JPH10255481A - マンガン酸化物材料における電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 - Google Patents
マンガン酸化物材料における電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】エレクトロニクス関連分野への応用が可能なマ
ンガン酸化物材料における電流及び電場誘起相転移を利
用したスイッチング素子及びメモりー素子を提供する。 【解決手段】ＭｎＯ3 を母体とするマンガン酸化物材料
における物性制御を磁場以外の外部摂動によって制御す
る。具体的には、外部磁場の代わりに電流あるいは電場
によって制御する。
ンガン酸化物材料における電流及び電場誘起相転移を利
用したスイッチング素子及びメモりー素子を提供する。 【解決手段】ＭｎＯ3 を母体とするマンガン酸化物材料
における物性制御を磁場以外の外部摂動によって制御す
る。具体的には、外部磁場の代わりに電流あるいは電場
によって制御する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｎＯ3 を母体と
するマンガン酸化物材料において、電流、あるいは電場
によって誘起される絶縁体−金属転移と、それにともな
う反強磁性−強磁性転移を利用したスイッチング素子お
よびメモリー素子に関するものである。
するマンガン酸化物材料において、電流、あるいは電場
によって誘起される絶縁体−金属転移と、それにともな
う反強磁性−強磁性転移を利用したスイッチング素子お
よびメモリー素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】銅酸化物における高温超伝導の発見を契
機として、各種遷移金属を含む酸化物のスピン−電荷結
合動力学（ｓｐｉｎ−ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ
ｄｙｎａｍｉｃｓ）が注目を集め、その一つとして、負
の巨大磁気抵抗現象を示すペロブスカイト型マンガン酸
化物材料の研究が現在精力的に行われている。
機として、各種遷移金属を含む酸化物のスピン−電荷結
合動力学（ｓｐｉｎ−ｃｈａｒｇｅ ｃｏｕｐｌｅｄ
ｄｙｎａｍｉｃｓ）が注目を集め、その一つとして、負
の巨大磁気抵抗現象を示すペロブスカイト型マンガン酸
化物材料の研究が現在精力的に行われている。
【０００３】一連の関連物質設計・開発の中で、電荷整
列相の一種の磁場融解現象の現れとして、電気抵抗率の
変化が何桁にもおよぶ超巨大磁気抵抗（ｃｏｌｏｓｓａ
ｌｍａｎｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，以下ＣＭＲ
と記す）効果、および磁気抵抗効果の究極とも言うべき
磁場誘起反強磁性絶縁体−強磁性金属転移（ｆｉｅｌｄ
−ｉｎｄｕｃｅｄ ａｎｔｉｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉ
ｃ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｔｏ−ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅ
ｔｉｃ ｍｅｔａｌ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）が発見さ
れるにおよんで、ますます研究に拍車がかかることとな
った。
列相の一種の磁場融解現象の現れとして、電気抵抗率の
変化が何桁にもおよぶ超巨大磁気抵抗（ｃｏｌｏｓｓａ
ｌｍａｎｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ，以下ＣＭＲ
と記す）効果、および磁気抵抗効果の究極とも言うべき
磁場誘起反強磁性絶縁体−強磁性金属転移（ｆｉｅｌｄ
−ｉｎｄｕｃｅｄ ａｎｔｉｆｅｒｒｏｍａｇｎｅｔｉ
ｃ ｉｎｓｕｌａｔｏｒ−ｔｏ−ｆｅｒｒｏｍａｇｎｅ
ｔｉｃ ｍｅｔａｌ ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎ）が発見さ
れるにおよんで、ますます研究に拍車がかかることとな
った。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これま
でにＣＭＲ効果を示すペロブスカイト型酸化物系材料と
しては、例えばＰｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 ，Ｐｒ1-x （Ｃ
ａ，Ｓｒ）x ＭｎＯ3 ，Ｎｄ0.5 Ｓｒ0.5 ＭｎＯ3 など
多数知られているが、いずれにしても、それらのＣＭＲ
効果は（その定義からして）外部磁場による物性制御で
あった。
でにＣＭＲ効果を示すペロブスカイト型酸化物系材料と
しては、例えばＰｒ1-x Ｃａx ＭｎＯ3 ，Ｐｒ1-x （Ｃ
ａ，Ｓｒ）x ＭｎＯ3 ，Ｎｄ0.5 Ｓｒ0.5 ＭｎＯ3 など
多数知られているが、いずれにしても、それらのＣＭＲ
効果は（その定義からして）外部磁場による物性制御で
あった。
【０００５】本発明は、ＭｎＯ3 を母体とするマンガン
酸化物材料における上記の外部磁場による物性制御を磁
場以外の外部摂動によって制御し、エレクトロニクス関
連分野への応用可能性を拡張することを目的として行わ
れた。具体的には、上記の外部磁場による物性制御と本
質的に同様のことを、電流あるいは電場によって制御し
ようとする試みである。
酸化物材料における上記の外部磁場による物性制御を磁
場以外の外部摂動によって制御し、エレクトロニクス関
連分野への応用可能性を拡張することを目的として行わ
れた。具体的には、上記の外部磁場による物性制御と本
質的に同様のことを、電流あるいは電場によって制御し
ようとする試みである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は従来の課題を解
決するものであり、ＭｎＯ3 を母体とするマンガン酸化
物材料において、電流、あるいは電場によって誘起され
る絶縁体−金属転移と、それにともなう反強磁性−強磁
性転移を用いたスイッチング素子を提供するものであ
る。
決するものであり、ＭｎＯ3 を母体とするマンガン酸化
物材料において、電流、あるいは電場によって誘起され
る絶縁体−金属転移と、それにともなう反強磁性−強磁
性転移を用いたスイッチング素子を提供するものであ
る。
【０００７】また、本発明はＭｎＯ3 を母体とするマン
ガン酸化物材料において、電流、あるいは電場によって
誘起される絶縁体−金属転移と、それにともなう反強磁
性−強磁性転移を用いたメモリー素子を提供するもので
ある。
ガン酸化物材料において、電流、あるいは電場によって
誘起される絶縁体−金属転移と、それにともなう反強磁
性−強磁性転移を用いたメモリー素子を提供するもので
ある。
【０００８】
【発明の実施の形態】本願の発明者は電荷整列現象によ
り反強磁性絶縁体化したＭｎＯ3 を母体とするマンガン
酸化物系結晶体（一般式：Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 、Ｒは希
土類イオン、Ａはアルカリ土類イオン）を用いて、電流
−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定し、本物質が特定のしきい
値電流、あるいはしきい値電場を加えると、高抵抗状態
から低抵抗状態へと可逆的、あるいは非可逆的にスイッ
チングを起こすことが見いだされた。すなわち、磁場を
印加することなく、電流あるいは電場によって反強磁性
絶縁体から強磁性金属への相転移が誘起できることを発
見した。
り反強磁性絶縁体化したＭｎＯ3 を母体とするマンガン
酸化物系結晶体（一般式：Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 、Ｒは希
土類イオン、Ａはアルカリ土類イオン）を用いて、電流
−電圧（Ｉ−Ｖ）特性を測定し、本物質が特定のしきい
値電流、あるいはしきい値電場を加えると、高抵抗状態
から低抵抗状態へと可逆的、あるいは非可逆的にスイッ
チングを起こすことが見いだされた。すなわち、磁場を
印加することなく、電流あるいは電場によって反強磁性
絶縁体から強磁性金属への相転移が誘起できることを発
見した。
【０００９】そして、反強磁性絶縁体化したＭｎＯ3 を
母体とするマンガン酸化物系結晶体は、例えば次のよう
にして製造することができる。
母体とするマンガン酸化物系結晶体は、例えば次のよう
にして製造することができる。
【００１０】まず、通常のセラミック（焼結体）の製造
方法に従い、Ｐｒ，Ｃａ，ＳｒおよびＭｎを酸化物、ま
たは酸化物に交換可能な化合物の形で粉末状にして混合
し原料混合物を調製する。
方法に従い、Ｐｒ，Ｃａ，ＳｒおよびＭｎを酸化物、ま
たは酸化物に交換可能な化合物の形で粉末状にして混合
し原料混合物を調製する。
【００１１】この際、用いられる酸化物としては、例え
ばＰｒ6 Ｏ11 ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｍｎ3 Ｏ4 などが挙
げられ、また加熱により酸化物に交換可能な化合物とし
ては、例えばＰｒ2 （ＣＯ3 ）3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣ
Ｏ3 ，Ｍｎ（ＣＯ3 ）のような炭酸塩やＰｒ（ＨＣ
Ｏ3 ）3 ，Ｃａ（ＨＣＯ3 ）2 ，Ｓｒ（ＨＣＯ3 ）2 ，
Ｍｎ（ＨＣＯ3 ）2 のような酸性炭酸塩などが挙げられ
る。
ばＰｒ6 Ｏ11 ，ＣａＯ，ＳｒＯ，Ｍｎ3 Ｏ4 などが挙
げられ、また加熱により酸化物に交換可能な化合物とし
ては、例えばＰｒ2 （ＣＯ3 ）3 ，ＣａＣＯ3 ，ＳｒＣ
Ｏ3 ，Ｍｎ（ＣＯ3 ）のような炭酸塩やＰｒ（ＨＣ
Ｏ3 ）3 ，Ｃａ（ＨＣＯ3 ）2 ，Ｓｒ（ＨＣＯ3 ）2 ，
Ｍｎ（ＨＣＯ3 ）2 のような酸性炭酸塩などが挙げられ
る。
【００１２】これらの原料粉末は、一般式Ｒ1-x Ａx Ｍ
ｎＯ3 になるような割合で混合される。この混合方式と
しては種々の方法を用いることができるが、例えばアル
コールやケトンのような揮発性有機溶媒を加えた湿式混
合が有利である。
ｎＯ3 になるような割合で混合される。この混合方式と
しては種々の方法を用いることができるが、例えばアル
コールやケトンのような揮発性有機溶媒を加えた湿式混
合が有利である。
【００１３】次に、この原料混合物を空気中で１０００
℃の温度において焼結した後、燒結体を微細に粉砕する
操作を複数回繰り返す。次いで、この粉末をプレス成形
などの方法で加圧成形により円柱状に成形し、空気中で
１１００℃の温度で燒結した後、得られた燒結体をフロ
ーティングゾーン法を用いて溶融液状態から結晶成長さ
せる。
℃の温度において焼結した後、燒結体を微細に粉砕する
操作を複数回繰り返す。次いで、この粉末をプレス成形
などの方法で加圧成形により円柱状に成形し、空気中で
１１００℃の温度で燒結した後、得られた燒結体をフロ
ーティングゾーン法を用いて溶融液状態から結晶成長さ
せる。
【００１４】このフローティングゾーン法における結晶
成長雰囲気としては純粋な酸素が好ましく、成長速度は
３−７ｍｍ／ｈ程度が適当である。なお、前記成形にお
いては、必要に応じてバインダーを用いることもでき
る。
成長雰囲気としては純粋な酸素が好ましく、成長速度は
３−７ｍｍ／ｈ程度が適当である。なお、前記成形にお
いては、必要に応じてバインダーを用いることもでき
る。
【００１５】このようにして得られたマンガン酸化物系
結晶体については、Ｘ線回折、電子線マイクロアナリシ
ス、ＩＣＰ質量分析および滴定分析により分析し、ｘの
値を確認することができる。
結晶体については、Ｘ線回折、電子線マイクロアナリシ
ス、ＩＣＰ質量分析および滴定分析により分析し、ｘの
値を確認することができる。
【００１６】
【実施例】Ｐｒ6 Ｏ11 とＣａＣＯ3 およびＭｎ3 Ｏ4
の各粉末をＰｒ：Ｃａ：Ｍｎの原子比が、０．７：０．
３：１になる割合（一般式：Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 のｘ＝
０．３に対応）で秤量し、これにエタノールを加えて、
めのう乳鉢で３０分かきまぜた。
の各粉末をＰｒ：Ｃａ：Ｍｎの原子比が、０．７：０．
３：１になる割合（一般式：Ｒ1-x Ａx ＭｎＯ3 のｘ＝
０．３に対応）で秤量し、これにエタノールを加えて、
めのう乳鉢で３０分かきまぜた。
【００１７】そして、この混合物を空気中にて１０５０
℃で２４時間加熱し、粉砕したのち、再び混合し、さら
にもう一度焼成し、粉砕混合した。得られた粉末混合物
を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の水圧プレスにより直径５ｍｍ長
さ約８０ｍｍの円柱状ロッドに成形し、空気中にて１１
００℃で４８時間加熱し焼成した。
℃で２４時間加熱し、粉砕したのち、再び混合し、さら
にもう一度焼成し、粉砕混合した。得られた粉末混合物
を２ｔｏｎ／ｃｍ2 の水圧プレスにより直径５ｍｍ長
さ約８０ｍｍの円柱状ロッドに成形し、空気中にて１１
００℃で４８時間加熱し焼成した。
【００１８】次に、このようにして得たロッドを２個の
ハロゲン白熱灯と半長円形状焦点鏡を備えたフローティ
ングゾーン炉を用いて結晶成長させた。この際、原材料
ロッドと種ロッドは逆方向に相対速度３０−４０ｒｐｍ
で回転させ、結晶は１００％酸素気流中、３−７ｍｍ／
ｈの速度で成長させた。
ハロゲン白熱灯と半長円形状焦点鏡を備えたフローティ
ングゾーン炉を用いて結晶成長させた。この際、原材料
ロッドと種ロッドは逆方向に相対速度３０−４０ｒｐｍ
で回転させ、結晶は１００％酸素気流中、３−７ｍｍ／
ｈの速度で成長させた。
【００１９】このようにして得た結晶の中央部を切断
し、数ミリメートル角の直方体状に切り出し、これに焼
き付け銀ペーストを用いて電気抵抗測定のための４端子
電極を取り付ける（図１の挿入図参照）。
し、数ミリメートル角の直方体状に切り出し、これに焼
き付け銀ペーストを用いて電気抵抗測定のための４端子
電極を取り付ける（図１の挿入図参照）。
【００２０】図１にＰｒ0.7 Ｃａ0.3 ＭｎＯ3 における
印加電圧を１０Ｖ，３００Ｖ，７００Ｖと変えて測定し
た電気抵抗のゼロ磁場中での温度依存性を示す。挿入図
は測定回路である。過大電流から試料を保護するため、
回路中に直列に保護抵抗（１ＭΩ）を挿入してある。
印加電圧を１０Ｖ，３００Ｖ，７００Ｖと変えて測定し
た電気抵抗のゼロ磁場中での温度依存性を示す。挿入図
は測定回路である。過大電流から試料を保護するため、
回路中に直列に保護抵抗（１ＭΩ）を挿入してある。
【００２１】印加電圧が十分に小さいとき（１０Ｖ）、
試料は絶縁体的挙動を示すが、電圧が大きくなると、Ｔ
ＣＡ（スピン−キャント反強磁性転移温度）以下で抵抗
値が小さくなり、非線形電気伝導の効果が顕著になる。
試料は絶縁体的挙動を示すが、電圧が大きくなると、Ｔ
ＣＡ（スピン−キャント反強磁性転移温度）以下で抵抗
値が小さくなり、非線形電気伝導の効果が顕著になる。
【００２２】例えば、３００Ｖの曲線における４０Ｋ以
下のノイズ的挙動は、時間的な電気抵抗値の高抵抗状態
と低抵抗状態の間のゆらぎである。十分に高い印加電圧
（７００Ｖ）では、１０Ｖの時と比べて少なくとも５桁
以上も抵抗値が減少していることがわかる。
下のノイズ的挙動は、時間的な電気抵抗値の高抵抗状態
と低抵抗状態の間のゆらぎである。十分に高い印加電圧
（７００Ｖ）では、１０Ｖの時と比べて少なくとも５桁
以上も抵抗値が減少していることがわかる。
【００２３】図２に一定温度（２０Ｋ）、ゼロ磁場下に
おける印加電圧に対する抵抗値の変化を示す。高抵抗状
態では１０10Ωであった抵抗値が、印加電圧とともに徐
々に減少し、あるしきい値電圧で低抵抗状態（１０5 Ω
程度）へスイッチングする。その後、印加電圧を減少さ
せると、斜線で示したヒステリシスを示したあとで正確
に元の抵抗状態へ再びスイッチングする。
おける印加電圧に対する抵抗値の変化を示す。高抵抗状
態では１０10Ωであった抵抗値が、印加電圧とともに徐
々に減少し、あるしきい値電圧で低抵抗状態（１０5 Ω
程度）へスイッチングする。その後、印加電圧を減少さ
せると、斜線で示したヒステリシスを示したあとで正確
に元の抵抗状態へ再びスイッチングする。
【００２４】電荷整列した反強磁性絶縁体状態は、磁場
によって容易に「融解」し、強磁性金属相へ転移するの
で、外部磁場を用いれば電荷整列相の「溶けやすさ」を
さらに制御することができ、したがって、電流あるいは
電場誘起絶縁体−金属転移のしきい電流またはしきい電
場を外部磁場によってコントロールすることが可能であ
る。
によって容易に「融解」し、強磁性金属相へ転移するの
で、外部磁場を用いれば電荷整列相の「溶けやすさ」を
さらに制御することができ、したがって、電流あるいは
電場誘起絶縁体−金属転移のしきい電流またはしきい電
場を外部磁場によってコントロールすることが可能であ
る。
【００２５】図３（ａ），（ｂ），（ｃ）に磁場中での
Ｉ−Ｖ特性を示す。外部磁場の印加によりしきい電圧が
徐々に減少し、またＩ−Ｖ特性も非可逆的、つまり電圧
を取り除いても低抵抗状態にとどまるようになる。すな
わち、メモリー素子として使用できることがわかる。
Ｉ−Ｖ特性を示す。外部磁場の印加によりしきい電圧が
徐々に減少し、またＩ−Ｖ特性も非可逆的、つまり電圧
を取り除いても低抵抗状態にとどまるようになる。すな
わち、メモリー素子として使用できることがわかる。
【００２６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のマンガン酸化物系結晶体における電流および電場誘起
相転移では、電気抵抗が数桁にわたって変化するのみな
らず、同時に反強磁性−強磁性の磁性変化もゼロ磁場下
で誘起される。これは一種の「電磁石」（電流で磁場を
つくる）であり、その動作原理は完全に新規であって今
までに見出されなかったものである。また、動作磁場を
特には必要としないため、従来のエレクトロニクス回路
中に容易に組み込むことができるという利点もある。
のマンガン酸化物系結晶体における電流および電場誘起
相転移では、電気抵抗が数桁にわたって変化するのみな
らず、同時に反強磁性−強磁性の磁性変化もゼロ磁場下
で誘起される。これは一種の「電磁石」（電流で磁場を
つくる）であり、その動作原理は完全に新規であって今
までに見出されなかったものである。また、動作磁場を
特には必要としないため、従来のエレクトロニクス回路
中に容易に組み込むことができるという利点もある。
【００２７】また、抵抗状態変化を利用したスイッチン
グ素子、磁性変化を利用した反強磁性−強磁性メモリな
どに利用できることは容易に想像できる。更に、走査ト
ンネル顕微鏡（ＳＴＭ）の探針によって高電界を印加す
ることにより、反強磁性絶縁体母体中に強磁性金属の領
域を自由に書き込む、という一種の「リソグラフィー」
なども可能である。
グ素子、磁性変化を利用した反強磁性−強磁性メモリな
どに利用できることは容易に想像できる。更に、走査ト
ンネル顕微鏡（ＳＴＭ）の探針によって高電界を印加す
ることにより、反強磁性絶縁体母体中に強磁性金属の領
域を自由に書き込む、という一種の「リソグラフィー」
なども可能である。
【図１】電荷整列した反強磁性絶縁体Ｐｒ0.7 Ｃａ0.3
ＭｎＯ3 結晶の各印加電圧（１０Ｖ，３００Ｖ，７００
Ｖ）の下でのゼロ磁場下の電気抵抗の温度依存性を示す
特性図である。
ＭｎＯ3 結晶の各印加電圧（１０Ｖ，３００Ｖ，７００
Ｖ）の下でのゼロ磁場下の電気抵抗の温度依存性を示す
特性図である。
【図２】一定温度（２０Ｋ）における抵抗状態のスイッ
チング特性を示す特性図である。
チング特性を示す特性図である。
【図３】（ａ），（ｂ），（ｃ）は一定温度（２０Ｋ）
における各印加磁場（０Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ）での電
流−印加電圧の関係を示す特性図である。
における各印加磁場（０Ｔ，２Ｔ，３Ｔ，４Ｔ）での電
流−印加電圧の関係を示す特性図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (74)上記２名の代理人 弁理士 福田 武通 （外２名 ） (72)発明者 朝光 敦 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 富岡 泰秀 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 桑原 英樹 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 十倉 好紀 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術院 産業技術融合領域研究所内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＭｎＯ3 を母体とするマンガン酸化物材
料において、電流、あるいは電場によって誘起される絶
縁体−金属転移と、それにともなう反強磁性−強磁性転
移を用いることを特徴とするスイッチング素子。 - 【請求項２】 本発明はＭｎＯ3 を母体とするマンガン
酸化物材料において、電流、あるいは電場によって誘起
される絶縁体−金属転移と、それにともなう反強磁性−
強磁性転移を用いることを特徴とするメモリー素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060632A JP3030333B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
| EP98301876A EP0864538B1 (en) | 1997-03-14 | 1998-03-13 | Manganese oxide material having Mn03 as a matrix |
| DE69823721T DE69823721T2 (de) | 1997-03-14 | 1998-03-13 | Maganoxid-Material mit einer Mn03-Matrix |
| US09/335,525 US6166947A (en) | 1997-03-14 | 1999-06-18 | Manganese oxide material having MnO3 as a matrix |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9060632A JP3030333B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10255481A true JPH10255481A (ja) | 1998-09-25 |
| JP3030333B2 JP3030333B2 (ja) | 2000-04-10 |
Family
ID=13147891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9060632A Expired - Lifetime JP3030333B2 (ja) | 1997-03-14 | 1997-03-14 | 電流及び電場誘起相転移を用いたスイッチング素子及びメモリー素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6166947A (ja) |
| EP (1) | EP0864538B1 (ja) |
| JP (1) | JP3030333B2 (ja) |
| DE (1) | DE69823721T2 (ja) |
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| JP2010166039A (ja) * | 2008-12-18 | 2010-07-29 | Hiroshima Univ | ペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法、電子機能素子材料として用いられるペロブスカイト型酸化物、ペロブスカイト型酸化物を用いた電子機能素子及び電子装置 |
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| US8093518B2 (en) | 2005-09-27 | 2012-01-10 | National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology | Switching element relying on nanogap electrodes |
| WO2012172898A1 (ja) | 2011-06-16 | 2012-12-20 | 富士電機株式会社 | 強相関酸化物電界効果素子 |
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| US8778513B2 (en) | 2011-04-14 | 2014-07-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perovskite manganese oxide thin film |
| US8871364B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-10-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perovskite manganese oxide thin film |
| US8878322B2 (en) | 2010-12-09 | 2014-11-04 | Fuji Electric Co., Ltd. | Perovskite manganese oxide thin film and manufacturing method therefor |
| US9006737B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-04-14 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manganese oxide thin film and oxide laminate |
| US9166148B2 (en) | 2012-01-20 | 2015-10-20 | Fuji Electric Co., Ltd. | Manganese oxide thin film and oxide laminate |
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| US20080313166A1 (en) * | 2007-06-15 | 2008-12-18 | Microsoft Corporation | Research progression summary |
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- 1997-03-14 JP JP9060632A patent/JP3030333B2/ja not_active Expired - Lifetime
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1998
- 1998-03-13 EP EP98301876A patent/EP0864538B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-13 DE DE69823721T patent/DE69823721T2/de not_active Expired - Lifetime
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