JP2981661B2 - 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子 - Google Patents
二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子Info
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- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/40—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials of magnetic semiconductor materials, e.g. CdCr2S4
- H01F1/401—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials of magnetic semiconductor materials, e.g. CdCr2S4 diluted
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二重整列ペロブス
カイト構造磁気抵抗素子に関するものである。さらに詳
細に説明すると、本発明は金属的な電気抵抗−温度特
性、磁気伝導特性およびスピン分極特性を向上させて成
り、スピン分極走査型トンネル顕微鏡に使用される探
針、および室温で動作可能な磁気センシング素子等とし
て利用すると効果的な二重整列ペロブスカイト構造磁気
抵抗素子に関するものである。
カイト構造磁気抵抗素子に関するものである。さらに詳
細に説明すると、本発明は金属的な電気抵抗−温度特
性、磁気伝導特性およびスピン分極特性を向上させて成
り、スピン分極走査型トンネル顕微鏡に使用される探
針、および室温で動作可能な磁気センシング素子等とし
て利用すると効果的な二重整列ペロブスカイト構造磁気
抵抗素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、銅酸化物の高温超伝導体が見い出
されて以来、ペロブスカイト型結晶構造をもつ遷移金属
酸化物の物性が再び注目されるようになり、その１つと
して、負の巨大磁気抵抗現象を示すマンガン酸化物結晶
体に対する研究が精力的に展開されてきた。
されて以来、ペロブスカイト型結晶構造をもつ遷移金属
酸化物の物性が再び注目されるようになり、その１つと
して、負の巨大磁気抵抗現象を示すマンガン酸化物結晶
体に対する研究が精力的に展開されてきた。
【０００３】従来のマンガン酸化物結晶体における磁気
抵抗現象は、特に結晶粒界を持たない単結晶において著
しい現象が観測されている。
抵抗現象は、特に結晶粒界を持たない単結晶において著
しい現象が観測されている。
【０００４】そして、化学式Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わさ
れる二重整列ペロブスカイト型構造をもつ酸化物の存在
は従来から知られており、結晶構造、磁性等については
既に研究され、キュリー温度が４００Ｋ付近と、室温よ
り十分に高いことが報告されている。しかしながら，こ
の物質が負の巨大磁気抵抗効果を示すことは知られてい
なかった。
れる二重整列ペロブスカイト型構造をもつ酸化物の存在
は従来から知られており、結晶構造、磁性等については
既に研究され、キュリー温度が４００Ｋ付近と、室温よ
り十分に高いことが報告されている。しかしながら，こ
の物質が負の巨大磁気抵抗効果を示すことは知られてい
なかった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】また、従来のマンガン
酸化物単結晶体では、室温から４Ｋの間の温度範囲であ
っても、その範囲の一部分である磁気転移温度近傍で負
の磁気抵抗効果を示すことが報告されているが、その全
温度域において磁気抵抗効果を示し、かつ容易に作製可
能な酸化物セラミックスの報告がほとんど存在しない。
酸化物単結晶体では、室温から４Ｋの間の温度範囲であ
っても、その範囲の一部分である磁気転移温度近傍で負
の磁気抵抗効果を示すことが報告されているが、その全
温度域において磁気抵抗効果を示し、かつ容易に作製可
能な酸化物セラミックスの報告がほとんど存在しない。
【０００６】そこで本発明は、室温から極低温までの全
温度域において磁気抵抗効果を示すとともに、極低温に
おいて伝導電子のスピン分極率が１００％となる磁気抵
抗素子を、単結晶に比較して作成が容易な多結晶体にお
いて得ることを目的としてなされたものである。
温度域において磁気抵抗効果を示すとともに、極低温に
おいて伝導電子のスピン分極率が１００％となる磁気抵
抗素子を、単結晶に比較して作成が容易な多結晶体にお
いて得ることを目的としてなされたものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ペロブス
カイト型酸化物系結晶体について種々研究を重ね、化学
式Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わされる二重整列ペロブスカイ
ト型構造をもつ酸化物結晶体が室温近傍以下４００Ｋま
での全温度域において負の巨大磁気抵抗効果を示すとい
う、酸化物セラミックスでは希な現象を新たに見い出し
て本発明を完成するに至った。
カイト型酸化物系結晶体について種々研究を重ね、化学
式Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わされる二重整列ペロブスカイ
ト型構造をもつ酸化物結晶体が室温近傍以下４００Ｋま
での全温度域において負の巨大磁気抵抗効果を示すとい
う、酸化物セラミックスでは希な現象を新たに見い出し
て本発明を完成するに至った。
【０００８】さらに本発明においては、この金属的な電
気抵抗−温度特性について理論的研究を進めた結果、極
低温においてスピン偏極率が１００％となる電子構造を
有することが判明した。
気抵抗−温度特性について理論的研究を進めた結果、極
低温においてスピン偏極率が１００％となる電子構造を
有することが判明した。
【０００９】さらに本発明においては、前記Ｓｒ2Ｆｅ
ＭｏＯ6で表わされる二重整列ペロブスカイト型構造を
もつ酸化物の作製方法について研究を進めた結果、所定
の組成となるように秤量・配合された原料酸化物を、９
００℃前後で仮焼した後、還元性雰囲気中１１００℃乃
至１３００℃において、１乃至２０時間程度焼結させる
ことにより負の巨大磁気抵抗効果が得られることを見い
だした。
ＭｏＯ6で表わされる二重整列ペロブスカイト型構造を
もつ酸化物の作製方法について研究を進めた結果、所定
の組成となるように秤量・配合された原料酸化物を、９
００℃前後で仮焼した後、還元性雰囲気中１１００℃乃
至１３００℃において、１乃至２０時間程度焼結させる
ことにより負の巨大磁気抵抗効果が得られることを見い
だした。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明では、室温以上のキュリー
温度を有するＳｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わされる酸化物を、
還元性雰囲気中１１００℃乃至１３００℃において焼結
させることによって、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6中のＦｅ原子と
Ｍｏ原子が、ペロブスカイト結晶構造におけるＢサイト
を交互に整列して占有し、室温近傍以下４Ｋまでの全温
度域において負の磁気抵抗特性を示し、極低温において
スピン分極率が１００％となる電子構造を有する酸化物
セラミックスが得られるものである。
温度を有するＳｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わされる酸化物を、
還元性雰囲気中１１００℃乃至１３００℃において焼結
させることによって、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6中のＦｅ原子と
Ｍｏ原子が、ペロブスカイト結晶構造におけるＢサイト
を交互に整列して占有し、室温近傍以下４Ｋまでの全温
度域において負の磁気抵抗特性を示し、極低温において
スピン分極率が１００％となる電子構造を有する酸化物
セラミックスが得られるものである。
【００１１】
【実施例】〔実施例１〕十分に乾燥させた ＳｒＣＯ3、
Ｆｅ2Ｏ3、ＭｏＯ3を、金属原子の割合がＳｒ2ＦｅＭｏ
Ｏ6 と等しくなる様に秤量し、瑪瑙乳鉢を用いて混合し
た後、１０ｍｍφ、厚さ１ｍｍ程度の円盤形状に、約
０．３乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 程度の圧力で成形し
た。なお原料は上記に限定されることはなく、ＳｒＯ、
ＭｏＯ2 およびＭｏＯ3 とＭｏ金属微粉末との混合物等
を使用しても同様の結果が得られた。
Ｆｅ2Ｏ3、ＭｏＯ3を、金属原子の割合がＳｒ2ＦｅＭｏ
Ｏ6 と等しくなる様に秤量し、瑪瑙乳鉢を用いて混合し
た後、１０ｍｍφ、厚さ１ｍｍ程度の円盤形状に、約
０．３乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 程度の圧力で成形し
た。なお原料は上記に限定されることはなく、ＳｒＯ、
ＭｏＯ2 およびＭｏＯ3 とＭｏ金属微粉末との混合物等
を使用しても同様の結果が得られた。
【００１２】上記した円盤状成形体を、９００℃で３時
間程度焼結させた後、室温まで冷却した。その後、細か
く粉砕し、再度１０ｍｍφ、厚さ１ｍｍ程度の円盤形状
に、約０．３乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 程度の圧力で成
形した。なおこの９００℃での焼結は円盤に成形せず、
混合粉末のまま行っても同様の結果が得られた。
間程度焼結させた後、室温まで冷却した。その後、細か
く粉砕し、再度１０ｍｍφ、厚さ１ｍｍ程度の円盤形状
に、約０．３乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ2 程度の圧力で成
形した。なおこの９００℃での焼結は円盤に成形せず、
混合粉末のまま行っても同様の結果が得られた。
【００１３】この円盤状の第２次成形体を、１１５０℃
において７％のＨ2 ガスを含むアルゴンガス気流中で２
時間焼結させた後、室温まで冷却して取り出し、１ｍｍ
×１ｍｍ×５ｍｍ程度の角柱状の電気抵抗測定用試料を
切り出した。焼成時の雰囲気は、７％のＨ2 ガスに限定
されず、０．５乃至７％のＨ2 ガスを含むあるゴンゴン
ガス気流中でも同様の結果が得られる。
において７％のＨ2 ガスを含むアルゴンガス気流中で２
時間焼結させた後、室温まで冷却して取り出し、１ｍｍ
×１ｍｍ×５ｍｍ程度の角柱状の電気抵抗測定用試料を
切り出した。焼成時の雰囲気は、７％のＨ2 ガスに限定
されず、０．５乃至７％のＨ2 ガスを含むあるゴンゴン
ガス気流中でも同様の結果が得られる。
【００１４】この多結晶酸化物セラミックス試料につい
て、直流四端子法によって電気抵抗率の温度依存性を評
価すると、図２に示す金属的な結果が得られた。
て、直流四端子法によって電気抵抗率の温度依存性を評
価すると、図２に示す金属的な結果が得られた。
【００１５】次に、この試料について４．２Ｋおよび３
００Ｋの温度において５Ｔ（テスラ）までの磁界を印可
して磁気抵抗効果を測定したところ、図１に示す負の磁
気抵抗効果が得られた。これを以下の式（１）によって
磁気抵抗率を求めると、３２％（４．２Ｋ）および３．
５％（３００Ｋ）であった。この計算において、Ｒ
（Ｈ）としては７Ｔにおける抵抗値を使用した。またＳ
ｒ2ＦｅＭｏＯ6は保持力が小さいので抵抗の極大値は０
Ｔにおける抵抗値（Ｒ（０））を使用した。
００Ｋの温度において５Ｔ（テスラ）までの磁界を印可
して磁気抵抗効果を測定したところ、図１に示す負の磁
気抵抗効果が得られた。これを以下の式（１）によって
磁気抵抗率を求めると、３２％（４．２Ｋ）および３．
５％（３００Ｋ）であった。この計算において、Ｒ
（Ｈ）としては７Ｔにおける抵抗値を使用した。またＳ
ｒ2ＦｅＭｏＯ6は保持力が小さいので抵抗の極大値は０
Ｔにおける抵抗値（Ｒ（０））を使用した。
【００１６】
【数１】
【００１７】得られた多結晶酸化物セラミックスについ
て粉末Ｘ線回折による分析を行ったところ、この結晶は
ａ＝５．５７Å、ｃ＝７．８８Åをもつ正方晶系結晶で
あることがわかった。また同時に図３に示す様に、２Θ
＝１９．６６゜に（１０１）として指数付けされるＸ線
回折ピークを示していることから、Ｆｅ原子とＭｏ原子
が、図４に示す様にペロブスカイト結晶構造におけるＢ
サイトを交互に整列して占有し、二重整列ペロブスカイ
ト構造をとっていることが判明した。この（１０１）と
して指数付けされるＸ線回折ピークの、（２００）およ
び（１１２）として指数付けされる最強Ｘ線回折ピーク
に対する相対強度はＦｅ原子とＭｏ原子のＢサイト内に
おける整列の度合いを示している。
て粉末Ｘ線回折による分析を行ったところ、この結晶は
ａ＝５．５７Å、ｃ＝７．８８Åをもつ正方晶系結晶で
あることがわかった。また同時に図３に示す様に、２Θ
＝１９．６６゜に（１０１）として指数付けされるＸ線
回折ピークを示していることから、Ｆｅ原子とＭｏ原子
が、図４に示す様にペロブスカイト結晶構造におけるＢ
サイトを交互に整列して占有し、二重整列ペロブスカイ
ト構造をとっていることが判明した。この（１０１）と
して指数付けされるＸ線回折ピークの、（２００）およ
び（１１２）として指数付けされる最強Ｘ線回折ピーク
に対する相対強度はＦｅ原子とＭｏ原子のＢサイト内に
おける整列の度合いを示している。
【００１８】整列が１００％である場合、リートベルト
解析によって求められる（２００）および（１１２）ピ
ークに対する（１０１）ピークの相対強度比は１００：
４．８（４．８％）である。この相対強度比と磁気抵抗
効果の大きさとの間には相関が認められ、相対強度比が
１００：２．１の場合（整列度４２％）、４．２Ｋにお
いて前記式〔１〕によって求めた磁気抵抗効果（ＭＲ）
は４４％であった。同じく相対強度比が１００：１．３
の場合（整列度２７％）、４．２Ｋにおいて前記式
〔１〕によって求めた磁気抵抗効果（ＭＲ）は１９％で
あった。同じく相対強度比が１００：０．９の場合（整
列度１９％）、４．２Ｋにおいて前記式〔１〕によって
求めた磁気抵抗効果（ＭＲ）は１０％であった。
解析によって求められる（２００）および（１１２）ピ
ークに対する（１０１）ピークの相対強度比は１００：
４．８（４．８％）である。この相対強度比と磁気抵抗
効果の大きさとの間には相関が認められ、相対強度比が
１００：２．１の場合（整列度４２％）、４．２Ｋにお
いて前記式〔１〕によって求めた磁気抵抗効果（ＭＲ）
は４４％であった。同じく相対強度比が１００：１．３
の場合（整列度２７％）、４．２Ｋにおいて前記式
〔１〕によって求めた磁気抵抗効果（ＭＲ）は１９％で
あった。同じく相対強度比が１００：０．９の場合（整
列度１９％）、４．２Ｋにおいて前記式〔１〕によって
求めた磁気抵抗効果（ＭＲ）は１０％であった。
【００１９】この結果から、４．２Ｋにおいて１０％以
上の磁気抵抗効果（ＭＲ）を保有する素子を得るために
は、Ｍｏ原子およびＦｅ原子の整列の度合いが２０％以
上あることが必要であることが判明した。
上の磁気抵抗効果（ＭＲ）を保有する素子を得るために
は、Ｍｏ原子およびＦｅ原子の整列の度合いが２０％以
上あることが必要であることが判明した。
【００２０】〔比較例１〕前記実施例１で得た円盤状第
２次成形体を、１３００℃において７％のＨ2 ガスを含
むアルゴンガス気流中で２０時間以上、例えば２５時間
焼結させた場合、得られた焼結体は磁気抵抗効果を示さ
なかった。また１時間以下の焼成時間では十分な焼結体
強度を保有するに至らなかった。
２次成形体を、１３００℃において７％のＨ2 ガスを含
むアルゴンガス気流中で２０時間以上、例えば２５時間
焼結させた場合、得られた焼結体は磁気抵抗効果を示さ
なかった。また１時間以下の焼成時間では十分な焼結体
強度を保有するに至らなかった。
【００２１】前記のように本発明の実施例１では、所定
の組成となるように配合された組成物を、９００℃前後
で仮焼した後、１１００℃乃至１３００℃において１乃
至２０時間還元性雰囲気中で焼成することにより、Ｆｅ
およびＭｏ原子がＢサイトを交互に占有した二重整列ペ
ロブスカイト型結晶構造をとる多結晶 Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ
6 が容易に得られ、室温から４Ｋの間の全温度域におい
て巨大な負の磁気抵抗特性を示すことが確認された。
の組成となるように配合された組成物を、９００℃前後
で仮焼した後、１１００℃乃至１３００℃において１乃
至２０時間還元性雰囲気中で焼成することにより、Ｆｅ
およびＭｏ原子がＢサイトを交互に占有した二重整列ペ
ロブスカイト型結晶構造をとる多結晶 Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ
6 が容易に得られ、室温から４Ｋの間の全温度域におい
て巨大な負の磁気抵抗特性を示すことが確認された。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、一般式Ａ
2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロブスカイト型結晶構造をと
り、ペロブスカイト型結晶構造中のＡサイトを占めるＡ
原子がＳｒ、同じくＢサイトを占めるＢ原子およびＢ’
原子がＦｅおよびＭｏであり、なおかつＦｅおよびＭｏ
原子がペロブスカイト型結晶構造中のＢサイトを交互に
占有した二重整列ペロブスカイト型結晶構造をとり、負
の磁気抵抗特性を示す酸化物結晶体である磁気抵抗素子
を提案するものであって、室温以上に磁気転移温度が存
在し、極低温において伝導電子のスピン分極率が１００
％となる電子構造を有し、室温から極低温までの全温度
域において磁気抵抗効果を示し、さらには従来のマンガ
ン酸化物単結晶に比較して作製が容易な多結晶体であっ
て、室温において動作する磁気センシング素子、および
スピン分極走査型トンネル顕微鏡に使用される探針等と
して著しく有効に、実用的に適用することができる。
2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロブスカイト型結晶構造をと
り、ペロブスカイト型結晶構造中のＡサイトを占めるＡ
原子がＳｒ、同じくＢサイトを占めるＢ原子およびＢ’
原子がＦｅおよびＭｏであり、なおかつＦｅおよびＭｏ
原子がペロブスカイト型結晶構造中のＢサイトを交互に
占有した二重整列ペロブスカイト型結晶構造をとり、負
の磁気抵抗特性を示す酸化物結晶体である磁気抵抗素子
を提案するものであって、室温以上に磁気転移温度が存
在し、極低温において伝導電子のスピン分極率が１００
％となる電子構造を有し、室温から極低温までの全温度
域において磁気抵抗効果を示し、さらには従来のマンガ
ン酸化物単結晶に比較して作製が容易な多結晶体であっ
て、室温において動作する磁気センシング素子、および
スピン分極走査型トンネル顕微鏡に使用される探針等と
して著しく有効に、実用的に適用することができる。
【図１】図１（ａ）は本発明の実施例で得られた磁気抵
抗素子（Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6）の４．２Ｋにおける磁気抵
抗効果を示すグラフ、図１（ｂ）は同３００Ｋにおける
磁気抵抗効果を示すグラフである。
抗素子（Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6）の４．２Ｋにおける磁気抵
抗効果を示すグラフ、図１（ｂ）は同３００Ｋにおける
磁気抵抗効果を示すグラフである。
【図２】本発明の実施例で得られた磁気抵抗素子（Ｓｒ
2ＦｅＭｏＯ6）の４．２〜３００Ｋにおける電気抵抗の
温度依存性を示すグラフである。
2ＦｅＭｏＯ6）の４．２〜３００Ｋにおける電気抵抗の
温度依存性を示すグラフである。
【図３】本発明の実施例で得られた磁気抵抗素子（Ｓｒ
2ＦｅＭｏＯ6）の室温で測定した粉末Ｘ線回折パターン
を示すチャートである。
2ＦｅＭｏＯ6）の室温で測定した粉末Ｘ線回折パターン
を示すチャートである。
【図４】本発明の磁気抵抗素子（二重整列ペロブスカイ
ト型結晶構造）中の原子配置を示す斜視図である。
ト型結晶構造）中の原子配置を示す斜視図である。
フロントページの続き (72)発明者 小林 啓一郎 東京都千代田区丸の内２丁目２番３号 三菱電機株式会社内 (72)発明者 十倉 好紀 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 木村 剛 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 富岡 泰秀 茨城県つくば市東１−１−４ 工業技術 院 産業技術融合領域研究所内 審査官 市川 篤 (56)参考文献 特開 平６−237022（ＪＰ，Ａ) Ｍｉｔｓｕｒｕ Ｉｔｏｈ，Ｉｋｕｋ ｏ Ｏｈｔａ，Ｙｏｓｈｉｙｕｋｉ Ｉ ｎａｇｕｍａ，“Ｖａｌｅｎｃｙ ｐａ ｉｒ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ １：１ ｏｒｄｅｒｅｄ ｐｅｒ ｏｖｓｋｉｔｅ−ｔｙｐｅ ｃｏｍｐｏ ｕｎｄｓ Ｓｒ２ＭＭｏＯ６（Ｍ＝Ｍ ｎ，Ｆｅ，Ｃｏ）”，Ｍａｔｅｒｉａｌ ｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉ ｎｅｅｒｉｎｇ Ｂ，1996年，第41巻, 第１号，ｐ．55−58 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 43/08 H01F 10/18 H01L 43/10
Claims (2)
- 【請求項１】 一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロブス
カイト型結晶構造をとり、ペロブスカイト型結晶構造中
のＡサイトを占めるＡ原子がＳｒ、同じくＢサイトを占
めるＢ原子およびＢ’原子がＦｅおよびＭｏであり、な
おかつＦｅおよびＭｏ原子がペロブスカイト型結晶構造
中のＢサイトを交互に占有した二重整列ペロブスカイト
型結晶構造であって、負の磁気抵抗特性を示す酸化物結
晶体であることを特徴とする二重整列ペロブスカイト構
造磁気抵抗素子。 - 【請求項２】 Ｂサイト内におけるＭｏ原子およびＦｅ
原子の整列の度合いが２０％以上であることを特徴とす
る請求項１記載の二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗
素子。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081284A JP2981661B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子 |
| US09/277,223 US6137395A (en) | 1998-03-27 | 1999-03-26 | Magnetoresistor with ordered double perovskite structure and method for the production thereof |
| DE69937921T DE69937921T2 (de) | 1998-03-27 | 1999-03-26 | Anwendung von einem Magnetowiderstand mit geordneter Doppelperovskitestruktur und deren Herstellungsverfahren |
| EP99302347A EP0949694B1 (en) | 1998-03-27 | 1999-03-26 | Use of magnetoresistor with ordered double perovskite structure and method for production thereof |
| AT99302347T ATE383663T1 (de) | 1998-03-27 | 1999-03-26 | Anwendung von einem magnetowiderstand mit geordneter doppelperovskitestruktur und deren herstellungsverfahren |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10081284A JP2981661B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11284249A JPH11284249A (ja) | 1999-10-15 |
| JP2981661B2 true JP2981661B2 (ja) | 1999-11-22 |
Family
ID=13742085
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10081284A Expired - Lifetime JP2981661B2 (ja) | 1998-03-27 | 1998-03-27 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2981661B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4536210B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2010-09-01 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法 |
| JP5493278B2 (ja) * | 2008-03-13 | 2014-05-14 | 株式会社村田製作所 | 強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ |
| JP5375951B2 (ja) | 2009-03-19 | 2013-12-25 | 株式会社村田製作所 | 磁気インピーダンス素子およびそれを用いた磁気センサ |
-
1998
- 1998-03-27 JP JP10081284A patent/JP2981661B2/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| Ｍｉｔｓｕｒｕ Ｉｔｏｈ，Ｉｋｕｋｏ Ｏｈｔａ，Ｙｏｓｈｉｙｕｋｉ Ｉｎａｇｕｍａ，"Ｖａｌｅｎｃｙ ｐａｉｒ ａｎｄ ｐｒｏｐｅｒｔｉｅｓ ｏｆ １：１ ｏｒｄｅｒｅｄ ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ−ｔｙｐｅ ｃｏｍｐｏｕｎｄｓ Ｓｒ２ＭＭｏＯ６（Ｍ＝Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ）"，Ｍａｔｅｒｉａｌｓ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｂ，１９９６年，第４１巻，第１号，ｐ．５５−５８ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11284249A (ja) | 1999-10-15 |
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