JPH10275823A - バンプ用金合金ボール - Google Patents
バンプ用金合金ボールInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 真球度が高く、ボール内のピンホールが小さ
く、かつ高温放置後の材料の劣化即ち電気抵抗の増加が
小さいバンプ用金合金ボールを提供すること。 【解決手段】 Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を０．
１〜０．３重量％、及び残部がＡｕ及び不可避的不純物
からなるバンプ用金合金ボール。さらに３．０重量％以
下のＡｇ，Ｃｕを含んでもよい。
く、かつ高温放置後の材料の劣化即ち電気抵抗の増加が
小さいバンプ用金合金ボールを提供すること。 【解決手段】 Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を０．
１〜０．３重量％、及び残部がＡｕ及び不可避的不純物
からなるバンプ用金合金ボール。さらに３．０重量％以
下のＡｇ，Ｃｕを含んでもよい。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＩＣチップ搭載用バ
ンプ用金合金ボールに関し、詳しくはＩＣチップとプリ
ント配線板やＩＣチップ搭載用パッケージをフリップチ
ップ接合するに際して用いて好適なバンプ用金合金ボー
ルに関する。
ンプ用金合金ボールに関し、詳しくはＩＣチップとプリ
ント配線板やＩＣチップ搭載用パッケージをフリップチ
ップ接合するに際して用いて好適なバンプ用金合金ボー
ルに関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣチップをプリント配線板やＩＣチッ
プ搭載用パッケージに搭載する形態として、ＩＣチップ
の回路面を下方にした状態でＩＣチップの回路と例えば
プリント配線板上の電極部とをボール状バンプを介して
接続する方法が知られている。図１は前記接続方法の一
例を示す説明図である。図１において１はＩＣチップ、
２はＩＣチップ上の電極、３はバンプボール、４はプリ
ント配線板、５はプリント配線板上の電極、６は封止樹
脂である。
プ搭載用パッケージに搭載する形態として、ＩＣチップ
の回路面を下方にした状態でＩＣチップの回路と例えば
プリント配線板上の電極部とをボール状バンプを介して
接続する方法が知られている。図１は前記接続方法の一
例を示す説明図である。図１において１はＩＣチップ、
２はＩＣチップ上の電極、３はバンプボール、４はプリ
ント配線板、５はプリント配線板上の電極、６は封止樹
脂である。
【０００３】まず、（ａ）図において、所定の回路部
（図示省略）を備えたＩＣチップ１の一方の面（図ａで
は下面）の必要箇所に電極２を設けて、該電極にバンプ
ボール３を接合する。次いで、（ｂ）図はプリント配線
板４の一面（図ｂでは上面）のＩＣチップ上の電極２と
対応して、電極５を設ける。次いで（ｃ）図に示すよう
に、ＩＣチップ１上の電極２とプリント配線板４上の電
極５をバンプボール３を介してフリップチップ接合す
る。次に接合面に封止樹脂６が施される。
（図示省略）を備えたＩＣチップ１の一方の面（図ａで
は下面）の必要箇所に電極２を設けて、該電極にバンプ
ボール３を接合する。次いで、（ｂ）図はプリント配線
板４の一面（図ｂでは上面）のＩＣチップ上の電極２と
対応して、電極５を設ける。次いで（ｃ）図に示すよう
に、ＩＣチップ１上の電極２とプリント配線板４上の電
極５をバンプボール３を介してフリップチップ接合す
る。次に接合面に封止樹脂６が施される。
【０００４】従来から、上記の接続方法に使用されるバ
ンプボールとして、その耐蝕性の良い利点から９９．９
９重量％以上の高純度金ボールが使用されていた。しか
しながら、高純度金ボールでは十分な接合強度が得られ
ない為、高純度金に添加元素を加えて対応する事が提案
されている。例えば、特開平７−２８３２２７号には、
９９．９９９重量％の金にＰｔ又はＩｎを０．００１〜
０．０５重量％含有させて接合強度の向上を計る事が開
示されている。
ンプボールとして、その耐蝕性の良い利点から９９．９
９重量％以上の高純度金ボールが使用されていた。しか
しながら、高純度金ボールでは十分な接合強度が得られ
ない為、高純度金に添加元素を加えて対応する事が提案
されている。例えば、特開平７−２８３２２７号には、
９９．９９９重量％の金にＰｔ又はＩｎを０．００１〜
０．０５重量％含有させて接合強度の向上を計る事が開
示されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】図１に示したようなＩ
Ｃチップとプリント配線板等を直接接合するバンプ用金
合金ボールとしては、真球度が良いこと、ボール内のピ
ンホールが小さい事、及び接合後長時間高温に放置した
後（以下高温放置後という）の材料の劣化が小さい事が
要求される。
Ｃチップとプリント配線板等を直接接合するバンプ用金
合金ボールとしては、真球度が良いこと、ボール内のピ
ンホールが小さい事、及び接合後長時間高温に放置した
後（以下高温放置後という）の材料の劣化が小さい事が
要求される。
【０００６】真球度が悪いとＩＣチップが傾斜して搭載
されて熱影響の負担にばらつきが生じてくる為、真球度
の良いものが求められる。またボール内に大きなピンホ
ールが発生するとフリップチップ接合した際、やはりＩ
Ｃチップが傾斜して搭載されたり、接合強度に問題が生
じてくるためボール内のピンホールは小さいものが求め
られる。また高温放置後の材料の劣化が大きいと、電気
抵抗が増加し、半導体装置の信頼性に問題が生じてくる
可能性がある為、高温放置後の電気抵抗の増加が小さい
ものが求められる。
されて熱影響の負担にばらつきが生じてくる為、真球度
の良いものが求められる。またボール内に大きなピンホ
ールが発生するとフリップチップ接合した際、やはりＩ
Ｃチップが傾斜して搭載されたり、接合強度に問題が生
じてくるためボール内のピンホールは小さいものが求め
られる。また高温放置後の材料の劣化が大きいと、電気
抵抗が増加し、半導体装置の信頼性に問題が生じてくる
可能性がある為、高温放置後の電気抵抗の増加が小さい
ものが求められる。
【０００７】しかしながら、上記の従来の高純度金に添
加元素を加えた金合金ボールでは、ボールの真球度を保
ったまま、高温放置後の材料の劣化を小さく抑える点で
不十分であるという欠点を有している。本発明は、前述
の事情に鑑みなされたものであり、バンプ用金合金ボー
ルとして真球度が良く、ボール内のピンホールが小さ
く、高温放置後の材料の劣化即ち電気抵抗の増加が小さ
いバンプ用金合金ボールを提供することを目的とする。
加元素を加えた金合金ボールでは、ボールの真球度を保
ったまま、高温放置後の材料の劣化を小さく抑える点で
不十分であるという欠点を有している。本発明は、前述
の事情に鑑みなされたものであり、バンプ用金合金ボー
ルとして真球度が良く、ボール内のピンホールが小さ
く、高温放置後の材料の劣化即ち電気抵抗の増加が小さ
いバンプ用金合金ボールを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者等は鋭意検討を
行った結果、バンプ用金合金ボールの組成をＰｔ，Ｐｄ
のうち少なくとも１種を０．１〜０．３重量％、及び残
部がＡｕ及び不可避不純物からなるようにすることによ
り、前記課題に対して効果的であることを見出し、本発
明に至った。その要旨とするところは次の通りである。
行った結果、バンプ用金合金ボールの組成をＰｔ，Ｐｄ
のうち少なくとも１種を０．１〜０．３重量％、及び残
部がＡｕ及び不可避不純物からなるようにすることによ
り、前記課題に対して効果的であることを見出し、本発
明に至った。その要旨とするところは次の通りである。
【０００９】（１）白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）
のうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、及び残
部がＡｕ及び不可避不純物からなることを特徴とするバ
ンプ用金合金ボール。 （２）白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）のうち少なく
とも１種を０．１〜３．０重量％、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）のうち少なくとも１種を３．０重量％以下、及び残
部がＡｕ及び不可避不純物からなることを特徴とするバ
ンプ用金合金ボール。
のうち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、及び残
部がＡｕ及び不可避不純物からなることを特徴とするバ
ンプ用金合金ボール。 （２）白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）のうち少なく
とも１種を０．１〜３．０重量％、銀（Ａｇ）、銅（Ｃ
ｕ）のうち少なくとも１種を３．０重量％以下、及び残
部がＡｕ及び不可避不純物からなることを特徴とするバ
ンプ用金合金ボール。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明に使用する金地金は、少な
くとも９９．９９重量％以上、好ましくは９９．９９９
重量％以上の高純度金を用いる。このような高純度金に
０．１〜３．０重量％のＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１
種を含有した組成にすることにより、前記課題を達成す
る事が出来る。Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の含有
量が０．１重量％未満では０．１重量％以上と対比し
て、高温放置後の電気抵抗の増加が大きくなる。一方、
Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の含有量が３．０重量
％を超えると金ボールの真球度が悪くなると共に、金ボ
ール内に大きなピンホールが発生し易くなる。
くとも９９．９９重量％以上、好ましくは９９．９９９
重量％以上の高純度金を用いる。このような高純度金に
０．１〜３．０重量％のＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１
種を含有した組成にすることにより、前記課題を達成す
る事が出来る。Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の含有
量が０．１重量％未満では０．１重量％以上と対比し
て、高温放置後の電気抵抗の増加が大きくなる。一方、
Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の含有量が３．０重量
％を超えると金ボールの真球度が悪くなると共に、金ボ
ール内に大きなピンホールが発生し易くなる。
【００１１】さらにＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の
含有量が０．５〜２．０重量％であると、ボールの真球
度を良好に維持しつつ、ボール内のピンホールも小さ
く、高温放置後の電気抵抗の増加を小さく抑制する事が
出来る効果が一段と向上してくる。この為、Ｐｔ，Ｐｄ
のうち少なくとも１種の含有量は０．５〜２．０重量％
であることが好ましい。
含有量が０．５〜２．０重量％であると、ボールの真球
度を良好に維持しつつ、ボール内のピンホールも小さ
く、高温放置後の電気抵抗の増加を小さく抑制する事が
出来る効果が一段と向上してくる。この為、Ｐｔ，Ｐｄ
のうち少なくとも１種の含有量は０．５〜２．０重量％
であることが好ましい。
【００１２】高純度金に上記所定量のＰｔ，Ｐｄのうち
少なくとも１種を含有することに加えて、３．０重量％
以下のＡｇ，Ｃｕのうち少なくとも１種を含有しても、
所定量のＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種のみを含有し
た組成と同様の効果を得る事が出来る。Ａｇ，Ｃｕは添
加しなくてもよく、また添加するときの下限は特に限定
されないが、しかし、Ａｇ，Ｃｕを添加する場合、実用
的には０．０１重量％以上とされる。
少なくとも１種を含有することに加えて、３．０重量％
以下のＡｇ，Ｃｕのうち少なくとも１種を含有しても、
所定量のＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種のみを含有し
た組成と同様の効果を得る事が出来る。Ａｇ，Ｃｕは添
加しなくてもよく、また添加するときの下限は特に限定
されないが、しかし、Ａｇ，Ｃｕを添加する場合、実用
的には０．０１重量％以上とされる。
【００１３】また、本発明においてはＰｔ，Ｐｄのうち
少なくとも１種の含有量が０．５〜２．０重量％になる
と、３．０重量％以下のＡｇ，Ｃｕのうち少なくとも１
種が共存した場合にも、ボールの真球度を良好に維持し
つつ、ボール内のピンホールも小さく、高温放置後の電
気抵抗の増加を小さく抑制する事が出来る効果が一段と
向上してくる。この為３．０重量％以下のＡｇ，Ｃｕの
うち少なくとも１種を含有した場合にも、Ｐｔ，Ｐｄの
うち少なくとも１種の好ましい含有量は０．５〜２．０
重量％である。
少なくとも１種の含有量が０．５〜２．０重量％になる
と、３．０重量％以下のＡｇ，Ｃｕのうち少なくとも１
種が共存した場合にも、ボールの真球度を良好に維持し
つつ、ボール内のピンホールも小さく、高温放置後の電
気抵抗の増加を小さく抑制する事が出来る効果が一段と
向上してくる。この為３．０重量％以下のＡｇ，Ｃｕの
うち少なくとも１種を含有した場合にも、Ｐｔ，Ｐｄの
うち少なくとも１種の好ましい含有量は０．５〜２．０
重量％である。
【００１４】本発明による金合金ボールは直径２０〜１
００μｍとして用いて好適である。本発明による金合金
ボールはＩＣチップとプリント配線板等の基板をフリッ
プチップ接合する際に用いるバンプ用として用いて好適
である。次に、本発明によるバンプ用金合金ボールの好
ましい製造方法を説明する。高純度金に所定量の元素を
添加し、真空溶解炉で溶解した後、円筒状インゴットに
鋳造する。インゴットに溝ロール、伸線機を用いた冷間
加工とアニールを行い、直径１０〜１００μｍの細線と
する。次いでワイヤカッタにより所定のボール直径にな
るように所定長さに切断する。１０〜１００μｍ長さに
することが好ましい。要求されるボール直径になるよう
に細線の直径と切断長さを調節する。
００μｍとして用いて好適である。本発明による金合金
ボールはＩＣチップとプリント配線板等の基板をフリッ
プチップ接合する際に用いるバンプ用として用いて好適
である。次に、本発明によるバンプ用金合金ボールの好
ましい製造方法を説明する。高純度金に所定量の元素を
添加し、真空溶解炉で溶解した後、円筒状インゴットに
鋳造する。インゴットに溝ロール、伸線機を用いた冷間
加工とアニールを行い、直径１０〜１００μｍの細線と
する。次いでワイヤカッタにより所定のボール直径にな
るように所定長さに切断する。１０〜１００μｍ長さに
することが好ましい。要求されるボール直径になるよう
に細線の直径と切断長さを調節する。
【００１５】次にボール製造装置として、セラミックス
製円筒容器の内部を不活性ガス雰囲気とした縦型容器を
準備する。この容器の上方部分を加熱ゾーンとして容器
の外部に加熱装置を取り付ける。加熱装置としては抵抗
加熱装置が例示出来る。容器の下方部分冷却ゾーンとし
て容器の外部に冷却装置を取り付ける。冷却装置として
は水冷パイプが例示出来る。細線を切断して得た前記ペ
レットをこの縦型容器の上から自由落下させて、上方部
分の加熱ゾーンで溶融し、下方部分の冷却ゾーンで凝固
させてボールを形成する。形成されたボールは逐次低部
に堆積せしめた後、容器下部から取り出す。
製円筒容器の内部を不活性ガス雰囲気とした縦型容器を
準備する。この容器の上方部分を加熱ゾーンとして容器
の外部に加熱装置を取り付ける。加熱装置としては抵抗
加熱装置が例示出来る。容器の下方部分冷却ゾーンとし
て容器の外部に冷却装置を取り付ける。冷却装置として
は水冷パイプが例示出来る。細線を切断して得た前記ペ
レットをこの縦型容器の上から自由落下させて、上方部
分の加熱ゾーンで溶融し、下方部分の冷却ゾーンで凝固
させてボールを形成する。形成されたボールは逐次低部
に堆積せしめた後、容器下部から取り出す。
【００１６】
【実施例】 （実施例１）純度９９．９９９重量％の高純度金に所定
量のＰｔを添加し、真空溶解炉で溶解した後、鋳造して
表１に示す組成の金合金、即ち０．１重量％Ｐｔ、及び
残部が金及び不可避不純物からなる組成のインゴットを
得、これに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工とアニー
ルを行い、直径５０μｍの金合金線を製造した。
量のＰｔを添加し、真空溶解炉で溶解した後、鋳造して
表１に示す組成の金合金、即ち０．１重量％Ｐｔ、及び
残部が金及び不可避不純物からなる組成のインゴットを
得、これに溝ロール、伸線機を用いた冷間加工とアニー
ルを行い、直径５０μｍの金合金線を製造した。
【００１７】次いでワイヤカッターにより、５７．６μ
ｍ長さのペレットを製造した。次いでセラミックス製縦
型円筒容器の内部を不活性ガス雰囲気とし、上方部分を
１３００℃、下方部分を室温にして前記ペレットを上方
から落下させて、ペレットを溶融、凝固させて金合金ボ
ールを製造した。このボールの真球度、ボール内のピン
ホールの状況及びバンプとして用いた高温放置後の電気
抵抗の増加率を次の方法で測定した。 〔真球度〕金属顕微鏡を用いて、４方向から直径を測定
し、真球度＝（最小径／最大径）を求めた。試料１０個
の平均値を真球度として表１に示した。 〔ピンホールの状況〕軟Ｘ線装置を用いてボール内のピ
ンホールの大きさを測定した。試料１０個を観察し、最
大大きさのピンホールを特定して、ボール直径に対する
ピンホールの直径が５％未満の時○、５〜１０％の時
△、１０％を超える時×として表示し、その測定結果を
表１に示した。 〔高温放置後の電気抵抗増加率〕測定に使用する装置を
図２に示す。図中、１１は４２アロイを用いたリード
部、１２は金ボール、１３はＡｌテープ、１４は封止樹
脂である。
ｍ長さのペレットを製造した。次いでセラミックス製縦
型円筒容器の内部を不活性ガス雰囲気とし、上方部分を
１３００℃、下方部分を室温にして前記ペレットを上方
から落下させて、ペレットを溶融、凝固させて金合金ボ
ールを製造した。このボールの真球度、ボール内のピン
ホールの状況及びバンプとして用いた高温放置後の電気
抵抗の増加率を次の方法で測定した。 〔真球度〕金属顕微鏡を用いて、４方向から直径を測定
し、真球度＝（最小径／最大径）を求めた。試料１０個
の平均値を真球度として表１に示した。 〔ピンホールの状況〕軟Ｘ線装置を用いてボール内のピ
ンホールの大きさを測定した。試料１０個を観察し、最
大大きさのピンホールを特定して、ボール直径に対する
ピンホールの直径が５％未満の時○、５〜１０％の時
△、１０％を超える時×として表示し、その測定結果を
表１に示した。 〔高温放置後の電気抵抗増加率〕測定に使用する装置を
図２に示す。図中、１１は４２アロイを用いたリード
部、１２は金ボール、１３はＡｌテープ、１４は封止樹
脂である。
【００１８】図２の如く金ボール１２を介してリード部
１１とＡｌテープ１３を加熱圧着した後、封止樹脂１４
として得た測定装置を２００℃の大気中に２０００時間
放置し、放置前後の電気抵抗を測定した。電気抵抗は図
２のように定電流発生電源と電圧計を設置して電気抵抗
値を測定し次式から増加率を求めた。
１１とＡｌテープ１３を加熱圧着した後、封止樹脂１４
として得た測定装置を２００℃の大気中に２０００時間
放置し、放置前後の電気抵抗を測定した。電気抵抗は図
２のように定電流発生電源と電圧計を設置して電気抵抗
値を測定し次式から増加率を求めた。
【００１９】高温放置後の電気抵抗増加率＝（Ａ−
Ａ0 ）／Ａ0 ×１００（％） 式中、Ａは高温放置後の電気抵抗、Ａ0 は高温放置前の
電気抵抗である。１０個の測定装置について測定しその
平均値を測定結果として表１に示した。 （実施例２〜２２）（比較例１〜７） 金合金線の組成を表１のようにした事以外は実施例１と
同様にして金合金ボールを製造し、ボールの真球度、ボ
ール内のピンホールの状況及びバンプとして用いた高温
放置後の電気抵抗の増加率を実施例１と同様にして測定
し、その結果を表１に示した。
Ａ0 ）／Ａ0 ×１００（％） 式中、Ａは高温放置後の電気抵抗、Ａ0 は高温放置前の
電気抵抗である。１０個の測定装置について測定しその
平均値を測定結果として表１に示した。 （実施例２〜２２）（比較例１〜７） 金合金線の組成を表１のようにした事以外は実施例１と
同様にして金合金ボールを製造し、ボールの真球度、ボ
ール内のピンホールの状況及びバンプとして用いた高温
放置後の電気抵抗の増加率を実施例１と同様にして測定
し、その結果を表１に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】（試験結果） （１）高純度金にＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を
０．１〜３．０重量％含有した組成である実施例１〜１
１は、ボールの真球度は０．９３〜０．９９と優れてお
り、ボール内のピンホールの大きさは全てボール直径の
１０％以内に収まる○△評価と優れており、高温放置後
の電気抵抗増加率（％）は０〜１３％と優れた効果を示
した。
０．１〜３．０重量％含有した組成である実施例１〜１
１は、ボールの真球度は０．９３〜０．９９と優れてお
り、ボール内のピンホールの大きさは全てボール直径の
１０％以内に収まる○△評価と優れており、高温放置後
の電気抵抗増加率（％）は０〜１３％と優れた効果を示
した。
【００２２】このことから、ボールの真球度、ボール内
のピンホールの状況及び高温放置後の電気抵抗の増加率
が何れも優れた効果を示すことが判る。 （２）上記（１）の中でも、Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくと
も１種の含有量が０．５〜２．０重量％のとき、ボール
の真球度は０．９６〜０．９９とさらに優れたものとな
り、ボール内のピンホールの大きさは全てボール直径の
５％未満に収まる○評価とさらに優れており、高温放置
後の電気抵抗増加率（％）は０％と更に優れた効果を示
した。従って、Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の含有
量が０．５〜２．０重量％組成の金合金ボールが好まし
く用いられる。 （３）上記（１）の組成にＡｇ，Ｃｕのうち少なくとも
１種を３．０重量％以下含有した組成である実施例１２
〜２２は、ボールの真球度は０．９６〜０．９９と優れ
ており、ボール内のピンホールの大きさは全てボール直
径の５％未満に収まる○評価と優れており、高温放置後
の電気抵抗の増加率（％）は０％と優れた効果を示し
た。
のピンホールの状況及び高温放置後の電気抵抗の増加率
が何れも優れた効果を示すことが判る。 （２）上記（１）の中でも、Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくと
も１種の含有量が０．５〜２．０重量％のとき、ボール
の真球度は０．９６〜０．９９とさらに優れたものとな
り、ボール内のピンホールの大きさは全てボール直径の
５％未満に収まる○評価とさらに優れており、高温放置
後の電気抵抗増加率（％）は０％と更に優れた効果を示
した。従って、Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種の含有
量が０．５〜２．０重量％組成の金合金ボールが好まし
く用いられる。 （３）上記（１）の組成にＡｇ，Ｃｕのうち少なくとも
１種を３．０重量％以下含有した組成である実施例１２
〜２２は、ボールの真球度は０．９６〜０．９９と優れ
ており、ボール内のピンホールの大きさは全てボール直
径の５％未満に収まる○評価と優れており、高温放置後
の電気抵抗の増加率（％）は０％と優れた効果を示し
た。
【００２３】このことから所定量のＰｔ，Ｐｄのうち少
なくとも１種に加えて、Ａｇ，Ｃｕのうち少なくとも１
種を３．０重量％以下含有した組成としても、所定量の
Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を含有した組成のもの
と同等の効果を示すことが判る。 （４）高純度金のまま金ボールとした比較例１は、高温
放置後の電気抵抗増加率（％）が６４％と大きいもので
あった。 （５）高純度金にＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を
０．１重量％未満含有した組成である比較例２〜５は、
ボール内のピンホールの大きさは全てボール直径の５〜
１０％である△評価、高温放置後の電気抵抗増加率
（％）が５２〜８６％と大きいものであった。
なくとも１種に加えて、Ａｇ，Ｃｕのうち少なくとも１
種を３．０重量％以下含有した組成としても、所定量の
Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を含有した組成のもの
と同等の効果を示すことが判る。 （４）高純度金のまま金ボールとした比較例１は、高温
放置後の電気抵抗増加率（％）が６４％と大きいもので
あった。 （５）高純度金にＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を
０．１重量％未満含有した組成である比較例２〜５は、
ボール内のピンホールの大きさは全てボール直径の５〜
１０％である△評価、高温放置後の電気抵抗増加率
（％）が５２〜８６％と大きいものであった。
【００２４】このことから、Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくと
も１種を０．１重量％未満含有した組成のものより、本
発明になる組成とする方がバンプ用金合金ボールとして
高い信頼性が得られる事が判る。 （６）高純度金にＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を
３．０重量％を超えて含有した組成である比較例６〜７
は、ボールの真球度は０．７２〜０．７８と悪いもので
あり、ボール内のピンホールの大きさはボール直径の１
０％以上である×評価と悪いものであった。
も１種を０．１重量％未満含有した組成のものより、本
発明になる組成とする方がバンプ用金合金ボールとして
高い信頼性が得られる事が判る。 （６）高純度金にＰｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種を
３．０重量％を超えて含有した組成である比較例６〜７
は、ボールの真球度は０．７２〜０．７８と悪いもので
あり、ボール内のピンホールの大きさはボール直径の１
０％以上である×評価と悪いものであった。
【００２５】このことから、Ｐｔ，Ｐｄのうち少なくと
も１種を３．０重量％を超えて含有した組成のものよ
り、本発明になる組成とする方がバンプ用金合金ボール
として高い信頼性が得られる事が判る。
も１種を３．０重量％を超えて含有した組成のものよ
り、本発明になる組成とする方がバンプ用金合金ボール
として高い信頼性が得られる事が判る。
【００２６】
【発明の効果】本発明により０．１〜３．０重量％のＰ
ｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種、及び残部がＡｕ及び不
純物からなる組成を有する金合金ボールによれば、バン
プ用金合金ボールとして真球度が良く、ボール内のピン
ホールが小さく、高温放置後の材料の劣化即ち電気抵抗
の増加を小さくする事が出来るため、バンプ用金合金ボ
ールとして用いて効果的である。またＰｔ，Ｐｄのうち
少なくとも１種の含有量が０．５〜２．０重量％のとき
一段と優れた効果を示すようになり好ましく用いられ
る。更に前記含有成分に加えて３．０重量％以下のＡ
ｇ，Ｃｕのうち少なくとも１種を含有した場合において
も同様の効果を示すものである。
ｔ，Ｐｄのうち少なくとも１種、及び残部がＡｕ及び不
純物からなる組成を有する金合金ボールによれば、バン
プ用金合金ボールとして真球度が良く、ボール内のピン
ホールが小さく、高温放置後の材料の劣化即ち電気抵抗
の増加を小さくする事が出来るため、バンプ用金合金ボ
ールとして用いて効果的である。またＰｔ，Ｐｄのうち
少なくとも１種の含有量が０．５〜２．０重量％のとき
一段と優れた効果を示すようになり好ましく用いられ
る。更に前記含有成分に加えて３．０重量％以下のＡ
ｇ，Ｃｕのうち少なくとも１種を含有した場合において
も同様の効果を示すものである。
【図１】ＩＣチップを配線基板にフリップチップ接合す
る様子を示す。
る様子を示す。
【図２】フリップチップ接合の高温放置後の電気抵抗増
加率を測定する装置を示す。
加率を測定する装置を示す。
１…ＩＣチップ ２…ＩＣチップ上の電極 ３…バンプボール ４…プリント配線板 ５…プリント配線板上の電極 ６…封止樹脂
Claims (2)
- 【請求項１】 白金（Ｐｔ）、パラジウム（Ｐｄ）のう
ち少なくとも１種を０．１〜３．０重量％、及び残部が
Ａｕ及び不可避不純物からなることを特徴とするバンプ
用金合金ボール。 - 【請求項２】 さらに銀（Ａｇ）、銅（Ｃｕ）のうち少
なくとも１種を３．０重量％以下含むことを特徴とする
請求項１記載のバンプ用金合金ボール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07777397A JP3635185B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | バンプ用金合金ボール |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07777397A JP3635185B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | バンプ用金合金ボール |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10275823A true JPH10275823A (ja) | 1998-10-13 |
| JP3635185B2 JP3635185B2 (ja) | 2005-04-06 |
Family
ID=13643284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07777397A Expired - Fee Related JP3635185B2 (ja) | 1997-03-28 | 1997-03-28 | バンプ用金合金ボール |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3635185B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218442A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015208777A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 住友金属鉱山株式会社 | ボール状Ａｕ−Ａｇ−Ｇｅ系はんだ合金並びにこのボール状Ａｕ−Ａｇ−Ｇｅ系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 |
| CN113088837A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-09 | 江西富鸿金属有限公司 | 一种医疗用高弹性镀锡合金线及其制备方法 |
-
1997
- 1997-03-28 JP JP07777397A patent/JP3635185B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009218442A (ja) * | 2008-03-11 | 2009-09-24 | Tanaka Electronics Ind Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2015208777A (ja) * | 2014-04-30 | 2015-11-24 | 住友金属鉱山株式会社 | ボール状Ａｕ−Ａｇ−Ｇｅ系はんだ合金並びにこのボール状Ａｕ−Ａｇ−Ｇｅ系はんだ合金を用いて封止された電子部品及び電子部品搭載装置 |
| CN113088837A (zh) * | 2021-04-15 | 2021-07-09 | 江西富鸿金属有限公司 | 一种医疗用高弹性镀锡合金线及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3635185B2 (ja) | 2005-04-06 |
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