JPH10283930A

JPH10283930A - 陰極線管の製造方法

Info

Publication number: JPH10283930A
Application number: JP9085086A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Konuma; 和夫小沼
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1997-04-03
Filing date: 1997-04-03
Publication date: 1998-10-23
Anticipated expiration: 2017-04-03
Also published as: JP2962270B2; FR2761807A1; FR2761807B1; US6042441A

Abstract

(57)【要約】【課題】陰極線管の排気工程において、陰極の清浄化
による電子放出特性の改善が行なえる陰極線管の製造方
法を提供する。【解決手段】管体を加熱排気している期間内に前記管
体に内蔵するゲッター装置を加熱し、このゲッター装置
の加熱によって気体が放出されている期間に陰極から電
子を放出させる。その後、管体の排気管を封止して前記
ゲッター装置の吸着作用で真空を維持する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、真空度を高めるた
めのゲッター装置を装着している陰極線管に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、陰極線管においては、その管体内
にゲッター装置が装着され、管体内を真空排気し、封止
（チップオフ）した後、高周波誘導加熱装置によってゲ
ッター装置のゲッター剤を蒸発、飛散させ、これに残留
ガスを吸着させることによって管体内の真空度を更に高
めるようにしていた。

【０００３】陰極線管の例としては、テレビ受像器やコ
ンピュータのモニタ画面に用いられるＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）やＦＥＤ（Field Emission Display、フィー
ルドエミッションディスプレイ）と呼ばれる薄型の表示
管、高周波アンプや高周波発信器に用いられる進行波管
（ＴＷＴ）など多岐に渡っている。

【０００４】図７は従来の陰極線管の構成例としてのＣ
ＲＴを示す。図７において、陰極線管は真空容器となる
管体１と、電子放出源となる陰極２と、真空度を高める
ためのゲッター装置３とを備えている。電子放出源とし
ては、電子を放出しやすい物質や構造のターゲットを加
熱して電子を放出させる熱カソード（熱陰極）や、マイ
クロフィールドエミッタと呼ばれる電界放射型のコール
ドカソード（冷陰極）が使用されている。電界放射型の
コールドカソードは、コーン形状の鋭利な電子放出部と
してのカソードコーンを導電性基板上に設け、導電性基
板上にカソードコーンを囲むように絶縁層を設け、カソ
ードコーンを露出させるサブミクロンレベルの放射孔を
有するゲート層を絶縁層上に設け、ゲート層にカソード
コーンに対して正極の電圧を印加し、カソードコーン先
端から電子を真空中に放出する電子源である。これは例
えば特開平７−１４７１２９号公報に記載されている。
ゲッター装置としては特開平８−１２４５０２号公報に
記載のものがある。ゲッター剤としてはバリウムを用い
たものが一般的に用いられておりバリウムゲッターと呼
ばれている。このバリウムゲッターは真空引き以前の大
気中での安定化のために、バリウム−ニッケルの合金状
態にされていることが一般的である。

【０００５】前記の管体１には排気の引き口となるチッ
プ管４が備えられている。チップ管４はガラス製であ
り、排気完了時にはヒーター加熱で軟化させて封止（チ
ップオフ）され得る。陰極２の近傍で陰極２からの電子
放射方向には前記電子の軌道を制御するための電子レン
ズ６が配置されている。電子レンズ６への電圧印加や陰
極２への電圧印加のためにハーメチックピン５が備えら
れている。

【０００６】図８に従来の陰極線管の排気装置の構成を
示す。陰極線管の管体１のチップ管４に排気マニホール
ド７が接続されている。排気マニホールド７にはゴム製
の０リングが備えられており、密閉構造を作るため、０
リングを介してチップ管４の外径を排気マニホールド７
がくわえ込む構成になっている。そして排気マニホール
ド７にはバルブ８を介して真空ポンプ９が接続されてい
る。

【０００７】陰極線管の必要排気到達真空度は１×１０
^-6Ｔｏｒｒから１×１０^-9Ｔｏｒｒであるので、前記真
空ポンプ９は油拡散ポンプと油回転ポンプの組み合わ
せ、または、ターボモリキュラーポンプと油回転ポンプ
の組み合わせが用いられる。しかしながら、細いチップ
管を介しての真空引きだけでは上記の必要排気到達真空
度を得ることが難しいので、ゲッター装置による吸着作
用を併用することが一般的である。そのため管体１の内
部にゲッター装置３が備えられている。このゲッター装
置３を管体１の外部から加熱する装置として誘導加熱コ
イル１１が備えられている。

【０００８】この誘導加熱コイル１１は、ゲッター装置
３のゲッター剤を蒸発、発散するに十分なエネルギーを
ゲッター剤に与えるように設定している。ゲッター剤の
加熱に関しては特開平７−８５７９３号公報や特開平８
−１２４５０２号公報に記載されている通りである。な
お、ゲッター剤の過熱状態を色温度でモニタするための
光センサを配置して、ＣＲＴの透明な部分を通してゲッ
ター剤の温度をモニタする場合がある。

【０００９】到達真空度を向上させることと、排気時間
を短縮することを目的として管体１は加熱炉１０内に納
められている。管体１の材質であるガラスの軟化点が約
４００℃であるので、加熱炉１０は管体１を４００℃未
満の温度で加熱するように設定されている。管体１の加
熱を行うとチップ管４および排気マニホールド７の温度
も上昇する。排気マニホールド７は部分的に冷却されて
いる場合もあるが、ガラス製のチップ管４の排気マニホ
ールド７側の端部と、チップ管４の管体１側の端部とに
極端に温度差があると亀裂が生じるため、排気マニホー
ルド７が冷却されすぎないように調整されているのが実
情である。ハーメチックピン５の部分は管体本体の温度
と同じになっている。電子レンズ６の電極焼きのための
誘導加熱コイル（不図示）や、チップ管４の封止のため
の電熱ヒータ１２も備えられている。

【００１０】図９は従来の陰極線管の排気工程の概略を
示す流れ図である。排気工程の概要は以下の通りであ
る。図８に示した排気装置を用いて、まず、（１）管体
のチップ管をマニホールドに取り付ける。（２）管体内
の真空引きを開始し、継続排気する。（３）前半は加
熱、後半は冷却という一定の温度プロファイルで加熱炉
で管体を加熱、冷却する。そして、前記温度プロファイ
ルにおける冷却過程で、（４）管体のチップ管の封止
（チップオフ）を行う。

【００１１】加熱炉で管体を一定の温度プロファイルで
加熱、冷却することの一例としては特開平４−３２１３
０号公報に記載されているものがある。上記の管体加熱
工程の期間に電極焼きと呼ばれる工程が行われる場合も
多い。電極焼きは陰極線管の電子レンズを誘導加熱して
電極のガス出しを行う工程である。電極焼きで放出され
たガスの排気は、前記温度プロファイルにおいて管体の
冷却工程の期間に行うことが一般的である。

【００１２】また、前記排気工程においてはチップ管の
封止直前にゲッター剤の蒸発、飛散の工程が行われる。
あるいは、チップ管の封止後にゲッター剤の蒸発、飛散
の工程を行う場合もある。ゲッター剤は不活性ガス以外
のガスについては吸着作用を有しているが、アルゴンや
ヘリウムといった不活性ガスに対しては吸着は皆無とい
って良い。

【００１３】前者の場合、すなわちチップ管の封止（チ
ップオフ）以前にゲッターの蒸発、飛散を行う場合に
は、ゲッター剤から放出された不活性ガスを一部真空ポ
ンプで取り除く作用がある。ところが後者の場合、すな
わちチップ管の封止後にゲッターの蒸発、飛散を行う場
合では、発生した不活性ガスがそのまま残ってしまう。
後者の場合には特にアルゴンガスが多く残ることが知ら
れている。

【００１４】また前者の場合には、蒸発、飛散されたゲ
ッター剤はその時点から不活性ガス以外には比較的速い
吸着作用を示す。そのため、ゲッターの蒸発、飛散後に
長い時間、封止（チップオフ）をしないで排気を行って
いると、真空ポンプ中の不活性ガス以外のガスを管体内
に呼び込んで吸着するようになり、逆圧現象が現れてし
まう。逆圧現象となると真空ポンプの油等の汚れを管体
内に送り出してしまうので、管体内の真空状態が極端に
劣化する。したがって、上記のような逆圧現象が現れる
以前に封止（チップオフ）を行なう必要がある。

【００１５】上記のゲッター加熱工程においては前者、
後者のいずれの場合にもゲッターからのガス放出で真空
度が劣化する時期（以後、「ゲッターからのガス放出モ
ード」と呼ぶ）にカソードから電子を放出させることは
行わない。カソードから電子を放出するときは、ゲッタ
ーによる吸着作用によって真空度が１×１０^-6Ｔｏｒｒ
よりも高真空になった時期（以後、「ゲッターによる吸
着モード」と呼ぶ）である。

【００１６】図１０に、上記の各モードと、電子放出す
なわち陰極駆動との従来の対応関係の一例を示す。この
図に示すように、ゲッター加熱によってゲッターからの
ガス放出モードとなっている期間にはフィールドエミッ
タ駆動を行わずに、ゲッターによる吸着モードの期間に
なって初めて電子放出のための駆動を行う。尚、オキサ
イドカソードと呼ばれている陰極を用いたＣＲＴにおい
てはカソード分解と称した工程があり、真空引き開始直
後の酸素濃度が比較的高い時期にカソードを通電加熱す
る工程が一般的に採用されているが、この場合にはカソ
ードを酸化する工程であり電子放出を意図したものでは
ない。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】従来の陰極線管および
その製造方法においては、チップ管の封止（チップオ
フ）を行った後は管体内の不活性ガスの残留は取り除け
ない課題があった。そのため、すでに述べたとおり、不
活性ガスが多量に放出されるゲッターの蒸発、飛散工程
後に封止（チップオフ）を行うことが実施されている。
この場合、逆圧現象が現れる以前に封止（チップオフ）
しなければならないことはすでに述べたとおりである。

【００１８】一方、陰極線管の陰極はその電子放出特性
を向上させるための前処理が必要である。前処理方法に
は、マイクロフィールドエミッタを用いたコールドカソ
ードにおいてはモリブデン金属製のエミッタコーン先端
が汚れていたり酸化してしまっていると電子放出効率が
低いので、真空中での加熱処理により表面を清浄化した
り、電子放出を持続させて電子放出の自己増加作用（こ
れは一般にエージングと呼ばれる）を生じさせたり、ま
たは、イオンスパッタリングにより表面の汚染や酸化物
層を取り除いたりする方法がある。汚染が激しい場合や
酸化物が厚い場合にはイオンスパッタリングが最も効果
的な前処理である。しかし、従来の陰極線管の排気工程
においては、管体内にスパッタリングガスを必要量導入
して、陰極に対する前処理完了後に前記残留スパッタリ
ングガスを取り除き必要な真空度にすることが行えなか
った。汚染除去後の表面に化合物を形成させないために
はスパッタリングガスとしては不活性ガスを用いること
が好ましい。

【００１９】本発明の目的は、上記従来技術の課題を解
決するために、陰極線管の排気工程において、陰極の清
浄化による電子放出特性の改善が行なえる陰極線管の製
造方法を提供することにある。

【００２０】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、管体を加熱排気している期間内に前記管体
に内蔵するゲッター装置を加熱した後に前記管体の排気
管を封止して前記ゲッター装置の吸着作用で真空を維持
する陰極線管の製造方法において、前記ゲッター装置の
加熱によって気体が放出されている期間に陰極から電子
を放出させた後に真空を封止することを特徴とする。

【００２１】また、上記の陰極線管の製造方法におい
て、前記電子の放出の期間、前記気体の成分に含まれる
質量数４以下の気体の分圧の和が前記気体の全圧の５０
％以上に保持されていること、あるいは、前記陰極がマ
イクロフィールドエミッタであり、前記電子の放出の期
間では前記マイクロフィールドエミッタのカソードコー
ンの電位に対して管体内部の如何なる部位の電位も１０
０Ｖ以内の電位差であることが好ましい。

【００２２】（作用）上記のとおりの発明では、陰極線
管の排気工程の際、陰極線管が管体の真空度維持のため
に備えているゲッター装置の加熱によって気体が放出さ
れている期間に、陰極から電子を放出させる。その結
果、ゲッター装置からの放出気体がイオン化されてその
イオンが陰極に照射されるスパッタ作用により、陰極が
清浄化され、電子放出特性が改善される。

【００２３】特に、電子の放出の期間では、ゲッター装
置からの放出気体の成分に含まれる質量数４以下の気体
の分圧の和が前記放出気体の全圧の５０％以上に保持さ
れている。この事により、主に低質量気体のイオンによ
るスパッタ作用が生じるので、陰極の損傷が少なくでき
る。同時に、スパッタ作用で放出される陰極からの気体
や２次電子の程度も低く、スパッタ作用が誘発する放電
破壊も抑制される。

【００２４】また、電子の放出の期間では陰極の電子放
出部（例えばマイクロフィールドエミッタのカソードコ
ーン）の電位に対して管体内部の如何なる部位の電位も
１００Ｖ以内の電位差にした。この事によって、イオン
衝撃が誘発する放電破壊が抑制される。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２６】まず、本発明の請求項１に対応する実施形
態として、マイクロフィールドエミッタを陰極に用いた
ＣＲＴの製造方法について述べる。

【００２７】ＣＲＴの製造工程、特に排気工程の概要は
図９に基づいて従来技術の欄で述べた通りである。即
ち、図９で示したように、まず、（１）管体のチップ管
をマニホールドに取り付ける。（２）管体内の真空引き
を開始し、継続排気する。（３）前半は加熱、後半は冷
却という一定の温度プロファイルで加熱炉で管体を加
熱、冷却する。そして、前記温度プロファイルにおける
冷却過程で、（４）管体のチップ管の封止（チップオ
フ）を行う。

【００２８】図１は本発明の請求項１に対応する、陰極
線管の製造方法の特徴を最もよく表した流れ図である。
以下、本形態の特徴的な工程を図１を用いて詳細に説明
する。ゲッター装置の加熱によるゲッター剤の蒸発、飛
散の工程は前記排気工程においてチップ管の封止直前に
行なわれる。ゲッター装置の加熱を行う真空度は１×１
０^-6Ｔｏｒｒ以下とする。図１で示すゲッター加熱が行
われると、ゲッター剤およびその容器が含有していた物
質が気体となって放出される。ゲッター加熱直後のゲッ
ターからのガス放出モードの前半においては様々な気体
が管体内に存在する。その大半はゲッター剤を作製した
工程での雰囲気ガスであり、大気成分に類似したもので
ある。窒素や酸素や水素に加えて不活性ガスのアルゴン
やヘリウムも存在する。

【００２９】ゲッターからのガス放出モードの後半にお
いてはゲッターのポンプ作用によって窒素、酸素、水素
等の活性気体が減少して残留気体の主成分はアルゴンと
ヘリウムの２種類の不活性ガスとなる。アルゴンとヘリ
ウム以外の気体成分の分圧が１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下
で、アルゴン分圧が１×１０^-8Ｔｏｒｒ以上１×１０^ー6
Ｔｏｒｒ以下の状態を、ゲッターからのガス放出モード
の後半と呼ぶことにする。このゲッターからのガス放出
モードの後半において、陰極であるマイクロフィールド
エミッタのゲートとカソードコーンの間に電圧を印加し
てカソードコーンから電子を放出させる。陰極に近接し
て配置している電子レンズには共通に５００Ｖの電位を
印加しておく。アパーチャグリルの電位も５００Ｖとす
る。前記ゲートの電位は０Ｖとして、カソードコーンの
初期電位は−８０Ｖとする。初期電位とはカソードコー
ンに初期的に与える電位である。カソード電流を１秒周
期でモニタしてその電流が１０マイクロアンペアを超え
ないように電圧を増加させる（０Ｖに近付ける）。カソ
ード電流が１０マイクロアンペアに達していなくても電
圧を減少（０Ｖから遠ざける）させることは行わない。
尚、マイクロフィールドエミッタは５０ミクロン直径の
エリアにカソードコーンを１０００個並べたものを用い
る。

【００３０】マイクロフィールドエミッタを駆動しての
電子放出は１分から２分で終了して、それから真空引き
を継続してアルゴン分圧が１×１０^-8Ｔｏｒｒ以下の状
態になってから封止を行う。封止後、ゲッター装置のポ
ンプ作用で残留気体の特に活性気体の分圧が減少する。
アルゴンとヘリウム以外の残留気体分圧が５×１０^-9Ｔ
ｏｒｒ以下の状態でＣＲＴを駆動する。ここでのＣＲＴ
駆動は通常ラスタースキャンと呼ばれている駆動方法を
用いる。

【００３１】次に、本発明の請求項２に対応する実施形
態を図２及び図３を用いて述べる。図２と図３はそれぞ
れ、ＣＲＴの製造方法においてゲッター装置の加熱直前
から排気し１回目の陰極駆動、封止を経過して２回目の
陰極駆動を完了するまでの工程を示した流れ図と管体内
部の状態を示した状態図である。

【００３２】図２を用いて工程の流れの概要を説明す
る。ゲッター加熱を行った後に電子レンズの加熱を行
い、その後に陰極であるマイクロフィールドエミッタを
駆動して電子を放出させる。この電子放出の期間に管体
内部の残留気体イオンによるスパッタによってエミッタ
のカソードコーンの表面清浄化を行う。前記エミッタ駆
動後に排気を継続し、その後に封止を行う。封止後３０
分以上放置させてゲッター装置のポンプ作用によってさ
らに管体内部の真空度を向上させた後に２回目のエミッ
タ駆動を行う。この２回目の駆動はラスタースキャンで
ある。

【００３３】尚、図２において２重囲いの枠で示した工
程、例えば「ゲッター加熱」の工程は実際にその期間に
開始および終了させる工程として示してある。一方、１
重囲いの工程、例えば「排気」の工程はその期間の状態
を示している。具体的に述べると「排気」の工程は「ゲ
ッター加熱」の前から封止の瞬間までターボ分子やポン
プや油拡散ポンプといった排出型の真空ポンプによって
継続して行われている。「ゲッターポンプ作用」の工程
はゲッター加熱の瞬間から開始されて図２の工程が完了
した以降も継続して行われている。

【００３４】引き続き、請求項２に対応した実施形態の
更なる詳細について、図２と図３を参照しながら説明す
る。図２の工程を行うための排気装置の構成を図４に示
した。図３の状態は図２の各工程に対応した管体内部の
真空度を表したものである。

【００３５】ゲッター加熱は管体内部の全圧が１×１０
^-8Ｔｏｒｒ以下の状態で開始する。ゲッター加熱によっ
てゲッター剤および容器の温度が上昇して図３に示す通
りに全圧およびアルゴン分圧等が増加する。２０秒の加
熱の結果、全圧が１×１０^-5Ｔｏｒｒに至る。加熱を停
止することによって前記温度が低下して放出ガス速度が
低下して真空ポンプによる排気によって真空度が向上し
ていく。ゲッター加熱停止後にはゲッターポンプ作用が
加わることで真空度の向上の速度はゲッター加熱以前よ
りも急速である。

【００３６】ゲッター加熱を停止して５秒後（ゲッター
加熱開始から計測して２５秒後）に電子レンズの加熱
（電極加熱と呼ぶ）を開始する。電子レンズは図２で示
した工程の以前に同一管体内での真空中高温（８００℃
以上）加熱を済ませてある。図３に示す通り、電極加熱
を開始することで管体内部の全圧が増加する。真空ポン
プの排気能力に対して管体内部の全圧が逆圧状態になら
ないように電極加熱の温度を調整して全圧の低下を防
ぐ。１例としては電極温度は３００℃に維持する。電子
レンズは管体に取り付ける以前に予め水素雰囲気で加熱
処理してある。このために上記温度での電極加熱では放
出ガスの主成分が水素となる。この結果、電極加熱の期
間での圧力は図３に示す通り、主に水素とヘリウムとア
ルゴンによって占められている。そして、その全圧はこ
の排気装置の構成の逆圧限界の１×１０^-9Ｔｏｒｒ以上
の１×１０^-7Ｔｏｒｒを保っている。５秒間の電極焼き
の終了と同時にエミッタ駆動を行う。

【００３７】エミッタ駆動の詳細は、請求項１に対応す
る実施形態で述べた「陰極であるマイクロフィールドエ
ミッタのゲートとカソードコーンの間に電圧を印加して
カソードコーンから電子を放出させる」という工程と同
じである。このエミッタ駆動の工程の期間は３０秒継続
する。この期間、全圧は１×１０^-9Ｔｏｒｒ以上の１×
１０^-7Ｔｏｒｒ以下であり、ヘリウム分圧と水素分圧の
和が全圧の５０％以上を保持している。前記真空ポンプ
の排気コンダクタンスとゲッター装置のゲッター剤の量
と質を調整することで５０％以上の割合を保持する。真
空ポンプはアルゴンのように質量数の大きな気体に対す
る排気能力が高いので前記排気コンダクタンスを増加す
ることでアルゴン分圧の低減が行える。酸素や窒素や水
素、水といった活性気体はゲッターのポンプ作用で急速
にその分圧を低下させることができる。酸素や窒素分子
は質量数が比較的大きいので真空ポンプでの排気も比較
的効率的に行える。これらの条件を調整することで上記
５０％以上の割合を保持する。エミッタ駆動の期間、電
子によってイオン化したヘリウムや水素といった低質量
（共に質量数４以下）の残留気体が主にカソードコーン
の表面をマイルドスパッタして表面を清浄化する。電極
間の最大電位差が５６０Ｖ以下で低質量によるスパッタ
作用であるのでカソードコーンであるモリブデンの内部
のカスケード生成が軽微となりカソードコーンの損傷が
少なくできる。同時にスパッタ作用で放出されるガスや
２次電子の程度も低く、スパッタ作用が誘発する放電破
壊も抑制される。

【００３８】このようなエミッタ駆動後に、真空ポンプ
による排気とゲッターポンプ作用の２つの作用で真空度
が向上するのを待って封止を行う。この際の全圧は逆圧
限界に近接した１×１０^-9Ｔｏｒｒである。逆圧限界以
下にはならない時期に封止を行う。封止後にゲッターポ
ンプ作用でさらに真空度が向上するのを３０分待ち、ラ
スタースキャンである２回目のエミッタ駆動を行う。

【００３９】ここで、上述の排気工程を実施するための
排気装置の構成について説明する。図４に前記排気装置
の構成を示す。同図では図８に示した構成部品と同一部
品には同一符号を付してある。本形態の排気装置は図４
に示すように、図８で説明した装置の構成に加えて、電
極加熱誘導加熱コイル１３および耐熱性配線１４を備え
る。電極加熱誘導コイル１３は、図２に示した流れ図に
おける電極加熱を行うための装置である。従来の電極焼
きにおいても同様の装置が使用されているが本装置にお
いては３００℃程度の加熱温度を安定して与えられる電
流調整機構を備えていることが特徴である。耐熱性配線
１４は、図２に示した流れ図における１回目のフィール
ドエミッタ駆動を行うための設備であり、加熱炉による
加熱に耐える性能を備えている。

【００４０】次に、本発明の請求項３に対応する実施形
態を図５及び図６を用いて述べる。図５は進行波管電極
の電子銃部分の構成の一例を示したものである。図５に
おいて、陰極２はマイクロフィールドエミッタであり、
金属製の土台１５の上に固定されている。土台１５は前
記エミッタのカソードコーンの電位を与える配線の役割
も担っている。前記エミッタのゲート電極への電位を与
える配線１６および第１アノード１７、第２アノード１
８が備えられている。実際に進行波管として実用される
際には第１アノードと第２アノードの各電極には１キロ
ボトル以上の電圧が印加される。実用に際してはマイク
ロフィールドエミッタを用いた陰極においてはカソード
コーンに０Ｖ、ゲートに１２０Ｖの電圧が印加される。
本実施形態ではゲッター加熱直後のエミッタ駆動におい
ては図５に示す通りにカソードコーンの電位に対して全
ての電極電位を１００Ｖ以下に設定する。尚、容器の電
位は０Ｖである。

【００４１】図６に進行波管におけるゲッター工程の流
れ図を示す。この図に示すようにゲッター加熱直後にフ
ィールドエミッタの駆動を行う。その際の初期電位は図
５に示す通りである。カソード電流に応じてゲートの電
位を低下させていく。その要領は請求項１に対応する上
記実施形態で説明した通りである。本実施形態ではカソ
ード電流として１００マイクロアンペアにした。ゲッタ
ーは非蒸発型を用いる。非蒸発型のゲッターはゲッター
装置のゲッター剤個体表面の吸着作用を利用して容器内
の残留気体を吸着して真空度を高める。残留気体を吸着
した個体表面は不活性になるので活性な表面を露出させ
るためにゲッター剤の加熱による個体分子移動が必要で
ある。この加熱の際にはゲッター剤および周辺からガス
放出が起きる。特に真空中での初めてのゲッター加熱で
は多量の内包気体が放出される。図６中のゲッター加熱
は真空中での最初の加熱である。この加熱によって放出
された気体が電子によってイオン化してカソードコーン
をスパッタして清浄化する。カソードコーンと他の電極
部分との電位差が最大１００Ｖであるので、イオン衝撃
が誘発する放電破壊などの損傷は低減される。

【００４２】上述した実施形態において、特に請求項１
及び２に対応する実施形態ではＣＲＴの例について述べ
たが、陰極線管を用いたフラットディスプレイでも同様
に行うことができる。また上述した実施形態では、陰極
に関してマイクロフィールドエミッタの例で説明を行っ
てきたが、熱陰極でも同様に行うことができる。この場
合にはヒーター加熱によって電子を放出することにな
る。

【００４３】

【発明の効果】本発明は以上説明したように構成される
ので、以下に記載する効果を奏する。

【００４４】請求項１に記載の発明は、陰極線管の排気
工程において、ゲッター装置の加熱によって気体が放出
されている期間に陰極から電子を放出させて、陰極に対
してイオンスパッタリングを行なうことができる。その
結果、陰極が清浄化され、特性改善が行える。

【００４５】また、請求項２及び３に記載の発明は、陰
極の放電破壊を低減しながら上記効果を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の請求項１に対応する陰極線管の製造方
法の特徴を最もよく表した流れ図である。

【図２】本発明の請求項２に対応する陰極線管の製造方
法の特徴を最もよく表した流れ図である。

【図３】本発明の請求項２に対応する陰極線管の製造工
程による管体内の状態図である。

【図４】本発明の請求項２に対応する陰極線管の排気装
置の構成図である。

【図５】本発明の請求項３に対応する陰極線管としての
進行波管の電子銃部分の一例を示す構成図である。

【図６】本発明の請求項３に対応する陰極線管の製造方
法を示す流れ図である。

【図７】従来の陰極線管の構成図である。

【図８】従来の陰極線管の排気装置の構成図である。

【図９】従来の陰極線管の排気工程を示す流れ図であ
る。

【図１０】従来の陰極線管のゲッター工程を示す流れ図
である。

【符号の説明】

１管体２陰極３ゲッター装置４チップ管５ハーメチックピン６電子レンズ７排気マニホールド８バルブ９真空ポンプ１０加熱炉１１誘導加熱コイル１２電熱ヒータ１３電極加熱誘導加熱コイル１４耐熱性配線１５金属製の土台１６配線１７第１アノード１８第２アノード

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】管体を加熱排気している期間内に前記管
体に内蔵するゲッター装置を加熱した後に前記管体の排
気管を封止して前記ゲッター装置の吸着作用で真空を維
持する陰極線管の製造方法において、前記ゲッター装置の加熱によって気体が放出されている
期間に陰極から電子を放出させることを特徴とする陰極
線管の製造方法。
【請求項２】請求項１の陰極線管の製造方法におい
て、前記電子の放出の期間、前記気体の成分に含まれる
質量数４以下の気体の分圧の和が前記気体の全圧の５０
％以上に保持されていることを特徴とする陰極線管の製
造方法。
【請求項３】請求項１の陰極線管の製造方法におい
て、前記陰極がマイクロフィールドエミッタであり、前
記電子の放出の期間では前記マイクロフィールドエミッ
タのカソードコーンの電位に対して管体内部の如何なる
部位の電位も１００Ｖ以内の電位差であることを特徴と
する陰極線管の製造方法。