JPH102794A - 光ディスクピックアップ用集積回路 - Google Patents
光ディスクピックアップ用集積回路Info
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- JPH102794A JPH102794A JP8152665A JP15266596A JPH102794A JP H102794 A JPH102794 A JP H102794A JP 8152665 A JP8152665 A JP 8152665A JP 15266596 A JP15266596 A JP 15266596A JP H102794 A JPH102794 A JP H102794A
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Abstract
速な信号処理が安定して行え、かつ、製造性に優れた光
ディスクピックアップ用集積回路を提供すること。 【解決手段】 受光量に応じた電流を出力する受光領域
21、22が複数設けられた受光手段と、第一基準電圧
を出力する第一基準電圧発生回路40と、受光手段の各
受光領域21に対応して複数設けられそれぞれの受光領
域から出力される電流を入力すると共に第一基準電圧を
入力して電流の電圧変換を行う差動増幅型の電流電圧変
換手段31、32と、この電流電圧変換手段31、32
と同一構造とされ無入力の状態にて第二基準電圧を出力
する第二基準電圧発生手段50とを同一チップ上に備え
て構成される。
Description
VDなどの光ディスクのピックアップ部に用いられる光
ディスクピックアップ用集積回路に関するものである。
の光ディスクに記録された情報の読み取りは、レーザビ
ームをスポット状にして光ディスクへ照射しそのレーザ
ビームの反射光を検出することによりに行われている。
その読み取り装置は、たとえば、レーザビームを射出す
る半導体レーザ、そのレーザビームをスポットとして光
ディスク上へ結像するレンズ系、その光ディスクで反射
するスポット光を検出する検出部により構成される。そ
して、スポット光の検出手段としては、フォトダイオー
ドなどの受光素子が用いられ、受光により受光素子から
出力される信号に基づいて、記録情報が検出される共
に、レーザビームの照射位置やフォーカス状態について
の検出(トラッキングエラー検出、フォーカシング検
出)が行われている。
しては、特開平6−139609号公報に記載された半
導体集積回路が知られている。この半導体集積回路は、
この公報の図1に示されるように、受光素子である光セ
ンサ(1A〜1F)と、それらの光センサから出力され
る電流を電圧変換する電流/電圧変換回路(2A〜2
F)と、電流/電圧変換回路から出力される信号に基づ
いてトラッキング誤差を検知するためのトラッキング誤
差演算回路(6)と、電流/電圧変換回路から出力され
る信号に基づいてフォーカシング誤差を検知するための
フォーカシング誤差演算回路(7)を備えて構成されて
いる。この半導体集積回路によれば、光ディスクで反射
するスポット光が光センサへ入射され、その受光に応じ
て光センサから電流が出力される。その電流を入力して
電流/電圧変換回路から信号が出力されて、トラッキン
グ誤差演算回路またはフォーカシング誤差演算回路へ入
力される。そして、トラッキング誤差演算回路およびフ
ォーカシング誤差演算回路にて信号処理され、それらの
出力信号から光ディスクへのレーザビーム照射状態が検
出できる。
録密度が高まるにつれて、光ディスクの回転速度の高速
化が図られ、ピックアップ部(光検出部)において扱う
記録信号の周波数帯域も数十MHzとなっており、信号
処理の高速化を実現するための技術開発が切望されてい
る。しかしながら、従来の光ディスクピックアップ部に
おける信号処理技術にあっては、安定した信号処理が行
えず、また、短い周期で反射してくるスポット光の入射
に対して対応することができないという問題点がある。
て、光センサの出力を受ける電流/電圧変換回路(2A
〜2F)の具体的構造等については詳述されていない
が、図8に示すように外部から与えられる基準電圧(V
ref)を基準として信号増幅を行うフィードバック型オ
ペアンプ増幅回路を用いるのが一般的である。このよう
な増幅回路により、基準電圧に対して精度良く信号を増
幅して出力するには、オペアンプの同相入力電圧除去比
(CMRR)が大きく、オペアンプの電源電圧変動除去
比(PSRR)が大きいことが必要条件となる。これら
の条件を増幅回路が満たすためには、オペアンプの差動
−シングル変換ゲインが大きいことが要求され、一般的
には図9に示すようなオペアンプの内部の差動段の負荷
としてカレントミラーのような能動負荷を用いている。
ところが、差動段の増幅素子として周波数特性の優れた
NPNトランジスタを用いた場合、能動負荷として周波
数応答性に劣るラテラルPNPトランジスタ(横型のP
NPトランジスタ)が用いられるために、差動段におけ
る周波数特性の上限には限界がある。即ち、ラテラルP
NPトランジスタは素子面積に対して扱えるコレクタ電
流値が小さいので、NPNトランジスタの差動段を高速
動作させるためにコレクタ電流を大きく設定すると、能
動負荷であるラテラルPNPトランジスタが大型となり
接合容量が大きくなって、結局高速化には限界があるの
である。
縦形PNPトランジスタを用いることが考えられるが、
ICの製造工程が複雑になりプロセスコストの大幅な増
加を招くこととなる。また、受光素子が同一チップ上に
形成される場合にその受光素子と縦形PNPトランジス
タの共存も難しい。そこで、更に差動段の負荷として抵
抗を用いて周波数特性を改善することが考えられるが、
その場合の差動−シングル変換能力が低く、同相入力電
圧除去比(CMRR)、電源電圧変動除去比(PSR
R)ともに満足できるものにはならず、基準電圧に対し
て大幅なオフセットの増加を招くおそれがある。その
際、仮に無入力時の出力を基準電圧に合せ込んだとして
も、電源電圧の変動や周囲温度の変動によりオフセット
電圧が変動してしまい、次段にて適正な信号処理が行え
ない。
決するためになされたものであって、光ディスクの記録
情報の読み取りにおいて高速な信号処理が安定して行
え、かつ、製造性に優れた光ディスクピックアップ用集
積回路を提供することを目的とする。
るために、本発明は、受光量に応じた電流を出力する受
光領域が複数設けられた受光手段と、第一基準電圧を出
力する第一基準電圧発生手段と、受光手段の各受光領域
に対応して複数設けられそれぞれの受光領域から出力さ
れる電流を入力すると共に第一基準電圧を入力して電流
の電圧変換を行う差動増幅型の電流電圧変換手段と、こ
の電流電圧変換手段と同一構造とされ無入力の状態にて
第二基準電圧を出力する第二基準電圧発生手段とを1チ
ップ上に備えていることを特徴とする。
ポットの検出を行う四分割されたメイン受光領域とこの
メイン受光領域の両側にそれぞれ配置されサイドスポッ
トの検出を行うサイド受光領域とより構成され、前述の
第二基準電圧発生手段が少なくともメイン受光領域の出
力電流を電圧変換する電流電圧変換手段と同一構造とさ
れていることを特徴とする。
から出力される信号を加算増幅させて信号処理する場
合、第二基準電圧発生手段から出力される第二基準電圧
を用いた差動増幅をすることにより、加算増幅における
直流成分の変動が防止される。このため、信号処理によ
り得られる信号が安定したものとなり、その信号の歪み
も抑制される。従って、適正な信号処理が可能となる。
段およびメイン受光領域の出力電流を電圧変換する電流
電圧変換手段がNPNトランジスタと抵抗のみからなる
エミッタ接地の差動段を有する差動アンプであることを
特徴とする。
略化された構造でありながら、短い周期で入射される受
光信号に対しても対応が可能となる。
に係る光ディスクピックアップ用集積回路の実施形態の
一例について説明する。尚、各図において同一要素には
同一符号を付して説明を省略する。
1の全体概要図である。図2は光ディスクピックアップ
用集積回路1における配置図である。図1において、集
積回路1は、光ディスクに記録された情報を読み取るた
めのピックアップ部に用いられ、光ディスクへ照射され
たレーザビームのスポット(メインスポット、サイドス
ポット)の反射光を受光して電気的信号に変換するワン
チップのICであって、受光手段であるメイン受光領域
21およびサイド受光領域22が設けられている。メイ
ン受光領域21は、光ディスクに照射されるメインスポ
ットの反射光を受光する領域であって、四分割した受光
素子21a〜21dにより構成されている。各受光素子
21a〜21dは、光を受けて電流信号に変換しその光
量に応じた信号を出力する素子であって、たとえば、フ
ォトダイオードやフォトトランジスタなどが用いられ
る。それぞれの受光素子21a〜21dから独立して信
号が出力されるようになっている。対角に位置する受光
素子21aと受光素子21bは電流電圧変換手段である
I−V変換回路31へ接続されており、また、対角に位
置する受光素子21cと受光素子21dは電流電圧変換
手段であるI−V変換回路32へ接続されている。
されるサイドスポットの反射光を受光する領域であっ
て、二つの受光素子22a、22bにより構成されてい
る。各受光素子22a、22bは、光を受けて電流信号
に変換しその光量に応じた信号を出力する素子であっ
て、たとえば、フォトダイオードやフォトトランジスタ
などが用いられる。各受光素子22a、22bからは独
立して信号が出力されるようになっている。また、受光
素子22aは電流電圧変換手段であるI−V変換回路3
3へ接続されており、受光素子22bは電流電圧変換手
段であるI−V変換回路34へ接続されている。
集積回路1のほぼ中央に設けられており、そのメイン受
光領域21の両側にサイド受光領域22の受光素子22
a、22bが配設されている。
一基準電圧発生手段である第一基準電圧発生回路40が
設けられている。第一基準電圧発生回路40は、所定電
圧の第一基準電圧を発生させる回路であって、たとえ
ば、バンドギャップ型定電圧発生回路等が用いられる。
21bから出力される電流を電圧信号に変換する回路で
あって、たとえば、オペアンプ増幅回路が用いられる。
このI−V変換回路31に用いられるオペアンプ31a
は、NPNトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接
地の差動段を有するものとされている。すなわち、図3
に示すように、オペアンプ31aの差動段には、二つの
NPNトランジスタQ1、Q2が対となって配置され、
それぞれのエミッタが接続されて差動トランジスタ対を
形成している。トランジスタQ1のベース側にはトラン
ジスタQ3のエミッタが接続されてエミッタホロワとさ
れており入力インピーダンスが高められている。一方、
トランジスタQ2のベース側にはトランジスタQ4がト
ランジスタQ3と同様に接続されている。トランジスタ
Q3のベースは反転側の入力端子31eに接続されてお
り、トランジスタQ4のベースは非反転側の入力端子3
1dに接続されている。そして、トランジスタQ1〜Q
4のコレクタは適宜抵抗などを介して電源ラインに接続
され、また、トランジスタQ1、Q2のエミッタは同一
の定電流回路31gに接続され、トランジスタQ3、Q
4のエミッタはそれぞれ定電流回路31bに接続されて
いる。
ランジスタQ5のベースが接続されている。トランジス
タQ5は、エミッタ接地のトランジスタQ4の出力のバ
ッファとして機能するものであり、出力インピーダンス
が小さくなるようにされている。このトランジスタQ5
のコレクタは電源ラインに接続され、そのエミッタは定
電流回路31cおよび出力端子31fに接続されてい
る。そして、オペアンプ31aの反転入力端子31eと
出力端子31fとの間には帰還抵抗Rfが接続され、非
反転入力端子31dには定電圧である第一基準電圧が入
力されている。このため、I−V変換回路31は、負帰
還増幅型の電流アンプとされ、非反転入力端子31e側
に入力される電流に比例した電圧が第一基準電圧を基準
として出力端子31fから出力されることとなる。
ンプ31aがNPNトランジスタと抵抗のみからなるエ
ミッタ接地の差動段を有するものとされることにより、
受光素子21a、21bからの電流出力が高周波なもの
(たとえば、高速でスイッチングするものなど)であっ
てもそれに追従して電流電圧変換が可能となる。また、
オペアンプ31aの差動段に用いられるトランジスタが
NPN型のみとされることにより、集積回路1の構造が
簡略化されるので集積回路1が低コストで製造可能とな
る。更に、オペアンプ31aの差動段に用いられるトラ
ンジスタがNPN型のみとされることにより、集積回路
1におけるI−V変換回路31の占有面積を小さくする
ことができるので集積回路1の小型化が図れる。
述したオペアンプ31aに限られるものではなく、NP
Nトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接地の差動
段を有するものであればその他の構造の増幅手段を用い
てもよい。
したI−V変換回路31と同様な回路構成となってお
り、I−V変換回路31と同様な電流電圧変換機能を有
している。すなわち、I−V変換回路32の反転入力端
子は受光素子21c、21dの電流出力が入力され、そ
の反転端子には第一基準電圧が入力されると共に、非反
転入力端子と出力端子の間には帰還抵抗Rfが配設され
ている。I−V変換回路33、34についても同様であ
る。また、図2に示すように、I−V変換回路31〜3
4は、たとえば、メイン受光領域21およびサイド受光
領域22の周囲に配置される。
V変換回路31と同様にメインスポットの検出の信号処
理を行うものであるのでI−V変換回路31と同一構造
とする必須があるが、I−V変換回路33、34につい
てはサイドスポットの検出の信号処理を行うものである
ので必ずしもI−V変換回路31と同一構造のものとす
る必要はなく所定の電流電圧変換機能を有するものであ
ればその他の構造のものであってもよい。
圧発生手段である第二電圧発生回路50が設けられてい
る。第二基準電圧発生手段50は、メインスポットの検
出を行うI−V変換回路31、32から出力される信号
の処理を行うときに基準となる電圧、即ち第二基準電圧
を供給するものである。この第二基準電圧発生回路50
としては、少なくともI−V変換回路31、32と同様
な回路構成のものが用いられる。そして、第二基準電圧
発生回路50の非反転入力端子には、I−V変換回路3
1、32の非反転端子と同様に第一基準電圧が入力され
ている。また、第二基準電圧発生回路50の反転入力端
子と出力端子の間には帰還抵抗Rfが配設されている。
そして、反転入力端子は無入力の状態とされている。こ
のように第二基準電圧発生回路50がI−V変換回路3
1、32と同一の集積回路1内に配設され、I−V変換
回路31、32と同一の構造とされることにより、I−
V変換回路31、32から出力される信号と同一の直流
成分を有する第二基準電圧の供給が可能となる。すなわ
ち、第二基準電圧発生回路50により、電源電圧の変
動、基準電圧の変動、周囲温度の変動などにより、I−
V変換回路31、32から出力される信号と共に直流成
分が変動する第二基準電圧が供給されることとなる。
について説明する。
アップ部6に配置して使用される。ピックアップ部6は
公知の光学系からなるものであって、たとえば、記録情
報を読み取るべき光ディスク61から記録面側へ離間し
てレーザ62が設けられている。このレーザ62からは
光ディスク61へ向けてレーザビーム62aが射出され
るようになっており、そのレーザビーム62aはレーザ
62と光ディスク61の間に配設される回折格子63、
偏光プリズム64、コリメーションレンズ65、1/4
波長板66、二軸デバイス67を通じて光ディスク61
の記録面に照射される。回折格子63はレーザビーム6
2aをメインスポット光62bとサイドスポット光62
c、62cに振り分けるためのものであり、コリメート
レンズ65はレーザビーム62aを平行光線とするため
のものである。また、1/4波長板66はレーザビーム
62aの偏波面を回転させるためのものであり、二軸デ
バイス67は内蔵されている対物レンズ67aをサーボ
機構により移動させることでメインスポット光62bの
フォーカシングおよびトラッキングを行うものである。
一方、偏光プリズム64の側方にはシリンドリカルレン
ズ68、集積回路1が配置されている。シリンドリカル
レンズ68は離間距離に応じてメインスポット光62b
の光束断面を長円状に変化させるためのものであり、た
とえば、二軸デバイス67の対物レンズ67aが光ディ
スク61に近付くとメインスポット光62bの断面が縦
長状となり、遠ざかると横長状となる。
およびサイド受光領域22が設けられた面をシリンドリ
カルレンズ68側へ向けて配置され、図5に示すよう
に、信号処理回路7とフレキシブル配線材71などによ
り接続される。信号処理回路7は、記録信号処理回路7
2、フォーカスエラー検出回路73、トラッキングエラ
ー検出回路74を備えた構造とされ、記録信号処理回路
72、フォーカスエラー検出回路73、トラッキングエ
ラー検出回路74にはそれぞれ負帰還型の差動増幅器が
用いられている。記録信号処理回路72の反転入力端子
には集積回路1のI−V変換回路31、32からの出力
信号が加算されて入力され、その非反転端子には第二基
準電圧発生回路50から出力される第二基準電圧が入力
されており、メイン受光領域21の受光量に応じた信号
が記録信号処理回路72から出力される。また、フォー
カスエラー検出回路73の反転入力端子にはI−V変換
回路31からの出力信号が入力され、非反転入力端子に
はI−V変換回路32からの出力信号が入力されてお
り、メイン受光領域21に入射するメインスポット光の
フォーカスの状態に応じた信号がフォーカスエラー検出
回路73から出力される。更に、トラッキングエラー検
出回路74の反転入力端子にはI−V変換回路34から
の出力信号が入力され、その非反転入力端子にはI−V
変換回路33からの出力信号が入力されており、各サイ
ド受光領域22の受光量に応じた信号がトラッキングエ
ラー検出回路74から出力される。
ーザ62からレーザビーム62aが射出されると、レー
ザビーム62aが回折格子63でメインスポット光62
bとサイドスポット光62cに振り分けられ、偏光プリ
ズム64を透過してコリメートレンズ65へ入射され
る。メインスポット光62bとサイドスポット光62c
はコリメートレンズ65により平行光線とされ、1/4
波長板66により偏波面が回転させられ、二軸デバイス
67によりフォーカス調整およびトラッキング調整され
ながら、光ディスク61へ照射される。すなわち、光デ
ィスク61上では、図6に示すように、トラック61a
に沿って形成されるピット61b上にメインスポット光
62bが照射され、トラック61aを挟んでその中心か
らズレた位置にそれぞれサイドスポット光62c、62
cが照射される。そして、これらのメインスポット光6
2b、サイドスポット光62cは、ピット61bの形成
されていな領域に照射された部分のみが反射して、対物
レンズ67a、1/4波長板66、コリメートレンズ6
5を透過し、偏光プリズム64によりシリンドリカルレ
ンズ68側へ反射される。そして、メインスポット光6
2b、サイドスポット光62cは、コリメートレンズ6
5で光束断面を変形されながら、集積回路1へ照射され
ることとなる。すなわち、図7に示すように、メインス
ポット光62bがメイン受光領域21へ照射され、サイ
ドスポット光62cがサイド受光領域22へ照射され
る。
21a〜21dではメインスポット光62bの受光量に
応じて電流が出力され、また、サイド受光領域22の各
受光素子22a、22bではサイドスポット光62cの
受光量に応じて電流が出力される。そして、受光素子2
1a、21bから出力される電流はI−V変換回路31
へ入力されその電流に比例した電圧信号に変換され、受
光素子21c、21dから出力される電流はI−V変換
回路32へ入力されその電流に比例した電圧信号に変換
される。また、受光素子22aから出力される電流はI
−V変換回路33へ入力されその電流に比例した電圧信
号に変換され、受光素子22bから出力される電流はI
−V変換回路34へ入力されその電流に比例した電圧信
号に変換される。
圧発生回路50には何等電流が入力されない状態とさ
れ、その第二基準電圧発生回路50からはほぼ一定電圧
の第二基準電圧が出力される。ここで、I−V変換回路
31〜34および第二基準電圧発生回路50の非反転入
力端子には、第一基準電圧発生回路40から出力される
第一基準電圧がそれぞれ入力されているので、I−V変
換回路31〜34および第二基準電圧発生回路50の出
力信号における直流成分は同一なものとなり、たとえ
ば、第一基準電圧に変動があったとしてもI−V変換回
路31〜34、第二基準電圧発生回路50間の相対的な
電圧レベルが変動することはない。
圧変換において、各スポット光62b、62cが高速で
スイッチングしながら各受光素子21、22へ照射され
る場合、それらの受光素子21、22から高周波の電流
(高速でスイッチングされる電流信号)が出力されるこ
ととなるが、前述したように受光素子各I−V変換回路
31〜34が周波数特性に優れた構造(I−V変換回路
31〜34のオペアンプがNPNトランジスタと抵抗の
みからなるエミッタ接地の差動段を有している構造)と
されているので、そのような電流に対しても適正な電流
電圧変換が行える。
のような構造とすることにより、それらのオペアンプに
おける同相入力電圧除去比(CMRR)、電源電圧変動
除去比(PSRR)が小さいものとなる。このため、I
−V変換回路31〜34は、電源電圧変動、周囲温度変
動、基準電圧変動などにより出力が変動しやすいものと
なって、微弱な信号を正確に出力することが非常に困難
となる。そこで、それらのI−V変換回路31〜34と
同一の内部構造を有し、かつ、それらのI−V変換回路
31〜34と同一の基準電圧(第一基準電圧)を入力し
ている第二基準電圧発生回路50が同一のチップ、即ち
集積回路1内に設けられている。
は記録信号処理回路72の反転入力端子およびフォーカ
スエラー検出回路73の反転入力端子へ入力され、ま
た、I−V変換回路32の出力信号は記録信号処理回路
72の反転入力端子およびフォーカスエラー検出回路7
3の非反転入力端子へ入力され、また、I−V変換回路
33の出力信号はトラッキングエラー検出回路74の非
反転入力端子へ入力され、更に、I−V変換回路34の
出力信号はトラッキングエラー検出回路74の非反転入
力端子へ入力されている。そして、記録信号処理回路7
2、フォーカスエラー検出回路73およびトラッキング
エラー検出回路74の非反転入力端子入力における基準
電圧として信号処理回路7内で発生した第三基準電圧V
refが用いられている。さらに、第二基準電圧発生回路
50により出力される第二基準電圧が記録信号処理回路
72の非反転入力端子に入力されている。このため、電
源電圧変動、周囲温度変動によりI−V変換回路31〜
34の出力信号に変動を生じるときには、第二基準電圧
発生回路50が出力する第二基準電圧も同様に変動する
こととなる。そして、記録信号処理回路72の反転入力
端子に入力される信号と非反転入力端子に入力される信
号との直流成分は同様に変動するため、結局、それらの
変動は相殺されて記録信号処理回路72の出力には影響
が及ばない。従って、記録信号処理回路72において、
適正な信号を出力することが可能となる。
圧(第一基準電圧)に変動を生ずるときには、それらの
基準電圧は第二基準電圧発生回路40の基準電圧ともな
っているので、そのようなときでも、前述の電源電圧変
動などと同様に記録信号処理回路72において適正な信
号を出力できることとなる。
1、32の出力信号が加算されて記録信号処理回路72
に入力され、記録信号処理回路72からメイン受光領域
21の受光量に応じた信号が安定した状態で適正に出力
される。また、I−V変換回路31、32の出力信号が
減算されてフォーカスエラー検出回路73に入力され、
フォーカスエラー検出回路73からメインスポット光6
2bのフォーカスの状態に応じた信号が安定した状態で
適正に出力される。更に、I−V変換回路33、34の
出力信号が減算されてトラッキングエラー検出回路74
に入力され、トラッキングエラー検出回路74からメイ
ンスポット光62bの照射位置に応じた信号が安定した
状態で適正に出力されることとなる。
される第二基準電圧に含まれるノイズによる記録信号処
理回路72の出力のS/N低下を低減するために、第二
基準電圧発生回路50の帰還抵抗Rfと並列に容量の大
きいコンデンサCfを接続して第二基準電圧の周波数特
性に制限を加えてもよい。また、メイン受光領域21の
受光素子21a〜21dに対してそれぞれI−V変換回
路が設けられ信号処理が行われるものであってもよい。
更に、メイン受光領域21の受光素子の数は4つのもの
に限られるものではなく、それ以下又はそれ以上に設け
られたものであってもよい。
のような効果を得ることができる。
圧変換手段から出力信号を加算増幅させて信号処理する
ときに、電流電圧変換手段と同一構造とされ、かつ、同
一の第一基準電圧を入力している第二基準電圧発生手段
から第二基準電圧を出力させ、その第二基準電圧を用い
て差動増幅させることにより、加算増幅された出力信号
における直流成分の変動が防止される。このため、信号
処理により得られる信号の出力状態が安定し、その信号
の歪みなどを抑制できる。従って、適正な信号処理が可
能となる。
換する電流電圧変換手段および第二基準電圧発生手段が
NPNトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接地の
差動段を有する差動アンプとされることにより、受光手
段から高周波で出力される電流に対しても十分対応して
電流電圧変換が可能となる。このため、光ディスクの記
録情報を高速処理することができる。
圧発生手段がNPNトランジスタと抵抗のみからなるエ
ミッタ接地の差動段を有する差動アンプとされることに
より、半導体チップにおけるそれらの占有面積を小さい
ものとすることができ、集積回路全体の小型化が図れ
る。また、簡略化した構造となるから、製造プロセスを
複雑にすることなく高速処理が可能なものとすることが
できる。
図である。
ある。
の説明図である。
の説明図である。
光領域、31〜34…I−V変換回路、40…第一基準
電圧発生回路、50…第二基準電圧発生回路
Claims (3)
- 【請求項1】 受光量に応じた電流を出力する受光領域
が複数設けられた受光手段と、 第一基準電圧を出力する第一基準電圧発生手段と、 前記受光手段の各受光領域に対応して複数設けられ、そ
れぞれの受光領域から出力される前記電流を入力すると
共に前記第一基準電圧を入力して前記電流の電圧変換を
行う差動増幅型の電流電圧変換手段と、 この電流電圧変換手段と同一構造とされ、無入力の状態
にて第二基準電圧を出力する第二基準電圧発生手段と、
を同一チップ上に備えた光ディスクピックアップ用集積
回路。 - 【請求項2】 前記受光手段がメインスポットの検出を
行う四分割されたメイン受光領域とこのメイン受光領域
の両側にそれぞれ配置されサイドスポットの検出を行う
サイド受光領域とより構成され、 前記第二基準電圧発生手段が少なくとも前記メイン受光
領域の出力電流を電圧変換する電流電圧変換手段と同一
構造とされていることを特徴とする請求項1に記載の光
ディスクピックアップ用集積回路。 - 【請求項3】 前記第二基準電圧発生手段および前記メ
イン受光領域の出力電流を電圧変換する電流電圧変換手
段がNPNトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接
地の差動段を有する差動アンプであることを特徴とする
請求項2に記載の光ディスクピックアップ用集積回路。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15266596A JP3582932B2 (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 光ディスクピックアップ用集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15266596A JP3582932B2 (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 光ディスクピックアップ用集積回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH102794A true JPH102794A (ja) | 1998-01-06 |
JP3582932B2 JP3582932B2 (ja) | 2004-10-27 |
Family
ID=15545421
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15266596A Expired - Fee Related JP3582932B2 (ja) | 1996-06-13 | 1996-06-13 | 光ディスクピックアップ用集積回路 |
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Country | Link |
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JP (1) | JP3582932B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108415130A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-08-17 | 四川新易盛通信技术有限公司 | 一种八通道高速率光接收器件 |
-
1996
- 1996-06-13 JP JP15266596A patent/JP3582932B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108415130A (zh) * | 2017-08-24 | 2018-08-17 | 四川新易盛通信技术有限公司 | 一种八通道高速率光接收器件 |
CN108415130B (zh) * | 2017-08-24 | 2024-06-04 | 四川新易盛通信技术有限公司 | 一种八通道高速率光接收器件 |
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---|---|
JP3582932B2 (ja) | 2004-10-27 |
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