JPH10253965A

JPH10253965A - 液晶表示装置の製造方法

Info

Publication number: JPH10253965A
Application number: JP6055497A
Authority: JP
Inventors: Toshihiro Matsumoto; 俊寛松本
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-03-14
Filing date: 1997-03-14
Publication date: 1998-09-25

Abstract

(57)【要約】【課題】プラスチック基板を有するＳＴＮ型液晶表示
装置の製造において、配向処理時に、配向膜となる膜の
剥離を生じさせず、適正なかつ均一な膜厚と十分な配向
性を有する配向膜を形成する。【解決手段】共重合型ポリイミドをγブチルラクトン
とジプロピレングリコールモノメチルエーテルと乳酸ブ
チルとを8:1:1の比率で混合した溶剤にて固形分濃度3wt
%〜8wt%となるように溶かした溶液をプラスチック基板
に印刷し、配向膜となる塗膜を形成する。次に、焼成工
程を経た上記塗膜に、液晶のプレティルト角が4.5゜〜15゜
となるようにラビング法で配向処理を行う。このとき、ラ
ビングローラの回転数を500rpm〜1000rpm、プラスチッ
ク基板に対するラビングローラの相対移動速度を30mm／
秒〜100mm／秒、ラビング布のパイルの押し込み量を0.3
mm〜0.6mmとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話、電子手
帳など、小型、薄型かつ軽量性が特に要求される携帯情
報端末装置あるいは卓上式電子計算機などに用いるのに
好適な、プラスチック基板にて挟持された液晶がＳＴＮ
（スーパー・ツイステッド・ネマティック）型の分子配
向を有する液晶表示装置の製造方法に関し、より詳しく
は、そのような液晶表示装置における配向膜の形成に関
する。

【０００２】

【従来の技術】近年、液晶表示装置を軽量薄型化し、耐
衝撃性を高めるために、液晶を挟持する基板としてこれ
までのガラス基板に代えてプラスチック基板を用いたも
のが開発されてきている。基板には液晶の配向を制御す
るための配向膜が設けられるが、プラスチック基板に形
成される配向膜の材料としては、ポリイミド重合体やポ
リイミド前駆体、ポリエーテルアミド等が知られてい
る。これらは溶剤に溶かして使用される。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】ところで、ＳＴＮ（ス
ーパー・ツイステッド・ネマティック）型の液晶分子配
向を有する液晶表示装置（以下、ＳＴＮ型液晶表示装
置）の場合、優れた表示性能を得るには、以下のような
条件を満たす必要がある。

【０００４】プレティルト角（液晶分子の傾き角
度）が大きく、安定していること。適量のカイラル成分を含む混合液晶において、アン
ダーツイストドメインあるいは電圧印加時にストライプ
ドメインが発生せず、液晶分子が安定して配向するこ
と。電圧保持率が６０％以上で安定していること。高周波数駆動時の閾値電圧と低周波数駆動時の閾値
電圧との差が小さいこと。長時間の連続駆動時において閾値電圧の低下がない
こと。

【０００５】これらの条件を満たすためには、配向膜に
不純物が付着あるいは含まれていないこと、配向膜が適
正かつ均一な膜厚を有すること、配向膜に削れ等の欠陥
がないことが必要である。しかし、プラスチック基板を
有するＳＴＮ型液晶表示装置のための配向膜材料とし
て、ポリイミド重合体、ポリイミド前駆体、ポリエーテ
ルアミドを用いた場合には、配向膜となる膜の焼成温度
をガラス基板の場合ほど高くすることができないため、
溶剤が配向膜中に残存してしまい、液晶表示装置内部の
汚染の原因となる。また、ポリイミド前駆体の場合に
は、未反応部が残り、これに液晶表示装置内部の汚染の
原因となる不純物が付着、吸着してしまう。このような
ことから、これらの材料を用いて配向膜を形成した場合
には、プレティルト角が安定せず、電圧保持率も低く、
また、高周波数駆動時の閾値電圧と低周波数駆動時の閾
値電圧との差も大きいため、同一パターン表示時の残
像、駆動周波数によるクロストーク、長時間駆動時の閾
値電圧上昇といったような問題が発生し、良好な表示性
能を得ることができない。また、これらの材料で形成し
た膜は、焼成後にも溶剤が膜中に残存しているために膜
が柔らかく、したがってこの膜ににＳＴＮ型液晶表示装
置に適した配向処理（ラビング法）を実施すると、膜が
基板から剥離し（削れ）やすく、剥離した場合には、こ
れが傷状の表示むらとなる。さらに、ポリイミドあるい
はポリイミド前駆体の場合には、塗布後の膜のレベリン
グ性が悪いために、配向膜に微小な膜厚むらが発生し、
これも表示むらとなる。

【０００６】プラスチック基板を用いたＳＴＮ型液晶表
示装置のための上記以外の配向膜材料として、特開平６
−８２７９４号公報には、特定の成分からなる共重合型
ポリイミドあるいは共重合型ポリイミド前駆体をγブチ
ルラクトンからなる溶剤で溶かして使用することが提案
されている。この公報で提案されたものは、上述した種
々の条件のうち、安定した高いプレティルト角を得る
ことを目的としたものであり、残りの条件を満たすため
の方法については何ら記載がない。しかも、この公報に
記載のように共重合型ポリイミドあるいは共重合型ポリ
イミド前駆体をγブチルラクトンで溶かした溶液は、本
発明者の行った実験によると、塗布後のレベリング性が
悪く、したがって、膜厚が不均一になるので、表示むら
が生じ、良好な表示性能が得られない。

【０００７】そこで、本発明の目的は、プラスチック基
板にて挟持された液晶材料がＳＴＮ型の液晶分子配向を
有する液晶表示装置の製造方法であって、配向処理時に
配向膜となる膜の剥離を生じさせず、適正かつ均一な膜
厚を有すると共に不純物を含まない配向膜を形成するこ
とのできる製造方法を提供することである。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１の液晶表示装置の製造方法は、プラスチッ
ク基板にて挟持された液晶がＳＴＮ型の分子配向を有す
る液晶表示装置の製造方法であって、共重合型ポリイミ
ドあるいは共重合体型ポリイミド前駆体をγブチルラク
トンとジプロピレングリコールモノメチルエーテルと乳
酸ブチルとを実質的に８：１：１の比率で混合した溶剤
にて溶かした溶液を上記プラスチック基板に塗布して塗
膜を形成し、次に、上記塗膜に加熱処理を行って上記溶
剤を除去した後、液晶分子のプレティルト角が４．５゜
〜１５゜となるように上記塗膜に配向処理を行って配向
膜を形成することを特徴としている。

【０００９】本発明者が行った実験によると、共重合型
ポリイミドあるいは共重合体型ポリイミド前駆体を、γ
ブチルラクトンとジプロピレングリコールモノメチルエ
ーテルと乳酸ブチルとを８：１：１の比率で混合した溶
剤にて溶かした溶液をプラスチック基板に塗布して塗膜
を形成した場合に、塗膜のレベリング性は非常に良好で
あった。そして上記３種の溶剤成分のうち、乳酸ブチル
は特に重要で、乳酸ブチルの比率を１よりも増減させる
と、形成される膜の厚さが不均一になることがわかっ
た。また、γブチルラクトン，ジプロピレングリコール
モノメチルエーテル，乳酸ブチルのうちいずれか２種の
みを用いた場合も、均一な膜厚を得ることはできなかっ
た。

【００１０】この製造方法によれば、配向膜となる塗膜
が均一な厚さになるので、表示閾値電圧むらがなく、し
かも、ＳＴＮ型液晶表示装置として良好な表示性能が得
られる。

【００１１】請求項２の液晶表示装置の製造方法では、
上記溶液の固形分濃度を３ｗｔ％〜８ｗｔ％としてい
る。

【００１２】固形分濃度を３ｗｔ％〜８ｗｔ％とするこ
とにより、３００Å〜８００Åの膜厚の配向膜が得られ
る。膜厚が３００Åより小さいと、配向処理時に塗膜が
プラスチック基板から剥がれやすくなる。一方、膜厚が
８００Åよりも大きいと、高周波数駆動時の閾値電圧と
低周波数駆動時の閾値電圧との差が大きくなり、良好な
表示性能が得られない。つまり、３００Å〜８００Åと
いう膜厚はこういった不都合を回避できる適正な膜厚で
ある。したがって、請求項２の液晶表示装置の製造方法
によれば、配向膜は均一な膜厚を持ち、液晶分子は高い
プレティルト角を与えられ、配向処理時の塗膜の剥離
（削れ）が防止され、かつ、高周波数駆動時の閾値電圧
と低周波数駆動時の閾値電圧との差が小さくなる。こう
して、ＳＴＮ型液晶表示装置としての良好な表示性能が
得られる。

【００１３】請求項３の液晶表示装置の製造方法では、
上記上記塗膜の加熱処理は、７０℃〜１１０℃の温度で
１２０秒〜２４０秒間加熱する仮乾燥工程と、１４０℃
〜１６０℃の温度で６０分〜１２０分間加熱する焼成工
程とを含んでいる。

【００１４】仮乾燥温度を上記範囲内に設定する理由
は、温度を７０℃よりも低くすると、仮乾燥に時間がか
かるので乾燥むらが発生し、１１０℃よりも高くする
と、塗膜を急激に乾燥させることになるため、塗膜のレ
ベリング性（平坦性）に悪影響を与え、乾燥はするもの
の微小な膜厚むらが発生するからである。

【００１５】一方、焼成温度を１４０〜１６０℃の温度
範囲内にする理由は次の通りである。温度を１４０℃よ
りも低くすると、焼成後の塗膜中に溶剤が残存するの
で、膜が柔らかくなってしまい、配向処理時に、塗膜が
剥離しやすくなる。これに加えて、配向膜完成後も、残
留溶剤が膜中あるいは膜表面に不純物として残るため、
プレティルト角が低く不安定になる、アンダーツイスト
ドメインあるいは電圧印加時にストライプドメインの発
生なしに安定に配向するカイラル成分のピッチ幅が狭く
なる、電圧保持率が６０％よりも低くなり表示むらが発
生する、等々の問題が生じて、所望のＳＴＮ配向膜とし
ての性能を得ることができない。一方、１６０℃よりも
高いと、プラスチック基板２に十分な耐熱性がないた
め、基板の着色、割れ、熔融といった問題が生じる。１
４０〜１６０℃の範囲内の焼成温度はこのような問題を
回避でき、良好な表示性能を有するＳＴＮ型液晶表示装
置が得られる。

【００１６】請求項４の液晶表示装置の製造方法では、
上記塗膜への配向処理はラビング法を用いて行い、この
配向処理時の条件として、ラビングローラの回転数を５
００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ、上記塗膜が形成されたプ
ラスチック基板に対する上記ラビングローラの相対移動
速度を３０ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒、ラビング布のパ
イルの押し込み量を０．３ｍｍ〜０．６ｍｍとしてい
る。

【００１７】上記ラビングローラの回転数を上記範囲内
に設定する理由は、５００ｒｐｍよりも低速回転だと、
十分な配向性が得られず、配向処理に伴う表示欠陥が発
生するからであり、１０００ｒｐｍよりも高速回転だ
と、上記塗膜の剥離が発生するからである。

【００１８】また、上記ラビング布のパイルの押し込み
量を上記範囲内に設定する理由は、０．３ｍｍよりも押
し込み量が小さいと、十分な配向性が得られず、配向処
理に伴う表示欠陥が発生するからであり、また、０．６
ｍｍよりも大きいと、上記塗膜の剥離が発生するからで
ある。

【００１９】さらに、上記プラススチック基板に対する
ラビングローラの相対移動速度を上記範囲内にする理由
は、１００ｍｍ／秒よりも高速だと、十分な配向性が得
られず、配向処理に伴う表示欠陥が発生するからであ
り、３０ｍｍ／秒よりも低速だと、上記塗膜の剥離が発
生するからである。

【００２０】つまり、請求項４の製造方法によれば、配
向処理時に生じ得る配向膜の欠陥を防止できる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下、本発明を図示の実施の形態
により詳細に説明する。図２は、図１に示した製造フロ
ーに従って製造されたＳＴＮ型液晶表示装置の断面概略
図であり、１は偏光板、２は透明なプラスチック基板、
３は透明電極、４は配向膜、５は液晶、６はシール材、
７はスペーサである。

【００２２】次に、図１の製造フローに沿って、上記Ｓ
ＴＮ型液晶表示装置の製造方法を説明する。

【００２３】まず、ステップＳ１にて、透明なプラスチ
ック樹脂板からなる２枚のプラスチック基板２を用意す
る。このプラスチック基板２の材料としては、エポキシ
系またはアクリル系のプラスチック樹脂、ポリエーテル
サルフォン（ＰＥＳ）、ポリエーテルテレフタレート
（ＰＥＴ）、あるいはポリカーボネート（ＰＣ）などを
使用することができる。また、各プラスチック基板２の
両面は、ガスバリアおよびＩＴＯアンダーコート膜の働
きをするアクリル系、エポキシ系、あるいはシロキサン
系の膜でコーティングする。

【００２４】続いて、ステップＳ２において、低温スパ
ッタリング法により、各プラスチック基板２上にＩＴＯ
膜を６００Å〜２５００Åの膜厚で形成する。そして、
このＩＴＯ膜をフォトエッチングにより所望の電極形状
にパターン化して、透明電極３を得る。

【００２５】次に、上記透明電極３が形成されたプラス
チック基板２面上に、配向膜４となる塗膜４（便宜上、
配向膜に対するものと同じ参照番号で表す）をフレキソ
印刷法により形成する。フレキソ印刷法とは、フレキシ
ブルな樹脂またはゴム凸版を用い、溶剤乾燥型インキを
用いた印刷方式である。この実施の形態では、共重合型
ポリイミドあるいは共重合型ポリイミド前駆体を、γブ
チルラクトン，ジプロピレングリコールモノメチルエー
テル，乳酸ブチルを８：１：１の比率で混合した溶剤に
て固形分濃度３ｗｔ％〜８ｗｔ％とした溶液をインクと
して用いる。固形分濃度を３ｗｔ％〜８ｗｔ％とするこ
とにより、後述する本焼成後の膜厚が３００Å〜８００
Åの配向膜４が得られる。なお、塗膜４の形成は、印刷
法以外の方法を用いてもよく、例えば、スピンコートに
よって形成してもよい。

【００２６】上記共重合型ポリイミドとしては、例え
ば、日産化学製サンエバー５２９１が、また、共重合型
ポリイミド前駆体としては、例えば、日産化学製サンエ
バー７７９２あるいはサンエバー７９９２が使用でき
る。

【００２７】ところで、上記３種の溶剤成分の８：１：
１という溶剤比率は、最も良好な印刷性が得られる比率
である。これら３種の溶剤成分のうち、乳酸ブチルは特
に重要で、乳酸ブチルの比率を１よりも増加あるいは減
少させると、印刷性が悪くなり、形成される膜の厚さが
不均一になる。この結果、表示閾値電圧むらが生じる。
また、γブチルラクトン，ジプロピレングリコールモノ
メチルエーテル，乳酸ブチルのうちいずれか２種のみを
用いた場合も、印刷性が悪くなる。

【００２８】次に、ステップＳ４にて、上記塗膜４を７
０℃〜１１０℃の温度で、１２０秒〜２４０秒かけて仮
乾燥し、塗膜４中の溶剤を蒸発させる。仮乾燥温度を上
記範囲内に設定する理由は、温度を７０℃よりも低くす
ると、仮乾燥に時間がかかり乾燥むらが発生し、１１０
℃よりも高くすると、塗膜４のレベリング性（平坦性）
が悪くなり、乾燥はするものの微小な膜厚むらが発生す
るからである。また、この仮乾燥工程では、プラスチッ
ク基板２を直接ホットプレートに載せた乾燥は行わな
い。これは、プラスチック基板２を直接ホットプレート
に載せると、プラスチック基板２が反り返って乾燥むら
が生じるためである。

【００２９】上記仮乾燥の後、ステップＳ５において、
塗膜４の本焼成を、１４０℃〜１６０℃の温度で、６０
〜１２０分行う。このときの雰囲気は、窒素あるいは空
気である。また、雰囲気は常圧のみならず、加圧あるい
は減圧処理してもかまわない。この本焼成後の配向膜４
の膜厚は、３００Å〜８００Åである。

【００３０】ここで、本焼成時の温度を１４０℃〜１６
０℃にしたのは、次の理由による。まず、温度が１４０
℃よりも低いと、塗膜４中に溶剤が残存してしまい、こ
の残存した溶剤により膜が柔らかくなってしまう。この
結果、後に続く配向処理時に、塗膜４が基板から剥離す
るという欠点がある。また、残留溶剤が完成後の配向膜
４において不純物として作用するので、プレティルト角
が低く不安定になる、アンダーツイストドメインあるい
は電圧印加時にストライプドメインの発生なしに安定に
配向するカイラルピッチ幅が狭くなる、電圧保持率が低
くなり表示むらが発生する、等々の問題が生じて、所望
のＳＴＮ配向膜としての性能を得ることができない。一
方、１６０℃よりも高いと、プラスチック基板２に耐熱
性がないため、基板が着色される、割れる、溶けるとい
った問題が生じる。こういった問題を回避するために、
本焼成は１４０〜１６０℃の範囲内の温度で行うのであ
る。

【００３１】次に、ステップＳ６において、焼成後の塗
膜４に、上記２枚のプラスチック基板２を貼り合わせた
ときのツイスト角度が２１０°〜２７０゜となるよう
に、かつ、塗膜４の剥離（削れ）がないように、ラビン
グ法を用いて配向処理する。この配向処理において使用
するラビング布は、レーヨンあるいは綿で織られたベル
ベット織り布あるいはモケット織り布（例えば、吉川化
工製ラビリング布：ＹＡ１９Ｒ（レーヨン），ＹＡ２５
Ｃ（綿））である。また、ここでのラビング法による配
向処理条件は、ラビング布を巻いたローラ(ラビングロ
ーラ)の回転数：５００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ、パイ
ルの押し込み量：０．３ｍｍ〜０．６ｍｍ、プラスチッ
ク基板２またはラビングローラの移動速度：３０ｍｍ／
秒〜１００ｍｍ／秒である。

【００３２】ここで、ラビングローラの回転数を上記範
囲内に設定する理由は、５００ｒｐｍよりも低速回転だ
と、十分な配向性が得られず、配向処理に伴う表示欠陥
が発生するからであり、１０００ｒｐｍよりも高速回転
だと、塗膜４の剥離が発生するからである。

【００３３】また、パイルの押し込み量を上記範囲内に
設定する理由は、０．３ｍｍよりも押し込み量が小さい
と、十分な配向性が得られず、配向処理に伴う表示欠陥
が発生するからであり、また、０．６ｍｍよりも大きい
と、塗膜４の剥離が発生するからである。

【００３４】さらに、プラスチック基板２またはラビン
グローラの移動速度（つまり、プラスチック基板に対す
るラビングローラの相対移動速度）を上記範囲内にする
理由は、３０ｍｍ／秒よりも低速だと、配向膜の剥離が
発生するからであり、１００ｍｍ／秒よりも高速だと、
十分な配向性が得られず、配向処理に伴う表示欠陥が発
生するからである。

【００３５】上記配向処理の後、配向処理によって発生
した布くずを、純水あるいは有機溶剤（例えばイソプロ
ピルアルコール）によるシャワー及び超音波洗浄にて取
り除く。

【００３６】次に、洗浄処理を受けた２枚のプラスチッ
ク基板２のうちの一方に、ステップＳ７において、ガラ
ス繊維、あるいは、プラスチック製あるいはガラス製の
ミクロビーズ（５０〜１５０個／１ｍｍφ、つまり、直
径が１ｍｍの円当たり５０〜１５０個）からなるギャッ
プ保持材を散布し、スペーサ７とする。また、他方のプ
ラスチック基板２には、ステップＳ８において、数％の
ギャップ保持材を含有したエポキシ系シール材６を、液
晶の封入口を残して、ディスペンサー法あるいはスクリ
ーン印刷法にて透明電極３外に形成する。そして、シー
ル材６を形成したプラスチック基板２のみを、５０〜１
２０℃の温度で２０〜４０分間、仮乾燥する。

【００３７】続いて、ステップＳ９において、上記２枚
のプラスチック基板２を貼り合わせ、１００℃〜１４０
℃の温度で、２ｋｇ／ｃｍ²の圧力を加えた状態で６０
〜９０分間放置する。その後、貼り合わせたプラスチッ
ク基板２を１００℃〜１４０℃の温度で６０〜１８０分
加熱して、シール材６を硬化させる。

【００３８】次に、ステップＳ１０において、液晶を真
空注入法にて封入口より両プラスチック基板２の間のギ
ャップに注入し、室温硬化型樹脂あるいは紫外線硬化型
樹脂にて上記封入口を封止する。こうして、共重合型ポ
リイミドあるいは共重合型ポリイミド前駆体を配向膜材
料として用いたＳＴＮ型液晶表示装置が完成する。

【００３９】本発明の有効性を検討するために、共重合
型ポリイミド（サンエバー５２９１）、共重合型ポリイ
ミド前駆体（サンエバー７９９２）を含めた各種材料を
プラスチック基板に焼成して配向膜として用いたＳＴＮ
型液晶表示装置を上述した方法に従って形成し、それぞ
れのＳＴＮ型液晶表示装置について、（１）配向処理
（ラビング）時の塗膜剥離の有無、（２）プレティルト
角、（３）配向の安定性、（４）各種電気光学特性、お
よび（５）１０００時間の連続駆動時の閾値電圧低下の
有無を調べた。結果は図３に示す通りである。図３が明
らかに示す通り、共重合型ポリイミド、共重合型ポリイ
ミド前駆体を用いたものはいずれも、配向処理時の膜剥
離がなく、プレティルト角はそれぞれ５.２７および４.
６７と高く、液晶配向は安定しており、電圧保持率は７
５％以上、そして、長期間連続駆動時の電圧低下なし
と、上記項目（１）〜（５）のすべてにおいて良好な結
果が得られており、本発明のＳＴＮ型液晶表示装置が良
好な表示性能を有することがわかる。

【００４０】

【発明の効果】以上より明らかなように、請求項１の液
晶表示装置の製造方法では、共重合型ポリイミドあるい
は共重合体型ポリイミド前駆体を、γブチルラクトンと
ジプロピレングリコールモノメチルエーテルと乳酸ブチ
ルとを８：１：１の比率で混合した溶剤にて溶かした溶
液を用いて、配向膜となる塗膜を形成しているので、均
一な膜厚の塗膜を形成することができ、従って、均一な
膜厚の配向膜を最終的に得ることが可能となり、液晶表
示装置駆動時の閾値電圧が一定になる。これに加えて、
液晶分子のプレティルト角が４．５゜〜１５゜となるよ
うな配向処理を上記塗膜に行うので、むらのない良好な
表示性能を有するＳＴＮ型液晶表示装置を実現すること
ができる。

【００４１】また、請求項２の液晶表示装置の製造方法
では、上記溶液の固形分濃度を３ｗｔ％〜８ｗｔ％とし
ているので３００〜８００Åという適正な厚さの膜を得
ることができ、請求項１の構成から得られる効果（均一
な膜厚の配向膜、液晶分子の高プレティルト角）に加え
て、配向処理時の塗膜の剥離（削れ）を防止でき、か
つ、高周波数駆動時の閾値電圧と低周波数駆動時の閾値
電圧との差を小さくできる。したがって、ＳＴＮ型液晶
表示装置としての良好な表示性能を得ることができる。

【００４２】また、請求項３の液晶表示装置の製造方法
では、上記塗膜を７０℃〜１１０℃の温度で１２０秒〜
２４０秒間仮乾燥し、その後１４０℃〜１６０℃の温度
で６０分〜１２０分間焼成するので、均一に塗布された
塗膜の膜厚およびプラスチック基板に悪影響を及ぼすこ
となく、しかも溶剤を残留させることなく焼成を行うこ
とができる。したがって、配向処理時の塗膜の剥離を防
止でき、安定した高プレティルト角、アンダーツイスト
ドメインあるいは電圧印加時にストライプドメインの発
生しない安定した液晶配向、６０％以上の電圧保持率、
長時間の連続駆動においても低下しない閾値電圧が得ら
れ、高い表示性能をＳＴＮ型液晶表示装置に付与でき
る。

【００４３】請求項４の液晶表示装置の製造方法では、
上記塗膜にラビング法によって配向処理を行うときの条
件として、ラビングローラの回転数を５００ｒｐｍ〜１
０００ｒｐｍ、上記共重合型ポリイミド膜が形成された
プラスチック基板に対する上記ラビングローラの相対移
動速度を３０ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒、ラビング布の
パイルの押し込み量を０．３ｍｍ〜０．６ｍｍとしてい
るので、請求項１〜３の効果に加えて、配向処理時に生
じ得る配向膜の欠陥を防止できる。したがってこの製造
方法は、プレティルト角が安定しており、電圧保持率が
６０％以上と高くかつ安定しており、高周波数駆動時の
閾値電圧と低周波数駆動時の閾値電圧との差が小さく、
しかも長期間の連続駆動においても閾値電圧の低下がな
い、高い表示性能を有するＳＴＮ型液晶表示装置を製造
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法の一例を示したフローチャー
トである。

【図２】図１に示した製造フローにしたがって製造され
たＳＴＮ型液晶表示装置の断面概略図である。

【図３】従来のＳＴＮ型液晶表示装置と、本発明の方法
に従い製造したＳＴＮ型液晶表示装置との性能比較結果
を示した図である。

【符号の説明】

１…偏光板、２…プラスチック基板、３…透明電極、４…配向膜、５…液晶、６…シール材、７…スペーサ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０９Ｆ 9/35 ３０８Ｇ０９Ｆ 9/35 ３０８

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラスチック基板にて挟持された液晶が
ＳＴＮ型の分子配向を有する液晶表示装置の製造方法で
あって、共重合型ポリイミドあるいは共重合体型ポリイミド前駆
体をγブチルラクトンとジプロピレングリコールモノメ
チルエーテルと乳酸ブチルとを実質的に８：１：１の比
率で混合した溶剤にて溶かした溶液を上記プラスチック
基板に塗布して塗膜を形成し、次に、上記塗膜に加熱処
理を行って上記溶剤を除去した後、液晶分子のプレティ
ルト角が４．５゜〜１５゜となるように上記塗膜に配向
処理を行って配向膜を形成することを特徴とする液晶表
示装置の製造方法。
【請求項２】上記溶液の固形分濃度を３ｗｔ％〜８ｗ
ｔ％としたことを特徴とする請求項１に記載の液晶表示
装置の製造方法。
【請求項３】上記塗膜の加熱処理は、７０℃〜１１０
℃の温度で１２０秒〜２４０秒間加熱する仮乾燥工程
と、１４０℃〜１６０℃の温度で６０分〜１２０分間加
熱する焼成工程とを含むことを特徴とする請求項１また
は２に記載の液晶表示装置の製造方法。
【請求項４】上記塗膜への配向処理はラビング法を用
いて行い、この配向処理時の条件として、ラビングロー
ラの回転数を５００ｒｐｍ〜１０００ｒｐｍ、上記塗膜
の形成されたプラスチック基板に対する上記ラビングロ
ーラの相対移動速度を３０ｍｍ／秒〜１００ｍｍ／秒、
ラビング布のパイルの押し込み量を０．３ｍｍ〜０．６
ｍｍとすることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか
１つに記載の液晶表示装置の製造方法。