JPH10242832A - 半導体装置、半導体装置の双方向バッファ - Google Patents

半導体装置、半導体装置の双方向バッファ

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Publication number
JPH10242832A
JPH10242832A JP9038778A JP3877897A JPH10242832A JP H10242832 A JPH10242832 A JP H10242832A JP 9038778 A JP9038778 A JP 9038778A JP 3877897 A JP3877897 A JP 3877897A JP H10242832 A JPH10242832 A JP H10242832A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
input
buffer
output
bidirectional
semiconductor device
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP9038778A
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English (en)
Inventor
Sueo Konnai
末男 近内
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NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数本の制御端子により、全ての入出力の論
理モードと信号の入出力モードとを個々に外部から制御
することができること。 【解決手段】 信号用のLSI端子20に接続された理
論反転機能を有する入力バッファと論理反転機能を有す
る出力バッファとから構成された双方向バッファ10
と、制御用のLSI入力端子に接続され双方向バッファ
10の論理モードと信号の入出力モードとを制御する入
出力バッファ制御部12とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、論理反転機能付き
双方向バッファを有する半導体装置、半導体装置の双方
向バッファに属する。
【0002】
【従来の技術】従来技術の論理反転機能を有するバッフ
ァは、各入出力バッファを一つずつ個々に制御して論理
を設定するか、全てのバッファを一括して論理を設定す
る構成となっている(例えば、実開昭63−14703
5号公報を参照)。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、また、
論理反転機能を有する双方向バッファはなく、バッファ
の論理モードと信号の入出力モードを同時に外部から制
御することは不可能である。
【0004】またLSIは、バッッファの論理モードを
個々に制御するために、入出力端子数に相当する制御端
子を必要とするという問題がある。
【0005】それ故に、本発明の課題は、複数本の制御
端子により、全ての入出力の論理モードと信号の入出力
モードとを個々に外部から制御することができる半導体
装置、半導体装置の双方向バッファを提供することにあ
る。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、複数の
入力端子と複数の出力端子を持つ入出力インターフェー
ス回路において、信号用の端子に接続された理論反転機
能を有する入力バッファと論理反転機能を有する出力バ
ッファとから構成された双方向バッファと、制御用の入
力端子に接続され前記双方向バッファの論理モードと信
号の入出力モードを制御する入出力バッファ制御部とを
備えていることを特徴とする半導体装置が得られる。
【0007】また、本発明によれば、前記入出力バッフ
ァ制御部は前記制御用の入力端子を複数本有し、前記双
方向バッファを1個、もしくは複数個制御することを特
徴とする半導体装置が得られる。
【0008】さらに、本発明によれば、複数の入力端子
と複数の出力端子を持つ入出力インターフェース回路に
おける半導体装置の双方向バッファにおいて、信号用の
端子に接続された理論反転機能を有する入力バッファと
論理反転機能を有する出力バッファとから構成されてい
ることを特徴とする半導体装置の双方向バッファが得ら
れる。
【0009】
【発明の実施の形態】図1は本発明の複数の入力端子と
複数の出力端子を持つ入出力インターフェース回路に用
いる半導体装置(LSI)の一実施の形態例を示してい
る。
【0010】図1を参照して、半導体装置は信号用のL
SI端子20に接続された理論反転機能を有する入力バ
ッファと論理反転機能を有する出力バッファとから構成
された双方向バッファ10と、制御用のLSI入力端子
に接続され双方向バッファ10の論理モードと信号の入
出力モードとを制御する入出力バッファ制御部12とを
備えている。
【0011】図1においては、4つの双方向バッファ1
0を備えており、これらが半導体装置の主要回路部11
と入出力バッファ制御部12とに接続されている。ま
た、4つの双方向バッファ10のそれぞれれに信号用の
LSI端子20が接続されている。
【0012】入出力バッファ制御部12は制御用のLS
I入力端子を複数本有し、双方向バッファ10を1個、
もしくは複数個制御する。ない、図1においては、入出
力バッファ制御部12が制御用のLSI入力端子を3本
有している。
【0013】双方向バッファ10はそれぞれにスリース
テイト非反転バッファ1もしくはスリーステイト非反転
バッファ3と、スリーステイト反転バッファ2もしくは
スリーステイト反転バッファ4ととを有している。
【0014】こので、双方向バッファ10を非反転のバ
ッファとするか、論理反転機能とするかは入出力バッフ
ァ制御部12からの制御により、個々に設定することが
できる。入出力バッファ制御部12は、双方向バッファ
1の入出力の方向を設定するのと同時に、半導体装置の
主要回路部11に対しても処理内容のモードを通知す
る。入力バッファ制御部12へは、LSI外部端子から
シリアルデータにより、各入出バッファのモード設定デ
ータを記憶するメモリを備えた構成となっている。
【0015】図2はシリアルデータフォーマットの一例
を示している。図2においては、入出力バッファモード
制御用のデータ入力端子21、入出力バッファモード制
御用のクロック入力端子22、入出力バッファモード制
御用のフレームパルス入力端子23に入力される波形を
示している。
【0016】図2を参照して、入出力バッファモード制
御用のデータ入力端子21の波形中のデータ1a、デー
タ2a、データ3a… …データnaが個々の入出力バ
ッファのモード設定データとなる。例えば、「Lo」レ
ベルなら非反転制御、「Hi」レベルなら論理反転制御
となる。また、「Lo」レベルなら入力バッファ、「H
i」レベルなら出力バッファとなる。
【0017】入出力バッファモード制御用のデータ入力
端子21に入力されるモード設定データは、入出力バッ
ファモード制御用のクロック入力端子22、及び入出力
バッファモード制御用のフレームパルス入力端子23に
入力される信号に同期しており、常時、書き換え可能で
ある。そのため、自由に論理モード及び入出力モードの
設定が可能である。
【0018】
【発明の効果】以上、実施の形態例で説明したように、
本発明の半導体装置の双方向バッファによると、入出力
の論理変更及び方向が容易に行えるという効果を奏す
る。これにより、半導体装置の接続先がいかなる条件で
あっても柔軟に対応できる。
【0019】また、半導体装置を他の装置で流用して使
用する場合においても、インターフェイスとしての論理
及び方向を変えられるので流用しやすいという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の半導体装置の一実施の形態例を示すブ
ロック図である。
【図2】外部から入力するシリアルデータフォーマット
の一例を示す波形図である。
【符号の説明】
1,3 スリーステイト非反転バッファ 2,4 スリーステイト反転バッファ 10 双方向バッファ 11 主要回路部 12 入出力バッファ制御部 20 信号用のLSI端子 21 入出力バッファモード制御用のデータ入力端子 22 入出力バッファモード制御用のクロック入力端
子 23 入出力バッファモード制御用のフレームパルス
入力端子

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 複数の入力端子と複数の出力端子を持つ
    入出力インターフェース回路において、信号用の端子に
    接続された理論反転機能を有する入力バッファと論理反
    転機能を有する出力バッファとから構成された双方向バ
    ッファと、制御用の入力端子に接続され前記双方向バッ
    ファの論理モードと信号の入出力モードを制御する入出
    力バッファ制御部とを備えていることを特徴とする半導
    体装置。
  2. 【請求項2】 請求項1記載の半導体装置において、前
    記入出力バッファ制御部は前記制御用の入力端子を複数
    本有し、前記双方向バッファを1個、もしくは複数個制
    御することを特徴とする半導体装置。
  3. 【請求項3】 複数の入力端子と複数の出力端子を持つ
    入出力インターフェース回路における半導体装置の双方
    向バッファにおいて、信号用の端子に接続された理論反
    転機能を有する入力バッファと論理反転機能を有する出
    力バッファとから構成されていることを特徴とする半導
    体装置の双方向バッファ。
JP9038778A 1997-02-24 1997-02-24 半導体装置、半導体装置の双方向バッファ Withdrawn JPH10242832A (ja)

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