JP3134196B1 - 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法 - Google Patents
二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法Info
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Landscapes
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- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
【要約】
【課題】 室温付近においてすぐれた磁気抵抗特性を示
す酸化物結晶体あるいは多結晶体を用いた磁気抵抗素子
を提供することを目的とする。 【解決手段】 化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０
＜ｘ≦１．０）で表される負の磁気抵抗特性を示す酸化
物結晶体で、特に、一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロ
ブスカイト型結晶構造であり、そのペロブスカイト型結
晶構造中のＡサイトをストロンチウムＳｒが、同じくＢ
サイトを鉄Ｆｅが、同じくＢサイトをモリブデンＭｏあ
るいはタングステンW が占め、またB 原子（Ｆｅ）およ
びＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）がペロブスカイト型結晶
構造中のＢサイトを交互に占有した二重整列ペロブスカ
イト型である酸化物結晶体を用いて、磁気抵抗素子を構
成する。
す酸化物結晶体あるいは多結晶体を用いた磁気抵抗素子
を提供することを目的とする。 【解決手段】 化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０
＜ｘ≦１．０）で表される負の磁気抵抗特性を示す酸化
物結晶体で、特に、一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロ
ブスカイト型結晶構造であり、そのペロブスカイト型結
晶構造中のＡサイトをストロンチウムＳｒが、同じくＢ
サイトを鉄Ｆｅが、同じくＢサイトをモリブデンＭｏあ
るいはタングステンW が占め、またB 原子（Ｆｅ）およ
びＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）がペロブスカイト型結晶
構造中のＢサイトを交互に占有した二重整列ペロブスカ
イト型である酸化物結晶体を用いて、磁気抵抗素子を構
成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、二重整列ペロブス
カイト構造磁気抵抗素子とその使用方法に関するもので
ある。さらに詳しくいえば、本発明は温度特性について
金属的な電気抵抗から絶縁体的な電気抵抗までの幅広い
電気伝導性をもち、磁気抵抗効果特性あるいはその磁気
抵抗効果特性を引き起こしていると見られるスピン分極
特性を向上させて成る、室温または室温近傍で動作可能
な磁気抵抗素子として効果的に利用しうる二重整列ペロ
ブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法に関するも
のである。
カイト構造磁気抵抗素子とその使用方法に関するもので
ある。さらに詳しくいえば、本発明は温度特性について
金属的な電気抵抗から絶縁体的な電気抵抗までの幅広い
電気伝導性をもち、磁気抵抗効果特性あるいはその磁気
抵抗効果特性を引き起こしていると見られるスピン分極
特性を向上させて成る、室温または室温近傍で動作可能
な磁気抵抗素子として効果的に利用しうる二重整列ペロ
ブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】近年、銅酸化物の高温超伝導体の発見以
来、ペロブスカイト型結晶構造をもつ遷移金属酸化物の
物性が再び注目される様になり、その１つとして、負の
巨大磁気抵抗現象を示すマンガン酸化物結晶体に対する
研究が精力的に展開されてきた。
来、ペロブスカイト型結晶構造をもつ遷移金属酸化物の
物性が再び注目される様になり、その１つとして、負の
巨大磁気抵抗現象を示すマンガン酸化物結晶体に対する
研究が精力的に展開されてきた。
【０００３】その結果、従来のマンガン酸化物結晶体に
おける磁気抵抗現象は、特に結晶粒界を持たない単結晶
において著しい現象が観測されている。しかしいずれも
磁気抵抗特性の観測される温度範囲が狭く、また室温で
は磁気抵抗特性は観測されていない。
おける磁気抵抗現象は、特に結晶粒界を持たない単結晶
において著しい現象が観測されている。しかしいずれも
磁気抵抗特性の観測される温度範囲が狭く、また室温で
は磁気抵抗特性は観測されていない。
【０００４】また、従来のマンガン酸化物単結晶体で
は、室温から４Ｋの間の温度域において、その一部分で
ある磁気転移温度近傍で負の磁気抵抗効果を示すことが
報告されているが、そのほぼ全温度域にわたって磁気抵
抗効果を示す特性を持ち、かつ容易に作製可能な酸化物
セラミックスの報告例は少ない。
は、室温から４Ｋの間の温度域において、その一部分で
ある磁気転移温度近傍で負の磁気抵抗効果を示すことが
報告されているが、そのほぼ全温度域にわたって磁気抵
抗効果を示す特性を持ち、かつ容易に作製可能な酸化物
セラミックスの報告例は少ない。
【０００５】一方、磁気抵抗現象を示す物質として、化
学式Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わされる二重整列ペロブスカ
イト構造をもつ酸化物の存在は知られており、結晶構
造、磁性等については既に研究され、キュリー温度が４
００Ｋ付近と、室温より十分に高いことが報告されてい
る。さらに上述のＳｒ2ＦｅＭｏＯ6の多結晶体では、室
温を含みかつ室温以下極低温までの全温度域において、
巨大トンネル磁気抵抗特性を示す事が見出されており、
例えば、Ｎａｔｕｒｅ、Ｖｏｌ．３９５、Ｎｏ．６７０
３、６７７−６８０（１９９８）．、に掲載された論文
や、特開平１１−２８４２４９号公報においてその概要
を知ることができる。
学式Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で表わされる二重整列ペロブスカ
イト構造をもつ酸化物の存在は知られており、結晶構
造、磁性等については既に研究され、キュリー温度が４
００Ｋ付近と、室温より十分に高いことが報告されてい
る。さらに上述のＳｒ2ＦｅＭｏＯ6の多結晶体では、室
温を含みかつ室温以下極低温までの全温度域において、
巨大トンネル磁気抵抗特性を示す事が見出されており、
例えば、Ｎａｔｕｒｅ、Ｖｏｌ．３９５、Ｎｏ．６７０
３、６７７−６８０（１９９８）．、に掲載された論文
や、特開平１１−２８４２４９号公報においてその概要
を知ることができる。
【０００６】さらに、上記報告では、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6
ではその特異な電子構造によって、基底状態において伝
導電子が１００％スピン分極していることが理論計算に
よって示されており、実験結果もこの計算結果によく符
合している。本発明の磁気抵抗素子においても、Ｓｒ2
Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6の抵抗率の磁場依存性から、小
さいｘについては、スピン分極による磁気抵抗特性への
寄与が大きいと思われる。
ではその特異な電子構造によって、基底状態において伝
導電子が１００％スピン分極していることが理論計算に
よって示されており、実験結果もこの計算結果によく符
合している。本発明の磁気抵抗素子においても、Ｓｒ2
Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6の抵抗率の磁場依存性から、小
さいｘについては、スピン分極による磁気抵抗特性への
寄与が大きいと思われる。
【０００７】しかし、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6を磁気抵抗素子
として実用化した場合、素子が金属的伝導特性を示すた
めに磁気抵抗素子の抵抗値が比較的低くなり、従って、
磁気抵抗素子として実用化した際に素子に流れる電流値
が大きくなり、消費電力が大きくなることや、素子の発
熱が大きくなること等が懸念されている。それゆえ、電
気抵抗がＳｒ2ＦｅＭｏＯ6より大きくかつ負の磁気抵抗
特性を示す酸化物セラミックスの開発が必要とされてい
た。
として実用化した場合、素子が金属的伝導特性を示すた
めに磁気抵抗素子の抵抗値が比較的低くなり、従って、
磁気抵抗素子として実用化した際に素子に流れる電流値
が大きくなり、消費電力が大きくなることや、素子の発
熱が大きくなること等が懸念されている。それゆえ、電
気抵抗がＳｒ2ＦｅＭｏＯ6より大きくかつ負の磁気抵抗
特性を示す酸化物セラミックスの開発が必要とされてい
た。
【０００８】また、化学式Ｓｒ2ＦｅＷＯ6で表わされる
二重整列ペロブスカイト構造をもつ酸化物の存在も知ら
れており、磁性は１６Ｋに磁気転移温度をもつ反強磁性
体であり、電気伝導性は絶縁体である旨、知られてい
る。これは、例えば、Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ．Ｒｅｐ
ｔｓ．、Ｖｏｌ．２０，３２７−３３６（１９６
５）．、に掲載された論文で報告されている。さらにこ
れら２種類の二重整列ペロブスカイト構造酸化物の固溶
体であるＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6では、W 置換量の
増加に伴って、金属的伝導特性から絶縁体的伝導特性へ
と変化することが知られている。これは、例えば、Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ ＰｈｙｓｉｃａｌＳｏｃｉ
ｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ、Ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．４，
８８０−８８６（１９６９）．、に掲載された論文で報
告されている。しかしながら、上記のいずれの報告にお
いても、Ｓｒ2ＦｅＷＯ6またはＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷx）Ｏ6の多結晶体が、本発明の動作原理となって
いる結晶粒界に起因するトンネル型磁気抵抗特性を示す
ことは報告されておらず、またその可能性にもまったく
触れられていない。
二重整列ペロブスカイト構造をもつ酸化物の存在も知ら
れており、磁性は１６Ｋに磁気転移温度をもつ反強磁性
体であり、電気伝導性は絶縁体である旨、知られてい
る。これは、例えば、Ｐｈｉｌｉｐｓ Ｒｅｓ．Ｒｅｐ
ｔｓ．、Ｖｏｌ．２０，３２７−３３６（１９６
５）．、に掲載された論文で報告されている。さらにこ
れら２種類の二重整列ペロブスカイト構造酸化物の固溶
体であるＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6では、W 置換量の
増加に伴って、金属的伝導特性から絶縁体的伝導特性へ
と変化することが知られている。これは、例えば、Ｊｏ
ｕｒｎａｌ ｏｆ Ｔｈｅ ＰｈｙｓｉｃａｌＳｏｃｉ
ｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ、Ｖｏｌ．２７、Ｎｏ．４，
８８０−８８６（１９６９）．、に掲載された論文で報
告されている。しかしながら、上記のいずれの報告にお
いても、Ｓｒ2ＦｅＷＯ6またはＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷx）Ｏ6の多結晶体が、本発明の動作原理となって
いる結晶粒界に起因するトンネル型磁気抵抗特性を示す
ことは報告されておらず、またその可能性にもまったく
触れられていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記に鑑
み提案されたもので、室温付近においてすぐれた磁気抵
抗特性を示す酸化物結晶体あるいは多結晶体を用いた二
重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法
を提供することを目的とする。
み提案されたもので、室温付近においてすぐれた磁気抵
抗特性を示す酸化物結晶体あるいは多結晶体を用いた二
重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法
を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、ペロブス
カイト型酸化物系結晶体について種々研究を重ね、化学
式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6で表わされる二重整列ペ
ロブスカイト型構造をもつ酸化物の磁気抵抗特性につい
て研究を進めた結果、所定の組成となるように秤量およ
び配合された原料酸化物を用いて作製された試料によ
り、室温近傍から極低温までの全温度域において負の巨
大磁気抵抗効果が得られることを新たに見いだした。本
発明は、これらの新たに見出された物性を用いた磁気抵
抗素子とその使用方法に関するものである。
カイト型酸化物系結晶体について種々研究を重ね、化学
式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6で表わされる二重整列ペ
ロブスカイト型構造をもつ酸化物の磁気抵抗特性につい
て研究を進めた結果、所定の組成となるように秤量およ
び配合された原料酸化物を用いて作製された試料によ
り、室温近傍から極低温までの全温度域において負の巨
大磁気抵抗効果が得られることを新たに見いだした。本
発明は、これらの新たに見出された物性を用いた磁気抵
抗素子とその使用方法に関するものである。
【００１１】上記の目的を達成するために、請求項１に
記載の発明は、化学式 Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6
（０＜ｘ≦１．０）で表される負の磁気抵抗特性を示す
酸化物結晶体を、特に、その酸化物結晶体の結晶構造
は、一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロブスカイト型結
晶構造であり、さらにそのペロブスカイト型結晶構造
は、そのペロブスカイト型結晶構造中のＡサイトを占め
るＡ原子がストロンチウムＳｒ、同じくＢサイトを占め
るＢ原子が鉄Ｆｅ、同じくＢサイトを占めるＢ’原子が
モリブデンＭｏあるいはタングステンW であり、なおか
つＢ原子（Ｆｅ）およびＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）が
ペロブスカイト型結晶構造中のＢサイトを交互に占有し
た二重整列ペロブスカイト型結晶構造である酸化物結晶
体を、用いたことを特徴としている。
記載の発明は、化学式 Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6
（０＜ｘ≦１．０）で表される負の磁気抵抗特性を示す
酸化物結晶体を、特に、その酸化物結晶体の結晶構造
は、一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロブスカイト型結
晶構造であり、さらにそのペロブスカイト型結晶構造
は、そのペロブスカイト型結晶構造中のＡサイトを占め
るＡ原子がストロンチウムＳｒ、同じくＢサイトを占め
るＢ原子が鉄Ｆｅ、同じくＢサイトを占めるＢ’原子が
モリブデンＭｏあるいはタングステンW であり、なおか
つＢ原子（Ｆｅ）およびＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）が
ペロブスカイト型結晶構造中のＢサイトを交互に占有し
た二重整列ペロブスカイト型結晶構造である酸化物結晶
体を、用いたことを特徴としている。
【００１２】また、良好な磁気抵抗特性を得るために、
請求項２に記載の発明は、上記した請求項１に記載の発
明の構成に加えて、Ｂサイト内におけるＢ原子（Ｆｅ）
及びＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）の整列の度合いが２０
％以上であることを特徴としている。
請求項２に記載の発明は、上記した請求項１に記載の発
明の構成に加えて、Ｂサイト内におけるＢ原子（Ｆｅ）
及びＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）の整列の度合いが２０
％以上であることを特徴としている。
【００１３】また、磁気抵抗素子を室温以下の温度で使
用するために、請求項３に記載の発明は、上記した請求
項１に記載の発明の構成に加えて、１０% 以上の負の磁
気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ
6（０＜ｘ≦０．９）で表される二重整列ペロブスカイ
ト構造磁気抵抗素子を、２７℃以下の温度域内で使用す
ることを特徴としている。
用するために、請求項３に記載の発明は、上記した請求
項１に記載の発明の構成に加えて、１０% 以上の負の磁
気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ
6（０＜ｘ≦０．９）で表される二重整列ペロブスカイ
ト構造磁気抵抗素子を、２７℃以下の温度域内で使用す
ることを特徴としている。
【００１４】また、従来にない効果を示す磁気抵抗素子
を室温域で使用するために、請求項４に記載の発明は、
上記した請求項１に記載の発明の構成に加えて、２% 以
上の負の磁気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-x
Ｗx）Ｏ6(０＜ｘ≦０．８)で表される二重整列ペロブス
カイト構造磁気抵抗素子を、０℃から２７℃までの温度
域内で使用することを特徴としている。
を室温域で使用するために、請求項４に記載の発明は、
上記した請求項１に記載の発明の構成に加えて、２% 以
上の負の磁気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-x
Ｗx）Ｏ6(０＜ｘ≦０．８)で表される二重整列ペロブス
カイト構造磁気抵抗素子を、０℃から２７℃までの温度
域内で使用することを特徴としている。
【００１５】
【発明の実施の形態】本発明は、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷ
x）Ｏ6で表わされる二重整列ペロブスカイト型構造をも
つ酸化物を、還元性雰囲気中１１００℃乃至１５００℃
において焼結させることによって、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-x
Ｗx）Ｏ6中の、Ｆｅ原子と、ＭｏおよびW 原子が、ペロ
ブスカイト結晶構造におけるＢサイトを交互に整列して
占有し、室温近傍以下４Ｋまでのほぼ全温度域において
負の磁気抵抗特性を示す酸化物セラミックスが得られる
ので、これで、目的とする磁気抵抗素子を構成するもの
である。
x）Ｏ6で表わされる二重整列ペロブスカイト型構造をも
つ酸化物を、還元性雰囲気中１１００℃乃至１５００℃
において焼結させることによって、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-x
Ｗx）Ｏ6中の、Ｆｅ原子と、ＭｏおよびW 原子が、ペロ
ブスカイト結晶構造におけるＢサイトを交互に整列して
占有し、室温近傍以下４Ｋまでのほぼ全温度域において
負の磁気抵抗特性を示す酸化物セラミックスが得られる
ので、これで、目的とする磁気抵抗素子を構成するもの
である。
【００１６】以下にこの発明の実施の形態を図面に基づ
いて詳細に説明する。先ず第１の実施形態を以下に説明
する。
いて詳細に説明する。先ず第１の実施形態を以下に説明
する。
【００１７】十分に乾燥させたＳｒＣＯ3 、Ｆｅ2Ｏ3、
ＭｏＯ3 、WO3 を、予め決められたｘ（ただし、０≦x
≦１．０）に対し、金属原子の割合がＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷ x）Ｏ6となる様に秤量し、瑪瑙乳鉢等を用いて混
合した混合物を、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円盤
形状になる様に、約０．３乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ２程
度の圧力で成形した後、１０００℃で３時間程度Ａｒガ
ス気流中還元条件下で仮焼する。なお原料は上記に限定
されることはなく、ＳｒＯ、ＭｏＯ2 およびＭｏＯ3 と
Ｍｏ金属微粉末、WO2 およびWO3 とW 金属微粉末との混
合物等を使用しても同様の結果が得られる。なおこの１
０００℃での仮焼は円盤に成形せず、混合粉末のまま行
っても以下に示す結果と同様の結果が容易に得られる。
ＭｏＯ3 、WO3 を、予め決められたｘ（ただし、０≦x
≦１．０）に対し、金属原子の割合がＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷ x）Ｏ6となる様に秤量し、瑪瑙乳鉢等を用いて混
合した混合物を、直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円盤
形状になる様に、約０．３乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ２程
度の圧力で成形した後、１０００℃で３時間程度Ａｒガ
ス気流中還元条件下で仮焼する。なお原料は上記に限定
されることはなく、ＳｒＯ、ＭｏＯ2 およびＭｏＯ3 と
Ｍｏ金属微粉末、WO2 およびWO3 とW 金属微粉末との混
合物等を使用しても同様の結果が得られる。なおこの１
０００℃での仮焼は円盤に成形せず、混合粉末のまま行
っても以下に示す結果と同様の結果が容易に得られる。
【００１８】かかる仮焼物を細かく粉砕した後、再び、
直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円盤形状に、約０．３
乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ２程度の圧力で成形する。この
円盤状第２次成形体を、１１００℃乃至１５００℃にお
いて０．１乃至１% の水素ガスを含むアルゴンガス気流
中で３乃至５時間焼結させた後室温まで冷却後取り出
し、多結晶酸化物セラミックスを得る。これから、１ｍ
ｍ×１ｍｍ×５ｍｍ程度の角柱状の電気抵抗測定用試料
を切り出す。上記の水素ガス濃度は、 Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷx）Ｏ6 中のW 組成比率、焼成温度、焼結時間等に
よってその最適濃度に設定することが望ましい。
直径１０ｍｍ、厚さ１ｍｍ程度の円盤形状に、約０．３
乃至１．０ｔｏｎ／ｃｍ２程度の圧力で成形する。この
円盤状第２次成形体を、１１００℃乃至１５００℃にお
いて０．１乃至１% の水素ガスを含むアルゴンガス気流
中で３乃至５時間焼結させた後室温まで冷却後取り出
し、多結晶酸化物セラミックスを得る。これから、１ｍ
ｍ×１ｍｍ×５ｍｍ程度の角柱状の電気抵抗測定用試料
を切り出す。上記の水素ガス濃度は、 Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷx）Ｏ6 中のW 組成比率、焼成温度、焼結時間等に
よってその最適濃度に設定することが望ましい。
【００１９】得られた多結晶酸化物セラミックスについ
て粉末Ｘ線回折による分析を行ったところ、図３に示し
た粉末Ｘ線回折パターンがえられ、この結晶はａ＝５．
６Å、ｃ＝７．９Å程度の値をもつ正方晶系結晶である
ことがわかった。また、図３のパターンから、２Θ＝１
９．７゜付近に（１０１）として指数付けされるＸ線回
折ピークがあり、Ｆｅ原子と、ＭｏおよびW 原子が、図
４に示す構造となっていることが判明した。図４は、二
重整列ペロブスカイト構造中の原子の位置を示す図であ
る。この図に示す様に、Ｆｅ原子と、ＭｏおよびW 原子
が、ペロブスカイト結晶構造におけるＢサイトを交互に
整列して占有し、二重整列ペロブスカイト構造をとって
いることが判明した。この（１０１）として指数付けさ
れるＸ線回折ピークの、（２００）および（１１２）と
して指数付けされる最強Ｘ線回折ピークに対する相対強
度（相対強度比）はFe原子と、ＭｏおよびW 原子のＢサ
イト内における整列の度合い（整列度）を示している。
整列度をリートベルト解析の１因子に含めることによっ
て解析した結果、最適化された条件下で焼結された試料
の整列度は、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6では、８７％、また、Ｓ
ｒ2ＦｅＷＯ6では、１００％であることが判明した。
て粉末Ｘ線回折による分析を行ったところ、図３に示し
た粉末Ｘ線回折パターンがえられ、この結晶はａ＝５．
６Å、ｃ＝７．９Å程度の値をもつ正方晶系結晶である
ことがわかった。また、図３のパターンから、２Θ＝１
９．７゜付近に（１０１）として指数付けされるＸ線回
折ピークがあり、Ｆｅ原子と、ＭｏおよびW 原子が、図
４に示す構造となっていることが判明した。図４は、二
重整列ペロブスカイト構造中の原子の位置を示す図であ
る。この図に示す様に、Ｆｅ原子と、ＭｏおよびW 原子
が、ペロブスカイト結晶構造におけるＢサイトを交互に
整列して占有し、二重整列ペロブスカイト構造をとって
いることが判明した。この（１０１）として指数付けさ
れるＸ線回折ピークの、（２００）および（１１２）と
して指数付けされる最強Ｘ線回折ピークに対する相対強
度（相対強度比）はFe原子と、ＭｏおよびW 原子のＢサ
イト内における整列の度合い（整列度）を示している。
整列度をリートベルト解析の１因子に含めることによっ
て解析した結果、最適化された条件下で焼結された試料
の整列度は、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6では、８７％、また、Ｓ
ｒ2ＦｅＷＯ6では、１００％であることが判明した。
【００２０】この多結晶酸化物セラミックス試料につい
て、直流四端子法によって抵抗率の温度依存性を０，
１，３，５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価し、図２に
示す結果が得られた。図２（ａ）は、ｘ＝０．４の場合
について抵抗率の温度依存性を０，１，３，５，７Ｔ
（テスラ）の磁場中で評価した結果を示し、また図２
（ｂ）は、ｘ＝０．７５の場合について抵抗率の温度依
存性を０，１，３，５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価
した結果を示している。なお図２（ｂ）の、ｘ＝０．７
５の場合は、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ0.25Ｗ0.75）Ｏ6の抵抗率
は温度により大きく変化するので、縦軸を対数表示とし
た。
て、直流四端子法によって抵抗率の温度依存性を０，
１，３，５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価し、図２に
示す結果が得られた。図２（ａ）は、ｘ＝０．４の場合
について抵抗率の温度依存性を０，１，３，５，７Ｔ
（テスラ）の磁場中で評価した結果を示し、また図２
（ｂ）は、ｘ＝０．７５の場合について抵抗率の温度依
存性を０，１，３，５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価
した結果を示している。なお図２（ｂ）の、ｘ＝０．７
５の場合は、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ0.25Ｗ0.75）Ｏ6の抵抗率
は温度により大きく変化するので、縦軸を対数表示とし
た。
【００２１】次に、これらの試料について４．２Ｋおよ
び３００Ｋで７Ｔ（テスラ）までの磁界を印加して磁気
抵抗効果を測定したところ、図１に示す負の巨大磁気抵
抗効果が得られた。図１（ａ）は、ｘ＝０．４の試料に
おける３００Ｋでの磁気抵抗効果の評価結果を、また図
１（ｂ）は、ｘ＝０．７５の試料における４．２Ｋでの
磁気抵抗効果の評価結果を示している。この結果から数
１によって磁気抵抗率ＭＲを求めると、ｘ＝０．４の試
料では１０％（３００Ｋ）、ｘ＝０．７５の試料では９
１％（４．２Ｋ）であった。
び３００Ｋで７Ｔ（テスラ）までの磁界を印加して磁気
抵抗効果を測定したところ、図１に示す負の巨大磁気抵
抗効果が得られた。図１（ａ）は、ｘ＝０．４の試料に
おける３００Ｋでの磁気抵抗効果の評価結果を、また図
１（ｂ）は、ｘ＝０．７５の試料における４．２Ｋでの
磁気抵抗効果の評価結果を示している。この結果から数
１によって磁気抵抗率ＭＲを求めると、ｘ＝０．４の試
料では１０％（３００Ｋ）、ｘ＝０．７５の試料では９
１％（４．２Ｋ）であった。
【数１】 この計算において、高磁場側での抵抗Ｒ（Ｈ）としては
７Ｔにおける抵抗値を使用した。また低磁場側での抵抗
Ｒ（０）としては０Ｔまたは０Ｔ近傍で得られた抵抗の
極大値を使用した。また、ここでは、７Ｔにおける抵抗
率をＲ（Ｈ）としたが、７Ｔよりも大きい磁場における
抵抗率をＲ（Ｈ）とすることにより、上記の磁気抵抗率
は、上記の値よりも大きくなると予想される。特に、図
１（ａ）に示したｘ＝０．４の試料における３００Ｋで
の磁気抵抗効果の評価結果については、７Ｔ以上の磁場
を用いることにより、上記の磁気抵抗率は、容易に１０
％以上になると考えられる。
７Ｔにおける抵抗値を使用した。また低磁場側での抵抗
Ｒ（０）としては０Ｔまたは０Ｔ近傍で得られた抵抗の
極大値を使用した。また、ここでは、７Ｔにおける抵抗
率をＲ（Ｈ）としたが、７Ｔよりも大きい磁場における
抵抗率をＲ（Ｈ）とすることにより、上記の磁気抵抗率
は、上記の値よりも大きくなると予想される。特に、図
１（ａ）に示したｘ＝０．４の試料における３００Ｋで
の磁気抵抗効果の評価結果については、７Ｔ以上の磁場
を用いることにより、上記の磁気抵抗率は、容易に１０
％以上になると考えられる。
【００２２】また、図１（ａ）に示したｘ＝０．４の試
料では微少磁場の印加によって急峻な抵抗率の減少が観
測されている。これは、上述のＮａｔｕｒｅ、Ｖｏｌ．
３９５、Ｎｏ．６７０３、ｐｐ．６７７−６８０（１９
９８）．、に掲載された論文や、特開平１１−２８４２
４９号公報に記載された、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で観測され
た高度なスピン分極に起因した急峻な磁気抵抗効果と、
同様である。このことから、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）
Ｏ6系でも同様なスピン分極に基づいた磁気抵抗効果が
観測されているものと類推することができる。
料では微少磁場の印加によって急峻な抵抗率の減少が観
測されている。これは、上述のＮａｔｕｒｅ、Ｖｏｌ．
３９５、Ｎｏ．６７０３、ｐｐ．６７７−６８０（１９
９８）．、に掲載された論文や、特開平１１−２８４２
４９号公報に記載された、Ｓｒ2ＦｅＭｏＯ6で観測され
た高度なスピン分極に起因した急峻な磁気抵抗効果と、
同様である。このことから、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）
Ｏ6系でも同様なスピン分極に基づいた磁気抵抗効果が
観測されているものと類推することができる。
【００２３】また、上述の、（１０１）として指数付け
されるＸ線回折ピークの、（２００）および（１１２）
として指数付けされる最強Ｘ線回折ピークに対する相対
強度（相対強度比）の大きさと整列度との間には相関が
見られており、例えば、Ｓｒ 2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ
6（０＜ｘ≦１．０）におけるｘ＝０．７５の組成で、
４．２Ｋでの磁気抵抗効果の測定結果から数１によって
求めた値では、整列度５５％の試料で、磁気抵抗効果は
４８％であった。同様の条件で、整列度１８％の試料で
は、磁気抵抗効果は８％であった。またｘ＝０．４の組
成で、３００Ｋにおいて数１によって求めた磁気抵抗効
果は、整列度４２％の試料では、４％であった。同じく
整列度１６％の試料では、１％であった。この結果か
ら、４．２Ｋにおいて１０％以上、３００Ｋにおいて２
％以上の磁気抵抗率ＭＲを示す素子を得るためには、Ｍ
ｏ原子およびＦｅ原子の整列度が２０％以上あることが
必要であることが判明した。
されるＸ線回折ピークの、（２００）および（１１２）
として指数付けされる最強Ｘ線回折ピークに対する相対
強度（相対強度比）の大きさと整列度との間には相関が
見られており、例えば、Ｓｒ 2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ
6（０＜ｘ≦１．０）におけるｘ＝０．７５の組成で、
４．２Ｋでの磁気抵抗効果の測定結果から数１によって
求めた値では、整列度５５％の試料で、磁気抵抗効果は
４８％であった。同様の条件で、整列度１８％の試料で
は、磁気抵抗効果は８％であった。またｘ＝０．４の組
成で、３００Ｋにおいて数１によって求めた磁気抵抗効
果は、整列度４２％の試料では、４％であった。同じく
整列度１６％の試料では、１％であった。この結果か
ら、４．２Ｋにおいて１０％以上、３００Ｋにおいて２
％以上の磁気抵抗率ＭＲを示す素子を得るためには、Ｍ
ｏ原子およびＦｅ原子の整列度が２０％以上あることが
必要であることが判明した。
【００２４】本発明の請求項に関わる複数の実施例につ
いての測定結果を表１および表２に示した。表１および
表２は、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ≦１．
０）におけるｘ＝０、０．２、０．４、０．６、０．７
５、０．８、０．９、１．０の試料について、温度を、
４．２Ｋ、１０Ｋ、５０Ｋ、１００Ｋ、１５０Ｋ、２０
０Ｋ、２５０Ｋ、３００Ｋとして磁気抵抗効果を測定
し、この結果から、数１に示したＭＲ＝ΔＲ／Ｒの値を
導いた結果を示している。表１は、実施例１〜２４と比
較例１〜８の結果を示し、表２は、実施例２５〜４８の
結果を示している。表１および表２に示した実施例につ
いての結果は、いずれも１４００℃で３時間、最適化し
た水素ガス濃度下で焼成した試料において得られた結果
である。この結果から、各実施例は、いずれの組成にお
いても比較的低温域においてより大きな磁気抵抗特性を
示しており、なおかつ磁気抵抗特性を示す温度域が磁気
転移温度近傍に限定されることなく広範囲な温度域にわ
たっていることが判明した。特に、低温４．２Ｋでの磁
気抵抗特性はｘ＝０．８付近で極大値を示し、室温３０
０Ｋでの磁気抵抗特性はｘ＝０．４付近で極大値を示し
た。
いての測定結果を表１および表２に示した。表１および
表２は、Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ≦１．
０）におけるｘ＝０、０．２、０．４、０．６、０．７
５、０．８、０．９、１．０の試料について、温度を、
４．２Ｋ、１０Ｋ、５０Ｋ、１００Ｋ、１５０Ｋ、２０
０Ｋ、２５０Ｋ、３００Ｋとして磁気抵抗効果を測定
し、この結果から、数１に示したＭＲ＝ΔＲ／Ｒの値を
導いた結果を示している。表１は、実施例１〜２４と比
較例１〜８の結果を示し、表２は、実施例２５〜４８の
結果を示している。表１および表２に示した実施例につ
いての結果は、いずれも１４００℃で３時間、最適化し
た水素ガス濃度下で焼成した試料において得られた結果
である。この結果から、各実施例は、いずれの組成にお
いても比較的低温域においてより大きな磁気抵抗特性を
示しており、なおかつ磁気抵抗特性を示す温度域が磁気
転移温度近傍に限定されることなく広範囲な温度域にわ
たっていることが判明した。特に、低温４．２Ｋでの磁
気抵抗特性はｘ＝０．８付近で極大値を示し、室温３０
０Ｋでの磁気抵抗特性はｘ＝０．４付近で極大値を示し
た。
【表１】
【表２】
【００２５】また、表には示されない他の一組の複数の
実施例においては、低温４．２Ｋでの磁気抵抗特性はｘ
＝０．７付近で極大値を示した。この様に上記の例と異
なるのは、磁気抵抗素子の焼成温度等の作製条件が異な
ることが主たる原因と考えられるが、その他十分に制御
されない要素があったためにおこったものとも推察しう
る。
実施例においては、低温４．２Ｋでの磁気抵抗特性はｘ
＝０．７付近で極大値を示した。この様に上記の例と異
なるのは、磁気抵抗素子の焼成温度等の作製条件が異な
ることが主たる原因と考えられるが、その他十分に制御
されない要素があったためにおこったものとも推察しう
る。
【００２６】なお、表１には、ｘ＝０の実施例が記載さ
れているが、これは比較のために、本発明の請求範囲外
であるＳｒ2ＦｅＭｏＯ6において、上記と同一条件下で
焼成して得られた焼結体から得られた磁気抵抗特性の結
果を示したものである。
れているが、これは比較のために、本発明の請求範囲外
であるＳｒ2ＦｅＭｏＯ6において、上記と同一条件下で
焼成して得られた焼結体から得られた磁気抵抗特性の結
果を示したものである。
【００２７】低温４．２Ｋでの磁気抵抗率ＭＲ＝ΔＲ／
Ｒを比べてみると、上記の本発明におけるｘ＝０．８で
の値は１５６％であるのに対し、上記の比較のために記
載したＳｒ2ＦｅＭｏＯ6の値では、１５％であり、顕著
な差が認められる。また、室温３００Ｋでの磁気抵抗率
ＭＲ＝ΔＲ／Ｒを比べてみると、上記の本発明における
ｘ＝０．４での値は１０％であるのに対し、上記の比較
のために記載したＳｒ 2ＦｅＭｏＯ6の値では、５％であ
り、ここでも顕著な差が認められる。
Ｒを比べてみると、上記の本発明におけるｘ＝０．８で
の値は１５６％であるのに対し、上記の比較のために記
載したＳｒ2ＦｅＭｏＯ6の値では、１５％であり、顕著
な差が認められる。また、室温３００Ｋでの磁気抵抗率
ＭＲ＝ΔＲ／Ｒを比べてみると、上記の本発明における
ｘ＝０．４での値は１０％であるのに対し、上記の比較
のために記載したＳｒ 2ＦｅＭｏＯ6の値では、５％であ
り、ここでも顕著な差が認められる。
【００２８】上記した実施例では、四端子素子を用いた
磁気抵抗素子の特性に関するものであったが、本発明の
磁気抵抗素子の他の応用として、直接あるいは間接的に
素子の抵抗を測定する構成を持った室温において作動す
る磁気センシング素子がある。また、特にＳｒ2ＦｅＭ
ｏＯ6に近い組成をもつ領域のものでは、スピン分極走
査型トンネル顕微鏡に使用される探針等として著しく有
効に、実用的に適用することができる。
磁気抵抗素子の特性に関するものであったが、本発明の
磁気抵抗素子の他の応用として、直接あるいは間接的に
素子の抵抗を測定する構成を持った室温において作動す
る磁気センシング素子がある。また、特にＳｒ2ＦｅＭ
ｏＯ6に近い組成をもつ領域のものでは、スピン分極走
査型トンネル顕微鏡に使用される探針等として著しく有
効に、実用的に適用することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明の二重整
列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法によ
れば、以下に説明するような効果を奏することができ
る。
列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法によ
れば、以下に説明するような効果を奏することができ
る。
【００３０】請求項１に記載の発明では、化学式Ｓｒ2
Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ≦１．０）で表される
負の磁気抵抗特性を示す酸化物結晶体を、特に、その酸
化物結晶体の結晶構造は、一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表され
るペロブスカイト型結晶構造であり、さらにそのペロブ
スカイト型結晶構造は、そのペロブスカイト型結晶構造
中のＡサイトを占めるＡ原子がストロンチウムＳｒ、同
じくＢサイトを占めるＢ原子が鉄Ｆｅ、同じくＢサイト
を占めるＢ’原子がモリブデンＭｏあるいはタングステ
ンW であり、なおかつＢ原子（Ｆｅ）およびＢ’原子
（ＭｏあるいはＷ）がペロブスカイト型結晶構造中のＢ
サイトを交互に占有した二重整列ペロブスカイト型結晶
構造である酸化物結晶体を、用いたことを特徴とする二
重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子としたので、低
温４．２Ｋでの磁気抵抗特性ΔＲ／Ｒは、従来例と比較
して、１５％から１５６％へと改善された。また、室温
３００Ｋでの磁気抵抗特性ΔＲ／Ｒでも従来例と比較し
て、５％から１０％へと改善された。
Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ≦１．０）で表される
負の磁気抵抗特性を示す酸化物結晶体を、特に、その酸
化物結晶体の結晶構造は、一般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表され
るペロブスカイト型結晶構造であり、さらにそのペロブ
スカイト型結晶構造は、そのペロブスカイト型結晶構造
中のＡサイトを占めるＡ原子がストロンチウムＳｒ、同
じくＢサイトを占めるＢ原子が鉄Ｆｅ、同じくＢサイト
を占めるＢ’原子がモリブデンＭｏあるいはタングステ
ンW であり、なおかつＢ原子（Ｆｅ）およびＢ’原子
（ＭｏあるいはＷ）がペロブスカイト型結晶構造中のＢ
サイトを交互に占有した二重整列ペロブスカイト型結晶
構造である酸化物結晶体を、用いたことを特徴とする二
重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子としたので、低
温４．２Ｋでの磁気抵抗特性ΔＲ／Ｒは、従来例と比較
して、１５％から１５６％へと改善された。また、室温
３００Ｋでの磁気抵抗特性ΔＲ／Ｒでも従来例と比較し
て、５％から１０％へと改善された。
【００３１】また、請求項２に記載の発明では、二重整
列ペロブスカイト構造のＢサイト内におけるＢ原子（Ｆ
ｅ）及びＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）の整列の度合いが
２０％以上であることを特徴とすることにより、３００
Ｋにおいて２％以上の磁気抵抗効果を示す磁気抵抗素子
の実現が可能になった。
列ペロブスカイト構造のＢサイト内におけるＢ原子（Ｆ
ｅ）及びＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）の整列の度合いが
２０％以上であることを特徴とすることにより、３００
Ｋにおいて２％以上の磁気抵抗効果を示す磁気抵抗素子
の実現が可能になった。
【００３２】さらに、請求項３に記載の発明では、１０
% 以上の負の磁気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍ
ｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ≦０．９）で表される二重整列
ペロブスカイト構造磁気抵抗素子を、２７℃以下の温度
域内で使用することにより、１０% 以上の負の磁気抵抗
特性が容易に得られるので、室温以下の温度で、従来に
無く大きな磁気抵抗特性を実現できるようになった。
% 以上の負の磁気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍ
ｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ≦０．９）で表される二重整列
ペロブスカイト構造磁気抵抗素子を、２７℃以下の温度
域内で使用することにより、１０% 以上の負の磁気抵抗
特性が容易に得られるので、室温以下の温度で、従来に
無く大きな磁気抵抗特性を実現できるようになった。
【００３３】さらに、請求項４に記載の発明では、２%
以上の負の磁気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷx）Ｏ6( ０＜ｘ≦０．８) で表される二重整列ペ
ロブスカイト構造磁気抵抗素子を、０℃から２７℃まで
の温度域内で使用することにより、２% 以上の負の磁気
抵抗特性が容易に得られるので、室温で、従来になく大
きな磁気抵抗特性を実現できるようになった。
以上の負の磁気抵抗特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ
1-xＷx）Ｏ6( ０＜ｘ≦０．８) で表される二重整列ペ
ロブスカイト構造磁気抵抗素子を、０℃から２７℃まで
の温度域内で使用することにより、２% 以上の負の磁気
抵抗特性が容易に得られるので、室温で、従来になく大
きな磁気抵抗特性を実現できるようになった。
【図１】Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6の磁気抵抗効果を
示す図で、（ａ）は、ｘ＝０．４の試料における３００
Ｋでの磁気抵抗効果の評価結果を、（ｂ）は、ｘ＝０．
７５の試料における４．２Ｋでの磁気抵抗効果の評価結
果を示す図である。
示す図で、（ａ）は、ｘ＝０．４の試料における３００
Ｋでの磁気抵抗効果の評価結果を、（ｂ）は、ｘ＝０．
７５の試料における４．２Ｋでの磁気抵抗効果の評価結
果を示す図である。
【図２】Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6の抵抗率（縦軸）
と温度（横軸）の関係を示す図で、（ａ）は、ｘ＝０．
４の場合について抵抗率の温度依存性を０，１，３，
５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価した結果を示し、
（ｂ）は、ｘ＝０．７５の場合について抵抗率の温度依
存性を０，１，３，５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価
した結果を示す図である。
と温度（横軸）の関係を示す図で、（ａ）は、ｘ＝０．
４の場合について抵抗率の温度依存性を０，１，３，
５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価した結果を示し、
（ｂ）は、ｘ＝０．７５の場合について抵抗率の温度依
存性を０，１，３，５，７Ｔ（テスラ）の磁場中で評価
した結果を示す図である。
【図３】室温で測定したＳｒ2Ｆｅ（Ｍｏ0.6Ｗ0.4）Ｏ6
の粉末Ｘ線回折パターンを示す図である。
の粉末Ｘ線回折パターンを示す図である。
【図４】二重整列ペロブスカイト型結晶構造を示す図で
ある。
ある。
フロントページの続き (72)発明者 十倉 好紀 茨城県つくば市東１−１ −４ 工業技 術院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 富岡 泰秀 茨城県つくば市東１−１ −４ 工業技 術院 産業技術融合領域研究所内 (72)発明者 木村 剛 茨城県つくば市東１−１ −４ 工業技 術院 産業技術融合領域研究所内 審査官 市川 篤 (56)参考文献 Ｈｉｒｏｆｕｍｉ Ｋａｗａｎａｋ ａ、外３名，“Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｔａｔｅ ｏｆ Ｆｅ ｉｎ Ｄｏｕ ｂｌｅ Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ Ｏｘｉ ｄｅ Ｓｒ２ＦｅＷＯ６”，Ｊｏｕｒｎ ａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｏｃ ｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ，平成11年 ９月15日，第68巻，第９号，ｐ．2890− 2893 Ｋ．−Ｉ，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ、外４ 名，“Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ ｅ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃ ｅ ｉｎ ａｎ ｏｘｉｄｅ ｍａｔｅ ｒｉａｌ ｗｉｔｈ ａｎ ｏｒｄｅｒ ｅｄ ｄｏｕｂｌｅ−ｐｅｒｏｖｓｋｉ ｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ”，Ｎａｔｕ ｒｅ，平成10年10月15日，第395巻，ｐ. 677−680 小林啓一郎、外４名、“Ｓｒ２Ｆｅ （Ｗ１−ｙＭｏｙ）Ｏ６における巨大磁 気抵抗効果”，日本物理学会講演概要 集，平成11年９月３日，第54巻，第２ 号，第３分冊（1999年秋の分科会）, ｐ．503 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 43/08 H01F 10/18 H01L 43/10
Claims (4)
- 【請求項１】 化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０
＜ｘ≦１．０）で表される負の磁気抵抗特性を示す酸化
物結晶体を、特に、その酸化物結晶体の結晶構造は、一
般式Ａ2ＢＢ’Ｏ6で表されるペロブスカイト型結晶構造
であり、さらにそのペロブスカイト型結晶構造は、その
ペロブスカイト型結晶構造中のＡサイトを占めるＡ原子
がストロンチウムＳｒ、同じくＢサイトを占めるＢ原子
が鉄Ｆｅ、同じくＢサイトを占めるＢ’原子がモリブデ
ンＭｏあるいはタングステンW であり、なおかつＢ原子
（Ｆｅ）およびＢ’原子（ＭｏあるいはＷ）がペロブス
カイト型結晶構造中のＢサイトを交互に占有した二重整
列ペロブスカイト型結晶構造である酸化物結晶体を、用
いたことを特徴とする二重整列ペロブスカイト構造磁気
抵抗素子。 - 【請求項２】 Ｂサイト内におけるＢ原子（Ｆｅ）及び
Ｂ’原子（ＭｏあるいはＷ）の整列の度合いが２０％以
上であることを特徴とする請求項１記載の二重整列ペロ
ブスカイト構造磁気抵抗素子。 - 【請求項３】 請求項１記載の二重整列ペロブスカイト
構造磁気抵抗素子であって、１０% 以上の負の磁気抵抗
特性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6（０＜ｘ
≦０．９）で表される二重整列ペロブスカイト構造磁気
抵抗素子を、２７℃以下の温度域内で使用することを特
徴とする二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子の使
用方法。 - 【請求項４】 請求項１記載の二重整列ペロブスカイト
構造磁気抵抗素子であって、２% 以上の負の磁気抵抗特
性を示す化学式Ｓｒ2Ｆｅ（Ｍｏ1-xＷx）Ｏ6( ０＜ｘ≦
０．８) で表される二重整列ペロブスカイト構造磁気抵
抗素子を、０℃から２７℃までの温度域内で使用するこ
とを特徴とする二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素
子の使用方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269227A JP3134196B1 (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11269227A JP3134196B1 (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP3134196B1 true JP3134196B1 (ja) | 2001-02-13 |
| JP2001094171A JP2001094171A (ja) | 2001-04-06 |
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ID=17469442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11269227A Expired - Lifetime JP3134196B1 (ja) | 1999-09-22 | 1999-09-22 | 二重整列ペロブスカイト構造磁気抵抗素子とその使用方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3134196B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101698019B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2017-01-20 | 시티즌홀딩스 코리미티드 | 재료 공급 장치 및 가공 시스템 |
-
1999
- 1999-09-22 JP JP11269227A patent/JP3134196B1/ja not_active Expired - Lifetime
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Ｈｉｒｏｆｕｍｉ Ｋａｗａｎａｋａ、外３名，"Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｓｔａｔｅ ｏｆ Ｆｅ ｉｎ Ｄｏｕｂｌｅ Ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ Ｏｘｉｄｅ Ｓｒ２ＦｅＷＯ６"，Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｙｓｉｃａｌ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｏｆ Ｊａｐａｎ，平成１１年９月１５日，第６８巻，第９号，ｐ．２８９０−２８９３ |
| Ｋ．−Ｉ，Ｋｏｂａｙａｓｈｉ、外４名，"Ｒｏｏｍ−ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ ｉｎ ａｎ ｏｘｉｄｅ ｍａｔｅｒｉａｌ ｗｉｔｈ ａｎ ｏｒｄｅｒｅｄ ｄｏｕｂｌｅ−ｐｅｒｏｖｓｋｉｔｅ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅ"，Ｎａｔｕｒｅ，平成１０年１０月１５日，第３９５巻，ｐ．６７７−６８０ |
| 小林啓一郎、外４名、"Ｓｒ２Ｆｅ（Ｗ１−ｙＭｏｙ）Ｏ６における巨大磁気抵抗効果"，日本物理学会講演概要集，平成１１年９月３日，第５４巻，第２号，第３分冊（１９９９年秋の分科会），ｐ．５０３ |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101698019B1 (ko) * | 2009-10-01 | 2017-01-20 | 시티즌홀딩스 코리미티드 | 재료 공급 장치 및 가공 시스템 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2001094171A (ja) | 2001-04-06 |
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