JPH10251518A - 透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法 - Google Patents

透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法

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JPH10251518A
JPH10251518A JP34347697A JP34347697A JPH10251518A JP H10251518 A JPH10251518 A JP H10251518A JP 34347697 A JP34347697 A JP 34347697A JP 34347697 A JP34347697 A JP 34347697A JP H10251518 A JPH10251518 A JP H10251518A
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勉 基 沈
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知 爰 李
Dong-Sik Jang
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明導電性組成物、これより形成された透明
導電膜およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 前記組成物は伝導性高分子、結合剤およ
び溶媒を含んでおり、結合剤としてシリコンアルコキシ
ドオリゴマーを使用することを特徴とする。これにより
透過度、膜硬度および抵抗特性に非常に優れた透明導電
膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性組成物、
これより形成された透明導電膜および透明導電膜の製造
方法に係り、特に表示装置の電磁波遮蔽膜および帯電防
止膜の形成時に用いられる透明導電性組成物、前記組成
物から形成された透明導電膜とその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】透明導電膜とは、光透過率の高い絶縁物
質層の表面に形成された薄い導電膜を意味する。これに
は、白金、金などの金属薄膜と酸化インジウム錫(indiu
m tinoxide)、酸化錫(tin oxide)、酸化チタン(titaniu
m oxide)、酸化アンチモン(antimony oxide)などの金属
酸化物薄膜が属する。このような透明導電膜は家電機器
の静電気防止膜と電磁波遮蔽膜、平板表示素子の電源印
加用の透明電極などに使われる。
【0003】透明導電膜を製造する方法としては、通
常、スパッタリング法、蒸着法、イオンビーム法などが
ある。このような方法によれば、真空装置のような高価
な設備が必要とされ、400℃以上の焼成処理段階を経な
ければならない。従って、200℃以上の温度での焼成が
好ましくなく、低コストが要求される表示装置、特に陰
極線管用の電磁波遮蔽膜および帯電防止膜には適用しに
くいという問題点がある。
【0004】最近、モニターなどから出る電磁波が人体
に非常に有害なことが明らかにされ、電磁波に対する規
制が徐々に強化されている。このような電磁波規制に対
して効果的に対処するには、電磁波遮蔽および帯電防止
効果に優れた透明導電膜を得ることが先決課題である。
【0005】スウェーデン事務労働組合(The swedish C
onfederation Of professional employees:TCO)の電
磁波規制に対応するために透明導電膜は次のような特性
を満たすべきである。
【0006】帯電防止膜として使用する場合、透明導電
膜は103Ω/□以下の抵抗を有するべきである。そして、
電磁波遮蔽膜として使用する場合には105Ω/□以下の抵
抗、5H以上の膜硬度、95%以上の透明度を有すべき
である。
【0007】前述したような特性を有する透明導電膜を
得るために、透明導電膜形成用の材料として従来の酸化
インジウムチタンなどの金属酸化物の代りに伝導性高分
子を用いる方法が提案された。このように透明導電膜形
成用の材料として伝導性高分子を利用する場合、製造コ
ストが安く、低温焼成処理を経て透明導電膜を形成しう
る。しかし、伝導性高分子は一般に可視光波長領域の光
を吸収したり、硬度などの物性が満たせないため、表示
装置の帯電防止膜および電磁波遮蔽膜用として要求され
る透過度、抵抗および膜硬度の特性を有する透明導電膜
を得にくい。
【0008】このような問題点を解決するために、伝導
性高分子にシリコンアルコキシドなどの結合剤を添加す
る方法が提案された。この方法によれば、結合剤の添加
により透明導電膜の膜硬度は5Hほどに向上したが、抵抗
が106Ω/□以上で透明度が不良なため表示装置の電磁波
遮蔽膜および帯電防止膜として使用するに難点があっ
た。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
問題点を解決して抵抗、膜硬度および透過度の特性に優
れた透明導電膜を形成しうる透明導電性組成物を提供す
ることにある。
【0010】本発明の他の目的は、前記組成物より形成
された透明導電膜を提供することにある。
【0011】本発明のさらに他の目的は、前記透明導電
膜の製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では、伝導性高分子、結合剤および溶媒を含む
透明導電性組成物において、前記結合剤が化8で表され
るシリコンアルコキシドオリゴマーであることを特徴と
する透明導電性組成物を提供する:
【0013】
【化8】
【0014】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【0015】本発明の他の目的は、伝導性高分子と化9
で表されるシリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解
物よりなる導電膜であることを特徴とする透明導電膜に
よりなされる:
【0016】
【化9】
【0017】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【0018】前記伝導性高分子とシリコンアルコキシド
オリゴマーの加水分解物の混合重量比は、100:0.02な
いし100:99.98であることが望ましい。
【0019】前記透明導電膜は、結合樹脂またはシラン
化合物をさらに含むことが好ましい。ここで、伝導性高
分子と結合樹脂の混合重量比は100:0.4ないし100:95.
3であることが望ましく、伝導性高分子とシラン化合物
との混合重量比は100:0.02ないし100:99.97であるこ
とが望ましい。
【0020】本発明の他の目的は、前記導電膜の上部に
化10で表されるシリコンアルコキシドオリゴマーの加
水分解物よりなるオーバーコーティング膜がさらに形成
されていることを特徴とする透明導電膜によりなされ
る:
【0021】
【化10】
【0022】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【0023】本発明のさらに他の目的は、(a)基板上に
伝導性高分子、化11のシリコンアルコキシドオリゴマ
ーおよび溶媒を含む組成物を塗布および乾燥する段階
と、(b)前記結果物を熱処理して導電膜を形成する段階
とを含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法により
なされる:
【0024】
【化11】
【0025】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【0026】また、(c)導電膜の上部に化12で表され
るシリコンアルコキシドオリゴマーおよび結合剤を含む
組成物を塗布および乾燥した後、熱処理してオーバーコ
ーティング膜を形成する段階をさらに含むことを特徴と
する透明導電膜の製造方法によりなされる:
【0027】
【化12】
【0028】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【0029】
【発明の実施の形態】本発明によれば、伝導性高分子、
そして結合剤としてシリコンアルコキシドオリゴマーを
含んでいる組成物で透明導電膜を形成することによリ透
明導電膜のネットワークがさらに緻密化される。その結
果、透明導電膜の膜硬度と透過度が向上され、抵抗は最
小化される。
【0030】本発明による透明導電性組成物において、
伝導性高分子の含量は透明導電性組成物の全重量を基準
として0.05ないし5.0重量%であり、結合剤の含量は0.00
1ないし4.0重量%であることが望ましい。伝導性高分子
と結合剤との含量が前記範囲のとき、透明導電膜の膜硬
度、透過度、抵抗などの特性が最も優れている。
【0031】結合剤として使用される化1で表されるシ
リコンアルコキシドオリゴマーの数平均分子量は400な
いし2000であることが望ましい。この場合、前記オリゴ
マーの数平均分子量が2000を超えると組成物の粘度が高
まり過ぎて取扱いが困難である。一方、前記オリゴマー
の数平均分子量が400未満なら透明導電膜の膜硬度が不
良になるので望ましくない。ここで、シリコンアルコキ
シドオリゴマーの適切な含量は組成物の全重量に対して
0.001ないし4.0重量%である。
【0032】本発明による透明導電膜用組成物には、ポ
リビニルアルコール、エマルゲン(Emulgen)810(KAOケ
ミカル社)などの結合樹脂(bonding resin)がさらに含
まれることもある。このような結合樹脂をさらに含む組
成物を用いると、透明度が改善され、外皮の滑らかな透
明導電膜が得られる。ここで、結合樹脂の含量は0.001
ないし1.0重量%が望ましい。結合樹脂の含量が1.0重量%
を超えると、透明導電膜の抵抗は良好であるが、透過度
および硬度特性が低下する。一方、結合樹脂の含量が0.
001重量%未満なら膜の表面張力を低下させる効果が劣る
ために望ましくない。
【0033】また、本発明の透明導電性組成物には、テ
トラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、エポ
キシシラン(epoxy silane)特に化13で表されるエポ
キシシランなどのシラン化合物をさらに含むこともあ
る。ここで、シラン化合物は第2結合剤としての役割を
して膜硬度と導電性の向上に寄与する。この際、シラン
化合物の含量は組成物の全重量に対して0.001ないし3.0
重量%が望ましい:
【0034】
【化13】
【0035】ただし、式中、AはC1〜C5のアルキル基で
あり、kは0または1である。
【0036】本発明において使用する伝導性高分子とし
ては、導電性を有しており、通常高分子自体の体積抵抗
率(volume resistivity)が105Ωcm以下の高分子なら全
て使用可能である。具体例として、伝導性高分子がポリ
エチレンジオキシチオフェン(polyethylene dioxythiop
hene:PEDT)、ポリアニリン(poly aniline)、ポリピロ
ール(polypyrrole)、ポリアセチレン(polyacetylene)、
ポリフラン(polyfuran)、ポリパラフェニレン(polypara
phenylene)、ポリセレノフェン(polyselenophene)、
ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDT)とポリスチレン
スルホネート(polystyrene sulfonate:PSS)との混合
物(PEDT/PSS)などがあるが、その中でもPEDT/PSSが最
も望ましい。
【0037】前記溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロフィルアルコール、n-ブタノールなどのア
ルコール溶媒、N-メチルピロリドン(N-Methyl Pyrrolid
one:NMP)、N、N-ジメチルホルムアミド、水などを使用
する。
【0038】以下、本発明による透明導電膜用組成物を
利用して透明導電膜を製造する方法とその方法により形
成された透明導電膜の構造および用途を具体的に説明す
る。
【0039】基板の上部に伝導性高分子、化1で表され
るシリコンアルコキシドオリゴマーおよび溶媒を含む組
成物を塗布する。この場合、伝導性高分子以外にポリビ
ニルアルコール、エマルゲン810(KAOケミカル社)のよう
な物質をさらに加えうる。
【0040】次いで、前記結果物を乾燥および熱処理す
ると、図1に示されたような単一透明導電膜が得られ
る。この際、熱処理は100ないし300℃で行うことが望ま
しい。
【0041】図1の透明導電膜は、基板11上に伝導性高
分子13とシリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物
14よりなる導電膜12で構成される。
【0042】前述した方法により製造された単一透明導
電膜は概略的に膜硬度7H、抵抗105Ω/□の特性を有して
おり、このような透明導電膜は陰極線管および表示装置
の電磁波遮蔽膜として使用しうる。
【0043】一方、マルチ透明導電膜を得るためには、
まず基板の上部に伝導性高分子、化1のシリコンアルコ
キシドオリゴマーおよび溶媒を含む組成物を塗布および
乾燥して導電膜を形成する。
【0044】前記導電膜の上部に化1で表されるシリコ
ンアルコキシドオリゴマーおよび結合剤を含む組成物を
塗布および乾燥する。次いで、前記結果物を熱処理して
オーバーコーティング膜を得る。この場合、熱処理は10
0ないし300℃で行うことが望ましい。
【0045】ここで、前記オーバーコーティング膜用の
組成物にエポキシシラン、トリメトキシシラン、バナジ
ウムシランなどのシラン化合物をさらに添加すると、膜
硬度および導電性の非常に向上された透明導電膜が得ら
れる。
【0046】前述した方法によれば、図2に示されたよ
うなマルチ透明導電膜が得られる。前記マルチ透明導電
膜の構造を説明すれば、基板21上に伝導性高分子23とシ
リコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物24よりなる
導電膜22が形成されており、前記導電膜22の上部にシリ
コンアルコキシドオリゴマーの加水分解物よりなるオー
バーコーティング膜25が形成されている。このように前
記導電膜22の上部にシリコンアルコキシドオリゴマー加
水分解物を用いてオーバーコーティング膜25を形成する
と、103Ω/□以下の抵抗値を有する低抵抗透明導電膜
を形成できて陰極線管および表示装置の帯電防止膜とし
て有用に使用しうる。
【0047】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づき詳しく説明す
るが、本発明は下記実施例にのみ限定されることではな
い。
【0048】<実施例1>1.2wt%PEDT-PSS水溶液30.0g、
水16.0g、メタノール28.0g、エタノール18.0g、イソプ
ロフィルアルコール6.9g、N-メチルピロリドン1.0gおよ
びメチルシリケートオリゴマー0.1gを混合して第1コー
ティング液を製造した。
【0049】基板の上部に前記第1コーティング液を塗
布して約50℃で乾燥した後、冷却して導電膜を形成し
た。
【0050】次いで、メチルシリケートオリゴマー分散
液50gおよびエポキシシラン1gを含む第2コーティング液
を前記導電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成および冷
却してオーバーコーティング膜を形成することにより、
マルチ透明導電膜を完成した。
【0051】<実施例2>第1コーティング液の製造時、
メチルシリケートオリゴマーを0.2g使用したことを除け
ば、実施例1と同一な方法により実施した。
【0052】<実施例3>メチルシリケートオリゴマー
1.5gおよびトリメトキシメチルシラン1.0gを混合し、こ
こに1.2wt%PEDT/PSS水溶液24.0g、水12.0g、メタノール
20.0g、エタノール16.0g、イソプロフィルアルコール1
8.0g、N-メチルピロリドン2.0gおよびジメチルホルムア
ミド2.0gを加えて第1コーティング液を製造した。
【0053】基板の上部に前記第1コーティング液を塗
布してから約50℃で乾燥した後、冷却して導電膜を形成
した。
【0054】次いで、メチルシリケートオリゴマー分散
液50gおよびエポキシシラン1gを含む第2コーティング液
を前記導電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成した後、
冷却してオーバーコーティング膜を形成することにより
マルチ透明導電膜を完成した。
【0055】<実施例4>第1コーティング液の製造時、
結合剤としてメチルシリケートオリゴマー1.5gおよびト
リメトキシメチルシラン0.8gを使用したことを除いて
は、実施例3と同一な方法により実施した。
【0056】<実施例5>0.5重量%のポリビニルアルコ
ール水溶液にPEDT/PSS溶液12.0g、エタノール8.0g、メ
タノール10.0g、イソプロフィルアルコール9.0g、エマ
ルゲン810(KAOケミカル社)1.0g、N-メチルピロリドン2.
0g、DMF2.0gおよびメチルシリケートオリゴマー1.6gを
加えた後、十分に混合して第1コーティング液を製造し
た。
【0057】基板の上部に前記組成物を塗布し、約50℃
で乾燥した後、冷却して導電膜を形成した。
【0058】次いで、メチルシリケートオリゴマー分散
液50gおよびエポキシシラン1gを含む第2コーティング液
を前記導電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成した後、
冷却してオーバーコーティング膜を形成することにより
マルチ透明導電膜を完成した。
【0059】<実施例6>第2コーティング液の製造時、
エポキシシランを添加しないことを除いては、実施例1
と同一な方法により実施した。
【0060】<実施例7>第2コーティング液の製造時、
エポキシシランを添加しないことを除いては、実施例3
と同一な方法により実施した。
【0061】<比較例>1.2wt%PEDT-PSS溶液30g、水16.
0g、メタノール28.0g、エタノール18.0g、イソプロフィ
ルアルコール6.9g、N-メチルピロリドン1.0gおよびメチ
ルシリケートモノマー0.1gを混合して第1コーティング
液を製造した。
【0062】基板の上部に前記第1コーティング液を塗
布し、約180℃で乾燥した後、冷却して導電膜を形成し
た。
【0063】次いで、メチルシリケートモノマー1gおよ
びエポキシシラン50gを含む第2コーティング液を前記導
電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成した後、冷却して
オーバーコーティング膜を形成することによりマルチ透
明導電膜を完成した。
【0064】次の表1には、前記実施例1〜7および比較
例で製造された透明導電膜の特性を測定して示した。
【0065】
【表1】
【0066】前記表1を参照すれば、結合剤としてメチ
ルシリケートオリゴマーを使用した場合(実施例1〜2)に
は、透明導電膜の透過度が優秀で膜硬度と抵抗とが良好
なのがわかった。
【0067】また、第2の結合剤としてメチルトリメト
キシシランをさらに含んだ組成物を用いた場合(実施例3
〜4)とポリビニルアルコールをさらに使用した場合(実
施例5)には、実施例1〜2の場合より透明導電膜の抵抗は
若干大きく、膜硬度はほぼ同じであり、透過度特性は若
干向上した。
【0068】一方、エポキシシランを添加しない第2コ
ーティング液を用いた場合(実施例6〜7)には、実施例1
および3の場合と比較して膜硬度は若干低下されたが抵
抗および透過度の特性は同様に優秀であった。
【0069】反面、比較例の場合には抵抗が105Ω/□で
あり、透明度が約82%ほどに低下した。この場合、膜硬
度は実施例1および実施例4の場合と同一であった。
【0070】
【発明の効果】本発明によれば、透過度、膜硬度および
抵抗特性の非常に優れた透明導電膜が得られる。
【0071】本発明により得られた単一透明導電膜は抵
抗 105Ω/□、膜硬度 5H以上、透過度 95%以上の特
性を有するので陰極線管および表示装置の電磁波遮蔽膜
に有用に使用しうる。そして、単一透明導電膜の上部に
オーバーコーティング膜をさらに形成させたマルチ透明
導電膜は、前記単一透明導電膜より抵抗がさらに減少し
て103Ω/□以下となるため、陰極線管および表示装置の
帯電防止膜に有用に使用しうる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明による単一透明導電膜の構造の一例を示
す図面である。
【図2】本発明によるマルチ透明導電膜の構造の一例を
示す図面である。
【符号の説明】
11−−基板 12−−導電膜 13−−伝導性高分子 14−−シリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物 21−−基板 22−−導電膜 23−−伝導高分子 25−−オーバーコーティング膜 24−−シリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C08L 79/00 C08L 79/00 A 81/00 81/00 C09D 183/04 C09D 183/04 H01B 3/46 H01B 3/46 C 5/14 5/14 13/00 503 13/00 503C

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 伝導性高分子、結合剤および溶媒を含む
    透明導電性組成物において、 前記結合剤が化1で表されるシリコンアルコキシドオリ
    ゴマーであることを特徴とする透明導電性組成物: 【化1】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  2. 【請求項2】 前記シリコンアルコキシドオリゴマーの
    数平均分子量が400ないし2000であることを特徴とする
    請求項1に記載の透明導電性組成物。
  3. 【請求項3】 前記伝導性高分子の含量が組成物全重量
    に対して0.05ないし5.0重量%であることを特徴とする請
    求項1に記載の透明導電性組成物。
  4. 【請求項4】 前記シリコンアルコキシドオリゴマーの
    含量が組成物の全重量に対して0.01ないし4.0重量%であ
    ることを特徴とする請求項1に記載の透明導電性組成
    物。
  5. 【請求項5】 結合樹脂がさらに含まれていることを特
    徴とする請求項1に記載の透明導電性組成物。
  6. 【請求項6】 前記結合樹脂がポリビニルアルコールで
    あることを特徴とする請求項5に記載の透明導電性組成
    物。
  7. 【請求項7】 前記結合樹脂の含量が組成物の全重量に
    対して0.001ないし1.0重量%であることを特徴とする請
    求項5に記載の透明導電性組成物。
  8. 【請求項8】 シラン化合物がさらに含まれていること
    を特徴とする請求項1に記載の透明導電性組成物。
  9. 【請求項9】 前記シラン化合物がテトラエトキシシラ
    ン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
    ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
    ラン、ビニルトリエトキシシランおよび化2で表される
    エポキシシランよりなる群から選択される少なくとも1
    つであることを特徴とする請求項8に記載の透明導電性
    組成物: 【化2】 ただし、式中、AはC1〜C5アルキル基であり、kは0ま
    たは1である。
  10. 【請求項10】 前記シラン化合物の含量が組成物の全
    重量を基準として0.001ないし3.0重量%であることを特
    徴とする請求項8に記載の透明導電性組成物。
  11. 【請求項11】 前記伝導性高分子がポリエチレンジオ
    キシチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリア
    セチレン、ポリフラン、ポリパラフェニレン、ポリセレ
    ノフェンおよびポリエチレンジオキシチオフェンとポリ
    スチレンスルホネートとの混合物から選択された少なく
    とも1つであることを特徴とする請求項1に記載の透明
    導電性組成物。
  12. 【請求項12】 伝導性高分子と化3で表されるシリコ
    ンアルコキシドオリゴマーの加水分解物よりなる導電膜
    であることを特徴とする透明導電膜: 【化3】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  13. 【請求項13】 前記伝導性高分子とシリコンアルコキ
    シドオリゴマーの加水分解物の混合重量比は100:0.02
    ないし100:99.98であることを特徴とする請求項12に
    記載の透明導電膜。
  14. 【請求項14】 結合樹脂がさらに含まれていることを
    特徴とする請求項12に記載の透明導電膜。
  15. 【請求項15】 前記結合樹脂がポリビニルアルコール
    であることを特徴とする請求項14に記載の透明導電
    膜。
  16. 【請求項16】 前記伝導性高分子と結合樹脂の混合重
    量比は100:0.4ないし100:95.3であることを特徴とす
    る請求項14に記載の透明導電膜。
  17. 【請求項17】 シラン化合物がさらに含まれているこ
    とを特徴とする請求項12に記載の透明導電膜。
  18. 【請求項18】 前記シラン化合物がテトラエトキシシ
    ラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
    ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
    ラン、ビニルトリエトキシシランおよび化4で表される
    エポキシシランよりなる群から選択された少なくとも1
    つであることを特徴とする請求項17に記載の透明導電
    膜: 【化4】 ただし、式中、AはC1〜C5アルキル基であり、kは0ま
    たは1である。
  19. 【請求項19】 前記伝導性高分子とシラン化合物の混
    合重量比は100:0.02ないし100:99.97であることを特
    徴とする請求項17に記載の透明導電膜。
  20. 【請求項20】 前記導電膜の上部に化3で表されるシ
    リコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物よりなるオ
    ーバーコーティング膜がさらに形成されていることを特
    徴とする請求項12に記載の透明導電膜。
  21. 【請求項21】 (a)基板上に伝導性高分子、化5で表
    されるシリコンアルコキシドオリゴマーおよび溶媒を含
    む組成物を塗布および乾燥する段階と、 (b)前記結果物を熱処理して導電膜を形成する段階とを
    含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法: 【化5】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  22. 【請求項22】 前記(b)段階において熱処理が100ない
    し300℃で実施されることを特徴とする請求項21に記載
    の透明導電膜の製造方法。
  23. 【請求項23】 前記(a)段階において、伝導性高分子
    の含量が組成物全重量に対し0.05ないし5.0重量%のこと
    を特徴とする請求項21に記載の透明導電膜の製造方法。
  24. 【請求項24】 前記(a)段階において、シリコンアル
    コキシドオリゴマーの含量が組成物の全重量に対して0.
    001ないし4.0重量%であることを特徴とする請求項21
    に記載の透明導電膜の製造方法。
  25. 【請求項25】 前記(a)段階において、組成物に結合
    樹脂がさらに含まれていることを特徴とする請求項21
    に記載の透明導電膜の製造方法。
  26. 【請求項26】 前記結合樹脂がポリビニルアルコール
    であることを特徴とする請求項25に記載の透明導電膜
    の製造方法。
  27. 【請求項27】 前記結合樹脂の含量が組成物の全重量
    に対して0.001ないし1.0重量%であることを特徴とする
    請求項25に記載の透明導電膜の製造方法。
  28. 【請求項28】 前記(a)段階において、組成物にシラ
    ン化合物がさらに含まれていることを特徴とする請求項
    21に記載の透明導電膜の製造方法。
  29. 【請求項29】 前記シラン化合物がテトラエトキシシ
    ラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
    ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
    ラン、ビニルトリエトキシシランおよび化6で表される
    エポキシシランよりなる群から選択された少なくとも1
    つであることを特徴とする請求項28に記載の透明導電
    膜の製造方法: 【化6】 ただし、式中、AはC1〜C5アルキル基であり、kは0ま
    たは1である。
  30. 【請求項30】 前記シラン化合物の含量が組成物の全
    重量を基準として0.001ないし3.0重量%であることを特
    徴とする請求項28に記載の透明導電膜の製造方法。
  31. 【請求項31】 前記(a)段階において、伝導性高分子
    がポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアニリン、ポ
    リピロール、ポリアセチレン、ポリフラン、ポリパラフ
    ェニレン、ポリセレノフェンおよびポリエチレンジオキ
    シチオフェンとポリスチレンスルホネートとの混合物よ
    りなる群から選択された少なくとも1つであることを特
    徴とする請求項21に記載の透明導電膜の製造方法。
  32. 【請求項32】 前記シリコンアルコキシドオリゴマー
    の数平均分子量が400ないし2000であることを特徴とす
    る請求項21に記載の透明導電膜の製造方法。
  33. 【請求項33】 (c) 導電膜の上部に化7で表される
    シリコンアルコキシドオリゴマーおよび結合剤を含む組
    成物を塗布および乾燥した後、熱処理してオーバーコー
    ティング膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とす
    る請求項21に記載の透明導電膜の製造方法: 【化7】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  34. 【請求項34】 前記(c)段階において熱処理が100ない
    し300℃で行われることを特徴とする請求項33に記載
    の透明導電膜の製造方法。
  35. 【請求項35】 前記シリコンアルコキシドオリゴマー
    の数平均分子量が400ないし2000であることを特徴とす
    る請求項33に記載のマルチ透明導電膜の製造方法。
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