JPH10273382A - 半導体単結晶引上炉 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 大重量結晶の引上げにおいても、無転位化達
成後の単結晶の挟持の維持が従来より確実に行なうこと
のできる半導体単結晶引上炉を得る。 【解決手段】 チョクラルスキー法による半導体単結晶
引上炉において、種結晶引上げワイヤの巻上装置を支承
する回転ヘッドにワイヤを同軸状に内包するように上端
が固定された中空軸の下端外周部に等間隔で枢支された
三つ以上のキャッチャーアームによって無転位結晶を挟
持させ、この時、キャッチャーアームをほぼその中間部
の位置で外側から取り囲む剛性リングによってキャッチ
ャーアームに作用する荷重に抗してキャッチャーアーム
の拡開を阻止する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、シリコン等の単結
晶を引上げにより製造するものであり、特に、大重量結
晶用の半導体単結晶引上炉に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体結晶として用いられる例えばシリ
コン結晶の製造方法一つとして、単結晶を引上げること
によって製造する、所謂ＣＺ(Czochralski：チョクラル
スキー) 法がある。これは、不活性ガスチャンバー炉内
のるつぼ中で塊粒状多結晶シリコンを加熱溶融し、この
溶融シリコンに種単結晶を接触させた後、冷却しつつ、
回転させながらゆっくり種結晶を上昇させ、種結晶下で
いったん結晶を細く絞って（種しぼり）成長させること
により転位を結晶側面に交わらせて無転位領域を形成し
（ダッシュネック法）、さらに無転位単結晶を引き上げ
て成長せしめる方法である。

【０００３】単結晶引上げのためには、従来から単結晶
引上げ装置が用いられている。この装置は、主に、種結
晶の固定取り付け部を下端に備えたワイヤーを、その軸
心回りに自転させながら巻き取る構成を持つものであ
る。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】近年、半導体装置の回
路集積量の増大に伴う大型化に応じて、半導体装置製造
の高効率化を図るために、単結晶は大径化の傾向にあ
る。従って、引上げ単結晶も大重量化することになる。
しかし、上記の如き引上げ装置のワイヤによる種結晶部
での引上げでは、耐荷重に限界があり、大重量単結晶を
引き上げることはできない。

【０００５】そこで、種結晶下の単結晶上部に大径化し
た後に小径化することによって頭部を形成し、この頭部
のくびれ部分に係合挟持する複数のキャッチャーアーム
を周状に持つ昇降軸を備えた装置が考えられている。こ
れは、複数のキャッチャーアームが互いに閉じることに
よって単結晶上部のくびれ部が挟持されるものである。

【０００６】しかしながら、このような挟持手段を備え
た装置でも、単結晶が非常に重い場合では、各キャッチ
ャーアームの開方向への作用も非常に大きくなるため、
単結晶のくびれ部分の挟持を良好に維持することが困難
であり、引上げ途中でくびれ部分の係合がはずれてしま
う恐れがある。

【０００７】本発明は、上記問題点に鑑み、大重量結晶
の引上げにおいても、無転位化を達成した後の無転位結
晶を引上げながら成長させるために、無転位結晶の挟持
が従来より確実に行なうことのできるチョクラルスキー
法による半導体単結晶引上炉を得ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明に係る半導体単結晶引上炉で
は、チョクラルスキー法による半導体単結晶引上炉であ
って、種結晶を保持するための手段を下端に有する引上
げワイヤと、引上げワイヤを巻き取るための巻上装置
と、引上げワイヤをその軸心回りに自転させるために巻
上装置を支承する回転ヘッドと、回転ヘッドを軸心方向
に移動させるリフト装置と、引上げワイヤを同軸状に内
包し、上端が回転ヘッドに固定されて引上炉内に軸方向
移動可能に挿入配置された中空軸と、中空軸の下端外周
部に枢支された上端部および種結晶の下部に成長するダ
ッシュネック法による無転位化後の単結晶をラジアル方
向から挟持するための下端部をそれぞれ有する等角度間
隔で配置された少なくとも三つのキャッチャーアーム
と、各キャッチャーアームの中間部よりも上端側に設け
られたカム孔と、各キャッチャーアームが前記単結晶を
挟持した際に各キャッチャーアームに作用する荷重に抗
して各キャッチャーアームの拡開を阻止するために各キ
ャッチャーアームをほぼ前記中間部の位置で外側から取
り囲む剛性リングと、剛性リングの内周部に設けられ、
該リングの軸方向移動により各キャッチャーアームの開
閉運動を生起すべく前記カム孔と共働するフォロワピン
と、前記引上げワイヤと機械的に干渉することなく前記
中空軸内に貫通され、下端で前記剛性リングに連結され
た操作軸と、前記剛性リングを軸方向移動すべく前記操
作軸の上端部を前記回転ヘッド上で軸方向に駆動する操
作アクチュエータ手段とを備えたものである。

【０００９】また、請求項２に記載の発明に係る半導体
単結晶引上炉では、請求項１に記載の半導体単結晶引上
炉において、前記操作軸が前記中空軸内に同軸状に挿通
されたパイプからなるものである。

【００１０】請求項１に記載の発明においては、チョク
ラルスキー法による半導体単結晶引上炉において、種結
晶を保持するための手段を下端に有する引上げワイヤを
巻き取るための巻上装置が、リフト装置によって軸支方
向に移動可能な回転ヘッドに支承され、引上げワイヤが
その軸心回りに自転させられる。

【００１１】引上げワイヤを同軸状に内包し、上端が回
転ヘッドに固定されて引上炉内に軸方向移動可能に挿入
配置された中空軸下端外周部には、少なくとも三つのキ
ャッチャーアームがその上端部が枢支されることによっ
て等角度間隔で配置されている。この各キャチャーアー
ムは、種結晶の下部に成長するダッシュネック法による
無転位化後の単結晶をラジアル方向から挟持するための
下端部をそれぞれ有する。また、各キャッチャーアーム
の中間部よりも上端側にはカム孔が設けられている。な
お、ここでいうダッシュネック法による無転位化とは、
ダッシュ(Dash)による無転位成長法に基づくものであ
り、種単結晶を溶融シリコンに接触させた後、種結晶か
ら結晶をいったん細く絞って（種しぼり）成長させるこ
とにより転位を結晶側面に交わらせて無転位領域を形成
するものである。

【００１２】さらに、本発明の半導体単結晶引上炉で
は、各キャッチャーアームをほぼ中間部の位置で外側か
ら取り囲む剛性リングを備え、この剛性リングによっ
て、各キャッチャーアームが無転位達成後の無転位単結
晶を挟持した際に、各キャッチャーアームに作用する荷
重に抗して各キャッチャーアームの拡開を阻止する構成
とした。剛性リングの内周部にはカム孔と共働するフォ
ロワピンが設けられ、該リングの軸方向移動に伴うフォ
ロワピンのカム孔内移動により各キャッチャーアームの
開閉運動が生起される。

【００１３】この剛性リングは、引上げワイヤと機械的
に干渉することなく中空軸内に貫通された操作軸の下端
に連結されており、この操作軸上端部の回転ヘッド上で
の操作アクチュエータ手段による軸方向駆動によって、
操作軸下端の剛性リングが軸方向に移動される。

【００１４】例えば、操作軸を上軸方向に駆動して剛性
リングをキャッチャーアームに対して上方に位置させた
とき、フォロワピンはカム孔の上方（キャッチャーアー
ム枢支部側）に位置するに伴って、各キャッチャーアー
ムの下端先端の互いに対向する間隔が広がって開状態と
なり、逆に操作軸を下軸方向に駆動して剛性リングをキ
ャッチャーアームに対して下方に位置させたとき、フォ
ロワピンはカム孔の下方（キャッチャーアーム中間部
側）に位置するに伴って、各キャッチャーアームの下端
先端の互いに対向する間隔が狭まり閉状態となる。

【００１５】このような本発明の構成によれば、キャッ
チャーアームを閉状態として成長しつつある無転位単結
晶を挟持させたとき、大きな荷重がかかってキャッチャ
ーアームに開方向への作用が生じても、キャッチャーア
ームを外側から取り囲む剛性リングがその周方向の応力
により荷重作用に抗してキャッチャーアームの拡開が阻
止される。従って、キャッチャーアームによる単結晶の
挟持は剛性リングによって常に確実に維持されるので、
従来のような大重量単結晶引上の進行中に挟持がはずれ
るという危険は回避される。

【００１６】なお、この中空軸内に貫通される操作軸
は、引上ワイヤに干渉することなく剛性リングの軸方向
移動が行なえる配置であれば良いが、例えば、請求項２
に記載したように、操作軸を中空軸内に同軸状に挿通さ
れたパイプ状のものとすれば、中空軸、操作軸、引上ワ
イヤ、剛性リング全てを同軸にできるので、設計が簡便
となる。また、本発明のキャッチャーアームによる挟持
位置は、無転位化達成後に成長する単結晶のいずれの位
置であったも良いが、剛性リングの径や全キャッチャー
アームの配列を決定する円周径等の装置設計は、挟持す
る単結晶の径に対応して決定されるため、予め所望の単
結晶挟持位置とその径を設定する。もちろん、従来と同
様に、無転位化達成後に単結晶の拡径と縮径によって頭
部を形成し、頭部下のくびれ部を挟持する設計としても
よい。

【００１７】

【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態の一
例として、円筒状（パイプ）の操作軸が中空軸内に同軸
状に挿通された構成を持つ大重量用の半導体単結晶引上
炉を説明する。図１は、本実施の形態の概略構成図であ
る。本実施形態においては、種結晶下の無転位達成後に
単結晶頭部を形成し、頭部下のくびれ部で挟持する場合
を例として示す。

【００１８】図１に示すように、この半導体単結晶引上
炉は、炉１内のるつぼ２中の溶融シリコンに、引上ワイ
ヤ７の下端のカーボン製シードチャック１１に保持され
た種結晶２２を接触させた後、引上ワイヤ７を巻上装置
８で巻上ながら予め定められた回転速度でワイヤを軸心
回りに自転させながらゆっくり種結晶２０を上昇させる
ことによって、種結晶下端に単結晶を成長せしめるチョ
クラルスキー法によるものである。

【００１９】本装置では、引上ワイヤ７の巻上装置８
は、モータ４によってベルトを介して水平方向に回転さ
れる炉１上部の回転ヘッド３上に支持されており、回転
ヘッド３の回転制御によってワイヤ７が軸心方向に所定
の速度で自転される。回転ヘッド３は、その外周がリフ
ト５にスラストベアリングを介して軸受されており、ボ
ールスクリューＢに沿ったリフト５の昇降に伴って回転
ヘッド３が垂直方向に昇降する。

【００２０】回転ヘッド３には、引上げワイヤ７を同軸
状に内包するように外径約１１ｃｍの中空軸１２の上端
が固定されている。この中空軸１２は炉１内に軸方向移
動可能に挿入配置されている。中空軸１２の下端外周部
には、図２に示すように、４つの略くノ字型のキャッチ
ャーアーム１３がその上端部を枢支して等角度間隔で配
置されている。

【００２１】この各キャチャーアーム１３は、中空軸下
端の枢支部１４を中心に回動可能となっており、その下
端部１６で種結晶２０の下部に成長する単結晶頭部２１
のくびれ部分２２をラジアル方向から挟持するものであ
る。また、各キャッチャーアーム１３の中間部より上端
側にはカム孔１５が形成されている。

【００２２】さらに、中空軸１２内には、図３に示すよ
うに下端に剛性リング１８が連結されている外径約１０
ｃｍのパイプ状操作軸１７が、中空軸１２と同軸状に挿
通され、この操作軸１７上端部が回転ヘッド１３上のア
クチュエータ９によって軸方向に駆動される。本実施形
態では、アクチュエータ９を、操作軸１７上端をラック
９ｂ形状としてこれに対してピニオン９ａをモータ回転
させる構成とし、ピニオン９ａの回転制御に伴ってラッ
ク９ｂを介して操作軸１７が軸方向に駆動されるものと
した。

【００２３】もちろん、本発明のアクチュエータ９は、
ラック・ピニオン機構に限らず、例えば、電動往復動プ
ランジャや、振動モータとカム機構など、操作軸１７を
軸方向に駆動できるものであれば広く利用可能である。

【００２４】また、上記巻上装置８、アクチュエータ９
などの回転ヘッド３上に載置される装置は、真空フラン
ジによって回転ヘッド３上に固定された真空チャンバで
覆った。

【００２５】剛性リング１８は、各キャッチャーアーム
１３をほぼ中間部の位置で外側から取り囲み、上記アク
チュエーター９による操作軸１７の軸方向駆動に伴って
キャッチャーアーム１３の外側に沿って上下動する。こ
の剛性リング１８は、各キャッチャーアームに荷重が作
用してもそれに抗して各キャッチャーアーム１３の拡開
を阻止する構成とした。

【００２６】剛性リング１８の内周部には各キャッチャ
ーアーム１３のカム孔１５と共働するフォロワピン１９
が設けられ、剛性リング１８の軸方向移動に伴ってフォ
ロワピン１９がカム孔１５内を移動してキャッチャーア
ーム１３の開閉運動が生起される。

【００２７】即ち、操作軸１７を上軸方向に駆動して剛
性リング１８をキャッチャーアーム１３に対して上方に
位置させたとき、フォロワピン１８はカム孔１５の上方
（ム枢支部１４側）に移動し、各キャッチャーアーム１
３の下端１６先端の互いに対向する間隔が広がって開状
態となり、逆に操作軸１７を下軸方向に駆動して剛性リ
ング１８をキャッチャーアーム１３に対して下方に位置
させたとき、フォロワピン１９はカム孔１５の下方（キ
ャッチャーアーム１３中間部側）に移動し、各キャッチ
ャーアーム１３の下端１６先端の互いに対向する間隔が
狭まり閉状態となる。

【００２８】なお、フォロワピン１９は、図３（ａ）に
示すように、回転スリーブ１９ｂとこれに貫挿されたピ
ン軸１９とからなるものとした。このような構成によっ
て、剛性リング内周面に固定されたピン軸１９ａに対し
て、回転スリーブ１９ｂが摺動回転可能となるので、フ
ォロワピン１９のカム孔１５内の移動はスムーズにな
る。

【００２９】また、各キャッチャーアーム１３の中間部
付近の外側には、剛性リング１８のそれより下への下降
を規制するための段状のストッパ部Ｘを設けておいた。

【００３０】本実施形態においては、モータ４による回
転ヘッド３の回転、リフト５の昇降は、炉１外のコンピ
ューターなどの制御部１０からの制御信号によって制御
するものとした。また、巻上装置８による引上げワイヤ
７の巻き上げや、アクチュエータ９による操作軸１７の
軸方向駆動も、スリップリング６を介して制御部１０に
よって制御する構成とした。

【００３１】以上の如き構成をもつ半導体単結晶引上炉
における単結晶引上げ動作を以下に示す。まず、初期位
置として、制御部１０からスリップリング６を介してア
クチュエータ９を制御し、操作軸１７を中空軸１２に対
して上軸方向へ駆動させ、剛性リング１８をキャッチャ
ーアーム１３の上方に移動させる。これに伴ってフォロ
ワピン１９がカム孔１５内上方へ摺動し、各キャッチャ
ーアーム１３が開状態となる。

【００３２】上記の如く各キャッチャーアーム１３を開
状態とした状況で、制御部１０からスリップリング６を
介して巻上装置８を制御し、炉１内のるつぼ２中の溶融
シリコン（溶融液回転速度０．１〜１５ｒｐｍ）に、引
上ワイヤ７の下端のカーボン製シードチャック１１に保
持された種結晶２２を接触させる。

【００３３】その後、制御部１０からモータ４を制御し
て回転ヘッド３を駆動させ、所定の回転速度約１０ｒｐ
ｍで引上げワイヤ７を軸心方向に自転させつつ、同時に
巻上装置８を制御して種結晶２０が所定の上昇速度約
３．０ｍｍ／ｍｉｎで上昇するように引上げワイヤ７を
巻き上げる。この上昇によって種結晶２０下端に直径約
５ｍｍ程度の無転位単結晶を成長せしめる。

【００３４】次いで、巻上装置８を制御して上昇速度を
約０．５ｍｍ／ｍｉｎと低下させることによって単結晶
直径を増大させる。直径が約５０ｍｍ程度にまで増大し
た後、上昇速度を約１．０ｍｍ／ｍｉｎとし、単結晶を
縮径させる。以上の操作によって単結晶頭部２１が形成
される。単結晶が直径約３０ｍｍまで減少した後、更に
巻上装置８を制御して上昇速度を約０．５ｍｍ／ｍｉｎ
と低下させて単結晶直径を製品直径（４００ｍｍ）まで
増大させる。実際には、このような単結晶直径の制御
は、例えば光反射方式等を利用して経時的に単結晶の直
径を計測し、そのデータに基づいて各駆動系相互の駆動
を制御することによって上昇及び回転速度の調整を行な
うプログラム、所謂、自動直径制御システムを用いて行
なわれる。

【００３５】くびれ部２２が形成された後、上記直径制
御システムによって所定の上昇速度を維持させながら単
結晶引上げが継続するように制御部１０から巻上装置
８、アクチュエータ９、回転ヘッド３およびリフト５を
制御しつつ、各キャッチャーアーム１３の閉状態への移
行を開始させる。このとき、各キャッチャーアーム１３
および剛性リング１８は、単結晶頭部２１に対する相対
位置関係を一定に保つようにそれぞれ中空軸１２および
操作軸１７を介して上軸方向への移動が開始される。但
し、この上軸方向への移動開始当初の字各キャチャーア
ーム１３の単結晶に対する相対位置は、後に閉状態なっ
た際の先端１６の単結晶に対向する位置が、くびれ部分
２２の各キャッチャーアーム１３によって挟持されるべ
く定められた接触位置よりも下方位置とする。

【００３６】この相対位置関係を維持しながら単結晶引
上げが継続されるなかで、まず、制御部１０からアクチ
ュエータ９を介して操作軸１７を下軸方向へ移動させて
剛性リング１８をキャッチャーアーム１３に対して下方
へ下げる。これによってフォロワピン１９もカム孔１５
内を下方へ摺動させられるため、各キャッチャーアーム
１３は閉状態へ移行する。

【００３７】このとき、各キャッチャーアーム１３の先
端は、前述のように、くびれ部２２上の挟持すべく定め
られた接触位置より下方位置に対向しており、且つ、各
キャッチャーアーム先端１６どうしの相対間隔はくびれ
部２２の前記所定の接触位置における直径に相当し、対
向するくびれ部２２表面に対して僅かな間隙を持つもの
とする。

【００３８】上記の如きキャッチャーアーム１３の閉状
態への移行が完了したら、剛性リング１８と各キャッチ
ャーアーム１３との相対位置関係を維持したまま、操作
軸１７および中空軸１２の上軸方向へのるつぼ内液面に
対する移動速度を単結晶頭部２１の液面に対する上昇速
度より早める。この速度制御によって、閉状態の各キャ
ッチャーアーム先端１６は、単結晶頭部２１に対して上
方向に相対移動し、前記くびれ部２２の予め定められた
接触位置に接触する。即ち、各キャッチャーアーム先端
１６からみると、単結晶頭部２１が落下するように下方
へ相対移動し、前記所定の接触位置でくびれ部２２をキ
ャッチすることとなる。このキャッチによって各キャッ
チャーアーム１３によるくびれ部２２の係合・挟持状態
が得られる。

【００３９】このような挟持状態が得られた時点で、剛
性リング１８と各キャッチャーアーム１３との相対位置
関係を保ちつつ、所定の回転および上昇速度での引上げ
が継続するように制御部１０から回転ヘッド３全体のリ
フト５によるボールスクリューＢに沿った上昇を制御す
る。

【００４０】なお、各キャッチャーアーム１３によるく
びれ部２２の挟持状態が得られ、上昇が始まると、単結
晶の荷重が各キャッチャーアーム１３の先端１６にかか
り、この荷重が開方向へ作用する。しかしながら、本装
置では、キャッチャーアーム１３を外側から取り囲む剛
性リング１８が荷重作用に抗してキャッチャーアーム１
３の拡開が阻止されるため、キャッチ時に急激に開方向
への荷重作用が生じた場合も、またその後の単結晶引上
げが進行して大重量が作用しても、キャッチャーアーム
１３によるくびれ部２２の係合がはずれることなく、挟
持状態が維持され、良好な単結晶引上げ作業が行なえ
る。このようなキャッチャーアーム１３によるくびれ部
２２の挟持状態での引上げ作業を進める。

【００４１】なお、上記実施の形態では、中空軸が４つ
のキャッチャーアームを有する場合を説明したが、本発
明は、これに限定されるものではなく、３つ以上であれ
ば良く、また、キャッチャーアームが多い程挟持状態が
安定することは言うまでもない。

【００４２】また、上記実施形態においては、種結晶下
の無転位化直後に単結晶頭部を形成し、この頭部下のく
びれ部を挟持位置としたが、本発明は、これに限らず、
さらに単結晶の拡径化が進んだ時点で挟持を行なっても
良い。挟持時点での単結晶の径が大きい程、挟持の際に
キャッチャーアームに係る荷重は大きくなるが、本発明
のキャッチャーアームによれば、上記のごとく確実に挟
持し、且つそれをいじすることができる。なお、キャッ
チャーアームの配列や剛性リングの径等の装置の設計
は、所望の単結晶挟持位置の径に基づいて決定する。

【００４３】

【発明の効果】本発明は以上説明したとおり、３つ以上
のキャッチャーアームでダッシュネック法による無転位
化達成後の無転位結晶を挟持した際に、大きな荷重がか
かってキャッチャーアームに開方向への作用が生じて
も、キャッチャーアームを外側から取り囲む剛性リング
が荷重作用に抗してキャッチャーアームの拡開が阻止さ
れため、キャッチャーアームによるくびれ部の挟持は剛
性リングによって常に確実に維持されるので、大重量単
結晶の場合においても良好な引上げ作業が行なえるとい
う効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態としての半導体単結晶引
上炉を示す概略構成図である。

【図２】図１の半導体単結晶引上炉の中空軸を示す説明
図である。

【図３】図１の半導体単結晶引上炉の操作軸を示す説明
図であり、（ａ）は軸全体斜視図、（ｂ）はフォロワピ
ンの拡大図である。

【符号の説明】

１：半導体結晶引上炉 ２：るつぼ ３：回転ヘッド ４：モータ ５：リフト Ｂ：ボールスクリュー ６：スリップリング ７：引上げワイヤ ８：巻上装置 ９：アクチュエータ ９ａ：ピニオン ９ｂ：ラック １０：制御部（コンピュータ） １１：シードチャック １２：中空軸 １３：キャッチャーアーム Ｘ：ストッパ １４：枢支部 １５：カム孔 １６：キャッチャーアーム先端部 １７：操作軸 １８：剛性リング １９：フォロワピン ２０：種結晶 ２１：単結晶頭部 ２２：くびれ部

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 チョクラルスキー法による半導体単結晶
   引上炉であって、 種結晶を保持するための手段を下端に有する引上げワイ
   ヤと、 引上げワイヤを巻き取るための巻上装置と、 引上げワイヤをその軸心回りに自転させるために巻上装
   置を支承する回転ヘッドと、 回転ヘッドを軸心方向に移動させるリフト装置と、 引上げワイヤを同軸状に内包し、上端が回転ヘッドに固
   定されて引上炉内に軸方向移動可能に挿入配置された中
   空軸と、 中空軸の下端外周部に枢支された上端部および種結晶の
   下部に成長するダッシュネック法による無転位化後の単
   結晶をラジアル方向から挟持するための下端部をそれぞ
   れ有する等角度間隔で配置された少なくとも三つのキャ
   ッチャーアームと、 各キャッチャーアームの中間部よりも上端側に設けられ
   たカム孔と、 各キャッチャーアームが前記単結晶を挟持した際に各キ
   ャッチャーアームに作用する荷重に抗して各キャッチャ
   ーアームの拡開を阻止するために各キャッチャーアーム
   をほぼ前記中間部の位置で外側から取り囲む剛性リング
   と、 剛性リングの内周部に設けられ、該リングの軸方向移動
   により各キャッチャーアームの開閉運動を生起すべく前
   記カム孔と共働するフォロワピンと、 前記引上げワイヤと機械的に干渉することなく前記中空
   軸内に貫通され、下端で前記剛性リングに連結された操
   作軸と、 前記剛性リングを軸方向移動すべく前記操作軸の上端部
   を前記回転ヘッド上で軸方向に駆動する操作アクチュエ
   ータ手段、とを備えたことを特徴とする半導体単結晶引
   上炉。
2. 【請求項２】 前記操作軸が前記中空軸内に同軸状に挿
   通されたパイプからなることを特徴とする請求項１に記
   載の半導体単結晶引上炉。