JP2004039128A - 光ピックアップおよび光ディスク駆動装置 - Google Patents

Abstract

【課題】光ディスクに対して信号の記録又は再生を行う場合の光ピックアップにおける光量検出時、光検出素子、分割光検出領域からの電流出力を個別に電圧変換することにより、光量検出出力の特性を改善する。
【解決手段】光源１１１から出射した光を光ディスク３１０に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップにおいて、光源１１１から出射された後の発散光の光路中に、複数の光検出素子または、複数の分割検出領域を有する光検出手段１００を配置した構成である。
【選択図】　　　　図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、光記録媒体に対して信号の記録や再生を行うための光ディスクドライブ等に設けられる光ピックアップおよび光ディスク駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
近年、光ディスクドライブ（光ディスク駆動装置）には、高密度化への要求と共に小型情報端末への搭載を前提とした小型化への要求が高まっており、その基幹デバイスである光ピックアップにおいても、小型化を追求した開発が活発に行なわれている。
図７は、光ピックアップに搭載されるレーザ光源と光検出素子等を搭載した光集積素子の構成例を示す断面図である。
図示のように、この光集積素子は、素子基板１０に、レーザダイオード（以下、ＬＤという）１１、ＦＡＰＣ用フォトディテクタ（以下、ＰＤという）１２、再生信号検出用ＰＤＩＣ１３、立ち上げミラー１４、λ／２板１５、グレーティング１６、ホログラム１７、リッド１８、積層プリズム１９、モールド複合素子２０等を搭載した構成となっている。
ここで、ＬＤ１１から出射されて立ち上げミラー１４を透過した一部の光は、リッド１８で反射した後、ＦＡＰＣ用ＰＤ１２に入射するようになっている。
この光集積素子では、集光レンズを用いずに、光量を検出するような光学系にすることにより、光路長を短くでき、光ピックアップをより小型化することが可能となっている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、このような光集積素子では、図８に示すように、ＬＤ１１から出射された光を集光せずにＰＤ１２上に効率良く入射させようとすると、大面積のＰＤを必要とするが、ＰＤ１２の面積が大きくなると端子間容量が増大し、ＰＤ１２の光検出出力の周波数特性が悪化するという問題があった。
また、光ピックアップを小型化すると、ＬＤとＰＤとの間の距離が短くなるため、一般にＬＤノイズを下げるためにＬＤに印加されている高周波の駆動電流がＰＤにも伝播し、正確な光量検出を妨げるという問題があった。
【０００４】
なお、後者のＬＤからのノイズの影響を受けるという問題に対しては、例えば特開平６−３７５５６号公報に開示されるように、アンプノイズの影響を下げるために考案されたＰＤ出力装置を適用することが可能である。つまり、このＰＤ出力装置のアノード側の出力とカソード側の出力は逆極性となるために、後段で差動増幅することにより、配線に漏れこむＬＤからの高周波ノイズは同相除去されることになる。
しかし、このようなノイズ除去方法を用いると、アノード側とカソード側のどちらか一方の出力がＰＤのかける逆バイアス電圧の影響で大きなＤＣオフセットを持つことになる。光ディスクの信号再生用ＰＤでは、出力のＡＣ成分のみを用いるため、このようなＤＣオフセットの影響を避けることができるが、例えば図７に示すＦＡＰＣ用途のＰＤの場合、その出力にこのような大きなＤＣオフセットを持ってしまうと、後段の高帯域アンプでその影響を排除することが難しくなってくる。
つまり、一般に高帯域オペアンプは、入出力電圧範囲が電源電圧に対して大幅に制限されるために、ＤＣオフセットをこの範囲に抑えようとすると、ＰＤにかける逆バイアス電圧が制限される、といったような問題が生じる。
【０００５】
そこで本発明の目的は、光検出出力の周波数特性が改善でき、ノイズ低減を図ることが可能な光ピックアップおよび光ディスク駆動装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記目的を達成するため、光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップおよび光ディスク駆動装置であって、前記光源から出射された後の発散光の光路中に、複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子を配置したことを特徴とする。
また本発明は、光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップおよび光ディスク駆動装置であって、前記光源から出射された後の光路中に配置された複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子と、前記光検出素子からの検出出力を用いて前記光源から出射した光の光量検出を行なう光量検出手段とを有し、前記光量検出手段は、一方の光検出素子または一方の分割検出領域からのアノードと、他方の光検出素子または他方の分割検出領域からのカソードとから互いに極性の異なった信号出力を得ることを特徴とする。
また本発明は、光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップおよび光ディスク駆動装置であって、前記光源から出射された後の光路中に光検出素子を配置し、前記光検出素子から互いに極性の異なった一対の光量検出信号を取り出し、前記一対の光量検出信号の少なくとも一方をゲイン調整する手段を設けたことを特徴とする。
【０００７】
本発明の光ピックアップおよび光ディスク駆動装置では、光源から出射された後の発散光の光路中に、複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子を配置したことにより、光検出素子における端子間容量を下げ、各光検出素子または各分割検出領域からの電流出力を個別に電圧変換することにより、光量検出出力の周波数特性を改善することが可能である。
また、本発明の光ピックアップおよび光ディスク駆動装置では、複数の光検出素子または複数の分割検出領域の一方のアノード側から信号出力を取り出すとともに、他方のカソード側から信号出力を取り出すことにより、光検出素子に入射する光量に比例した互いに逆極性の２つの信号を得ることができる。
このため、これらの２つの出力を後段の回路で差動増幅することにより、配線への高周波の飛び込みノイズなどの同相ノイズを除去することができる。
なお、この場合、アノード側の端子にはカソード側を正の電位に保つように逆バイアスをかけ、カソード側の端子にはアノード側を負の電位に保つように逆バイアスをかけるようにすることにより、２つの出力が共にグラウンド電位近傍の出力が得られるため、上述した出力のＤＣオフセットの問題も解決することができる。
さらに、互いに逆極性となる２つの出力の少なくともどちらか一方をゲイン調整できるようにすることにより、同相ノイズが最も小さくなるように微調整することが可能である。
【０００８】
【発明の実施の形態】
以下、本発明による光ピックアップおよび光ディスク駆動装置の実施の形態例について説明する。
本発明の実施の形態例による光ピックアップは、ＬＤの発散光の光路中に小面積のＰＤを複数配置する、または多分割ＰＤを配置することにより、個々のＰＤ素子の端子間容量を下げ、各々の素子の電流出力を個別に電圧変換することにより、光量検出出力の周波数特性を改善するものである。
また、複数のＰＤまたは多分割ＰＤの一方の素子のアノード側より信号出力を取り出し、他方の素子のカソード側より信号出力を取り出すことにより、ＰＤに入射する光量に比例した互いに逆極性の２つの信号を得ることができる。
【０００９】
そして、これらの２つの出力を後段の回路で差動増幅することにより、配線への高周波の飛び込みノイズなどの同相ノイズを除去することができる。また、この場合、アノードから出力を取り出す素子に対しては、カソード側を正の電位に保つように逆バイアスをかけ、カソードから出力を取り出す素子に対しては、アノード側を負の電位に保つように逆バイアスをかけるようにする。これにより、２つの出力は、共にグラウンド電位近傍の出力が得られるため、上述した出力のＤＣオフセットの問題も解決することができる。
さらに、互いに逆極性となる２つの出力の少なくともどちらか一方をゲイン調整できるようにすると、同相ノイズが最も小さくなるように微調整することが可能である。
【００１０】
図１は、本実施の形態例による光ピックアップを搭載した光ディスクドライブの構成を主な光路を中心にして示す説明図であり、図７に示したものと同様の光集積素子を含む構成例を示している。ただし、本実施の形態例では、光集積素子のＰＤ部分の構成及び後段回路の構成が異なっている。
まず、本例の光集積素子１００の構成は、基本的には図７に示すものと同様であり、素子基板１１０、ＬＤ１１１、ＦＡＰＣ用ＰＤ１１２、再生信号検出用ＰＤＩＣ１１３、立ち上げミラー１１４、λ／２板１１５、グレーティング１１６、ホログラム１１７、リッド１１８、積層プリズム１１９、モールド複合素子１２０等を有している。
また、光集積素子１００から出射された光の光路には、コリメータレンズ２１０、アナモプリズム２２０、エキスパンダ２３０、λ／４板２４０、２群対物レンズ２５０が配置され、スピンドル３００に支持された光ディスク３１０の信号記録面に導かれている。
【００１１】
以下、このような構成における光ピックアップの動作を説明する。
ＬＤを出射した発散光は、立ち上げミラー１１４でその大部分が９０度真上に反射された後、λ／２板１１５、モールド複合素子１２０上のグレーティング１１６及び積層プリズム１１９のＰＢＳ膜１１９Ａを透過し、コリメータレンズ２１０へと向かう。
コリメータレンズ２１０において平行光となった後、アナモプリズム２２０でビーム整形され、エキスパンダレンズ２３０へと向かう。
エキスパンダレンズ２３０は、２群レンズより成り、その２群間の距離を調整することにより、高ＮＡ対物レンズを用いた場合に顕著に現れる球面収差を補正する役割を果たす。
【００１２】
このエキスパンダ２３０を通過したビームは、λ／４板２４０、及び２群対物レンズ２５０を通ることにより、光ディスク３１０上の信号記録膜に集光される。そして、光ディスク３１０上の相変化膜の反射率変化により光強度変調されたビームは、同じ光路を通って積層プリズム１１９のＰＢＳ膜１１９Ａまで戻るが、ここでは９０度折り曲げられて、更に全反射９０度ミラー１１９Ｂを経て、ＰＤＩＣ１１３に入射する。
なお、ＰＤＩＣ１１３の手前のモールド複合素子１２０にはホログラム１１７が形成されており、ここでフォーカスサーボ用の２つのサイドスポットを形成している。
【００１３】
図２は、本例における光検出素子であるＦＡＰＣ用ＰＤ１１２の構成例を示す正面図である。
このＰＤ１１２は、本発明の各請求項の全てについて適用可能なものである。このＰＤ１１２は、横長楕円形状となるビームスポット４００を効率よく検出するために、横長の受光部１１２Ａを有し、この受光部１１２Ａを長手方向に２分割した構造となっている。
【００１４】
なお、本発明の請求項においては、「複数の光検出素子」および「複数の分割検出領域を有する光検出素子」という表現を用いているが、これらは１つの受光部を有する光検出素子を単位として考えるか、複数の受光部を有する光検出素子を単位として考えるかの差であり、両者は本質的には大きな差異を有するものではないものである。
したがって、図２に示す受光部１１２ＡのＰＤ１、ＰＤ２をそれぞれ独立した光検出素子とみなしてもよいし、１つの光検出素子の受光部１１２Ａを２つの分割検出領域ＰＤ１、ＰＤ２を有するものとみなしてもよい。
そこで以下の説明では、各ＰＤ１、ＰＤ２をそれぞれ独立した光検出素子として扱うものとする。
また、このような各ＰＤ１、ＰＤ２を作り込んだＰＤ基板１１２Ｂには、それぞれのＰＤ１、ＰＤ２から導かれたアノード端子１２１Ａ、１２２Ａ、カソード端子１２１Ｂ、１２２Ｂが設けられている。
【００１５】
次に、このような構造のＦＡＰＣ用ＰＤ１１２による検出信号を処理する信号処理回路の構成及び動作について説明する。
図３は、本実施の形態例における信号処理回路の第１の例を示すブロック図である。
この信号処理回路は、３つのオペアンプ５１０、５２０、５３０を有して構成される。
ＰＤ１は、アノード側から出力が取り出され、オペアンプ５１０の反転入力端子に入力されており、ＰＤ１のカソード側は抵抗（１ｋ）を介してＶｃｃ（＋５Ｖ）に接続され、また、キャパシタを介してＧＮＤに接続されている。
一方、ＰＤ２は、カソード側から出力が取り出され、オペアンプ５２０の反転入力端子に入力されており、ＰＤ２のアノード側は抵抗（１ｋ）を介してＶＥＥ（−５Ｖ）に接続され、また、キャパシタを介してＧＮＤに接続されている。
つまり、２つのＰＤ１、ＰＤ２は、共にカソード側の電位が高くなるように逆バイアス電圧が印加されているが、出力を取り出す側の電極の電位がグラウンド近傍になるように、出力を取り出さない側の電極に正負の電圧が印加されている。
【００１６】
また、オペアンプ５１０、５２０の非反転入力端子はそれぞれ接地され、それぞれ負帰還抵抗Ｒ１、Ｒ２が設けられている。そして、各オペアンプ５１０、５２０の出力信号はオペアンプ５３０の入力端子に出力され、このオペアンプ５３０において両者の差分信号が出力される。
また、各オペアンプ５１０、５２０の出力信号は、それぞれ抵抗を介してオペアンプ５３０の入力端子に接続されているが、一方のオペアンプ５１０の出力端の抵抗は可変抵抗ＶＲとなっている。
【００１７】
このような構成において、各ＰＤ１、ＰＤ２に光が入射すると、各ＰＤ１、ＰＤ２には電流ＩＰＤ１　、ＩＰＤ２　が流れる。それぞれの電流出力は、電流−電圧（ＩＶ）変換抵抗Ｒ１、Ｒ２によってそれぞれ電圧Ｖｐｄ１　、Ｖｐｄ２　に変換される。
この電圧Ｖｐｄ１　、Ｖｐｄ２　は、互いに逆極性の信号となるが、ＬＤなどからの漏れ込みノイズはＶｐｄ１　、Ｖｐｄ２　に対してほぼ等しく漏れ込んでくるため、光ピックアップから離れたところに配置された後段のアンプで電圧Ｖｐｄ１　、Ｖｐｄ２　を差動増幅することにより、漏れ込み成分のみが同相ノイズとしてキャンセルされる（すなわち、図中Ａに示す領域に漏れ込んだ同相ノイズを除去できる）。
一方の電圧Ｖｐｄ１　は、可変抵抗ＶＲによってゲイン調整が可能となっており、この調整により、Ｖｐｄ１　、Ｖｐｄ２　に入っているＬＤからの高周波の同相ノイズをより厳密に除去することができる。
【００１８】
図４は、本実施の形態例における信号処理回路の第２の例を示すブロック図である。なお、信号処理回路以外の図１及び図２に示す構成は本例においても共通であるものとする。
本例においては、ＰＤ１、ＰＤ２の出力を直接後段のオペアンプ５４０の非反転入力、及び反転入力に結合したものである。ＰＤ１は、アノード側から出力が取り出され、オペアンプ５４０の非反転入力端子に入力され、ＰＤ２は、カソード側から出力が取り出され、オペアンプ５４０の反転入力端子に入力されている。また、オペアンプ５４０の非反転入力端子はＩＶ変換抵抗Ｒ１を介して接地され、オペアンプ５４０の反転入力端子はＩＶ変換抵抗Ｒ２を介して出力端子に接続されている。
【００１９】
このような構成により、１つのオペアンプで差動出力が得られるという利点がある。ただし、一般に高帯域の電流出力はあまり配線長を長くできないため、ＰＤの近傍にアンプを配置しなければならず、アンプ通過後の信号にノイズが漏れ込んできた場合には同相除去することができない（すなわち、同相ノイズを除去できる領域が図中Ｂに示すように小さくなる）、というデメリットをも併せ持つ構成である。
また、本例の構成では、可変抵抗によるゲインの微調整をすることができないが、例えば（あまり好ましくはないが）Ｒ１またはＲ２を可変抵抗とすることで同様の機能を実現することは可能である。
なお、以上の図３および図４に示す例では、１つの光路内に２つのＰＤ１、ＰＤ２（多分割ＰＤの場合も同様）を配置しているが、光路を複数に分けて、複数の光路の光を複数のＰＤで光量検出するような構成としても良い。
【００２０】
図５は、本実施の形態例における信号処理回路の第３の例を示すブロック図である。
本例もＰＤの信号処理回路を示すものであるが、特にＰＤを１素子のみ用い、前述した特開平６−３７５５６号公報の回路構成に可変抵抗ＶＲによるゲイン調整機能を付加した内容となっている。従って、ＰＤ自体の構成については説明を省略する。
図５に示すように、この信号処理回路では、３つのオペアンプ６１０、６２０、６３０を有して構成され、１つのＰＤのカソード側にＩＶ変換抵抗Ｒ１を配置し、アノード側にＩＶ変換抵抗Ｒ２を配置している。ただし、この構成ではカソード側の出力に大きなＤＣオフセットが生じてしまうため、後段のオペアンプ６１０の反転入力側に正の電圧Ｖｃｃ（＋５Ｖ）を印可し、オフセットの発生をキャンセルしている。
【００２１】
なお、図５から分かるように、±５Ｖで駆動される高帯域のオペアンプでは、入出力電圧範囲が±２．５〜３Ｖ程度であるのが普通であるから、本例のようにＰＤに印可する逆バイアス電圧Ｖｃを＋２．５Ｖに制限せざるを得なくなっている。
また、本例においても、図３および図４に示す例と同様に、可変抵抗ＶＲを微調整することにより、同相ノイズをより厳密に除去することができる（すなわち、図中Ｃに示す領域に漏れ込んだ同相ノイズを除去できる）。
また、本例による信号処理回路の構成は、上述した図１に示す光ピックアップの光集積素子に適用することが可能であるが、特に光検出素子として１つのＰＤを用いた構成に適用できるものである。ただし、複数設けたＰＤの１つ、あるいは多分割ＰＤの１つの検出領域を用いるような構成に適用することも可能である。
【００２２】
図６は、本実施の形態例における信号処理回路の第４の例を示すブロック図である。
本例の信号処理回路は、３つのオペアンプ６４０、６５０、６６０を有して構成され、図５に示す構成と同様に、ＰＤを１つのみ用いている。
そして、ＰＤのアノード側からの出力を、後段の２つのアンプ６４０、６５０のうち、一方のアンプ６４０の反転入力と、他方のアンプ６５０の非反転入力に結合している。
したがって、２つのアンプ６４０、６５０からは、極性の異なる２つの出力Ｖ、−Ｖが得られるから、これらを光ピックアップから離れたところに配置したアンプ６６０で差動増幅すれば、その間の配線に漏れ込んでくる同相ノイズを上述した図３〜図５に示す例と同様にキャンセルできる（すなわち、図中Ｄに示す領域に漏れ込んだ同相ノイズを除去できる）。
また、本例においても、可変抵抗ＶＲを微調整することにより、同相ノイズをより厳密に除去することができる。
なお、本例による信号処理回路の構成は、上述した図１に示す光ピックアップの光集積素子に適用することが可能であるが、特に光検出素子として１つのＰＤを用いた構成に適用できるものである。ただし、複数設けたＰＤの１つ、あるいは多分割ＰＤの１つの検出領域を用いるような構成に適用することも可能である。
また、本例では、発散光中にＰＤを配置しているが、レンズ通過後に得られる収束光中にＰＤを配置しても、ピックアップの大きさが大きくなるものの、図３〜図６のＰＤ及び検出回路は、同様に出力の高帯域化、及び同相ノイズ除去の効果を持つものである。したがって、このような構成も本発明に含まれるものとする。
【００２３】
【発明の効果】
以上説明したように本発明の光ピックアップおよび光ディスク駆動装置によれば、光源から出射された後の発散光の光路中に、複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子を配置したことにより、光検出素子における端子間容量を下げ、各光検出素子または各分割検出領域からの電流出力を個別に電圧変換することにより、光量検出出力の周波数特性を改善することができる効果がある。
また、本発明の光ピックアップおよび光ディスク駆動装置によれば、複数の光検出素子または複数の分割検出領域の一方のアノード側から信号出力を取り出すとともに、他方のカソード側から信号出力を取り出すことにより、光検出素子に入射する光量に比例した互いに逆極性の２つの信号を得ることができ、例えばこれらの２つの出力を後段の回路で差動増幅することにより、配線への高周波の飛び込みノイズなどの同相ノイズを除去することができる効果がある。
さらに、本発明の光ピックアップおよび光ディスク駆動装置によれば、互いに逆極性となる２つの出力の少なくともどちらか一方をゲイン調整できるようにすることにより、同相ノイズが最も小さくなるように微調整することができる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施の形態例による光ピックアップを搭載した光ディスクドライブの構成を主な光路を中心にして示す説明図である。
【図２】図１に示す光ピックアップのＦＡＰＣ用ＰＤの構成例を示す正面図である。
【図３】図１に示す光ピックアップにおける信号処理回路の第１の例を示すブロック図である。
【図４】図１に示す光ピックアップにおける信号処理回路の第２の例を示すブロック図である。
【図５】図１に示す光ピックアップにおける信号処理回路の第３の例を示すブロック図である。
【図６】図１に示す光ピックアップにおける信号処理回路の第４の例を示すブロック図である。
【図７】光ピックアップに搭載されるレーザ光源と光検出素子等を搭載した光集積素子の構成例を示す断面図である。
【図８】図７に示す光集積素子の光検出部分を示す拡大断面図である。
【符号の説明】
１００……光集積素子、１１０……素子基板、１１１……ＬＤ、１１２……ＦＡＰＣ用ＰＤ、１１３……再生信号検出用ＰＤＩＣ、１１４……立ち上げミラー、１１５……λ／２板、１１６……グレーティング、１１７……ホログラム、１１８……リッド、１１９……積層プリズム、１２０……モールド複合素子、２１０……コリメータレンズ、２２０……アナモプリズム、２３０……エキスパンダ、２４０……λ／４板、２５０……２群対物レンズ、３００……スピンドル、３１０……光ディスク、４００……ビームスポット、５１０、５２０、５３０、５４０、６１０、６２０、６３０、６４０、６５０、６６０……オペアンプ。

Claims (18)

1. 光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップであって、
   前記光源から出射された後の発散光の光路中に、複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子を配置した、
   ことを特徴とする光ピックアップ。
2. 前記光源は半導体レーザであることを特徴とする請求項１記載の光ピックアップ。
3. 光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップであって、
   前記光源から出射された後の光路中に配置された複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子と、
   前記光検出素子からの検出出力を用いて前記光源から出射した光の光量検出を行なう光量検出手段とを有し、
   前記光量検出手段は、一方の光検出素子または一方の分割検出領域からのアノードと、他方の光検出素子または他方の分割検出領域からのカソードとから互いに極性の異なった信号出力を得る、
   ことを特徴とする光ピックアップ。
4. 前記光検出素子に逆バイアス電圧が印加されており、前記逆バイアス電圧は信号出力を得る側の端子がグラウンド電位近傍になるように印加されることを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ。
5. 前記光量検出手段は、互いに極性の異なった一対の信号出力を後段で差動増幅する手段を有することを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ。
6. 前記光量検出手段は、互いに極性の異なった信号出力の少なくとも一方の信号出力をゲイン調整する手段を有することを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ。
7. 前記光源は半導体レーザであることを特徴とする請求項３記載の光ピックアップ。
8. 光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップであって、
   前記光源から出射された後の光路中に光検出素子を配置し、
   前記光検出素子から互いに極性の異なった一対の光量検出信号を取り出し、前記一対の光量検出信号の少なくとも一方をゲイン調整する手段を設けた、
   ことを特徴とする光ピックアップ。
9. 前記光源は半導体レーザであることを特徴とする請求項８記載の光ピックアップ。
10. 光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップを具備した光ディスク駆動装置であって、
    前記光源から出射された後の発散光の光路中に、複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子を配置した、
    ことを特徴とする光ディスク駆動装置。
11. 前記光源は半導体レーザであることを特徴とする請求項１０記載の光ディスク駆動装置。
12. 光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップを具備した光ディスク駆動装置であって、
    前記光源から出射された後の光路中に配置された複数の光検出素子または複数の分割検出領域を有する光検出素子と、
    前記光検出素子からの検出出力を用いて前記光源から出射した光の光量検出を行なう光量検出手段とを有し、
    前記光量検出手段は、一方の光検出素子または一方の分割検出領域からのアノードと、他方の光検出素子または他方の分割検出領域からのカソードとから互いに極性の異なった信号出力を得る、
    ことを特徴とする光ディスク駆動装置。
13. 前記光検出素子に逆バイアス電圧が印加されており、前記逆バイアス電圧は信号出力を得る側の端子がグラウンド電位近傍になるように印加されることを特徴とする請求項１２記載の光ディスク駆動装置。
14. 前記光量検出手段は、互いに極性の異なった一対の信号出力を後段で差動増幅する手段を有することを特徴とする請求項１２記載の光ディスク駆動装置。
15. 前記光量検出手段は、互いに極性の異なった信号出力の少なくとも一方の信号出力をゲイン調整する手段を有することを特徴とする請求項１２記載の光ディスク駆動装置。
16. 前記光源は半導体レーザであることを特徴とする請求項１２記載の光ディスク駆動装置。
17. 光源から出射した光を光記録媒体に照射し、その戻り光を検出する光ピックアップを具備した光ディスク駆動装置であって、
    前記光源から出射された後の光路中に光検出素子を配置し、
    前記光検出素子から互いに極性の異なった一対の光量検出信号を取り出し、前記一対の光量検出信号の少なくとも一方をゲイン調整する手段を設けた、
    ことを特徴とする光ディスク駆動装置。
18. 前記光源は半導体レーザであることを特徴とする請求項１７記載の光ディスク駆動装置。

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