JP4536210B2 - 無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
磁性酸化物であるマンガン酸化物等では、人工的に粒界を導入することにより大きな磁気抵抗効果が発現することが報告されている。ここで、磁気抵抗効果とは、電気抵抗が外部磁場の印加により変化する現象である。金属多層膜での磁気抵抗効果は、微弱な外部磁場を読み取る磁気ヘッド等に実用化されている。また、マンガン酸化物等の磁性酸化物では大きな磁気抵抗効果が発現するため、盛んに研究されている。
【0003】
このような磁気抵抗効果は以下のような機構で生じると考えられている。
まず、粒界はエネルギー障壁として作用し、荷電担体はその障壁をトンネル効果によって透過する。外部磁場がない場合は、各粒の磁化は、ばらばらな方向を向いており、トンネル電流を妨げている。外部磁場は各粒の磁化の向きを揃え、トンネル電流を増大させる。
【0004】
最近、Sr2 FeMoO6 及びSr2 FeReO6 において、この機構による室温での磁気抵抗効果の発現が報告されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記した粒界の存在は電気抵抗を増大させるため、素子化・薄膜化する場合に発熱等の問題が生じてしまう。
本発明では、上記問題点を除去し、電気抵抗を増大させることなく素子化・薄膜化することができる無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明は、上記目的を達成するために、
〔1〕無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、(a)原料酸化物及び金属粉末を目的物質の組成に合わせた混合比で混ぜて、ロッド状に成型する工程と、(b)このロッド状の成型体をAr雰囲気にて加熱し焼結する工程と、(c)その焼結体を浮遊帯域溶融法で結晶成長させ、Sr 2 MMoO 6 〔M=(Fe,Co),(Fe,Mn),(Fe,Cr)の結晶を得る工程とを施すことを特徴とする。
【0007】
〔2〕上記〔1〕記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、前記工程(b)の加熱は、略1000°Cで1〜2時間行うことを特徴とする。
〔3〕上記〔1〕記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、前記工程(c)の結晶成長は、Ar雰囲気にて、成長速度は、15mm/h〜25mm/hであることを特徴とする。
【0008】
〔4〕上記〔1〕記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、市販のSrCO 3 ,Cr 2 O 3 ,MnO 4 ,CoO,Fe 2 O 3 ,Mo及びMoO 3 を目的物質の組成に合わせて成型し、焼結、結晶成長させることを特徴とする。
〔5〕上記〔4〕記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、前記結晶成長は、Ar雰囲気中にて、送り速度〜20mm/hで行うことを特徴とする。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について詳細に説明する。
以下に本発明の実施例を示す無粒界型磁気抵抗効果素材の材料、その製造方法及び製造された磁気抵抗効果素材の物性について述べる。
(1)材料
材料は二重ペロブスカイト型遷移金属酸化物バルク結晶であり、これを化学式で示すとSr2 MMoO6 であり、ここでM=(Fe,Co),(Fe,Mn),(Fe,Cr)等の合金である。
【0010】
(2)製造方法
(i)原料酸化物及び金属粉末をある混合比で混ぜる。
(ii)ロッド状(長さ5cm〜8cm、直径3mm〜5mm)に成型する。
(iii )Ar雰囲気中にて、1000°Cで、1〜2時間加熱し焼結する。
(iv)その焼結体を浮遊帯域溶融法で、結晶成長させる。成長はAr雰囲気で行い、成長速度は、15mm/h〜25mm/hである。
【0011】
(3)物性
(a)X線回折パターン
X線回折パターンによれば、得られた結晶は立方晶に近い正方晶に属する。成長した結晶は、多結晶であるが、結晶粒の大きさは小さいもので数mm立方であった。
【0012】
(b)磁性
(Fe,Co)および(Fe,Mn)は、フェリ磁性である。Co及びMnの濃度の増加に従い転移温度が低下する。Coの場合、1%あたり3℃、Mnの場合1%あたり7℃低下する。(Fe,Cr)は、フェリ磁性を示さない。
(c)抵抗率
(Fe,Co)及び(Fe,Mn)は金属的である。特に、(Fe,Co)は抵抗率が低く、室温でも1mΩ・cm程度である。(Fe,Cr)は、絶縁体的である。
【0013】
(d)磁気抵抗効果
(Fe,Co)及び(Fe,Mn)は室温で大きな磁気抵抗効果を示す。Co濃度0%,10%,20%,30%,40%の試料を作製し、室温で磁気抵抗効果を測定したところ、20%と30%の試料で1Tあたり約2%の磁気抵抗が観測された。ここで磁気抵抗の大きさは、−〔R(1 T)−R(0 T)〕/R(0 T)で定義されている。また、Mn30%の試料でも1Tあたり約2%の磁気抵抗が観測された。したがって、磁気抵抗の大きさは、Co及びMnの濃度が20%〜30%で最適化される。
【0014】
(e)過去の報告との関連
Sr2 FeMMoO6 で室温付近で、磁気抵抗効果が報告されている〔小林等:Nature)395(1998)677〕。この報告では、焼結体試料に結晶粒界を導入して磁気抵抗を発現させている。この場合の磁気抵抗の大きさは、1Tあたり約15%である。しかしながら、結晶粒界のため、抵抗率自体が高くなってしまう(室温で30mΩ・cm程度)。これに対して、本発明では粒界のない溶融バルク結晶を用いているため、抵抗率が低い(室温でも1mΩ・cm程度)。
【0015】
(f)磁気抵抗発現機構
現在、酸化物材料での磁気抵抗発現機構として提唱されているのは、(1)スピン・バルブ的磁気抵抗、(2)粒界トンネル型磁気抵抗である。
上記(1)のスピン・バルブ的磁気抵抗は、外部磁場により磁気構造を変化させることにより、抵抗率を変化させるものであり、磁気秩序が存在する低温でのみ観測される。例えば、NdSr2 Mn2 O7 では150K以下である。
【0016】
上記(2)の粒界トンネル型磁気抵抗は、外部磁場により各粒の磁化の向きを揃え、トンネル電流を増大させるものである。温度の増加に伴い磁気抵抗効果が小さくなる。マンガン酸化物では、200K以下くらいである。
本発明の磁気抵抗効果素材は、低温では観測されず、300Kから350Kにかけて増大するといった著しい特徴をもっている。したがって、本発明の磁気抵抗効果素材は、今までの磁気抵抗効果と異なる起源をもつ。
【0017】
〔具体例〕
以下、無粒界型磁気抵抗効果素材の具体例について詳細に説明する。
ここでは、Sr2 FeMoO6 を置換するFeサイトにおける室温磁気抵抗について説明する。
二重ペロブスカイト構造を持つSr2 FeMoO6 結晶を置換するFeサイトにおける、室温磁気抵抗(以下、MR)を観測している。こうして溶融成長(melt−grown)した結晶はわずかな粒界しか持たずに高い導電率(300Kで〜10-3Ωcm)を示すので、実用に有利である。MRの大きさの置換分の濃度依存性及び温度依存性に基づいて、原因の可能性について論じる。
【0018】
磁気抵抗現象−外部磁界に対する抵抗が減少するには、基本的及び実用的見解からかなりの関心が寄せられている。実用的装置においてこの効果を利用するにあたっては、(A)高磁界感度(high−field sensitivity)のみならず、(B)高導電率もまた、室温にて観測することが必要である。これまで、多くの研究者たちが、人工トンネル接合、つまりセラミック粒界を導入することによって酸化物システムの磁気抵抗を拡大しようと試みてきた。さらに新しい方法として、室温磁気抵抗を生成する点で成功していると見受けられる、Kobayashi等、及びKim等により、粒界を導入することによって、二重ペロブスカイト構造を持つ多結晶のSr2 FeMoO6 及びSr2 FeReO6 結晶の室温磁気抵抗の観測が行われた。この粒界は、ポテンシャル障壁として作用し、また、これはトンネル型磁気抵抗(TMR)を実現させるものである。しかし、粒界は電荷担体の散乱により伝導を抑制する。そして、このことはTMR効果の実用における欠点である。
【0019】
ここに、二重ペロブスカイト構造を持つSr2 FeMoO6 結晶を置換するFeサイトにおける室温磁気抵抗MRについて述べる。ここで、溶融成長(melt−grown)した結晶は、わずかな粒界しか持たず、高導電率(300Kで〜10-3Ωcm)を示し、多結晶試料と明確な対照をなす。さらに、MRの大きさは、粒界によるTMR効果の場合と逆で、温度低下によってかなり抑制されることが分かった。現在観測中のMR効果の原因は、Feサイトにおいて熱的に変動するスピン不純物(Co3+及びMn3+)であるとしている。
【0020】
Sr2 FeMoO6 は、臨界温度Tc ≒420Kによるフェリ磁性金属である。これらのシステムにおいて、Fe3+イオン(3d5 )は、局在スピンとして振る舞い、伝導帯はMo4d電子により占められる。強磁性の原因は、Fe3d5 スピンとMo4dスピンとの間の反強磁性的超交換相互作用にある。
以下、実験について説明する。
【0021】
単結晶性Sr2 (Fe,M)MoO6 (M=Cr,Mn及びCo)を、フローティングゾーン方法により溶融成長させた。市販のSrCO3 ,Cr2 O3 ,MnO4 ,CoO,Fe2 O3 ,Mo及びMoO3 を目的物質の組成に合わせて5mmφ×80mmサイズのロッド状に成型して、真空中にて、1000°Cで2時間焼結した。結晶は、Ar雰囲気中にて、送り速度〜20mm/hで成長させる。すると黒色で光沢のある結晶(直径4mm・長さ10mmのものが典型的)が得られた。イメージングプレートによるシンクロトロンX線粉末回折実験を、Spring−8 BL02B2において、巨大デバイ‐シェラーカメラを用いて行った。溶融成長した結晶インゴットを細粉になるまで砕き、0.2mmφの石英管でシールした。入射X線の波長は約0.5Åであり、露出時間は5分間であった。結晶の対称性は、室温で正方晶系(I4/mmm;Z=2)である。格子定数をRIETAN−97βプログラムで精密化したので、表1にそれを示す。
【0022】
【表1】
得られた結晶は、単一相である。Crを添加した化合物を除くと、Bサイトの秩序化による、[1,1,1]超格子反射が観測される。
そこで、抵抗を測定するため試料を方形に切断し(2×1×3mm3 が典型的)、熱処理型銀ペースト(silver paint)で電気接触を行った。熱処理はArの流動において行われた。S/N比を高めるために、1kHzの周波数を持つ交流電流と、10mAの振幅が適用された。そして、100mA−100mAの電流範囲における抵抗のオーミック性(ohmicity)を確認した。さらに、零電界(ZFC)において10Kまで冷却した後、μ0 H=0.5T磁界のもとでの、磁性(M;図示なし)の温度変化を測定した。強磁性遷移の臨界温度を、M−Tカーブ上の変曲点から決定した。
【0023】
その結果として、図1にSr2 FeMoO6 結晶を置換するFeサイトの抵抗の総合的な特徴を示す。下向き矢印は強磁性遷移の臨界温度(Tc )を表す。Coを添加した化合物は380Kまでの金属性を示し、一方、Sr2 (Fe0.7 Mn0.3 )MoO6 は、100K以下で絶縁性を示す。
Tc 付近のρ−Tカーブを注視するべく、図2における、T2 に対する抵抗データを示す。抵抗は低温の範囲内で∝T2 に比例するが、Sr2 (Fe0.7 Mn0.3 )MoO6 及びSr2 (Fe0.6 Co0.4 )MoO6 を示す細い直線で例示する通り、Tc に接近するにつれ徐々に離れてゆく。なお、図1及び図2において、細い直線は、見やすくするためのものである。
【0024】
こうした観測により、電子−電子散乱が低温抵抗を抑制する一方、Tc に接近するにつれ、電子スピン散乱成分が増加することが示唆される。因みに、Sr2 (Fe0.7 Cr0.3 )MoO6 は、調査した全温度で絶縁体的であり、磁化が抑制されている〔図3(a)参照〕。このような常磁性は恐らくペロブスカイトBサイトの不規則性によるものであると思われる。常磁性のSr2 (Fe0.7 Cr0.3 )MoO6 〔図3(b)参照〕およびSr2 (Fe0.8 Cr0.2 )MoO6 (図示なし)は、それほど大きいMRを示さない。
【0025】
図3に、Sr2 (Fe0.7 M0.3 )MoO6 (M=Cr,Mn及びCo)300Kにおける磁化カーブ〔図3(a)〕及び磁気抵抗(MR)〔図3(b)〕を示す。ρ0 は零磁界における抵抗である。Sr2 (Fe0.7 Co0.3 )MoO6 及びSr2 (Fe0.7 Mn0.3 )MoO6 は、300Kにおける強磁性であり、ゆえに、磁気領域のスピンにより、M−Tカーブは低磁界領域(<1 T)において急激な上昇を示す。これに対し、MRの大きさは、磁界に従ってほぼ線形に減少する〔図3(a)参照〕。換言すれば、現在観測しているMRは、バルク磁性と、磁性領域のいずれをも反映しない。従って、MR効果は、Bサイト不純物それ自体に起因するものである。
【0026】
それでは、その抵抗が極端に低い、Coを添加したシステム及びSr2 (Fe1-X CoX )MoO6 におけるMR作用について見てみることにする。
図4(a)にMR効果のCoの濃度依存性を、図4(b)に温度依存性を示す。図4(a)に示すように、MR効果はx=0.2−0.3において拡大する。これは、一部にはこれらの化合物のTc は約300K(x=0.2においてTc =328K、及びx=0.3においてTc =309K)であり、ゆえに電子スピン散乱成分は、300Kにおいて増加するという点が理由として挙げられる。実に妙ではあるが、MRの大きさは、粒界によってトンネル型MR(TMR)と急激な対照を成しつつ、温度低下によりかなり抑圧される〔図4(b)参照〕。
【0027】
TMRの場合、温度上昇に伴ってMRの大きさは急速に抑圧される。従って、現在のMR効果は別のメカニズムで発現している。特徴的な温度依存性から判断すると、MR作用は、スピン不純物(Co3+及びMn3+)が、Feサイトにおいて温度的に熱的にゆらぐことに起因するものであると考えられる。
こうした不純物スピンは、Feスピンの場合と同様、T≪Tc において強磁性的に秩序化されているので、MR効果は抑圧される。しかし、Tc 付近では不純物スピンが熱的にゆらぐので、ρ−TカーブのT2 則から逸脱が生じ得る。外部磁界は、不純物スピンを強制的に並べ、抵抗を減少させる。ヒステリシスが、x=0.2及び0.3、また300Kにおいて観測される。これは、磁界内粒界における散乱に起因するものである。この粒界のパターンは、各磁界サイクルにおいて変化し得るからである。
【0028】
このように、二重ペロブスカイト構造を持つSr2 FeMoO6 結晶を置換するFeサイトにおける室温磁気抵抗を観測している。現在観測したMRは、粒界によるTMRと急激な対照を成しつつ、Tc に接近するにつれ拡大する。現在観測されたMR効果を、Feサイトにおいて温度的に変動する不純物スピンという点で説明を行った。
【0029】
なお、本発明は上記実施例に限定されるものではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能であり、これらを本発明の範囲から排除するものではない。
【0030】
【発明の効果】
以上、詳細に説明したように、本発明によれば、以下のような効果を奏することができる。
(1)「無粒界型」であるため抵抗率が低く、それに伴い、磁気抵抗の機構が既存のものと異なる新規な磁気抵抗効果素材を得ることができる。
【0031】
(2)特に、本発明の磁気抵抗効果は、CoまたはMnが導入された無粒界型のSr2 FeMoO6 結晶で発現する。試料中に粒界が存在しないため、電気抵抗を低く抑えることができる。また、室温でも磁気抵抗が観測されている。
したがって、磁気抵抗効果素材を電気抵抗を低く抑えて、素子化・薄膜化するのに有望である。
【図面の簡単な説明】
【図1】 Sr2 (Fe,M)MoO6 (M=Cr,Mn及びCo)結晶の抵抗の温度依存性を示す図である。
【図2】 Sr2 (Fe,M)MoO6 (M=Cr,Mn及びCo)結晶の抵抗のT2 −依存性を示す図である。
【図3】 Sr2 (Fe0.7 M0.3 )MoO6 (M=Cr,Mn及びCo)300Kにおける磁化カーブ及び磁気抵抗を示す図である。
【図4】 Sr2 (Fe1-X CoX )MoO6 におけるMR効果のCoの濃度依存性及び温度依存性を示す図である。
Claims (5)
- 無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、
(a)原料酸化物及び金属粉末を目的物質の組成に合わせた混合比で混ぜて、ロッド状に成型する工程と、
(b)該ロッド状の成型体をAr雰囲気にて加熱し焼結する工程と、
(c)その焼結体を浮遊帯域溶融法で結晶成長させ、Sr 2 MMoO 6 〔M=(Fe,Co),(Fe,Mn),(Fe,Cr)の結晶を得る工程とを施すことを特徴とする無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法。 - 請求項1記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、前記工程(b)の加熱は、略1000°Cで1〜2時間行うことを特徴とする無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法。
- 請求項1記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、前記工程(c)の結晶成長は、Ar雰囲気にて、成長速度は、15mm/h〜25mm/hであることを特徴とする無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法。
- 請求項1記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、市販のSrCO 3 ,Cr 2 O 3 ,MnO 4 ,CoO,Fe 2 O 3 ,Mo及びMoO 3 を目的物質の組成に合わせて成型し、焼結、結晶成長させることを特徴とする無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法。
- 請求項4記載の無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法であって、前記結晶成長は、Ar雰囲気中にて、送り速度〜20mm/hで行うことを特徴とする無粒界型磁気抵抗効果素材の製造方法。
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Families Citing this family (1)
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06237022A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Hitachi Ltd | 磁気検出装置 |
JPH08133895A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 無粒界型マンガン酸化物系結晶体、その製造方法及びメモリースイッチング型磁気抵抗素子 |
JPH08259393A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 層構造マンガン酸化物系単結晶体及びその製造方法 |
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Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06237022A (ja) * | 1993-02-09 | 1994-08-23 | Hitachi Ltd | 磁気検出装置 |
JPH08133895A (ja) * | 1994-11-04 | 1996-05-28 | Agency Of Ind Science & Technol | 無粒界型マンガン酸化物系結晶体、その製造方法及びメモリースイッチング型磁気抵抗素子 |
JPH08259393A (ja) * | 1995-03-16 | 1996-10-08 | Agency Of Ind Science & Technol | 層構造マンガン酸化物系単結晶体及びその製造方法 |
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