JPH10261584A - マスク・フィールドを備えた膜マスクの製造方法 - Google Patents
マスク・フィールドを備えた膜マスクの製造方法Info
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Classifications
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
- G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
-
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄い支持壁によって境界が区切られたマスク
・フィールドを備える膜マスクの製造方法。 【解決手段】 マスク・フィールド８と、単結晶シリコ
ン・ボディによって形成され、膜２によって被われた支
持壁１とを備えるマスクを製造する。支持壁１は本質的
に異方性プラズマ・エッチング・プロセスによって形成
し、支持壁を被覆する膜２に達する直前にウェット・エ
ッチング・ステップを行い、支持壁をシリコン・ボディ
の（１００）方向に対して平行に配置する。
・フィールドを備える膜マスクの製造方法。 【解決手段】 マスク・フィールド８と、単結晶シリコ
ン・ボディによって形成され、膜２によって被われた支
持壁１とを備えるマスクを製造する。支持壁１は本質的
に異方性プラズマ・エッチング・プロセスによって形成
し、支持壁を被覆する膜２に達する直前にウェット・エ
ッチング・ステップを行い、支持壁をシリコン・ボディ
の（１００）方向に対して平行に配置する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄い支持壁によっ
て境界を区切られたマスク・フィールドを備える膜マス
クの製造方法に関する。この膜マスクは、短波長放射を
使用する露光プロセスに適する。
て境界を区切られたマスク・フィールドを備える膜マス
クの製造方法に関する。この膜マスクは、短波長放射を
使用する露光プロセスに適する。
【０００２】
【従来の技術】複写する構造体がますます微小化するに
伴い、光リソグラフィに代わってＸ線ビーム、電子ビー
ム、およびイオン・ビームなどの短波長放射を用いた露
光プロセスが次第に使用されるようになっている。これ
らのプロセスは、露光マスクの製造または半導体ウエハ
の直接露光に使用され、１ギガビット・チップの場合に
はわずか約０．２μｍであることが望ましい構造体幅の
パターンを形成するための主要なリソグラフィ・プロセ
スになるであろう。
伴い、光リソグラフィに代わってＸ線ビーム、電子ビー
ム、およびイオン・ビームなどの短波長放射を用いた露
光プロセスが次第に使用されるようになっている。これ
らのプロセスは、露光マスクの製造または半導体ウエハ
の直接露光に使用され、１ギガビット・チップの場合に
はわずか約０．２μｍであることが望ましい構造体幅の
パターンを形成するための主要なリソグラフィ・プロセ
スになるであろう。
【０００３】従来の光リソグラフィ用のマスク基板は、
通常の光波長では透明な、比較的厚い（数ｍｍ）水晶板
から成るが、１９７０年代の初めという昔からＸ線ビー
ム、電子ビーム、およびイオン・ビーム・プロセスには
膜マスクを使用する試みがなされてきた。これによっ
て、高解像度での半導体ウエハの十分なスループットが
実現可能になる。マスクと前記３種類の短波長放射との
相互作用には、約０．１μｍから数μｍまでの厚さの膜
マスクが必要である。
通常の光波長では透明な、比較的厚い（数ｍｍ）水晶板
から成るが、１９７０年代の初めという昔からＸ線ビー
ム、電子ビーム、およびイオン・ビーム・プロセスには
膜マスクを使用する試みがなされてきた。これによっ
て、高解像度での半導体ウエハの十分なスループットが
実現可能になる。マスクと前記３種類の短波長放射との
相互作用には、約０．１μｍから数μｍまでの厚さの膜
マスクが必要である。
【０００４】イオン・ビーム・プロセス用のマスクは、
パターンとして膜に穴が必要であるのに対し、Ｘ線ビー
ムおよび電子ビーム露光では金属吸収材パターンを備え
た閉じた膜を使用することもできる。
パターンとして膜に穴が必要であるのに対し、Ｘ線ビー
ムおよび電子ビーム露光では金属吸収材パターンを備え
た閉じた膜を使用することもできる。
【０００５】この３つのいずれの場合も、フォトレジス
トに適切なパターンを書き込む電子ビーム・パターン生
成器によって膜マスクを製造する。０．５μｍより小さ
い構造体の場合、電子ビームで書き込まれたパターンの
角品質が悪く、角が丸くなる。
トに適切なパターンを書き込む電子ビーム・パターン生
成器によって膜マスクを製造する。０．５μｍより小さ
い構造体の場合、電子ビームで書き込まれたパターンの
角品質が悪く、角が丸くなる。
【０００６】次に、エッチング・プロセスによってパタ
ーンを膜または吸収材層に転写する。最も一般的に使用
されている異方性エッチング・プロセスは、正確なパタ
ーン転写、すなわち、フォトレジストにおいてすでに丸
くなっている角は膜にほとんど同じ寸法の丸み付き角と
して転写されるという特徴がある。
ーンを膜または吸収材層に転写する。最も一般的に使用
されている異方性エッチング・プロセスは、正確なパタ
ーン転写、すなわち、フォトレジストにおいてすでに丸
くなっている角は膜にほとんど同じ寸法の丸み付き角と
して転写されるという特徴がある。
【０００７】図５に示すようなシャドウ・マスクまたは
ホール・マスクではパターンが物理的な穴から成り、そ
れについてはたとえば欧州特許ＥＰ００１９７７９号ま
たはＥＰ００７８３３６号に記載されており、従来、シ
リコン基体１２によって支持されたシリコンの膜１０が
使用されてきた。シリコン膜１０上には、金のような金
属吸収層が設けられる。
ホール・マスクではパターンが物理的な穴から成り、そ
れについてはたとえば欧州特許ＥＰ００１９７７９号ま
たはＥＰ００７８３３６号に記載されており、従来、シ
リコン基体１２によって支持されたシリコンの膜１０が
使用されてきた。シリコン膜１０上には、金のような金
属吸収層が設けられる。
【０００８】ＥＰ００１９７７９号のシャドウ・マスク
の場合、ｎドーピングされたシリコン基板が、ｐドーピ
ングされた表面層、すなわち膜を有し、それを薄いクロ
ム層で被覆し、その上に金を２層被せる。この金層は、
厚さが合計して数百ｎｍ（最大約１μｍ）であり、不浸
透性マスク領域で電子を完全に減速させるために使用さ
れた。
の場合、ｎドーピングされたシリコン基板が、ｐドーピ
ングされた表面層、すなわち膜を有し、それを薄いクロ
ム層で被覆し、その上に金を２層被せる。この金層は、
厚さが合計して数百ｎｍ（最大約１μｍ）であり、不浸
透性マスク領域で電子を完全に減速させるために使用さ
れた。
【０００９】膜厚は約１〜４μｍの範囲であり、典型的
には２μｍである。この種のシリコン膜は、エッチ・ス
トップ・ドーピングを介して均一に製造することができ
る。構造体のサイズが小さくなり、膜厚が薄くなるにつ
れて、異方性プラズマ・エッチングの需要がますます大
きくなり、エッチ・ストップ・ドーピングとしてたとえ
ば約１．３×１０20ボロン原子／ｃｍ3のボロン・ドー
ピングなど、きわめて高いｐドーピングが必要である。
このエッチ・ストップ・ドーピングを使用したシリコン
膜は、多くのミスアラインメント障害を示し、機械的に
きわめて脆弱である。
には２μｍである。この種のシリコン膜は、エッチ・ス
トップ・ドーピングを介して均一に製造することができ
る。構造体のサイズが小さくなり、膜厚が薄くなるにつ
れて、異方性プラズマ・エッチングの需要がますます大
きくなり、エッチ・ストップ・ドーピングとしてたとえ
ば約１．３×１０20ボロン原子／ｃｍ3のボロン・ドー
ピングなど、きわめて高いｐドーピングが必要である。
このエッチ・ストップ・ドーピングを使用したシリコン
膜は、多くのミスアラインメント障害を示し、機械的に
きわめて脆弱である。
【００１０】図６に示すようなＸ線ビーム・リソグラフ
ィ用の閉じた膜を使用したマスクでは、パターンは膜２
０上に形成された金属製吸収材２１の形で作られる。膜
がＸ線ビームにとって透明になるように、膜の厚さはわ
ずか数μｍにされ、膜材料は透明な箇所で吸収する放射
を可能な限り少なくするために、可能な限り小さい原子
番号を持つものでなければならない。
ィ用の閉じた膜を使用したマスクでは、パターンは膜２
０上に形成された金属製吸収材２１の形で作られる。膜
がＸ線ビームにとって透明になるように、膜の厚さはわ
ずか数μｍにされ、膜材料は透明な箇所で吸収する放射
を可能な限り少なくするために、可能な限り小さい原子
番号を持つものでなければならない。
【００１１】吸収材も同様に数μｍの厚さしかなく、可
能な限り大きな原子番号を持つ。典型的な金属製吸収材
はタングステンまたは金から成り、膜としては、シリコ
ン、窒化シリコン、炭化シリコン、ＥＰ００４８２９１
号で提案されているケイ化物、または最近ではダイヤモ
ンドなどの材料が選択されている。
能な限り大きな原子番号を持つ。典型的な金属製吸収材
はタングステンまたは金から成り、膜としては、シリコ
ン、窒化シリコン、炭化シリコン、ＥＰ００４８２９１
号で提案されているケイ化物、または最近ではダイヤモ
ンドなどの材料が選択されている。
【００１２】膜の基材はシリコン・ウエハ２２であり、
これは異方性エッチングによる、まっすぐ貫通した少な
くとも１つの開口部を有し、この開口部の側壁は（１１
１）面から成りシリコン・ウエハの（１００）面に対し
て５４．７度傾斜している。
これは異方性エッチングによる、まっすぐ貫通した少な
くとも１つの開口部を有し、この開口部の側壁は（１１
１）面から成りシリコン・ウエハの（１００）面に対し
て５４．７度傾斜している。
【００１３】これらのマスクでは、膜内の不均一な機械
応力によって生じるマスクひずみの問題が現在のところ
満足のいくように解決されていない。機械ひずみは、膜
材料自体と吸収材の両方によって起こり得る。さらに、
サブミクロン範囲で反応性イオン・エッチングを使用し
て金属製吸収材を形成する困難さがある。
応力によって生じるマスクひずみの問題が現在のところ
満足のいくように解決されていない。機械ひずみは、膜
材料自体と吸収材の両方によって起こり得る。さらに、
サブミクロン範囲で反応性イオン・エッチングを使用し
て金属製吸収材を形成する困難さがある。
【００１４】数年前、「Ｐｒｏｊｅｃｔｉｏｎ ｅｌｅ
ｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ
ｎｅｗ ａｐｐｒｏａｃｈ」（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９
１，ｐ．２９９６−２９９９）でＳ．Ｄ．バーガー（Ｂ
ｅｒｇｅｒ）等によって電子ビーム投射プロセスが提案
された。これは、高エネルギー電子を使用し、新しい膜
マスク技法を必要とする。また、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ ｏｆ ＳＰＩＥ １９９５（Ｖｏｌ．２６２１，
ｐ．２４７−２５５）ではハギンズ（Ｈｕｇｇｉｎｓ）
等によって記載され、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ＳＰＩＥ １９９４（Ｖｏｌ．２３２２，ｐ．４４２−
４５１）ではＪ．Ａ．リドル（Ｌｉｄｄｌｅ）等によっ
て記載されているＳＣＡＬＰＥＬTMマスク（角度制限投
影電子ビーム・リソグラフィによる走査）は、Ｘ線ビー
ム・リソグラフィに使用する閉じた膜マスクと似てい
る。
ｃｔｒｏｎ−ｂｅａｍ ｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙ：Ａ
ｎｅｗ ａｐｐｒｏａｃｈ」（Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔ
ｅｃｈｎｏｌ．Ｂ９（６），Ｎｏｖ／Ｄｅｃ １９９
１，ｐ．２９９６−２９９９）でＳ．Ｄ．バーガー（Ｂ
ｅｒｇｅｒ）等によって電子ビーム投射プロセスが提案
された。これは、高エネルギー電子を使用し、新しい膜
マスク技法を必要とする。また、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇ
ｓ ｏｆ ＳＰＩＥ １９９５（Ｖｏｌ．２６２１，
ｐ．２４７−２５５）ではハギンズ（Ｈｕｇｇｉｎｓ）
等によって記載され、Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ
ＳＰＩＥ １９９４（Ｖｏｌ．２３２２，ｐ．４４２−
４５１）ではＪ．Ａ．リドル（Ｌｉｄｄｌｅ）等によっ
て記載されているＳＣＡＬＰＥＬTMマスク（角度制限投
影電子ビーム・リソグラフィによる走査）は、Ｘ線ビー
ム・リソグラフィに使用する閉じた膜マスクと似てい
る。
【００１５】膜と金属製吸収材層の層厚は、ＳＣＡＬＰ
ＥＬマスクの場合はより薄い。約１００ｋｅＶの電子が
両方の層に浸透するが、層上での散乱度が異なり、それ
を利用して縮小複写を行う。
ＥＬマスクの場合はより薄い。約１００ｋｅＶの電子が
両方の層に浸透するが、層上での散乱度が異なり、それ
を利用して縮小複写を行う。
【００１６】Ｘ線ビーム・リソグラフィに使用される膜
マスクとは異なり、ＳＣＡＬＰＥＬマスクはより小さい
マスク・フィールドに分割される。この分割によって支
持壁が得られ、それによって機械的安定性と温度安定性
が向上するように保証する。マスク・フィールド間の面
積損失を最小限に維持するため、薄い支持壁がウエハ面
に対して直角に配置され、（１１０）ウエハから異方性
ウェット・エッチングによって作製されている。
マスクとは異なり、ＳＣＡＬＰＥＬマスクはより小さい
マスク・フィールドに分割される。この分割によって支
持壁が得られ、それによって機械的安定性と温度安定性
が向上するように保証する。マスク・フィールド間の面
積損失を最小限に維持するため、薄い支持壁がウエハ面
に対して直角に配置され、（１１０）ウエハから異方性
ウェット・エッチングによって作製されている。
【００１７】Ｘ線ビーム・リソグラフィ・マスクと同様
に、ＳＣＡＬＰＥＬマスクでも膜または金属吸収材層あ
るいはその両方の層により応力問題が生じる。特にＰｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ １９９５（Ｖｏ
ｌ．２６２１，Ｐ．２４７−２５５）に記載されている
マスクでは、マスク・フィールドは細長いストリップで
あり、その結果、支持されていない膜部分は１ｍｍ×２
ｃｍの大きさの矩形から成る。膜は必然的に引張り応力
を受けるため、ｘ方向とｙ方向で異なる引張り応力が生
じ、それによってマスク・パターンの異方性ひずみが生
じる。
に、ＳＣＡＬＰＥＬマスクでも膜または金属吸収材層あ
るいはその両方の層により応力問題が生じる。特にＰｒ
ｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ｏｆ ＳＰＩＥ １９９５（Ｖｏ
ｌ．２６２１，Ｐ．２４７−２５５）に記載されている
マスクでは、マスク・フィールドは細長いストリップで
あり、その結果、支持されていない膜部分は１ｍｍ×２
ｃｍの大きさの矩形から成る。膜は必然的に引張り応力
を受けるため、ｘ方向とｙ方向で異なる引張り応力が生
じ、それによってマスク・パターンの異方性ひずみが生
じる。
【００１８】米国特許第５２６０１５１号に記載されて
いるＳＣＡＬＰＥＬマスクは、マスク・フィールドを互
いに区切る厚さ０．１ｍｍ高さ１．０ｍｍの支持壁が多
結晶シリコンの膜に対して垂直に配置された、約１ｍｍ
のエッジ長の正方形のマスク・フィールドを有する。こ
れによって膜内で等方性応力分布を実現する。膜を損傷
させずに異方性プラズマ・エッチング技法を使用して薄
い垂直方向の支持壁を製造することは問題があると認め
られる。
いるＳＣＡＬＰＥＬマスクは、マスク・フィールドを互
いに区切る厚さ０．１ｍｍ高さ１．０ｍｍの支持壁が多
結晶シリコンの膜に対して垂直に配置された、約１ｍｍ
のエッジ長の正方形のマスク・フィールドを有する。こ
れによって膜内で等方性応力分布を実現する。膜を損傷
させずに異方性プラズマ・エッチング技法を使用して薄
い垂直方向の支持壁を製造することは問題があると認め
られる。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、マス
ク・フィールドと薄い支持壁とを備えたマスクの単純で
経済的な製造方法を提供することである。
ク・フィールドと薄い支持壁とを備えたマスクの単純で
経済的な製造方法を提供することである。
【００２０】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、本発明に
よれば請求項１に記載の特徴によって達成される。
よれば請求項１に記載の特徴によって達成される。
【００２１】本発明による方法は、膜に対して正確に垂
直に配置された支持壁の形成を容易にし、支持壁を形成
するときに膜に損傷を与えるのを防ぐ。
直に配置された支持壁の形成を容易にし、支持壁を形成
するときに膜に損傷を与えるのを防ぐ。
【００２２】
【発明の実施の形態】図１に、薄い支持壁１によって境
界を区切られたマスク・フィールド８を備えたマスクの
概略断面図を示す。支持壁は単結晶シリコンから成り、
膜２によって被覆されている。典型的なサイズ比は図１
に示す通りである。
界を区切られたマスク・フィールド８を備えたマスクの
概略断面図を示す。支持壁は単結晶シリコンから成り、
膜２によって被覆されている。典型的なサイズ比は図１
に示す通りである。
【００２３】個々のマスク・フィールド８のエッジ長は
約１ｍｍである。支持壁は高さ約４００μｍで、膜厚は
約０．２μｍないし約２μｍの範囲である。
約１ｍｍである。支持壁は高さ約４００μｍで、膜厚は
約０．２μｍないし約２μｍの範囲である。
【００２４】膜２は、たとえば濃くドーピングしたシリ
コン層、窒化シリコン層、または図２に示すようなＳｉ
Ｏ2層３／Ｓｉ3Ｎ4層４／ＳｉＯ2層５の複合層など、様
々な材料から成ることができる。複合層と窒化シリコン
は両側を約５０ｎｍの厚さの重金属層で被覆することも
できる。
コン層、窒化シリコン層、または図２に示すようなＳｉ
Ｏ2層３／Ｓｉ3Ｎ4層４／ＳｉＯ2層５の複合層など、様
々な材料から成ることができる。複合層と窒化シリコン
は両側を約５０ｎｍの厚さの重金属層で被覆することも
できる。
【００２５】支持壁は、単結晶シリコン・ボディ１の異
方性プラズマ・エッチングによって形成する。このため
に、シリコン・ボディ内に垂直壁を有する深さ約４００
μｍの開口部をエッチングする。このエッチング中に、
約０．２μｍないし２．０μｍの厚さしかない薄膜２が
損傷を受けたり、エッチングで除去されたりしないよう
に保証するため、注意を払う必要がある。膜がたとえば
濃くドーピングされたシリコンから成る場合、プラズマ
・エッチングのためのエッチ・ストップはない。
方性プラズマ・エッチングによって形成する。このため
に、シリコン・ボディ内に垂直壁を有する深さ約４００
μｍの開口部をエッチングする。このエッチング中に、
約０．２μｍないし２．０μｍの厚さしかない薄膜２が
損傷を受けたり、エッチングで除去されたりしないよう
に保証するため、注意を払う必要がある。膜がたとえば
濃くドーピングされたシリコンから成る場合、プラズマ
・エッチングのためのエッチ・ストップはない。
【００２６】提案する方法では、図３に示すようにプラ
ズマ・ディープ・エッチングを膜２に達する直前に停止
し、膜の手前の最後の厚さ部分をウェット化学エッチン
グによって除去する。膜６は窒化シリコンのようなマス
ク層である。例えばＫＯＨを含むアルカリ性エッチング
溶液を使用すれば、高いエッチング選択比を達成するこ
とができる。なお、薄膜２のパターニングのためのエッ
チングは、シリコン・ボディ１のエッチングの前に行っ
てもよく、あるいはその後に行ってもよい。
ズマ・ディープ・エッチングを膜２に達する直前に停止
し、膜の手前の最後の厚さ部分をウェット化学エッチン
グによって除去する。膜６は窒化シリコンのようなマス
ク層である。例えばＫＯＨを含むアルカリ性エッチング
溶液を使用すれば、高いエッチング選択比を達成するこ
とができる。なお、薄膜２のパターニングのためのエッ
チングは、シリコン・ボディ１のエッチングの前に行っ
てもよく、あるいはその後に行ってもよい。
【００２７】ウェット・エッチング・ステップは側壁に
も作用し、この側方エッチング作用は結晶配向に応じて
等方または異方に実現される。支持壁１はシリコン・ボ
ディの（１００）方向に対して平行に配置される。
も作用し、この側方エッチング作用は結晶配向に応じて
等方または異方に実現される。支持壁１はシリコン・ボ
ディの（１００）方向に対して平行に配置される。
【００２８】異方性エッチング作用の場合、エッチング
される構造体を（１１０）方向に対して平行に配向させ
る。この場合、上部および下部が図４に示す（１１１）
面７によって形成され、中間部が（１１０）面によって
形成された支持壁構造体が得られる。強いエッチングを
過剰に行うことは、この種の構造体では避けるべきであ
る。
される構造体を（１１０）方向に対して平行に配向させ
る。この場合、上部および下部が図４に示す（１１１）
面７によって形成され、中間部が（１１０）面によって
形成された支持壁構造体が得られる。強いエッチングを
過剰に行うことは、この種の構造体では避けるべきであ
る。
【００２９】等方性エッチング作用は、寸法の制御がよ
り容易である。構造体１を（１１０）方向に対して４５
度回転させるかまたは（１００）面に対して平行に配向
させるならば、（１１１）面７によって限定される構造
体が回避される。
り容易である。構造体１を（１１０）方向に対して４５
度回転させるかまたは（１００）面に対して平行に配向
させるならば、（１１１）面７によって限定される構造
体が回避される。
【００３０】図７に、本明細書に記載の方法により製造
されたマスクを光透過光プリントの形で示す。マスク・
フィールドは、膜に対して直立した側壁によって境界を
区切られているかまたは枠囲いされている。１つのマス
ク・フィールドが１チップ分のパターンを含んでもよ
く、または複数のマスク・フィールドで１つのチップ・
パターンを形成するようにしてもよい。
されたマスクを光透過光プリントの形で示す。マスク・
フィールドは、膜に対して直立した側壁によって境界を
区切られているかまたは枠囲いされている。１つのマス
ク・フィールドが１チップ分のパターンを含んでもよ
く、または複数のマスク・フィールドで１つのチップ・
パターンを形成するようにしてもよい。
【００３１】図８は、マスク・フィールドを備えたマス
クの一部の電子顕微鏡に基く拡大プリントを示す。サブ
ミクロンの範囲の厚さを有する垂直側壁が格子状に示さ
れている。
クの一部の電子顕微鏡に基く拡大プリントを示す。サブ
ミクロンの範囲の厚さを有する垂直側壁が格子状に示さ
れている。
【図１】マスク・フィールドと垂直支持壁を備えたマス
クの概略断面図である。
クの概略断面図である。
【図２】マスクの他の好ましい実施態様を示す略断面図
である。
である。
【図３】支持壁の製造方法を示す図である。
【図４】支持壁の製造方法を示す図である。
【図５】現状技術で周知のホール・マスクを示す図であ
る。
る。
【図６】Ｘ線ビーム・リソグラフィ用の閉じた膜を使用
した現状技術で周知のマスクを示す図である。
した現状技術で周知のマスクを示す図である。
【図７】本発明による方法によって製造されたマスク・
フィールドを備えたマスクの光透過光プリントを示す図
である。
フィールドを備えたマスクの光透過光プリントを示す図
である。
【図８】本発明による方法によって製造されたマスク・
フィールドを備えたマスクの拡大プリントを示す図であ
る。
フィールドを備えたマスクの拡大プリントを示す図であ
る。
１ 支持壁 ２ 膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ヨハン・グレシュナー ドイツ デー−72124 プリーツハウゼン ティアガルテンヴェーク 14 (72)発明者 ザムエル・カルト ドイツ デー−72760 ロイトリンゲン キンダーホルトヴェーク 13 (72)発明者 クラウス・マイスナー ドイツ デー−71083 ヘレンベルク・カ イ イェーガーシュトラーセ ７ (72)発明者 ハンス・プファイファー アメリカ合衆国06877 コネチカット州リ ッジフィールド ケチャム・ロード 25
Claims (5)
- 【請求項１】マスク・フィールドと、単結晶シリコン・
ボディによって形成され、膜（２）によって被われた支
持壁（１）とを備えるマスクの製造方法であって、 支持壁（１）を本質的に異方性プラズマ・エッチング・
プロセスによって形成し、支持壁を被覆する膜（２）に
達する直前にウェット・エッチング・ステップを行うこ
とを特徴とする方法。 - 【請求項２】ウェット・エッチング・ステップにアルカ
リ性溶液を使用することをことを特徴とする、請求項１
に記載の方法。 - 【請求項３】支持壁（１）の高さが約４００μｍである
ことを特徴とする、請求項１または２に記載の方法。 - 【請求項４】膜（２）の厚さが約０．２μｍないし２μ
ｍであることをことを特徴とする、請求項１ないし３の
いずれか一項に記載の方法。 - 【請求項５】膜（２）が濃くドーピングされたシリコン
層、窒化シリコン層、またはＳｉＯ2／Ｓｉ3Ｎ4／Ｓｉ
Ｏ2の複合層から成り、前記窒化シリコン層および複合
層の両面が重金属層によって被覆されていることを特徴
とする、請求項１ないし４のいずれか一項に記載の方
法。
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| DE19710798.2 | 1997-03-17 | ||
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Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10261584A true JPH10261584A (ja) | 1998-09-29 |
| JP3121574B2 JP3121574B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=7823489
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5301298A Expired - Fee Related JP3121574B2 (ja) | 1997-03-17 | 1998-03-05 | マスク・フィールドを備えた膜マスクの製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5935739A (ja) |
| JP (1) | JP3121574B2 (ja) |
| DE (1) | DE19710798C1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2002343710A (ja) * | 2001-05-21 | 2002-11-29 | Sony Corp | マスクおよびその製造方法と半導体装置の製造方法 |
| US6812473B1 (en) | 1999-06-30 | 2004-11-02 | Hoya Corporation | Electron beam drawing mask blank, electron beam drawing mask, and method of manufacturing the same |
| US7445875B2 (en) | 2004-05-28 | 2008-11-04 | Hoya Corporation | Mask blank and mask for electron beam exposure |
| US7465523B2 (en) | 2002-11-05 | 2008-12-16 | Hoya Corporation | Method for manufacturing transfer mask substrate, transfer mask substrate, and transfer mask |
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| JPH11162823A (ja) * | 1997-12-01 | 1999-06-18 | Nikon Corp | マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法 |
| JP3950628B2 (ja) * | 1998-03-25 | 2007-08-01 | インスティトゥート フュア ミクロエレクトロニク シュツットガルト スティフツング デス エッフェントリッヘン レヒツ | 広範囲メンブランマスクを製造する方法 |
| KR100339186B1 (ko) * | 1998-09-28 | 2002-05-31 | 포만 제프리 엘 | 기판상에서 패턴을 규정하는 장치 및 방법 |
| US6197454B1 (en) * | 1998-12-29 | 2001-03-06 | Intel Corporation | Clean-enclosure window to protect photolithographic mask |
| US6368753B1 (en) | 1999-08-27 | 2002-04-09 | Agere Systems Guardian Corp. | Mask repair |
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| US6524754B2 (en) * | 2001-01-22 | 2003-02-25 | Photronics, Inc. | Fused silica pellicle |
| US6573980B2 (en) * | 2001-07-26 | 2003-06-03 | Micro Lithography, Inc. | Removable optical pellicle |
| US6749968B2 (en) | 2001-08-09 | 2004-06-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for fabricating a thin-membrane stencil mask and method for making a semiconductor device using the same |
| JP2004207572A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-22 | Toshiba Corp | ステンシルマスク及びマスク形成用基板並びにステンシルマスクの製造方法及びマスク形成用基板の製造方法 |
| US7214324B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-05-08 | Delphi Technologies, Inc. | Technique for manufacturing micro-electro mechanical structures |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| ATA331285A (de) * | 1985-11-13 | 1988-11-15 | Ims Ionen Mikrofab Syst | Verfahren zur herstellung einer transmissionsmaske |
| JPH0775219B2 (ja) * | 1989-01-18 | 1995-08-09 | 富士通株式会社 | Ｘ線露光マスクの製造方法 |
| US5270125A (en) * | 1989-07-11 | 1993-12-14 | Redwood Microsystems, Inc. | Boron nutride membrane in wafer structure |
| US5795684A (en) * | 1996-04-05 | 1998-08-18 | Intel Corporation | Photolithography mask and method of fabrication |
| US5798194A (en) * | 1996-05-22 | 1998-08-25 | Nikon Corporation | Masks for charged-particle beam microlithography |
-
1997
- 1997-03-17 DE DE19710798A patent/DE19710798C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-05 JP JP5301298A patent/JP3121574B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-17 US US09/040,100 patent/US5935739A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| US5935739A (en) | 1999-08-10 |
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