JPH10257686A - 過電流検出回路 - Google Patents

過電流検出回路

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JPH10257686A
JPH10257686A JP5947497A JP5947497A JPH10257686A JP H10257686 A JPH10257686 A JP H10257686A JP 5947497 A JP5947497 A JP 5947497A JP 5947497 A JP5947497 A JP 5947497A JP H10257686 A JPH10257686 A JP H10257686A
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transistor
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overcurrent
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JP5947497A
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Inventor
Naoki Nagase
直木 長瀬
Hidenobu Ito
秀信 伊藤
Kunihiro Matsubara
邦博 松原
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Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu VLSI Ltd
Fujitsu Ltd
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  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】出力電流値を正確に検出し得る過電流検出回路
を提供する。 【解決手段】出力トランジスタTr11 の出力電流を制御
するために制御回路14から出力される制御信号で、過
電流検出用トランジスタTr12 の出力電流が制御され、
過電流検出用トランジスタTr12 の出力電流に基づい
て、出力トランジスタTr11 の出力過電流が検出回路1
3により検出され、検出回路13から検出信号が制御回
路14に出力される。出力トランジスタTr11 及び過電
流検出用トランジスタTr12 がバイポーラトランジスタ
で構成され、出力トランジスタTr11及び過電流検出用
トランジスタTr12 のエミッタに電源が供給され、出力
トランジスタTr11 及び過電流検出用トランジスタTr1
2 のコレクタ間には、出力トランジスタTr11 及び過電
流検出用トランジスタTr12 のコレクタ・エミッタ間電
圧を同一値とするレベル調整回路15が設けられる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、バッテリーを充
電する充電装置の出力過電流を検出する過電流検出回路
に関するものである。
【0002】バッテリーを電源として動作する携帯用電
子機器は、バッテリーの長寿命化を図るために、電源電
圧の低電圧化を図ることにより低消費電力化が図られて
いる。このような低電圧バッテリーを充電するための充
電装置は、バッテリーを低電圧で安定して充電する必要
がある。そして、このような充電装置に備えられた過電
流検出回路も低電圧で安定して動作することが必要とな
っている。
【0003】
【従来の技術】従来のバッテリー充電装置の一例を図6
に示す。PNPトランジスタで構成される出力トランジ
スタTr1のエミッタには、電源Vccが供給され、コレク
タは出力端子To に接続されるとともに、負荷抵抗RL
を介してグランドGNDに接続される。
【0004】前記出力トランジスタTr1のベースには、
出力制御信号CSが入力され、その出力制御信号CSは
制御回路1の出力信号に基づいて、制御信号生成部2で
生成される。そして、出力制御信号CSに基づいて、出
力端子To から定電圧の出力信号Vout が出力される。
【0005】前記制御信号CSは、PNPトランジスタ
で構成される過電流検出用トランジスタTr2のベースに
も入力され、そのトランジスタTr2のエミッタには電源
Vccが供給され、コレクタは検出回路3に接続される。
前記検出回路3は過電流検出用トランジスタTr2のコレ
クタ電流を検出し、そのコレクタ電流があらかじめ設定
された許容値を越えると、検出信号を前記制御回路1に
出力する。
【0006】このような構成により、出力トランジスタ
Tr1と、過電流検出用トランジスタTr2は、共通の出力
制御信号CSで制御されて、カレントミラー動作を行
う。そして、制御回路1の動作に基づいて生成される出
力制御信号CSにより、出力トランジスタTr1から定電
圧の出力信号Vout が出力される。
【0007】また、あらかじめ設定された許容電流を越
える過電流が出力トランジスタTr1から出力されると
き、その出力トランジスタTr1とカレントミラー動作す
る過電流検出用トランジスタTr2のコレクタ電流が検出
回路3で検出される。そして、検出回路3の検出信号に
基づいて、制御回路1から出力される出力制御信号CS
が調整され、出力トランジスタTr1から出力される過電
流が抑制される。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】上記のような過電流検
出回路では、出力トランジスタTr1のコレクタ・エミッ
タ間電圧VCEaは、電源Vccと出力信号Vout との電位
差であり、過電流検出用トランジスタTr2のコレクタ・
エミッタ間電圧VCEbは、電源Vccと検出回路3の入力
端子電位との電位差であって、一致していない。
【0009】従って、図7に示すように、アーリー効果
によりカレントミラー比に差が生じるため、出力トラン
ジスタTr1のコレクタ電流Icaと、過電流検出用トラン
ジスタTr2とのコレクタ電流Icbとに差が生じる。
【0010】また、電源Vccが低電圧化されると、電源
Vccと出力信号Vout との電位差がさらに小さくなっ
て、出力トランジスタTr1が飽和することがある。する
と、出力トランジスタTr1の電流増幅率が大きく低下し
て、カレントミラー比の劣化がさらに大きくなる。
【0011】従って、出力トランジスタTr1のコレクタ
電流Icaと、過電流検出用トランジスタTr2のコレクタ
電流Icbとの誤差が大きくなるため、過電流検出用トラ
ンジスタTr2のコレクタ電流値を検出しても、出力トラ
ンジスタTr1から出力される出力電流を正確には検出す
ることができないという問題点がある。
【0012】この発明の目的は、出力電流値を正確に検
出し得る過電流検出回路を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】図1は請求項1の原理説
明図である。すなわち、出力トランジスタTr11 の出力
電流を制御するために制御回路14から出力される制御
信号で、過電流検出用トランジスタTr12 の出力電流が
制御され、前記過電流検出用トランジスタTr12 の出力
電流に基づいて、前記出力トランジスタTr11 の出力過
電流が検出回路13により検出され、前記検出回路13
から検出信号が前記制御回路14に出力される。前記出
力トランジスタTr11 及び過電流検出用トランジスタT
r12 がバイポーラトランジスタで構成され、前記出力ト
ランジスタTr11 及び過電流検出用トランジスタTr12
のエミッタに電源が供給され、前記出力トランジスタT
r11 及び過電流検出用トランジスタTr12 のコレクタ間
には、前記出力トランジスタTr11 及び過電流検出用ト
ランジスタTr12 のコレクタ・エミッタ間電圧を同一値
とするレベル調整回路15が設けられる。
【0014】請求項2では、前記レベル調整回路は、前
記出力トランジスタのコレクタと、過電流検出用トラン
ジスタのコレクタとを、複数のトランジスタのベース・
エミッタ間電圧を介して接続することにより、同電位と
する。
【0015】請求項3では、前記レベル調整回路を構成
する複数のトランジスタは、各トランジスタに流れるコ
レクタ電流を一致させるカレントミラー回路を構成する
第一のトランジスタ群と、前記出力トランジスタ及び過
電流検出用トランジスタのコレクタと、前記第一のトラ
ンジスタ群とを、それぞれベース・エミッタ間電圧を介
して接続する第二のトランジスタ群とから構成され、前
記第一のトランジスタ群及び第二のトランジスタ群の一
方がPNPトランジスタで構成され、他方がNPNトラ
ンジスタで構成される。
【0016】請求項4では、出力トランジスタの出力電
流を制御するために制御回路から出力される制御信号
で、過電流検出用トランジスタの出力電流が制御され、
前記過電流検出用トランジスタの出力電流に基づいて、
前記出力トランジスタの出力過電流が検出回路により検
出され、前記検出回路から検出信号が前記制御回路に出
力される。前記出力トランジスタ及び過電流検出用トラ
ンジスタがMOSトランジスタで構成され、前記出力ト
ランジスタ及び過電流検出用トランジスタのソースに電
源が供給され、前記出力トランジスタ及び過電流検出用
トランジスタのドレイン間には、前記出力トランジスタ
及び過電流検出用トランジスタのドレイン・ソース間電
圧を同一値とするレベル調整回路がを設けられる。
【0017】(作用)請求項1では、出力トランジスタ
Tr11 と過電流検出用トランジスタTr12 のコレクタ・
エミッタ間電圧が常時一致して、両トランジスタTr11
,Tr12 のコレクタ電流値が同一となる。
【0018】請求項2では、出力トランジスタのコレク
タと過電流検出用トランジスタのコレクタとが、複数の
トランジスタのベース・エミッタ間電圧を介して接続さ
れて、同電位になる。
【0019】請求項3では、出力トランジスタのコレク
タと過電流検出用トランジスタのコレクタとを接続する
トランジスタの製造ばらつきが相殺されて、出力トラン
ジスタのコレクタと過電流検出用トランジスタのコレク
タとが同電位となる。
【0020】請求項4では、出力トランジスタと過電流
検出用トランジスタのソース・ドレイン間電圧が常時一
致して、出力トランジスタと過電流検出用トランジスタ
のドレイン電流値が同一となる。
【0021】
【発明の実施の形態】
(第一の実施の形態)図2は、この発明を具体化した過
電流検出回路を備えた充電装置の第一の実施の形態を示
す。PNPトランジスタで構成される出力トランジスタ
Tr11 は、エミッタに電源Vccが供給され、コレクタは
出力端子To に接続されるとともに、出力帰還抵抗R
1,R2を介してグランドGNDに接続される。
【0022】PNPトランジスタで構成される過電流検
出用トランジスタTr12 は、エミッタに電源Vccが供給
される。前記出力トランジスタTr11 のコレクタは、N
PNトランジスタTr13 のベースに接続され、同トラン
ジスタTr13 のコレクタは電源Vccに接続され、エミッ
タはPNPトランジスタTr14 のエミッタに接続され
る。
【0023】前記トランジスタTr12 のコレクタは、N
PNトランジスタTr15 のコレクタ及びベースに接続さ
れ、同トランジスタTr15 のエミッタはPNPトランジ
スタTr16 のエミッタに接続される。
【0024】前記トランジスタTr14 ,Tr16 のベース
は、互いに接続されるとともに、同トランジスタTr14
のコレクタに接続され、同トランジスタTr14 のコレク
タは電流源11aに接続される。従って、トランジスタ
Tr14 ,Tr16 はカレントミラー回路を構成する。
【0025】前記トランジスタTr16 のコレクタは、N
PNトランジスタTr18 のベースに接続されるととも
に、抵抗R3を介してグランドGNDに接続される。前
記トランジスタTr18 のエミッタは、グランドGNDに
接続されるとともに、コレクタはオペアンプ12の出力
端子に接続される。
【0026】前記トランジスタTr11 とトランジスタT
r12 、前記トランジスタTr15 とトランジスタTr13 、
前記トランジスタTr14 とトランジスタTr16 とはそれ
ぞれそのサイズが同一に設定される。そして、前記トラ
ンジスタTr18 及び抵抗R3で前記出力トランジスタT
r11 の出力過電流を検出する検出回路13が構成され、
前記トランジスタTr13 〜Tr16 及び電流源11aでレ
ベル調整回路15が構成される。
【0027】前記オペアンプ12の出力信号は、NPN
トランジスタTr17 のベースに出力され、同トランジス
タTr17 のエミッタはグランドGNDに接続されるとと
もに、コレクタは前記トランジスタTr11 ,Tr12 のベ
ースに接続される。
【0028】前記オペアンプ12のプラス側入力端子に
は基準電圧Vsが入力され、マイナス側入力端子には抵
抗R1,R2間の電位であるノードN1が入力される。
このようなオペアンプ12はノードN1の電位が基準電
圧Vsより低いと、その出力電圧が上昇し、ノードN1
の電位が基準電圧Vsより高いと、その出力電圧が低下
して、ノードN1の電位が基準電圧Vsと一致した状態
で安定するように動作する。そして、オペアンプ12と
トランジスタTr17 及び出力帰還抵抗R1,R2とによ
り、前記トランジスタTr11 ,Tr12 の出力電流を制御
する制御回路14が構成される。
【0029】前記出力端子To に接続される電流源11
bは、出力端子To から出力される出力電流IODが流れ
る等価回路として示す。また、前記電流源11aは前記
出力電流IODと、前記出力帰還抵抗R1,R2に流れる
IORとの和に相当する電流を流す。
【0030】次に、上記のように構成された充電装置及
び過電流検出回路の動作を説明する。電源Vccの投入に
基づいて、オペアンプ12及び電流源11aが動作し、
オペアンプ12の出力信号に基づいてトランジスタTr1
7 がオンされると、トランジスタTr12 ,Tr11 がオン
される。すると、出力端子To から出力信号Vout が出
力される。
【0031】また、トランジスタTr13 〜Tr16 がオン
されて、トランジスタTr13 ,Tr14 と、トランジスタ
Tr15 ,Tr16 に同一電流が流れる。そして、オペアン
プ12及びトランジスタTr17 の動作により、ノードN
1が基準電圧Vsと一致するように、一定電圧の出力信
号Vout が出力される。
【0032】また、出力信号Vout に基づいて、トラン
ジスタTr11 のコレクタ電流と等しい電流がトランジス
タTr13 ,Tr14 に流れ、かつトランジスタTr11 のコ
レクタ電流と等しい電流がトランジスタTr12 からトラ
ンジスタTr15 ,Tr16 に流れる。
【0033】このとき、出力トランジスタTr11 から出
力端子To に過電流が流れると、出力端子To の端子電
圧が低下してノードN1の電位が低下するため、トラン
ジスタTr11 ,Tr12 のベース電流がますます増大され
ようとする。
【0034】しかし、トランジスタTr13 のベース電流
が減少し、トランジスタTr13 ,Tr14 のコレクタ電流
が減少するため、トランジスタTr16 のベース電流が増
大し、増大されたトランジスタTr12 のコレクタ電流が
トランジスタTr15 ,Tr16を介して抵抗R3及びトラ
ンジスタTr18 のベースに流れる。
【0035】すると、トランジスタTr18 のベース電流
が増大するとともに、ベース電圧が上昇して、同トラン
ジスタTr18 のコレクタ電流が増大する。この結果、ト
ランジスタTr17 のベース電流が減少して、コレクタ電
流が減少するため、トランジスタTr11 ,Tr12 のコレ
クタ電流が減少する。従って、出力トランジスタTr11
から過電流が出力されようとすると、同トランジスタT
r11 と同一のコレクタ電流がトランジスタTr12 に流
れ、そのコレクタ電流に基づいて、トランジスタTr11
,Tr12 のベース電流が減少するため、出力トランジ
スタTr11 からの過電流の出力が未然に防止される。
【0036】上記のような過電流検出動作時において、
出力トランジスタTr11 と、過電流検出用トランジスタ
Tr12 とのコレクタ電位は常に同一となる。すなわち、
出力トランジスタTr11 のコレクタ電位からトランジス
タTr13 ,Tr14 のベース・エミッタ間電圧分低下した
電位がトランジスタTr14 ,Tr16のベース電位とな
る。そして、トランジスタTr14 ,Tr16 のベース電位
から、トランジスタTr16 ,Tr15 のベース・エミッタ
間電圧分上昇した電位がトランジスタTr12 のコレクタ
電位となる。
【0037】トランジスタTr13 ,Tr14 に流れるコレ
クタ電流と、トランジスタTr15 ,Tr16 に流れるコレ
クタ電流とは同一であるので、トランジスタTr13 ,T
r15の各ベース・エミッタ間電圧は等しくなり、トラン
ジスタTr14 ,Tr16 の各ベース・エミッタ間電圧も等
しくなる。
【0038】すると、トランジスタTr11 ,Tr12 のコ
レクタ電位は等しくなるので、同トランジスタTr11 ,
Tr12 のコレクタ・エミッタ間電圧VCE11,VCE12は等
しくなる。
【0039】従って、トランジスタTr11 ,Tr12 には
同一のベース電流に基づいて、常に同一のコレクタ電流
が流れる。上記のように構成された過電流検出回路で
は、次に示す作用効果を得ることができる。 (イ)制御回路14の動作により、基準電圧Vsと抵抗
R1,R2により設定される一定電圧の出力信号Vout
を出力することができる。 (ロ)検出回路13の動作により、出力トランジスタT
r11 からの過電流出力を未然に防止することができる。 (ハ)出力トランジスタTr11 と、過電流検出用トラン
ジスタTr12 のコレクタエミッタ間電圧VCE11,VCE12
を同一値に維持することができるので、図3に示すよう
に、出力トランジスタTr11 と、過電流検出用トランジ
スタTr12 のコレクタ電流を同一としてカレントミラー
比を一定に維持することができるので、検出回路13に
よる出力トランジスタTr11 の出力電流の検出精度を向
上させることができる。 (ニ)出力トランジスタTr11 が飽和状態となって電流
増幅率が低下しても、出力トランジスタTr11 と、過電
流検出用トランジスタTr12 のコレクタエミッタ間電圧
VCE11,VCE12が同一値に維持されて、過電流検出用ト
ランジスタTr12も飽和状態となる。従って、出力トラ
ンジスタTr11 と過電流検出用トランジスタTr12 のコ
レクタ電流を同一として、検出回路13による出力トラ
ンジスタTr11 の出力電流の検出精度を向上させること
ができる。 (ホ)出力トランジスタTr11 のコレクタ電位を設定す
るトランジスタTr15 ,Tr16 と、過電流検出用トラン
ジスタTr12 のコレクタ電位を設定するトランジスタT
r13 ,Tr14 とは、それぞれ1個ずつのPNPトランジ
スタとNPNトランジスタとから構成される。
【0040】従って、プロセスのばらつきにより、各ト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧がばらついても、
各PNPトランジスタと各NPNトランジスタとでばら
つきの傾向が同様となるため、出力トランジスタTr11
と、過電流検出用トランジスタTr12 のコレクタ・エミ
ッタ間電圧VCE11,VCE12を同一値に維持することがで
きる。 (第二の実施の形態)図4は、この発明を具体化した過
電流検出回路の第二の実施の形態を示す。
【0041】この実施の形態は、前記第一の実施の形態
の過電流検出回路を構成するPNPトランジスタをPチ
ャネルMOSトランジスタに置き換え、NPNトランジ
スタをNチャネルMOSトランジスタに置き換えたもの
である。
【0042】このような構成により、前記第一の実施の
形態と同様な作用効果を得ることができる。また、MO
Sトランジスタの特性から、前記第一の実施の形態に比
して消費電力を低減することができる。 (第三の実施の形態)図5は、この発明を具体化した過
電流検出回路の第三の実施の形態を示す。
【0043】この実施の形態は、前記第一の実施の形態
の過電流検出回路を構成するPNPトランジスタをNP
Nトランジスタに置き換え、NPNトランジスタをPN
Pトランジスタに置き換え、電源VccをグランドGND
より低電位のマイナス電源VEEに置き換えたものであ
る。
【0044】このような構成により、マイナス電源VEE
に対して前記第一の実施の形態と同様な過電流検出回路
を構成することができる。
【0045】
【発明の効果】以上詳述したように、この発明は出力電
流値を正確に検出し得る過電流検出回路を提供すること
ができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の原理説明図である。
【図2】 第一の実施の形態を示す回路図である。
【図3】 第一の実施の形態におけるアーリー効果を示
す電圧−電流特性図である。
【図4】 第二の実施の形態を示す回路図である。
【図5】 第三の実施の形態を示す回路図である。
【図6】 従来例を示す回路図である。
【図7】 従来例におけるアーリー効果を示す電圧−電
流特性図である。
【符号の説明】
13 検出回路 14 制御回路 15 レベル調整回路 V1 電源 Tr11 出力トランジスタ Tr12 過電流検出用トランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 秀信 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内 (72)発明者 松原 邦博 愛知県春日井市高蔵寺町二丁目1844番2 富士通ヴィエルエスアイ株式会社内

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 出力トランジスタの出力電流を制御する
    ために制御回路から出力される制御信号で、過電流検出
    用トランジスタの出力電流を制御し、前記過電流検出用
    トランジスタの出力電流に基づいて、前記出力トランジ
    スタの出力過電流を検出回路により検出し、前記検出回
    路から検出信号を前記制御回路に出力する過電流検出回
    路であって、 前記出力トランジスタ及び過電流検出用トランジスタを
    バイポーラトランジスタで構成し、前記出力トランジス
    タ及び過電流検出用トランジスタのエミッタに電源を供
    給し、前記出力トランジスタ及び過電流検出用トランジ
    スタのコレクタ間には、前記出力トランジスタ及び過電
    流検出用トランジスタのコレクタ・エミッタ間電圧を同
    一値とするレベル調整回路を設けたことを特徴とする過
    電流検出回路。
  2. 【請求項2】 前記レベル調整回路は、前記出力トラン
    ジスタのコレクタと、過電流検出用トランジスタのコレ
    クタとを、複数のトランジスタのベース・エミッタ間電
    圧を介して接続することにより、同電位とすることを特
    徴とする請求項1記載の過電流検出回路。
  3. 【請求項3】 前記レベル調整回路を構成する複数のト
    ランジスタは、 各トランジスタに流れるコレクタ電流を一致させるカレ
    ントミラー回路を構成する第一のトランジスタ群と、 前記出力トランジスタ及び過電流検出用トランジスタの
    コレクタと、前記第一のトランジスタ群とを、それぞれ
    ベース・エミッタ間電圧を介して接続する第二のトラン
    ジスタ群とから構成し、 前記第一のトランジスタ群及び第二のトランジスタ群の
    一方をPNPトランジスタで構成し、他方をNPNトラ
    ンジスタで構成したことを特徴とする請求項2記載の過
    電流検出回路。
  4. 【請求項4】 出力トランジスタの出力電流を制御する
    ために制御回路から出力される制御信号で、過電流検出
    用トランジスタの出力電流を制御し、前記過電流検出用
    トランジスタの出力電流に基づいて、前記出力トランジ
    スタの出力過電流を検出回路により検出し、前記検出回
    路から検出信号を前記制御回路に出力する過電流検出回
    路であって、 前記出力トランジスタ及び過電流検出用トランジスタを
    MOSトランジスタで構成し、前記出力トランジスタ及
    び過電流検出用トランジスタのソースに電源を供給し、
    前記出力トランジスタ及び過電流検出用トランジスタの
    ドレイン間には、前記出力トランジスタ及び過電流検出
    用トランジスタのドレイン・ソース間電圧を同一値とす
    るレベル調整回路を設けたことを特徴とする過電流検出
    回路。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8174251B2 (en) 2007-09-13 2012-05-08 Freescale Semiconductor, Inc. Series regulator with over current protection circuit
JP2019139445A (ja) * 2018-02-08 2019-08-22 ローム株式会社 レギュレータ

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8174251B2 (en) 2007-09-13 2012-05-08 Freescale Semiconductor, Inc. Series regulator with over current protection circuit
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