JPH102794A - 光ディスクピックアップ用集積回路 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光ディスクの記録情報の読み取りにおいて高
速な信号処理が安定して行え、かつ、製造性に優れた光
ディスクピックアップ用集積回路を提供すること。 【解決手段】 受光量に応じた電流を出力する受光領域
２１、２２が複数設けられた受光手段と、第一基準電圧
を出力する第一基準電圧発生回路４０と、受光手段の各
受光領域２１に対応して複数設けられそれぞれの受光領
域から出力される電流を入力すると共に第一基準電圧を
入力して電流の電圧変換を行う差動増幅型の電流電圧変
換手段３１、３２と、この電流電圧変換手段３１、３２
と同一構造とされ無入力の状態にて第二基準電圧を出力
する第二基準電圧発生手段５０とを同一チップ上に備え
て構成される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ−ＲＯＭやＤ
ＶＤなどの光ディスクのピックアップ部に用いられる光
ディスクピックアップ用集積回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般にＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ、ＣＤなど
の光ディスクに記録された情報の読み取りは、レーザビ
ームをスポット状にして光ディスクへ照射しそのレーザ
ビームの反射光を検出することによりに行われている。
その読み取り装置は、たとえば、レーザビームを射出す
る半導体レーザ、そのレーザビームをスポットとして光
ディスク上へ結像するレンズ系、その光ディスクで反射
するスポット光を検出する検出部により構成される。そ
して、スポット光の検出手段としては、フォトダイオー
ドなどの受光素子が用いられ、受光により受光素子から
出力される信号に基づいて、記録情報が検出される共
に、レーザビームの照射位置やフォーカス状態について
の検出（トラッキングエラー検出、フォーカシング検
出）が行われている。

【０００３】このようにスポット光の検出を行うものと
しては、特開平６−１３９６０９号公報に記載された半
導体集積回路が知られている。この半導体集積回路は、
この公報の図１に示されるように、受光素子である光セ
ンサ（１Ａ〜１Ｆ）と、それらの光センサから出力され
る電流を電圧変換する電流／電圧変換回路（２Ａ〜２
Ｆ）と、電流／電圧変換回路から出力される信号に基づ
いてトラッキング誤差を検知するためのトラッキング誤
差演算回路（６）と、電流／電圧変換回路から出力され
る信号に基づいてフォーカシング誤差を検知するための
フォーカシング誤差演算回路（７）を備えて構成されて
いる。この半導体集積回路によれば、光ディスクで反射
するスポット光が光センサへ入射され、その受光に応じ
て光センサから電流が出力される。その電流を入力して
電流／電圧変換回路から信号が出力されて、トラッキン
グ誤差演算回路またはフォーカシング誤差演算回路へ入
力される。そして、トラッキング誤差演算回路およびフ
ォーカシング誤差演算回路にて信号処理され、それらの
出力信号から光ディスクへのレーザビーム照射状態が検
出できる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、光ディスクの記
録密度が高まるにつれて、光ディスクの回転速度の高速
化が図られ、ピックアップ部（光検出部）において扱う
記録信号の周波数帯域も数十ＭＨｚとなっており、信号
処理の高速化を実現するための技術開発が切望されてい
る。しかしながら、従来の光ディスクピックアップ部に
おける信号処理技術にあっては、安定した信号処理が行
えず、また、短い周期で反射してくるスポット光の入射
に対して対応することができないという問題点がある。

【０００５】すなわち、前述した半導体集積回路におい
て、光センサの出力を受ける電流／電圧変換回路（２Ａ
〜２Ｆ）の具体的構造等については詳述されていない
が、図８に示すように外部から与えられる基準電圧（Ｖ
_ref）を基準として信号増幅を行うフィードバック型オ
ペアンプ増幅回路を用いるのが一般的である。このよう
な増幅回路により、基準電圧に対して精度良く信号を増
幅して出力するには、オペアンプの同相入力電圧除去比
（ＣＭＲＲ）が大きく、オペアンプの電源電圧変動除去
比（ＰＳＲＲ）が大きいことが必要条件となる。これら
の条件を増幅回路が満たすためには、オペアンプの差動
−シングル変換ゲインが大きいことが要求され、一般的
には図９に示すようなオペアンプの内部の差動段の負荷
としてカレントミラーのような能動負荷を用いている。
ところが、差動段の増幅素子として周波数特性の優れた
ＮＰＮトランジスタを用いた場合、能動負荷として周波
数応答性に劣るラテラルＰＮＰトランジスタ（横型のＰ
ＮＰトランジスタ）が用いられるために、差動段におけ
る周波数特性の上限には限界がある。即ち、ラテラルＰ
ＮＰトランジスタは素子面積に対して扱えるコレクタ電
流値が小さいので、ＮＰＮトランジスタの差動段を高速
動作させるためにコレクタ電流を大きく設定すると、能
動負荷であるラテラルＰＮＰトランジスタが大型となり
接合容量が大きくなって、結局高速化には限界があるの
である。

【０００６】この限界を打破するために高速で動作する
縦形ＰＮＰトランジスタを用いることが考えられるが、
ＩＣの製造工程が複雑になりプロセスコストの大幅な増
加を招くこととなる。また、受光素子が同一チップ上に
形成される場合にその受光素子と縦形ＰＮＰトランジス
タの共存も難しい。そこで、更に差動段の負荷として抵
抗を用いて周波数特性を改善することが考えられるが、
その場合の差動−シングル変換能力が低く、同相入力電
圧除去比（ＣＭＲＲ）、電源電圧変動除去比（ＰＳＲ
Ｒ）ともに満足できるものにはならず、基準電圧に対し
て大幅なオフセットの増加を招くおそれがある。その
際、仮に無入力時の出力を基準電圧に合せ込んだとして
も、電源電圧の変動や周囲温度の変動によりオフセット
電圧が変動してしまい、次段にて適正な信号処理が行え
ない。

【０００７】そこで本発明は、以上のような問題点を解
決するためになされたものであって、光ディスクの記録
情報の読み取りにおいて高速な信号処理が安定して行
え、かつ、製造性に優れた光ディスクピックアップ用集
積回路を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、受光量に応じた電流を出力する受
光領域が複数設けられた受光手段と、第一基準電圧を出
力する第一基準電圧発生手段と、受光手段の各受光領域
に対応して複数設けられそれぞれの受光領域から出力さ
れる電流を入力すると共に第一基準電圧を入力して電流
の電圧変換を行う差動増幅型の電流電圧変換手段と、こ
の電流電圧変換手段と同一構造とされ無入力の状態にて
第二基準電圧を出力する第二基準電圧発生手段とを１チ
ップ上に備えていることを特徴とする。

【０００９】また本発明は、前述の受光手段がメインス
ポットの検出を行う四分割されたメイン受光領域とこの
メイン受光領域の両側にそれぞれ配置されサイドスポッ
トの検出を行うサイド受光領域とより構成され、前述の
第二基準電圧発生手段が少なくともメイン受光領域の出
力電流を電圧変換する電流電圧変換手段と同一構造とさ
れていることを特徴とする。

【００１０】これらの発明によれば、電流電圧変換手段
から出力される信号を加算増幅させて信号処理する場
合、第二基準電圧発生手段から出力される第二基準電圧
を用いた差動増幅をすることにより、加算増幅における
直流成分の変動が防止される。このため、信号処理によ
り得られる信号が安定したものとなり、その信号の歪み
も抑制される。従って、適正な信号処理が可能となる。

【００１１】更に本発明は、前述の第二基準電圧発生手
段およびメイン受光領域の出力電流を電圧変換する電流
電圧変換手段がＮＰＮトランジスタと抵抗のみからなる
エミッタ接地の差動段を有する差動アンプであることを
特徴とする。

【００１２】このような発明によれば、小型であって簡
略化された構造でありながら、短い周期で入射される受
光信号に対しても対応が可能となる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づき、本発明
に係る光ディスクピックアップ用集積回路の実施形態の
一例について説明する。尚、各図において同一要素には
同一符号を付して説明を省略する。

【００１４】図１は光ディスクピックアップ用集積回路
１の全体概要図である。図２は光ディスクピックアップ
用集積回路１における配置図である。図１において、集
積回路１は、光ディスクに記録された情報を読み取るた
めのピックアップ部に用いられ、光ディスクへ照射され
たレーザビームのスポット（メインスポット、サイドス
ポット）の反射光を受光して電気的信号に変換するワン
チップのＩＣであって、受光手段であるメイン受光領域
２１およびサイド受光領域２２が設けられている。メイ
ン受光領域２１は、光ディスクに照射されるメインスポ
ットの反射光を受光する領域であって、四分割した受光
素子２１ａ〜２１ｄにより構成されている。各受光素子
２１ａ〜２１ｄは、光を受けて電流信号に変換しその光
量に応じた信号を出力する素子であって、たとえば、フ
ォトダイオードやフォトトランジスタなどが用いられ
る。それぞれの受光素子２１ａ〜２１ｄから独立して信
号が出力されるようになっている。対角に位置する受光
素子２１ａと受光素子２１ｂは電流電圧変換手段である
Ｉ−Ｖ変換回路３１へ接続されており、また、対角に位
置する受光素子２１ｃと受光素子２１ｄは電流電圧変換
手段であるＩ−Ｖ変換回路３２へ接続されている。

【００１５】サイド受光領域２２は、光ディスクに照射
されるサイドスポットの反射光を受光する領域であっ
て、二つの受光素子２２ａ、２２ｂにより構成されてい
る。各受光素子２２ａ、２２ｂは、光を受けて電流信号
に変換しその光量に応じた信号を出力する素子であっ
て、たとえば、フォトダイオードやフォトトランジスタ
などが用いられる。各受光素子２２ａ、２２ｂからは独
立して信号が出力されるようになっている。また、受光
素子２２ａは電流電圧変換手段であるＩ−Ｖ変換回路３
３へ接続されており、受光素子２２ｂは電流電圧変換手
段であるＩ−Ｖ変換回路３４へ接続されている。

【００１６】図２に示すように、メイン受光領域２１は
集積回路１のほぼ中央に設けられており、そのメイン受
光領域２１の両側にサイド受光領域２２の受光素子２２
ａ、２２ｂが配設されている。

【００１７】一方、図１において、集積回路１には、第
一基準電圧発生手段である第一基準電圧発生回路４０が
設けられている。第一基準電圧発生回路４０は、所定電
圧の第一基準電圧を発生させる回路であって、たとえ
ば、バンドギャップ型定電圧発生回路等が用いられる。

【００１８】Ｉ−Ｖ変換回路３１は、受光素子２１ａ、
２１ｂから出力される電流を電圧信号に変換する回路で
あって、たとえば、オペアンプ増幅回路が用いられる。
このＩ−Ｖ変換回路３１に用いられるオペアンプ３１ａ
は、ＮＰＮトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接
地の差動段を有するものとされている。すなわち、図３
に示すように、オペアンプ３１ａの差動段には、二つの
ＮＰＮトランジスタＱ１、Ｑ２が対となって配置され、
それぞれのエミッタが接続されて差動トランジスタ対を
形成している。トランジスタＱ１のベース側にはトラン
ジスタＱ３のエミッタが接続されてエミッタホロワとさ
れており入力インピーダンスが高められている。一方、
トランジスタＱ２のベース側にはトランジスタＱ４がト
ランジスタＱ３と同様に接続されている。トランジスタ
Ｑ３のベースは反転側の入力端子３１ｅに接続されてお
り、トランジスタＱ４のベースは非反転側の入力端子３
１ｄに接続されている。そして、トランジスタＱ１〜Ｑ
４のコレクタは適宜抵抗などを介して電源ラインに接続
され、また、トランジスタＱ１、Ｑ２のエミッタは同一
の定電流回路３１ｇに接続され、トランジスタＱ３、Ｑ
４のエミッタはそれぞれ定電流回路３１ｂに接続されて
いる。

【００１９】また、トランジスタＱ１のコレクタにはト
ランジスタＱ５のベースが接続されている。トランジス
タＱ５は、エミッタ接地のトランジスタＱ４の出力のバ
ッファとして機能するものであり、出力インピーダンス
が小さくなるようにされている。このトランジスタＱ５
のコレクタは電源ラインに接続され、そのエミッタは定
電流回路３１ｃおよび出力端子３１ｆに接続されてい
る。そして、オペアンプ３１ａの反転入力端子３１ｅと
出力端子３１ｆとの間には帰還抵抗Ｒｆが接続され、非
反転入力端子３１ｄには定電圧である第一基準電圧が入
力されている。このため、Ｉ−Ｖ変換回路３１は、負帰
還増幅型の電流アンプとされ、非反転入力端子３１ｅ側
に入力される電流に比例した電圧が第一基準電圧を基準
として出力端子３１ｆから出力されることとなる。

【００２０】このように、Ｉ−Ｖ変換回路３１のオペア
ンプ３１ａがＮＰＮトランジスタと抵抗のみからなるエ
ミッタ接地の差動段を有するものとされることにより、
受光素子２１ａ、２１ｂからの電流出力が高周波なもの
（たとえば、高速でスイッチングするものなど）であっ
てもそれに追従して電流電圧変換が可能となる。また、
オペアンプ３１ａの差動段に用いられるトランジスタが
ＮＰＮ型のみとされることにより、集積回路１の構造が
簡略化されるので集積回路１が低コストで製造可能とな
る。更に、オペアンプ３１ａの差動段に用いられるトラ
ンジスタがＮＰＮ型のみとされることにより、集積回路
１におけるＩ−Ｖ変換回路３１の占有面積を小さくする
ことができるので集積回路１の小型化が図れる。

【００２１】なお、Ｉ−Ｖ変換回路３１の増幅部は、前
述したオペアンプ３１ａに限られるものではなく、ＮＰ
Ｎトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接地の差動
段を有するものであればその他の構造の増幅手段を用い
てもよい。

【００２２】また、Ｉ−Ｖ変換回路３２〜３４は、前述
したＩ−Ｖ変換回路３１と同様な回路構成となってお
り、Ｉ−Ｖ変換回路３１と同様な電流電圧変換機能を有
している。すなわち、Ｉ−Ｖ変換回路３２の反転入力端
子は受光素子２１ｃ、２１ｄの電流出力が入力され、そ
の反転端子には第一基準電圧が入力されると共に、非反
転入力端子と出力端子の間には帰還抵抗Ｒｆが配設され
ている。Ｉ−Ｖ変換回路３３、３４についても同様であ
る。また、図２に示すように、Ｉ−Ｖ変換回路３１〜３
４は、たとえば、メイン受光領域２１およびサイド受光
領域２２の周囲に配置される。

【００２３】なお、Ｉ−Ｖ変換回路３２についてはＩ−
Ｖ変換回路３１と同様にメインスポットの検出の信号処
理を行うものであるのでＩ−Ｖ変換回路３１と同一構造
とする必須があるが、Ｉ−Ｖ変換回路３３、３４につい
てはサイドスポットの検出の信号処理を行うものである
ので必ずしもＩ−Ｖ変換回路３１と同一構造のものとす
る必要はなく所定の電流電圧変換機能を有するものであ
ればその他の構造のものであってもよい。

【００２４】図１において、集積回路１には第二基準電
圧発生手段である第二電圧発生回路５０が設けられてい
る。第二基準電圧発生手段５０は、メインスポットの検
出を行うＩ−Ｖ変換回路３１、３２から出力される信号
の処理を行うときに基準となる電圧、即ち第二基準電圧
を供給するものである。この第二基準電圧発生回路５０
としては、少なくともＩ−Ｖ変換回路３１、３２と同様
な回路構成のものが用いられる。そして、第二基準電圧
発生回路５０の非反転入力端子には、Ｉ−Ｖ変換回路３
１、３２の非反転端子と同様に第一基準電圧が入力され
ている。また、第二基準電圧発生回路５０の反転入力端
子と出力端子の間には帰還抵抗Ｒｆが配設されている。
そして、反転入力端子は無入力の状態とされている。こ
のように第二基準電圧発生回路５０がＩ−Ｖ変換回路３
１、３２と同一の集積回路１内に配設され、Ｉ−Ｖ変換
回路３１、３２と同一の構造とされることにより、Ｉ−
Ｖ変換回路３１、３２から出力される信号と同一の直流
成分を有する第二基準電圧の供給が可能となる。すなわ
ち、第二基準電圧発生回路５０により、電源電圧の変
動、基準電圧の変動、周囲温度の変動などにより、Ｉ−
Ｖ変換回路３１、３２から出力される信号と共に直流成
分が変動する第二基準電圧が供給されることとなる。

【００２５】次に集積回路１の使用方法およびその動作
について説明する。

【００２６】図４に示すように、集積回路１は、ピック
アップ部６に配置して使用される。ピックアップ部６は
公知の光学系からなるものであって、たとえば、記録情
報を読み取るべき光ディスク６１から記録面側へ離間し
てレーザ６２が設けられている。このレーザ６２からは
光ディスク６１へ向けてレーザビーム６２ａが射出され
るようになっており、そのレーザビーム６２ａはレーザ
６２と光ディスク６１の間に配設される回折格子６３、
偏光プリズム６４、コリメーションレンズ６５、１／４
波長板６６、二軸デバイス６７を通じて光ディスク６１
の記録面に照射される。回折格子６３はレーザビーム６
２ａをメインスポット光６２ｂとサイドスポット光６２
ｃ、６２ｃに振り分けるためのものであり、コリメート
レンズ６５はレーザビーム６２ａを平行光線とするため
のものである。また、１／４波長板６６はレーザビーム
６２ａの偏波面を回転させるためのものであり、二軸デ
バイス６７は内蔵されている対物レンズ６７ａをサーボ
機構により移動させることでメインスポット光６２ｂの
フォーカシングおよびトラッキングを行うものである。
一方、偏光プリズム６４の側方にはシリンドリカルレン
ズ６８、集積回路１が配置されている。シリンドリカル
レンズ６８は離間距離に応じてメインスポット光６２ｂ
の光束断面を長円状に変化させるためのものであり、た
とえば、二軸デバイス６７の対物レンズ６７ａが光ディ
スク６１に近付くとメインスポット光６２ｂの断面が縦
長状となり、遠ざかると横長状となる。

【００２７】一方、集積回路１は、メイン受光領域２１
およびサイド受光領域２２が設けられた面をシリンドリ
カルレンズ６８側へ向けて配置され、図５に示すよう
に、信号処理回路７とフレキシブル配線材７１などによ
り接続される。信号処理回路７は、記録信号処理回路７
２、フォーカスエラー検出回路７３、トラッキングエラ
ー検出回路７４を備えた構造とされ、記録信号処理回路
７２、フォーカスエラー検出回路７３、トラッキングエ
ラー検出回路７４にはそれぞれ負帰還型の差動増幅器が
用いられている。記録信号処理回路７２の反転入力端子
には集積回路１のＩ−Ｖ変換回路３１、３２からの出力
信号が加算されて入力され、その非反転端子には第二基
準電圧発生回路５０から出力される第二基準電圧が入力
されており、メイン受光領域２１の受光量に応じた信号
が記録信号処理回路７２から出力される。また、フォー
カスエラー検出回路７３の反転入力端子にはＩ−Ｖ変換
回路３１からの出力信号が入力され、非反転入力端子に
はＩ−Ｖ変換回路３２からの出力信号が入力されてお
り、メイン受光領域２１に入射するメインスポット光の
フォーカスの状態に応じた信号がフォーカスエラー検出
回路７３から出力される。更に、トラッキングエラー検
出回路７４の反転入力端子にはＩ−Ｖ変換回路３４から
の出力信号が入力され、その非反転入力端子にはＩ−Ｖ
変換回路３３からの出力信号が入力されており、各サイ
ド受光領域２２の受光量に応じた信号がトラッキングエ
ラー検出回路７４から出力される。

【００２８】このようなピックアップ部６において、レ
ーザ６２からレーザビーム６２ａが射出されると、レー
ザビーム６２ａが回折格子６３でメインスポット光６２
ｂとサイドスポット光６２ｃに振り分けられ、偏光プリ
ズム６４を透過してコリメートレンズ６５へ入射され
る。メインスポット光６２ｂとサイドスポット光６２ｃ
はコリメートレンズ６５により平行光線とされ、１／４
波長板６６により偏波面が回転させられ、二軸デバイス
６７によりフォーカス調整およびトラッキング調整され
ながら、光ディスク６１へ照射される。すなわち、光デ
ィスク６１上では、図６に示すように、トラック６１ａ
に沿って形成されるピット６１ｂ上にメインスポット光
６２ｂが照射され、トラック６１ａを挟んでその中心か
らズレた位置にそれぞれサイドスポット光６２ｃ、６２
ｃが照射される。そして、これらのメインスポット光６
２ｂ、サイドスポット光６２ｃは、ピット６１ｂの形成
されていな領域に照射された部分のみが反射して、対物
レンズ６７ａ、１／４波長板６６、コリメートレンズ６
５を透過し、偏光プリズム６４によりシリンドリカルレ
ンズ６８側へ反射される。そして、メインスポット光６
２ｂ、サイドスポット光６２ｃは、コリメートレンズ６
５で光束断面を変形されながら、集積回路１へ照射され
ることとなる。すなわち、図７に示すように、メインス
ポット光６２ｂがメイン受光領域２１へ照射され、サイ
ドスポット光６２ｃがサイド受光領域２２へ照射され
る。

【００２９】そして、メイン受光領域２１の各受光素子
２１ａ〜２１ｄではメインスポット光６２ｂの受光量に
応じて電流が出力され、また、サイド受光領域２２の各
受光素子２２ａ、２２ｂではサイドスポット光６２ｃの
受光量に応じて電流が出力される。そして、受光素子２
１ａ、２１ｂから出力される電流はＩ−Ｖ変換回路３１
へ入力されその電流に比例した電圧信号に変換され、受
光素子２１ｃ、２１ｄから出力される電流はＩ−Ｖ変換
回路３２へ入力されその電流に比例した電圧信号に変換
される。また、受光素子２２ａから出力される電流はＩ
−Ｖ変換回路３３へ入力されその電流に比例した電圧信
号に変換され、受光素子２２ｂから出力される電流はＩ
−Ｖ変換回路３４へ入力されその電流に比例した電圧信
号に変換される。

【００３０】一方、集積回路１に設けられた第二基準電
圧発生回路５０には何等電流が入力されない状態とさ
れ、その第二基準電圧発生回路５０からはほぼ一定電圧
の第二基準電圧が出力される。ここで、Ｉ−Ｖ変換回路
３１〜３４および第二基準電圧発生回路５０の非反転入
力端子には、第一基準電圧発生回路４０から出力される
第一基準電圧がそれぞれ入力されているので、Ｉ−Ｖ変
換回路３１〜３４および第二基準電圧発生回路５０の出
力信号における直流成分は同一なものとなり、たとえ
ば、第一基準電圧に変動があったとしてもＩ−Ｖ変換回
路３１〜３４、第二基準電圧発生回路５０間の相対的な
電圧レベルが変動することはない。

【００３１】また、Ｉ−Ｖ変換回路３１〜３４の電流電
圧変換において、各スポット光６２ｂ、６２ｃが高速で
スイッチングしながら各受光素子２１、２２へ照射され
る場合、それらの受光素子２１、２２から高周波の電流
（高速でスイッチングされる電流信号）が出力されるこ
ととなるが、前述したように受光素子各Ｉ−Ｖ変換回路
３１〜３４が周波数特性に優れた構造（Ｉ−Ｖ変換回路
３１〜３４のオペアンプがＮＰＮトランジスタと抵抗の
みからなるエミッタ接地の差動段を有している構造）と
されているので、そのような電流に対しても適正な電流
電圧変換が行える。

【００３２】ところが、Ｉ−Ｖ変換回路３１〜３４をそ
のような構造とすることにより、それらのオペアンプに
おける同相入力電圧除去比（ＣＭＲＲ）、電源電圧変動
除去比（ＰＳＲＲ）が小さいものとなる。このため、Ｉ
−Ｖ変換回路３１〜３４は、電源電圧変動、周囲温度変
動、基準電圧変動などにより出力が変動しやすいものと
なって、微弱な信号を正確に出力することが非常に困難
となる。そこで、それらのＩ−Ｖ変換回路３１〜３４と
同一の内部構造を有し、かつ、それらのＩ−Ｖ変換回路
３１〜３４と同一の基準電圧（第一基準電圧）を入力し
ている第二基準電圧発生回路５０が同一のチップ、即ち
集積回路１内に設けられている。

【００３３】すなわち、Ｉ−Ｖ変換回路３１の出力信号
は記録信号処理回路７２の反転入力端子およびフォーカ
スエラー検出回路７３の反転入力端子へ入力され、ま
た、Ｉ−Ｖ変換回路３２の出力信号は記録信号処理回路
７２の反転入力端子およびフォーカスエラー検出回路７
３の非反転入力端子へ入力され、また、Ｉ−Ｖ変換回路
３３の出力信号はトラッキングエラー検出回路７４の非
反転入力端子へ入力され、更に、Ｉ−Ｖ変換回路３４の
出力信号はトラッキングエラー検出回路７４の非反転入
力端子へ入力されている。そして、記録信号処理回路７
２、フォーカスエラー検出回路７３およびトラッキング
エラー検出回路７４の非反転入力端子入力における基準
電圧として信号処理回路７内で発生した第三基準電圧Ｖ
_refが用いられている。さらに、第二基準電圧発生回路
５０により出力される第二基準電圧が記録信号処理回路
７２の非反転入力端子に入力されている。このため、電
源電圧変動、周囲温度変動によりＩ−Ｖ変換回路３１〜
３４の出力信号に変動を生じるときには、第二基準電圧
発生回路５０が出力する第二基準電圧も同様に変動する
こととなる。そして、記録信号処理回路７２の反転入力
端子に入力される信号と非反転入力端子に入力される信
号との直流成分は同様に変動するため、結局、それらの
変動は相殺されて記録信号処理回路７２の出力には影響
が及ばない。従って、記録信号処理回路７２において、
適正な信号を出力することが可能となる。

【００３４】また、Ｉ−Ｖ変換回路３１〜３４の基準電
圧（第一基準電圧）に変動を生ずるときには、それらの
基準電圧は第二基準電圧発生回路４０の基準電圧ともな
っているので、そのようなときでも、前述の電源電圧変
動などと同様に記録信号処理回路７２において適正な信
号を出力できることとなる。

【００３５】そして、図５において、Ｉ−Ｖ変換回路３
１、３２の出力信号が加算されて記録信号処理回路７２
に入力され、記録信号処理回路７２からメイン受光領域
２１の受光量に応じた信号が安定した状態で適正に出力
される。また、Ｉ−Ｖ変換回路３１、３２の出力信号が
減算されてフォーカスエラー検出回路７３に入力され、
フォーカスエラー検出回路７３からメインスポット光６
２ｂのフォーカスの状態に応じた信号が安定した状態で
適正に出力される。更に、Ｉ−Ｖ変換回路３３、３４の
出力信号が減算されてトラッキングエラー検出回路７４
に入力され、トラッキングエラー検出回路７４からメイ
ンスポット光６２ｂの照射位置に応じた信号が安定した
状態で適正に出力されることとなる。

【００３６】なお、第二基準電圧発生回路５０から出力
される第二基準電圧に含まれるノイズによる記録信号処
理回路７２の出力のＳ／Ｎ低下を低減するために、第二
基準電圧発生回路５０の帰還抵抗Ｒｆと並列に容量の大
きいコンデンサＣｆを接続して第二基準電圧の周波数特
性に制限を加えてもよい。また、メイン受光領域２１の
受光素子２１ａ〜２１ｄに対してそれぞれＩ−Ｖ変換回
路が設けられ信号処理が行われるものであってもよい。
更に、メイン受光領域２１の受光素子の数は４つのもの
に限られるものではなく、それ以下又はそれ以上に設け
られたものであってもよい。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。

【００３８】受光手段の受光に応じて出力される電流電
圧変換手段から出力信号を加算増幅させて信号処理する
ときに、電流電圧変換手段と同一構造とされ、かつ、同
一の第一基準電圧を入力している第二基準電圧発生手段
から第二基準電圧を出力させ、その第二基準電圧を用い
て差動増幅させることにより、加算増幅された出力信号
における直流成分の変動が防止される。このため、信号
処理により得られる信号の出力状態が安定し、その信号
の歪みなどを抑制できる。従って、適正な信号処理が可
能となる。

【００３９】また、メイン受光領域の出力電流を電圧変
換する電流電圧変換手段および第二基準電圧発生手段が
ＮＰＮトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接地の
差動段を有する差動アンプとされることにより、受光手
段から高周波で出力される電流に対しても十分対応して
電流電圧変換が可能となる。このため、光ディスクの記
録情報を高速処理することができる。

【００４０】更に、電流電圧変換手段および第二基準電
圧発生手段がＮＰＮトランジスタと抵抗のみからなるエ
ミッタ接地の差動段を有する差動アンプとされることに
より、半導体チップにおけるそれらの占有面積を小さい
ものとすることができ、集積回路全体の小型化が図れ
る。また、簡略化した構造となるから、製造プロセスを
複雑にすることなく高速処理が可能なものとすることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】光ディスクピックアップ用集積回路の全体概要
図である。

【図２】光ディスクピックアップ用集積回路の配置図で
ある。

【図３】Ｉ−Ｖ変換回路の説明図である。

【図４】光ディスクピックアップ用集積回路の使用方法
の説明図である。

【図５】光ディスクピックアップ用集積回路の使用方法
の説明図である。

【図６】スポット光の照射状態の説明図である。

【図７】スポット光の受光状態の説明図である。

【図８】従来技術の説明図である。

【図９】従来技術の説明図である。

【符号の説明】

１…集積回路、２１…メイン受光領域、２２…サイド受
光領域、３１〜３４…Ｉ−Ｖ変換回路、４０…第一基準
電圧発生回路、５０…第二基準電圧発生回路

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 受光量に応じた電流を出力する受光領域
   が複数設けられた受光手段と、 第一基準電圧を出力する第一基準電圧発生手段と、 前記受光手段の各受光領域に対応して複数設けられ、そ
   れぞれの受光領域から出力される前記電流を入力すると
   共に前記第一基準電圧を入力して前記電流の電圧変換を
   行う差動増幅型の電流電圧変換手段と、 この電流電圧変換手段と同一構造とされ、無入力の状態
   にて第二基準電圧を出力する第二基準電圧発生手段と、
   を同一チップ上に備えた光ディスクピックアップ用集積
   回路。
2. 【請求項２】 前記受光手段がメインスポットの検出を
   行う四分割されたメイン受光領域とこのメイン受光領域
   の両側にそれぞれ配置されサイドスポットの検出を行う
   サイド受光領域とより構成され、 前記第二基準電圧発生手段が少なくとも前記メイン受光
   領域の出力電流を電圧変換する電流電圧変換手段と同一
   構造とされていることを特徴とする請求項１に記載の光
   ディスクピックアップ用集積回路。
3. 【請求項３】 前記第二基準電圧発生手段および前記メ
   イン受光領域の出力電流を電圧変換する電流電圧変換手
   段がＮＰＮトランジスタと抵抗のみからなるエミッタ接
   地の差動段を有する差動アンプであることを特徴とする
   請求項２に記載の光ディスクピックアップ用集積回路。