第1及び第2スラリ
ー供給ポンプ22,23で構成され、また、スラリーリ
ターン系統は、ワイヤ5、ワークb等から落下したスラ
リーを受入れるスラリー溜め25と、このスラリー溜め
25とスラリー供給タンク21とを連通するスラリー排
出管24で構成されている。このように第1,第2スラ
リー供給ノズル14,15に対してそれぞれ個別のスラ
リー供給系を接続すると、2つの独立した系統によるス
ラリー供給量の調節を可能として、将来の大口径単結晶
インゴットのスライスに備えこともできる。
【0022】以下に、本実施形態の作用について説明す
る。上記ワイヤソーでワークbからウェーハを切出すに
は、第1及び第2スラリー供給ポンプ22,23を作動
し(図7参照)、ローラ駆動装置6を作動し、そしてワ
ーク送り装置を作動する。これにより、ワイヤ5にスラ
リーが供給されワークbが押圧される。第1及び第2ス
ラリー供給ポンプ22,23が作動すると、第1及び第
2スラリー供給管19,20とそれぞれ第1及び第2ス
ラリー供給ノズル14,15のスラリー搬送管16との
接続部へとスラリーが供給される。スラリーはこの接続
部からスラリー搬送管16の両端部へと向かって流れ、
各ノズル孔18から噴出しスリット21から流出しよう
するが、上記したようにこのスリット21の幅はノズル
孔18の最小径よりも小さいため(B<d1)、外管17
内のスラリーが一時に全て流出してしまうことはなく、
一種のバッファ効果によって外管17内に一時滞留す
る。このとき上記複数のノズル孔18…の口径が上記し
たd1<d2<d3<…<dn-1<dnに設定されているため、図
5に示すように、配管抵抗に起因してスラリー供給方向
に圧力が低下しても、各ノズル孔18のスラリー供給量
は互いに同じとなる(図5参照)。
【0023】従って、このようなスラリー供給ノズル1
4,15を使用すれば、信頼性の高いスラリーの供給が
可能となる。第1及び第2スラリー供給ポンプ22,2
3の駆動により、第1及び第2スラリー供給ノズル1
4,15からそれぞれスラリーが吐出されると、図1に
示すようにワイヤ5とワークbの切削面(切込みが進ん
だときはワーク及びウェーハのスライス面を含む)に
は、その下方から切削面に向けてスラリーが所定量供給
されると共に、ワークbよりワイヤ5の走行方向上流位
置で前もって上方よりスラリーが供給される。このよう
にこの実施形態にあっては、ワークbとワイヤ5の切削
面13との接触前にワイヤ5に供給されたスラリーと、
このワイヤ5のスラリー上に、ワークbとの接触時(切
出し時)において重ねられるスラリーとにより、また、
切出し開始から完了まで絶え間なくスラリーを供給する
ことによって、スラリー切れのないウェーハの切出しを
可能にするのである。
【0024】従って、本実施形態に係るワイヤソー1
は、第1及び第2スラリー供給ポンプ22,23の回転
数を最適に調節するだけで、スラリー切れがなく、うね
りの極めて小さいウェーハの切出しを行うことができる
ため、ウェーハのコストダウンに貢献することができ
る。 (実施例)上記構成の単結晶半導体インゴットのスライ
ス装置(ワイヤーソー)を使用して半導体インゴット切
断をする際、第1及び第2スラリー供給ポンプ22,2
3の回転数又は流量制御弁(各ポンプと各ノズル間に設
置)の開度を調節して、上記第1及び第2スラリー供給
ノズル14,15個々のスラリー流量(スラリー供給
量)を、インゴット切断開始時、インゴットの中心部切
断時、インゴット切断終了時の各段階において変更し、
また、切断開始時から切断終了までの間、スラリー流量
を漸次(二次関数的)に変化させて、直径300mmの
単結晶半導体インゴットbの切断を行った。このよう
に、インゴットの切断開始時から切断終了までの間、ス
ラリー流量を漸次変化させる理由は、切断長(インゴッ
トとワイヤが接する長さ)の違いにより必要とされるス
ラリーの量が切断位置によって異なるためである。そし
て、切断長の最も長いインゴット中心部で最も多くのス
ラリーが必要となる。こうして切断長によりスラリー流
量を変化させることで更にウェーハのうねりを低減する
ことができる。この場合、上記第1及び第2スラリー供
給ノズル14,15個々のスラリー流量の変化率はそれ
ぞれ図8に示すように徐々に変化(二次関数的)させ、
第1及び第2スラリー供給ノズル14,15個々のスラ
リー流量はそれぞれ図9に示すように変化させた。すな
わち、第1スラリー供給ノズル14及び第2スラリー供
給ノズル15のスラリー流量を、切断開始時は、10〜
25l/min(20〜50l/min)の範囲内に、
インゴット中央部切断時は25〜40l/min(50
〜80l/min)の範囲内に、切断終了時は、10〜
25l/min(20〜50l/min)の範囲内にそ
れぞれ調節すると共に、切断開始時からインゴット中心
部切断時までは、スラリー流量が順次増加するよう、ま
た、インゴット中心部切断時から切断終了時までは、ス
ラリー流量が漸次減少するよう調節した。そして、全体
としては、切断開始時は20〜50l/min(合計4
0〜100l/min)の範囲内に、インゴット中心部
切断時は50〜80l/min(合計100〜160l
/min)の範囲内に、切断終了時は20〜50l/m
in(40〜100l/min)の範囲内に調節すると
共に、切断開始時からインゴット中心部切断時までは、
スラリー流量が漸次増加するよう、また、インゴット中
心部切断時から切断終了時までは、スラリー流量が漸次
減少するよう調節した。なお、()内の数字は、各ノズ
ル毎の合計流量である。切断後、各ウェーハbについ
て、表面あらさ、うねり、傷の検査を行ったところ、実
用上問題となる表面あらさ、うねりは小さくなり、傷は
認められられず、結果的にスラリー切れが生じていなか
ったことが確認された。
【0025】
【発明の効果】以上、説明したことから明かなように本
発明によれば、半導体インゴットの切り込みに対して絶
えることなくスラリーを供給することができ、スラリー
切れによるうねりが極めて小さいウェーハを切出せると
いう優れた効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態に係るワイヤソーの基本構成を示す
図であり、図1(a)は半導体インゴットの端面側から
見た半導体インゴットのスライス装置の正面図、図1
(b)は図1(a)のb−b線矢視図である。
【図2】本実施形態に係る半導体インゴットのスライス
装置の構成を示す斜視図である。
【図3】スラリー供給ノズルの構造を示す要部詳細断面
図である。
【図4】図3のIV−IV線断面矢視図である。
【図5】スラリー供給ノズル内部に形成されたスラリー
分配口の口径と圧力及び流量との関係を示す図である。
【図6】本実施形態に係る半導体インゴットのスライス
装置を構成するローラの構造を示す一部破断側断面図で
ある。
【図7】スラリー供給ノズルに対するスラリーの供給系
統とスラリー戻り系統を示す図ある。
【図8】インゴット切断の際の第1及び第2スラリー供
給ノズルの個々の流量変化率の調節具合を示す図であ
る。
【図9】インゴット切断の際の第1及び第2スラリー供
給ノズルの個々の流量の調節具合を示す図である。
【図10】内周刃スライサーの構造を説明するための図
である。
【図11】半導体インゴットのスライス装置の切断試験
に使用した半導体インゴットのスライス装置の構造を示
す斜視図である。
【図12】スライス装置としての内周刃スサイサーを示
し、図12(a)は内周刃スライサーの構造を概略的に
示す斜視図、図12(b)は内周刃スライサーの構造を
示す断面図である。
【図13】切断試験の状態とうねりの状態の説明するた
めの図であり、図13(a)は、切断状態を示す断面
図、図13(b)〜(c)は切断長さとうねりの大きさ
との関係を示す図である。
【符号の説明】
2 ヘッドローラ 3 テールローラ 5 ワイヤ 13 切削面 14 第1スラリー供給ノズル 15 第2スラリー供給ノズル 16 スラリー搬送管 17 外管 18 ノズル孔 b 半導体インゴット

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数のローラ間に張設されたワイヤ列に
    半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含む
    スラリーを供給しながら、ワイヤを走行させてウエーハ
    のスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装置
    において、 前記インゴットのワイヤ入射位置近傍にスラリーが供給
    されるように配設した第1スラリー供給手段と、 該第1のスラリー供給手段よりワイヤ走行方向上流側で
    且つ最初のローラの張設位置までに位置するワイヤ面に
    スラリーを供給する第2スラリー供給手段とを備えたこ
    とを特徴とする半導体インゴットのスライス装置。
  2. 【請求項2】 前記第1スラリー供給手段と第2スラリ
    ー供給手段の夫々のスラリー供給方向がワイヤを挟んで
    その両側よりワイヤに向けて位置していることを特徴と
    する請求項1記載の半導体インゴットのスライス装置。
  3. 【請求項3】 前記第1スラリー供給手段のスラリー供
    給方向がワイヤのインゴット切削面を臨む側であり、第
    2スラリー供給手段のスラリー供給方向がインゴットの
    ワイヤを押圧する側に位置していることを特徴とする請
    求項2記載の半導体インゴットのスライス装置。
  4. 【請求項4】 複数のローラ間に張設されたワイヤ列に
    半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含む
    スラリーを供給しながらワイヤを往復走行させてウエー
    ハのスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装
    置において、 前記ワイヤ往復方向のインゴット両側近傍に第1スラリ
    ー供給手段、ワイヤ往復方向に沿って前記第1スラリー
    供給手段よりインゴットから離れる方向に夫々第2スラ
    リー供給手段を配設した事を特徴とする半導体インゴッ
    トのスライス装置。
  5. 【請求項5】 複数のローラ間に張設されたワイヤ列に
    半導体インゴットを押圧し、該ワイヤ列に切削材を含む
    スラリーを供給しながらワイヤを往復走行させてウエー
    ハのスライス切断を行う半導体インゴットのスライス装
    置において、 前記インゴットを挟んでその両側に夫々第1及び第2の
    スラリー供給手段を配設するとともに、 第1スラリー供給手段は、ワイヤ入射位置近傍に夫々ス
    ラリーが供給されるように配設され、 第2スラリー供給手段は、前記インゴット両側に配設し
    た夫々の第1スラリー供給手段より、最初のローラの張
    設位置までに位置するワイヤ面にスラリーを供給するよ
    う配設したものであることを特徴とする半導体インゴッ
    トのスライス装置。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至5記載のスライス装置にお
    いて、 上記第1及び第2スラリー供給手段を上記各ワイヤにス
    ラリーを供給するためのノズル孔を複数有する管体で構
    成し、これらノズル孔の口径を各ワイヤに対するスラリ
    ー供給量が互いに等しくなるように設定したことを特徴
    とする半導体インゴットのスライス装置。
  7. 【請求項7】 請求項1乃至6記載のスライス装置にお
    いて、 上記スラリー搬送管を外管で二重管的に覆うと共に、該
    外管の上記ノズル孔との対面部に上記ノズル孔を結ぶ方
    向に延び且つ、ノズル孔より管軸両外側に延びたスリッ
    トを形成し、該スリットの幅を上記最小口径のノズル孔
    より幅狭に設定したことを特徴とする半導体インゴット
    のスライス装置。
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