JPH11162823A - マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法 - Google Patents

マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法

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JPH11162823A
JPH11162823A JP33066897A JP33066897A JPH11162823A JP H11162823 A JPH11162823 A JP H11162823A JP 33066897 A JP33066897 A JP 33066897A JP 33066897 A JP33066897 A JP 33066897A JP H11162823 A JPH11162823 A JP H11162823A
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mask
silicon
etching
membrane
pattern
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JP33066897A
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Shinichi Takahashi
進一 高橋
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Original Assignee
Nikon Corp
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20—Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 圧縮応力によるメンブレンの撓みや、引っ張
り応力によるパターンの変形を抑制または解消した、マ
スク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法を提供す
ること。 【解決手段】 感応基板に転写すべきパターンが形成さ
れたメンブレン７’が支持部材Ｈにより支持されてなる
マスクにおいて、前記メンブレン７’はシリコン薄膜に
より形成され、該シリコン薄膜にはシリコンの原子半径
よりも小さい原子半径を有する不純物元素が拡散されて
なることを特徴とするマスク。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マスクパターンが
形成されるメンブレンが支持部材により支持されてなる
マスク作製用部材、感応基板（例えば、レジストが塗布
されたウェハ）に転写すべきパターンが形成されたメン
ブレンが支持部材により支持されてなるマスク（マスク
及びレチクルを含む広義のマスク）、及びそれらを製造
する方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体集積回路技術の進展は目ざ
ましく、半導体素子の微細化、高集積化の傾向も著し
い。半導体ウェハに集積回路パターンを焼き付けるため
のリソグラフィー装置としては、これまで光を用いた所
謂光ステッパー装置が一般的であった。
【０００３】しかし、回路パターンの微細化が進むにつ
れて光の解像限界が懸念され、電子線、イオンビーム、
Ｘ線を用いたリソグラフィー装置の検討、開発が近年盛
んに行われている。そして、所定パターンを有するマス
クに電子線、イオンビーム、またはＸ線を照射し、その
照射範囲にあるパターンを投影光学系によりウェハに縮
小転写する荷電粒子線縮小転写装置やＸ線縮小転写装置
が提案されている。
【０００４】かかる縮小転写装置において使用されるマ
スクのうち、例えば電子線用マスクとしては、例えば図
３、図４に示すものが知られている。図３のマスク２１
は、シリコン製のマスク基板２２に貫通孔２３が設けら
れたものであり、マスク基板２２は電子線を吸収するの
に十分な厚さ（例えば５０μｍ）にて形成される。
【０００５】マスク２１に照射された電子線は貫通孔２
３のみを通過し、その通過した電子線ＥＢを一対の投影
レンズ２４ａ、２４ｂにて感応基板（例えば、レジスト
を塗布したシリコンウェハ）２５のレジスト面に集束さ
せると、感応基板２５に貫通孔２３の形状に対応したパ
ターンが転写される。また、図４のマスク１００は、シ
リコン製のマスク基板２０の表面に散乱体３０ａのパタ
ーンを形成したものであり、マスク基板２０は電子線が
透過しやすい厚さまで薄膜化されている（メンブレ
ン）。
【０００６】このマスク１００に電子線を照射すると、
メンブレン２０のみ（メンブレンの電子線透過領域２０
ａ）を通過した電子線ＥＢ１（図に実線で示す）よりも
散乱体３０ａも通過した電子線ＥＢ２（図に二点鎖線で
示す）の方が前方散乱の程度が大きくなる。従って、投
影レンズ３５による電子線のクロスオーバ像ＣＯの近傍
にアパーチャ３７を設置すれば、感応基板１１０上で電
子線ＥＢ１、ＥＢ２の散乱の程度に応じたコントラスト
が得られる。
【０００７】図３のように、電子線を吸収するのに十分
な厚さを有する基板に貫通孔パターンが形成されたもの
を吸収ステンシルマスクと呼び、図４のように貫通孔が
存在せず、メンブレン上に散乱体パターンが形成された
ものを散乱透過マスクと呼ぶ。図３の吸収ステンシルマ
スクは、(1) 貫通孔を環状に繋げたドーナッツ状パター
ンの形成が不可能である、(2) 電子線の殆どを厚いマス
ク基板２２で吸収するため、大量の熱がマスクに発生し
てマスクの大きな熱変形（パターン歪み）を引き起こ
す、等の問題点を有する。
【０００８】これに対して散乱透過マスクは、かかるス
テンシルマスクが有する問題点を解決するものと期待さ
れている。即ち、散乱透過マスクでは、メンブレン２０
により散乱体３０ａを支持できるので、図４（ａ）のＡ
部に示すように、散乱体３０ａが島状に孤立するドーナ
ツ状パターンの形成が可能である。
【０００９】また、散乱体３０ａで完全に電子線を遮る
必要がなく、従って散乱透過マスク部分で阻止される電
子線の量が少ないため、散乱透過マスクにおける電子線
照射による発熱がステンシルマスクと比較すると抑制さ
れる。なお、前述したように、前記吸収ステンシルマス
クは、電子線の殆どを基板２２の非貫通孔部分により吸
収すべく、基板２２の厚さを大きくしているので、大量
の熱がマスクに発生してマスクの大きな熱変形（パター
ン歪み）を引き起こす。
【００１０】そこで、ステンシルマスクにおいても、電
子線が照射される基板部分の厚さを薄くしてメンブレン
とし、かかるメンブレンに貫通孔パターンを形成した散
乱ステンシルマスクとすれば、前記問題点(2) を解決す
ることができる。散乱透過マスクの上述した転写原理か
ら明らかなように、感応基板１１０に投影されるパター
ン像のコントラストを高めて高精度の露光を行うために
は、散乱体３０ａにおける荷電粒子線の吸収や散乱を増
大し、またメンブレン２０における荷電粒子線の吸収や
散乱を低減することが好ましい。
【００１１】また、散乱ステンシルマスクにおいては、
パターン歪みを引き起こすメンブレンにおける荷電粒子
線の吸収を低減することが好ましい。そこで、メンブレ
ンの厚さを低減すべく、例えば散乱透過マスクでは、メ
ンブレン２０の厚さを１０ｎｍ程度に薄く設定すること
が検討されたが、散乱体３０ａで吸収されるエネルギー
によりメンブレンの温度が上昇してマスクに歪み（ハ゜ター
ン歪み）が発生し、転写精度が劣化するおそれがあっ
た。
【００１２】特に、図４(a）のＡ部に示すように、散乱
体３０ａが島状に孤立する部分では、散乱体３０ａの熱
が逃げにくく温度上昇が激しいと考えられる。また、メ
ンブレン２０を薄くしすぎると強度が大きく低下するの
で、メンブレン２０による散乱体３０ａの支持ができな
くなる。即ち、メンブレンにおける荷電粒子線の吸収や
散乱を抑えて、しかもメンブレンの温度上昇に伴うハ゜ター
ン歪みによる転写精度の劣化を防止するためには、メン
ブレンの厚さを薄くすると共に、この薄くしたメンブレ
ンを熱的及び強度的に保持する構造が必要となる。
【００１３】そこで、荷電粒子線用の散乱透過マスクま
たは散乱ステンシルマスクとして、「感応基板に転写す
べきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小
領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分さ
れ、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマ
スク（メンブレンを熱的及び強度的に保持する構造を有
するマスク）」が使用されている。
【００１４】例えば、電子線縮小転写装置用の散乱透過
マスクとしては、感応基板（例えばレジストを塗布した
ウェハ）に転写すべきパターンをそれぞれ備えた多数の
小領域１００ａが境界領域（パターンが存在しない領
域）１００ｂにより格子状に区分され、境界領域に対応
する部分に格子状の支柱Ｘが設けられたものが使用され
ており、その一例である散乱透過マスク１００を図４に
示す。
【００１５】図４のマスク１００は、電子線を透過させ
るメンブレン２０の上面のうち、前記多数の小領域１０
０ａのそれぞれに電子線の散乱体３０ａが形成され、ま
たメンブレン２０の下面のうち、前記格子状の境界領域
１００ｂに対応する部分に格子状の支柱Ｘが設けられて
いる（図４（ｃ））。マスクの小領域１００ａに形成さ
れたパターン（一例）の平面図を図４（ａ）に、マスク
の小領域１００ａ〜感応基板１１０間における配置図を
図４（ｂ）に、それぞれ示す。
【００１６】各小領域１００ａは、感応基板１１０の１
チップ（１チップの半導体）分の領域に転写すべきパタ
ーンを分割した部分パターンをそれぞれ備えている。こ
のような電子線縮小転写用マスク１００を用いたパター
ン転写では、各小領域１００ａに対して電子線が走査さ
れ、各小領域１００ａのパターンが感応基板１１０に順
次、縮小転写される。
【００１７】次に、縮小転写装置において使用されるマ
スクのうち、例えばＸ線転写用マスクとしては、図５に
示すもの（一例）が知られている。このマスク１１はＸ
線が透過するように薄膜化されたマスク基板（メンブレ
ン）１２の片面に支柱１３が設けられ、反対面にＸ線の
吸収体１４及び遮蔽膜１５が設けられたものである。支
柱１３は、メンブレンを熱的及び強度的に保持する構造
として設けられ、これによりマスク基板（メンブレン）
１２が矩形状の複数の小領域１２ａに区分されている。
【００１８】このようなＸ線転写用マスク１１を用いた
パターン転写では、各小領域１２ａに対してＸ線がステ
ップ的に走査され、各小領域１２ａの吸収体１４の配置
に応じたパターンが不図示の光学系により感応基板１７
に順次、縮小転写される。以上のようなマスクを用いた
転写方法によれば、薄膜化されたマスク基板（メンブレ
ン）が支柱により強固に支持されるので、荷電粒子線照
射またはＸ線照射によるマスク基板のたわみや熱歪みを
抑制することができる。
【００１９】さて、これらの転写用マスクに使用するシ
リコンメンブレンは、例えば次のような方法で作製され
ており、図６に従来のシリコンメンブレンの作製方法を
図示する。従来例では、熱溶融による張り合わせ法を用
いたSOIウエハー1を用いている。また、以下の作製方法
においては、「感応基板に転写すべきパターンをメンブ
レン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが
存在しない境界領域により区分され、前記境界領域に対
応する部分に支柱が設けられたマスク（メンブレンを熱
的及び強度的に保持する構造を有するマスク）」のう
ち、一つの小領域Sと２本の支柱Hがある部分のみに着目
して製法を説明する。
【００２０】まず、支持シリコン基板２、酸化シリコン
層3、及びシリコン活性層4からなるSOIウエハーを用意
する（図６(a)参照）。次に、基板裏面にドライエッチ
ング時のエッチングマスクとしてシリコン酸化層を10μ
ｍ程度の厚さに成膜してから、シリコン酸化層の一部を
窓６パターン形状にエッチングする（図６(b)参照）。
【００２１】次に、酸化シリコン膜5をマスクとして、
シリコン支持基板2をドライエッチングする。この際、
シリコン２と酸化シリコン５とのエッチング選択比の違
いにより、シリコン支持基板2のエッチングは酸化シリ
コン層3まで行われ、酸化シリコン層3及びシリコン活性
層4がシリコン製の支柱Hにより支持され、支柱間に開口
Ｋを有する構造体が形成される（図６(c)参照）。
【００２２】次に、開口Ｋにおいて露出した酸化シリコ
ン層3をフッ酸等により除去すると、シリコン活性層4が
メンブレン４’となる（図６(d)参照）。最後に、シリ
コン活性層のメンブレン４’をパターニングすることに
より、散乱ステンシルタイプの転写マスクが完成する。
なお、本工程の最初に活性層4をパターニングしても良
い。
【００２３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６
(a)に示されたSOIウエハーは、シリコン支持基板2とシ
リコン活性層4を千数百度の温度に加熱して、熱溶融に
より両者を酸化シリコン層3を介して張り合わせ、作製
されている。ここで、前記作製工程において常温に戻っ
たときに、シリコン活性層4と酸化シリコン層3との熱膨
張係数の差により、シリコン活性層4に圧縮の熱残留応
力が生じてしまう。
【００２４】そのため、シリコン活性層4がメンブレン
（自立薄膜）４’となったときに、メンブレンが撓むと
いう大きな問題点がある。また、逆に引っ張りの応力が
強すぎると、メンブレン４’上に微細パターンを形成し
た際に、引っ張り応力によりパタ−ンに変形や破壊が生
じるという問題点もある。
【００２５】本発明は、かかる問題点に鑑みてなされた
ものであり、圧縮応力によるメンブレンの撓みや、引っ
張り応力によるパターンの変形や破壊を抑制または解消
した、マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法
を提供することを目的とする。
【００２６】
【課題を解決するための手段】そのため、本発明は第一
に、「マスクパターンが形成されるメンブレンが支持部
材により支持されてなるマスク作製用部材において、前
記メンブレンはシリコン薄膜により形成され、該シリコ
ン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小さい原子半径を
有する不純物元素が拡散されてなることを特徴とするマ
スク作製用部材（請求項１）」を提供する。
【００２７】また、本発明は第二に、「マスクパターン
が形成される多数のメンブレン上の小領域がマスクパタ
ーンが形成されない境界領域により区分され、前記境界
領域に対応する部分に支柱が設けられたマスク作製用部
材において、前記メンブレンはシリコン薄膜により形成
され、該シリコン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小
さい原子半径を有する不純物元素が拡散されてなること
を特徴とするマスク作製用部材（請求項２）」を提供す
る。
【００２８】また、本発明は第三に、「前記不純物元素
がボロン、リン、カーボンから選択された１または２以
上の元素であることを特徴とする請求項１または２記載
のマスク作製用部材（請求項３）」を提供する。また、
本発明は第四に、「感応基板に転写すべきパターンが形
成されたメンブレンが支持部材により支持されてなるマ
スクにおいて、前記メンブレンはシリコン薄膜により形
成され、該シリコン薄膜にはシリコンの原子半径よりも
小さい原子半径を有する不純物元素が拡散されてなるこ
とを特徴とするマスク（請求項４）」を提供する。
【００２９】また、本発明は第五に、「感応基板に転写
すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の
小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区分
され、前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられた
マスクにおいて、前記メンブレンはシリコン薄膜により
形成され、該シリコン薄膜にはシリコンの原子半径より
も小さい原子半径を有する不純物元素が拡散されてなる
ことを特徴とするマスク（請求項５）」を提供する。
【００３０】また、本発明は第六に、「前記不純物元素
がボロン、リン、カーボンから選択された１または２以
上の元素であることを特徴とする請求項４または５記載
のマスク（請求項６）」を提供する。また、本発明は第
七に、「マスクパターンが形成される多数のメンブレン
上の小領域がマスクパターンが形成されない境界領域に
より区分され、前記境界領域に対応する部分に支柱が設
けられたマスク作製用部材を製造する方法において、シ
リコン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッチ
ング阻止層を形成する工程と、前記エッチング阻止層の
上にシリコン薄膜層を形成する工程と、前記シリコン薄
膜層に、シリコンの原子半径よりも小さい原子半径を有
する不純物元素を拡散させる工程と、前記Ｓｉ基板の裏
面上に、前記小領域の各設定箇所に対応する開口部分を
それぞれ有するエッチングマスクパターンを形成する工
程と、前記エッチングマスクパターンを使用して、前記
シリコン基板の裏面をエッチングすることにより、複数
の支柱を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成する
とともに、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間
の開口部をそれぞれ形成する工程と、前記各開口部にお
いて露出したエッチング阻止層を除去することにより、
前記不純物元素が拡散したシリコン薄膜層からなるメン
ブレンを各開口部に露出させる工程と、を有することを
特徴とするマスク作製用部材の製造方法（請求項７）」
を提供する。
【００３１】また、本発明は第八に、「マスクパターン
が形成される多数のメンブレン上の小領域がマスクパタ
ーンが形成されない境界領域により区分され、前記境界
領域に対応する部分に支柱が設けられたマスク作製用部
材を製造する方法において、Ｓｉ活性層／酸化シリコン
層／Ｓｉ基板の３段構造を有するＳＯＩウェハを用意す
る工程と、前記Ｓｉ活性層に、シリコンの原子半径より
も小さい原子半径を有する不純物元素を拡散させる工程
と、前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所
に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスク
パターンを形成する工程と、前記エッチングマスクパタ
ーンを使用して、前記シリコン基板の裏面をエッチング
することにより、複数の支柱を前記境界領域の設定箇所
に対応させて形成するとともに、前記小領域の各設定箇
所に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する工程
と、前記各開口部において露出した酸化シリコン層を除
去することにより、前記不純物元素が拡散したＳｉ活性
層からなるメンブレンを各開口部に露出させる工程と、
を有することを特徴とするマスク作製用部材の製造方法
（請求項８）」を提供する。
【００３２】また、本発明は第九に、「前記不純物元素
がボロン、リン、カーボンから選択された１または２以
上の元素であることを特徴とする請求項７または８記載
の製造方法（請求項９）」を提供する。また、本発明は
第十に、「感応基板に転写すべきパターンをメンブレン
上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが存在
しない境界領域により区分されたマスクであり、前記境
界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスクを製造
する方法において、シリコン基板の表面にシリコンエッ
チングに対するエッチング阻止層を形成する工程と、前
記エッチング阻止層の上にシリコン薄膜層を形成する工
程と、前記シリコン薄膜層に、シリコンの原子半径より
も小さい原子半径を有する不純物元素を拡散させる工程
と、前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所
に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスク
パターンを形成する工程と、前記エッチングマスクパタ
ーンを使用して、前記シリコン基板の裏面をエッチング
することにより、複数の支柱を前記境界領域の設定箇所
に対応させて形成するとともに、前記小領域の各設定箇
所に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する工程
と、前記各開口部において露出したエッチング阻止層を
除去することにより、前記不純物元素が拡散したシリコ
ン薄膜層からなるメンブレンを各開口部に露出させる工
程と、前記メンブレン上における前記小領域の各設定箇
所に、前記転写すべきパターンをそれぞれ形成すること
により、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程
と、を有することを特徴とするマスクの製造方法（請求
項10）」を提供する。
【００３３】また、本発明は第十一に、「感応基板に転
写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数
の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区
分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に
支柱が設けられたマスクを製造する方法において、シリ
コン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッチン
グ阻止層を形成する工程と、前記エッチング阻止層の上
にシリコン薄膜層を形成する工程と、前記シリコン薄膜
層に、シリコンの原子半径よりも小さい原子半径を有す
る不純物元素を拡散させる工程と、前記シリコン薄膜層
上における前記小領域の各設定箇所に、前記転写すべき
パターンをそれぞれ形成することにより、前記多数の小
領域及び境界領域を設ける工程と、前記Ｓｉ基板の裏面
上に、前記各小領域に対応する開口部分をそれぞれ有す
るエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記エ
ッチングマスクパターンを使用して、前記シリコン基板
の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱を前記
境界領域に対応させて形成するとともに、前記各小領域
に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する工程
と、前記各開口部において露出したエッチング阻止層を
除去することにより、前記不純物元素が拡散したシリコ
ン薄膜層からなり、前記転写すべきパターンがそれぞれ
形成されたメンブレンを各開口部に露出させる工程と、
を有することを特徴とするマスクの製造方法（請求項1
1）」を提供する。
【００３４】また、本発明は第十二に、「感応基板に転
写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数
の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区
分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に
支柱が設けられたマスクを製造する方法において、Ｓｉ
活性層／酸化シリコン層／Ｓｉ基板の３段構造を有する
ＳＯＩウェハを用意する工程と、前記Ｓｉ活性層に、シ
リコンの原子半径よりも小さい原子半径を有する不純物
元素を拡散させる工程と、前記Ｓｉ基板の裏面上に、前
記小領域の各設定箇所に対応する開口部分をそれぞれ有
するエッチングマスクパターンを形成する工程と、前記
エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコン基
板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱を前
記境界領域の設定箇所に対応させて形成するとともに、
前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口部を
それぞれ形成する工程と、前記各開口部において露出し
た酸化シリコン層を除去することにより、前記不純物元
素が拡散したＳｉ活性層からなるメンブレンを各開口部
に露出させる工程と、前記メンブレン上における前記小
領域の各設定箇所に、前記転写すべきパターンをそれぞ
れ形成することにより、前記多数の小領域及び境界領域
を設ける工程と、を有することを特徴とするマスクの製
造方法（請求項12）」を提供する。
【００３５】また、本発明は第十三に、「感応基板に転
写すべきパターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数
の小領域が前記パターンが存在しない境界領域により区
分されたマスクであり、前記境界領域に対応する部分に
支柱が設けられたマスクを製造する方法において、Ｓｉ
活性層／酸化シリコン層／Ｓｉ基板の３段構造を有する
ＳＯＩウェハを用意する工程と、前記Ｓｉ活性層に、シ
リコンの原子半径よりも小さい原子半径を有する不純物
元素を拡散させる工程と、前記Ｓｉ活性層上における前
記小領域の各設定箇所に、前記転写すべきパターンをそ
れぞれ形成することにより、前記多数の小領域及び境界
領域を設ける工程と、前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記各
小領域に対応する開口部分をそれぞれ有するエッチング
マスクパターンを形成する工程と、前記エッチングマス
クパターンを使用して、前記シリコン基板の裏面をエッ
チングすることにより、複数の支柱を前記境界領域に対
応させて形成するとともに、前記各小領域に対応する各
支柱間の開口部をそれぞれ形成する工程と、前記各開口
部において露出した酸化シリコン層を除去することによ
り、前記不純物元素が拡散したＳｉ活性層からなり、前
記転写すべきパターンがそれぞれ形成されたメンブレン
を各開口部に露出させる工程と、を有することを特徴と
するマスクの製造方法（請求項13）」を提供する。
【００３６】また、本発明は第十四に、「前記不純物元
素がボロン、リン、カーボンから選択された１または２
以上の元素であることを特徴とする請求項10〜13のいず
れかに記載の製造方法（請求項14）」を提供する。ま
た、本発明は第十五に、「前記シリコン基板の裏面のエ
ッチング及び／または前記転写すべきパターンであるス
テンシルパターンの形成を異方性エッチングにより行う
ことを特徴とする請求項７〜14のいずれかに記載の製造
方法（請求項15）」を提供する。
【００３７】また、本発明は第十六に、「前記異方性エ
ッチングが側壁保護プラズマエッチングまたは極低温反
応性イオンエッチングであることを特徴とする請求項15
記載の製造方法（請求項16）」を提供する。
【００３８】
【発明の実施の形態】本発明（請求項１〜16）にかかる
マスク作製用部材、マスク及びそれらの製造方法におい
て、メンブレンはシリコン薄膜により形成され、該シリ
コン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小さい原子半径
を有する不純物元素が拡散されている。
【００３９】物質中に原子が拡散する際には、拡散する
原子が元の結晶格子の格子点位置に置換する置換型拡散
と、結晶格子の間に侵入する侵入型拡散との二つの形態
があり、どちらが起こるかは物質の種類により決まるこ
とは良く知られている。例えばボロンは、シリコン中に
置換型に拡散する物質である。L.A.Gilifalco著「結晶
中の原子の拡散」（共立出版、1980年）によれば、シリ
コンの原子半径は１．１７オンク゛ストロームであり、ボロンの
原子半径は０．８８オンク゛ストロームである。
【００４０】ボロンの原子半径は、シリコンの原子半径
の７５％しかないので、ボロン原子がシリコン結晶の格
子点に置換すると、周囲のシリコン原子を引っ張る力が
生じる。その結果、シリコン結晶中に引っ張り応力が発
生する。つまり、置換型の不純物であり、シリコン原子
半径よりも小さい原子半径を有する不純物元素を拡散す
ることにより、シリコン結晶中に引っ張り応力を生じさ
せることが可能となる。
【００４１】ボロン以外でシリコン原子半径よりも小さ
い原子半径を有する置換型の原子としては、リン、カー
ボン等が上げられる。リンの原子半径は１．１０オンク゛スト
ロームでシリコンの原子半径の９４％であり、カーボンの
原子半径は０．６６オンク゛ストロームでシリコンの原子半径の
６６％である。
【００４２】このようにして生じる引っ張り応力は、シ
リコン中の不純物濃度が高いほど大きくなる。例えば、
単結晶Ｓｉ中にボロン原子を１０20個／ｃｍ3（約０．
１atomic％）導入すると、約１００ＭＰａ程度の引っ張
り応力が発生する。一方、熱溶融により作製されたSOI
ウエハーの活性層は、前述したシリコン活性層と酸化シ
リコン層との熱膨張係数の差により、圧縮応力を持って
いる。このSOIウエハー活性層の内部応力の大きさは、S
OIウエハーの製作条件にもよるが、数十から数百ＭＰａ
程度である。
【００４３】本発明では、シリコン原子半径よりも小さ
い原子半径を有し、置換型の不純物元素（例えばボロン
等）をシリコン薄膜（メンブレン）中に拡散させること
（置換型拡散）により生じる引っ張り応力と、例えば前
記熱膨張係数の差によるシリコン薄膜（メンブレン）中
の残留圧縮応力とが相殺されて、所望の引っ張り応力を
有するシリコン薄膜（メンブレン）となる。
【００４４】即ち、シリコン薄膜（メンブレン）の引っ
張り応力は、不純物濃度の増加とともに増大するので、
不純物濃度を調整することにより、シリコン薄膜（メン
ブレン）の内部応力を圧縮応力から引っ張り応力まで自
由に変化させる（制御する）ことができる。前述したよ
うに、本発明（請求項１〜16）にかかるマスク作製用部
材、マスク及びそれらの製造方法において、メンブレン
はシリコン薄膜により形成され、該シリコン薄膜にはシ
リコンの原子半径よりも小さい原子半径を有する不純物
元素が拡散されており、シリコン薄膜（メンブレン）の
内部応力を圧縮応力から引っ張り応力まで自由に制御す
ることができる。
【００４５】従って、本発明（請求項１〜16）によれ
ば、圧縮応力によるメンブレンの撓みや、引っ張り応力
によるパターンの変形を抑制または解消した、マスク作
製用部材、マスク及びそれらの製造方法を提供できる。
本発明にかかる不純物元素としては、ボロン、リン、カ
ーボンから選択された１または２以上の元素が使用可能
である（請求項３，６，９，14）。
【００４６】即ち、ボロン、リン、カーボン等のシリコ
ン原子半径よりも小さい原子半径を有し、置換型の不純
物は、それぞれシリコン原子半径に対する原子半径の割
合が異なるので、これらの不純物を組み合わせて拡散す
ることによっても、シリコン薄膜の内部応力の制御が可
能となる。また、本発明にかかる、シリコン基板の裏面
のエッチング及び／または転写すべきパターンであるス
テンシルパターンの形成は、異方性エッチングにより行
うことが好ましい（請求項15）。
【００４７】かかる構成にすると、メンブレンと直交ま
たは略直交する壁面を有する支柱が形成されるので、パ
ターン形成に関与しない境界領域が占める割合を低減し
た（大型化を抑制した）マスク作製用部材またはマスク
を製造することができる。即ち、本発明（請求項15）に
よれば、支柱の壁面がメンブレンに対して傾斜して形成
された場合と比較すると支柱の幅が小さくなるので、マ
スク上をパターン形成に関与しない境界領域が占める割
合も小さくなり、マスクの大型化を抑制することができ
る。
【００４８】そのため、マスクの大型化に伴う、マスク
への照射光学系のフィールド拡大や、マスクステージの
可動範囲の増大等の弊害も発生しない。また、分割転写
を行う場合におけるマスクの大型化に伴う偏向歪みの増
大により、転写精度が悪化するという弊害も発生しな
い。そして、本発明（請求項15）によれば、マスク上を
パターン形成に関与しない境界領域が占める割合が低減
されるので、より集積度が高いチップパターンをウェハ
上に転写するためのマスクを製造することができる。
【００４９】本発明にかかる異方性エッチングとして
は、側壁保護プラズマエッチングまたは極低温反応性イ
オンエッチングが使用できる（請求項16）。以下、本発
明を実施例により更に具体的に説明するが、本発明はこ
の実施例に限定されるものではない。
【００５０】
【実施例】本実施例のマスクは、感応基板に転写すべき
パターンをメンブレン上にそれぞれ備えた多数の小領域
が前記パターンが存在しない境界領域により区分され、
前記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスク
であり、前記メンブレン７’はシリコン活性層７により
形成され、該活性層７にはシリコンの原子半径よりも小
さい原子半径を有するボロン（不純物元素）が拡散され
てなる。
【００５１】なお、以下においては、前記構造を有する
マスクのうち、一つの小領域Sと２本の支柱Hがある部分
（一部分）のみに着目して構造及び製法の説明を行う。
図1に本実施例の転写マスク（散乱ステンシルタイプ）
の前記一部分を示す。本実施例の転写マスクは、張り合
わせのSOIウエハーを用いて作製されている。また、本
実施例の転写マスクは、ボロンを5×1020／ｃｍ3（約
０．５atomic％）拡散したシリコン活性層からなるメン
ブレン７’と、該メンブレン７’を支持する部材である
シリコン製の支柱Ｈ（シリコン支持基板2をエッチンク゛した
もの）と、シリコン支持基板2をエッチングして開口Ｋ
及び支柱Ｈを形成する際のエッチングストッパーとして
機能する酸化シリコン層3と、により構成されている。
【００５２】シリコン活性層（メンブレン）7’上に
は、電子線、イオンビーム、Ｘ線等に対する所望パター
ン形状の貫通孔8のパターンが設けられている。従来の
ように、ボロンを拡散していないSOIウエハーを用いた
転写マスクでは、活性層が約100MPaの圧縮応力を有する
ために、メンブレンが撓んでしまうが、本実施例の転写
マスクでは、約5MPaの引っ張り応力となっている。
【００５３】そのため、本実施例の転写マスクでは、自
重による撓みが抑えられ、またパターニング後の残留応
力によるパターン形状の位置ズレも10nm以下となってい
る。即ち、本実施例のマスクによれば、圧縮応力による
メンブレンの撓みや、引っ張り応力によるパターンの変
形の問題が解消されている。次に、本実施例の転写マス
クを作製する方法について図2を引用して説明する。
まず、従来の張り合わせSOIウエハー１を用意する（図2
(a)参照）。
【００５４】次に、ボロンを5×1020／ｃｍ3（約０．５
atomic％）、熱拡散炉内でシリコン活性層4中に拡散す
ることにより、シリコン支持基板2上に酸化シリコン層3
を介して、ボロンが拡散されたシリコン活性層7が形成
された部材が得られる（図2(b)参照）。次に、基板裏面
にシリコン酸化膜を10μｍ程度成膜し、さらにシリコン
酸化膜の一部を窓（開口）６パターン形状にエッチング
することにより、ドライエッチング用マスク５を形成す
る（図2(c)参照）。
【００５５】次に、開口６を有する酸化シリコン膜5を
マスクとして、シリコン支持基板2をドライエッチング
する。この際、シリコン２と酸化シリコン５とのエッチ
ング選択比の差により、シリコン支持基板2のエッチン
グは酸化シリコン層3まで行われる。こうして、高濃度
のボロンが拡散されたシリコン活性層7とエッチングス
トッパーに用いた酸化シリコン層3との2層の薄膜からな
るメンブレンがシリコン製の支柱Ｈにより支持された部
材が作製される（図2(ｄ)参照）。
【００５６】シリコン支持基板２の前記エッチングは、
シリコン支持基板2と酸化シリコン膜（エッチンク゛マスク）5及
び酸化シリコン層（エッチンク゛ストッハ゜ー）3との選択比が大き
い方法なら特に限定されないが、側壁保護プラズマエッ
チングまたは極低温反応性イオンエッチングを使用する
と、異方性エッチングができるので好ましい。即ち、異
方性エッチングすると、メンブレンと直交または略直交
する壁面を有する支柱が形成されるので、パターン形成
に関与しない境界領域が占める割合を低減した（大型化
を抑制した）マスク作製用部材を作製することができ
る。
【００５７】次に、酸化シリコン層3をフッ酸等で除去
すると、高濃度のボロンが拡散されて引っ張り応力を有
するシリコンメンブレン層7’が開口部Ｋにおいて露出
する（図2(e)参照）。なお、酸化シリコン層3の除去
は、フッ酸による方法に限定されず、他の手法を用いて
も構わない。最後に、シリコンメンブレン7’をパター
ニングしてステンシルハ゜ターンを形成することにより、散乱ステ
ンシルタイプの転写マスクが完成する。なお、本工程の
最初に活性層4をパターニングしても構わない。
【００５８】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
圧縮応力によるメンブレンの撓みや、引っ張り応力によ
るパターンの変形を抑制または解消した、マスク作製用
部材、マスク及びそれらの製造方法を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】は、実施例にかかる散乱ステンシルマスク（一部）の概
略断面図である。
【図２】は、実施例にかかる散乱ステンシルマスクを製造する方
法を示す工程図（一部）である。
【図３】は、吸収ステンシルマスク21と、これを用いた転写原理
の概略を示す図である。
【図４】は、格子状の支柱Ｘを設けた従来の散乱透過マ
スク１００と、該マスクの小領域１００ａ〜ウェハ１１
０間における配置を示す図であり、（ａ）が該マスクの
小領域１００ａを示す平面図、（ｂ）が前記配置を示す
図、（ｃ）が該マスクの部分斜視図（一部断面図）であ
る。
【図５】は、メンブレン１２に対して傾斜した壁面１３
ａを有する支柱１３を設けた従来のＸ線転写用マスクを
示す側面図（ａ）と、このＸ線転写用マスクを用いて行
うパターンの分割転写を模式的に示す図（ｂ）である。
【図６】は、従来のステンシルマスクを製造する方法を示す工程
図（一部）である。
【符号の説明】
１・・・SOIウエハー ２・・・シリコン支持基板 ３・・・酸化シリコン層 ４・・・シリコン活性層 ５・・・酸化シリコン膜（エッチンク゛マスク用） ６・・・窓（開口） ７・・・高濃度不純物が拡散されたシリコン活性層 ７’・・メンブレン ８・・・パターニングされた貫通孔 １１・・・ Ｘ線転写用マスク １２・・・ マスク基板（メンブレン） １２ａ・・・ 感応基板１７に転写すべきパターンを備
えた小領域 １３・・・ メンブレンに対して傾斜した壁面１３ａ
を有する支柱 １３ａ・・・ メンブレンに対して傾斜した支柱の壁面 １４・・・ パターン化されたＸ線吸収体 １５・・・ Ｘ線遮蔽膜 １７・・・ 感応基板 ２０・・ マスク基板（メンブレン） ２０ａ・・・電子線透過領域 ２１・・ 吸収ステンシルマスク（電子線縮小転写用マ
スク） ２２・・ マスク基板 ２３・・ 貫通孔 ２４・・ 投影レンズ（２４ａ，２４ｂ） ２５・・ 感応基板 ３０・・ 散乱体または吸収体 ３０ａ・・パターン化された散乱体または吸収体 ３５・・・投影レンズ ３６・・・投影レンズ ３７・・・アパーチャー ３７ａ・・・貫通孔 １００・・・散乱透過マスク（電子線縮小転写用マス
ク） １００ａ・・感応基板に転写すべきパターンを備えた小
領域 １００ｂ・・境界領域 １１０・・・感応基板 Ａ・・・島状の散乱体 Ｈ・・・支柱 Ｋ・・・開口 Ｓ・・・小領域 ＣＯ・・クロスオーバ像 以上

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 マスクパターンが形成されるメンブレン
    が支持部材により支持されてなるマスク作製用部材にお
    いて、 前記メンブレンはシリコン薄膜により形成され、該シリ
    コン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小さい原子半径
    を有する不純物元素が拡散されてなることを特徴とする
    マスク作製用部材。
  2. 【請求項２】 マスクパターンが形成される多数のメン
    ブレン上の小領域がマスクパターンが形成されない境界
    領域により区分され、前記境界領域に対応する部分に支
    柱が設けられたマスク作製用部材において、 前記メンブレンはシリコン薄膜により形成され、該シリ
    コン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小さい原子半径
    を有する不純物元素が拡散されてなることを特徴とする
    マスク作製用部材。
  3. 【請求項３】 前記不純物元素がボロン、リン、カーボ
    ンから選択された１または２以上の元素であることを特
    徴とする請求項１または２記載のマスク作製用部材。
  4. 【請求項４】 感応基板に転写すべきパターンが形成さ
    れたメンブレンが支持部材により支持されてなるマスク
    において、 前記メンブレンはシリコン薄膜により形成され、該シリ
    コン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小さい原子半径
    を有する不純物元素が拡散されてなることを特徴とする
    マスク。
  5. 【請求項５】 感応基板に転写すべきパターンをメンブ
    レン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが
    存在しない境界領域により区分され、前記境界領域に対
    応する部分に支柱が設けられたマスクにおいて、 前記メンブレンはシリコン薄膜により形成され、該シリ
    コン薄膜にはシリコンの原子半径よりも小さい原子半径
    を有する不純物元素が拡散されてなることを特徴とする
    マスク。
  6. 【請求項６】 前記不純物元素がボロン、リン、カーボ
    ンから選択された１または２以上の元素であることを特
    徴とする請求項４または５記載のマスク。
  7. 【請求項７】 マスクパターンが形成される多数のメン
    ブレン上の小領域がマスクパターンが形成されない境界
    領域により区分され、前記境界領域に対応する部分に支
    柱が設けられたマスク作製用部材を製造する方法におい
    て、 シリコン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッ
    チング阻止層を形成する工程と、 前記エッチング阻止層の上にシリコン薄膜層を形成する
    工程と、 前記シリコン薄膜層に、シリコンの原子半径よりも小さ
    い原子半径を有する不純物元素を拡散させる工程と、 前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所に対
    応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパタ
    ーンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
    ン基板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱
    を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するととも
    に、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口
    部をそれぞれ形成する工程と、 前記各開口部において露出したエッチング阻止層を除去
    することにより、前記不純物元素が拡散したシリコン薄
    膜層からなるメンブレンを各開口部に露出させる工程
    と、を有することを特徴とするマスク作製用部材の製造
    方法。
  8. 【請求項８】 マスクパターンが形成される多数のメン
    ブレン上の小領域がマスクパターンが形成されない境界
    領域により区分され、前記境界領域に対応する部分に支
    柱が設けられたマスク作製用部材を製造する方法におい
    て、 Ｓｉ活性層／酸化シリコン層／Ｓｉ基板の３段構造を有
    するＳＯＩウェハを用意する工程と、 前記Ｓｉ活性層に、シリコンの原子半径よりも小さい原
    子半径を有する不純物元素を拡散させる工程と、 前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所に対
    応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパタ
    ーンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
    ン基板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱
    を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するととも
    に、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口
    部をそれぞれ形成する工程と、 前記各開口部において露出した酸化シリコン層を除去す
    ることにより、前記不純物元素が拡散したＳｉ活性層か
    らなるメンブレンを各開口部に露出させる工程と、を有
    することを特徴とするマスク作製用部材の製造方法。
  9. 【請求項９】 前記不純物元素がボロン、リン、カーボ
    ンから選択された１または２以上の元素であることを特
    徴とする請求項７または８記載の製造方法。
  10. 【請求項10】 感応基板に転写すべきパターンをメンブ
    レン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが
    存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前
    記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスクを
    製造する方法において、 シリコン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッ
    チング阻止層を形成する工程と、 前記エッチング阻止層の上にシリコン薄膜層を形成する
    工程と、 前記シリコン薄膜層に、シリコンの原子半径よりも小さ
    い原子半径を有する不純物元素を拡散させる工程と、 前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所に対
    応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパタ
    ーンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
    ン基板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱
    を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するととも
    に、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口
    部をそれぞれ形成する工程と、 前記各開口部において露出したエッチング阻止層を除去
    することにより、前記不純物元素が拡散したシリコン薄
    膜層からなるメンブレンを各開口部に露出させる工程
    と、 前記メンブレン上における前記小領域の各設定箇所に、
    前記転写すべきパターンをそれぞれ形成することによ
    り、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、を
    有することを特徴とするマスクの製造方法。
  11. 【請求項11】 感応基板に転写すべきパターンをメンブ
    レン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが
    存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前
    記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスクを
    製造する方法において、 シリコン基板の表面にシリコンエッチングに対するエッ
    チング阻止層を形成する工程と、 前記エッチング阻止層の上にシリコン薄膜層を形成する
    工程と、 前記シリコン薄膜層に、シリコンの原子半径よりも小さ
    い原子半径を有する不純物元素を拡散させる工程と、 前記シリコン薄膜層上における前記小領域の各設定箇所
    に、前記転写すべきパターンをそれぞれ形成することに
    より、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、 前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記各小領域に対応する開口
    部分をそれぞれ有するエッチングマスクパターンを形成
    する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
    ン基板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱
    を前記境界領域に対応させて形成するとともに、前記各
    小領域に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する
    工程と、 前記各開口部において露出したエッチング阻止層を除去
    することにより、前記不純物元素が拡散したシリコン薄
    膜層からなり、前記転写すべきパターンがそれぞれ形成
    されたメンブレンを各開口部に露出させる工程と、を有
    することを特徴とするマスクの製造方法。
  12. 【請求項12】 感応基板に転写すべきパターンをメンブ
    レン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが
    存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前
    記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスクを
    製造する方法において、 Ｓｉ活性層／酸化シリコン層／Ｓｉ基板の３段構造を有
    するＳＯＩウェハを用意する工程と、 前記Ｓｉ活性層に、シリコンの原子半径よりも小さい原
    子半径を有する不純物元素を拡散させる工程と、 前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記小領域の各設定箇所に対
    応する開口部分をそれぞれ有するエッチングマスクパタ
    ーンを形成する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
    ン基板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱
    を前記境界領域の設定箇所に対応させて形成するととも
    に、前記小領域の各設定箇所に対応する各支柱間の開口
    部をそれぞれ形成する工程と、 前記各開口部において露出した酸化シリコン層を除去す
    ることにより、前記不純物元素が拡散したＳｉ活性層か
    らなるメンブレンを各開口部に露出させる工程と、 前記メンブレン上における前記小領域の各設定箇所に、
    前記転写すべきパターンをそれぞれ形成することによ
    り、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、を
    有することを特徴とするマスクの製造方法。
  13. 【請求項13】 感応基板に転写すべきパターンをメンブ
    レン上にそれぞれ備えた多数の小領域が前記パターンが
    存在しない境界領域により区分されたマスクであり、前
    記境界領域に対応する部分に支柱が設けられたマスクを
    製造する方法において、 Ｓｉ活性層／酸化シリコン層／Ｓｉ基板の３段構造を有
    するＳＯＩウェハを用意する工程と、 前記Ｓｉ活性層に、シリコンの原子半径よりも小さい原
    子半径を有する不純物元素を拡散させる工程と、 前記Ｓｉ活性層上における前記小領域の各設定箇所に、
    前記転写すべきパターンをそれぞれ形成することによ
    り、前記多数の小領域及び境界領域を設ける工程と、 前記Ｓｉ基板の裏面上に、前記各小領域に対応する開口
    部分をそれぞれ有するエッチングマスクパターンを形成
    する工程と、 前記エッチングマスクパターンを使用して、前記シリコ
    ン基板の裏面をエッチングすることにより、複数の支柱
    を前記境界領域に対応させて形成するとともに、前記各
    小領域に対応する各支柱間の開口部をそれぞれ形成する
    工程と、 前記各開口部において露出した酸化シリコン層を除去す
    ることにより、前記不純物元素が拡散したＳｉ活性層か
    らなり、前記転写すべきパターンがそれぞれ形成された
    メンブレンを各開口部に露出させる工程と、を有するこ
    とを特徴とするマスクの製造方法。
  14. 【請求項14】 前記不純物元素がボロン、リン、カーボ
    ンから選択された１または２以上の元素であることを特
    徴とする請求項10〜13のいずれかに記載の製造方法。
  15. 【請求項15】 前記シリコン基板の裏面のエッチング及
    び／または前記転写すべきパターンであるステンシルパ
    ターンの形成を異方性エッチングにより行うことを特徴
    とする請求項７〜14のいずれかに記載の製造方法。
  16. 【請求項 16】 前記異方性エッチングが側壁保護プラ
    ズマエッチングまたは極低温反応性イオンエッチングで
    あることを特徴とする請求項15記載の製造方法。
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