JP5493278B2 - 強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ - Google Patents
強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ Download PDFInfo
- Publication number
- JP5493278B2 JP5493278B2 JP2008063618A JP2008063618A JP5493278B2 JP 5493278 B2 JP5493278 B2 JP 5493278B2 JP 2008063618 A JP2008063618 A JP 2008063618A JP 2008063618 A JP2008063618 A JP 2008063618A JP 5493278 B2 JP5493278 B2 JP 5493278B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetoresistive element
- sample
- present
- magnetic field
- ferromagnetic ceramic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Compounds Of Iron (AREA)
- Magnetic Ceramics (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Description
0.03≦x≦0.2、
0.8≦y≦0.99、および
x+1.4y≧1.22
の各条件を満たすことを特徴としている。
0.05≦x≦0.2、
0.95≦y≦0.99、および
x−2.5y≦−2.225
の各条件を満たすことを特徴としている。
0.03≦x≦0.2、
0.8≦y≦0.99、および
x+1.4y≧1.22
の各条件を満たすことを特徴としている。
0.05≦x≦0.2、
0.95≦y≦0.99、および
x−2.5y≦−2.225
の各条件を満たすことを特徴としている。
[ρH−ρ0]/ρ0×100
と定義される。
2,13 磁気抵抗素体
3,4,14〜17 電極
11 磁気センサ
23 磁石
Claims (4)
- 化学式Sr2CaxFeyMoO6で示される磁気抵抗特性を有する強磁性セラミックであって、
0.03≦x≦0.2、
0.8≦y≦0.99、および
x+1.4y≧1.22
の各条件を満たすことを特徴とする、強磁性セラミック。 - 化学式Sr2CaxFeyMoO6で示される磁気抵抗特性を有する強磁性セラミックであって、
0.05≦x≦0.2、
0.95≦y≦0.99、および
x−2.5y≦−2.225
の各条件を満たすことを特徴とする、強磁性セラミック。 - 請求項1または2に記載の強磁性セラミックを用いて得られた磁気抵抗素体と、
前記磁気抵抗素体に電界を印加するための電極と
を有する、磁気抵抗素子。 - 請求項1または2に記載の強磁性セラミックを用いて得られた磁気抵抗素体と、
前記磁気抵抗素体に電界を印加するための電極と、
前記磁気抵抗素体に磁気バイアスを印加するための磁気バイアス印加手段と
を備える、磁気センサ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063618A JP5493278B2 (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008063618A JP5493278B2 (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009215145A JP2009215145A (ja) | 2009-09-24 |
JP5493278B2 true JP5493278B2 (ja) | 2014-05-14 |
Family
ID=41187404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2008063618A Expired - Fee Related JP5493278B2 (ja) | 2008-03-13 | 2008-03-13 | 強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5493278B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
ES2576876T3 (es) | 2010-01-14 | 2016-07-11 | Graco Minnesota Inc. | Bastidor de carrete de manguera y brazo de guía |
WO2011088316A2 (en) | 2010-01-14 | 2011-07-21 | Graco Minnesota Inc | Hose reel latch |
CN102633495B (zh) * | 2012-04-11 | 2013-07-10 | 南京大学 | 室温铁磁性Sr2FemMonO6陶瓷的制备方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2981661B2 (ja) * | 1998-03-27 | 1999-11-22 | 工業技術院長 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子 |
JP3010203B1 (ja) * | 1998-10-16 | 2000-02-21 | 工業技術院長 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子及びその製造方法 |
JP4536210B2 (ja) * | 2000-05-23 | 2010-09-01 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法 |
JP3795346B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2006-07-12 | 松下電器産業株式会社 | 磁気抵抗効果型素子ならびにこれを用いた磁気記憶素子および磁気ヘッド |
JP3632086B2 (ja) * | 2002-02-12 | 2005-03-23 | 国立大学法人名古屋大学 | 磁気抵抗膜の作製方法及び磁気抵抗膜 |
-
2008
- 2008-03-13 JP JP2008063618A patent/JP5493278B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009215145A (ja) | 2009-09-24 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
Bhoi et al. | Unravelling the nature of magneto-electric coupling in room temperature multiferroic particulate (PbFe0. 5Nb0. 5O3)–(Co0. 6Zn0. 4Fe1. 7Mn0. 3O4) composites | |
Kumar et al. | Multiferroic and magnetoelectric properties of Ba0. 85Ca0. 15Zr0. 1Ti0. 9O3–CoFe2O4 core–shell nanocomposite | |
JP6137577B2 (ja) | 電流垂直型磁気抵抗効果素子 | |
JP6611167B2 (ja) | 熱電変換デバイス及び熱電変換素子 | |
US10438641B2 (en) | Data writing method and magnetic memory | |
Liu et al. | Magnetoelectric properties of lead-free (80Bi0. 5Na0. 5TiO3-20Bi0. 5K0. 5TiO3)-Ni0. 8Zn0. 2Fe2O4 particulate composites prepared by in situ sol-gel | |
Momin et al. | Enhance magnetoelectric coupling in xLi0. 1Ni0. 2Mn0. 6Fe2. 1O4–(1− x) BiFeO3 multiferroic composites | |
JP5493278B2 (ja) | 強磁性セラミック、ならびにそれを用いて構成される磁気抵抗素子および磁気センサ | |
JP3466470B2 (ja) | 薄膜磁気抵抗素子 | |
Hamieh et al. | Ferromagnetism and magnetoresistance of nanocomposite ZnO-Co thin films | |
JPWO2020040264A1 (ja) | ホール素子 | |
US11525873B2 (en) | Magnetoresistance effect element including at least one Heusler alloy layer and at least one discontinuous non-magnetic layer | |
Duan et al. | Integration of c-axis oriented Bi3. 15Nd0. 85Ti2. 95Hf0. 05O12/La0. 67Sr0. 33MnO3 ferromagnetic-ferroelectric composite film on Si substrate | |
JP3578721B2 (ja) | 磁気制御素子とそれを用いた磁気部品及びメモリー装置 | |
US6590268B2 (en) | Magnetic control device, and magnetic component and memory apparatus using the same | |
JP6485588B1 (ja) | データの書き込み方法 | |
WO2021199233A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
JP2020043165A (ja) | 電子素子及びその製造方法並びに磁気抵抗素子 | |
Sazali et al. | Effect of Fe3+ Partial Substitution at Mn-Site on Electroresistance Behaviour in La0. 7Ba0. 3Mn1-xFexO3 (x= 0 and 0.02) Manganites | |
Singh et al. | Strain mediated magnetoelectric coupling response in Ba0. 85Ca0. 15Ti0. 9Zr0. 1O3–CoFe1. 95Mg0. 05O4 particulate multiferroic composites | |
US6638442B1 (en) | Polycrystalline ferromagnetic metal oxide and method of manufacturing the same | |
JP5375951B2 (ja) | 磁気インピーダンス素子およびそれを用いた磁気センサ | |
Wang et al. | Electric transport properties and temperature stability of magnetoresistance of composite system between La8/9Sr1/45Na4/45MnO3 and Sb2O3 | |
WO2021029148A1 (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
Dutta et al. | Tuning electronic transport through magnetic field and magnetoelectric coupling of multiferroic nanocomposites |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20110222 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130522 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140217 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5493278 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |