JPH10242066A - 反応容器 - Google Patents
反応容器Info
- Publication number
- JPH10242066A JPH10242066A JP5384597A JP5384597A JPH10242066A JP H10242066 A JPH10242066 A JP H10242066A JP 5384597 A JP5384597 A JP 5384597A JP 5384597 A JP5384597 A JP 5384597A JP H10242066 A JPH10242066 A JP H10242066A
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- JP
- Japan
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- space
- pressure
- reaction tube
- reaction vessel
- tube
- Prior art date
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Abstract
(57)【要約】
【課題】安全に製作及び使用が可能な反応容器を提供す
る。 【解決手段】断面が矩形状の２重反応管１０とその両端
のフランジ２２、２４を備える。２重反応管１０は断面
が矩形状の外側反応管１２と内側反応管１４とを備え
る。内側反応管１４と外側反応管１２との間に空間Ｂを
形成し、空間Ｂの両端をフランジ２２、２４によってそ
れぞれ閉じる。空間Ｂには、大気圧より低い所定の圧力
のガスを密閉する。外側反応管１２の板は、空間Ａの大
気圧と空間Ｂの圧力との圧力差に耐えうる強度とし、内
側反応管１４の板は、空間Ｂの圧力と空間Ｃの圧力との
圧力差に耐えうる強度とする。空間Ｃを真空状態または
大気圧復帰状態のいずれの状態にしても外圧に耐えうる
構造とする。
る。 【解決手段】断面が矩形状の２重反応管１０とその両端
のフランジ２２、２４を備える。２重反応管１０は断面
が矩形状の外側反応管１２と内側反応管１４とを備え
る。内側反応管１４と外側反応管１２との間に空間Ｂを
形成し、空間Ｂの両端をフランジ２２、２４によってそ
れぞれ閉じる。空間Ｂには、大気圧より低い所定の圧力
のガスを密閉する。外側反応管１２の板は、空間Ａの大
気圧と空間Ｂの圧力との圧力差に耐えうる強度とし、内
側反応管１４の板は、空間Ｂの圧力と空間Ｃの圧力との
圧力差に耐えうる強度とする。空間Ｃを真空状態または
大気圧復帰状態のいずれの状態にしても外圧に耐えうる
構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、反応容器に関し、
特に半導体製造装置における反応室の反応容器に関する
ものである。
特に半導体製造装置における反応室の反応容器に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の構成を図５、図６に示す。この従
来の反応容器２００は、上板２２１、左右の側板２２
２、下板２２３およびフランジ２１１、２１２を備えて
いる。上板２２１、側板２２２、下板２２３より断面矩
形状の反応容器２００を構成している。
来の反応容器２００は、上板２２１、左右の側板２２
２、下板２２３およびフランジ２１１、２１２を備えて
いる。上板２２１、側板２２２、下板２２３より断面矩
形状の反応容器２００を構成している。
【０００３】この反応容器２００の内部を真空状態にし
た際に、反応容器２００が大気圧に耐えうる構造とする
ために、上板２２１、下板２２３及び側板２２２の板厚
を厚くして強度を上げていた。
た際に、反応容器２００が大気圧に耐えうる構造とする
ために、上板２２１、下板２２３及び側板２２２の板厚
を厚くして強度を上げていた。
【０００４】ところが、石英製であるため以下の問題点
があった。
があった。
【０００５】（１）当該反応容器２００の製作におい
て、板厚が厚いため溶接加工で歪が発生し、破損しやす
い。
て、板厚が厚いため溶接加工で歪が発生し、破損しやす
い。
【０００６】（２）当該反応容器２００の加工後にアニ
ールを行うが、板厚が厚いため内部の溶接歪が除去され
にくく、残留歪が残り、使用時に破損しやすい。
ールを行うが、板厚が厚いため内部の溶接歪が除去され
にくく、残留歪が残り、使用時に破損しやすい。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
技術の問題点を解決し、安全に製作及び使用が可能な反
応容器を提供することにある。
技術の問題点を解決し、安全に製作及び使用が可能な反
応容器を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、内部を
真空状態にする石英製反応容器において、大気圧を受け
る壁部を複数層構造として、前記壁部の層間に、大気圧
より低い所定の圧力のガスを密閉した構造としたことを
特徴とする反応容器が提供される。
真空状態にする石英製反応容器において、大気圧を受け
る壁部を複数層構造として、前記壁部の層間に、大気圧
より低い所定の圧力のガスを密閉した構造としたことを
特徴とする反応容器が提供される。
【０００９】このようにすれば、外側の大気圧と内側の
真空との間にその中間の圧力の層が形成されるので、壁
部の各層の厚みを薄くしても大気圧に耐えることができ
るようになる。このように壁部の板厚を薄くできれば、
溶接加工で歪が発生することが抑制され、また、加工後
のアニールによって溶接歪が除去されやすくなる。その
結果、製作時および使用時において歪による破損の心配
が無くなり、安全性が向上する。
真空との間にその中間の圧力の層が形成されるので、壁
部の各層の厚みを薄くしても大気圧に耐えることができ
るようになる。このように壁部の板厚を薄くできれば、
溶接加工で歪が発生することが抑制され、また、加工後
のアニールによって溶接歪が除去されやすくなる。その
結果、製作時および使用時において歪による破損の心配
が無くなり、安全性が向上する。
【００１０】また、反応容器内の処理物を加熱して使用
する場合は、従来、壁部より外側の大気へ熱が逃げてい
たが、壁部に大気圧より低い圧力の雰囲気の領域を形成
するため、これが断熱効果を奏し、内側より外側への熱
の逃げが減少し、反応容器内の温度分布特性が向上し、
反応容器への反応副生成物の付着を抑制することができ
る。
する場合は、従来、壁部より外側の大気へ熱が逃げてい
たが、壁部に大気圧より低い圧力の雰囲気の領域を形成
するため、これが断熱効果を奏し、内側より外側への熱
の逃げが減少し、反応容器内の温度分布特性が向上し、
反応容器への反応副生成物の付着を抑制することができ
る。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に本発明の実施の形態を図面を
参照して説明する。
参照して説明する。
【００１２】図１は本発明の一実施の形態の反応容器を
説明するための斜視図であり、図２は図１のＸ−Ｘ線縦
断図である。
説明するための斜視図であり、図２は図１のＸ−Ｘ線縦
断図である。
【００１３】本実施の形態の反応容器１００は、断面が
矩形状の２重反応管１０とその両端に取り付けられたフ
ランジ２２、２４を備えている。２重反応管１０は断面
が矩形状の外側反応管１２と断面が矩形状の内側反応管
１４とを備えている。内側反応管１４の内部には空間Ｃ
が形成されるが、その空間Ｃはフランジ２２、２４にお
いて開口部３０をそれぞれ形成している。内側反応管１
４と外側反応管１２との間には空間Ｂが形成され、この
空間Ｂの両端はフランジ２２、２４によってそれぞれ閉
じられている。空間Ｂには、大気圧より低い所定の圧力
のガスが密閉されている。なお、外側反応管１２の外側
の空間Ａは大気である。
矩形状の２重反応管１０とその両端に取り付けられたフ
ランジ２２、２４を備えている。２重反応管１０は断面
が矩形状の外側反応管１２と断面が矩形状の内側反応管
１４とを備えている。内側反応管１４の内部には空間Ｃ
が形成されるが、その空間Ｃはフランジ２２、２４にお
いて開口部３０をそれぞれ形成している。内側反応管１
４と外側反応管１２との間には空間Ｂが形成され、この
空間Ｂの両端はフランジ２２、２４によってそれぞれ閉
じられている。空間Ｂには、大気圧より低い所定の圧力
のガスが密閉されている。なお、外側反応管１２の外側
の空間Ａは大気である。
【００１４】外側反応管１２の板は、空間Ａの大気圧と
空間Ｂの圧力との圧力差に耐えうる強度とし、内側反応
管１４の板は、空間Ｂの圧力と空間Ｃの圧力との圧力差
に耐えうる強度とする。
空間Ｂの圧力との圧力差に耐えうる強度とし、内側反応
管１４の板は、空間Ｂの圧力と空間Ｃの圧力との圧力差
に耐えうる強度とする。
【００１５】つまり、空間Ｃを真空状態または大気圧復
帰状態のいずれの状態にしても外圧に耐えうる構造とす
る。
帰状態のいずれの状態にしても外圧に耐えうる構造とす
る。
【００１６】空間Ｂへの特定の圧力のガスの密閉は、外
部から空間Ｂに通ずるポート（図示せず。）を設け、こ
のポートを介して行い、後で封止する。
部から空間Ｂに通ずるポート（図示せず。）を設け、こ
のポートを介して行い、後で封止する。
【００１７】なお、本実施の形態においては、反応管１
００の２重反応管１０の断面形状及び開口部が方形であ
るが、円形や楕円形など他の形状でも構わない。
００の２重反応管１０の断面形状及び開口部が方形であ
るが、円形や楕円形など他の形状でも構わない。
【００１８】また、図示したものは、フランジ２２、２
４及び開口部３２、３４が両端に２箇所あるが、図３及
び図４に示す様に、片側だけでも構わない。
４及び開口部３２、３４が両端に２箇所あるが、図３及
び図４に示す様に、片側だけでも構わない。
【００１９】以上記した構造は、反応容器１００の壁部
が二重構造の場合であるが、三重以上の多層構造でも構
わない。
が二重構造の場合であるが、三重以上の多層構造でも構
わない。
【００２０】
（１）壁部の板厚を極力薄くして構成できるため、製作
時及び使用時において、歪による破損の心配が無くな
り、安全性が向上する。
時及び使用時において、歪による破損の心配が無くな
り、安全性が向上する。
【００２１】（２）反応容器内の処理物を加熱して使用
する場合は、従来、壁部より外側の大気へ熱が逃げてい
たが、大気圧より低い圧力の雰囲気の層を設けているた
め、これが断熱効果となり、内側より外側への熱の逃げ
が減少し、容器内の温度分布特性が向上し、容器への反
応副生成物の付着を抑制することができる。
する場合は、従来、壁部より外側の大気へ熱が逃げてい
たが、大気圧より低い圧力の雰囲気の層を設けているた
め、これが断熱効果となり、内側より外側への熱の逃げ
が減少し、容器内の温度分布特性が向上し、容器への反
応副生成物の付着を抑制することができる。
【図１】本発明の一実施の形態の反応容器を説明するた
めの斜視図である。
めの斜視図である。
【図２】図１のＸ−Ｘ線断面図である。
【図３】本発明の他の実施の形態の反応容器を説明する
ための断面図である。
ための断面図である。
【図４】本発明のさらに他の実施の形態の反応容器を説
明するための断面図である。
明するための断面図である。
【図５】従来の反応容器を説明するための斜視図であ
る。
る。
【図６】図５のＹ−Ｙ線断面図である。
１０…２重反応管 １２…外側反応管 １４…内側反応管 ２２、２４…フランジ ３２、３４…開口部 １００…反応容器
Claims (1)
- 【請求項１】内部を真空状態にする石英製反応容器にお
いて、大気圧を受ける壁部を複数層構造として、前記壁
部の層間に、大気圧より低い所定の圧力のガスを密閉し
た構造としたことを特徴とする反応容器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5384597A JPH10242066A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 反応容器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5384597A JPH10242066A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 反応容器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10242066A true JPH10242066A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12954118
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5384597A Withdrawn JPH10242066A (ja) | 1997-02-21 | 1997-02-21 | 反応容器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10242066A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005069359A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2007-12-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1997
- 1997-02-21 JP JP5384597A patent/JPH10242066A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2005069359A1 (ja) * | 2004-01-13 | 2007-12-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| JP4679369B2 (ja) * | 2004-01-13 | 2011-04-27 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040511 |