JPH10251518A - 透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法 - Google Patents

透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法

Info

Publication number
JPH10251518A
JPH10251518A JP34347697A JP34347697A JPH10251518A JP H10251518 A JPH10251518 A JP H10251518A JP 34347697 A JP34347697 A JP 34347697A JP 34347697 A JP34347697 A JP 34347697A JP H10251518 A JPH10251518 A JP H10251518A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
transparent conductive
conductive film
composition
silicon alkoxide
formula
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP34347697A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2978867B2 (ja
Inventor
Benki Chin
勉 基 沈
Chien Ri
知 爰 李
Dong-Sik Jang
東 植 張
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung SDI Co Ltd
Original Assignee
Samsung Display Devices Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1019970065905A external-priority patent/KR100243254B1/ko
Application filed by Samsung Display Devices Co Ltd filed Critical Samsung Display Devices Co Ltd
Publication of JPH10251518A publication Critical patent/JPH10251518A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2978867B2 publication Critical patent/JP2978867B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 透明導電性組成物、これより形成された透明
導電膜およびその製造方法を提供する。 【解決手段】 前記組成物は伝導性高分子、結合剤およ
び溶媒を含んでおり、結合剤としてシリコンアルコキシ
ドオリゴマーを使用することを特徴とする。これにより
透過度、膜硬度および抵抗特性に非常に優れた透明導電
膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は透明導電性組成物、
これより形成された透明導電膜および透明導電膜の製造
方法に係り、特に表示装置の電磁波遮蔽膜および帯電防
止膜の形成時に用いられる透明導電性組成物、前記組成
物から形成された透明導電膜とその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】透明導電膜とは、光透過率の高い絶縁物
質層の表面に形成された薄い導電膜を意味する。これに
は、白金、金などの金属薄膜と酸化インジウム錫(indiu
m tinoxide)、酸化錫(tin oxide)、酸化チタン(titaniu
m oxide)、酸化アンチモン(antimony oxide)などの金属
酸化物薄膜が属する。このような透明導電膜は家電機器
の静電気防止膜と電磁波遮蔽膜、平板表示素子の電源印
加用の透明電極などに使われる。
【０００３】透明導電膜を製造する方法としては、通
常、スパッタリング法、蒸着法、イオンビーム法などが
ある。このような方法によれば、真空装置のような高価
な設備が必要とされ、400℃以上の焼成処理段階を経な
ければならない。従って、200℃以上の温度での焼成が
好ましくなく、低コストが要求される表示装置、特に陰
極線管用の電磁波遮蔽膜および帯電防止膜には適用しに
くいという問題点がある。
【０００４】最近、モニターなどから出る電磁波が人体
に非常に有害なことが明らかにされ、電磁波に対する規
制が徐々に強化されている。このような電磁波規制に対
して効果的に対処するには、電磁波遮蔽および帯電防止
効果に優れた透明導電膜を得ることが先決課題である。
【０００５】スウェーデン事務労働組合(The swedish C
onfederation Of professional employees：TCO）の電
磁波規制に対応するために透明導電膜は次のような特性
を満たすべきである。
【０００６】帯電防止膜として使用する場合、透明導電
膜は103Ω/□以下の抵抗を有するべきである。そして、
電磁波遮蔽膜として使用する場合には105Ω/□以下の抵
抗、５Ｈ以上の膜硬度、９５％以上の透明度を有すべき
である。
【０００７】前述したような特性を有する透明導電膜を
得るために、透明導電膜形成用の材料として従来の酸化
インジウムチタンなどの金属酸化物の代りに伝導性高分
子を用いる方法が提案された。このように透明導電膜形
成用の材料として伝導性高分子を利用する場合、製造コ
ストが安く、低温焼成処理を経て透明導電膜を形成しう
る。しかし、伝導性高分子は一般に可視光波長領域の光
を吸収したり、硬度などの物性が満たせないため、表示
装置の帯電防止膜および電磁波遮蔽膜用として要求され
る透過度、抵抗および膜硬度の特性を有する透明導電膜
を得にくい。
【０００８】このような問題点を解決するために、伝導
性高分子にシリコンアルコキシドなどの結合剤を添加す
る方法が提案された。この方法によれば、結合剤の添加
により透明導電膜の膜硬度は5Hほどに向上したが、抵抗
が106Ω/□以上で透明度が不良なため表示装置の電磁波
遮蔽膜および帯電防止膜として使用するに難点があっ
た。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
問題点を解決して抵抗、膜硬度および透過度の特性に優
れた透明導電膜を形成しうる透明導電性組成物を提供す
ることにある。
【００１０】本発明の他の目的は、前記組成物より形成
された透明導電膜を提供することにある。
【００１１】本発明のさらに他の目的は、前記透明導電
膜の製造方法を提供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明では、伝導性高分子、結合剤および溶媒を含む
透明導電性組成物において、前記結合剤が化８で表され
るシリコンアルコキシドオリゴマーであることを特徴と
する透明導電性組成物を提供する：
【００１３】
【化８】
【００１４】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【００１５】本発明の他の目的は、伝導性高分子と化９
で表されるシリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解
物よりなる導電膜であることを特徴とする透明導電膜に
よりなされる：
【００１６】
【化９】
【００１７】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【００１８】前記伝導性高分子とシリコンアルコキシド
オリゴマーの加水分解物の混合重量比は、100：0.02な
いし100：99.98であることが望ましい。
【００１９】前記透明導電膜は、結合樹脂またはシラン
化合物をさらに含むことが好ましい。ここで、伝導性高
分子と結合樹脂の混合重量比は100：0.4ないし100：95.
3であることが望ましく、伝導性高分子とシラン化合物
との混合重量比は100：0.02ないし100：99.97であるこ
とが望ましい。
【００２０】本発明の他の目的は、前記導電膜の上部に
化１０で表されるシリコンアルコキシドオリゴマーの加
水分解物よりなるオーバーコーティング膜がさらに形成
されていることを特徴とする透明導電膜によりなされ
る：
【００２１】
【化１０】
【００２２】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【００２３】本発明のさらに他の目的は、(a)基板上に
伝導性高分子、化１１のシリコンアルコキシドオリゴマ
ーおよび溶媒を含む組成物を塗布および乾燥する段階
と、(b)前記結果物を熱処理して導電膜を形成する段階
とを含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法により
なされる：
【００２４】
【化１１】
【００２５】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【００２６】また、(c)導電膜の上部に化１２で表され
るシリコンアルコキシドオリゴマーおよび結合剤を含む
組成物を塗布および乾燥した後、熱処理してオーバーコ
ーティング膜を形成する段階をさらに含むことを特徴と
する透明導電膜の製造方法によりなされる：
【００２７】
【化１２】
【００２８】ただし、式中、Rは水素原子またはC1ない
しC20のアルキル基であり、nは2ないし10の整数であ
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明によれば、伝導性高分子、
そして結合剤としてシリコンアルコキシドオリゴマーを
含んでいる組成物で透明導電膜を形成することによリ透
明導電膜のネットワークがさらに緻密化される。その結
果、透明導電膜の膜硬度と透過度が向上され、抵抗は最
小化される。
【００３０】本発明による透明導電性組成物において、
伝導性高分子の含量は透明導電性組成物の全重量を基準
として0.05ないし5.0重量%であり、結合剤の含量は0.00
1ないし4.0重量%であることが望ましい。伝導性高分子
と結合剤との含量が前記範囲のとき、透明導電膜の膜硬
度、透過度、抵抗などの特性が最も優れている。
【００３１】結合剤として使用される化1で表されるシ
リコンアルコキシドオリゴマーの数平均分子量は400な
いし2000であることが望ましい。この場合、前記オリゴ
マーの数平均分子量が2000を超えると組成物の粘度が高
まり過ぎて取扱いが困難である。一方、前記オリゴマー
の数平均分子量が400未満なら透明導電膜の膜硬度が不
良になるので望ましくない。ここで、シリコンアルコキ
シドオリゴマーの適切な含量は組成物の全重量に対して
0.001ないし4.0重量%である。
【００３２】本発明による透明導電膜用組成物には、ポ
リビニルアルコール、エマルゲン（Emulgen）810(KAOケ
ミカル社）などの結合樹脂(bonding resin)がさらに含
まれることもある。このような結合樹脂をさらに含む組
成物を用いると、透明度が改善され、外皮の滑らかな透
明導電膜が得られる。ここで、結合樹脂の含量は0.001
ないし1.0重量%が望ましい。結合樹脂の含量が1.0重量%
を超えると、透明導電膜の抵抗は良好であるが、透過度
および硬度特性が低下する。一方、結合樹脂の含量が0.
001重量%未満なら膜の表面張力を低下させる効果が劣る
ために望ましくない。
【００３３】また、本発明の透明導電性組成物には、テ
トラエトキシシラン、テトラメトキシシラン、メチルト
リメトキシシラン、メチルトリエトキシシラン、ビニル
トリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、エポ
キシシラン（epoxy silane）特に化１３で表されるエポ
キシシランなどのシラン化合物をさらに含むこともあ
る。ここで、シラン化合物は第2結合剤としての役割を
して膜硬度と導電性の向上に寄与する。この際、シラン
化合物の含量は組成物の全重量に対して0.001ないし3.0
重量%が望ましい：
【００３４】
【化１３】
【００３５】ただし、式中、ＡはC1〜C5のアルキル基で
あり、ｋは０または１である。
【００３６】本発明において使用する伝導性高分子とし
ては、導電性を有しており、通常高分子自体の体積抵抗
率(volume resistivity）が105Ωcm以下の高分子なら全
て使用可能である。具体例として、伝導性高分子がポリ
エチレンジオキシチオフェン(polyethylene dioxythiop
hene：PEDT)、ポリアニリン(poly aniline)、ポリピロ
ール(polypyrrole)、ポリアセチレン(polyacetylene)、
ポリフラン(polyfuran)、ポリパラフェニレン(polypara
phenylene)、ポリセレノフェン（polyselenophene）、
ポリエチレンジオキシチオフェン(PEDT)とポリスチレン
スルホネート(polystyrene sulfonate：PSS）との混合
物（PEDT/PSS）などがあるが、その中でもPEDT/PSSが最
も望ましい。
【００３７】前記溶媒としては、メタノール、エタノー
ル、イソプロフィルアルコール、n-ブタノールなどのア
ルコール溶媒、N-メチルピロリドン(N-Methyl Pyrrolid
one：NMP)、N、N-ジメチルホルムアミド、水などを使用
する。
【００３８】以下、本発明による透明導電膜用組成物を
利用して透明導電膜を製造する方法とその方法により形
成された透明導電膜の構造および用途を具体的に説明す
る。
【００３９】基板の上部に伝導性高分子、化1で表され
るシリコンアルコキシドオリゴマーおよび溶媒を含む組
成物を塗布する。この場合、伝導性高分子以外にポリビ
ニルアルコール、エマルゲン810(KAOケミカル社)のよう
な物質をさらに加えうる。
【００４０】次いで、前記結果物を乾燥および熱処理す
ると、図1に示されたような単一透明導電膜が得られ
る。この際、熱処理は100ないし300℃で行うことが望ま
しい。
【００４１】図1の透明導電膜は、基板11上に伝導性高
分子13とシリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物
14よりなる導電膜12で構成される。
【００４２】前述した方法により製造された単一透明導
電膜は概略的に膜硬度7H、抵抗105Ω/□の特性を有して
おり、このような透明導電膜は陰極線管および表示装置
の電磁波遮蔽膜として使用しうる。
【００４３】一方、マルチ透明導電膜を得るためには、
まず基板の上部に伝導性高分子、化1のシリコンアルコ
キシドオリゴマーおよび溶媒を含む組成物を塗布および
乾燥して導電膜を形成する。
【００４４】前記導電膜の上部に化1で表されるシリコ
ンアルコキシドオリゴマーおよび結合剤を含む組成物を
塗布および乾燥する。次いで、前記結果物を熱処理して
オーバーコーティング膜を得る。この場合、熱処理は10
0ないし300℃で行うことが望ましい。
【００４５】ここで、前記オーバーコーティング膜用の
組成物にエポキシシラン、トリメトキシシラン、バナジ
ウムシランなどのシラン化合物をさらに添加すると、膜
硬度および導電性の非常に向上された透明導電膜が得ら
れる。
【００４６】前述した方法によれば、図2に示されたよ
うなマルチ透明導電膜が得られる。前記マルチ透明導電
膜の構造を説明すれば、基板21上に伝導性高分子23とシ
リコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物24よりなる
導電膜22が形成されており、前記導電膜22の上部にシリ
コンアルコキシドオリゴマーの加水分解物よりなるオー
バーコーティング膜25が形成されている。このように前
記導電膜22の上部にシリコンアルコキシドオリゴマー加
水分解物を用いてオーバーコーティング膜25を形成する
と、１０3Ω/□以下の抵抗値を有する低抵抗透明導電膜
を形成できて陰極線管および表示装置の帯電防止膜とし
て有用に使用しうる。
【００４７】
【実施例】以下、本発明の実施例に基づき詳しく説明す
るが、本発明は下記実施例にのみ限定されることではな
い。
【００４８】＜実施例1＞1.2wt%PEDT-PSS水溶液30.0g、
水16.0g、メタノール28.0g、エタノール18.0g、イソプ
ロフィルアルコール6.9g、N-メチルピロリドン1.0gおよ
びメチルシリケートオリゴマー0.1gを混合して第1コー
ティング液を製造した。
【００４９】基板の上部に前記第1コーティング液を塗
布して約50℃で乾燥した後、冷却して導電膜を形成し
た。
【００５０】次いで、メチルシリケートオリゴマー分散
液50gおよびエポキシシラン1gを含む第2コーティング液
を前記導電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成および冷
却してオーバーコーティング膜を形成することにより、
マルチ透明導電膜を完成した。
【００５１】＜実施例2＞第1コーティング液の製造時、
メチルシリケートオリゴマーを0.2g使用したことを除け
ば、実施例1と同一な方法により実施した。
【００５２】＜実施例3＞メチルシリケートオリゴマー
1.5gおよびトリメトキシメチルシラン1.0gを混合し、こ
こに1.2wt%PEDT/PSS水溶液24.0g、水12.0g、メタノール
20.0g、エタノール16.0g、イソプロフィルアルコール1
8.0g、N-メチルピロリドン2.0gおよびジメチルホルムア
ミド2.0gを加えて第1コーティング液を製造した。
【００５３】基板の上部に前記第1コーティング液を塗
布してから約50℃で乾燥した後、冷却して導電膜を形成
した。
【００５４】次いで、メチルシリケートオリゴマー分散
液50gおよびエポキシシラン1gを含む第2コーティング液
を前記導電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成した後、
冷却してオーバーコーティング膜を形成することにより
マルチ透明導電膜を完成した。
【００５５】＜実施例4＞第1コーティング液の製造時、
結合剤としてメチルシリケートオリゴマー1.5gおよびト
リメトキシメチルシラン0.8gを使用したことを除いて
は、実施例3と同一な方法により実施した。
【００５６】＜実施例5＞0.5重量%のポリビニルアルコ
ール水溶液にPEDT/PSS溶液12.0g、エタノール8．0g、メ
タノール10.0g、イソプロフィルアルコール9.0g、エマ
ルゲン810(KAOケミカル社)1.0g、N-メチルピロリドン2.
0g、DMF2.0gおよびメチルシリケートオリゴマー1.6gを
加えた後、十分に混合して第1コーティング液を製造し
た。
【００５７】基板の上部に前記組成物を塗布し、約50℃
で乾燥した後、冷却して導電膜を形成した。
【００５８】次いで、メチルシリケートオリゴマー分散
液50gおよびエポキシシラン1gを含む第2コーティング液
を前記導電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成した後、
冷却してオーバーコーティング膜を形成することにより
マルチ透明導電膜を完成した。
【００５９】＜実施例6＞第2コーティング液の製造時、
エポキシシランを添加しないことを除いては、実施例1
と同一な方法により実施した。
【００６０】＜実施例7＞第2コーティング液の製造時、
エポキシシランを添加しないことを除いては、実施例3
と同一な方法により実施した。
【００６１】＜比較例＞1.2wt%PEDT-PSS溶液30g、水16.
0g、メタノール28.0g、エタノール18.0g、イソプロフィ
ルアルコール6.9g、N-メチルピロリドン1.0gおよびメチ
ルシリケートモノマー0.1gを混合して第1コーティング
液を製造した。
【００６２】基板の上部に前記第1コーティング液を塗
布し、約180℃で乾燥した後、冷却して導電膜を形成し
た。
【００６３】次いで、メチルシリケートモノマー1gおよ
びエポキシシラン50gを含む第2コーティング液を前記導
電膜の上部に塗布し、約150℃で焼成した後、冷却して
オーバーコーティング膜を形成することによりマルチ透
明導電膜を完成した。
【００６４】次の表1には、前記実施例1〜7および比較
例で製造された透明導電膜の特性を測定して示した。
【００６５】
【表１】
【００６６】前記表1を参照すれば、結合剤としてメチ
ルシリケートオリゴマーを使用した場合(実施例1〜2)に
は、透明導電膜の透過度が優秀で膜硬度と抵抗とが良好
なのがわかった。
【００６７】また、第2の結合剤としてメチルトリメト
キシシランをさらに含んだ組成物を用いた場合(実施例3
〜4)とポリビニルアルコールをさらに使用した場合(実
施例5)には、実施例1〜2の場合より透明導電膜の抵抗は
若干大きく、膜硬度はほぼ同じであり、透過度特性は若
干向上した。
【００６８】一方、エポキシシランを添加しない第2コ
ーティング液を用いた場合(実施例6〜7)には、実施例1
および3の場合と比較して膜硬度は若干低下されたが抵
抗および透過度の特性は同様に優秀であった。
【００６９】反面、比較例の場合には抵抗が105Ω/□で
あり、透明度が約82%ほどに低下した。この場合、膜硬
度は実施例1および実施例4の場合と同一であった。
【００７０】
【発明の効果】本発明によれば、透過度、膜硬度および
抵抗特性の非常に優れた透明導電膜が得られる。
【００７１】本発明により得られた単一透明導電膜は抵
抗 105Ω/□、膜硬度 5H以上、透過度 95%以上の特
性を有するので陰極線管および表示装置の電磁波遮蔽膜
に有用に使用しうる。そして、単一透明導電膜の上部に
オーバーコーティング膜をさらに形成させたマルチ透明
導電膜は、前記単一透明導電膜より抵抗がさらに減少し
て103Ω/□以下となるため、陰極線管および表示装置の
帯電防止膜に有用に使用しうる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による単一透明導電膜の構造の一例を示
す図面である。
【図２】本発明によるマルチ透明導電膜の構造の一例を
示す図面である。
【符号の説明】
１１−−基板 １２−−導電膜 １３−−伝導性高分子 １４−−シリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物 ２１−−基板 ２２−−導電膜 ２３−−伝導高分子 ２５−−オーバーコーティング膜 ２４−−シリコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０８Ｌ 79/00 Ｃ０８Ｌ 79/00 Ａ 81/00 81/00 Ｃ０９Ｄ 183/04 Ｃ０９Ｄ 183/04 Ｈ０１Ｂ 3/46 Ｈ０１Ｂ 3/46 Ｃ 5/14 5/14 13/00 ５０３ 13/00 ５０３Ｃ

Claims (35)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 伝導性高分子、結合剤および溶媒を含む
    透明導電性組成物において、 前記結合剤が化1で表されるシリコンアルコキシドオリ
    ゴマーであることを特徴とする透明導電性組成物： 【化１】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  2. 【請求項２】 前記シリコンアルコキシドオリゴマーの
    数平均分子量が400ないし2000であることを特徴とする
    請求項１に記載の透明導電性組成物。
  3. 【請求項３】 前記伝導性高分子の含量が組成物全重量
    に対して0.05ないし5.0重量%であることを特徴とする請
    求項１に記載の透明導電性組成物。
  4. 【請求項４】 前記シリコンアルコキシドオリゴマーの
    含量が組成物の全重量に対して0.01ないし4.0重量%であ
    ることを特徴とする請求項１に記載の透明導電性組成
    物。
  5. 【請求項５】 結合樹脂がさらに含まれていることを特
    徴とする請求項１に記載の透明導電性組成物。
  6. 【請求項６】 前記結合樹脂がポリビニルアルコールで
    あることを特徴とする請求項５に記載の透明導電性組成
    物。
  7. 【請求項７】 前記結合樹脂の含量が組成物の全重量に
    対して0.001ないし1.0重量%であることを特徴とする請
    求項５に記載の透明導電性組成物。
  8. 【請求項８】 シラン化合物がさらに含まれていること
    を特徴とする請求項１に記載の透明導電性組成物。
  9. 【請求項９】 前記シラン化合物がテトラエトキシシラ
    ン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
    ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
    ラン、ビニルトリエトキシシランおよび化２で表される
    エポキシシランよりなる群から選択される少なくとも１
    つであることを特徴とする請求項８に記載の透明導電性
    組成物： 【化２】 ただし、式中、ＡはC1〜C5アルキル基であり、ｋは０ま
    たは１である。
  10. 【請求項１０】 前記シラン化合物の含量が組成物の全
    重量を基準として0.001ないし3.0重量%であることを特
    徴とする請求項８に記載の透明導電性組成物。
  11. 【請求項１１】 前記伝導性高分子がポリエチレンジオ
    キシチオフェン、ポリアニリン、ポリピロール、ポリア
    セチレン、ポリフラン、ポリパラフェニレン、ポリセレ
    ノフェンおよびポリエチレンジオキシチオフェンとポリ
    スチレンスルホネートとの混合物から選択された少なく
    とも１つであることを特徴とする請求項１に記載の透明
    導電性組成物。
  12. 【請求項１２】 伝導性高分子と化３で表されるシリコ
    ンアルコキシドオリゴマーの加水分解物よりなる導電膜
    であることを特徴とする透明導電膜： 【化３】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  13. 【請求項１３】 前記伝導性高分子とシリコンアルコキ
    シドオリゴマーの加水分解物の混合重量比は100：0.02
    ないし100：99.98であることを特徴とする請求項１２に
    記載の透明導電膜。
  14. 【請求項１４】 結合樹脂がさらに含まれていることを
    特徴とする請求項１２に記載の透明導電膜。
  15. 【請求項１５】 前記結合樹脂がポリビニルアルコール
    であることを特徴とする請求項１４に記載の透明導電
    膜。
  16. 【請求項１６】 前記伝導性高分子と結合樹脂の混合重
    量比は100：0.4ないし100：95.3であることを特徴とす
    る請求項１４に記載の透明導電膜。
  17. 【請求項１７】 シラン化合物がさらに含まれているこ
    とを特徴とする請求項１２に記載の透明導電膜。
  18. 【請求項１８】 前記シラン化合物がテトラエトキシシ
    ラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
    ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
    ラン、ビニルトリエトキシシランおよび化４で表される
    エポキシシランよりなる群から選択された少なくとも１
    つであることを特徴とする請求項１７に記載の透明導電
    膜： 【化４】 ただし、式中、ＡはC1〜C5アルキル基であり、ｋは０ま
    たは１である。
  19. 【請求項１９】 前記伝導性高分子とシラン化合物の混
    合重量比は100：0.02ないし100：99.97であることを特
    徴とする請求項１7に記載の透明導電膜。
  20. 【請求項２０】 前記導電膜の上部に化３で表されるシ
    リコンアルコキシドオリゴマーの加水分解物よりなるオ
    ーバーコーティング膜がさらに形成されていることを特
    徴とする請求項１２に記載の透明導電膜。
  21. 【請求項２１】 (a)基板上に伝導性高分子、化５で表
    されるシリコンアルコキシドオリゴマーおよび溶媒を含
    む組成物を塗布および乾燥する段階と、 (b)前記結果物を熱処理して導電膜を形成する段階とを
    含むことを特徴とする透明導電膜の製造方法： 【化５】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  22. 【請求項２２】 前記(b)段階において熱処理が100ない
    し300℃で実施されることを特徴とする請求項21に記載
    の透明導電膜の製造方法。
  23. 【請求項２３】 前記(a)段階において、伝導性高分子
    の含量が組成物全重量に対し0.05ないし5.0重量%のこと
    を特徴とする請求項21に記載の透明導電膜の製造方法。
  24. 【請求項２４】 前記(a)段階において、シリコンアル
    コキシドオリゴマーの含量が組成物の全重量に対して0.
    001ないし4.0重量%であることを特徴とする請求項２１
    に記載の透明導電膜の製造方法。
  25. 【請求項２５】 前記(a)段階において、組成物に結合
    樹脂がさらに含まれていることを特徴とする請求項２１
    に記載の透明導電膜の製造方法。
  26. 【請求項２６】 前記結合樹脂がポリビニルアルコール
    であることを特徴とする請求項２５に記載の透明導電膜
    の製造方法。
  27. 【請求項２７】 前記結合樹脂の含量が組成物の全重量
    に対して0.001ないし1.0重量%であることを特徴とする
    請求項２５に記載の透明導電膜の製造方法。
  28. 【請求項２８】 前記(a)段階において、組成物にシラ
    ン化合物がさらに含まれていることを特徴とする請求項
    ２１に記載の透明導電膜の製造方法。
  29. 【請求項２９】 前記シラン化合物がテトラエトキシシ
    ラン、テトラメトキシシラン、メチルトリメトキシシラ
    ン、メチルトリエトキシシラン、ビニルトリメトキシシ
    ラン、ビニルトリエトキシシランおよび化６で表される
    エポキシシランよりなる群から選択された少なくとも１
    つであることを特徴とする請求項２８に記載の透明導電
    膜の製造方法： 【化６】 ただし、式中、ＡはC1〜C5アルキル基であり、ｋは０ま
    たは１である。
  30. 【請求項３０】 前記シラン化合物の含量が組成物の全
    重量を基準として0.001ないし3.0重量%であることを特
    徴とする請求項２８に記載の透明導電膜の製造方法。
  31. 【請求項３１】 前記(a)段階において、伝導性高分子
    がポリエチレンジオキシチオフェン、ポリアニリン、ポ
    リピロール、ポリアセチレン、ポリフラン、ポリパラフ
    ェニレン、ポリセレノフェンおよびポリエチレンジオキ
    シチオフェンとポリスチレンスルホネートとの混合物よ
    りなる群から選択された少なくとも１つであることを特
    徴とする請求項２１に記載の透明導電膜の製造方法。
  32. 【請求項３２】 前記シリコンアルコキシドオリゴマー
    の数平均分子量が400ないし2000であることを特徴とす
    る請求項２１に記載の透明導電膜の製造方法。
  33. 【請求項３３】 (c) 導電膜の上部に化７で表される
    シリコンアルコキシドオリゴマーおよび結合剤を含む組
    成物を塗布および乾燥した後、熱処理してオーバーコー
    ティング膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とす
    る請求項２１に記載の透明導電膜の製造方法： 【化７】 ただし、式中、Rは水素原子またはC1ないしC20のアルキ
    ル基であり、nは2ないし10の整数である。
  34. 【請求項３４】 前記(c)段階において熱処理が100ない
    し300℃で行われることを特徴とする請求項３３に記載
    の透明導電膜の製造方法。
  35. 【請求項３５】 前記シリコンアルコキシドオリゴマー
    の数平均分子量が400ないし2000であることを特徴とす
    る請求項３３に記載のマルチ透明導電膜の製造方法。
JP9343476A 1996-12-13 1997-12-12 透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法 Expired - Fee Related JP2978867B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR19960065505 1996-12-13
KR97P65905 1997-12-04
KR96P65505 1997-12-04
KR1019970065905A KR100243254B1 (ko) 1996-12-13 1997-12-04 투명도전성 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 그 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH10251518A true JPH10251518A (ja) 1998-09-22
JP2978867B2 JP2978867B2 (ja) 1999-11-15

Family

ID=26632358

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9343476A Expired - Fee Related JP2978867B2 (ja) 1996-12-13 1997-12-12 透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP2978867B2 (ja)
CN (1) CN1159382C (ja)

Cited By (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1003179A1 (en) * 1998-11-17 2000-05-24 Agfa-Gevaert N.V. A method for preparing a conductive polythiophene layer at low temperature
US6333145B1 (en) 1998-11-17 2001-12-25 Agfa-Gevaert Method for preparing a conductive polythiophene layer at low temperature
WO2004003081A1 (ja) * 2002-06-27 2004-01-08 Nihon Yamamura Glass Co., Ltd. 有機−無機複合イオン伝導膜
JP2005146259A (ja) * 2003-10-20 2005-06-09 Fujitsu Ltd 有機導電性組成物、透明導電膜、透明導電体、入力装置及びその製造方法
JP2007154184A (ja) * 2005-11-14 2007-06-21 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子
JP2007169593A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子組成物及び伝導性高分子組成物を用いてなる膜を備えた電子素子
JP2010017931A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Toyobo Co Ltd 離型フィルム
JP2011001396A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電性高分子溶液およびその製造方法、帯電防止性シート
JP2012102304A (ja) * 2010-11-15 2012-05-31 Nagase Chemtex Corp 導電性コーティング組成物及び積層体
JP2013191294A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Hitachi Maxell Ltd 透明導電性コーティング組成物、透明導電性シート、及び透明導電性シートの製造方法
JP2017088695A (ja) * 2015-11-06 2017-05-25 東洋化学株式会社 導電性塗液及び導電性塗膜
JP2018076443A (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 サカタインクス株式会社 アルコキシシラン加水分解組成物、及び、その製造方法
JP2019218510A (ja) * 2018-06-21 2019-12-26 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液、導電性積層体の製造方法
JP2020041037A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液、導電性積層体の製造方法
JP2020183504A (ja) * 2019-05-09 2020-11-12 信越ポリマー株式会社 導電性高分子含有液及びその製造方法、並びに導電性フィルムの製造方法

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101146977B1 (ko) * 2005-02-07 2012-05-22 삼성모바일디스플레이주식회사 전도성 유무기 복합체 조성물 및 이를 포함하는 유기 전계발광 소자
JP2012209525A (ja) * 2011-03-30 2012-10-25 Mitsubishi Materials Corp 太陽電池向け透明導電膜用組成物および透明導電膜
EP2876141A1 (en) * 2013-11-21 2015-05-27 Solvay SA Conductive polymer composition and layer made therefrom
CN104194580A (zh) * 2014-08-20 2014-12-10 昆山博益鑫成高分子材料有限公司 抗静电耐刮涂层以及涂层方法

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1003179A1 (en) * 1998-11-17 2000-05-24 Agfa-Gevaert N.V. A method for preparing a conductive polythiophene layer at low temperature
US6333145B1 (en) 1998-11-17 2001-12-25 Agfa-Gevaert Method for preparing a conductive polythiophene layer at low temperature
WO2004003081A1 (ja) * 2002-06-27 2004-01-08 Nihon Yamamura Glass Co., Ltd. 有機−無機複合イオン伝導膜
JP2005146259A (ja) * 2003-10-20 2005-06-09 Fujitsu Ltd 有機導電性組成物、透明導電膜、透明導電体、入力装置及びその製造方法
US8004177B2 (en) 2005-11-14 2011-08-23 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Conducting polymer composition and electronic device including layer obtained using the conducting polymer composition
JP2007154184A (ja) * 2005-11-14 2007-06-21 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子組成物およびこれから得た膜を備えた電子素子
KR101193180B1 (ko) * 2005-11-14 2012-10-19 삼성디스플레이 주식회사 전도성 고분자 조성물 및 이로부터 얻은 막을 구비한 전자소자
JP2007169593A (ja) * 2005-12-19 2007-07-05 Samsung Sdi Co Ltd 伝導性高分子組成物及び伝導性高分子組成物を用いてなる膜を備えた電子素子
JP2010017931A (ja) * 2008-07-10 2010-01-28 Toyobo Co Ltd 離型フィルム
JP2011001396A (ja) * 2009-06-16 2011-01-06 Shin Etsu Polymer Co Ltd 導電性高分子溶液およびその製造方法、帯電防止性シート
JP2012102304A (ja) * 2010-11-15 2012-05-31 Nagase Chemtex Corp 導電性コーティング組成物及び積層体
JP2013191294A (ja) * 2012-03-12 2013-09-26 Hitachi Maxell Ltd 透明導電性コーティング組成物、透明導電性シート、及び透明導電性シートの製造方法
JP2017088695A (ja) * 2015-11-06 2017-05-25 東洋化学株式会社 導電性塗液及び導電性塗膜
JP2018076443A (ja) * 2016-11-10 2018-05-17 サカタインクス株式会社 アルコキシシラン加水分解組成物、及び、その製造方法
JP2019218510A (ja) * 2018-06-21 2019-12-26 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液、導電性積層体の製造方法
JP2020041037A (ja) * 2018-09-10 2020-03-19 信越ポリマー株式会社 導電性高分子分散液、導電性積層体の製造方法
JP2020183504A (ja) * 2019-05-09 2020-11-12 信越ポリマー株式会社 導電性高分子含有液及びその製造方法、並びに導電性フィルムの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1190109A (zh) 1998-08-12
CN1159382C (zh) 2004-07-28
MX9710067A (es) 1998-10-31
JP2978867B2 (ja) 1999-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2978867B2 (ja) 透明導電性組成物、これより形成された透明導電膜及びその製造方法
KR100472496B1 (ko) 투명도전성조성물,이로부터형성된투명도전막및그제조방법
JP2916098B2 (ja) 伝導性被覆
CN1113933C (zh) 具有高导电率和透明度的聚噻吩基导电聚合物液体组合物
EP0996599B1 (en) Light transmissive substrate carrying a light transmissive low ohmic coating
KR100234170B1 (ko) 투명도전성 박막 형성용 조성물, 이를 이용한 투명도전성 박막의 제조방법 및 표면도전성 물품
Kim et al. Effect of annealing on the electrical properties and morphology of a conducting polymer used as an anode in organic light‐emitting devices
KR100243254B1 (ko) 투명도전성 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막 및 그 제조방법
PL184439B1 (pl) Kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną, sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej i powłoka przeciwoślepieniowa, antystatyczna
JPH085991B2 (ja) 宇宙船のための静電放電防御を提供する方法およびそのための組成物
JP3378441B2 (ja) 陰極線管およびその製造方法
JP2002533902A (ja) 光透過性の低抵抗コーティングを有する光透過性基板
KR20000022633A (ko) 전도성 유기고분자의 대전방지막이 형성된 유리기판 및 그 형성방법과 그 도포용액 및 그 도포용액의 제조방법
KR100484102B1 (ko) 투명도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명도전막및 상기 투명도전막을 채용한 화상표시장치
JP3129140B2 (ja) 導電膜の形成用組成物と形成方法
KR20000010221A (ko) 투명성 및 도전성이 우수한 전도성 고분자 하드 코팅막
JP2000353426A (ja) 透明導電性フィルム
KR100420049B1 (ko) 투명 도전막의 보호막 형성용 조성물 및 이를 이용하여 제조되는 보호막의 제조방법
KR100333191B1 (ko) 전도성 고분자의 코팅 용액을 이용한 코팅방법
CN1329458C (zh) 透明导电层和采用透明导电层的图像显示设备
KR100708634B1 (ko) 투명 도전막 형성용 조성물, 이로부터 형성된 투명 도전막및 이를 채용하고 있는 표시장치
KR100432647B1 (ko) 투명 도전막의 보호막 형성용 조성물 및 이로부터 보호막을 제조하는 방법
KR100378019B1 (ko) 투명 도전막의 보호막 형성용 조성물 및 이로부터 투명도전막을 제조하는 방법
JP2000212514A (ja) スプレ―膜形成用組成物、及びそれを用いて形成されたスプレ―膜を具備している透明導電膜
JPS6280918A (ja) 透明導電膜の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 19990831

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees