JPH09120785A - 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗膜及びガラス物品 - Google Patents
低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗膜及びガラス物品Info
- Publication number
- JPH09120785A JPH09120785A JP7279309A JP27930995A JPH09120785A JP H09120785 A JPH09120785 A JP H09120785A JP 7279309 A JP7279309 A JP 7279309A JP 27930995 A JP27930995 A JP 27930995A JP H09120785 A JPH09120785 A JP H09120785A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resistance film
- low resistance
- film
- coating liquid
- ethylene glycol
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Laminated Bodies (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
- Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】充分な電磁波遮蔽性を発現し、比較的低温で成
膜でき、着色性も容易に付与できる。 【解決手段】ＩＴＯと水にアンモニア水を混合して平均
粒径１００ｎｍのＩＴＯゾルを得た。水：エチレングリ
コールモノメチルエーテル：エチレングリコールモノブ
チルエーテル：Ｎ−メチルピロリドン＝８２：５：１
０：３重量比の液を用いて前記の液を希釈し、ブラウン
管パネル表面（画像領域）にスピンコートした。
膜でき、着色性も容易に付与できる。 【解決手段】ＩＴＯと水にアンモニア水を混合して平均
粒径１００ｎｍのＩＴＯゾルを得た。水：エチレングリ
コールモノメチルエーテル：エチレングリコールモノブ
チルエーテル：Ｎ−メチルピロリドン＝８２：５：１
０：３重量比の液を用いて前記の液を希釈し、ブラウン
管パネル表面（画像領域）にスピンコートした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、陰極線管用パネル
等に適用される低抵抗膜形成用塗布液、それを塗布し硬
化することにより形成され着色性、低反射性を付与でき
る低抵抗膜、前記低抵抗膜を形成したガラス物品に関す
る。
等に適用される低抵抗膜形成用塗布液、それを塗布し硬
化することにより形成され着色性、低反射性を付与でき
る低抵抗膜、前記低抵抗膜を形成したガラス物品に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】低抵抗膜、着色膜、着色帯電防止膜、低
反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜等のコーティン
グ方法は、従来より光学機器においてはいうまでもな
く、民生用機器、特にＴＶ、コンピュータ装置端末用の
陰極線管（ＣＲＴ）に関し多く検討がなされてきた。特
に近年はオフィスのＯＡ化が進むにつれ、コンピュータ
装置の陰極線管（ＣＲＴ）からの漏洩電磁波の人体への
影響が問題視されるようになった。
反射帯電防止膜、着色低反射帯電防止膜等のコーティン
グ方法は、従来より光学機器においてはいうまでもな
く、民生用機器、特にＴＶ、コンピュータ装置端末用の
陰極線管（ＣＲＴ）に関し多く検討がなされてきた。特
に近年はオフィスのＯＡ化が進むにつれ、コンピュータ
装置の陰極線管（ＣＲＴ）からの漏洩電磁波の人体への
影響が問題視されるようになった。
【０００３】帯電防止に関しては、特開昭６３−７６２
４７にはブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱し
てＣＶＤ法により酸化錫及び酸化インジウム等の導電性
酸化物層を設ける方法が提案されている。
４７にはブラウン管パネル表面を３５０℃程度に加熱し
てＣＶＤ法により酸化錫及び酸化インジウム等の導電性
酸化物層を設ける方法が提案されている。
【０００４】しかし、ＣＶＤ法により帯電防止膜を付与
させる手法は装置コストがかかることに加えて、ブラウ
ン管表面を高温に加熱するためブラウン管内の蛍光体の
脱落を生じたり、寸法精度が低下する等の問題があっ
た。またこの場合、通常４００℃程度の高温を必要と
し、低温で焼成した場合充分低抵抗な膜が得られない欠
点がある。そのため、電磁波シールド効果を発現し得る
低抵抗膜を得にくいという問題があった。
させる手法は装置コストがかかることに加えて、ブラウ
ン管表面を高温に加熱するためブラウン管内の蛍光体の
脱落を生じたり、寸法精度が低下する等の問題があっ
た。またこの場合、通常４００℃程度の高温を必要と
し、低温で焼成した場合充分低抵抗な膜が得られない欠
点がある。そのため、電磁波シールド効果を発現し得る
低抵抗膜を得にくいという問題があった。
【０００５】膜の着色に関しては、特開平１−２７５６
６４に水溶性フタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。また、帯電防止能を持つ着色膜については
特開平１−２５１５４５にメチルバイオレットを用いた
帯電防止膜の記述がある。しかしこれらの着色剤は本質
的に絶縁体であり、膜を低抵抗化する際には補助成分と
して導電物質を添加する必要があった。
６４に水溶性フタロシアニン化合物を用いる方法が提案
されている。また、帯電防止能を持つ着色膜については
特開平１−２５１５４５にメチルバイオレットを用いた
帯電防止膜の記述がある。しかしこれらの着色剤は本質
的に絶縁体であり、膜を低抵抗化する際には補助成分と
して導電物質を添加する必要があった。
【０００６】低反射性に関しては、例えば特開昭６１−
１１８９３１記載の如くブラウン管表面に防眩効果をも
たせるために、表面に微細な凹凸を有するＳｉＯ2 層を
付着させたり、弗酸により表面をエッチングして凹凸を
設ける等の方法が採られてきた。しかし、これらの方法
は外部光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的
に低反射層を設ける方法ではないため、反射率の低減に
は限界があり、またブラウン管等においては解像度を低
下させる原因ともなっていた。
１１８９３１記載の如くブラウン管表面に防眩効果をも
たせるために、表面に微細な凹凸を有するＳｉＯ2 層を
付着させたり、弗酸により表面をエッチングして凹凸を
設ける等の方法が採られてきた。しかし、これらの方法
は外部光を散乱させるノングレア処理と呼ばれ、本質的
に低反射層を設ける方法ではないため、反射率の低減に
は限界があり、またブラウン管等においては解像度を低
下させる原因ともなっていた。
【０００７】低反射低抵抗膜については、特開平３−９
３１３６にイオンプレーティング法により光学多層膜を
設ける方法が記載されている。しかし、イオンプレーテ
ィングによる方法は工業的に安価とはいえない。
３１３６にイオンプレーティング法により光学多層膜を
設ける方法が記載されている。しかし、イオンプレーテ
ィングによる方法は工業的に安価とはいえない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は上記課題を解
決すべくなされたものであり、充分な電磁波シールド効
果を発現し、比較的低温で成膜でき、着色性も容易に付
与できる低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗
膜及びガラス物品の提供を目的とする。
決すべくなされたものであり、充分な電磁波シールド効
果を発現し、比較的低温で成膜でき、着色性も容易に付
与できる低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗
膜及びガラス物品の提供を目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の発明と
して、ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒色系着
色導電性微粒子を含む固形分と、エチレングリコール誘
導体から選ばれる１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレン
から選ばれる１種以上の第２の溶媒とを含むことを特徴
とする低抵抗膜形成用塗布液を提供する。
して、ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒色系着
色導電性微粒子を含む固形分と、エチレングリコール誘
導体から選ばれる１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレン
から選ばれる１種以上の第２の溶媒とを含むことを特徴
とする低抵抗膜形成用塗布液を提供する。
【００１０】本発明は、第２の発明として、Ｓｎドープ
Ｉｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒色系着色導電性微粒子を
含む固形分と、エチレングリコール誘導体から選ばれる
１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−メチルピロリドン、ジメ
チルスルホキシド及び炭酸プロピレンから選ばれる１種
以上の第２の溶媒とを含む低抵抗膜形成用塗布液を、基
体上に塗布し硬化させてなることを特徴とする低抵抗膜
を提供する。
Ｉｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒色系着色導電性微粒子を
含む固形分と、エチレングリコール誘導体から選ばれる
１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−メチルピロリドン、ジメ
チルスルホキシド及び炭酸プロピレンから選ばれる１種
以上の第２の溶媒とを含む低抵抗膜形成用塗布液を、基
体上に塗布し硬化させてなることを特徴とする低抵抗膜
を提供する。
【００１１】本発明は、第３の発明として、基体上に形
成される多層膜であって、前記多層膜のうち１層以上
が、ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒色系着色
導電性微粒子を含む固形分と、エチレングリコール誘導
体から選ばれる１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレンか
ら選ばれる１種以上の第２の溶媒とを含む低抵抗膜形成
用塗布液を塗布し硬化させて形成した低抵抗膜である多
層低抵抗膜を提供する。
成される多層膜であって、前記多層膜のうち１層以上
が、ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒色系着色
導電性微粒子を含む固形分と、エチレングリコール誘導
体から選ばれる１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレンか
ら選ばれる１種以上の第２の溶媒とを含む低抵抗膜形成
用塗布液を塗布し硬化させて形成した低抵抗膜である多
層低抵抗膜を提供する。
【００１２】本発明は、第４の発明として、前記第２、
３の発明の低抵抗膜、多層低抵抗膜のいずれかの膜を表
面に形成したガラス物品を提供する。
３の発明の低抵抗膜、多層低抵抗膜のいずれかの膜を表
面に形成したガラス物品を提供する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の着色性、低反射性を付与
できる低抵抗膜、多層低抵抗膜は、ＴＶ、コンピュータ
装置端末等のディスプレイ装置の用途に供されるガラス
物品に好ましく用いられる。ガラス物品としての陰極線
管は、近年コンピュータ装置端末のディスプレイ装置に
使用される場合、高解像度の要求とともにガラス表面に
低抵抗膜を形成させる要求も高まっている。
できる低抵抗膜、多層低抵抗膜は、ＴＶ、コンピュータ
装置端末等のディスプレイ装置の用途に供されるガラス
物品に好ましく用いられる。ガラス物品としての陰極線
管は、近年コンピュータ装置端末のディスプレイ装置に
使用される場合、高解像度の要求とともにガラス表面に
低抵抗膜を形成させる要求も高まっている。
【００１４】すなわち、近年コンピュータ装置の普及に
ともない、ＣＤＴ（コンピュータディスプレイ ターミ
ナル）から放射される電磁波の人体への有害性が問題視
されている。この対策として、ＣＤＴパネル表面を低抵
抗化することにより電磁波漏洩を遮断する試みが行われ
ている。真空装置を用いない湿式コートによる塗膜形成
法は安価な手法ではあるが、公知の導電物質では着色力
をほとんど有しない。前述の着色に対するニーズをも満
足させるためには、着色かつ低抵抗を有する物質を含む
塗布液を用いることが好ましい。
ともない、ＣＤＴ（コンピュータディスプレイ ターミ
ナル）から放射される電磁波の人体への有害性が問題視
されている。この対策として、ＣＤＴパネル表面を低抵
抗化することにより電磁波漏洩を遮断する試みが行われ
ている。真空装置を用いない湿式コートによる塗膜形成
法は安価な手法ではあるが、公知の導電物質では着色力
をほとんど有しない。前述の着色に対するニーズをも満
足させるためには、着色かつ低抵抗を有する物質を含む
塗布液を用いることが好ましい。
【００１５】このような観点から鋭意研究を行った結
果、本発明の塗布液を使用により、充分な電磁波遮蔽性
が得られるような低抵抗、着色力及び低反射性を有する
低抵抗膜を製造できることが明らかとなった。
果、本発明の塗布液を使用により、充分な電磁波遮蔽性
が得られるような低抵抗、着色力及び低反射性を有する
低抵抗膜を製造できることが明らかとなった。
【００１６】第１の発明において、第１の溶媒がエチレ
ングリコール誘導体から選ばれる１種以上の溶媒であ
り、前記エチレングリコール誘導体が、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル又はエチレングリコールモノブチルエーテル
であることが好ましい。この場合、水への溶解性が高い
という点で好ましい。
ングリコール誘導体から選ばれる１種以上の溶媒であ
り、前記エチレングリコール誘導体が、エチレングリコ
ールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチ
ルエーテル又はエチレングリコールモノブチルエーテル
であることが好ましい。この場合、水への溶解性が高い
という点で好ましい。
【００１７】また第２の溶媒は、Ｎ−メチルピロリド
ン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレンから選ば
れる１種以上であり、これらの溶媒は高沸点、高誘電率
溶媒である。本発明の低抵抗膜形成用塗布液を塗布する
工程において、液中の他の低沸点溶媒が蒸発した後、第
２の溶媒は膜の乾燥直前まで残留する。そのため、塗布
液は乾燥直前まで高誘電率を保てるため、電気的に安定
している粒子が成膜時に凝集するのを防止できる。した
がって、凝集物のない外観の優れた高品位の膜が得られ
る。
ン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレンから選ば
れる１種以上であり、これらの溶媒は高沸点、高誘電率
溶媒である。本発明の低抵抗膜形成用塗布液を塗布する
工程において、液中の他の低沸点溶媒が蒸発した後、第
２の溶媒は膜の乾燥直前まで残留する。そのため、塗布
液は乾燥直前まで高誘電率を保てるため、電気的に安定
している粒子が成膜時に凝集するのを防止できる。した
がって、凝集物のない外観の優れた高品位の膜が得られ
る。
【００１８】前記黒色系着色導電性微粒子が、カーボン
ブラック、あるいは窒素を０．１〜３０重量％含有する
ＴｉＯx （１．０≦ｘ＜２．０）のいずれかであること
が、成膜したときの膜の色調が適度であり、好ましい。
ＴｉＯx を使用する場合、窒素含有量が０．１重量％よ
り小さいと着色力が乏しくなり不適であり、３０重量％
より大きいと粒子の燒結が進み、粒子の分散性が低下す
るという点で不適である。本発明で用いられるカーボン
ブラックについては、ファーネスブラック、ケッチェン
ブラック（ケッチェンブラック インターナショナル社
製商品名）、黒鉛粉末等が好ましく使用できる。
ブラック、あるいは窒素を０．１〜３０重量％含有する
ＴｉＯx （１．０≦ｘ＜２．０）のいずれかであること
が、成膜したときの膜の色調が適度であり、好ましい。
ＴｉＯx を使用する場合、窒素含有量が０．１重量％よ
り小さいと着色力が乏しくなり不適であり、３０重量％
より大きいと粒子の燒結が進み、粒子の分散性が低下す
るという点で不適である。本発明で用いられるカーボン
ブラックについては、ファーネスブラック、ケッチェン
ブラック（ケッチェンブラック インターナショナル社
製商品名）、黒鉛粉末等が好ましく使用できる。
【００１９】また前記黒色系着色導電性微粒子の平均粒
径としては、１０〜１００ｎｍの範囲であることが好ま
しい。１０ｎｍ未満では液中での分散安定性に乏しく、
１００ｎｍより大きいと塗膜外観が悪化するため好まし
くない。
径としては、１０〜１００ｎｍの範囲であることが好ま
しい。１０ｎｍ未満では液中での分散安定性に乏しく、
１００ｎｍより大きいと塗膜外観が悪化するため好まし
くない。
【００２０】着色しない低抵抗膜を得る場合には塗布液
中の固形分をＳｎドープＩＴＯ微粒子のみとしても所定
の性能を発現しうるが、着色低抵抗膜を得る場合にはＳ
ｎドープＩＴＯ微粒子と黒色系着色導電性微粒子を併用
する。
中の固形分をＳｎドープＩＴＯ微粒子のみとしても所定
の性能を発現しうるが、着色低抵抗膜を得る場合にはＳ
ｎドープＩＴＯ微粒子と黒色系着色導電性微粒子を併用
する。
【００２１】着色低抵抗膜とする場合、塗布液中の固形
分１００重量部に対して７０〜９９重量部のＳｎドープ
ＩＴＯ微粒子と１〜３０重量部の黒色系着色導電性微粒
子を含むことが、所望の導電性及び透過率低下を得るう
えで好ましい。ＳｎドープＩＴＯ微粒子が７０重量部よ
り少ないと、所望の透過率低下よりも低下しすぎるとい
う点と、導電性も低下するという点で不適である。９９
重量部より多いと、成膜したときの膜の着色力が乏し
く、所望の透過率低下が得られないという点でも不適で
ある。
分１００重量部に対して７０〜９９重量部のＳｎドープ
ＩＴＯ微粒子と１〜３０重量部の黒色系着色導電性微粒
子を含むことが、所望の導電性及び透過率低下を得るう
えで好ましい。ＳｎドープＩＴＯ微粒子が７０重量部よ
り少ないと、所望の透過率低下よりも低下しすぎるとい
う点と、導電性も低下するという点で不適である。９９
重量部より多いと、成膜したときの膜の着色力が乏し
く、所望の透過率低下が得られないという点でも不適で
ある。
【００２２】ＳｎドープＩＴＯ微粒子、黒色系着色導電
性微粒子を含む液を合成する際には、これらの微粒子が
液中に均一に分散していることが好ましい。その均一分
散方法としては、下記のような微粒子の均一分散が可能
な手法であればよい。特に好ましくは、水又はアルコー
ル等の有機溶媒中に微粒子を添加し、界面活性剤、酸、
アルカリ等の分散助剤を添加しコロイドミル、サンドミ
ル、ホモジナイザー等の市販の粉砕器で分散させてると
いう方法である。特にカーボンブラックを用いる場合の
分散助剤としては、界面活性剤が分散効率の点から有効
であり、特に陰イオン系及び非イオン系界面活性剤は好
ましく使用できる。
性微粒子を含む液を合成する際には、これらの微粒子が
液中に均一に分散していることが好ましい。その均一分
散方法としては、下記のような微粒子の均一分散が可能
な手法であればよい。特に好ましくは、水又はアルコー
ル等の有機溶媒中に微粒子を添加し、界面活性剤、酸、
アルカリ等の分散助剤を添加しコロイドミル、サンドミ
ル、ホモジナイザー等の市販の粉砕器で分散させてると
いう方法である。特にカーボンブラックを用いる場合の
分散助剤としては、界面活性剤が分散効率の点から有効
であり、特に陰イオン系及び非イオン系界面活性剤は好
ましく使用できる。
【００２３】前記第１の溶媒は低抵抗膜形成用塗布液１
００重量部に対して０．１〜５０重量部含まれること
が、膜の成膜性向上及びタクト時間短縮の点で好まし
い。０．１重量部より少ないと塗布液の塗布性（濡れ
性）が悪化し、外観が悪くなるうえ所望の低抵抗性が得
られない点で不適であり、５０重量部より多いと塗布時
の乾燥時間が著しく増大する点で不適である。
００重量部に対して０．１〜５０重量部含まれること
が、膜の成膜性向上及びタクト時間短縮の点で好まし
い。０．１重量部より少ないと塗布液の塗布性（濡れ
性）が悪化し、外観が悪くなるうえ所望の低抵抗性が得
られない点で不適であり、５０重量部より多いと塗布時
の乾燥時間が著しく増大する点で不適である。
【００２４】前記第２の溶媒は低抵抗膜形成用塗布液１
００重量部に対して０．１〜３０重量部含まれること
が、低抵抗膜形成用塗布液を塗布した場合の乾燥直前の
粒子の安定性を保つ点と、乾燥時間の点で好ましい。
０．１重量部より少ないと粒子が低抵抗膜の乾燥直前で
凝集して外観が悪化し、さらに所望の導電性が得られな
い点で不適であり、３０重量部より大きいと塗布時の乾
燥時間が著しく増大する点で不適である。
００重量部に対して０．１〜３０重量部含まれること
が、低抵抗膜形成用塗布液を塗布した場合の乾燥直前の
粒子の安定性を保つ点と、乾燥時間の点で好ましい。
０．１重量部より少ないと粒子が低抵抗膜の乾燥直前で
凝集して外観が悪化し、さらに所望の導電性が得られな
い点で不適であり、３０重量部より大きいと塗布時の乾
燥時間が著しく増大する点で不適である。
【００２５】本発明において用いられるＳｎドープＩｎ
2 Ｏ3 微粒子（以下ＩＴＯという）の製法は、以下のよ
うな種々の手法が使用できる。すなわち共沈法、ＣＶＤ
法、気相法等いずれも好適に使用できる。ＩＴＯの平均
粒径としては、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であること
が好ましい。１０ｎｍより小さい粒径では液中での分散
安定性に乏しく、１００ｎｍより大きいの粒径では塗膜
外観が悪化するため、さらに前記低抵抗膜形成用塗布液
を用いて得られる着色可能な低抵抗膜上に、前記被膜よ
りも低屈折率の膜を形成し解像度を損なうことなく蛍光
灯の写り込み等を抑制する低反射性をも付与できる。
2 Ｏ3 微粒子（以下ＩＴＯという）の製法は、以下のよ
うな種々の手法が使用できる。すなわち共沈法、ＣＶＤ
法、気相法等いずれも好適に使用できる。ＩＴＯの平均
粒径としては、１０ｎｍ〜１００ｎｍの範囲であること
が好ましい。１０ｎｍより小さい粒径では液中での分散
安定性に乏しく、１００ｎｍより大きいの粒径では塗膜
外観が悪化するため、さらに前記低抵抗膜形成用塗布液
を用いて得られる着色可能な低抵抗膜上に、前記被膜よ
りも低屈折率の膜を形成し解像度を損なうことなく蛍光
灯の写り込み等を抑制する低反射性をも付与できる。
【００２６】一般に、薄膜の光学的特性はその膜を構成
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
s を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ0 の溶質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは、光が膜中を通過する際の位相差を
ΔとするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π（ｍは０以上の整数）、すなわち位相差
Δが半波長の奇数倍のとき極小値をとり、このとき下記
式（１）のようになる。
する屈折率と膜厚で決定される。ここで一定の屈折率ｎ
s を有する基体上に屈折率ｎを有する薄膜を付着させ、
屈折率ｎ0 の溶質中より波長λの光が入射した場合のエ
ネルギー反射率Ｒは、光が膜中を通過する際の位相差を
ΔとするとΔ＝４πｎｄ／λ（ｄ：膜厚）であり、Δ＝
（２ｍ＋１）π（ｍは０以上の整数）、すなわち位相差
Δが半波長の奇数倍のとき極小値をとり、このとき下記
式（１）のようになる。
【００２７】無反射条件を満たすには、式（１）におい
て、Ｒ＝０とおき、下記式（２）のようになることが必
要とされる。式（２）を２層構成に拡張した場合、下記
式（３）のようになる。ただし、ｎ1 は媒質側層の屈折
率、ｎ2 は基体側層の屈折率である。
て、Ｒ＝０とおき、下記式（２）のようになることが必
要とされる。式（２）を２層構成に拡張した場合、下記
式（３）のようになる。ただし、ｎ1 は媒質側層の屈折
率、ｎ2 は基体側層の屈折率である。
【００２８】
【数１】 Ｒ＝｛（ｎ2 −ｎ0 ｎS ）／（ｎ2 ＋ｎ0 ｎS ）｝2 ・・・（１）、 ｎ＝（ｎ0 ｎS ）1/2 ・・・（２）、 ｎS ｎ1 2＝ｎ2 2ｎ0 ・・・（３）。
【００２９】ここで、ｎ0 ＝１（空気）、ｎS ＝１．５
２（ガラス）を式（３）に適用した場合ｎ2 ／ｎ 1＝
１．２３となり、この場合２層構成膜の最大の低反射性
が得られる。勿論ｎ2 ／ｎ 1＝１．２３を満たさなくて
も、２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低反
射性が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折率
層と媒質側に設ける低屈折率層は、両者の屈折率比がで
きるだけ１．２３に近い値を選択するのが好ましい。
２（ガラス）を式（３）に適用した場合ｎ2 ／ｎ 1＝
１．２３となり、この場合２層構成膜の最大の低反射性
が得られる。勿論ｎ2 ／ｎ 1＝１．２３を満たさなくて
も、２層膜の屈折率がこれに近い値をとれる場合、低反
射性が得られる。したがって、基体側に設ける高屈折率
層と媒質側に設ける低屈折率層は、両者の屈折率比がで
きるだけ１．２３に近い値を選択するのが好ましい。
【００３０】本発明において、所望の低反射膜を得るに
は多層膜間の屈折率差と合わせて膜厚も重要な要素であ
る。
は多層膜間の屈折率差と合わせて膜厚も重要な要素であ
る。
【００３１】反射防止性能を有する多層の低反射膜の構
成としては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側
より高屈折率層及び低屈折率層を光学厚みλ／２及びλ
／４で構成した低反射膜、基体側より中屈折率層、高屈
折率層及び低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２及びλ
／４で順次形成した３層の低反射膜、基体側より低屈折
率層、中屈折率層、高屈折率層及び低屈折率層を光学厚
みλ／４、λ／４、λ／２及びλ／４で順次形成した４
層の低反射膜等が、典型的な例として知られている。
成としては、反射防止をしたい波長をλとして、基体側
より高屈折率層及び低屈折率層を光学厚みλ／２及びλ
／４で構成した低反射膜、基体側より中屈折率層、高屈
折率層及び低屈折率層を光学厚みλ／４、λ／２及びλ
／４で順次形成した３層の低反射膜、基体側より低屈折
率層、中屈折率層、高屈折率層及び低屈折率層を光学厚
みλ／４、λ／４、λ／２及びλ／４で順次形成した４
層の低反射膜等が、典型的な例として知られている。
【００３２】また、低反射低抵抗膜を構成する場合、低
屈折率膜を構成する物質としてはケイ素化合物が屈折
率、膜強度の点から好ましく用いられる。
屈折率膜を構成する物質としてはケイ素化合物が屈折
率、膜強度の点から好ましく用いられる。
【００３３】ケイ素化合物としてはＳｉ（ＯＲ）p Ｒ
4-p （ｐ＝１〜４、Ｒは炭素数１〜４個のアルキル基）
で示される化合物又は部分加水分解物を用いることが好
ましい。またケイフッ化水素酸、ホウ酸を含む水溶液に
二酸化ケイ素粉末を飽和させてなる溶液から析出させて
できるケイ素化合物も使用できる。
4-p （ｐ＝１〜４、Ｒは炭素数１〜４個のアルキル基）
で示される化合物又は部分加水分解物を用いることが好
ましい。またケイフッ化水素酸、ホウ酸を含む水溶液に
二酸化ケイ素粉末を飽和させてなる溶液から析出させて
できるケイ素化合物も使用できる。
【００３４】前記Ｓｉ（ＯＲ）p Ｒ4-p 示される化合物
又は部分加水分解物の低抵抗膜上への塗布方法として
は、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法、
ロールコーター法、メニスカスコーター法等種々考えら
れ、特にスピンコート法は量産性、再現性に優れ、好ま
しい。かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ程度の膜が
形成できる。
又は部分加水分解物の低抵抗膜上への塗布方法として
は、スピンコート法、ディップコート法、スプレー法、
ロールコーター法、メニスカスコーター法等種々考えら
れ、特にスピンコート法は量産性、再現性に優れ、好ま
しい。かかる方法によって１０ｎｍ〜１μｍ程度の膜が
形成できる。
【００３５】本発明の着色可能な低抵抗膜はＩＴＯを含
有するため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層で
構成した場合前述の低反射性が容易に発現される。
有するため、高屈折率を有し上記低屈折率膜との２層で
構成した場合前述の低反射性が容易に発現される。
【００３６】本発明において、低抵抗膜を形成する基体
としては目的に応じてソーダライムシリケートガラス、
アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸塩ガラス、リチ
ウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス等のガラ
ス、鋼玉等の単結晶、マグネシアサイアロン等の透光性
セラミックス、ポリカーボネート等のプラスチックも使
用できる。
としては目的に応じてソーダライムシリケートガラス、
アルミノシリケートガラス、ホウケイ酸塩ガラス、リチ
ウムアルミノシリケートガラス、石英ガラス等のガラ
ス、鋼玉等の単結晶、マグネシアサイアロン等の透光性
セラミックス、ポリカーボネート等のプラスチックも使
用できる。
【００３７】本発明における低抵抗膜形成用塗布液は、
エチレングリコール誘導体と、Ｎ−メチルピロリドン、
ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレンとの、高沸
点、高表面張力かつ高誘電率を有する溶媒を含む。その
ため、塗布液を基体上に塗布し乾燥させる工程において
ＩＴＯ及び／又は黒色系着色導電性微粒子が膜中で密に
充填され、粒子間の空隙が減少する。したがって、電気
抵抗が減少しかつ屈折率が増大するため、上層に低屈折
率膜を設けた場合光の反射率が低下する。
エチレングリコール誘導体と、Ｎ−メチルピロリドン、
ジメチルスルホキシド及び炭酸プロピレンとの、高沸
点、高表面張力かつ高誘電率を有する溶媒を含む。その
ため、塗布液を基体上に塗布し乾燥させる工程において
ＩＴＯ及び／又は黒色系着色導電性微粒子が膜中で密に
充填され、粒子間の空隙が減少する。したがって、電気
抵抗が減少しかつ屈折率が増大するため、上層に低屈折
率膜を設けた場合光の反射率が低下する。
【００３８】
【実施例】本発明の実施例（例１〜１０）及び比較例
（例１１〜１５）を示す。また例１〜１５で得られた膜
の特性の評価は以下のように行った。
（例１１〜１５）を示す。また例１〜１５で得られた膜
の特性の評価は以下のように行った。
【００３９】（１）透過率評価：日立製作所製スペクト
ロフォトメータＵ−３５００により、視感透過率を測定
した。 （２）導電性評価：三菱油化社製ハイレスタ抵抗測定器
により、相対湿度３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面
抵抗を測定した。 （３）耐擦傷性：１ｋｇ重の荷重下、消しゴムで膜表面
を５０回往復後、その表面の傷の付き方を目視で判断し
た。評価基準は、○：傷が全く付かない、△：傷が多少
付く、×：多く傷が付くか剥離、とした。 （４）視感反射率：γ分光反射スペクトル測定器によ
り、光波長３８０ｎｍ〜７００ｎｍの領域における膜の
視感反射率を測定した。
ロフォトメータＵ−３５００により、視感透過率を測定
した。 （２）導電性評価：三菱油化社製ハイレスタ抵抗測定器
により、相対湿度３０％以下の雰囲気中で膜表面の表面
抵抗を測定した。 （３）耐擦傷性：１ｋｇ重の荷重下、消しゴムで膜表面
を５０回往復後、その表面の傷の付き方を目視で判断し
た。評価基準は、○：傷が全く付かない、△：傷が多少
付く、×：多く傷が付くか剥離、とした。 （４）視感反射率：γ分光反射スペクトル測定器によ
り、光波長３８０ｎｍ〜７００ｎｍの領域における膜の
視感反射率を測定した。
【００４０】［例１］ＩＴＯ粉末５ｇと水４５ｇに、２
８重量％のアンモニア分を含むアンモニア水０．５ｇを
添加し混合した後、サンドミルで２時間粉砕して平均粒
径１００ｎｍのＩＴＯゾルを得た（Ａ液）。
８重量％のアンモニア分を含むアンモニア水０．５ｇを
添加し混合した後、サンドミルで２時間粉砕して平均粒
径１００ｎｍのＩＴＯゾルを得た（Ａ液）。
【００４１】水：エチレングリコールモノメチルエーテ
ル：エチレングリコールモノブチルエーテル：Ｎ−メチ
ルピロリドン＝８２：５：１０：３重量比の液を用い、
固形分が２．５重量％になるように、Ａ液を希釈し塗布
液とした。その後ブラウン管パネル表面（画像領域）
に、スピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒
間前記塗布液を塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱
し、約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
ル：エチレングリコールモノブチルエーテル：Ｎ−メチ
ルピロリドン＝８２：５：１０：３重量比の液を用い、
固形分が２．５重量％になるように、Ａ液を希釈し塗布
液とした。その後ブラウン管パネル表面（画像領域）
に、スピンコーターで１００ｒｐｍの回転速度で６０秒
間前記塗布液を塗布し、その後１６０℃で３０分間加熱
し、約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００４２】［例２］水：エチレングリコールモノエチ
ルエーテル：エチレングリコールモノブチルエーテル：
ジメチルスルホキシド＝８０：７：１０：３重量比の液
を用い、固形分が２．５重量％になるように、Ａ液を希
釈し塗布液とした。その後例１と同様にして例２の塗布
液を塗布し、約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
ルエーテル：エチレングリコールモノブチルエーテル：
ジメチルスルホキシド＝８０：７：１０：３重量比の液
を用い、固形分が２．５重量％になるように、Ａ液を希
釈し塗布液とした。その後例１と同様にして例２の塗布
液を塗布し、約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００４３】［例３］水：エチレングリコールモノエチ
ルエーテル：炭酸プロピレン＝８２：１３：５重量比の
液を用い、固形分が２．５重量％になるように、Ａ液を
希釈し塗布液とした。その後例１と同様にして例３の塗
布液を塗布し、約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
ルエーテル：炭酸プロピレン＝８２：１３：５重量比の
液を用い、固形分が２．５重量％になるように、Ａ液を
希釈し塗布液とした。その後例１と同様にして例３の塗
布液を塗布し、約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００４４】［例４］カーボンブラック（三菱化学
（株）製商品名ＭＡ７）粉末５ｇと水４５ｇに、２８重
量％アンモニア分を含むアンモニア水を０．５ｇ添加し
混合した後、サンドミルで２時間粉砕して平均粒径８０
ｎｍのカーボンブラックゾルを得た（Ｂ液）。Ａ液とＢ
液を固形分比が１０：１重量比となるように混合し、
水：エチレングリコールモノメチルエーテル：ジメチル
スルホキシド＝８５：１２：３重量比の液を用いて、さ
らに固形分が２．５重量％になるように希釈し塗布液と
した。その後、例１と同様にして約１００ｎｍの厚さの
低抵抗膜を得た。
（株）製商品名ＭＡ７）粉末５ｇと水４５ｇに、２８重
量％アンモニア分を含むアンモニア水を０．５ｇ添加し
混合した後、サンドミルで２時間粉砕して平均粒径８０
ｎｍのカーボンブラックゾルを得た（Ｂ液）。Ａ液とＢ
液を固形分比が１０：１重量比となるように混合し、
水：エチレングリコールモノメチルエーテル：ジメチル
スルホキシド＝８５：１２：３重量比の液を用いて、さ
らに固形分が２．５重量％になるように希釈し塗布液と
した。その後、例１と同様にして約１００ｎｍの厚さの
低抵抗膜を得た。
【００４５】［例５］Ａ液とＢ液を固形分比が１０：１
重量比となるように混合し、水：エチレングリコールモ
ノブチルエーテル：Ｎ−メチルピロリドン＝８７：１
０：３重量比の液を用い、さらに固形分が２．５重量％
になるように希釈し塗布液とした。その後、例１と同様
にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
重量比となるように混合し、水：エチレングリコールモ
ノブチルエーテル：Ｎ−メチルピロリドン＝８７：１
０：３重量比の液を用い、さらに固形分が２．５重量％
になるように希釈し塗布液とした。その後、例１と同様
にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００４６】［例６］Ａ液とＢ液を固形分比が１０：１
重量比となるように混合し、水：エチレングリコールモ
ノエチルエーテル：エチレングリコールモノブチルエー
テル：Ｎ−メチルピロリドン：炭酸プロピレン＝８０：
８：５：４：３重量比の液を用い、固形分が２．５重量
％になるように希釈し塗布液とした。その後、例１と同
様にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
重量比となるように混合し、水：エチレングリコールモ
ノエチルエーテル：エチレングリコールモノブチルエー
テル：Ｎ−メチルピロリドン：炭酸プロピレン＝８０：
８：５：４：３重量比の液を用い、固形分が２．５重量
％になるように希釈し塗布液とした。その後、例１と同
様にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００４７】［例７］酸窒化チタン｛ＴｉＯx （ｘ≒
１．７）｝粉末１０ｇと水４５ｇに、２８重量％のアン
モニア分を含むアンモニア水１ｇ添加し混合した。その
後サンドミルで２時間粉砕して平均粒径１１０ｎｍの酸
窒化チタンゾルを得た（Ｃ液）。Ａ液とＣ液を固形分比
が１５：１重量比となるように混合し、水：エチレング
リコールモノメチルエーテル：ジメトルスルホキシド＝
８５：１０：５重量比の液を用いて、さらに固形分が
２．５重量％になるように希釈し塗布液とした。その
後、例１と同様にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を
得た。
１．７）｝粉末１０ｇと水４５ｇに、２８重量％のアン
モニア分を含むアンモニア水１ｇ添加し混合した。その
後サンドミルで２時間粉砕して平均粒径１１０ｎｍの酸
窒化チタンゾルを得た（Ｃ液）。Ａ液とＣ液を固形分比
が１５：１重量比となるように混合し、水：エチレング
リコールモノメチルエーテル：ジメトルスルホキシド＝
８５：１０：５重量比の液を用いて、さらに固形分が
２．５重量％になるように希釈し塗布液とした。その
後、例１と同様にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を
得た。
【００４８】［例８］Ｓｉ（ＯＣ2 Ｈ5 ）4 のエタノー
ル溶液（ＳｉＯ2 換算固形分５重量％）に、ｐＨ２．８
に調整した塩酸水溶液をＳｉＯ2 に対して８ｍｏｌ比に
相当する量を添加し１時間撹拌した。その後、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート：イソプロ
ピルアルコール：ジアセトンアルコール＝５：４：１重
量比に調整された液を用いて、固形分が１．０重量％と
なるように希釈した（Ｄ液）。まず例１の塗布液を用
い、１６０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加
熱処理に変更した以外は例１と同様にして約１１０ｎｍ
の厚さの低抵抗膜を得た。次にＤ液を用いて、前記膜の
上に例１と同様の方法で約１００ｎｍの厚さの膜を形成
し、低反射用の多層低抵抗膜を得た。
ル溶液（ＳｉＯ2 換算固形分５重量％）に、ｐＨ２．８
に調整した塩酸水溶液をＳｉＯ2 に対して８ｍｏｌ比に
相当する量を添加し１時間撹拌した。その後、プロピレ
ングリコールモノメチルエーテルアセテート：イソプロ
ピルアルコール：ジアセトンアルコール＝５：４：１重
量比に調整された液を用いて、固形分が１．０重量％と
なるように希釈した（Ｄ液）。まず例１の塗布液を用
い、１６０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加
熱処理に変更した以外は例１と同様にして約１１０ｎｍ
の厚さの低抵抗膜を得た。次にＤ液を用いて、前記膜の
上に例１と同様の方法で約１００ｎｍの厚さの膜を形成
し、低反射用の多層低抵抗膜を得た。
【００４９】［例９］例４の塗布液を用い、１６０℃、
３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変更し
た以外は例１と同様にして約１１０ｎｍの厚さの膜を得
た。次にＤ液を用い、前記膜の上に例１と同様にして約
１００ｎｍの厚さの膜を形成した。着色した低反射用の
多層低抵抗膜を得た。
３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に変更し
た以外は例１と同様にして約１１０ｎｍの厚さの膜を得
た。次にＤ液を用い、前記膜の上に例１と同様にして約
１００ｎｍの厚さの膜を形成した。着色した低反射用の
多層低抵抗膜を得た。
【００５０】［例１０］実施例７の塗布液を用い、１６
０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に
変更した以外は例１と同様にして約１１０ｎｍの厚さの
膜を得た。次にＤ液を用い、前記膜の上に例１と同様の
方法で約１００ｎｍの厚さの膜を形成した。着色した低
反射用の多層低抵抗膜を得た。
０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処理に
変更した以外は例１と同様にして約１１０ｎｍの厚さの
膜を得た。次にＤ液を用い、前記膜の上に例１と同様の
方法で約１００ｎｍの厚さの膜を形成した。着色した低
反射用の多層低抵抗膜を得た。
【００５１】［例１１］水：エチレングリコールモノメ
チルエーテル：エチレングリコールモノブチルエーテル
＝８５：５：１０重量比の液を用いて、Ａ液を固形分が
２．５重量％になるように希釈し塗布液とした。その
後、例１と同様にして約１２０ｎｍの厚さの低抵抗膜を
得た。
チルエーテル：エチレングリコールモノブチルエーテル
＝８５：５：１０重量比の液を用いて、Ａ液を固形分が
２．５重量％になるように希釈し塗布液とした。その
後、例１と同様にして約１２０ｎｍの厚さの低抵抗膜を
得た。
【００５２】［例１２］Ａ液とＢ液を固形分比が１０：
１重量比となるように混合し、水：Ｎ−メチルピロリド
ン：炭酸プロピレン＝９０：５：５重量比の液を用い
て、さらに固形分が２．５重量％になるように希釈し塗
布液とした。その後、例１と同様にして約１１５ｎｍの
厚さの低抵抗膜を得た。
１重量比となるように混合し、水：Ｎ−メチルピロリド
ン：炭酸プロピレン＝９０：５：５重量比の液を用い
て、さらに固形分が２．５重量％になるように希釈し塗
布液とした。その後、例１と同様にして約１１５ｎｍの
厚さの低抵抗膜を得た。
【００５３】［例１３］水：エチレングリコールモノメ
チルエーテル：ジメチルスルホキシド＝４０：５０：１
０重量比の液を用いて、Ａ液を固形分が２．５重量％に
なるように希釈し塗布液とした。その後、例１と同様に
して約１２０ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
チルエーテル：ジメチルスルホキシド＝４０：５０：１
０重量比の液を用いて、Ａ液を固形分が２．５重量％に
なるように希釈し塗布液とした。その後、例１と同様に
して約１２０ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００５４】［例１４］Ａ液とＣ液を固形分比が１５：
１重量比となるように混合し、水：エチレングリコール
モノメチルエーテル：ジメトルスルホキシド＝５５：１
０：３５重量比の液を用いて、さらに固形分が２．５重
量％になるように希釈し塗布液とした。その後、例１と
同様にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
１重量比となるように混合し、水：エチレングリコール
モノメチルエーテル：ジメトルスルホキシド＝５５：１
０：３５重量比の液を用いて、さらに固形分が２．５重
量％になるように希釈し塗布液とした。その後、例１と
同様にして約１００ｎｍの厚さの低抵抗膜を得た。
【００５５】［例１５］例１１と同様の塗布液を用い、
１６０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処
理に変更した以外は例１と同様にして約１１０ｎｍの厚
さの膜を得た。Ｄ液を用い、前記膜の上に例１と同様の
方法で約１００ｎｍの厚さの膜を形成した。低反射用の
多層低抵抗膜を得た。
１６０℃、３０分の加熱処理を６０℃、１０分の加熱処
理に変更した以外は例１と同様にして約１１０ｎｍの厚
さの膜を得た。Ｄ液を用い、前記膜の上に例１と同様の
方法で約１００ｎｍの厚さの膜を形成した。低反射用の
多層低抵抗膜を得た。
【００５６】例１〜１５で得られた膜の評価結果を表１
に示す。
に示す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
【発明の効果】本発明の低抵抗膜形成用塗布液により、
着色性、帯電防止性を有するのみならず、充分な電磁波
遮蔽性を発現しうる低抵抗性を有し、さらには外観に優
れた高品位の膜が得られる。
着色性、帯電防止性を有するのみならず、充分な電磁波
遮蔽性を発現しうる低抵抗性を有し、さらには外観に優
れた高品位の膜が得られる。
フロントページの続き (72)発明者 阿部 啓介 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 森本 剛 神奈川県横浜市神奈川区羽沢町1150番地 旭硝子株式会社中央研究所内 (72)発明者 平井 俊晴 福岡県北九州市若松区北湊町13−２ 触媒 化成工業株式会社若松工場内 (72)発明者 俵迫 祐二 福岡県北九州市若松区北湊町13−２ 触媒 化成工業株式会社若松工場内
Claims (9)
- 【請求項１】ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒
色系着色導電性微粒子を含む固形分と、エチレングリコ
ール誘導体から選ばれる１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロ
ピレンから選ばれる１種以上の第２の溶媒とを含むこと
を特徴とする低抵抗膜形成用塗布液。 - 【請求項２】前記エチレングリコール誘導体が、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル又はエチレングリコールモノブチル
エーテルである請求項１記載の低抵抗膜形成用塗布液。 - 【請求項３】前記黒色系着色導電性微粒子が、カーボン
ブラック、窒素を０．１〜３０重量％含有するＴｉＯx
（１．０≦ｘ＜２．０）のいずれかである請求項１記載
の低抵抗膜形成用塗布液。 - 【請求項４】前記第１の溶媒が低抵抗膜形成用塗布液１
００重量部に対して０．１〜５０重量部含まれ、前記第
２の溶媒が低抵抗膜形成用塗布液１００重量部に対して
０．１〜３０重量部含まれる請求項１記載の低抵抗膜形
成用塗布液。 - 【請求項５】ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子及び／又は黒
色系着色導電性微粒子を含む固形分と、エチレングリコ
ール誘導体から選ばれる１種以上の第１の溶媒と、Ｎ−
メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド及び炭酸プロ
ピレンから選ばれる１種以上の第２の溶媒とを含む低抵
抗膜形成用塗布液を、基体上に塗布し硬化させてなるこ
とを特徴とする低抵抗膜。 - 【請求項６】基体上に形成される多層膜であって、前記
多層膜のうち１層以上が、ＳｎドープＩｎ2 Ｏ3 微粒子
及び／又は黒色系着色導電性微粒子を含む固形分と、エ
チレングリコール誘導体から選ばれる１種以上の第１の
溶媒と、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド
及び炭酸プロピレンから選ばれる１種以上の第２の溶媒
とを含む低抵抗膜形成用塗布液を塗布し硬化させて形成
した低抵抗膜である多層低抵抗膜。 - 【請求項７】基体側から前記低抵抗膜、前記低抵抗膜よ
りも低屈折率の膜が順次形成されてなる請求項６記載の
多層低抵抗膜。 - 【請求項８】請求項５〜７のいずれかに記載の膜を表面
に形成したガラス物品。 - 【請求項９】前記ガラス物品が陰極線管用パネルである
請求項８記載のガラス物品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27930995A JP3651983B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜とその製造方法、多層低抵抗膜及びガラス物品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27930995A JP3651983B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜とその製造方法、多層低抵抗膜及びガラス物品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09120785A true JPH09120785A (ja) | 1997-05-06 |
| JP3651983B2 JP3651983B2 (ja) | 2005-05-25 |
Family
ID=17609376
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27930995A Expired - Fee Related JP3651983B2 (ja) | 1995-10-26 | 1995-10-26 | 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜とその製造方法、多層低抵抗膜及びガラス物品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3651983B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102056976B1 (ko) | 2018-01-08 | 2019-12-23 | (주)비젼사이언스 | 컨택트렌즈용 전자파차폐 안료 |
-
1995
- 1995-10-26 JP JP27930995A patent/JP3651983B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3651983B2 (ja) | 2005-05-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5446339A (en) | Cathode ray tube having antistatic/anti-reflection film-covered transparent material laminated body | |
| EP0533256B1 (en) | Antistatic coating for, in particular, a cathode ray tube | |
| EP0649160A1 (en) | Method of manufacturing a coating on a display screen and a display device comprising a display screen having a coating | |
| JP3272111B2 (ja) | 低屈折率膜形成用塗料、帯電防止・反射防止膜および帯電防止・反射防止膜付き透明積層体並びに陰極線管 | |
| JP3478589B2 (ja) | 導電性・高屈折率膜形成用塗料、およびそれから得られる導電性・反射防止膜付き透明積層体 | |
| JP3460484B2 (ja) | 透明導電膜 | |
| JP3403578B2 (ja) | 反射防止性着色透明導電膜および陰極線管 | |
| JPH0854502A (ja) | 着色低抵抗膜形成用塗布液、着色低抵抗膜及び着色低抵抗膜を形成したガラス物品 | |
| JPH09120785A (ja) | 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗膜及びガラス物品 | |
| JP2892250B2 (ja) | 帯電防止・高屈折率膜形成用塗料、及び帯電防止・反射防止膜付き透明積層体並びに表示装置 | |
| JP3266066B2 (ja) | 保存安定性に優れた金属微粒子含有導電膜形成用組成物 | |
| US6902815B2 (en) | Coating liquid for forming colored transparent conductive film, substrate with colored transparent conductive film and method for its production, and display device | |
| JP3729528B2 (ja) | 着色膜形成用塗布液、着色膜及び着色膜を形成したガラス物品 | |
| JP3347467B2 (ja) | 着色薄膜形成用塗布液、着色薄膜とその製造方法、およびガラス物品 | |
| JP3356968B2 (ja) | 透明導電膜とその製造方法および表示装置 | |
| JP4271438B2 (ja) | 透明導電膜形成用塗料と透明導電膜及びその製造方法並びにそれを備えた表示装置 | |
| JP3266065B2 (ja) | 金属微粒子からなる透明導電膜とその形成用組成物 | |
| JPH0789720A (ja) | 着色膜形成用塗布液、着色膜、着色帯電防止膜、および着色低反射帯電防止膜 | |
| JP2002003746A (ja) | 透明導電膜形成用塗料、透明導電膜および表示装置 | |
| JPH07281004A (ja) | 着色低抵抗膜形成用塗布液、着色低抵抗膜、及びその製造方法 | |
| JPH08337439A (ja) | 低抵抗膜形成用塗布液、低抵抗膜、多層低抵抗膜及びこれらの膜を形成したガラス物品 | |
| KR100231658B1 (ko) | 눈부심방지 및 정전방지 특성을 나타내는 암흑의 면판 코팅을 갖는 음극선관의 제조방법 | |
| JPH0762323A (ja) | 着色膜形成用塗布液、着色膜およびその製造方法 | |
| JPH0782526A (ja) | 塗布液、着色膜およびその製造方法 | |
| JP2000204282A (ja) | 低透過率透明層形成用塗液 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20041201 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20041207 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050204 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050222 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050222 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090304 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100304 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117 |
|
| S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110304 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120304 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130304 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140304 Year of fee payment: 9 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |