JPH10269930A - 電界放出型冷陰極、および電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法 - Google Patents
電界放出型冷陰極、および電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法Info
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- JPH10269930A JPH10269930A JP7167397A JP7167397A JPH10269930A JP H10269930 A JPH10269930 A JP H10269930A JP 7167397 A JP7167397 A JP 7167397A JP 7167397 A JP7167397 A JP 7167397A JP H10269930 A JPH10269930 A JP H10269930A
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- Manufacture Of Electron Tubes, Discharge Lamp Vessels, Lead-In Wires, And The Like (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界放出型冷陰極に損傷を及ぼす種類の残留
ガスをその許容分圧以下に制御して、良好な電子放出特
性を安定かつ長期間にわたって維持させる。 【解決手段】 多数の電子放出部からなる電界放出型冷
陰極を電子銃９として真空槽内に搭載してなるＣＲＴ１
４と、真空ポンプ１１に通じる排気ラインとを接続し、
バルブ１５を開け、質量分析器１６で検出されるＣＲＴ
１４内のアルゴン分圧が所定の値以下になるまで真空排
気を行なう。この所定の値は、多数の電子放出部の１個
当りの使用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）である場
合、６．９×１０-15／Ｉ（Torr）である。
ガスをその許容分圧以下に制御して、良好な電子放出特
性を安定かつ長期間にわたって維持させる。 【解決手段】 多数の電子放出部からなる電界放出型冷
陰極を電子銃９として真空槽内に搭載してなるＣＲＴ１
４と、真空ポンプ１１に通じる排気ラインとを接続し、
バルブ１５を開け、質量分析器１６で検出されるＣＲＴ
１４内のアルゴン分圧が所定の値以下になるまで真空排
気を行なう。この所定の値は、多数の電子放出部の１個
当りの使用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）である場
合、６．９×１０-15／Ｉ（Torr）である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子顕微鏡、電子
ビーム露光装置、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、フラッ
トパネルディスプレイ、および各種電子ビーム装置の電
子ビーム源として利用することが可能な電界放出型冷陰
極に関する。また本発明は、電界放出型冷陰極を搭載し
た装置の製造方法に関する。
ビーム露光装置、ＣＲＴ（Cathode Ray Tube）、フラッ
トパネルディスプレイ、および各種電子ビーム装置の電
子ビーム源として利用することが可能な電界放出型冷陰
極に関する。また本発明は、電界放出型冷陰極を搭載し
た装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】電界放出型冷陰極はコーン形状の鋭利な
電子放出部であるエミッタとエミッタを露出させるサブ
ミクロンレベルの放射孔を有するとともに、エミッタに
対して絶縁された形で形成されたゲート層とが真空中に
配置され、ゲート層にエミッタに対して正極の電圧を印
加し、エミッタ先端部から電子を真空中に放出する電子
源である。この種の電界放出型冷陰極の製造技術の一例
として、「Journal of Applied Physics,Vol.47(197
6)」の 5248ページに、エミッタ材料に高融点金属モリ
ブデンを用いた電界放出型冷陰極の製造方法が示されて
いる。
電子放出部であるエミッタとエミッタを露出させるサブ
ミクロンレベルの放射孔を有するとともに、エミッタに
対して絶縁された形で形成されたゲート層とが真空中に
配置され、ゲート層にエミッタに対して正極の電圧を印
加し、エミッタ先端部から電子を真空中に放出する電子
源である。この種の電界放出型冷陰極の製造技術の一例
として、「Journal of Applied Physics,Vol.47(197
6)」の 5248ページに、エミッタ材料に高融点金属モリ
ブデンを用いた電界放出型冷陰極の製造方法が示されて
いる。
【０００３】図１０は電界放出型冷陰極の構造および駆
動方法を説明するための模式図である。この図に示すよ
うにエミッタ１は導電性基板２上もしくは導電性膜を施
した絶縁性基板上に配置される。ゲート層３はエミッタ
１を囲むように絶縁層４上に配置され、エミッタ１に対
して正のゲート電圧７を印加する。エミッタ１の上方に
はアノード電極５が位置し、エミッタ１に対して正のア
ノード電圧６が印加される。電界が集中するエミッタ１
の先端部からは電界放出により電子が放出し、正電圧を
もつアノード電極５に流入する。エミッタ１とアノード
電極５の間は真空槽８によって大気と隔離される。真空
槽８は大きな排気速度を有する真空ポンプ１１で常時排
気し、超高真空を保持することが望ましい。しかし、装
置の大型化や重量化を嫌う装置では真空排気後に排気系
から真空槽８を封じ切り、孤立した真空環境のもとで使
用するのが一般的である。
動方法を説明するための模式図である。この図に示すよ
うにエミッタ１は導電性基板２上もしくは導電性膜を施
した絶縁性基板上に配置される。ゲート層３はエミッタ
１を囲むように絶縁層４上に配置され、エミッタ１に対
して正のゲート電圧７を印加する。エミッタ１の上方に
はアノード電極５が位置し、エミッタ１に対して正のア
ノード電圧６が印加される。電界が集中するエミッタ１
の先端部からは電界放出により電子が放出し、正電圧を
もつアノード電極５に流入する。エミッタ１とアノード
電極５の間は真空槽８によって大気と隔離される。真空
槽８は大きな排気速度を有する真空ポンプ１１で常時排
気し、超高真空を保持することが望ましい。しかし、装
置の大型化や重量化を嫌う装置では真空排気後に排気系
から真空槽８を封じ切り、孤立した真空環境のもとで使
用するのが一般的である。
【０００４】例えば、電界放出型冷陰極をＣＲＴの電子
銃として搭載する場合、その排気工程は次のようにな
る。図９は従来のＣＲＴ排気ラインを示す概略図であ
る。この図に示すように、まず、ＣＲＴ１４のネック部
１２と排気ラインとを接続部１３を介して接続し、排気
ラインに備わる油拡散ポンプ等の真空ポンプ１１によっ
てＣＲＴ１４内の排気を行う。排気時にはＣＲＴ１４の
温度を３００℃から４００℃程度に維持する。所望の時
間、排気を行った後、ＣＲＴ１４のネック部１２と排気
ラインとの接続部１３を封じ切る（チップオフ）。その
後、ＣＲＴ１４内に配置されるゲッター材１０を外部か
ら高周波誘導加熱により蒸発させ、ＣＲＴ１４内壁に付
着させる。ＣＲＴ１４内壁に付着したゲッター材は化学
的に活性なため、ＣＲＴ内部の残留ガスを吸着させ、内
部の真空度をさらに向上させる。このような排気工程に
よって得られるＣＲＴ内の真空度は「Vacuum,Vol.38」
の848ページによれば、１０-7Torr台であり、その残留
ガスの大部分はアルゴンであることが報告されている。
銃として搭載する場合、その排気工程は次のようにな
る。図９は従来のＣＲＴ排気ラインを示す概略図であ
る。この図に示すように、まず、ＣＲＴ１４のネック部
１２と排気ラインとを接続部１３を介して接続し、排気
ラインに備わる油拡散ポンプ等の真空ポンプ１１によっ
てＣＲＴ１４内の排気を行う。排気時にはＣＲＴ１４の
温度を３００℃から４００℃程度に維持する。所望の時
間、排気を行った後、ＣＲＴ１４のネック部１２と排気
ラインとの接続部１３を封じ切る（チップオフ）。その
後、ＣＲＴ１４内に配置されるゲッター材１０を外部か
ら高周波誘導加熱により蒸発させ、ＣＲＴ１４内壁に付
着させる。ＣＲＴ１４内壁に付着したゲッター材は化学
的に活性なため、ＣＲＴ内部の残留ガスを吸着させ、内
部の真空度をさらに向上させる。このような排気工程に
よって得られるＣＲＴ内の真空度は「Vacuum,Vol.38」
の848ページによれば、１０-7Torr台であり、その残留
ガスの大部分はアルゴンであることが報告されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、電界
放出型冷陰極をＣＲＴ等の電子銃として、孤立した真空
槽内で使用する場合には、１０-7Torr台の高真空に保持
されるが、このような真空環境中においても残留気体に
よる電子放出特性への影響は無視できない。すなわち、
残留気体は図１０に示すように電子放出特性の経時劣化
すなわち画像の不安定性の原因となっていた。
放出型冷陰極をＣＲＴ等の電子銃として、孤立した真空
槽内で使用する場合には、１０-7Torr台の高真空に保持
されるが、このような真空環境中においても残留気体に
よる電子放出特性への影響は無視できない。すなわち、
残留気体は図１０に示すように電子放出特性の経時劣化
すなわち画像の不安定性の原因となっていた。
【０００６】電界放出型冷陰極の電子放出特性は動作真
空中の残留ガスの種類と当該残留ガスの分圧に敏感であ
ることが知られている。特に、放出電子によってイオン
化された残留ガスの正イオンは負極の電位をもつエミッ
タへと降り注ぐ。そのため、イオン衝撃による電流変動
の増大と、スパッタリングによるエミッタ先端の永久的
な変質および変形とを導き、電子放出特性を著しく劣化
させ、安定動作を長期間維持することが困難となる。し
たがって、特性安定化および寿命の向上を図るにはエミ
ッタに損傷を及ぼす種類のガスをその許容分圧まで排気
し、真空環境を制御する必要性がある。
空中の残留ガスの種類と当該残留ガスの分圧に敏感であ
ることが知られている。特に、放出電子によってイオン
化された残留ガスの正イオンは負極の電位をもつエミッ
タへと降り注ぐ。そのため、イオン衝撃による電流変動
の増大と、スパッタリングによるエミッタ先端の永久的
な変質および変形とを導き、電子放出特性を著しく劣化
させ、安定動作を長期間維持することが困難となる。し
たがって、特性安定化および寿命の向上を図るにはエミ
ッタに損傷を及ぼす種類のガスをその許容分圧まで排気
し、真空環境を制御する必要性がある。
【０００７】しかしながら、従来の手法では、エミッタ
に損傷を与える種類の残留ガスとその許容分圧が不明確
であるため、排気工程における残留ガスの制御は経験的
なものにとどまり、結果的に電子放出特性の経時劣化が
生じたり、電子放出特性の再現性が得られない等の問題
点が生じていた。
に損傷を与える種類の残留ガスとその許容分圧が不明確
であるため、排気工程における残留ガスの制御は経験的
なものにとどまり、結果的に電子放出特性の経時劣化が
生じたり、電子放出特性の再現性が得られない等の問題
点が生じていた。
【０００８】本発明の目的は上記問題点に関して、真空
槽内に存在するエミッタに損傷を及ぼす種類の残留ガス
をその許容分圧以下に制御し、良好な電子放出特性を安
定かつ長期間にわたって維持可能な電界放出型冷陰極、
および電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法を提供する
ことにある。
槽内に存在するエミッタに損傷を及ぼす種類の残留ガス
をその許容分圧以下に制御し、良好な電子放出特性を安
定かつ長期間にわたって維持可能な電界放出型冷陰極、
および電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、先鋭な突起を持つ多数の電子放出部から成
って、真空中で動作される電界放出型冷陰極において、
前記多数の電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の
値がＩであるとき、動作真空中の希ガスの分圧が少なく
とも、Ｃ／Ｉ（Ｃ：定数）以下であることを特徴とす
る。好ましくは、前記多数の電子放出部の１個当りの使
用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）であり、動作真空中
に希ガスとしてアルゴンが含まれる場合、アルゴン分圧
が少なくとも、６．９×１０-15／Ｉ（Torr）以下であ
ることを特徴とする。
に本発明は、先鋭な突起を持つ多数の電子放出部から成
って、真空中で動作される電界放出型冷陰極において、
前記多数の電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の
値がＩであるとき、動作真空中の希ガスの分圧が少なく
とも、Ｃ／Ｉ（Ｃ：定数）以下であることを特徴とす
る。好ましくは、前記多数の電子放出部の１個当りの使
用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）であり、動作真空中
に希ガスとしてアルゴンが含まれる場合、アルゴン分圧
が少なくとも、６．９×１０-15／Ｉ（Torr）以下であ
ることを特徴とする。
【００１０】また本発明は、先鋭な突起を持つ多数の電
子放出部からなる電界放出型冷陰極を電子銃として真空
槽内に搭載してなる電界放出型冷陰極搭載装置の製造方
法であって、前記真空槽と接続可能な排気ラインに備わ
り前記真空槽内の残留ガスの分圧を監視する質量分析器
と、前記排気ラインにおける前記質量分析器と前記真空
槽との間に備わるバルブとを用い、前記質量分析器によ
って前記真空槽内の残留ガスの分圧を監視しながら排気
を行なうことを特徴とする。
子放出部からなる電界放出型冷陰極を電子銃として真空
槽内に搭載してなる電界放出型冷陰極搭載装置の製造方
法であって、前記真空槽と接続可能な排気ラインに備わ
り前記真空槽内の残留ガスの分圧を監視する質量分析器
と、前記排気ラインにおける前記質量分析器と前記真空
槽との間に備わるバルブとを用い、前記質量分析器によ
って前記真空槽内の残留ガスの分圧を監視しながら排気
を行なうことを特徴とする。
【００１１】このような製造方法は、前記真空槽と前記
排気ラインを接続し、前記バルブを開け、前記質量分析
器で検出される前記真空槽内の特定の希ガスの分圧が所
定の値以下になるまで真空排気を行なう第１工程と、前
記バルブを閉じ、前記排気ラインから前記真空槽を封じ
切る第２工程と、ゲッターフラッシュを行う第３工程と
で行なわれる。
排気ラインを接続し、前記バルブを開け、前記質量分析
器で検出される前記真空槽内の特定の希ガスの分圧が所
定の値以下になるまで真空排気を行なう第１工程と、前
記バルブを閉じ、前記排気ラインから前記真空槽を封じ
切る第２工程と、ゲッターフラッシュを行う第３工程と
で行なわれる。
【００１２】また、上記の製造方法は、前記真空槽と前
記排気ラインを接続し、前記バルブを開け、前記質量分
析器で検出される前記真空槽内の特定の希ガスの分圧が
所定の値以下になるまで真空排気を行なう第１工程と、
前記バルブを閉じ、ゲッターフラッシュを行う第２工程
と、前記バルブを開け、前記質量分析器で検出される前
記真空槽内の特定の希ガスの分圧が所定の値以下になる
まで真空排気を行なう第３工程と、前記バルブを閉じ、
前記排気ラインから前記真空槽を封じ切る第４工程とで
行なわれてもよい。
記排気ラインを接続し、前記バルブを開け、前記質量分
析器で検出される前記真空槽内の特定の希ガスの分圧が
所定の値以下になるまで真空排気を行なう第１工程と、
前記バルブを閉じ、ゲッターフラッシュを行う第２工程
と、前記バルブを開け、前記質量分析器で検出される前
記真空槽内の特定の希ガスの分圧が所定の値以下になる
まで真空排気を行なう第３工程と、前記バルブを閉じ、
前記排気ラインから前記真空槽を封じ切る第４工程とで
行なわれてもよい。
【００１３】そして、上記の製造方法において、前記多
数の電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の値がＩ
であるとき、前記所定の値はＣ／Ｉ（Ｃ：定数）である
ことが好ましく、特に、前記多数の電子放出部の１個当
りの使用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）であり、前記
希ガスがアルゴンである場合、前記所定の値は、６．９
×１０-15／Ｉ（Torr）であることが好ましい。
数の電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の値がＩ
であるとき、前記所定の値はＣ／Ｉ（Ｃ：定数）である
ことが好ましく、特に、前記多数の電子放出部の１個当
りの使用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）であり、前記
希ガスがアルゴンである場合、前記所定の値は、６．９
×１０-15／Ｉ（Torr）であることが好ましい。
【００１４】加えて、前記電界放出型冷陰極搭載装置は
ＣＲＴもしくはフラットパネルディスプレイであること
考えられる。
ＣＲＴもしくはフラットパネルディスプレイであること
考えられる。
【００１５】（作用）上記のとおりの発明では、多数の
電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の値がＩであ
るとき、電界放出型冷陰極の動作真空中の希ガスの分圧
を、Ｃ／Ｉ（Ｃ：定数）以下にした。特に、希ガスとし
てアルゴンが含まれている場合、電界放出型冷陰極の動
作真空中のアルゴン分圧を、６．９×１０-15／Ｉ（Tor
r）以下にした。このようなガス分圧のもとで電界放出
型冷陰極を駆動すれば、電子放出部に損傷を与えること
がないので、電子放出特性の劣化を防ぎ、長期間にわた
って安定な放出電流を発生することが可能となる。
電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の値がＩであ
るとき、電界放出型冷陰極の動作真空中の希ガスの分圧
を、Ｃ／Ｉ（Ｃ：定数）以下にした。特に、希ガスとし
てアルゴンが含まれている場合、電界放出型冷陰極の動
作真空中のアルゴン分圧を、６．９×１０-15／Ｉ（Tor
r）以下にした。このようなガス分圧のもとで電界放出
型冷陰極を駆動すれば、電子放出部に損傷を与えること
がないので、電子放出特性の劣化を防ぎ、長期間にわた
って安定な放出電流を発生することが可能となる。
【００１６】また、電界放出型冷陰極搭載装置の製造方
法では、その排気工程で、装置を成す真空槽内の残留ガ
スの分圧を質量分析器にて監視し、残留ガスのうちの希
ガスを、電子放出部に損傷を与えることのない分圧以下
に制御した。この事により、電界放出型冷陰極搭載装置
を成す真空槽内の残留ガス制御が再現性よく行うことが
でき、装置の安定動作を長期間にわたって保持すること
が可能となる。
法では、その排気工程で、装置を成す真空槽内の残留ガ
スの分圧を質量分析器にて監視し、残留ガスのうちの希
ガスを、電子放出部に損傷を与えることのない分圧以下
に制御した。この事により、電界放出型冷陰極搭載装置
を成す真空槽内の残留ガス制御が再現性よく行うことが
でき、装置の安定動作を長期間にわたって保持すること
が可能となる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。ここでも、電界放出型冷陰極をＣ
ＲＴの電子銃として、孤立した真空槽内で使用する場合
を例に採って説明する。
に基づいて説明する。ここでも、電界放出型冷陰極をＣ
ＲＴの電子銃として、孤立した真空槽内で使用する場合
を例に採って説明する。
【００１８】ＣＲＴ内の残留ガスは、前述した「Vacuu
m,Vol.38」の848ページによれば、２×１０-7TorrのＡ
ｒ（アルゴン）が残留ガスの大部分を占め、その他には
１×１０-8TorrのＨｅ、１×１０-8Torr以下のＣＯ、Ｎ
2、ＣＨ4によって構成されている。先鋭な突起を持つ電
子放出部であるエミッタが残留ガスによって損傷を受け
る度合いは残留ガスの分圧、放出された電子によって残
留ガスがイオン化する電離能率、生成されたイオンがエ
ミッタ表面原子を叩き出すスパッタ率によって決定され
る。
m,Vol.38」の848ページによれば、２×１０-7TorrのＡ
ｒ（アルゴン）が残留ガスの大部分を占め、その他には
１×１０-8TorrのＨｅ、１×１０-8Torr以下のＣＯ、Ｎ
2、ＣＨ4によって構成されている。先鋭な突起を持つ電
子放出部であるエミッタが残留ガスによって損傷を受け
る度合いは残留ガスの分圧、放出された電子によって残
留ガスがイオン化する電離能率、生成されたイオンがエ
ミッタ表面原子を叩き出すスパッタ率によって決定され
る。
【００１９】A.von Engel,"Ionized Gases"(Oxford Uni
versity Press,1965)に記載される各種ガスにおける電
離能率の入射電子エネルギー依存性を図１に示す。電離
能率は、主に質量数の大きな希ガスのＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅ
の方が、すべての電子エネルギー範囲にわたって、ＣＲ
Ｔ内に存在するＨｅ、ＣＯ、Ｎ2、ＣＨ4等の残留ガスよ
りも大きい。また、スパッタ率は一般に、質量数の大き
なガスほど大きい。したがって、ＣＲＴ内の残留ガスを
考慮した場合、残留ガスの大部分を占めるＡｒは他の残
留ガスに比べて、分圧、電離能率が高く、さらに質量数
も大きいため、エミッタに損傷を及ぼす効果が大きいも
のと考えられる。
versity Press,1965)に記載される各種ガスにおける電
離能率の入射電子エネルギー依存性を図１に示す。電離
能率は、主に質量数の大きな希ガスのＡｒ，Ｋｒ，Ｘｅ
の方が、すべての電子エネルギー範囲にわたって、ＣＲ
Ｔ内に存在するＨｅ、ＣＯ、Ｎ2、ＣＨ4等の残留ガスよ
りも大きい。また、スパッタ率は一般に、質量数の大き
なガスほど大きい。したがって、ＣＲＴ内の残留ガスを
考慮した場合、残留ガスの大部分を占めるＡｒは他の残
留ガスに比べて、分圧、電離能率が高く、さらに質量数
も大きいため、エミッタに損傷を及ぼす効果が大きいも
のと考えられる。
【００２０】そこで、電子放出特性に及ぼすＡｒ分圧の
影響を調べた。その結果を図に示す。この実験に用いた
電界放出型冷陰極とその駆動方法を図８を参照に説明す
る。
影響を調べた。その結果を図に示す。この実験に用いた
電界放出型冷陰極とその駆動方法を図８を参照に説明す
る。
【００２１】ここでは、図８に示した基板２はＮ型に高
ドープされたシリコン基板で、絶縁層４は５００ｎｍの
熱酸化膜（ＳｉＯ2）から構成される。エミッタ１、お
よびゲート層３はモリブデンである。エミッタ１を囲む
ゲート層３の開口径は６００ｎｍであり、素子数は１３
００個である。なお、この電界放出型冷陰極の製造方法
は「Journal of Applied Physics,Vol.47(1976)」の 52
48ページに記載の公知例に従う。駆動方法はゲート電圧
７に９０Ｖ、アノード電圧５に５００Ｖ印加した。以下
ではアノード電極６に流入した電子流を放出電流と呼
ぶ。真空槽８はターボ分子ポンプを用いて常時排気し、
５×１０-10Torrの超高真空を維持する。図２から判る
ように、超高真空中で約１×１０-3Ａ 発生していた放
出電流は、Ａｒを導入することにより時間の経過ととも
に減少し、ある時間から飽和する傾向を示す。また、Ａ
ｒ分圧が高いほど放出電流の減少率は大きく、飽和領域
の電流値は小さくなる。
ドープされたシリコン基板で、絶縁層４は５００ｎｍの
熱酸化膜（ＳｉＯ2）から構成される。エミッタ１、お
よびゲート層３はモリブデンである。エミッタ１を囲む
ゲート層３の開口径は６００ｎｍであり、素子数は１３
００個である。なお、この電界放出型冷陰極の製造方法
は「Journal of Applied Physics,Vol.47(1976)」の 52
48ページに記載の公知例に従う。駆動方法はゲート電圧
７に９０Ｖ、アノード電圧５に５００Ｖ印加した。以下
ではアノード電極６に流入した電子流を放出電流と呼
ぶ。真空槽８はターボ分子ポンプを用いて常時排気し、
５×１０-10Torrの超高真空を維持する。図２から判る
ように、超高真空中で約１×１０-3Ａ 発生していた放
出電流は、Ａｒを導入することにより時間の経過ととも
に減少し、ある時間から飽和する傾向を示す。また、Ａ
ｒ分圧が高いほど放出電流の減少率は大きく、飽和領域
の電流値は小さくなる。
【００２２】図３は１３００個のエミッタから放出され
た飽和電流値（飽和領域での電流の平均値）のＡｒ分圧
依存性を両対数表示で示したものである。飽和電流値と
Ａｒ分圧の関係は傾きが約−１の直線でよく表される。
この結果は、飽和電流値がＡｒ分圧に対して反比例の関
係にあることを意味し、この２つの変数の積が、常に定
数（ここでは９．０×１０-12Torr・Ａ）になることを
示している。以下ではこの定数をＣで呼ぶことにする。
この関係が生じる要因はＡｒ以外に含まれる化学的に活
性な残留ガスのエミッタ上での吸着がＡｒのイオン照射
によるエミッタのスパッタリングを阻害し、両者が定常
状態になるためと考えられる。実際に、Ａｒ導入中のＡ
ｒ以外に含まれる残留ガスはＡｒ分圧に関わらず１×１
０-9Torr程度であり、主に水素、一酸化炭素、二酸化炭
素等から構成される。エミッタに降り注ぐＡｒイオンの
単位時間当たりの入射数はＡｒ分圧と放出電流の積に比
例する。そのため、Ａｒ分圧に関わらず一定量合有され
るＡｒ以外の残留ガスの吸着速度と、単位時間に照射さ
れるＡｒイオン数との定常状態は、Ａｒ分圧と飽和電流
の積が一定に保持されるように、Ａｒ分圧が低い時には
高い放出電流で飽和し、Ａｒ分圧が高いときには低い放
出電流で飽和することになる。したがって、この関係か
ら、例えば上述したような超高真空中での放出電流約１
×１０-3ＡをＡｒ雰囲気中においても維持するには、Ａ
ｒ分圧を少なくとも９．０×１０-9Torr以下に制御する
必要がある。ただし、ここでの放出電流は、１３００個
のエミッタを集積させたアレイからの全放出電流を意味
するが、各エミッタにＡｒイオンが均一に入射すると仮
定すると、上述したＡｒ分圧と飽和電流の積は１エミッ
タ当たりの値に換算することが妥当である。また、これ
により上記の関係はエミッタ数に関わらず適用すること
ができる。先に示したＡｒ分圧と飽和電流値の積すなわ
ち定数Ｃを１エミッタ当たりに換算すると、図３のグラ
フの右軸から６．９×１０-15Torr・Ａとなる。
た飽和電流値（飽和領域での電流の平均値）のＡｒ分圧
依存性を両対数表示で示したものである。飽和電流値と
Ａｒ分圧の関係は傾きが約−１の直線でよく表される。
この結果は、飽和電流値がＡｒ分圧に対して反比例の関
係にあることを意味し、この２つの変数の積が、常に定
数（ここでは９．０×１０-12Torr・Ａ）になることを
示している。以下ではこの定数をＣで呼ぶことにする。
この関係が生じる要因はＡｒ以外に含まれる化学的に活
性な残留ガスのエミッタ上での吸着がＡｒのイオン照射
によるエミッタのスパッタリングを阻害し、両者が定常
状態になるためと考えられる。実際に、Ａｒ導入中のＡ
ｒ以外に含まれる残留ガスはＡｒ分圧に関わらず１×１
０-9Torr程度であり、主に水素、一酸化炭素、二酸化炭
素等から構成される。エミッタに降り注ぐＡｒイオンの
単位時間当たりの入射数はＡｒ分圧と放出電流の積に比
例する。そのため、Ａｒ分圧に関わらず一定量合有され
るＡｒ以外の残留ガスの吸着速度と、単位時間に照射さ
れるＡｒイオン数との定常状態は、Ａｒ分圧と飽和電流
の積が一定に保持されるように、Ａｒ分圧が低い時には
高い放出電流で飽和し、Ａｒ分圧が高いときには低い放
出電流で飽和することになる。したがって、この関係か
ら、例えば上述したような超高真空中での放出電流約１
×１０-3ＡをＡｒ雰囲気中においても維持するには、Ａ
ｒ分圧を少なくとも９．０×１０-9Torr以下に制御する
必要がある。ただし、ここでの放出電流は、１３００個
のエミッタを集積させたアレイからの全放出電流を意味
するが、各エミッタにＡｒイオンが均一に入射すると仮
定すると、上述したＡｒ分圧と飽和電流の積は１エミッ
タ当たりの値に換算することが妥当である。また、これ
により上記の関係はエミッタ数に関わらず適用すること
ができる。先に示したＡｒ分圧と飽和電流値の積すなわ
ち定数Ｃを１エミッタ当たりに換算すると、図３のグラ
フの右軸から６．９×１０-15Torr・Ａとなる。
【００２３】上記のアルゴン分圧と飽和電流値の積が一
定になる関係は、Ａｒ以外の希ガスを導入した場合、Ａ
ｒと同時に水素や酸素等の活性ガスを導入した場合、ゲ
ート電圧およびアノード電圧を変化させた場合にも、共
通に見られることを確認している。ただし、これらの場
合、希ガス分圧と飽和電流値の積（定数Ｃ）はそれぞれ
異なる値を示す。例えば、先に示した実験と同じ１３０
０個のエミッタを有する電界放出型冷陰極およびその駆
動方法にて、Ａｒと同時に２×１０-9Torrの一定酸素を
導入した場合の飽和電流値のＡｒ分圧依存性は、図３に
示すように、定数Ｃは８×１０-11Torr・Ａ（１エミッ
タ当たりに換算すると６．２×１０-14Torr・Ａ）にな
り、酸素を微量添加することによりエミッタに損傷を及
ぼさない許容Ａｒ分圧を低真空領域に広げることができ
る。この傾向は酸素を１×１０-8Torr導入した場合にも
観測された。また、Ａｒと同時に１×１０-8Torrの一定
水素を導入した場合にも定数Ｃは５×１０-11Torr・Ａ
（１エミッタ当たりに換算すると３．８×１０-14Torr
・Ａ）になり、酸素導入と同様な効果が得られる。ただ
し、２×１０-9Torrの水素を導入した場合には酸素で得
られたような飽和電流の改善は見られず、Ａｒ単体で導
入した場合の飽和電流と同レベルになる。このことか
ら、飽和電流値はＡｒ以外に含まれる残留ガスの種類と
分圧にも依存する。したがって、Ａｒと同時に適量の酸
素や水素等の活性ガスを導入した場合には、エミッタに
損傷を及ぼさない許容Ａｒ分圧をＡｒ単体で導入した時
よりも大きく（定数Ｃを大きく）設定することもでき
る。
定になる関係は、Ａｒ以外の希ガスを導入した場合、Ａ
ｒと同時に水素や酸素等の活性ガスを導入した場合、ゲ
ート電圧およびアノード電圧を変化させた場合にも、共
通に見られることを確認している。ただし、これらの場
合、希ガス分圧と飽和電流値の積（定数Ｃ）はそれぞれ
異なる値を示す。例えば、先に示した実験と同じ１３０
０個のエミッタを有する電界放出型冷陰極およびその駆
動方法にて、Ａｒと同時に２×１０-9Torrの一定酸素を
導入した場合の飽和電流値のＡｒ分圧依存性は、図３に
示すように、定数Ｃは８×１０-11Torr・Ａ（１エミッ
タ当たりに換算すると６．２×１０-14Torr・Ａ）にな
り、酸素を微量添加することによりエミッタに損傷を及
ぼさない許容Ａｒ分圧を低真空領域に広げることができ
る。この傾向は酸素を１×１０-8Torr導入した場合にも
観測された。また、Ａｒと同時に１×１０-8Torrの一定
水素を導入した場合にも定数Ｃは５×１０-11Torr・Ａ
（１エミッタ当たりに換算すると３．８×１０-14Torr
・Ａ）になり、酸素導入と同様な効果が得られる。ただ
し、２×１０-9Torrの水素を導入した場合には酸素で得
られたような飽和電流の改善は見られず、Ａｒ単体で導
入した場合の飽和電流と同レベルになる。このことか
ら、飽和電流値はＡｒ以外に含まれる残留ガスの種類と
分圧にも依存する。したがって、Ａｒと同時に適量の酸
素や水素等の活性ガスを導入した場合には、エミッタに
損傷を及ぼさない許容Ａｒ分圧をＡｒ単体で導入した時
よりも大きく（定数Ｃを大きく）設定することもでき
る。
【００２４】また、定数Ｃはゲートおよびアノード電圧
にも依存する。これは、放出電子が残留ガスと衝突する
際のエネルギーおよびイオン化された残留ガスイオンが
エミッタに入射する際のエネルギーを変化させるため、
電離能率やスパッタ率に影響を及ぼすからである。
にも依存する。これは、放出電子が残留ガスと衝突する
際のエネルギーおよびイオン化された残留ガスイオンが
エミッタに入射する際のエネルギーを変化させるため、
電離能率やスパッタ率に影響を及ぼすからである。
【００２５】以上から、安定な放出電流を長期間維持す
るためには、１エミッタ当たりの使用最大電流をＩとし
た場合、動作真空中に含まれる希ガスの分圧を少なくと
もＣ／Ｉ以下に制御する必要性がある。定数Ｃは、希ガ
スの種類、希ガス以外に含まれるガスの種類と分圧、制
御電圧等に依存する定数である。
るためには、１エミッタ当たりの使用最大電流をＩとし
た場合、動作真空中に含まれる希ガスの分圧を少なくと
もＣ／Ｉ以下に制御する必要性がある。定数Ｃは、希ガ
スの種類、希ガス以外に含まれるガスの種類と分圧、制
御電圧等に依存する定数である。
【００２６】電界放出型冷陰極を電子銃として、ＣＲＴ
やフラットパネルディスプレイ等の装置に搭載する場
合、その装置を構成する真空槽内を排気速度の大きな真
空ポンプで常時排気することは、装置の高コスト化、大
型化、重量化につながる。そのため、通常、真空槽は、
真空排気工程後に、排気ラインから装置を封じ切る工程
を行なうことにより、排気ラインから独立させている。
やフラットパネルディスプレイ等の装置に搭載する場
合、その装置を構成する真空槽内を排気速度の大きな真
空ポンプで常時排気することは、装置の高コスト化、大
型化、重量化につながる。そのため、通常、真空槽は、
真空排気工程後に、排気ラインから装置を封じ切る工程
を行なうことにより、排気ラインから独立させている。
【００２７】図４は本発明の一実施形態を好適に実施す
るＣＲＴ排気ラインを表した概略図である。この図では
図９に示した構成要素と同一のものには同一符号を付し
てある。この図において、電界放出型冷陰極を搭載した
電子銃９、バリウムを主成分とするゲッター材１０、ス
クリーン等を真空槽内に備えてなるＣＲＴ１４はそのネ
ック部１２の配管に接続部１３を介して排気ラインと接
合される。なお、ここで用いた電界放出型冷陰極は先に
示したものと同様に１３００個のエミッタを有する。排
気ラインにおいては、接続部１３より排気上流に向けて
バルブ１５、質量分析器１６、真空ポンプ１１の順に設
置される。質量分析器１６は電子銃９のごく近傍に配置
することが望ましいが、例えばＣＲＴ１４のネック部１
２に配置した場合には個々のＣＲＴ毎に新たに質量分析
器用のポートを設けることになり、工程数が増すため、
ここでは排気ラインに取り付けている。
るＣＲＴ排気ラインを表した概略図である。この図では
図９に示した構成要素と同一のものには同一符号を付し
てある。この図において、電界放出型冷陰極を搭載した
電子銃９、バリウムを主成分とするゲッター材１０、ス
クリーン等を真空槽内に備えてなるＣＲＴ１４はそのネ
ック部１２の配管に接続部１３を介して排気ラインと接
合される。なお、ここで用いた電界放出型冷陰極は先に
示したものと同様に１３００個のエミッタを有する。排
気ラインにおいては、接続部１３より排気上流に向けて
バルブ１５、質量分析器１６、真空ポンプ１１の順に設
置される。質量分析器１６は電子銃９のごく近傍に配置
することが望ましいが、例えばＣＲＴ１４のネック部１
２に配置した場合には個々のＣＲＴ毎に新たに質量分析
器用のポートを設けることになり、工程数が増すため、
ここでは排気ラインに取り付けている。
【００２８】このような設備を用い、電界放出型冷陰極
搭載装置の一例であるＣＲＴを製造する方法について図
４乃至図６を参照して以下に述べる。図５は、図４に示
した設備によるＣＲＴの製造方法を表す工程図、図６は
図５に示した製法の更に好ましい例を示す工程図であ
る。
搭載装置の一例であるＣＲＴを製造する方法について図
４乃至図６を参照して以下に述べる。図５は、図４に示
した設備によるＣＲＴの製造方法を表す工程図、図６は
図５に示した製法の更に好ましい例を示す工程図であ
る。
【００２９】この製法では、真空槽を成すＣＲＴ１４の
ネック部１２の配管を排気ラインに接続した後、図５に
示すようにバルブ１５を開け、質量分析器１６を作動さ
せながら真空排気を行う。
ネック部１２の配管を排気ラインに接続した後、図５に
示すようにバルブ１５を開け、質量分析器１６を作動さ
せながら真空排気を行う。
【００３０】室温での排気が１０-4Torr以下に到達した
後、ＣＲＴ１４については外部からヒータによって、４
００℃程度まで排気を継続しながら加熱し、脱ガスを促
進させる。質量分析器１６で検出されるＡｒ分圧が所定
の分圧に達するまで排気した後、ＣＲＴ１４を除冷しな
がら、ＣＲＴ１４と排気ラインとの接続部１３を封じ切
る（チップオフ）。排気時間は１エミッタ当たりの使用
最大放出電流によって決定される許容Ａｒ分圧、ＣＲＴ
のサイズ、排気系の能力等に依存するが、ここでは前記
のＡｒ分圧と飽和電流値の関係を参考に、許容Ａｒ分圧
が９×１０-9Torr（１３００個エミッタからの最大放出
電流が１×１０-3Ａの場合）、１５インチのＣＲＴ１
４、真空ポンプ１１に油拡散ポンプを用いた場合、４０
０℃での排気時間は約１．５時間であった。
後、ＣＲＴ１４については外部からヒータによって、４
００℃程度まで排気を継続しながら加熱し、脱ガスを促
進させる。質量分析器１６で検出されるＡｒ分圧が所定
の分圧に達するまで排気した後、ＣＲＴ１４を除冷しな
がら、ＣＲＴ１４と排気ラインとの接続部１３を封じ切
る（チップオフ）。排気時間は１エミッタ当たりの使用
最大放出電流によって決定される許容Ａｒ分圧、ＣＲＴ
のサイズ、排気系の能力等に依存するが、ここでは前記
のＡｒ分圧と飽和電流値の関係を参考に、許容Ａｒ分圧
が９×１０-9Torr（１３００個エミッタからの最大放出
電流が１×１０-3Ａの場合）、１５インチのＣＲＴ１
４、真空ポンプ１１に油拡散ポンプを用いた場合、４０
０℃での排気時間は約１．５時間であった。
【００３１】チップオフした後、ＣＲＴ１４内のゲッタ
ー材１０を外部から高周波誘導加熱し、ＣＲＴ１４内壁
に活性なゲッター膜を形成する（ゲッターフラッシ
ュ）。これにより、ＣＲＴ１４内に残存する活性ガスが
ゲッター膜に吸着し、さらに真空度が向上する。
ー材１０を外部から高周波誘導加熱し、ＣＲＴ１４内壁
に活性なゲッター膜を形成する（ゲッターフラッシ
ュ）。これにより、ＣＲＴ１４内に残存する活性ガスが
ゲッター膜に吸着し、さらに真空度が向上する。
【００３２】ただし、この工程では、ゲッター材自体に
弱く結合していた希ガスのＡｒやＨｅが管内の活性な残
留ガスの吸着により置換脱離し、逆にＣＲＴ１４内に放
出されるため、最終的なＣＲＴ１４内のＡｒ分圧制御を
困難にする場合がある。この場合には、図６に示すよう
に、許容Ａｒ分圧に到達するまで真空排気した後、バル
ブ１５を閉じてゲッターフラッシュを行い、その後、バ
ルブ１５を開けて許容Ａｒ分圧に到達するまで真空排気
してから再度バルブ１５を閉じ、チップオフすることが
好ましい。また、あらかじめ含有Ａｒ量の少ないゲッタ
ー材を用いてもよい。
弱く結合していた希ガスのＡｒやＨｅが管内の活性な残
留ガスの吸着により置換脱離し、逆にＣＲＴ１４内に放
出されるため、最終的なＣＲＴ１４内のＡｒ分圧制御を
困難にする場合がある。この場合には、図６に示すよう
に、許容Ａｒ分圧に到達するまで真空排気した後、バル
ブ１５を閉じてゲッターフラッシュを行い、その後、バ
ルブ１５を開けて許容Ａｒ分圧に到達するまで真空排気
してから再度バルブ１５を閉じ、チップオフすることが
好ましい。また、あらかじめ含有Ａｒ量の少ないゲッタ
ー材を用いてもよい。
【００３３】図７は、上記の排気工程に従って製造され
た、電界放出型冷陰極搭載装置としてのＣＲＴの放出電
流の経時変化を示すグラフである。ここで用いた電界放
出型冷陰極は先に示したものと同じ仕様であり、最終的
なＣＲＴ内のＡｒ分圧は８×１０-9Torrであった。図７
からも判るように、１３００個のエミッタからの放出電
流１ｍＡ発生時に許容されるＡｒ分圧（９×１０-9Tor
r）以下にＣＲＴ内の真空環境を制御することにより、
従来例に見られるようなエミッタ損傷による放出電流の
経時劣化は見られず、安定化した特性を維持することが
可能である。
た、電界放出型冷陰極搭載装置としてのＣＲＴの放出電
流の経時変化を示すグラフである。ここで用いた電界放
出型冷陰極は先に示したものと同じ仕様であり、最終的
なＣＲＴ内のＡｒ分圧は８×１０-9Torrであった。図７
からも判るように、１３００個のエミッタからの放出電
流１ｍＡ発生時に許容されるＡｒ分圧（９×１０-9Tor
r）以下にＣＲＴ内の真空環境を制御することにより、
従来例に見られるようなエミッタ損傷による放出電流の
経時劣化は見られず、安定化した特性を維持することが
可能である。
【００３４】以上のように、真空槽内の希ガスを制御す
る実施形態としてＣＲＴの製造方法を示したが、フラッ
トパネルディスプレイにおいても、特開平７−２９５２
０号公報で言及されているように、基本的には同様な製
造方法が用いられる。すなわち、パネル内の真空排気を
行い、管を封じ切り、ゲッターフラッシュにより実質的
な真空度を維持する。したがって、フラットパネルディ
スプレイにおいても、図４と同じ排気ラインを用いて許
容希ガス分圧を制御することは可能であり、これにより
ＣＲＴと同様に安定な放出電流を長期間維持することが
できる。
る実施形態としてＣＲＴの製造方法を示したが、フラッ
トパネルディスプレイにおいても、特開平７−２９５２
０号公報で言及されているように、基本的には同様な製
造方法が用いられる。すなわち、パネル内の真空排気を
行い、管を封じ切り、ゲッターフラッシュにより実質的
な真空度を維持する。したがって、フラットパネルディ
スプレイにおいても、図４と同じ排気ラインを用いて許
容希ガス分圧を制御することは可能であり、これにより
ＣＲＴと同様に安定な放出電流を長期間維持することが
できる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、電界放出
型冷陰極の電子放出部に損傷を与えるガスをその許容分
圧以下に制御し、駆動させるため、電子放出部への損傷
による電子放出特性の劣化を防ぎ、長期間にわたって安
定な放出電流を発生することができる。
型冷陰極の電子放出部に損傷を与えるガスをその許容分
圧以下に制御し、駆動させるため、電子放出部への損傷
による電子放出特性の劣化を防ぎ、長期間にわたって安
定な放出電流を発生することができる。
【００３６】また、電界放出型冷陰極搭載装置の製造方
法において、その排気工程で、真空槽内の残留ガスの分
圧を質量分析器にてモニターし、希ガスを許容分圧以下
に制御することにより、真空槽内の残留ガス制御が再現
性よく行うことができ、装置の安定動作を長期間にわた
って保持することができる。
法において、その排気工程で、真空槽内の残留ガスの分
圧を質量分析器にてモニターし、希ガスを許容分圧以下
に制御することにより、真空槽内の残留ガス制御が再現
性よく行うことができ、装置の安定動作を長期間にわた
って保持することができる。
【図１】各種ガスの電離能率の入射電子エネルギー依存
性を示すグラフである。
性を示すグラフである。
【図２】Ａｒ分圧を変化させた場合の放出電流の経時変
化を示すグラフである。
化を示すグラフである。
【図３】飽和電流値のＡｒ分圧依存性を示すグラフであ
る。
る。
【図４】本発明におけるＣＲＴ排気ラインを示す概略図
である。
である。
【図５】図４に示した設備によるＣＲＴの製造方法を表
す工程図である。
す工程図である。
【図６】図５に示した製法の更に好ましい例を示す工程
図である。
図である。
【図７】本発明における電界放出型冷陰極搭載装置とし
てのＣＲＴの放出電流の経時変化を示すグラフである。
てのＣＲＴの放出電流の経時変化を示すグラフである。
【図８】電界放射型冷陰極の構造および駆動方法を示す
概略図である。
概略図である。
【図９】従来のＣＲＴ排気ラインを示す概略図である。
【図１０】従来の電界放出型冷陰極搭載ＣＲＴの放出電
流の経時変化を示す図である。
流の経時変化を示す図である。
９ 電子銃 １０ ゲッター材 １１ 真空ポンプ １２ ＣＲＴのネック部 ｌ３ ＣＲＴと排気ラインの接続部 １４ ＣＲＴ １５ バルブ １６ 質量分析器
Claims (8)
- 【請求項１】 先鋭な突起を持つ多数の電子放出部から
成って、真空中で動作される電界放出型冷陰極におい
て、 前記多数の電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の
値がＩであるとき、動作真空中の希ガスの分圧が少なく
とも、Ｃ／Ｉ（Ｃ：定数）以下であることを特徴とする
電界放出型冷陰極。 - 【請求項２】 先鋭な突起を持つ多数の電子放出部から
成って、真空中で動作される電界放出型冷陰極におい
て、 前記多数の電子放出部の１個当りの使用最大放出電流の
値がＩ（アンヘ゜ア）であり、動作真空中に希ガスとしてア
ルゴンが含まれる場合、アルゴン分圧が少なくとも、
６．９×１０-15／Ｉ（Torr）以下であることを特徴と
する電界放出型冷陰極。 - 【請求項３】 先鋭な突起を持つ多数の電子放出部から
なる電界放出型冷陰極を真空槽内に電子銃として搭載し
てなる電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法であって、 前記真空槽と接続可能な排気ラインに備わり前記真空槽
内の残留ガスの分圧を監視する質量分析器と、前記排気
ラインにおける前記質量分析器と前記真空槽との間に備
わるバルブとを用い、 前記質量分析器によって前記真空槽内の残留ガスの分圧
を監視しながら排気を行なうことを特徴とする電界放出
型冷陰極搭載装置の製造方法。 - 【請求項４】 請求項３に記載の電界放出型冷陰極搭載
装置の製造方法において、 前記真空槽と前記排気ラインを接続し、前記バルブを開
け、前記質量分析器で検出される前記真空槽内の特定の
希ガスの分圧が所定の値以下になるまで真空排気を行な
う第１工程と、 前記バルブを閉じ、前記排気ラインから前記真空槽を封
じ切る第２工程と、 ゲッターフラッシュを行う第３工程とを有することを特
徴とする電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法。 - 【請求項５】 請求項３に記載の電界放出型冷陰極搭載
装置の製造方法において、 前記真空槽と前記排気ラインを接続し、前記バルブを開
け、前記質量分析器で検出される前記真空槽内の特定の
希ガスの分圧が所定の値以下になるまで真空排気を行な
う第１工程と、 前記バルブを閉じ、ゲッターフラッシュを行う第２工程
と、 前記バルブを開け、前記質量分析器で検出される前記真
空槽内の特定の希ガスの分圧が所定の値以下になるまで
真空排気を行なう第３工程と、 前記バルブを閉じ、前記排気ラインから前記真空槽を封
じ切る第４工程とを有することを特徴とする電界放出型
冷陰極搭載装置の製造方法。 - 【請求項６】 請求項４又は５に記載の電界放出型冷陰
極搭載装置の製造方法において、前記多数の電子放出部
の１個当りの使用最大放出電流の値がＩであるとき、前
記所定の値はＣ／Ｉ（Ｃ：定数）であることを特徴とす
る電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法。 - 【請求項７】 請求項４又は５に記載の電界放出型冷陰
極搭載装置の製造方法において、前記多数の電子放出部
の１個当りの使用最大放出電流の値がＩ（アンヘ゜ア）であ
り、前記希ガスがアルゴンである場合、前記所定の値
は、６．９×１０-15／Ｉ（Torr）であることを特徴と
する電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項３から７のいずれか１項に記載の
電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法において、前記電
界放出型冷陰極搭載装置はＣＲＴもしくはフラットパネ
ルディスプレイであることを特徴とする電界放出型冷陰
極搭載装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7167397A JP3129226B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法 |
| US09/045,796 US6114694A (en) | 1997-03-25 | 1998-03-23 | Device having field emission type cold cathode and vacuum tank exhausting method and system in the same |
| KR1019980010093A KR100293078B1 (ko) | 1997-03-25 | 1998-03-24 | 전계방출형냉음극을갖는장치와동장치내의진공탱크배기방법및시스템 |
| FR9803683A FR2761524B1 (fr) | 1997-03-25 | 1998-03-25 | Dispositif comportant une cathode froide du type a emission de champ et procede d'aspiration de reservoir a vide et systeme pour celui-ci |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7167397A JP3129226B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10269930A true JPH10269930A (ja) | 1998-10-09 |
| JP3129226B2 JP3129226B2 (ja) | 2001-01-29 |
Family
ID=13467351
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7167397A Expired - Fee Related JP3129226B2 (ja) | 1997-03-25 | 1997-03-25 | 電界放出型冷陰極搭載装置の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6114694A (ja) |
| JP (1) | JP3129226B2 (ja) |
| KR (1) | KR100293078B1 (ja) |
| FR (1) | FR2761524B1 (ja) |
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- 1997-03-25 JP JP7167397A patent/JP3129226B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-23 US US09/045,796 patent/US6114694A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-24 KR KR1019980010093A patent/KR100293078B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1998-03-25 FR FR9803683A patent/FR2761524B1/fr not_active Expired - Fee Related
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| JP4608692B2 (ja) * | 2004-12-14 | 2011-01-12 | 独立行政法人物質・材料研究機構 | 大気中電子放出特性を有する電子放出素子とその製造方法、および、この素子を使用した電子放出方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3129226B2 (ja) | 2001-01-29 |
| US6114694A (en) | 2000-09-05 |
| FR2761524A1 (fr) | 1998-10-02 |
| FR2761524B1 (fr) | 2000-02-11 |
| KR19980080595A (ko) | 1998-11-25 |
| KR100293078B1 (ko) | 2001-07-12 |
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