PL184439B1 - Kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną, sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej i powłoka przeciwoślepieniowa, antystatyczna - Google Patents
Kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną, sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej i powłoka przeciwoślepieniowa, antystatycznaInfo
- Publication number
- PL184439B1 PL184439B1 PL97319653A PL31965397A PL184439B1 PL 184439 B1 PL184439 B1 PL 184439B1 PL 97319653 A PL97319653 A PL 97319653A PL 31965397 A PL31965397 A PL 31965397A PL 184439 B1 PL184439 B1 PL 184439B1
- Authority
- PL
- Poland
- Prior art keywords
- coating
- temperature
- glare
- electrically conductive
- faceplate panel
- Prior art date
Links
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title claims abstract description 78
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 7
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 20
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims abstract description 10
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims description 14
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 claims description 13
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 claims description 12
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 6
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 5
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 3
- 230000004313 glare Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 23
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 16
- -1 alkyl silicate Chemical compound 0.000 description 8
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 8
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 5
- PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N lithium metasilicate Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Si]([O-])=O PAZHGORSDKKUPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 229910052912 lithium silicate Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000007605 air drying Methods 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 3
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 3
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003377 acid catalyst Substances 0.000 description 2
- LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N ammonium fluoride Chemical compound [NH4+].[F-] LDDQLRUQCUTJBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000004816 latex Substances 0.000 description 2
- 229920000126 latex Polymers 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 229910018068 Li 2 O Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000008199 coating composition Substances 0.000 description 1
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 230000003678 scratch resistant effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/54—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked-up, converted, or stored; Luminescent coatings on vessels
- H01J1/62—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels
- H01J1/70—Luminescent screens; Selection of materials for luminescent coatings on vessels with protective, conductive, or reflective layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/867—Means associated with the outside of the vessel for shielding, e.g. magnetic shields
- H01J29/868—Screens covering the input or output face of the vessel, e.g. transparent anti-static coatings, X-ray absorbing layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B60—VEHICLES IN GENERAL
- B60K—ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PROPULSION UNITS OR OF TRANSMISSIONS IN VEHICLES; ARRANGEMENT OR MOUNTING OF PLURAL DIVERSE PRIME-MOVERS IN VEHICLES; AUXILIARY DRIVES FOR VEHICLES; INSTRUMENTATION OR DASHBOARDS FOR VEHICLES; ARRANGEMENTS IN CONNECTION WITH COOLING, AIR INTAKE, GAS EXHAUST OR FUEL SUPPLY OF PROPULSION UNITS IN VEHICLES
- B60K20/00—Arrangement or mounting of change-speed gearing control devices in vehicles
- B60K20/02—Arrangement or mounting of change-speed gearing control devices in vehicles of initiating means
- B60K20/04—Arrangement or mounting of change-speed gearing control devices in vehicles of initiating means floor mounted
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/86—Vessels; Containers; Vacuum locks
- H01J29/89—Optical or photographic arrangements structurally combined or co-operating with the vessel
- H01J29/896—Anti-reflection means, e.g. eliminating glare due to ambient light
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Transportation (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
Abstract
1. Kompozycja na powloke przeciwoslepieniowa, antystatyczna dla powierzchni odblaskowo-przepuszczal- nych, znamienna tym, ze zawiera 5 do 25% wagowych polimeru elektroprzewodzacego na bazie tiofenu, 0,5 do 3% materialu krzemionkowego i reszte rozpuszczalnika wy- branego z grupy skladajacej sie z alkoholu i dejonizowanej wody. 3 Sposób wytwarzania powloki przeciwoslepienio- wej, antystatycznej na zewnetrznej powierzchni panelu plyty czolowej kineskopu, znamienny tym, ze ogrzewa sie pa- nel plyty czolowej do pierwszej temperatury, naklada sie na zewnetrzna powierzchnie ogrzanego panelu plyty czolo- wej roztwór zawierajacy 5 do 25% wagowych polietyleno- dwuoksytiofenu, 0,5 do 3% materialu krzemionkowego wybranego z grupy skladajacej sie z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksysilanu i rozpuszczal- nik wybrany z grupy skladajacej sie z alkoholu izopropy- lowego i dejonizowanej wody, utwardza sie powloke przez ogrzamejej w powietrzu w drugiej temperaturze, przemywa sie powloke w dejonizowanej wodzie ogrzanej do trzeciej temperatury i suszy sie powloke w powietrzu. 5. Powloka przeciwoslepieniowa, antystatyczna dla po- wierzchni odblaskowo-przepuszczalnych, znamienna tym, ze zawiera polimer elektroprzewodzacy na bazie tiofenu i material krzemionkowy. Fig. 1 PL PL PL PL PL PL PL
Description
Przedmiotem wynalazku jest kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną, sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej i powłoka przeciwoślepieniowa, antystatyczna dla powierzchni odblaskowo-przepuszczalnych, takich jak powierzchnia zewnętrzna panelu płyty czołowej kineskopu.
W wielu zastosowaniach jest pożądane posiadanie płyty czołowej kineskopu, która ma własności zarówno przeciwoślepieniowe, jak i antystatyczne. Stosowane tutaj określenie przeciwoślepieniowe oznacza zmniejszenie jaskrawości i rozdzielczości odbijanego obrazu bliskiego źródła światła. Oślepiający blask tego źródła światła zakłóca obraz wyświetlany na płycie czołowej kineskopu i dlatego jest niepożądany dla widza. Własności antystatyczne powłoki dotyczą czasu wymaganego do rozładowania ładunku na pokrytej powłoką płycie czołowej.
Znana jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 4 563 612 powłoka przeciwoślepieniową, antystatyczna, wykonana z roztworu wodnego zawierającego materiał krzemianowy, który zapewnia własności przeciwoślepieniowe i pewną ilość związku metalicznego nieorganicznego, wprowadzającego własności antystatyczne powłoki. Powłokajest nakładana przez natryskiwanie powietrzne roztworu powłoki na ogrzany do temperatury 40-45°C panel
184 439 płyty czołowej kineskopu, a następnie wypalenie kineskopu przez co najmniej 10 minut w temperaturze 120°C, przy zastosowaniu okresu ogrzewania 30 minut i chłodzenia 30 minut
Znane jest zastosowanie polimerów organicznych, takich jak związki polipirolowe, na przezroczyste warstwy antystatyczne w związku z ich bardzo dużą przewodnością właściwą w temperaturze pokojowej. Jednak wiele tych materiałów jest mechanicznie słabych, niedostatecznie odpornych na rozpuszczalniki lub ma ograniczoną stabilność oraz musi być poddanych obróbce krótko po przygotowaniu. W opisie patentowym Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 5 412 279 jest przedstawiona powłoka antystatyczna dla kineskopu, zawierająca lateksowe cząstki związku polipirolowego w matrycy dwutlenku krzemu, która pokonuje wady opisane powyżej. Powłoka jest wytwarzana przez nakładanie na płytę czołową kineskopu lateksowych cząstek związku polipirolowego, które sąrozpraszane w wodnym roztworze hydrolizowanego związku alkoksysilanowego. Powłoka zmniejsza także przechodzenie światła przez ekran kineskopu. Jednak wymagana jest stosunkowo wysoka temperatura obróbki pomiędzy 150°C i 175°C do przemiany hydrolizowanego związku alkoksysilanowego w dwutlenek krzemu. Ta powłoka nie jest powloką przeciwoślepieniową ani nie jest odporna na zarysowania. Zatem musi być ona uzupełniana znanymi warstwami mającymi własności przeciwodblaskowe lub przeciwoślepieniowe lub warstwami, które powodujądalszy wzrost odporności na zarysowania.
Znana jest z opisu patentowego Stanów Zjednoczonych Ameryki nr 5 291 097 powłoka, która ma własności antystatyczne, przeciwoślepieniowe. Na powierzchni zewnętrznej płyty czołowej sązastosowane dwie oddzielne i różne warstwy. Pierwsza warstwa, omawiana jako barwiony, przezroczysty obszar elektroprzewodzący CTE, jest w bezpośrednim kontakcie z płytą czołową. Druga warstwa, omawiana jako obszar zapobiegający olśnieniu i ochronny, pokrywa pierwszą warstwę. Ta pierwsza warstwa jest wytworzona z roztworu alkoholu, który zawiera co najmniej jeden barwnik organiczny, co najmniej jeden elektroprzewodzący tlenek metalu, alkilokrzemian, wodę i katalizator kwasowy. Druga warstwa jest wytworzona z roztworu alkoholu zawierającego alkilokrzemian, wodę i katalizator kwasowy. Ogólnie funkcją alkilokrzemianu w pierwszej warstwie jest zapewnienie stabilnego produktu reakcji, podczas gdy pokrywająca ją druga warstwa zawierająca krzemian poprawia stabilność chemiczną i mechaniczną warstw powłoki. Wymagane jest całkowite wysuszenie pierwszej warstwy, albo przez wypalenie, albo proces odparowania, przed dodaniem drugiej warstwy, inaczej kolor zapewniony przez barwnik w pierwszej warstwie będzie wydzielać się i zanikać, obniżając przez to kontrast powłoki.
Kompozycja według wynalazku zawiera 5 do 25% wagowych polimeru elektroprzewodzącego na bazie tiofenu, 0,5 do 3% materiału krzemionkowego i resztę rozpuszczalnika wybranego z grupy składającej się z alkoholu i dejonizowanej wody.
Polimer elektroprzewodzący oparty na bazie tiofenu jest polietylenodwuoksytiofenem, a materiał krzemionkowy jest wybrany z grupy składającej się z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksysilanu.
Sposób według wynalazku polega na tym, że ogrzewa się panel płyty czołowej do pierwszej temperatury, nakłada się na zewnętrzną powierzchnię ogrzanego panelu płyty czołowej roztwór zawierający 5 do 25% wagowych polietylenodwuoksytiofenu, 0,5 do 3% materiału krzemionkowego wybranego z grupy składającej się z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksysilanu i rozpuszczalnik wybrany z grupy składającej się z alkoholu izopropylowego i dejonizowanej wody. Utwardza się powłokę przez ogrzanie jej w powietrzu w drugiej temperaturze, przemywa się powłokę w dejonizowanej wodzie ogrzanej do trzeciej temperatury i suszy się powłokę w powietrzu.
Stosuje się pierwszą temperaturę w zakresie 30-80°C, drugą temperaturę w zakresie 70-80°C i trzecią temperaturę w zakresie 40-50°C.
Powłoka według wynalazku zawiera polimer elektroprzewodzący na bazie tiofenu i materiał krzemionkowy.
Polimer elektroprzewodzący na bazie tiofenu stanowi polietylenodwuoksytiofen.
Materiał krzemionkowy jest wybrany z grupy składającej się z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksysilanu.
184 439
Zaletąwynalazkujest zapewnienie polimerycznej powłoki elektroprzewodzącej, która jest przezroczysta i jest w warunkach otoczenia stabilna oraz ma własności przeciwoślepieniowe i antystatyczne. Wynalazek zapewnia powłokę, która zawiera pojedynczą warstwę z właściwych materiałów, które są łatwe do nakładania i nie wymagają zastosowania wysokich temperatur obróbki lub długich czasów wypalania.
Przedmiot wynalazku jest uwidoczniony w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig. 1 przedstawia w widoku wzdłużnym, częściowo z wyrwaniem, kineskop według wynalazku, fig. 2 - wykres wyjaśniający własności antystatyczne, pokazujący zanik napięcia w funkcji czasu rozładowania, dla panelu płyty czołowej bez powłoki i dla panelu płyty czołowej mającego powłokę według wynalazku, przy wilgotności względnej 25% i 25°C oraz fig. 3 - wykres log rezystywności powierzchni w omach na kwadrat w funkcji stężenia w % wagowych polimeru organicznego w roztworze powłoki.
Figura 1 przedstawia kineskop 21 mający opróżniony balon szklany z szyjką23 integralną z częścią stożkową25. Szklany panel płyty czołowej 27 jest przyłączony do części stożkowej 25 przez rekrystalizowaną szklaną, przytępionąuszczelkę 29. Na wewnętrznąpowierzchnię panelu płyty czołowej 27 jest naniesiony ekran elektroluminescencyjny 31 wykonany z materiałów luminoforów. Na ekran elektroluminescencyjny 31 jest naniesiona warstwa metalowa 33 odbijająca światło, na przykład z aluminium. Ekran elektroluminescencyjny 31, przy wybieraniu przez jedną lub więcej wiązek elektronów (nie pokazanych) z wyrzutni elektronowej 35, jest zdolny do wytwarzania obrazu, który można oglądać przez panel płyty czołowej 27. Nowa przeciwoślepieniowa, antystatyczna powłoka 37 jest nakładana na powierzchnię odblaskowoprzepuszczalną, takąjak powierzchnia zewnętrzna 39 panelu płyty czołowej 27, dla zapobiegania tworzeniu się ładunku elektrostatystycznego i dla poprawiania kontrastu obrazu widzianego przez panel płyty czołowej 27.
Przeciwoślepieniową, antystatyczna powłoka 37 zawiera polimer organiczny i właściwą ilość materiału krzemionkowego. Polimer organiczny jest na bazie politiofenu i tworzy warstwę przewodzącą o regulowanym współczynniku odbicia, zależnie od koncentracji składników. Polimer na bazie politiofenu łatwo miesza się z polikrzemianem litu, który jest zolem krzemionkowym stabilizowanym litem, w którym stosunek SiO2 do Li2O jest zawarty pomiędzy około 4:1 do 25:1. Zol jest zasadniczo pozbawiony anionów innych niż hydroksylowe. Zol krzemionkowy stabilizowany litem różni się zasadniczo od roztworu krzemianu litu, który jest związkiem rozpuszczalnym w rozpuszczalniku, a nie zolem. Po kolejnym ogrzaniu powłoka zolu litowego suszy się, aby utworzyć powłokę z krzemianu litu. Alternatywnie, polimer organiczny na bazie politiofenu i czteroetoksysilanu może być rozpuszczony w alkoholu izopropylowym, aby utworzyć całkowicie organiczny roztwór, który można nałożyć na panel płyty czołowej kineskopu.
Powłoka jest nakładana na powierzchnię zewnętrzną 39 panelu płyty czołowej 27 uszczelnionego i opróżnionego kineskopu 21, przez uważne oczyszczenie powierzchni 39 dowolnym ze znanych sposobów czyszczenia i mycia, stosowanych do usuwania brudu, kurzu, oleju, niedotopów itd., które inaczej rysowałyby powierzchnię panelu płyty czołowej. Korzystne jest wyszorowanie powierzchni dostępnym w handlu środkiem czyszczącym i następnie przemycie powierzchni wodą. Powierzchnia jest następnie trawiona przez naniesienie 2-8% wagowo roztworu wodorofluorku amonowego, przemycie demineralizowaną, tj. dejonizowanąwodąi wysuszenie przy użyciu osłony powietrznej w celu zapobiegania znakom wodnym. Panel płyty czołowej jest następnie ogrzewany do około 30°C-80°C w piecu lub przy pomocy innych właściwych środków i pokryty roztworem nowej powłoki. Powłoka jest utwardzana przez suszenie w powietrzu w temperaturze w zakresie około 70°C do 80°C. Powłoka jest następnie przemywana przez około 15-60 sekund ciepłą, dejonizowaną wodą, która ma temperaturę około 40°C do 50°C. Powłoka zostaje dokładnie wysuszona w powietrzu w celu zapobiegania osadzaniu się na niej kurzu lub innych obcych cząstek.
Nowa powłoka ma własności antystatyczne, to znaczy, że przy uziemieniu powłoka nie magazynuje ładunku elektrostatystycznego, gdy kineskop pracuje w normalny sposób. Nowa powłoka ma także własność przeciwoślepieniową lub zmniejszającąoślepienie. To oznacza,
184 439 że powłoka rozprasza odbijane światło i poprawia kontrastowość obrazu. Dodatkowo powłoka jest pozbawiona związków metalicznych tak, że nie występuje żaden wzrost odbicia widmowego związany z obecnością związków metalicznych w powłoce.
Figura 2 przedstawia wykres czasu zaniku napięcia dla nowej powłoki 37, mającej współczynnik połysku 70, na krzywej 1 i dla panelu płyty czołowej bez powłoki na krzywej 2. Krzywa 3 reprezentuje powłokę wytworzoną przy użyciu roztworu powłoki opisanego dalej w przykładzie 1 i mającą rezystywność powierzchni w zakresie 108 do 109 omów/kwadrat.
Figura 3 przedstawia wykres pokazujący wpływ stężenia polimeru organicznego na bazie tiofenu, polietylenodwuoksytiofenu, na rezystywność powierzchni. Rezystywność jest zmniejszona do minimum, to znaczy, że konduktywność jest zwiększona do maksimum przy stężeniu 12,5% wagowych polimeru organicznego w roztworze powłoki. Dodatkowe ilości polimeru w roztworze powłoki nie zmieniają rezystywności końcowej powłoki 37.
Powłoka, kompozycja i sposób ich wytwarzania według wynalazku są opisane dalej szczegółowo na podstawie przykładów.
Przykład 1
Powierzchnia zewnętrzna 39 panelu płyty czołowej 27 opróżnionego kineskopu 21 jest czyszczona dowolną znaną procedurą czyszczenia i mycia, a następnie nieznacznie trawiona 5% roztworem wodorofluorku amonowego i przemywana dejonizowaną wodą. Potem panel płyty czołowej 27 kineskopu jest ogrzewany w zakresie temperatur 30°C do 80°C i nowa, ciekła kompozycja powłoki jest nakładana na ciepłą powierzchnię szklaną.
Roztwór powłoki zawiera 5% wagowych polimeru elektroprzewodzącego, takiego jak polietylenodwuoksytiofen, produkowany przez Bayer AG, Leverkusen, Niemcy, 1% wagowy zolu krzemionkowego stabilizowanego litem, takiego jak Lithium Silicate 48, wprowadzony na rynek przez E. I. DuPont, Wilmington, RFN, USA i resztę dejonizowanej wody.
Korzystnie roztwór powłoki jest nakładany na powierzchnię zewnętrzną 39 panelu płyty czołowej 27 przez natryskiwanie. Powłokajest utwardzana przez suszenie w powietrzu w temperaturze w zakresie około 70°C do 80°C. Powłoka jest następnie myta przez około 15-50 sekund w cieplej dejonizowanej wodzie, która ma temperaturę około 40°C do 50°C. Powłokajest suszona w powietrzu. Uzyskana powłoka ma rezystywność powierzchni w zakresie 108do 109 omów/kwadrat, mierzoną przy wilgotności względnej 25% i w temperaturze 25°C. Powłoka 37 ma współczynnik odbicia kierunkowego 70 głosów.
Przykład 2
Powierzchnia zewnętrzna 39 kineskopu 21 jest czyszczona i przygotowywana na powłokę, jak opisano w przykładzie 1.
Roztwór powłoki zawiera 5% wagowych polimeru elektroprzewodzącego, takiego jak polietylenodwuoksytiofen, produkowany przez Bayer AG, Leverkusen, Niemcy, 0,5% wagowego zolu krzemionkowego stabilizowanego litem, takiego jak Lithium Silicate 48, wprowadzony na rynek przez E. I. DuPont, Wilmington, RFN, USA i resztę dejonizowanej wody.
Roztwór jest natryskiwany na powierzchnię zewnętrzną 39 panelu płyty czołowej 27, utwardzany, myty i suszony w powietrzu, jak opisano wprzykladzie I. Uzyskana powłoka ma rezystywność powierzchni w zakresie 109 do 1010 omów/kwadrat, mierzoną przy wilgotności względnej 25% i w temperaturze 25°C oraz współczynnik odbicia kierunkowego 85 głosów.
Przykład 3
Powierzchnia zewnętrzna 39 kineskopu 21 jest czyszczona i przygotowywana na powłokę, jak opisano w przykładzie 1.
Roztwór powłoki zawiera 25% wagowych polimeru elektroprzewodzącego, takiego jak polietylenodwuoksytiofen, produkowany przez Bayer AG, Leverkusen, Niemcy, 3% wagowe silanu organicznego, takiego jak czteroetoksysilan i resztę dejonizowanej wody.
Roztwór jest natryskiwany na powierzchnię zewnętrzną 39 panelu płyty czołowej 27, utwardzany, myty i suszony w powietrzu, jak opisano w przykładzie 1. Uzyskana powłoka ma rezystywność powierzchni w zakresie 106 do 107 omów/kwadrat, mierzoną przy wilgotności względnej 25% i w temperaturze 25°C oraz współczynnik odbicia kierunkowego 70 głosów.
184 439
Przykład 4
Powierzchnia zewnętrzna 39 kineskopu 21 jest czyszczona i przygotowywana na powłokę, jak opisano w przykładzie 1.
Roztwór powłoki zawiera 25% wagowych polimeru elektroprzewodzącego, takiego jak polietylenodwuoksytiofen, produkowany przez Bayer AG, Leverkusen, Niemcy, 3% wagowe silanu organicznego, takiegojak czteroetoksysilan, 36% wagowych alkoholu izopropylowego i resztę dejonizowanej wody.
Roztwór jest natryskiwany na powierzchnię zewnętrzną 39 panelu płyty czołowej 27, utwardzany, myty i suszony w powietrzu, jak opisano w przykładzie 1. Uzyskana powłoka ma rezystywność powierzchni w zakresie 106 do 107 omów/kwadrat, mierzoną przy wilgotności względnej 25% i w temperaturze 25°C oraz współczynnik odbicia kierunkowego 70 głosów.
Przykład 5
Powierzchnia zewnętrzna 39 kineskopu 21 jest czyszczona i przygotowywana na powłokę, jak opisano w przykładzie 1.
Roztwór powłoki zawiera 25% wagowych polimeru elektroprzewodzącego, takiego jak polietylenodwuoksytiofen, produkowany przez Bayer AG, Leverkusen, Niemcy, 1% wagowy zolu krzemionkowego stabilizowanego litem, takiego jak Lithium Silicate 48, wprowadzony na rynek przez E. I. DuPont, Wilmington, RFN, USA i resztę dejonizowanej wody.
Roztwór jest natryskiwany na powierzchnię zewnętrzną 39 panelu płyty czołowej 27, utwardzany, myty i suszony w powietrzu, jak opisano w przykładzie 1. Uzyskana powłoka ma rezystywność powierzchni w zakresie 106 do 107 omów/kwadrat, mierzoną przy wilgotności względnej 25% i w temperaturze 25°C oraz współczynnik odbicia kierunkowego 66 głosów.
184 439
184 439
Fig. 2
ΑΧ ΩΝΥΗΧ3 aiOSldYN
CZAS ROZŁADOWANIA (S)
184 439
Fig. 3
STĘŻENIE. POLIMERU ORGANICZNEGO (% WAGOWE)
184 439
Departament Wydawnictw UP RP. Nakład 50 egz.
Cena 2,00 zł.
Claims (7)
- Zastrzeżenia patentowe1. Kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną dla powierzchni odblaskowo-przepuszczalnych, znamienna tym, że zawiera 5 do 25% wagowych polimeru elektroprzewodzącego na bazie tiofenu, 0,5 do 3% materiału krzemionkowego i resztę rozpuszczalnika wybranego z grupy składającej się z alkoholu i dejonizowanej wody.•
- 2·. Kompozycja według zastrz. 1, znamienna tym, że polimer elektroprzewodzący na bazie tiofenu jest polietylenodwuoksytiofenem, a materiał krzemionkowy jest wybrany z grupy składającej się z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksy silanu.
- 3. Sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej na zewnętrznej powierzchni panelu płyty czołowej kineskopu, znamienny tym, że ogrzewa się panel płyty czołowej do pierwszej temperatury, nakłada się na zewnętrzną powierzchnię ogrzanego panelu płyty czołowej roztwór zawierający 5 do 25% wagowych polietylenodwuoksytiofenu, 0,5 do 3% materiału krzemionkowego wybranego z grupy składającej się z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksysilanu i rozpuszczalnik wybrany z grupy składającej się z alkoholu izopropylowego i dejonizowanej wody, utwardza się powłokę przez ogrzanie jej w powietrzu w drugiej temperaturze, przemywa się powłokę w dejonizowanej wodzie ogrzanej do trzeciej temperatury i suszy się powłokę w powietrzu.
- 4. Sposób według zastrz. 3, znamienny tym, że stosuje się pierwszą temperaturę w zakresie 30-80°C, drugą temperaturę w zakresie 70-80°C i trzecią temperaturę w zakresie 40-50°C.
- 5. Powłoka przeciwoślepieniową, antystatyczna dla powierzchni odblaskowo-przepuszczalnych, znamienna tym, że zawiera polimer elektroprzewodzący na bazie tiofenu i materiał krzemionkowy.
- 6. Powłoka według zastrz. 5, znamienna tym, że polimer elektroprzewodzący na bazie tiofenu stanowi polietylenodwuoksytiofen.
- 7. Powłoka według zastrz. 5, znamienna tym, że materiał krzemionkowy jest wybrany z grupy składającej się z zolu krzemionkowego stabilizowanego litem i czteroetoksysilanu.
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT96MI000846A IT1282387B1 (it) | 1996-04-30 | 1996-04-30 | Rivestimento antistatico,antiabbagliante,per una superficie a riflessione-trasmissione |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| PL319653A1 PL319653A1 (en) | 1997-11-10 |
| PL184439B1 true PL184439B1 (pl) | 2002-10-31 |
Family
ID=11374165
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| PL97319653A PL184439B1 (pl) | 1996-04-30 | 1997-04-24 | Kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną, sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej i powłoka przeciwoślepieniowa, antystatyczna |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5750054A (pl) |
| EP (1) | EP0805474B1 (pl) |
| JP (1) | JPH1067063A (pl) |
| KR (1) | KR100249053B1 (pl) |
| CN (1) | CN1084774C (pl) |
| BR (1) | BR9701975A (pl) |
| DE (1) | DE69719107T2 (pl) |
| ID (1) | ID16656A (pl) |
| IT (1) | IT1282387B1 (pl) |
| MX (1) | MX9703221A (pl) |
| PL (1) | PL184439B1 (pl) |
| RU (1) | RU2121195C1 (pl) |
Families Citing this family (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19633311A1 (de) * | 1996-08-19 | 1998-02-26 | Bayer Ag | Kratzfeste leitfähige Beschichtungen |
| TW382724B (en) * | 1998-01-30 | 2000-02-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Method of manufacturing a coating on a display window and a display device comprising a display window provided with a coating |
| KR100442409B1 (ko) * | 1998-03-18 | 2004-11-06 | 제일모직주식회사 | 투명성및전도성을갖는고분자하드코팅조성물 |
| TW384303B (en) | 1998-05-08 | 2000-03-11 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light transmissive substrate carrying a light transmissive low ohmic coating and method for manufacturing the same |
| KR100389764B1 (ko) * | 1998-06-15 | 2003-12-24 | 제일모직주식회사 | 고전도성 및 고투명성을 갖는 전도성 고분자하드 코팅 용액 조성물 |
| KR20000011267A (ko) * | 1998-07-24 | 2000-02-25 | 김영남 | 전도성유기고분자의투명대전방지막이형성된화상표시면판및그제조방법과도포용액 |
| KR100418508B1 (ko) * | 1998-07-31 | 2004-06-26 | 제일모직주식회사 | 투명성및도전성이우수한전도성고분자하드코팅막 |
| KR100417173B1 (ko) * | 1998-09-02 | 2004-06-24 | 제일모직주식회사 | 정전기방지투명하드코팅액조성물 |
| KR20000019871A (ko) * | 1998-09-16 | 2000-04-15 | 유현식 | 도전성 유기-무기 하이브리드 코팅액의 제조방법 |
| KR20000022633A (ko) * | 1998-09-22 | 2000-04-25 | 김영남 | 전도성 유기고분자의 대전방지막이 형성된 유리기판 및 그 형성방법과 그 도포용액 및 그 도포용액의 제조방법 |
| KR100390578B1 (ko) * | 1998-12-17 | 2003-12-18 | 제일모직주식회사 | 고굴절율 전도성 고분자 박막 투명 필름 코팅액 조성물 |
| TW430850B (en) * | 1998-12-29 | 2001-04-21 | Koninkl Philips Electronics Nv | Light-transmissive substrate having a light-transmissive, low-ohmic coating |
| KR20000050724A (ko) * | 1999-01-14 | 2000-08-05 | 구자홍 | 칼라음극선관 제조방법 |
| TW434635B (en) | 1999-02-12 | 2001-05-16 | Koninkl Philips Electronics Nv | Cathode ray tube with deflection unit |
| US6295434B1 (en) | 1999-05-20 | 2001-09-25 | Xerox Corporation | Porous transfer members and release agent associated therewith |
| US6299799B1 (en) | 1999-05-27 | 2001-10-09 | 3M Innovative Properties Company | Ceramer compositions and antistatic abrasion resistant ceramers made therefrom |
| KR100534009B1 (ko) * | 1999-12-30 | 2005-12-06 | 제일모직주식회사 | 대전방지성 투명 하드코팅제 조성물 및 그를 이용한플라스틱 표면의 코팅방법 |
| KR100364242B1 (ko) * | 2000-03-28 | 2002-12-16 | 제일모직주식회사 | 대전방지성 착색 코팅제 조성물, 그의 제조 방법, 및 그를이용한 유리표면의 코팅방법 |
| JP3560532B2 (ja) * | 2000-05-02 | 2004-09-02 | 株式会社巴川製紙所 | ディスプレイ用帯電防止フィルム |
| JP3628263B2 (ja) * | 2001-02-20 | 2005-03-09 | ソニーケミカル株式会社 | 帯電防止能を有する剥離剤組成物 |
| JP3628303B2 (ja) * | 2002-02-28 | 2005-03-09 | ソニーケミカル株式会社 | 帯電防止能を有する剥離フィルム |
| US7703456B2 (en) * | 2003-12-18 | 2010-04-27 | Kimberly-Clark Worldwide, Inc. | Facemasks containing an anti-fog / anti-glare composition |
| JP4347886B2 (ja) * | 2004-04-14 | 2009-10-21 | エルジー・ケム・リミテッド | 耐汚染性に優れたディスプレイ反射防止用コーティング組成物及びコーティングフィルム |
| KR100648220B1 (ko) * | 2004-05-14 | 2006-11-24 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정표시장치용 도전성 편광판 |
| CN101292362B (zh) | 2005-08-12 | 2011-06-08 | 凯博瑞奥斯技术公司 | 透明导体及其制备方法、层压结构以及显示装置 |
| KR100699624B1 (ko) | 2005-11-16 | 2007-03-23 | 주식회사 에이스 디지텍 | 대전방지 고해상 방현 필름의 제조방법 및 이를 이용한 대전방지 고해상 방현 필름 |
| US8018568B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-09-13 | Cambrios Technologies Corporation | Nanowire-based transparent conductors and applications thereof |
| JP5409369B2 (ja) | 2006-10-12 | 2014-02-05 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | ナノワイヤベースの透明導電体およびその適用 |
| JP4782054B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2011-09-28 | 日揮触媒化成株式会社 | 透明導電性被膜付基材および表示装置 |
| SG156218A1 (pl) | 2007-04-20 | 2009-11-26 | ||
| SG183138A1 (en) * | 2010-02-05 | 2012-09-27 | Cambrios Technologies Corp | Photosensitive ink compositions and transparent conductors and method of using the same |
| JP2013522814A (ja) | 2010-02-24 | 2013-06-13 | カンブリオス テクノロジーズ コーポレイション | ナノワイヤベースの透明導体およびそれをパターン形成するための方法 |
| RU2585641C2 (ru) * | 2014-09-02 | 2016-05-27 | Открытое акционерное общество "Казанский химический научно-исследовательский институт" | Антистатическое покрытие резинотканевых защитных материалов |
| CN105417966A (zh) * | 2015-11-09 | 2016-03-23 | 深圳市华宇彩晶科技有限公司 | 一种多层充电薄膜涂层制备方法 |
| CN107901546A (zh) * | 2017-11-07 | 2018-04-13 | 东莞市纳利光学材料有限公司 | 一种抗污抗静电的双面硬化膜及其制备方法 |
| CN113512354B (zh) * | 2021-09-13 | 2022-01-07 | 潍坊赛宝工业技术研究院有限公司 | 一种玻璃表面处理材料的制备方法 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3635751A (en) * | 1969-04-03 | 1972-01-18 | Rca Corp | Lithium silicate glare-reducing coating and method of fabrication on a glass surface |
| DE3203291C1 (de) * | 1982-02-01 | 1983-04-14 | Heiz, Therese, 6252 Dagmersellen | Verfahren zur Ausbildung einer Entspiegelungsschicht auf Bildschirmen |
| US4563612A (en) * | 1984-06-25 | 1986-01-07 | Rca Corporation | Cathode-ray tube having antistatic silicate glare-reducing coating |
| US5286414A (en) * | 1987-05-26 | 1994-02-15 | Hoechst Aktiengesellschaft | Electroconductive coating composition, a process for the production thereof and the use thereof |
| DE3804520A1 (de) * | 1988-02-13 | 1989-08-24 | Hoechst Ag | Elektrisch leitende polymere und ihre herstellung |
| US5291097A (en) * | 1990-05-14 | 1994-03-01 | Hitachi, Ltd. | Cathode-ray tube |
| TW266301B (pl) * | 1991-09-19 | 1995-12-21 | Philips Nv | |
| JPH06125519A (ja) * | 1992-04-28 | 1994-05-06 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 耐摩耗性・耐スクラッチ性の導電性重合体組成物 |
| DE4229192C2 (de) * | 1992-09-02 | 2003-06-18 | Bayer Ag | Antistatisch ausgerüstete Glasformteile |
| DE69503598T2 (de) * | 1994-08-08 | 1999-03-04 | Philips Electronics Nv | Einen mit einer elektrisch leitfähigen schicht versehenen bildschirm enthaltende kathodenstrahlröhre |
| WO1996005605A1 (en) * | 1994-08-15 | 1996-02-22 | Nigel Eric Rose | Improvements to switching systems |
-
1996
- 1996-04-30 IT IT96MI000846A patent/IT1282387B1/it active IP Right Grant
- 1996-09-12 US US08/712,815 patent/US5750054A/en not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-04-23 DE DE69719107T patent/DE69719107T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-23 EP EP97400914A patent/EP0805474B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-04-24 PL PL97319653A patent/PL184439B1/pl not_active IP Right Cessation
- 1997-04-25 JP JP9108979A patent/JPH1067063A/ja not_active Withdrawn
- 1997-04-29 ID IDP971421A patent/ID16656A/id unknown
- 1997-04-29 KR KR1019970016030A patent/KR100249053B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-04-29 CN CN97111254A patent/CN1084774C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-29 RU RU97107486A patent/RU2121195C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-04-30 MX MX9703221A patent/MX9703221A/es not_active IP Right Cessation
- 1997-04-30 BR BR9701975A patent/BR9701975A/pt not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0805474B1 (en) | 2003-02-19 |
| MX9703221A (es) | 1998-04-30 |
| CN1168402A (zh) | 1997-12-24 |
| BR9701975A (pt) | 1999-08-03 |
| US5750054A (en) | 1998-05-12 |
| PL319653A1 (en) | 1997-11-10 |
| DE69719107T2 (de) | 2003-09-11 |
| ITMI960846A1 (it) | 1997-10-30 |
| JPH1067063A (ja) | 1998-03-10 |
| ITMI960846A0 (pl) | 1996-04-30 |
| EP0805474A1 (en) | 1997-11-05 |
| IT1282387B1 (it) | 1998-03-20 |
| CN1084774C (zh) | 2002-05-15 |
| RU2121195C1 (ru) | 1998-10-27 |
| DE69719107D1 (de) | 2003-03-27 |
| ID16656A (id) | 1997-10-30 |
| KR970069512A (ko) | 1997-11-07 |
| KR100249053B1 (ko) | 2000-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| PL184439B1 (pl) | Kompozycja na powłokę przeciwoślepieniową, antystatyczną, sposób wytwarzania powłoki przeciwoślepieniowej, antystatycznej i powłoka przeciwoślepieniowa, antystatyczna | |
| MXPA97003221A (en) | Anti-reflective, anti-static and met metal coatings | |
| JPH0440824B2 (pl) | ||
| JP3735387B2 (ja) | 表示スクリーン上に被膜を設ける方法 | |
| US5427818A (en) | Antiglare/antistatic coating for CRT | |
| US5470606A (en) | Method of manufacturing an antistatic coating on a substrate, in particular, a cathode ray tube, comprising latex particles of a polypyrrole compound in a silicon dioxide matrix | |
| JPH0841441A (ja) | 紫外線、近赤外線遮へい用インジウム−錫酸化物粉末とこれを用いた紫外線、近赤外線遮へいガラスおよびその製造方法 | |
| US3940511A (en) | Method for preparing haze-resistant lithium-silicate glare-reducing coating | |
| KR100270357B1 (ko) | 전도성반사방지막,그의제조방법및음극선관 | |
| JP3399270B2 (ja) | 透明導電膜およびその形成用組成物 | |
| JP3460484B2 (ja) | 透明導電膜 | |
| KR19990013683A (ko) | 도전성 반사방지막 및 음극선관 | |
| JP3196227B2 (ja) | 陰極線管およびその製造方法 | |
| JPH1097833A (ja) | 陰極線管用パネル | |
| CN1329458C (zh) | 透明导电层和采用透明导电层的图像显示设备 | |
| JP3466089B2 (ja) | 導電性反射防止膜および陰極線管 | |
| JPH1053758A (ja) | 導電膜形成用塗布液、その凍結体、導電膜の製造方法および陰極線管 | |
| JP3292338B2 (ja) | 陰極線管用パネル | |
| KR20000009404A (ko) | 건조성 및 투명성이 향상된 전도성 유기고분자 대전방지막이 형성된 화상표시면판 및 그 제조방법과 그 도포용액 | |
| JPH05234538A (ja) | 特に陰極線管用の反射防止及び帯電防止コーティング及びその製造方法 | |
| JP2002343149A (ja) | 透明導電層の形成方法 | |
| JPH11250836A (ja) | 陰極線管用パネル | |
| JPH09120785A (ja) | 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗膜及びガラス物品 | |
| JPH08138580A (ja) | 陰極線管用パネル | |
| JPH0950775A (ja) | 陰極線管用パネル |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Decisions on the lapse of the protection rights |
Effective date: 20060424 |