JPH09257571A - 光受信回路 - Google Patents

光受信回路

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JPH09257571A
JPH09257571A JP7035796A JP7035796A JPH09257571A JP H09257571 A JPH09257571 A JP H09257571A JP 7035796 A JP7035796 A JP 7035796A JP 7035796 A JP7035796 A JP 7035796A JP H09257571 A JPH09257571 A JP H09257571A
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voltage
current
amplifier
circuit
signal
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JP7035796A
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Hiroshi Takeuchi
洋 竹内
Hiroki Nagano
弘樹 永野
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NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 オフセット電圧を低く保ち、所望の出力電圧
を維持しつつ、高帯域な特性を持った光受信回路を提供
する。 【解決手段】 光信号を電気信号に変換するフォトダイ
オード15と、フォトダイオード15に生じる電気信号
である電流を電圧に変換する際に、必要とされる電流−
電圧変換効率の1/n倍の効率で電流−電圧変換する電
流−電圧変換増幅器17と、n倍に電圧増幅する電気増
幅器30とを有している。この構成によりフォトダイオ
ード15からの電流を電圧に変換するのに本来必要とさ
れる電流−電圧変換増幅器17の電流−電圧変換効率の
値を1/nとすることができるため、CR時定数を1/
nに低減して容易に回路の広帯域化を実現することがで
きる。しかも、次段でn倍の電圧増幅を行なうため、出
力電圧は、電流−電圧変換増幅器17の電流−電圧変換
効率を1/n倍にする前と同じ値に増幅させて得ること
ができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、入力される光信号
を電気信号に変換する光受信回路に関し、特に広い周波
数にわたって光信号を電気信号に変換し、かつDCオフ
セットレベル(光入力のない時の基準電源電圧と光受信
回路出力との差電圧)を低減する光受信回路に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、光ディスク装置等の光学式記録再
生装置の光信号ピックアップ部14は図8に示すよう
に、半導体レーザ1から出射された光がグレーティング
プレート2,ハーフプリズム3,コリメートレンズ4を
通って対物レンズ5により集光され記録媒体としてのデ
ィスク10に当たり、記録媒体10で反射された光が、
シリンドリカルレンズ7を通して光受信回路6に照射さ
れ、電気信号へ変換された後、制御回路12に接続され
ている。なお、8はフォーカスアクチュエータ、9はト
ラッキングアクチュエータ、11はスライドモータ、1
3はサーボコントロールである。また光受信回路6は前
記装置のフォーカス及びトラッキングサーボを制御する
必要があるため図9に示すように複数のフォトダイオー
ド15を備えた光受信素子Mを用いる。
【0003】初期の光受信回路6は図10に示すよう
に、フォトダイオード15のみを備えており、その電流
出力を長いケーブルを介して制御回路12と接続してい
た。制御回路12内に電流−電圧変換増幅器17を設
け、電圧出力に変換したのち、複数のフォトダイオード
AからFの変換出力を加減算し、フォーカスアクチュエ
ータ8やトラッキングアクュエータ9を制御するための
信号を出力したり、記録媒体10から読み出した情報を
出力していた。
【0004】しかし近年装置の小型化,記録媒体10の
高速回転化に伴い、微弱な電流出力では信号が制御回路
12に伝わる間のノイズの影響を避けるのが難しくな
り、図11に示すような電流−電圧変換増幅器17を光
受信回路6側に内蔵し、その電圧出力を長いケーブルを
介して制御回路12に接続する方式が主流となってい
る。 光受信回路6では、フォトダイオード15にて発
生した光電流により電流−電圧変換増幅器17の帰還抵
抗16から電流i1を引き込む。従って、前記増幅器1
7の出力V0には(R1×i1+Vc)の電圧が発生す
る。
【0005】図12に前記光受信素子の断面構造を示
す。1つのチップの中にフォトダイオード15と、フォ
トダイオード15からの信号を電圧信号に変換する回路
部とが搭載されている。
【0006】また、記録媒体10が高速回転・高密度化
されると、それに伴い光受信回路6に要求される周波数
帯域は高くなってきている。例えば、初期の光受信回路
の周波数帯域は1.5MHzでよかったが、正規の回転
数の8倍で読み込もうとすると、12MHz以上の帯域
が必要になる。
【0007】一方、サーボ制御は各光受信回路の差信号
で行っている(例えば図9において、A+C−B−D,
E−F)。従って、各受信回路の出力電圧V0において
オフセット電圧を持っていると、正常なサーボ制御が難
しくなる。通常、各受信回路のオフセット電圧は、±2
0mV以下に押さえる必要がある。
【0008】同様な光学装置は、たとえば特開平7−9
3771号に示されている。図11の回路のうち一つの
フォトダイオードに関する回路のみを抜き出した回路ブ
ロックを図13に示す。帰還抵抗16を流れる微弱な電
流i2による電圧降下のため、光入力がなくても電流−
電圧変換増幅器17の反転入力端子の電位が降下してし
まい、それを補正するため非反転端子と基準電源Vcの
間にオフセット電圧補正抵抗19を備えている。電流−
電圧変換増幅器17に流れ込む電流i2=i3であるた
め、オフセット電圧をゼロにするには抵抗値R1=R2
する必要がある。本構成の電流−電圧変換増幅器17の
周波数特性は、フォトダイオード15のジャンクション
容量18と増幅器の帰還抵抗16のCR時定数で主に律
束されている。
【0009】一般に遮断周波数fcは、1/(2・π・
1・R1)で与えられる。通常C1=0.3pF,R1
70kΩ程度であるため、fc=7.1MHz程度しか
得られなかった。また、オフセット電圧補正抵抗19は
一般に70KΩ程度と大きい値が必要であるため、電流
−電圧変換増幅器17の入力インピーダンスが大きくな
り、その周波数帯域を低下させている。
【0010】図14は特開平3−2322120号に記
載の光受信回路である。オフセット電圧補正抵抗19と
並列に容量20を挿入することにより、インピーダンス
を下げて周波数特性を向上させている。21は容量であ
る。たとえばC=10pFとし、f=10MHzとする
と、インピーダンスは1/(2・π・f・C)=1.6
KΩ程度まで低減する。
【0011】図15は特開平6−303048号に記載
の回路である。エミッタフォロア回路24に応答の速い
縦型PNPトランジスタを用いることで広い周波数帯域
を持った回路を実現させている。22は定電流回路,2
3は増幅回路,25は差動増幅回路である。
【0012】図16は特開平6−232647号に記載
の回路である。フォトダイオード15と増幅器27の間
をコイル26で接続することにより、フォトダイオード
15の容量分とコイル26の誘導分とにより所定の高い
周波数で共振させている。高い周波数成分を含む広い帯
域にわたって増幅器27でもって増幅された信号は補正
回路28により平坦化される。
【0013】図17は特開平7−7335号に記載の回
路である。逆相出力に対して正相出力を分圧し、容量を
介して入力端子に帰還をかけることにより、受光素子の
接合容量に流れる周波数劣化要因の電流を打ち消し、接
合容量による帯域制限を受けない回路を実現している。
【0014】
【発明が解決しようとする課題】図13の回路において
周波数帯域を向上させるには、ジャンクション容量18
の容量値C1,或いは帰還抵抗16の抵抗値R1を下げる
必要がある。容量値C1に関しては、前記光信号ピック
アップ部14の光学設計によりフォトダイオード15の
面積が決まってくるため、あまり下げることができな
い。従って抵抗値R1を下げることが必要となる。しか
し、抵抗値R1を下げただけでは、周波数帯域は向上し
ても増幅器17のゲインが低くなり、後段の制御回路1
2への信号電圧V0が所望の値より低くなってしまうと
いう欠点があった。
【0015】また図14の回路では容量20によりイン
ピーダンスは小さくできるが、現実的には10pF程度
以上に容量値をあげることは、チップ面積の関係から難
しくなる。従って前述のとおりインピーダンスは1.6
KΩ程度までしか低くならないし、通常CD−ROM装
置用の光受信回路はフォーカス信号用が4個,トラッキ
ング信号用が2個で計6個の回路が必要とするため、チ
ップ面積もかなり大きくなってしまうという欠点があっ
た。
【0016】図15の回路構成において、増幅回路23
では、電流源I150に比例した電流がI151として流れる
ので、V151の電位は V151=I151XR151=α・I151XR151 (αは比例定数である) となり、さらに回路24の出力V152は、トランジスタ
152のベース.エミッタ電位をVBEとすると、 V152=V151+VBE=α・I151XR151+VBE (1) となる。(1)式から、V152は、I151,R151,VBE
の関数であるため、プロセスバラツキの影響を受けやす
く、回路の出力VOUTを、ref電圧の調整によって基
準電圧に合わせようとしても、オフセット電圧をゼロに
することは、困難であった。また図15の回路構成では
周波数帯域は広くなっても、出力端子から入力端子への
帰還をかけていないので、オフセット電圧をゼロにする
ことはできず、実際光学式記録再生装置の回路構成とし
ては適さない回路となる。
【0017】一方、図16の回路構成の場合、広帯域化
にはよいが、コイル26を使用する必要があり、コイル
26をSiのチップの中に搭載することは難しい。ま
た、オフセット電圧に関しては、基準電圧と出力電圧を
比較する機能がないので、定義することができず、光学
式記録再生装置に適していない。
【0018】また図17の回路構成でも広帯域化にはよ
いが、オフセット電圧に関して図16の回路と同様に基
準電圧と出力電圧を比較する機能がないので、定義する
ことができず、光学式記録再生装置に適していない。
【0019】本発明の目的は、オフセット電圧・光出力
電圧を一定の範囲内に保ち、かつ周波数帯域を向上させ
る光受信回路を提供することにある。
【0020】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る光受信回路は、光電変換素子と、電流
−電圧変換増幅器と、電圧増幅器とを有する光受信回路
であって、光電変換素子は、光信号を電気信号に変換す
るものであり、電流−電圧変換増幅器は、前記光電変換
素子からの電気信号である電流を電圧に変換するもので
あって、その変換に必要とされる電流−電圧変換効率の
1/n倍の変換効率にて電流−電圧変換を行うものであ
り、電圧増幅器は、前記電流−電圧変換された出力をn
倍に増幅するものである。
【0021】また前記電流−電圧変換増幅器は、第1の
入力端子に入力される前記光電変換素子からの電気信号
と、第2の入力端子に入力される基準電圧との差に比例
した出力信号を変換後の電圧信号として出力する差動増
幅器で構成したものであり、前記電圧増幅器は、第1の
入力端子に入力される前記電圧信号と、第2の入力端子
に入力される基準電圧との差に比例しn倍に増幅して電
圧信号として出力する差動増幅器で構成したものであ
り、前記基準電圧回路は、前記電流−電圧変換増幅器及
び電圧増幅器の第2の入力端子に低インピーダンスで基
準電圧を供給するものである。
【0022】また前記nは、2から10の数値の範囲で
設定されるものである。
【0023】また本発明に係る光受信回路は、光電変換
素子と、電流−電圧変換増幅器と、基準電圧回路とを有
する光受信回路であって、光電変換素子は、光信号を電
気信号に変換するものであり、電流−電圧変換増幅器
は、前記光電変換素子からの電気信号である電流を電圧
に変換するものであって、第1の入力端子に入力される
前記光電変換素子からの電気信号と、第2の入力端子に
入力される基準電圧との差に比例した出力信号を変換後
の電圧信号として出力するものであり、基準電圧回路
は、前記電流−電圧変換増幅器の第2の入力端子に低イ
ンピーダンスで基準電圧を供給するものである。
【0024】また本発明に係る光受信回路は、複数の光
電変換素子と電流−電圧変換増幅器の組と、基準電圧回
路とを有する光受信回路であって、光電変換素子は、光
信号を電気信号に変換するものであり、電流−電圧変換
増幅器は、前記光電変換素子からの電気信号である電流
を電圧に変換するものであって、第1の入力端子に入力
される前記光電変換素子からの電気信号と、第2の入力
端子に入力される基準電圧との差に比例した出力信号を
変換後の電圧信号として出力するものであり、基準電圧
回路は、前記複数の電流−電圧変換増幅器の第2の入力
端子に共通に低インピーダンスで基準電圧を供給するも
のである。
【0025】
【作用】このように構成された本発明の光受信回路は、
光電変換素子(例えばフォトダイオード)と直接つなが
っている電流−電圧変換増幅器の帰還抵抗が本来必要と
される値の1/nとすることができるため、CR時定数
を1/nに低減することができ、容易に回路の広帯域化
を実現できる。
【0026】しかも、次段でn倍の電圧増幅を行なうた
め、出力電圧は前記電流−電圧変換増幅器の帰還抵抗を
1/n倍する前の値と同じになって出力される。
【0027】また、電流−電圧変換増幅器の入力のうち
基準電圧を与える端子と基準電源との間に低インピーダ
ンスで基準電圧を供給する基準電圧回路を挿入すること
により、基準電圧回路のインピーダンス変換効果を利用
することができ、実際は数十kΩの抵抗を設けているに
も拘らず、見かけ上のインピーダンスを100Ω程度に
低減させることができ、回路の広帯域化を実現できる。
【0028】また2段の増幅器の構成にすることによ
り、1段目の増幅器と2段目の増幅器の周波数特性を調
整して、周波数特性の平坦な帯域を拡張するることがで
きる。
【0029】
【発明の実施の形態】次に本発明を図面を参照して説明
する。
【0030】(実施形態1)図1は、本発明の実施形態
1に係る光受信回路6を示すブロック図である。図にお
いて、フォトダイオード(光電変換素子)15に電流−
電圧変換増幅器17が接続されており、電流−電圧変換
増幅器17の出力が電圧増幅器30に入力されるように
なっている。なお、光受信回路6は、6個のフォトダイ
オード15と、これらに接続された6個の電流−電圧変
換増幅器17および電圧増幅器30とで構成されている
が、以下の説明では、そのうちの1組について述べる。
電流−電圧変換増幅器17は、第1の入力端子に入力さ
れる光電変換素子15からの電気信号と帰還抵抗16に
より生じる電圧降下分を、第2の入力端子に入力される
基準電圧を基準として電圧信号を出力する差動増幅器で
構成されており、また電圧増幅器30は、第1の入力端
子に入力される電圧信号と、第2の入力端子に入力され
る基準電圧との差に比例しn倍に増幅して電圧信号とし
て出力する差動増幅器で構成されている。それぞれの増
幅器17,30の非反転端子(第2の入力端子)と基準
電源Vcの間には、基準電圧を各増幅器17,30の第
2の入力端子に印加するためのオフセット電圧補正抵抗
19,29が接続されている。
【0031】フォトダイオード15からの信号電流は電
流−電圧変換増幅器17で電圧に変換され、更にその出
力は電圧増幅器30で増幅される。電圧増幅器30は、
nR6/R5の倍率で電圧を増幅する。R5=R6とする
と、n倍の増幅器となる。またオフセット電流−電圧変
換増幅器17の抵抗値R7は、オフセット電圧を小さく
するため、R7=nR6//R5=nR5/(1+n)近傍
の値に設定し、増幅器30の非反転端子(第2の入力端
子)に接続されている。
【0032】本構成でのトータルの電流−電圧変換効率
は、V0=VC+I4×(R1/n)×n=VC+I4×R1
となる。したがって、フォトダイオード15から見たと
きの帰還抵抗16の抵抗値はR1/nに低減されるが、
出力電圧は電流I4をR1倍した大きな電圧を得ることが
できる。
【0033】本構成にしたときの効果を図面を用いて説
明する。図18に電圧増幅利得nに対する、オフセット
電圧の値を示す。ここで、光受信回路6全体のオフセッ
ト電圧をΔV0、電流−電圧変換増幅器17の出力オフ
セット電圧、すなわち、フォトダイオード15に光が入
らないときの基準電圧Vcと図2のA点との差電圧をΔ
1、電圧増幅器30の入力オフセット電圧、すなわ
ち、図2のトランジスタQ5のベース端子とトランジス
タQ6のベース端子の差電圧をΔV2、電圧増幅器30の
電圧増幅率をnとすると、ΔV0=n×(ΔV1+Δ
2)+ΔV2となる。ΔV1,ΔV2は、一般に増幅器の
入力トランジスタ差動対の不整合に依存し1mV程度で
ある。また光受信回路6の出力オフセット電圧ΔV0
大きいと、後段につながるフォーカスアクュエータやト
ラッキングアクュエータの制御精度が悪くなるため、Δ
0は20mV未満であることが要求されている。これ
らの値を前記関係式に代入すると、nは9.5未満とな
り、nは10以下にすることが必要とある。
【0034】また、図19に電圧増幅利得nに対する、
光受信回路の帯域の特性を示す。ここで光受信回路6の
遮断周波数をfC、従来の変換効率を有する電流−電圧
変換増幅器の遮断周波数をf1とすると、前述の関係よ
りfC=1/(2・π・C1・(R1/n))=n・f1
なる。従って、fCはnに比例して大きくなることが分
かる。例えば、f1が7.1MHzであれば、nを3と
すると、fCは21.3MHzとなり、正規の回転数の
8倍で読み込む場合に要求される帯域を十分満たすこと
できる。
【0035】図2は、図1に示す光受信回路を具体的に
構成した回路図である。図2において、電流−電圧変換
増幅器17は、npnトランジスタQ1,Q2,Q10,p
npトランジスタQ3,Q4,Q9,電流源I1,I2,
I3,抵抗R1/n,R7,容量C3,C4で構成されてい
る。
【0036】電圧増幅器30は、npnトランジスタQ
5,Q6,Q12,pnpトランジスタQ7,Q8,Q11,電
流源I4,I5,I6,抵抗nR6,R8,容量C5,C6
で構成されている。
【0037】本構成にした場合の周波数特性を図20に
示す。図2においてnpnトランジスタQ1のベースを
入力とし、npnトランジスタQ10のエミッタに設けた
A点を出力と考えた場合の電流−電圧変換増幅器17の
周波数特性は、容量C3,C4,抵抗R7,R1/nの値を
調整することにより、図20(a)に示すようにfP
+Δp(100kHzの利得を基準としたときの利得
差)のピーキングを持たせることができる。
【0038】またA点に接続するnpnトランジスタQ
5のベースを入力とし、npnトランジスタQ12のエミ
ッタに設けたB点を出力と考えた場合の周波数特性は、
容量C5,C6,抵抗R8,nR6の値を調整することによ
り、図20(b)に示すようにfPに−Δp(100k
Hzの利得を基準としたときの利得差)の利得低下分を
持たせることができる。
【0039】従って、図2の構成にすることにより、電
流−電圧変換増幅器17の1Δpと、電圧増幅器30の
−Δが打ち消しあって、図20(c)に示すような低減
からfpまで平坦な特性が得られる。
【0040】(実施形態2)図3は、本発明の実施形態
2に係る光受信回路を示す回路図である。図3におい
て、電流−電圧変換増幅器17の非反転端子(第2の入
力端子)には基準電圧回路31が接続されており、基準
電圧回路31と基準電源Vcとの間には、オフセット補
正抵抗19が接続されている。
【0041】電流−電圧変換増幅器17の非反転端子
は、図2のnpnトランジスタQ2のベースに相当する
ので、npnトランジスタQ2のベースに接続される基
準電圧回路31により低インピーダンス化されることと
なり、周波数特性は向上する。また、オフセット電圧
は、帰還抵抗16の抵抗値R1とオフセット電圧補正抵
抗19の抵抗値R9を等しくすることにより、小さく抑
えることができる。
【0042】低インピーダンスの基準電圧回路31は、
例えば図3に示すようにボルテージフォロアの差動増幅
器を構成することにより、容易に実現することができ
る。その基準電圧回路31を具体的に構成した場合を図
4に示す。図2の回路と同様にnpnトランジスタQ13
からpnpトランジスタQ16で差動増幅器を構成し、n
pnトランジスタQ18の出力をnpnトランジスタQ13
のベースに接続することにより、ボルテージフォロアの
オペアンプを構成している。
【0043】図3の回路全体の回路構成例を図5に示
す。npnトランジスタQ18の出力をnpnトランジス
タQ2のベースへ接続することにより、実際オフセット
補正抵抗19として数十KΩの抵抗素子が接続されてい
るにも拘らず、npnトランジスタQ2のベースから見
たときのインピーダンスは100Ω程度に低減させるこ
とができる。
【0044】(実施形態3)図6は本発明の実施形態3
に係る光受信回路を示す回路図である。図6に示す光受
信回路は、図1で説明したように電流−電圧変換増幅器
17に電圧増幅器30が接続されており、それぞれの非
反転端子(第2の入力端子)には基準電圧回路31,3
2が接続されている。また、当然フォトダイオード15
の接続を逆にしても使用できる。
【0045】(実施形態4)図7は本発明の実施形態4
に係る光受信回路を示す回路図である。図7では、複数
の電流−電圧変換増幅器17の非反転端子(第2の入力
端子)には、1つの基準電圧回路31を共通に接続して
いる。基準電圧回路31と基準電源Vcの間に挿入され
ているオフセット補正抵抗19の抵抗値は、それぞれの
電流−電圧変換増幅器17の帰還抵抗16の抵抗値を、
接続されている電流−電圧変換増幅器17の個数Nで割
った値の近傍に設定している。例えば図7の構成では、
帰還抵抗16の抵抗値をR1とし、オフセット補正抵抗
19の抵抗値をR9とした場合、電流−電圧変換増幅器
17の個数が4であるから、R9=R1/4の付近に設定
される。こうすることにより、オフセット補正抵抗19
の抵抗値も小さくすることができ、かつ基準電圧回路3
1の数も減るため、チップ面積を10%程度小さくする
ことができる。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように本発明の光受信回路
は、光電変換素子からの電流を電圧に変換するのに本来
必要とされる電流−電圧変換増幅器の電流−電圧変換効
率の値を1/nとすることができるため、CR時定数を
1/nに低減して容易に回路の広帯域化を実現すること
ができる。しかも、次段でn倍の電圧増幅を行なうた
め、出力電圧は前記電流−電圧変換増幅器の電流−電圧
変換効率を1/n倍にする前と同じ値に増幅させて得る
ことができる
【0047】また電流−電圧変換増幅器の入力のうち基
準電圧を与える端子と基準電源との間に、低インピーダ
ンスで基準電圧を供給する基準電圧回路を挿入すること
により、基準電圧回路のインピーダンス変換効果を利用
することができ、実際は数十kΩの抵抗を設けているに
も拘らず、見かけ上のインピーダンスを100Ω程度に
低減させることができ、回路の広帯域化を実現すること
ができる。
【0048】また2段の増幅器の構成とすることによ
り、1段目の増幅器と2段目の増幅器の周波数特性を調
整して、周波数特性の平坦な帯域を拡張することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施形態1に係る光受信回路のうち1
つのフォトダイオードに関する部分のみを示すブロック
図である。
【図2】図1に示した実施形態1の具体的な回路構成例
を示す回路図である。
【図3】本発明の実施形態2に係る光受信回路のうち1
つのフォトダイオードに関する部分のみを示すブロック
図である。
【図4】図3に示した実施形態1の低インピーダンス回
路の具体的な回路構成例を示す回路図である。
【図5】図3に示した実施形態の具体的な回路構成例を
示す回路図である。
【図6】本発明の実施形態3に係る光受信回路のうち1
つのフォトダイオードに関する部分のみを示すブロック
図である。
【図7】本発明の実施形態4に係る光受信回路を示すブ
ロック図である。
【図8】従来例の光学式記録再生装置を示すブロック図
である。
【図9】従来例に係る光受信素子の平面図である。
【図10】従来例の光受信素子の等価回路図である。
【図11】従来例の光受信回路のブロック図である。
【図12】従来例の光受信素子を示す断面図である。
【図13】従来例の光受信回路のうち1つのフォトダイ
オードに関する部分のみ示す図である。
【図14】特開平3−2322120号公報に記載の回
路図である。
【図15】特開平6−303048号公報に記載の回路
図である。
【図16】特開平6−232647号公報に記載の回路
図である。
【図17】特開平7−7335号公報に記載の回路図で
ある。
【図18】本発明の実施形態1においてnの値に対する
オフセット電圧の値を示す図である。
【図19】本発明の実施形態1においてnの値に対する
遮断周波数の相対値を示す図である。
【図20】本発明の実施形態1における周波数特性を示
す図である。
【符号の説明】
1 半導体レーザ 2 グレーティングプレート 3 ハーフプリズム 4 コリメートレンズ 5 対物レンズ 6 光受信素子 7 シリンドリカルレンズ 8 フォーカスアクチュエータ 9 トラッキングアクチュエータ 10 記録媒体 11 スライドモータ 12 制御回路 13 サーボコントロール 14 光信号ピックアップ部 15 フォトダイオード 16 帰還抵抗 17 電流−電圧変換増幅器 18 ジャンクション容量 19 オフセット電圧補正抵抗 20 容量 21 容量 22 定電流回路 23 増幅回路 24 エミッタフォロア回路 25 差動増幅回路 26 コイル 27 増幅器 28 補正回路 29 オフセット電圧補正抵抗 30 電圧増幅器 31 基準電圧回路 32 基準電圧回路

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 光電変換素子と、電流−電圧変換増幅器
    と、電圧増幅器とを有する光受信回路であって、 光電変換素子は、光信号を電気信号に変換するものであ
    り、 電流−電圧変換増幅器は、前記光電変換素子からの電気
    信号である電流を電圧に変換するものであって、その変
    換に必要とされる電流−電圧変換効率の1/n倍の変換
    効率にて電流−電圧変換を行うものであり、 電圧増幅器は、前記電流−電圧変換された出力をn倍に
    増幅するものであることを特徴とする光受信回路。
  2. 【請求項2】 前記電流−電圧変換増幅器は、第1の入
    力端子に入力される前記光電変換素子からの電気信号
    と、第2の入力端子に入力される基準電圧との差に比例
    した出力信号を変換後の電圧信号として出力する差動増
    幅器で構成したものであり、 前記電圧増幅器は、第1の入力端子に入力される前記電
    圧信号と、第2の入力端子に入力される基準電圧との差
    に比例しn倍に増幅して電圧信号として出力する差動増
    幅器で構成したものであり、 前記基準電圧回路は、前記電流−電圧変換増幅器及び電
    圧増幅器の第2の入力端子に低インピーダンスで基準電
    圧を供給するものであることを特徴とする請求項1に記
    載の光受信回路。
  3. 【請求項3】 前記nは、2から10の数値の範囲で設
    定されるものであることを特徴とする請求項1叉は2に
    記載の光受信回路。
  4. 【請求項4】 光電変換素子と、電流−電圧変換増幅器
    と、基準電圧回路とを有する光受信回路であって、 光電変換素子は、光信号を電気信号に変換するものであ
    り、 電流−電圧変換増幅器は、前記光電変換素子からの電気
    信号である電流を電圧に変換するものであって、第1の
    入力端子に入力される前記光電変換素子からの電気信号
    と、第2の入力端子に入力される基準電圧との差に比例
    した出力信号を変換後の電圧信号として出力するもので
    あり、 基準電圧回路は、前記電流−電圧変換増幅器の第2の入
    力端子に低インピーダンスで基準電圧を供給するもので
    あることを特徴とする光受信回路。
  5. 【請求項5】 複数の光電変換素子と電流−電圧変換増
    幅器の組と、基準電圧回路とを有する光受信回路であっ
    て、 光電変換素子は、光信号を電気信号に変換するものであ
    り、 電流−電圧変換増幅器は、前記光電変換素子からの電気
    信号である電流を電圧に変換するものであって、第1の
    入力端子に入力される前記光電変換素子からの電気信号
    と、第2の入力端子に入力される基準電圧との差に比例
    した出力信号を変換後の電圧信号として出力するもので
    あり、 基準電圧回路は、前記複数の電流−電圧変換増幅器の第
    2の入力端子に共通に低インピーダンスで基準電圧を供
    給するものであることを特徴とする光受信回路。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008187403A (ja) * 2007-01-29 2008-08-14 Sony Corp 電流電圧変換回路、フォトディテクタ回路及び光ディスク装置

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