JPH10290135A - 水晶基板のエッチング方法 - Google Patents
水晶基板のエッチング方法Info
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- JPH10290135A JPH10290135A JP9779197A JP9779197A JPH10290135A JP H10290135 A JPH10290135 A JP H10290135A JP 9779197 A JP9779197 A JP 9779197A JP 9779197 A JP9779197 A JP 9779197A JP H10290135 A JPH10290135 A JP H10290135A
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- Japan
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- quartz substrate
- etching
- protective film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 水晶基板を弗酸、弗化アンモニウム等でエッ
チングすると、断面が垂直とならず突起が生じる。音叉
振動子などをこの手法で加工すると突起のため音叉断面
が対称とならず、特性の劣化を引き起こしてしまう。 【解決手段】 水晶基板１を溶解するエッチング液に対
して耐腐蝕性を有する下層保護膜５と、水晶基板１を溶
解するガスのイオンプラズマに対して耐腐蝕性を有する
上層保護膜６を形成し、２層の保護膜を所望の形状にパ
ターニングし、上層保護膜６をマスクとしてエッチング
液により、水晶基板１をエッチングする工程と、エッチ
ングを行った断面に生じる突起部分を水晶基板１を溶解
するガスのイオンプラズマにより、下層保護膜５をマス
クとしてエッチングし、断面を垂直にする工程により、
水晶基板を加工する。
チングすると、断面が垂直とならず突起が生じる。音叉
振動子などをこの手法で加工すると突起のため音叉断面
が対称とならず、特性の劣化を引き起こしてしまう。 【解決手段】 水晶基板１を溶解するエッチング液に対
して耐腐蝕性を有する下層保護膜５と、水晶基板１を溶
解するガスのイオンプラズマに対して耐腐蝕性を有する
上層保護膜６を形成し、２層の保護膜を所望の形状にパ
ターニングし、上層保護膜６をマスクとしてエッチング
液により、水晶基板１をエッチングする工程と、エッチ
ングを行った断面に生じる突起部分を水晶基板１を溶解
するガスのイオンプラズマにより、下層保護膜５をマス
クとしてエッチングし、断面を垂直にする工程により、
水晶基板を加工する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、水晶振動子・水晶
ジャイロセンサー等の水晶デバイスの製造に使用される
水晶基板のエッチング方法に関する。
ジャイロセンサー等の水晶デバイスの製造に使用される
水晶基板のエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の技術としては、水晶基板を、弗酸
や、弗酸と弗化アンモニウムの混合液、あるいは重弗化
アンモニウム溶液等のエッチング液で長時間エッチング
し、水晶基板のエッチングした断面に生じた突起をでき
るだけ小さくしていたにすぎなかった。
や、弗酸と弗化アンモニウムの混合液、あるいは重弗化
アンモニウム溶液等のエッチング液で長時間エッチング
し、水晶基板のエッチングした断面に生じた突起をでき
るだけ小さくしていたにすぎなかった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来技術では、水
晶基板のエッチングした断面は完全に垂直とはならなか
った。なぜなら、水晶基板をウェットエッチングした場
合、水晶の結晶の異方性から、必ず断面に突起が生じる
向きがあるからである。これは、月間Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄの１９９０年１２月号の２０８
ページ図６に記載してあるとおりである。
晶基板のエッチングした断面は完全に垂直とはならなか
った。なぜなら、水晶基板をウェットエッチングした場
合、水晶の結晶の異方性から、必ず断面に突起が生じる
向きがあるからである。これは、月間Ｓｅｍｉｃｏｎｄ
ｕｃｔｏｒ Ｗｏｒｌｄの１９９０年１２月号の２０８
ページ図６に記載してあるとおりである。
【０００４】水晶を用いた振動子や、例えばジャイロ等
のセンサー類では、水晶基板をエッチングして形を作り
込むことが多い。例えば、時計用に用いられる３２ＫＨ
ｚの水晶振動子では、弗酸と弗化アンモニウムの混合液
を用いて音叉型にエッチング加工している。しかし、こ
のような方法ではエッチングした水晶基板の断面の片側
または両側に突起が生じてしまうという課題を有してい
た。例えば、音叉型の振動子では、Ｚ板と呼ばれる水晶
原石から切り出した水晶基板より加工されるが、この場
合、音叉の片側の断面は垂直になり、もう片側の断面は
突起が生じる。突起が生じた場合、水晶振動子の音叉は
非対称となり、振動するとき、断面に突起がある方向で
は振動しにくくなり、特性が劣ってしまうという課題を
有していた。
のセンサー類では、水晶基板をエッチングして形を作り
込むことが多い。例えば、時計用に用いられる３２ＫＨ
ｚの水晶振動子では、弗酸と弗化アンモニウムの混合液
を用いて音叉型にエッチング加工している。しかし、こ
のような方法ではエッチングした水晶基板の断面の片側
または両側に突起が生じてしまうという課題を有してい
た。例えば、音叉型の振動子では、Ｚ板と呼ばれる水晶
原石から切り出した水晶基板より加工されるが、この場
合、音叉の片側の断面は垂直になり、もう片側の断面は
突起が生じる。突起が生じた場合、水晶振動子の音叉は
非対称となり、振動するとき、断面に突起がある方向で
は振動しにくくなり、特性が劣ってしまうという課題を
有していた。
【０００５】本発明は、上記のような課題を解決するた
めのもので、その目的とするところは、エッチングを行
った断面を垂直にする水晶基板のエッチング方法を提供
することにある。
めのもので、その目的とするところは、エッチングを行
った断面を垂直にする水晶基板のエッチング方法を提供
することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明の水晶基板のエッ
チング方法は、（１）水晶基板をエッチングして、所望
の形を形成する工程が、水晶基板上に水晶基板を溶解す
るエッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を形成
し、保護膜を所望の形状にパターニングし、保護膜をマ
スクとして前記エッチング液により、水晶基板をエッチ
ングする工程と、前記水晶基板のエッチングを行った断
面に生じる突起以外の部分、またはエッチングをこれ以
上行わない部分を、水晶基板を溶解するガスのイオンプ
ラズマに対して耐腐蝕性を有する膜で保護し、前記水晶
基板のエッチングを行った断面に生じる突起をエッチン
グし、断面を垂直にする工程からなることを特徴とす
る。
チング方法は、（１）水晶基板をエッチングして、所望
の形を形成する工程が、水晶基板上に水晶基板を溶解す
るエッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を形成
し、保護膜を所望の形状にパターニングし、保護膜をマ
スクとして前記エッチング液により、水晶基板をエッチ
ングする工程と、前記水晶基板のエッチングを行った断
面に生じる突起以外の部分、またはエッチングをこれ以
上行わない部分を、水晶基板を溶解するガスのイオンプ
ラズマに対して耐腐蝕性を有する膜で保護し、前記水晶
基板のエッチングを行った断面に生じる突起をエッチン
グし、断面を垂直にする工程からなることを特徴とす
る。
【０００７】そして、（２）上記水晶基板を溶解するエ
ッチング液が、弗酸あるいは弗化アンモニウムのいずれ
か一方を少なくとも含み、水晶基板を溶解するガスのイ
オンプラズマに対して耐腐蝕性を有する膜がアルミニウ
ムまたは弗化アルミニウムを少なくとも含む膜であり、
水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマがＣＦ４ガス
のイオンプラズマであることを特徴とする。
ッチング液が、弗酸あるいは弗化アンモニウムのいずれ
か一方を少なくとも含み、水晶基板を溶解するガスのイ
オンプラズマに対して耐腐蝕性を有する膜がアルミニウ
ムまたは弗化アルミニウムを少なくとも含む膜であり、
水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマがＣＦ４ガス
のイオンプラズマであることを特徴とする。
【０００８】また、（３）水晶基板をエッチングして、
所望の形を形成する工程が、水晶基板上に水晶基板を溶
解するエッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を
上層に、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対
して耐腐蝕性を有する保護膜を下層に形成し、保護膜を
所望の形状にパターニングし、保護膜をマスクとして前
記エッチング液により、水晶基板をエッチングする工程
と、エッチングを行った断面に生じる突起部分を水晶基
板を溶解するガスのイオンプラズマにより、前記保護膜
をマスクとしてエッチングし、断面を垂直にする工程か
らなることを特徴とする。
所望の形を形成する工程が、水晶基板上に水晶基板を溶
解するエッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を
上層に、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対
して耐腐蝕性を有する保護膜を下層に形成し、保護膜を
所望の形状にパターニングし、保護膜をマスクとして前
記エッチング液により、水晶基板をエッチングする工程
と、エッチングを行った断面に生じる突起部分を水晶基
板を溶解するガスのイオンプラズマにより、前記保護膜
をマスクとしてエッチングし、断面を垂直にする工程か
らなることを特徴とする。
【０００９】そして、（４）上記水晶基板を溶解するエ
ッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜がＡｕであ
り、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対して
耐腐蝕性を有する膜がＣｒ、Ｔｉ、Ｗのいずれかを含
み、かつＡｌまたは弗化アルミニウムを含む膜であるこ
とを特徴とする。
ッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜がＡｕであ
り、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対して
耐腐蝕性を有する膜がＣｒ、Ｔｉ、Ｗのいずれかを含
み、かつＡｌまたは弗化アルミニウムを含む膜であるこ
とを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の水晶基板のエッチング方
法の好適な例について、詳細に説明する。
法の好適な例について、詳細に説明する。
【００１１】（実施例１）図１と図２は、本発明の一実
施例の水晶基板のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。図１には、水晶基板上に水晶基板を溶解するエッチ
ング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を形成し、保護
膜を所望の形状にパターニングし、保護膜をマスクとし
てエッチング液により、水晶基板をエッチングし、保護
膜を除去するまでを示した。図２は、水晶基板のエッチ
ングを行った断面に生じる突起以外の部分または、エッ
チングをこれ以上行わない部分を、水晶基板を溶解する
ガスのイオンプラズマに対して耐腐蝕性有する膜で保護
し、水晶基板のエッチングを行った断面に生じる突起を
エッチングし、断面を垂直にするまでを示している。
施例の水晶基板のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。図１には、水晶基板上に水晶基板を溶解するエッチ
ング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を形成し、保護
膜を所望の形状にパターニングし、保護膜をマスクとし
てエッチング液により、水晶基板をエッチングし、保護
膜を除去するまでを示した。図２は、水晶基板のエッチ
ングを行った断面に生じる突起以外の部分または、エッ
チングをこれ以上行わない部分を、水晶基板を溶解する
ガスのイオンプラズマに対して耐腐蝕性有する膜で保護
し、水晶基板のエッチングを行った断面に生じる突起を
エッチングし、断面を垂直にするまでを示している。
【００１２】図１（ａ）で示された水晶基板１の表面の
両側に図１（ｂ）のようにウェットエッチングの保護膜
２を形成する。このウェットエッチングの保護膜２とし
ては水晶基板を弗酸などでウェットエッチングする場
合、このエッチャントに溶解しないものでマスクとなる
ものが使用され、一般にＣｒ、Ａｕの２層膜が用いられ
る。さらにウェットエッチングの保護膜２の上にフォト
レジスト３が塗布される（図１（ｃ））。
両側に図１（ｂ）のようにウェットエッチングの保護膜
２を形成する。このウェットエッチングの保護膜２とし
ては水晶基板を弗酸などでウェットエッチングする場
合、このエッチャントに溶解しないものでマスクとなる
ものが使用され、一般にＣｒ、Ａｕの２層膜が用いられ
る。さらにウェットエッチングの保護膜２の上にフォト
レジスト３が塗布される（図１（ｃ））。
【００１３】次に、このフォトレジスト３を露光し、現
像することにより水晶基板１に形成したい所望の形のフ
ォトレジストパターンを形成する（図１（ｄ））。フォ
トレジスト３のパターンをマスクとしてウェットエッチ
ングの保護膜２をエッチングする（図１（ｅ））。続い
て、水晶基板１をエッチングする（図１（ｆ））。この
図ではフォトレジスト３は剥離せず、水晶基板１をエッ
チングしているが、ウェットエッチングの保護膜２が実
際のマスクとなるため、水晶基板１のエッチング前に剥
離しておいてもかまわない。図１（ｆ）では水晶基板１
がＺ板と呼ばれる方位に切り出された基板を想定してお
り、図の横方向がＸ軸方向、縦がＺ軸方向であるとす
る。この場合、水晶基板１をエッチングした断面の＋Ｘ
軸方向に突起が生じる。−Ｘ軸方向では、エッチングを
ある程度行うと突起は消失し、ほぼ垂直の形状となる。
＋Ｘ方向に生じた突起はエッチング時間を増やしても無
くなることはない。
像することにより水晶基板１に形成したい所望の形のフ
ォトレジストパターンを形成する（図１（ｄ））。フォ
トレジスト３のパターンをマスクとしてウェットエッチ
ングの保護膜２をエッチングする（図１（ｅ））。続い
て、水晶基板１をエッチングする（図１（ｆ））。この
図ではフォトレジスト３は剥離せず、水晶基板１をエッ
チングしているが、ウェットエッチングの保護膜２が実
際のマスクとなるため、水晶基板１のエッチング前に剥
離しておいてもかまわない。図１（ｆ）では水晶基板１
がＺ板と呼ばれる方位に切り出された基板を想定してお
り、図の横方向がＸ軸方向、縦がＺ軸方向であるとす
る。この場合、水晶基板１をエッチングした断面の＋Ｘ
軸方向に突起が生じる。−Ｘ軸方向では、エッチングを
ある程度行うと突起は消失し、ほぼ垂直の形状となる。
＋Ｘ方向に生じた突起はエッチング時間を増やしても無
くなることはない。
【００１４】続いて、図１（ｇ）のようにウェットエッ
チングの保護膜２を剥離する。
チングの保護膜２を剥離する。
【００１５】図２では図１以降の工程断面を示してい
る。ウェットエッチングで外形をウェットエッチングさ
れた水晶基板１にドライエッチングの保護膜４を形成す
る（図２（ａ））。このドライエッチングの保護膜４は
ドライエッチングを行うガスによって異なるが、例えば
ＣＦ４ を用いた場合Ａｌを用いることが多い。
る。ウェットエッチングで外形をウェットエッチングさ
れた水晶基板１にドライエッチングの保護膜４を形成す
る（図２（ａ））。このドライエッチングの保護膜４は
ドライエッチングを行うガスによって異なるが、例えば
ＣＦ４ を用いた場合Ａｌを用いることが多い。
【００１６】つぎに、図２（ｂ）のようにフォトレジス
ト３を塗布する。この場合、スピンコートでは、フォト
レジスト３を塗布できないためスプレーなどで塗布する
と便利である。
ト３を塗布する。この場合、スピンコートでは、フォト
レジスト３を塗布できないためスプレーなどで塗布する
と便利である。
【００１７】図２（ｃ）では水晶基板１のエッチングし
た断面に生じた突起部分のレジスト３を露光と現像によ
って除去したものである。断面が所望の形状になってい
る部分についてはフォトレジスト３の除去を行う必要は
ない。
た断面に生じた突起部分のレジスト３を露光と現像によ
って除去したものである。断面が所望の形状になってい
る部分についてはフォトレジスト３の除去を行う必要は
ない。
【００１８】さらに、図２（ｄ）のようにフォトレジス
ト３をマスクとしてドライエッチングの保護膜４をエッ
チングする。ドライエッチングの保護膜４がＡｌである
なら例えば燐酸などで簡単にウェットエッチングができ
る。エッチングによってドライエッチングする部分、す
なわち水晶基板１の断面に生じた突起上のドライエッチ
ングの保護膜４を除去した後、図２（ｅ）で示されるよ
うにＣＦ４ を成分とするリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）により水晶基板１の断面に生じた突起をエ
ッチングする。図２（ｅ）ではフォトレジスト３を除去
してからドライエッチングしているが、フォトレジスト
３は残したままエッチングしてもかまわない。また、ド
ライエッチングを行うとき水晶基板１のエッチング比と
ドライエッチングの保護膜４のエッチング比が問題とな
る。すなわち、ドライエッチングの保護膜４はプラズマ
によってスパッタエッチングされるため、このエッチン
グレートが大きいと水晶基板１の断面に生じた突起が除
去される以前に表面のドライエッチングの保護膜４がな
くなってしまう。これを防止するためにはドライエッチ
ングのガス圧、パワー等の条件を最適化しなくてはなら
ない。
ト３をマスクとしてドライエッチングの保護膜４をエッ
チングする。ドライエッチングの保護膜４がＡｌである
なら例えば燐酸などで簡単にウェットエッチングができ
る。エッチングによってドライエッチングする部分、す
なわち水晶基板１の断面に生じた突起上のドライエッチ
ングの保護膜４を除去した後、図２（ｅ）で示されるよ
うにＣＦ４ を成分とするリアクティブイオンエッチン
グ（ＲＩＥ）により水晶基板１の断面に生じた突起をエ
ッチングする。図２（ｅ）ではフォトレジスト３を除去
してからドライエッチングしているが、フォトレジスト
３は残したままエッチングしてもかまわない。また、ド
ライエッチングを行うとき水晶基板１のエッチング比と
ドライエッチングの保護膜４のエッチング比が問題とな
る。すなわち、ドライエッチングの保護膜４はプラズマ
によってスパッタエッチングされるため、このエッチン
グレートが大きいと水晶基板１の断面に生じた突起が除
去される以前に表面のドライエッチングの保護膜４がな
くなってしまう。これを防止するためにはドライエッチ
ングのガス圧、パワー等の条件を最適化しなくてはなら
ない。
【００１９】次に、図２（ｆ）のように水晶基板上１の
ドライエッチングの保護膜４を除去して完成にいたる。
ドライエッチングの保護膜４を除去して完成にいたる。
【００２０】（実施例２）図３は、本発明の第２の実施
例の水晶基板のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。実施例１で記した水晶基板の断面の突起をドライエ
ッチングする場合、図２（ｃ）のように突起の部分のみ
を露光し、フォトレジスト３を形成するのは、突起が比
較的小さい場合は困難となる。そこでこのような場合に
ついての水晶基板のエッチング方法について図３を用い
て説明する。
例の水晶基板のエッチング方法を示す工程断面図であ
る。実施例１で記した水晶基板の断面の突起をドライエ
ッチングする場合、図２（ｃ）のように突起の部分のみ
を露光し、フォトレジスト３を形成するのは、突起が比
較的小さい場合は困難となる。そこでこのような場合に
ついての水晶基板のエッチング方法について図３を用い
て説明する。
【００２１】図３（ａ）のような水晶基板１の両面に図
３（ｂ）に示したように下層保護膜５を成膜する。さら
に、その両面には上層保護膜６が成膜される（図３
（ｃ））。上層保護膜６の働きはウェットエッチングを
行う場合、エッチャントに対して溶解せず、エッチング
のマスクとなることである。下層保護膜５の働きは上層
保護膜６と水晶基板１との密着性を保つためのバインダ
ーとなる働きを持つことと、ドライエッチングを行う場
合に、水晶を溶解するガスのイオンプラズマに対して耐
性を持ちドライエッチングの保護膜となる働きを有す
る。ここで、上層保護膜６にはＡｕやＰｔの金属膜など
が一例として用いられる。また下層保護膜５としてはＡ
ｌまたはＡｌ中にＣｒ、Ｔｉ、Ｗを含有する膜が一例と
して用いられる。
３（ｂ）に示したように下層保護膜５を成膜する。さら
に、その両面には上層保護膜６が成膜される（図３
（ｃ））。上層保護膜６の働きはウェットエッチングを
行う場合、エッチャントに対して溶解せず、エッチング
のマスクとなることである。下層保護膜５の働きは上層
保護膜６と水晶基板１との密着性を保つためのバインダ
ーとなる働きを持つことと、ドライエッチングを行う場
合に、水晶を溶解するガスのイオンプラズマに対して耐
性を持ちドライエッチングの保護膜となる働きを有す
る。ここで、上層保護膜６にはＡｕやＰｔの金属膜など
が一例として用いられる。また下層保護膜５としてはＡ
ｌまたはＡｌ中にＣｒ、Ｔｉ、Ｗを含有する膜が一例と
して用いられる。
【００２２】上層保護膜６上にフォトレジスト３が塗布
され（図３（ｄ））、さらに露光、現像を行いフォトレ
ジストで所望のパターンを形成する（図３（ｅ））。
され（図３（ｄ））、さらに露光、現像を行いフォトレ
ジストで所望のパターンを形成する（図３（ｅ））。
【００２３】そして、上層保護膜６のエッチング（図３
（ｆ））、下層保護膜５のエッチング（図３（ｇ））を
行う。
（ｆ））、下層保護膜５のエッチング（図３（ｇ））を
行う。
【００２４】以降、図３（ｈ）では水晶基板１をウェッ
トエッチングし、図３（ｉ）で水晶基板１の断面に生じ
た突起をドライエッチングによって除去し、不要となっ
た膜をすべて剥離し完成に至る（図３（ｊ））。
トエッチングし、図３（ｉ）で水晶基板１の断面に生じ
た突起をドライエッチングによって除去し、不要となっ
た膜をすべて剥離し完成に至る（図３（ｊ））。
【００２５】
【発明の効果】本発明によれば、水晶基板をエッチング
し、所望の形状に加工するとき、その断面を垂直にでき
る。また、水晶振動子や水晶ジャイロセンサーに適用し
た場合、特性が良くなるという効果を有する。
し、所望の形状に加工するとき、その断面を垂直にでき
る。また、水晶振動子や水晶ジャイロセンサーに適用し
た場合、特性が良くなるという効果を有する。
【００２６】さらに、水晶基板を用いて所望の形状に断
面が垂直な貫通窓を形成できるため、従来のシリコン基
板を用いたマイクロマシンを水晶基板に置き換えること
が可能となり、コストを押さえることができる。
面が垂直な貫通窓を形成できるため、従来のシリコン基
板を用いたマイクロマシンを水晶基板に置き換えること
が可能となり、コストを押さえることができる。
【図１】本発明の一実施例の水晶基板のエッチング方法
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図２】本発明の一実施例の水晶基板のエッチング方法
を示す工程断面図。
を示す工程断面図。
【図３】本発明の第２の実施例の水晶基板のエッチング
方法を示す工程断面図。
方法を示す工程断面図。
１ 水晶基板 ２ ウェットエッチングの保護膜 ３ フォトレジスト ４ ドライエッチングの保護膜 ５ 下層保護膜 ６ 上層保護膜
Claims (4)
- 【請求項１】 水晶基板をエッチングして、所望の形を
形成する工程が、水晶基板上に該水晶基板を溶解するエ
ッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を形成し、
該保護膜を所望の形状にパターニングし、該保護膜をマ
スクとして該エッチング液により水晶基板をエッチング
する工程と、前記水晶基板のエッチングを行った断面に
生じる突起以外の部分、またはエッチングをこれ以上行
わない部分を、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズ
マに対して耐腐蝕性を有する膜で保護し、該水晶基板の
エッチングを行った断面に生じる突起をエッチングし、
断面を垂直にする工程、からなることを特徴とする水晶
基板のエッチング方法。 - 【請求項２】 前記水晶基板を溶解するエッチング液
が、弗酸あるいは弗化アンモニウムのいずれか一方を少
なくとも含み、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズ
マに対して耐腐蝕性を有する膜が、アルミニウムまたは
弗化アルミニウムを少なくとも含む膜であり、水晶基板
を溶解するガスのイオンプラズマがＣＦ４ガスのイオン
プラズマであることを特徴とする請求項１記載の水晶基
板のエッチング方法。 - 【請求項３】 水晶基板をエッチングして、所望の形を
形成する工程が、水晶基板上に該水晶基板を溶解するエ
ッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜を上層に、
水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対して耐腐
蝕性を有する保護膜を下層に形成し、該保護膜を所望の
形状にパターニングし、該保護膜をマスクとして該エッ
チング液により、水晶基板をエッチングする工程と、エ
ッチングを行った断面に生じる突起部分を水晶基板を溶
解するガスのイオンプラズマにより、前記保護膜をマス
クとしてエッチングし、断面を垂直にする工程からなる
ことを特徴とする水晶基板のエッチング方法。 - 【請求項４】 前記水晶基板上に該水晶基板を溶解する
エッチング液に対して耐腐蝕性を有する保護膜がＡｕで
あり、水晶基板を溶解するガスのイオンプラズマに対し
て耐腐蝕性を有する膜がＣｒ、Ｔｉ、Ｗのいずれかを含
み、かつＡｌを含む膜であることを特徴とする請求項３
記載の水晶基板のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9779197A JPH10290135A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 水晶基板のエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9779197A JPH10290135A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 水晶基板のエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10290135A true JPH10290135A (ja) | 1998-10-27 |
Family
ID=14201644
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9779197A Withdrawn JPH10290135A (ja) | 1997-04-15 | 1997-04-15 | 水晶基板のエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10290135A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294751A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電素子形成方法 |
| JP2008131062A (ja) * | 2006-11-16 | 2008-06-05 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片および圧電デバイス |
| JP2008167171A (ja) * | 2006-12-28 | 2008-07-17 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片の製造方法、圧電振動片および圧電デバイス |
| JP2008187322A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Epson Toyocom Corp | メサ型圧電振動素子の製造方法 |
| CN104075703B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-01-11 | 中北大学 | 基于高k氟化物谐振腔的谐振式光学陀螺 |
-
1997
- 1997-04-15 JP JP9779197A patent/JPH10290135A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007294751A (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Kyocera Kinseki Corp | 圧電素子形成方法 |
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| US8156621B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-04-17 | Nihon Dempa Kogyo, Ltd. | Methods of producing piezoelectric vibrating devices |
| JP2008187322A (ja) * | 2007-01-29 | 2008-08-14 | Epson Toyocom Corp | メサ型圧電振動素子の製造方法 |
| CN104075703B (zh) * | 2014-07-23 | 2017-01-11 | 中北大学 | 基于高k氟化物谐振腔的谐振式光学陀螺 |
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